TW475000B - Wafer bias ring in a sustained self-sputtering reactor - Google Patents
Wafer bias ring in a sustained self-sputtering reactor Download PDFInfo
- Publication number
- TW475000B TW475000B TW087107352A TW87107352A TW475000B TW 475000 B TW475000 B TW 475000B TW 087107352 A TW087107352 A TW 087107352A TW 87107352 A TW87107352 A TW 87107352A TW 475000 B TW475000 B TW 475000B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- target
- leg
- substrate
- patent application
- ring
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3438—Electrodes other than cathode
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3457—Sputtering using other particles than noble gas ions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
A7 ---^___B7 五、發明説^ ) 一~ 發明領 本發明與一種用於例如半導體積體電路的工作件之 電漿製程有關,特別地是,本發明係關於具有支持的自行 賤鍵之物理氣相沉積(PVD)。 發明背 任何先進的半導體積體電路之電路部份皆牽涉一或 多個用以接觸和互連主動的半導體面積之金屬化位準,而 這些半導體面積本身通常是設置在一完好定義的矽晶體 表面上^雖然可能在半導體位準内互連一些電晶體或其他 勺半導aa裝置,如纪憶禮電容,但因為多重連接的裝置所 增加的複雜拓樸地形很快地將需要另一個互連位準。基本 上,在其内形成之具有電晶體和電容的有效矽層其上疊置 有一介電層,例如二氧化矽,接觸孔係蝕刻穿透該介電 層以特別地接觸矽裝置的面積。一金屬被充填在該接觸 孔内,並被沉積於此介電層上,负在矽接點和其他電子點 、之間形成水平式互連。這樣的製程被稱為金屬化。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 傳統上’金屬化層是由鋁或以鋁為基礎的合金組成, 額外還包含最多一些百分比的合金成份,例如銅和矽。此 金屬化基本上可以物理氣相沉積(PVD)(亦稱為濺鍍法)達 成° 一習知的PVD反應器1〇之截面示意圖如第1圖所示, 其說月疋基於可由加州Santa Clara的Applied Materials 有限公司取得的Endura pVD反應器為基礎,此反應器包 括一與一 PVD標靶18密接的真空室,該標靶是由欲被 5氏張尺度適财酬家標iT^TTA4規格(2==讀)-
"+/JUUU 經濟部中央標準局員工消費合作社印製
A7 ---------5Z_ 、發明説明() 濺鍍於一加熱器柱腳18所支持的晶圓16上之材料構成。 保持在該至内的屏蔽2〇用以保護室壁丨2免於踫到濺鍍的 材料,並可提供陽極接地平面。-可選擇的DC電源供應 器22使該標乾與屏蔽相關地負向偏壓至約-600伏DC。傳 統上,該柱腳18以及該晶圓16皆是電性浮接(fl〇ating) 的。 一賤鍵工作氣禮的氣源24(通f是化學不反應性的氬 氣)經由一大量流體控制器26將工作氣體提供至該室中。 一真空系統2 8維持該室於一低壓下。雖然該室可被維持 於約10-7托耳甚至更低的基本壓力,但基本上,工作氣 體的約被維持於1和1〇〇〇亳托耳之間。一以電腦為基礎 的控制器30控制包括DC電源供應器22和大量流體控制 器26的反應器。 當氬氣被允許進入該室内時,DC電壓會點火該氬氣 使成為電漿’且將帶正電荷的氬離子吸附至帶負電的標乾 14上《該離子以一大致的能量撞擊標靶14,並使標靶原 子或原子叢集自該標靶14濺鍍出來。某些標靶粒子踫撞 晶圓16,而被沉積於上,而形成一標靶材料膜。 為提供有效的濺鍍,一磁子32被設置於標靶14後 方’它具有相反的磁鐵34、36,以在該室内之該磁鐵34、 36的相鄰區域内產生一磁場。此磁場會捕捉電子,且因為 充電的特性,離子濃度亦會增加,以在該室内之相鄰磁子 32的區域上形成一高密度的電漿區域38。 隨著積體電路的連續微小化,對於金屬化的要求亦已 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
475000 A7 B7 五、發明説明() 增加。許多人現在相信鋁金屬化可以銅金屬化取代。
Murarka 等人在 1995 年的 Critical Reviews in Solid State and Material Science,vol. 10,no.2 第 8 7-124 頁之,’Copper metallization for UL SI and beyond"中提出了 對銅金屬化的 廣泛的討論。銅可提供許多優點。它的大阻抗小於鋁的大 阻抗’對純材料而言是1·67 # Ω -cm比2.7 a Ω -cm,且阻 抗的任何降低皆會隨著金屬化互連的寬度和厚度持續減 小而得提供更特定的優點。此外,有關鋁金屬化的一接續 問題是在一鋁互連中,在一稱為電漂移的過程中,鋁原子 會傾向於攜帶高電流密度以沿該互連而漂移,特別是指遠 離熱點的方式移動《這類漂移所導致的超出量將會破壞鋁 的互連,並損害積體電路。以銅為基礎的合金則可特定地 防止電子漂移的降低位準。 銅金屬化是一未經證實的技術,且已知可以限定在習 知鋁金屬化中未曾經歷的困難。但是,它可提供許多方式 以避免在鋁金屬化中所產生的問題。 在傳統的濺鍍過程中所產生的/問題在於它是在相 當高的惰性工作氣體(如氬氣)壓力下進行的。但是,氬氣 環境會產生兩項問題。第一,它無可避免地會有氬離子被 沉積在基材上,且被併入濺鍍沉積的氰中°雖然這些通常 是無反應性的氬離子的效果尚未確定,但可預估它們會使 濺鍍沉積之鋁的導電度減少50%。 濺鍍以充填孔洞的方式至少部份依賴所濺鍍的粒子 會彈道式地由標靶傳送到晶圓上,也就是說’不會由最初 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS )八4規格(210X297公釐) F先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 475000 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _____B7 ___ 五、發明説明() 的路程亂射而出。該彈道軌線可允許被濺射的粒子以幾乎 垂直晶圓表面的方式到達晶圓上,因而它會深深地穿透任 何孔隙中。但是,基本的濺鍍過程是在一約由1至100亳 、把耳的氬氣環境進行的,如此高壓表示鋁濺鍍粒子有極大 的可能會與氬原子踫撞,因而會由其彈道路徑偏離。因 此’相信低電壓濺射對深通孔而言可提供較好孔洞充填結 果。但是,低壓通常是均等於低的沆積速率,以致於降低 壓力並不是使具有好的方向性之一有利方法。此外,要在 一如第1圖的一般結構中支持一電漿約需要〇·2亳托耳的最 小壓力。 高密度電漿(HDP)濺鍍反應器正被有效地發展並且已 接近商業化。HDP濺鍍的優點之一是在被濺鍍粒子向基材 移動的期間,會有可改變的部份被離子化。接著,支持晶 圓的柱腳可以由一 RF源選擇性地偏壓,以產生和正充電 的電漿有關的DC偏壓。因此,晶圓可相關於電壓而被負 偏壓(其基本值為-20 V),而帶正電荷的濺鍍離子可由自然 的電漿加速朝基材移動。所增加的速度可提供正交於基材 平面的高度方向性磁通,因而可以高的寬高比深深地進入 孔洞中。Nulman在歐洲專利公開案第703,598-Α1號中揭 示使用氬氣工作件將一負偏向的柵攔插在基材與HDP源 之間。 最近有關於使用支撐自行賤鐘(SSS)之銅膜的PVD沉 積例如 Posadowski 等人在 1993 年的 J0urnai 〇f vacuum Science and Technology,A、vol. 11、ηο·6 第 2980-2984 本紙張尺度適用巾關家標準(CNS ) Α4規格—(210:2^7公釐) " ' "" (请先聞讀背面之注意事項存填寫本頁)
經濟部中央標準局員工消費合作社印製 475000 A7 B7 五、發明説明() 頁之 ’’Sustained self-sputtering using a direct current magnetron source”中所揭示者。在此支撐自行濺艘中(不使 用工作氣體’至少在電漿已被點火之後是如此。取而代之 者’自標絶所濺渡的足量原予被離子化,然後以足夠高的 能量被吸附回標靶上,以作為濺鍍離子,以代替經常使用 的氬離子》 用以達成自行支撐的濺鍍的條件(只有在特定的條件 下以某些標靶材料觀察而得)可以表示如下: α β Sm=1 (1) 其中α是由標靶濺鍍而出的原子的離子化比例,泠是 回到標靶的濺鍍原子的比率,和Snj為自行濺鍍的產值, 亦即,在銅標靶的例子下,由一標靶濺鍍而出的銅原子數 目除以回復的銅原子。該離子化比例和回復比率係依材 料和電流密度,以及其他的操作條件而定,但是這兩個因 素必須小於一《通常α点在高電流密度下會增加,然而, 對支撐的自行濺鍍而言,該自行濺鍍的產值之大的值是極 為重要的,因而高的電流密度亦是重要的。傳統的金屬化 材料Α1以及其他在A1孔洞充填時使用的金屬,如鈦、鉬、 鎢和鈕等具有小於1的自行濺鍍產值,因而他們被排除以 用於支撐的自行錢H,銅具有可接受的自行賤鍍 值,鉑、鈀、銀和金等亦是。 V自行濺鍍的優點之一是濺鍍粒子的高離子化比例。在 較大的晶圓之支撐自行賤鍍中’柱腳需要被接地以作為 陽極’因而它會吸附已離子化的賤鍵粒子至晶圓上。再 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4現格(21〇1%公缝) ------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -、?! 線 475000 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 __B7___ 五、發明説明() 者,電漿内的電位(基本上相信是在20V附近的相當常數 值VP)始終為正,以致於離子化粒子可加速通過電漿屏 蔽,而到達接地的接腳和晶圓。正交於晶圓表面之增加的 速度有助於深孔洞的充填。
Asamaki 在 1994 年之 Japanese Journal of Applied Physics、vol. 33、pt.l、no. 5A 第 2500-2503 頁之"Copper self-sputtering by planar magnetron"以及 1994 年之
Japanese Journal of Applied Physics、vol. 33、pt.l、no. 8 第 4566-4569 頁中之"Filling of sub-# m through holes by self-sputter deposition"中已報告有關銅的SS#沉積。在後 者的參考文獻中,他們報告在具有約3的寬高比之0.4//m 孔洞中有非常好的底部涵蓋。 但是,已知的SSS工作具声實驗的特性,且在支撐的 自行濺鍍在用於大量積體電路中而被商業化以前仍有幾 個困難的問題。 雖然自行支撐的濺鍍具有幾項優點,但它質質上也有 一些尚未能適當解決的缺點。在一較習知的濺鍍反應器 中’氬工作壓力和電漿密度可以改變以控制濺鍍。在HDP 賤鍍中’電漿的電力會因為感應性地使電力被棋合至電衆 中的原故而與標靶電力解耦合。因此,被濺鍍粒子的離子 化比例可以由電漿密度控制,而電漿的被覆電壓則可以分 開地控制,因而可控制濺鍍離子入射到晶圓的方向性。在 自行支撐的濺鍍中,標靶電力需要被加大,以在高密度電 聚區域中得到s S S。當賤鍵粒子有高的比例被離子化時, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)八4規格(210x297公慶) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 475000 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明() 該被覆電壓的控制則較不容易’且工作氣體的壓力會因為 有效地太低而不會有太大的效益。在對較大晶圓的支撐自 行濺鍍中,晶圓被接地,以敖於它不能進一步被偏壓,以 控制賤鏡離子對其入射的速度’此如同一對深孔洞充填的 一已知技術一般。 因此,希望能在支撐的自行濺鍍中提供更好的電壓控 制。再者,亦希望能在支撐的自行滅鏡中,當濺鍍離子接 近被濺鍍沉積的基材時,可更好的控制濺鍍離子的能量和 一方向性。 發明目的及概述: 一種自行支撐的濺鍍電漿反應器,特別是指適用於澈 鍍銅者,其中一偏向環被設置在且最好是在欲被濺鍍沉積 的基材上方,以控制電漿的電位,因此可控制被覆電壓和 賤鍵離子入射於該基材的能量和方向性。 式簡單說明: 弟1圖為傳統的PVD反應器的截面示意圖。 第2圖為根據本發明之PVD反應器之一實施例的截面示 意圖。 第3圖為用作一偏向環的夾持環之截面視圖。 1號對照說明: 10 PVD反應器 12 真空室 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公董) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 475000 A7 B7 五、發明説明( 14 PVD標靶 20 屏蔽 22、44 DC電源供應器 26 大量流體控制器 30 控制器 36、34 磁鐵 42 偏向環 50 絕緣膜 48 金屬主體 18 加熱柱腳 16 晶圓 24 氣體源 2 8 真空系統 32 磁子 38 高密度電漿區 40、46 夾持環 52 電線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 發明詳細說明 本發明之 實施例 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 如第2圖所示。對自行支持的濺鍍 而言,允許將氬氣導入t 12中,以點火該電衆,但是, -旦它被點火’氬氣壓力即會實質地降低,且高壓電衆區 域38會由自標靶14濺鍍而出的銅離子支撐。同時在本實 施例中,柱腳18是交流(AC)和直流(DC)接地的。基本上, 一金屬來持環40可維持晶圓16抵住柱腳18,並可用以屏 蔽晶圓的周圍免於受到濺鍍沉積。該夾持環4〇僅延伸晶 圓16之上表面以上幾公厘,且在本實施例中,被維持於 柱腳的電位。此夾持環4〇基本上是以不鏽鋼(適度導電體) 製成’而在鈦濺鍍時,它通常是以鈦製成。 根據本發明之一實施例,一偏向環42被設置在晶圓 16和夾持環40四週,最好它呈管狀(通常是圓柱形),且 由高純度、高導電度的銅組成,以使污染最小。此偏向環 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇><297公釐) 訂 線 475000 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 五、發明説明( 42係設置在屏蔽20内但與之電 ”一
電源供應器44可改嫩 、、’。一弟二可變的DC 2〇 .. "又偏壓該偏向環42(基本上與屏蔽 關““ 電衆的其他任何電性偏向部份有 關的正十分之幾伏特)。 物有 該偏向環42係以軸向地令w ^ ^ 小距離,最好, 持環4G的外部一微 疋A到1或2公分。此封閉的空間可使 上:42對晶圓16上的電位的偏壓效應最大》偏向環 ^的上邵設在該线環4G和晶圓16的上方幾公分處因 ^與晶圓16上方的電漿交互作用β由此偏向環42 所提供的電位之操作可提高電浆電位Vp’因而可增加與接 地晶圓16相鄰的被覆電壓。亦即,它會有效地負偏壓晶 圓16相對於電漿的類神經的部份,以當被賤鍍的離子離 開電漿向晶圓移動時,可加速該濺鍍的銅離子。有效的負 偏壓量可以由改變可調整的DC電源供應器44的方式調整 之。但是,相信大約2〇VDC的偏壓可提供增進孔洞充填 所需的控制型式。此外,偏向環42的高度也是可以利用 已知的室機構予以調整,以使沉積最佳,但是,若它升的 太高,則將擾亂電漿的均勻度。 雖然電漿的高密度區38對支撐的自行濺鍍而言是重 要的,但在室12内的整個SSS電漿則與一傳統工作氣體 的電漿共用了某些特性,但是在其他的特性方面則有所不 同。傳統的電漿相當地冷,在室溫下,氬離子與一 〇 〇26eV 的平衡熱能量比較起來具有約〇.leV的能量,相反地,sss 電漿則相當地熱,因為由標靶濺鍍而出的原子之能量範圍 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 線
4/DUUU 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 五、發明説明( 在1至10eV的範圍内,而垃 而接下來的離子化並不會特別地 改變此能里。當然,中子 τ卞/皿度仍然比離子的溫度高許多。 :此在SSS电漿中的銅離子有較高的能量,也就是說, 匕形成-較熱的電漿。然而,當鋼離子彈道式地向晶圓移 動時,既然中子亦可用來充填室,他們會經過一類神經的 區域,因此,在標乾和晶圓之間的整個區域之特徵可以如 一電漿’雖&電㈣不是熱平衡的。—電漿被覆和相關的 电壓降必須包圍孩晶圓。該電漿被覆的厚度大約反比於電 漿密度的均方根。此現象基本上與傳統的現象並沒有不 同,其中在接近磁子處的電衆密度最冑,而接&晶圓處則 降下來。因此,當偏向環延伸進入由電蒙和其被覆所佔據 的區域時,戶斤施加的偏壓將影響電衆的料,特別是會提 升電漿的電位。在-電漿中,中子會比離子移動的更快, 且>儿積於靠近電漿的任何表面上。因此,調整相鄰表面的 電位將會受到電漿内的電位之影響。 為能支持的自行濺鍍,柱腳必須相對於負偏壓的標靶 而接地,以作為陽極,因此亦會吸引較大比例的離子化銅 離子,而在傳統的濺鍍中,大部份的標靶原子是未充電 的,且被彈道式地向晶圓以及其他的室表面移動。對其中 有同比例的標靶原子被離子化的傳統HDP濺鍍而言(通常 是以感應式的耦合能量),晶圓可以獨立地偏壓,以控制 已離子化的濺鍍原子之終端速度。根據本發明,標靶和晶 圓的相對偏壓被用來支持該自行濺鍍的電漿,且偏壓環控 制電漿電位,以及離子化濺鍍原子的終端速度。電漿激發 本紙張尺度適财關家標準(CNS ) A4規格(2=3公餐 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁}
斗 ouuu 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 A7 ____________B7 五、發明説明() 偏壓的平面幾何會以經由圓柱形屏蔽接地的傳統陽極更 為有利。偏向環的電子偏壓幾乎與電漿激發獨立的方式進 行0 雖然上述之偏壓環可提供最佳的圓形對稱,但並不需 要完全圓形的環。多個縱向沿晶圓上之室軸延伸以及沿一 環的外圍配置的導電梢將同樣會影響電漿電位,若該梢是 均等偏壓的話。即使最小量的三支梢也會提供相當對稱的 電漿偏向環。但是,若分開的偏向元件具有較大的面積, 例如配置成圓形的均等偏壓電極區域,且在區域之間具有 間隙’則電漿偏壓將更為有效。 在本發明的另一實施例中,是不需要一分開的偏向環 的。取而代之者,將可變的DC電源供應器連接到夾持環 40上。此外,該夾持環被修改,如第3圖之截面圖之夾持 裒6所示者’使其面對電漿的侧具有一金屬的主體48, 而與晶圓16和柱腳18接觸的側上則具有一絕緣膜5〇。 DC電源供應器經由一電線52 %與該金屬±體48連接, 精此,使得失持環46可以與晶圓16獨立的方式偏壓。另 種夂化疋,原則上該夾持環4 6可以由絕緣陶瓷構成, 其上表φ具有一金屬膜,* DC t源供應器與該金屬膜連 接。 因此本發明提供一用以控制支撐的自行濺鍍中的濺 鍵特性之方法與裝置,特別地是,可以電子偏壓控制錢 《粒子的能量和方向性。此控制可以對該支撐的自行濺鍍 的原則條件之影響最小的方式達成。 本紙張尺度適用中國國家標) A4規格(公釐)----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 線
Claims (1)
- f f料; 材; 經濟部中央榡準局員工消費合作社印製 缕本 、二,,.- — :.·ί 一- . '申請專利範圍 種濺鍍室,該濺鍍室至少包含: 一真空室; 位於該真空室内的標靶,且包含要被濺鍍的材 導電柱腳,用以把持欲被濺鍍沉積以該材料的基 壁屏敝,設置於該室之内壁内,且圍繞該標靶和 該柱腳之間的橫向側; 一磁鐵組合體,設置於相對該柱腳的該標靶側上; 、第一電源供.應器,用以相關於該柱腳上的一固定電 位而偏壓該標靶; 一導電偏向環,圍繞於該柱腳外部,設置在該壁屏 蔽内,且在該柱腳之上朝向該標靶的部份路徑;和 第二電源供應器,用以使該偏向環相關於該柱腳而 偏向。 2·如申請專利範圍第1項所述之濺鍍室,尚包含一設置在 孩室内的屏蔽,以保護該室之壁免於濺鍍沉積有該材 料’且該環係設置在該屏蔽内部。 3 ·如申請專利範圍第1項所述之賤鍍室,尚包含一广夬 用以選擇性地維持該基材於該柱腳上,且其中^^向 設置於該夾持環的外部,並且在該夾持環的上方。一 第15頁 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁}) ) 的 的 方 經濟、那中央榡準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 4·7中請專利範㈣!項所述之鍾室,纟中前述之偏向 環係用以失持該基材㈣柱腳上,但保留與該基材和該 柱腳的電絕緣。 5·如申請專利範圍第i項所述之濺鍍室,纟中前述之要被 濺鍍沉積的標靶材料包含銅。 6·如申請專利範圍第!項所述之錢室,纟中前述之偏向 環是以銅製成。 7·如申請專利範圍第丨項所述之濺鍍室,其中前述之第 電源供應器足以偏壓該標靶,以使自該標靶濺鍍而出 材料之離子支撐在鄰近該磁鐵組合體的室之區域内 電漿。 8. 一種支撐自行-濺鍍反應器,其至少包含·· 一真空室; 一欲被濺鍍沉積的材料標靶; 一用以把持一基材的柱腳; 一設置在該標靶之背側上的磁子組合體; 第一 DC電源供應器,連接於該標靶和該柱腳之間 且可以產生-支撐的自行·賤鍍電装,該電漿包含在 近該中子組合體的標靶區域内的材料之離子; -偏向環’設置於該柱腳四週,且設於該基材上 (請先聞讀背面之注意事項再填寫衣頁)申^專利範圍 部份朝向該標靶的路徑;和 、^〜偏向環連接,且與它 該柱腳而偏向。 〜 相對於 如申請專利範圍第8項所述之反應 包含銅。 器,其中前述之 材料 申叫專利範圍第8項所述之反應器,其中 環係圍繞該柱腳之側。 前述之偏向 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 如申請專利範目帛8項所述之反應器,其中前述 環通常呈管狀。 之偏向 訂 12·如申清專利範圍第8項所述之反應器,其中前述之偏向 環包含多個配置成環形的偏向元件。 13·如申請專利範圍第8項所述之反應器,其中前述之偏向 裱尚作為一夾持環,以夾持該基材於該柱腳上,無需以 孩第二DC電源供應器偏向該基材。 14·如申請專利範圍第。項所述之反應器,其中前述之夹 持環面對該基材和該柱腳處包含一絕緣部份,與該第/ DC電源供應器連接的導電部份。 家標準(CNS) A4規格(21^^7公董) 線 經濟部中夬榡準局員工消費合作社印製 475000 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標率局員工消費合作社印裝 申請專利範圍 1 5· —種用以濺鍍沉積κ吟方法〆至少包含下列步騾: 將一基材支持於一真广^室内的一導電柱腳上,· 使該柱腳偏壓一電位; 允許一工作氣體進入該室; 相對該柱腳偏向一面對該柱腳的濺鍍標靶,且包含 使該工作氣體點火成為一電漿的材料,一磁鐵組合體係 設置在該標靶的背側上; 然後減少供應該工作氣體進入該室中,但繼續偏壓 該藏鍍標乾,以足以使該材料的離子支撐在一相鄰該磁 子的區域内的電漿;和 在該電漿被支撐時,相對該柱腳而偏壓一設置在該 柱腳周圍且在該基材以上 16·如申請專利範圍第15項所述之方法,其中前述之偏向 ^----- ^環碰該爸^被正包偏歷° 1 7 ·如申請專利範圍第1 5項所述之方法,其中前述之導電 環係圍繞該柱腳之側。 18·如申請專利範圍第15項所述之方法,尚包含以該導電 環夾持該基材於該柱腳上,該導電環具有一面對該柱腳 和基材的絕緣部份,以使導電環與該柱腳和該基材電絕 緣0 第18頁 I紙張尺度適财關家料(CNS ) A4麟(21GX297公董) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印裂 475000 A8 B8 C8 _____ D8_ 六、申請專利範圍 19·如申請專利範圍第15項所述之方法,其中前述之導電 環設於該基材上方的部份路徑上,並朝向該標靶,且被 設置在一圍繞該基材和該標靶之間的空間之壁屏蔽。 20.—種用以支撐自行·濺鍍之方法,其至少包含下列步 驟: 將一基材支持於一真空室内的一導電柱腳上; 在相鄰面對該室之内部的標靶面之區域上產生一磁 場’該標靶之面包含欲被濺鍍的材料; 偏壓該標靶以導使來自該標靶的材料之支撐的自行 -濺鍍之第一步驟;和 偏壓設在該基材四週且在該基材的—本 衣面上朝向該 標的一或多個導電組件,以控制該材料 竹 < 離子由存在 於該標靶和該基材之間的電漿入射至該 β I材上的第二 步驟。 2 1 ·如申請專利範圍第20項所述之方法,其由_、 Α中則述I欲被 濺鍵之材料包含銅》 22.如申請專利範圍第20項所述之方法,尚包本以談一咬 多個組件使該基材夾持於該柱腳上》 23·如申請專利範圍第20項所述之方法,其由a、*、 外f則述 < 一或 多個導電組件設於該基材上方的部份路庐μ ^ , 仫上,並朝向該 第19頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(21〇Χ297公爱) "" ------ I I,——,1— Γ I I - I —— 訂 , I 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ___ 475000 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍標靶,且被設置於一圍繞該基材和該標靶之間的空間之 壁屏蔽。24·如申請專利範圍第20項所述之方法,其中前述之導電 組件包含至少三個縱向沿該室之軸延伸的梢。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 第20頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/859,300 US5897752A (en) | 1997-05-20 | 1997-05-20 | Wafer bias ring in a sustained self-sputtering reactor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW475000B true TW475000B (en) | 2002-02-01 |
Family
ID=25330542
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW087107352A TW475000B (en) | 1997-05-20 | 1998-05-12 | Wafer bias ring in a sustained self-sputtering reactor |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5897752A (zh) |
JP (1) | JPH11100668A (zh) |
TW (1) | TW475000B (zh) |
Families Citing this family (98)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5897752A (en) * | 1997-05-20 | 1999-04-27 | Applied Materials, Inc. | Wafer bias ring in a sustained self-sputtering reactor |
KR20010032498A (ko) * | 1997-11-26 | 2001-04-25 | 조셉 제이. 스위니 | 손상없는 스컵쳐 코팅 증착 |
US20050272254A1 (en) * | 1997-11-26 | 2005-12-08 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing low resistivity barrier layers for copper interconnects |
US7253109B2 (en) * | 1997-11-26 | 2007-08-07 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a tantalum nitride/tantalum diffusion barrier layer system |
US6287977B1 (en) | 1998-07-31 | 2001-09-11 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming improved metal interconnects |
US6290825B1 (en) * | 1999-02-12 | 2001-09-18 | Applied Materials, Inc. | High-density plasma source for ionized metal deposition |
US6497802B2 (en) | 1999-02-12 | 2002-12-24 | Applied Materials, Inc. | Self ionized plasma sputtering |
US6183614B1 (en) * | 1999-02-12 | 2001-02-06 | Applied Materials, Inc. | Rotating sputter magnetron assembly |
US6306265B1 (en) * | 1999-02-12 | 2001-10-23 | Applied Materials, Inc. | High-density plasma for ionized metal deposition capable of exciting a plasma wave |
US6620298B1 (en) * | 1999-04-23 | 2003-09-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetron sputtering method and apparatus |
KR20020029064A (ko) * | 1999-07-06 | 2002-04-17 | 조셉 제이. 스위니 | 스퍼터링 장치 및 막 형성 방법 |
US6610151B1 (en) * | 1999-10-02 | 2003-08-26 | Uri Cohen | Seed layers for interconnects and methods and apparatus for their fabrication |
US6924226B2 (en) * | 1999-10-02 | 2005-08-02 | Uri Cohen | Methods for making multiple seed layers for metallic interconnects |
US7105434B2 (en) | 1999-10-02 | 2006-09-12 | Uri Cohen | Advanced seed layery for metallic interconnects |
US8696875B2 (en) * | 1999-10-08 | 2014-04-15 | Applied Materials, Inc. | Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering |
US10047430B2 (en) | 1999-10-08 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering |
JP4021601B2 (ja) | 1999-10-29 | 2007-12-12 | 株式会社東芝 | スパッタ装置および成膜方法 |
US6277249B1 (en) * | 2000-01-21 | 2001-08-21 | Applied Materials Inc. | Integrated process for copper via filling using a magnetron and target producing highly energetic ions |
US6585870B1 (en) | 2000-04-28 | 2003-07-01 | Honeywell International Inc. | Physical vapor deposition targets having crystallographic orientations |
US6679981B1 (en) * | 2000-05-11 | 2004-01-20 | Applied Materials, Inc. | Inductive plasma loop enhancing magnetron sputtering |
US6418874B1 (en) | 2000-05-25 | 2002-07-16 | Applied Materials, Inc. | Toroidal plasma source for plasma processing |
US6296747B1 (en) | 2000-06-22 | 2001-10-02 | Applied Materials, Inc. | Baffled perforated shield in a plasma sputtering reactor |
US6352629B1 (en) * | 2000-07-10 | 2002-03-05 | Applied Materials, Inc. | Coaxial electromagnet in a magnetron sputtering reactor |
US6358376B1 (en) * | 2000-07-10 | 2002-03-19 | Applied Materials, Inc. | Biased shield in a magnetron sputter reactor |
US6939434B2 (en) * | 2000-08-11 | 2005-09-06 | Applied Materials, Inc. | Externally excited torroidal plasma source with magnetic control of ion distribution |
US7294563B2 (en) * | 2000-08-10 | 2007-11-13 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor on insulator vertical transistor fabrication and doping process |
US20070042580A1 (en) * | 2000-08-10 | 2007-02-22 | Amir Al-Bayati | Ion implanted insulator material with reduced dielectric constant |
US7166524B2 (en) * | 2000-08-11 | 2007-01-23 | Applied Materials, Inc. | Method for ion implanting insulator material to reduce dielectric constant |
US6893907B2 (en) | 2002-06-05 | 2005-05-17 | Applied Materials, Inc. | Fabrication of silicon-on-insulator structure using plasma immersion ion implantation |
US7223676B2 (en) * | 2002-06-05 | 2007-05-29 | Applied Materials, Inc. | Very low temperature CVD process with independently variable conformality, stress and composition of the CVD layer |
US7094316B1 (en) | 2000-08-11 | 2006-08-22 | Applied Materials, Inc. | Externally excited torroidal plasma source |
US6410449B1 (en) | 2000-08-11 | 2002-06-25 | Applied Materials, Inc. | Method of processing a workpiece using an externally excited torroidal plasma source |
US7303982B2 (en) * | 2000-08-11 | 2007-12-04 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process using an inductively coupled plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage |
US7465478B2 (en) * | 2000-08-11 | 2008-12-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process |
US7037813B2 (en) * | 2000-08-11 | 2006-05-02 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process using a capacitively coupled plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage |
US7137354B2 (en) * | 2000-08-11 | 2006-11-21 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation apparatus including a plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage |
US6348126B1 (en) | 2000-08-11 | 2002-02-19 | Applied Materials, Inc. | Externally excited torroidal plasma source |
US6551446B1 (en) | 2000-08-11 | 2003-04-22 | Applied Materials Inc. | Externally excited torroidal plasma source with a gas distribution plate |
US20050230047A1 (en) * | 2000-08-11 | 2005-10-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation apparatus |
US6468388B1 (en) | 2000-08-11 | 2002-10-22 | Applied Materials, Inc. | Reactor chamber for an externally excited torroidal plasma source with a gas distribution plate |
US7479456B2 (en) * | 2004-08-26 | 2009-01-20 | Applied Materials, Inc. | Gasless high voltage high contact force wafer contact-cooling electrostatic chuck |
US6453842B1 (en) | 2000-08-11 | 2002-09-24 | Applied Materials Inc. | Externally excited torroidal plasma source using a gas distribution plate |
US7183177B2 (en) * | 2000-08-11 | 2007-02-27 | Applied Materials, Inc. | Silicon-on-insulator wafer transfer method using surface activation plasma immersion ion implantation for wafer-to-wafer adhesion enhancement |
US7094670B2 (en) | 2000-08-11 | 2006-08-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process |
US7320734B2 (en) * | 2000-08-11 | 2008-01-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation system including a plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage |
US7430984B2 (en) * | 2000-08-11 | 2008-10-07 | Applied Materials, Inc. | Method to drive spatially separate resonant structure with spatially distinct plasma secondaries using a single generator and switching elements |
US7288491B2 (en) * | 2000-08-11 | 2007-10-30 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process |
US6494986B1 (en) | 2000-08-11 | 2002-12-17 | Applied Materials, Inc. | Externally excited multiple torroidal plasma source |
JP4703828B2 (ja) * | 2000-09-07 | 2011-06-15 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置及び薄膜製造方法 |
US6634313B2 (en) | 2001-02-13 | 2003-10-21 | Applied Materials, Inc. | High-frequency electrostatically shielded toroidal plasma and radical source |
US7467598B2 (en) * | 2001-04-09 | 2008-12-23 | Tegal Corporation | System for, and method of, etching a surface on a wafer |
US6652713B2 (en) * | 2001-08-09 | 2003-11-25 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with integral shield |
US6503824B1 (en) | 2001-10-12 | 2003-01-07 | Mosel Vitelic, Inc. | Forming conductive layers on insulators by physical vapor deposition |
US6780086B2 (en) | 2001-10-12 | 2004-08-24 | Mosel Vitelic, Inc. | Determining an endpoint in a polishing process |
US6899798B2 (en) * | 2001-12-21 | 2005-05-31 | Applied Materials, Inc. | Reusable ceramic-comprising component which includes a scrificial surface layer |
US6743340B2 (en) * | 2002-02-05 | 2004-06-01 | Applied Materials, Inc. | Sputtering of aligned magnetic materials and magnetic dipole ring used therefor |
US7504006B2 (en) * | 2002-08-01 | 2009-03-17 | Applied Materials, Inc. | Self-ionized and capacitively-coupled plasma for sputtering and resputtering |
CN100418187C (zh) * | 2003-02-07 | 2008-09-10 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置、环形部件和等离子体处理方法 |
US7355687B2 (en) * | 2003-02-20 | 2008-04-08 | Hunter Engineering Company | Method and apparatus for vehicle service system with imaging components |
US20040226516A1 (en) * | 2003-05-13 | 2004-11-18 | Daniel Timothy J. | Wafer pedestal cover |
US20040237897A1 (en) * | 2003-05-27 | 2004-12-02 | Hiroji Hanawa | High-Frequency electrostatically shielded toroidal plasma and radical source |
US7001491B2 (en) * | 2003-06-26 | 2006-02-21 | Tokyo Electron Limited | Vacuum-processing chamber-shield and multi-chamber pumping method |
US20050211547A1 (en) * | 2004-03-26 | 2005-09-29 | Applied Materials, Inc. | Reactive sputter deposition plasma reactor and process using plural ion shower grids |
US20050211546A1 (en) * | 2004-03-26 | 2005-09-29 | Applied Materials, Inc. | Reactive sputter deposition plasma process using an ion shower grid |
US7244474B2 (en) * | 2004-03-26 | 2007-07-17 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition plasma process using an ion shower grid |
US7291360B2 (en) * | 2004-03-26 | 2007-11-06 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition plasma process using plural ion shower grids |
US7695590B2 (en) * | 2004-03-26 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition plasma reactor having plural ion shower grids |
US20050211171A1 (en) * | 2004-03-26 | 2005-09-29 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition plasma reactor having an ion shower grid |
US7358192B2 (en) * | 2004-04-08 | 2008-04-15 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for in-situ film stack processing |
US7767561B2 (en) * | 2004-07-20 | 2010-08-03 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation reactor having an ion shower grid |
US8058156B2 (en) * | 2004-07-20 | 2011-11-15 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation reactor having multiple ion shower grids |
KR100784381B1 (ko) | 2004-07-23 | 2007-12-11 | 삼성전자주식회사 | 증착 장치 및 방법 |
US7666464B2 (en) * | 2004-10-23 | 2010-02-23 | Applied Materials, Inc. | RF measurement feedback control and diagnostics for a plasma immersion ion implantation reactor |
US7428915B2 (en) * | 2005-04-26 | 2008-09-30 | Applied Materials, Inc. | O-ringless tandem throttle valve for a plasma reactor chamber |
US20060260545A1 (en) * | 2005-05-17 | 2006-11-23 | Kartik Ramaswamy | Low temperature absorption layer deposition and high speed optical annealing system |
US7109098B1 (en) | 2005-05-17 | 2006-09-19 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor junction formation process including low temperature plasma deposition of an optical absorption layer and high speed optical annealing |
US7422775B2 (en) * | 2005-05-17 | 2008-09-09 | Applied Materials, Inc. | Process for low temperature plasma deposition of an optical absorption layer and high speed optical annealing |
US7312162B2 (en) * | 2005-05-17 | 2007-12-25 | Applied Materials, Inc. | Low temperature plasma deposition process for carbon layer deposition |
US8617672B2 (en) | 2005-07-13 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Localized surface annealing of components for substrate processing chambers |
US7429532B2 (en) * | 2005-08-08 | 2008-09-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate process using an optically writable carbon-containing mask |
US7323401B2 (en) * | 2005-08-08 | 2008-01-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate process using a low temperature deposited carbon-containing hard mask |
US7312148B2 (en) * | 2005-08-08 | 2007-12-25 | Applied Materials, Inc. | Copper barrier reflow process employing high speed optical annealing |
US7335611B2 (en) * | 2005-08-08 | 2008-02-26 | Applied Materials, Inc. | Copper conductor annealing process employing high speed optical annealing with a low temperature-deposited optical absorber layer |
CN101583736A (zh) * | 2007-01-19 | 2009-11-18 | 应用材料股份有限公司 | 浸没式等离子体室 |
US7981262B2 (en) * | 2007-01-29 | 2011-07-19 | Applied Materials, Inc. | Process kit for substrate processing chamber |
US7942969B2 (en) * | 2007-05-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and components |
US20090084317A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition chamber and components |
US8540844B2 (en) * | 2008-12-19 | 2013-09-24 | Lam Research Corporation | Plasma confinement structures in plasma processing systems |
US20110011737A1 (en) * | 2009-07-17 | 2011-01-20 | Institute Of Nuclear Energy Research Atomic Energy Council, Executive Yuan | High-power pulse magnetron sputtering apparatus and surface treatment apparatus using the same |
US20120125766A1 (en) * | 2010-11-22 | 2012-05-24 | Zhurin Viacheslav V | Magnetron with non-equipotential cathode |
CN105474362B (zh) | 2013-08-16 | 2018-05-25 | 应用材料公司 | 用于高温低压力环境的细长的容性耦合的等离子体源 |
US9336997B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-05-10 | Applied Materials, Inc. | RF multi-feed structure to improve plasma uniformity |
US10665433B2 (en) | 2016-09-19 | 2020-05-26 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Extreme edge uniformity control |
CN108456860B (zh) * | 2017-02-22 | 2020-12-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种沉积腔室和膜层沉积装置 |
JP7541005B2 (ja) | 2018-12-03 | 2024-08-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | チャックとアーク放電に関する性能が改良された静電チャック設計 |
US11584994B2 (en) | 2019-01-15 | 2023-02-21 | Applied Materials, Inc. | Pedestal for substrate processing chambers |
US11776793B2 (en) | 2020-11-13 | 2023-10-03 | Applied Materials, Inc. | Plasma source with ceramic electrode plate |
CN116752112B (zh) * | 2023-08-17 | 2023-11-10 | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 | 射频磁控溅射设备 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3410775A (en) * | 1966-04-14 | 1968-11-12 | Bell Telephone Labor Inc | Electrostatic control of electron movement in cathode sputtering |
US4038171A (en) * | 1976-03-31 | 1977-07-26 | Battelle Memorial Institute | Supported plasma sputtering apparatus for high deposition rate over large area |
US5114556A (en) * | 1989-12-27 | 1992-05-19 | Machine Technology, Inc. | Deposition apparatus and method for enhancing step coverage and planarization on semiconductor wafers |
US5202008A (en) * | 1990-03-02 | 1993-04-13 | Applied Materials, Inc. | Method for preparing a shield to reduce particles in a physical vapor deposition chamber |
US5316645A (en) * | 1990-08-07 | 1994-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus |
JP3149138B2 (ja) * | 1991-10-09 | 2001-03-26 | ミズ株式会社 | 連続式電解イオン水生成器の制御装置 |
EP0703598A1 (en) * | 1994-09-26 | 1996-03-27 | Applied Materials, Inc. | Electrode between sputtering target and workpiece |
US5897752A (en) * | 1997-05-20 | 1999-04-27 | Applied Materials, Inc. | Wafer bias ring in a sustained self-sputtering reactor |
-
1997
- 1997-05-20 US US08/859,300 patent/US5897752A/en not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-05-12 TW TW087107352A patent/TW475000B/zh active
- 1998-05-20 JP JP10176509A patent/JPH11100668A/ja not_active Withdrawn
- 1998-11-16 US US09/193,099 patent/US6176981B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5897752A (en) | 1999-04-27 |
US6176981B1 (en) | 2001-01-23 |
JPH11100668A (ja) | 1999-04-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW475000B (en) | Wafer bias ring in a sustained self-sputtering reactor | |
TW381302B (en) | Sustained self-sputtering reactor having an increased density plasma | |
KR100225567B1 (ko) | 티탄계 도전성 박막의 제작방법 | |
TW317690B (zh) | ||
JP4021601B2 (ja) | スパッタ装置および成膜方法 | |
TW301839B (zh) | ||
TW507016B (en) | Method and apparatus for increasing the metal ion fraction in ionized physical vapor deposition | |
JP3603024B2 (ja) | イオン化物理蒸着方法およびその装置 | |
JP5759891B2 (ja) | スパッタリング装置および金属化構造体を製造する方法 | |
TW410531B (en) | Method and apparatus for producing a uniform desity plasma above a substrate | |
JP2005142568A (ja) | ヘリカル共振器型のプラズマ処理装置 | |
JP2002502550A (ja) | 半導体ウエハ処理システムでのワークピースへのパワーの結合を改善する装置 | |
JP2002530857A (ja) | 半導体ウェーハ処理システムにおいてrf戻り電流経路制御を行う装置 | |
US20090242385A1 (en) | Method of depositing metal-containing films by inductively coupled physical vapor deposition | |
KR20060086988A (ko) | 유도결합플라즈마를가지는챔버에서스퍼터링동안측벽커버리지를개선하기위한방법및장치 | |
US6277253B1 (en) | External coating of tungsten or tantalum or other refractory metal on IMP coils | |
US20030051994A1 (en) | Partial turn coil for generating a plasma | |
TW454248B (en) | A method and apparatus for enhancing sidewall coverage during sputtering in a chamber having an inductively coupled plasma | |
US6077402A (en) | Central coil design for ionized metal plasma deposition | |
US6220204B1 (en) | Film deposition method for forming copper film | |
WO2005013310A2 (en) | Method for balancing return currents in plasma processing apparatus | |
TW480553B (en) | Magnetron unit and sputtering device | |
JP3146171B2 (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
JPH1060637A (ja) | 基板上に材料を堆積する方法及び装置 | |
US6409890B1 (en) | Method and apparatus for forming a uniform layer on a workpiece during sputtering |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent |