TW475000B - Wafer bias ring in a sustained self-sputtering reactor - Google Patents

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John Forster
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Description

A7 ---^___B7 五、發明説^ ) 一~ 發明領 本發明與一種用於例如半導體積體電路的工作件之 電漿製程有關,特別地是,本發明係關於具有支持的自行 賤鍵之物理氣相沉積(PVD)。 發明背 任何先進的半導體積體電路之電路部份皆牽涉一或 多個用以接觸和互連主動的半導體面積之金屬化位準,而 這些半導體面積本身通常是設置在一完好定義的矽晶體 表面上^雖然可能在半導體位準内互連一些電晶體或其他 勺半導aa裝置,如纪憶禮電容,但因為多重連接的裝置所 增加的複雜拓樸地形很快地將需要另一個互連位準。基本 上,在其内形成之具有電晶體和電容的有效矽層其上疊置 有一介電層,例如二氧化矽,接觸孔係蝕刻穿透該介電 層以特別地接觸矽裝置的面積。一金屬被充填在該接觸 孔内,並被沉積於此介電層上,负在矽接點和其他電子點 、之間形成水平式互連。這樣的製程被稱為金屬化。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 傳統上’金屬化層是由鋁或以鋁為基礎的合金組成, 額外還包含最多一些百分比的合金成份,例如銅和矽。此 金屬化基本上可以物理氣相沉積(PVD)(亦稱為濺鍍法)達 成° 一習知的PVD反應器1〇之截面示意圖如第1圖所示, 其說月疋基於可由加州Santa Clara的Applied Materials 有限公司取得的Endura pVD反應器為基礎,此反應器包 括一與一 PVD標靶18密接的真空室,該標靶是由欲被 5氏張尺度適财酬家標iT^TTA4規格(2==讀)-
"+/JUUU 經濟部中央標準局員工消費合作社印製
A7 ---------5Z_ 、發明説明() 濺鍍於一加熱器柱腳18所支持的晶圓16上之材料構成。 保持在該至内的屏蔽2〇用以保護室壁丨2免於踫到濺鍍的 材料,並可提供陽極接地平面。-可選擇的DC電源供應 器22使該標乾與屏蔽相關地負向偏壓至約-600伏DC。傳 統上,該柱腳18以及該晶圓16皆是電性浮接(fl〇ating) 的。 一賤鍵工作氣禮的氣源24(通f是化學不反應性的氬 氣)經由一大量流體控制器26將工作氣體提供至該室中。 一真空系統2 8維持該室於一低壓下。雖然該室可被維持 於約10-7托耳甚至更低的基本壓力,但基本上,工作氣 體的約被維持於1和1〇〇〇亳托耳之間。一以電腦為基礎 的控制器30控制包括DC電源供應器22和大量流體控制 器26的反應器。 當氬氣被允許進入該室内時,DC電壓會點火該氬氣 使成為電漿’且將帶正電荷的氬離子吸附至帶負電的標乾 14上《該離子以一大致的能量撞擊標靶14,並使標靶原 子或原子叢集自該標靶14濺鍍出來。某些標靶粒子踫撞 晶圓16,而被沉積於上,而形成一標靶材料膜。 為提供有效的濺鍍,一磁子32被設置於標靶14後 方’它具有相反的磁鐵34、36,以在該室内之該磁鐵34、 36的相鄰區域内產生一磁場。此磁場會捕捉電子,且因為 充電的特性,離子濃度亦會增加,以在該室内之相鄰磁子 32的區域上形成一高密度的電漿區域38。 隨著積體電路的連續微小化,對於金屬化的要求亦已 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
475000 A7 B7 五、發明説明() 增加。許多人現在相信鋁金屬化可以銅金屬化取代。
Murarka 等人在 1995 年的 Critical Reviews in Solid State and Material Science,vol. 10,no.2 第 8 7-124 頁之,’Copper metallization for UL SI and beyond"中提出了 對銅金屬化的 廣泛的討論。銅可提供許多優點。它的大阻抗小於鋁的大 阻抗’對純材料而言是1·67 # Ω -cm比2.7 a Ω -cm,且阻 抗的任何降低皆會隨著金屬化互連的寬度和厚度持續減 小而得提供更特定的優點。此外,有關鋁金屬化的一接續 問題是在一鋁互連中,在一稱為電漂移的過程中,鋁原子 會傾向於攜帶高電流密度以沿該互連而漂移,特別是指遠 離熱點的方式移動《這類漂移所導致的超出量將會破壞鋁 的互連,並損害積體電路。以銅為基礎的合金則可特定地 防止電子漂移的降低位準。 銅金屬化是一未經證實的技術,且已知可以限定在習 知鋁金屬化中未曾經歷的困難。但是,它可提供許多方式 以避免在鋁金屬化中所產生的問題。 在傳統的濺鍍過程中所產生的/問題在於它是在相 當高的惰性工作氣體(如氬氣)壓力下進行的。但是,氬氣 環境會產生兩項問題。第一,它無可避免地會有氬離子被 沉積在基材上,且被併入濺鍍沉積的氰中°雖然這些通常 是無反應性的氬離子的效果尚未確定,但可預估它們會使 濺鍍沉積之鋁的導電度減少50%。 濺鍍以充填孔洞的方式至少部份依賴所濺鍍的粒子 會彈道式地由標靶傳送到晶圓上,也就是說’不會由最初 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS )八4規格(210X297公釐) F先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 475000 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _____B7 ___ 五、發明説明() 的路程亂射而出。該彈道軌線可允許被濺射的粒子以幾乎 垂直晶圓表面的方式到達晶圓上,因而它會深深地穿透任 何孔隙中。但是,基本的濺鍍過程是在一約由1至100亳 、把耳的氬氣環境進行的,如此高壓表示鋁濺鍍粒子有極大 的可能會與氬原子踫撞,因而會由其彈道路徑偏離。因 此’相信低電壓濺射對深通孔而言可提供較好孔洞充填結 果。但是,低壓通常是均等於低的沆積速率,以致於降低 壓力並不是使具有好的方向性之一有利方法。此外,要在 一如第1圖的一般結構中支持一電漿約需要〇·2亳托耳的最 小壓力。 高密度電漿(HDP)濺鍍反應器正被有效地發展並且已 接近商業化。HDP濺鍍的優點之一是在被濺鍍粒子向基材 移動的期間,會有可改變的部份被離子化。接著,支持晶 圓的柱腳可以由一 RF源選擇性地偏壓,以產生和正充電 的電漿有關的DC偏壓。因此,晶圓可相關於電壓而被負 偏壓(其基本值為-20 V),而帶正電荷的濺鍍離子可由自然 的電漿加速朝基材移動。所增加的速度可提供正交於基材 平面的高度方向性磁通,因而可以高的寬高比深深地進入 孔洞中。Nulman在歐洲專利公開案第703,598-Α1號中揭 示使用氬氣工作件將一負偏向的柵攔插在基材與HDP源 之間。 最近有關於使用支撐自行賤鐘(SSS)之銅膜的PVD沉 積例如 Posadowski 等人在 1993 年的 J0urnai 〇f vacuum Science and Technology,A、vol. 11、ηο·6 第 2980-2984 本紙張尺度適用巾關家標準(CNS ) Α4規格—(210:2^7公釐) " ' "" (请先聞讀背面之注意事項存填寫本頁)
經濟部中央標準局員工消費合作社印製 475000 A7 B7 五、發明説明() 頁之 ’’Sustained self-sputtering using a direct current magnetron source”中所揭示者。在此支撐自行濺艘中(不使 用工作氣體’至少在電漿已被點火之後是如此。取而代之 者’自標絶所濺渡的足量原予被離子化,然後以足夠高的 能量被吸附回標靶上,以作為濺鍍離子,以代替經常使用 的氬離子》 用以達成自行支撐的濺鍍的條件(只有在特定的條件 下以某些標靶材料觀察而得)可以表示如下: α β Sm=1 (1) 其中α是由標靶濺鍍而出的原子的離子化比例,泠是 回到標靶的濺鍍原子的比率,和Snj為自行濺鍍的產值, 亦即,在銅標靶的例子下,由一標靶濺鍍而出的銅原子數 目除以回復的銅原子。該離子化比例和回復比率係依材 料和電流密度,以及其他的操作條件而定,但是這兩個因 素必須小於一《通常α点在高電流密度下會增加,然而, 對支撐的自行濺鍍而言,該自行濺鍍的產值之大的值是極 為重要的,因而高的電流密度亦是重要的。傳統的金屬化 材料Α1以及其他在A1孔洞充填時使用的金屬,如鈦、鉬、 鎢和鈕等具有小於1的自行濺鍍產值,因而他們被排除以 用於支撐的自行錢H,銅具有可接受的自行賤鍍 值,鉑、鈀、銀和金等亦是。 V自行濺鍍的優點之一是濺鍍粒子的高離子化比例。在 較大的晶圓之支撐自行賤鍍中’柱腳需要被接地以作為 陽極’因而它會吸附已離子化的賤鍵粒子至晶圓上。再 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4現格(21〇1%公缝) ------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -、?! 線 475000 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 __B7___ 五、發明説明() 者,電漿内的電位(基本上相信是在20V附近的相當常數 值VP)始終為正,以致於離子化粒子可加速通過電漿屏 蔽,而到達接地的接腳和晶圓。正交於晶圓表面之增加的 速度有助於深孔洞的充填。
Asamaki 在 1994 年之 Japanese Journal of Applied Physics、vol. 33、pt.l、no. 5A 第 2500-2503 頁之"Copper self-sputtering by planar magnetron"以及 1994 年之
Japanese Journal of Applied Physics、vol. 33、pt.l、no. 8 第 4566-4569 頁中之"Filling of sub-# m through holes by self-sputter deposition"中已報告有關銅的SS#沉積。在後 者的參考文獻中,他們報告在具有約3的寬高比之0.4//m 孔洞中有非常好的底部涵蓋。 但是,已知的SSS工作具声實驗的特性,且在支撐的 自行濺鍍在用於大量積體電路中而被商業化以前仍有幾 個困難的問題。 雖然自行支撐的濺鍍具有幾項優點,但它質質上也有 一些尚未能適當解決的缺點。在一較習知的濺鍍反應器 中’氬工作壓力和電漿密度可以改變以控制濺鍍。在HDP 賤鍍中’電漿的電力會因為感應性地使電力被棋合至電衆 中的原故而與標靶電力解耦合。因此,被濺鍍粒子的離子 化比例可以由電漿密度控制,而電漿的被覆電壓則可以分 開地控制,因而可控制濺鍍離子入射到晶圓的方向性。在 自行支撐的濺鍍中,標靶電力需要被加大,以在高密度電 聚區域中得到s S S。當賤鍵粒子有高的比例被離子化時, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)八4規格(210x297公慶) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 475000 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明() 該被覆電壓的控制則較不容易’且工作氣體的壓力會因為 有效地太低而不會有太大的效益。在對較大晶圓的支撐自 行濺鍍中,晶圓被接地,以敖於它不能進一步被偏壓,以 控制賤鏡離子對其入射的速度’此如同一對深孔洞充填的 一已知技術一般。 因此,希望能在支撐的自行濺鍍中提供更好的電壓控 制。再者,亦希望能在支撐的自行滅鏡中,當濺鍍離子接 近被濺鍍沉積的基材時,可更好的控制濺鍍離子的能量和 一方向性。 發明目的及概述: 一種自行支撐的濺鍍電漿反應器,特別是指適用於澈 鍍銅者,其中一偏向環被設置在且最好是在欲被濺鍍沉積 的基材上方,以控制電漿的電位,因此可控制被覆電壓和 賤鍵離子入射於該基材的能量和方向性。 式簡單說明: 弟1圖為傳統的PVD反應器的截面示意圖。 第2圖為根據本發明之PVD反應器之一實施例的截面示 意圖。 第3圖為用作一偏向環的夾持環之截面視圖。 1號對照說明: 10 PVD反應器 12 真空室 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公董) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 475000 A7 B7 五、發明説明( 14 PVD標靶 20 屏蔽 22、44 DC電源供應器 26 大量流體控制器 30 控制器 36、34 磁鐵 42 偏向環 50 絕緣膜 48 金屬主體 18 加熱柱腳 16 晶圓 24 氣體源 2 8 真空系統 32 磁子 38 高密度電漿區 40、46 夾持環 52 電線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 發明詳細說明 本發明之 實施例 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 如第2圖所示。對自行支持的濺鍍 而言,允許將氬氣導入t 12中,以點火該電衆,但是, -旦它被點火’氬氣壓力即會實質地降低,且高壓電衆區 域38會由自標靶14濺鍍而出的銅離子支撐。同時在本實 施例中,柱腳18是交流(AC)和直流(DC)接地的。基本上, 一金屬來持環40可維持晶圓16抵住柱腳18,並可用以屏 蔽晶圓的周圍免於受到濺鍍沉積。該夾持環4〇僅延伸晶 圓16之上表面以上幾公厘,且在本實施例中,被維持於 柱腳的電位。此夾持環4〇基本上是以不鏽鋼(適度導電體) 製成’而在鈦濺鍍時,它通常是以鈦製成。 根據本發明之一實施例,一偏向環42被設置在晶圓 16和夾持環40四週,最好它呈管狀(通常是圓柱形),且 由高純度、高導電度的銅組成,以使污染最小。此偏向環 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇><297公釐) 訂 線 475000 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 五、發明説明( 42係設置在屏蔽20内但與之電 ”一
電源供應器44可改嫩 、、’。一弟二可變的DC 2〇 .. "又偏壓該偏向環42(基本上與屏蔽 關““ 電衆的其他任何電性偏向部份有 關的正十分之幾伏特)。 物有 該偏向環42係以軸向地令w ^ ^ 小距離,最好, 持環4G的外部一微 疋A到1或2公分。此封閉的空間可使 上:42對晶圓16上的電位的偏壓效應最大》偏向環 ^的上邵設在該线環4G和晶圓16的上方幾公分處因 ^與晶圓16上方的電漿交互作用β由此偏向環42 所提供的電位之操作可提高電浆電位Vp’因而可增加與接 地晶圓16相鄰的被覆電壓。亦即,它會有效地負偏壓晶 圓16相對於電漿的類神經的部份,以當被賤鍍的離子離 開電漿向晶圓移動時,可加速該濺鍍的銅離子。有效的負 偏壓量可以由改變可調整的DC電源供應器44的方式調整 之。但是,相信大約2〇VDC的偏壓可提供增進孔洞充填 所需的控制型式。此外,偏向環42的高度也是可以利用 已知的室機構予以調整,以使沉積最佳,但是,若它升的 太高,則將擾亂電漿的均勻度。 雖然電漿的高密度區38對支撐的自行濺鍍而言是重 要的,但在室12内的整個SSS電漿則與一傳統工作氣體 的電漿共用了某些特性,但是在其他的特性方面則有所不 同。傳統的電漿相當地冷,在室溫下,氬離子與一 〇 〇26eV 的平衡熱能量比較起來具有約〇.leV的能量,相反地,sss 電漿則相當地熱,因為由標靶濺鍍而出的原子之能量範圍 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 線
4/DUUU 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 五、發明説明( 在1至10eV的範圍内,而垃 而接下來的離子化並不會特別地 改變此能里。當然,中子 τ卞/皿度仍然比離子的溫度高許多。 :此在SSS电漿中的銅離子有較高的能量,也就是說, 匕形成-較熱的電漿。然而,當鋼離子彈道式地向晶圓移 動時,既然中子亦可用來充填室,他們會經過一類神經的 區域,因此,在標乾和晶圓之間的整個區域之特徵可以如 一電漿’雖&電㈣不是熱平衡的。—電漿被覆和相關的 电壓降必須包圍孩晶圓。該電漿被覆的厚度大約反比於電 漿密度的均方根。此現象基本上與傳統的現象並沒有不 同,其中在接近磁子處的電衆密度最冑,而接&晶圓處則 降下來。因此,當偏向環延伸進入由電蒙和其被覆所佔據 的區域時,戶斤施加的偏壓將影響電衆的料,特別是會提 升電漿的電位。在-電漿中,中子會比離子移動的更快, 且>儿積於靠近電漿的任何表面上。因此,調整相鄰表面的 電位將會受到電漿内的電位之影響。 為能支持的自行濺鍍,柱腳必須相對於負偏壓的標靶 而接地,以作為陽極,因此亦會吸引較大比例的離子化銅 離子,而在傳統的濺鍍中,大部份的標靶原子是未充電 的,且被彈道式地向晶圓以及其他的室表面移動。對其中 有同比例的標靶原子被離子化的傳統HDP濺鍍而言(通常 是以感應式的耦合能量),晶圓可以獨立地偏壓,以控制 已離子化的濺鍍原子之終端速度。根據本發明,標靶和晶 圓的相對偏壓被用來支持該自行濺鍍的電漿,且偏壓環控 制電漿電位,以及離子化濺鍍原子的終端速度。電漿激發 本紙張尺度適财關家標準(CNS ) A4規格(2=3公餐 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁}
斗 ouuu 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 A7 ____________B7 五、發明説明() 偏壓的平面幾何會以經由圓柱形屏蔽接地的傳統陽極更 為有利。偏向環的電子偏壓幾乎與電漿激發獨立的方式進 行0 雖然上述之偏壓環可提供最佳的圓形對稱,但並不需 要完全圓形的環。多個縱向沿晶圓上之室軸延伸以及沿一 環的外圍配置的導電梢將同樣會影響電漿電位,若該梢是 均等偏壓的話。即使最小量的三支梢也會提供相當對稱的 電漿偏向環。但是,若分開的偏向元件具有較大的面積, 例如配置成圓形的均等偏壓電極區域,且在區域之間具有 間隙’則電漿偏壓將更為有效。 在本發明的另一實施例中,是不需要一分開的偏向環 的。取而代之者,將可變的DC電源供應器連接到夾持環 40上。此外,該夾持環被修改,如第3圖之截面圖之夾持 裒6所示者’使其面對電漿的侧具有一金屬的主體48, 而與晶圓16和柱腳18接觸的側上則具有一絕緣膜5〇。 DC電源供應器經由一電線52 %與該金屬±體48連接, 精此,使得失持環46可以與晶圓16獨立的方式偏壓。另 種夂化疋,原則上該夾持環4 6可以由絕緣陶瓷構成, 其上表φ具有一金屬膜,* DC t源供應器與該金屬膜連 接。 因此本發明提供一用以控制支撐的自行濺鍍中的濺 鍵特性之方法與裝置,特別地是,可以電子偏壓控制錢 《粒子的能量和方向性。此控制可以對該支撐的自行濺鍍 的原則條件之影響最小的方式達成。 本紙張尺度適用中國國家標) A4規格(公釐)----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 線

Claims (1)

  1. f f
    料; 材; 經濟部中央榡準局員工消費合作社印製 缕本 、二,,.- — :.·ί 一- . '申請專利範圍 種濺鍍室,該濺鍍室至少包含: 一真空室; 位於該真空室内的標靶,且包含要被濺鍍的材 導電柱腳,用以把持欲被濺鍍沉積以該材料的基 壁屏敝,設置於該室之内壁内,且圍繞該標靶和 該柱腳之間的橫向側; 一磁鐵組合體,設置於相對該柱腳的該標靶側上; 、第一電源供.應器,用以相關於該柱腳上的一固定電 位而偏壓該標靶; 一導電偏向環,圍繞於該柱腳外部,設置在該壁屏 蔽内,且在該柱腳之上朝向該標靶的部份路徑;和 第二電源供應器,用以使該偏向環相關於該柱腳而 偏向。 2·如申請專利範圍第1項所述之濺鍍室,尚包含一設置在 孩室内的屏蔽,以保護該室之壁免於濺鍍沉積有該材 料’且該環係設置在該屏蔽内部。 3 ·如申請專利範圍第1項所述之賤鍍室,尚包含一广夬 用以選擇性地維持該基材於該柱腳上,且其中^^向 設置於該夾持環的外部,並且在該夾持環的上方。一 第15頁 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁}
    ) ) 的 的 方 經濟、那中央榡準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 4·7中請專利範㈣!項所述之鍾室,纟中前述之偏向 環係用以失持該基材㈣柱腳上,但保留與該基材和該 柱腳的電絕緣。 5·如申請專利範圍第i項所述之濺鍍室,纟中前述之要被 濺鍍沉積的標靶材料包含銅。 6·如申請專利範圍第!項所述之錢室,纟中前述之偏向 環是以銅製成。 7·如申請專利範圍第丨項所述之濺鍍室,其中前述之第 電源供應器足以偏壓該標靶,以使自該標靶濺鍍而出 材料之離子支撐在鄰近該磁鐵組合體的室之區域内 電漿。 8. 一種支撐自行-濺鍍反應器,其至少包含·· 一真空室; 一欲被濺鍍沉積的材料標靶; 一用以把持一基材的柱腳; 一設置在該標靶之背側上的磁子組合體; 第一 DC電源供應器,連接於該標靶和該柱腳之間 且可以產生-支撐的自行·賤鍍電装,該電漿包含在 近該中子組合體的標靶區域内的材料之離子; -偏向環’設置於該柱腳四週,且設於該基材上 (請先聞讀背面之注意事項再填寫衣頁)
    申^專利範圍 部份朝向該標靶的路徑;和 、^〜偏向環連接,且與它 該柱腳而偏向。 〜 相對於 如申請專利範圍第8項所述之反應 包含銅。 器,其中前述之 材料 申叫專利範圍第8項所述之反應器,其中 環係圍繞該柱腳之側。 前述之偏向 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 如申請專利範目帛8項所述之反應器,其中前述 環通常呈管狀。 之偏向 訂 12·如申清專利範圍第8項所述之反應器,其中前述之偏向 環包含多個配置成環形的偏向元件。 13·如申請專利範圍第8項所述之反應器,其中前述之偏向 裱尚作為一夾持環,以夾持該基材於該柱腳上,無需以 孩第二DC電源供應器偏向該基材。 14·如申請專利範圍第。項所述之反應器,其中前述之夹 持環面對該基材和該柱腳處包含一絕緣部份,與該第/ DC電源供應器連接的導電部份。 家標準(CNS) A4規格(21^^7公董) 線 經濟部中夬榡準局員工消費合作社印製 475000 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標率局員工消費合作社印裝 申請專利範圍 1 5· —種用以濺鍍沉積κ吟方法〆至少包含下列步騾: 將一基材支持於一真广^室内的一導電柱腳上,· 使該柱腳偏壓一電位; 允許一工作氣體進入該室; 相對該柱腳偏向一面對該柱腳的濺鍍標靶,且包含 使該工作氣體點火成為一電漿的材料,一磁鐵組合體係 設置在該標靶的背側上; 然後減少供應該工作氣體進入該室中,但繼續偏壓 該藏鍍標乾,以足以使該材料的離子支撐在一相鄰該磁 子的區域内的電漿;和 在該電漿被支撐時,相對該柱腳而偏壓一設置在該 柱腳周圍且在該基材以上 16·如申請專利範圍第15項所述之方法,其中前述之偏向 ^----- ^環碰該爸^被正包偏歷° 1 7 ·如申請專利範圍第1 5項所述之方法,其中前述之導電 環係圍繞該柱腳之側。 18·如申請專利範圍第15項所述之方法,尚包含以該導電 環夾持該基材於該柱腳上,該導電環具有一面對該柱腳 和基材的絕緣部份,以使導電環與該柱腳和該基材電絕 緣0 第18頁 I紙張尺度適财關家料(CNS ) A4麟(21GX297公董) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印裂 475000 A8 B8 C8 _____ D8_ 六、申請專利範圍 19·如申請專利範圍第15項所述之方法,其中前述之導電 環設於該基材上方的部份路徑上,並朝向該標靶,且被 設置在一圍繞該基材和該標靶之間的空間之壁屏蔽。 20.—種用以支撐自行·濺鍍之方法,其至少包含下列步 驟: 將一基材支持於一真空室内的一導電柱腳上; 在相鄰面對該室之内部的標靶面之區域上產生一磁 場’該標靶之面包含欲被濺鍍的材料; 偏壓該標靶以導使來自該標靶的材料之支撐的自行 -濺鍍之第一步驟;和 偏壓設在該基材四週且在該基材的—本 衣面上朝向該 標的一或多個導電組件,以控制該材料 竹 < 離子由存在 於該標靶和該基材之間的電漿入射至該 β I材上的第二 步驟。 2 1 ·如申請專利範圍第20項所述之方法,其由_、 Α中則述I欲被 濺鍵之材料包含銅》 22.如申請專利範圍第20項所述之方法,尚包本以談一咬 多個組件使該基材夾持於該柱腳上》 23·如申請專利範圍第20項所述之方法,其由a、*、 外f則述 < 一或 多個導電組件設於該基材上方的部份路庐μ ^ , 仫上,並朝向該 第19頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(21〇Χ297公爱) "" ------ I I,——,1— Γ I I - I —— 訂 , I 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ___ 475000 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍標靶,且被設置於一圍繞該基材和該標靶之間的空間之 壁屏蔽。24·如申請專利範圍第20項所述之方法,其中前述之導電 組件包含至少三個縱向沿該室之軸延伸的梢。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 第20頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐)
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