TW474033B - LED structure and the manufacturing method thereof - Google Patents

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474033 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 R7 五、發明說明（） 發明領域： 本發明係關於一種發光二極體（Light Emitting Diode ; LED)晶粒結構及其製造方法，特別是一種有關利用 高反射性之布拉格反射層來增加發光二極體的亮度的發光 二極體之結構及其製造方法。 發明背景： 傳統的填化紹嫁銦發光二極體具有一雙異質結構 (Double Heterostructure ; DH)，其構造如第 1 圖所示，是 在一 η型砷化鎵（GaAs)基板（Substrate) 3上成長一紹含量在 70%-100% 的 η 型（AlxGahxH.sInojP 下包覆層 4，一 (AlxGa卜x)〇.5In〇.5P活性層5、一鋁含量在70% -1 〇〇%的p型 (AlxGai ·χ)〇.5Ιη〇.5Ρ上包覆層6，以及一 p型高能隙高載子 (Carrier )濃度的破化鋁錁銦，罐珅化鎵或砷化鋁鎵電流 分散層（Current Spreading Layer)7，利用改變活性層的組 成，便可以改變發光二極體發光波長，使其產生從650nm 紅色至5 5 5 nm純綠色的波長。但此一傳統的發光二極體有 一缺點，就是活性層產生的光，往下入射至砷化鎵基板時， 由於砷化鎵基板的能隙較小，因此入射至砷化鎵基板的光 將會被吸收掉，而無法產生高效率的發光二極體。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公f ) I ---II —--^--------- - (請先B3-讀背面之注意事項再填寫本頁) 474033 A7 B7 五、發明說明（） 為了避免基板的吸光，傳統上有一些文獻揭露出提昇發 光一極體壳度的技術’然而這些技術都有其缺點以及限 制。例如 Sugawara 等人發表於[Appl. Phys Lett. Vol. 61， 1775-1777 (1992)]更揭示了一種利用加入布拉格反射結構 (Distributed Bragg Reflector ; DBR)於砷化鎵基板上，藉以 反射入射向砷化鎵基板的光，並減少砷化鎵基板吸收，然 而此種DBR反射結構祇對於較接近垂直入射於砷化鎵基板 的光能有效的反射，且反射率只有80%，並且反射光的波 長範圍很小’因此效果並不大。

Kish 等人發表於[Appl· Phys Lett. Vol. 64，No,21， 2839，（1994)之文獻’名稱為「Very high-efficiency semiconductor wafer-bonded transparent,substrate (AlxGai. x)0.51n〇.5P/GaP」]教示一種黏接晶圓（Wafer bonding)之透明

式基板（Transparent_Substrate ; TS) (AlxGai.do.Jno.sP/GaP 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發光二極體。這種TS AlGalnP LED係利用氣相磊晶法（vpe) 而形成厚度相當厚（約50/zm)之p型碌化鎵（GaP)窗戶 (Window)層，然後再以習知之化學蝕刻法選擇性地移除η 型珅化鎵（Ga As)基板。隨後將此曝露出之η型下包覆層黏 接至厚度約為8-1 Omil之η型磷化鎵基板上。由於此種晶 圓黏接的技術是將二種ΙΠ-V族化合物半導體直接接合在 一起’因此’要在高溫加熱加壓一段時間才能完成。就發 光亮度而言，這種方式所獲得之TS AlGalnP LED比傳統的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 474033 A7 ______Β7_____ 五、發明說明（） 吸收式基板（Absorbing-Substrate ; AS)AlGalnP LED 大兩倍 以上。然而，這種TS AlGalnP LED的缺點就是製造過程太. 過繁雜。因此，無法獲得高生產良率且難以降低製造成本。 另一種傳統技術，例如Horng等人發表於[Appl· Phys· Lett. Vol.75，No,20，3054(1999)文獻，名稱為「AlGalnP light-emitting diodes with mirror substrates fabricated by wafer bonding」]。Horng等人教示一種利用晶片融合技術 以形成鏡面基板（Mirror_Substrate ; MS)磷化鋁鎵銦/金屬/ 二氧化矽/矽發光二極體。其使用AuBe/Au作為黏著材料 藉以接合矽基板與發光二極體磊晶層。然而，在20mA操 作電流下，這種MS AlGalnP發光二極體之發光強度僅約 為90 mcd，仍然比TS AlGalnP發光二極體之發光強度少 至少百分之四十，所以其發光強度無法令人滿意。此外， 因為P型電極與η型電極都是形成在同一側，因此尺寸無 法縮減，所以會造成這種晶粒比傳統ρ型電極與η型電極 位在不同側之發光二極體晶粒之尺寸還要大。因此，這種 類型之發光二極體晶粒無法滿足封裝尺寸越趨微小之趨 勢0 請 先 讀 背 面 之- 注 意 事 項

I I I 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 中 景 背 明 : 發 述 之 概 述 及 上 的 於 目 鑒 明 發 多 RB ti 的 構 結 體 極 二 光 發 統 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公t ) 474033 A7 B7 五、發明說明（） 缺點。因此，本發明針對上述需求，提供一種發光二極體 的結構及其製造方法。 本發明之一項目的為本發明提供一種發光二極體的結 構及其製造方法，本發明運用了一種高反射率之布拉格反 射結構來增加發光二極體的亮度，以避免發出之光被基板 吸收掉。 本發明之另一項目的為本發明提供一種發光二極體的 結構及其製造方法，本發明係在垂直堆疊之發光二極體晶 粒結構中的基板上方提供高鋁含量砷化鋁鎵/磷化鋁鎵銦 層或高鋁含量砷化鋁鎵/低鋁含量砷化鋁鎵層來形成高反 射率布拉格反射結構用以反射發光二極體所產生的光，且 由於高鋁含量砷化鋁鎵層容易氧化的特性，並且氧化後的 尚链含Ϊ珅化链鎵層其折射率變小，所形成之布抵格反射 層不祇反射率提昇且反射的波長可以涵蓋很寬的波長範 圍。 本發明之另一項目的為本發明提供一種發光二極體的 結構及其製造方法，由於氧化後的砷化鋁嫁層為絕緣體， 所以電流會流經未被氧化的砷化鋁鎵層區域，亦即，電流 會被侷限在特定的區域中。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 請 先 閱 讀- 背 面 之- 注 意 事 項 再

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訂 I I I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制π 474033 A7 B7 五、發明說明（） 本發明之另一項目的為本發明提供一種發光二極體的 結構及其製造方法，其所製造的發光二極體，相較於習知 的發光二極體，其發光的亮度可以很顯著的被提昇。 綜上所述，本發明提供一種發光二極體的結構，至少 包括：一 III-V族化合物半導體基板，在該基板的第一表面 上具有第一電極，及一發光二極體磊晶結構形成於基板的 第二表面上是由多層III-V族化合物磊晶半導體層所組 成，其中包含一發光層及一布拉格反射層位於基板與發光 層之間，且該布拉格反射層有部分區域被氧化，以及第二 電極形成於該發光二極體磊晶結構上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外，本發明更提供一種發光二極體之製造方法，其 至少包括下列步驟：提供一基板，成長發光二極體結構於 基板上，該發光二極體結構由多層ΙΙΙ-ν族化合物半導體 磊晶層所組成，其包含一發光的活性層（active layer )及 一布拉格反射層，該布拉格反射層位於基板與發光層之 間，接著進行氧化處理，將部分布拉格反射層區域氧化， 使其具有高的反射率且無法導通電流，然後形成第一電極 於基板的第一表面’以及形成第二電極於該發光二極體蠢 晶結構上。 圖式簡單說明： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規烙（210 X 297公釐） 474033 A7 R7 五、發明說明（） 本發明的較佳實施例將於往後之說明文字中輔以下列 圖形做更詳細的闡述： 第1圖係繪示傳統之發光二極體結構示意圖； 第2圖所繪示為本發明發光二極體之磊晶結構； 第3A與3B圖所繪示為本發明發光二極體結構之第一 實施例的上視圖以及剖面圖； 第4圖為本發明布拉格反射層以及習知布拉格反射 層的反射率與波長關係之繪示圖； 第5A與5B圖所繪示為本發明發光二極體結構之第二 實施例的上視圖以及沿著V-V虛線的剖面圖；以及 第6圖為本發明布拉格反射層内之對數以及拉 格反射層内的對數和反射率的關係。 圖號對照說明： ----1---：-----#裝--------訂----I--- (請先眼讀背面'之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 基板 4 下包覆層 5 活性層 6 上包覆層 7 電流分散層 10 P型歐姆接觸層 12 上包覆層 14 活性層 16 下包覆層 19 布拉格反射層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 474033 A7 B7 五、發明說明（ 1 9a氧化鋁層（已氧化的高鋁含量砷化鋁鎵層） 1 9b未氧化的高鋁含量砷化鋁鎵層 1 9c高鋁含量砷化鋁鎵層或磷化鋁鎵銦層 20 30 基板 P型電極 25 十字型凹縫 40 η型電極 發明詳細說明： 本發明揭露一種發光二極體結構及其製造方法。為了 使本發明之敘述更加詳盡與完備，可參照下列描述並配合 第2圖至第6圖之圖示。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 首先請先參照第2圖，本發明之高亮度發光二極體之 蟲晶結構包括依序堆疊之η型石申化銶（GaAs)基板20、布拉 格反射層19、11型磷化鋁錄銦（八1乂31-〇().5111〇.5?下包覆 (Lower Cladding)層 16 與磷化鋁鎵銦（AUGabOo.sInojP 活 性層（Active Layer) 14，其鋁含量約為〇$χ$〇·45、ρ型磷 化銘鎵銦（AlxGai.x)〇 5 Ιη〇.5Ρ 上包覆（Upper Cladding)層 12 以及P型歐姆接觸層（Ohmic contact Layer)10。此P型歐姆 接觸層1 0可為能隙大於活性層1 4能隙之材料如磷化鋁鎵 銦’神化铭鎵，或磷砷化鎵或為能隙小於活性層1 4但厚度 薄之材料如厚度小於1 000A之砷化鎵材料以減少吸光。由 於活性層產生之光，部分經由歐姆接觸層射出，因此，歐

474033 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（） 姆接觸層的能隙要大於活性屉 F注贗的旎隙才能避免吸光，但能 隙大的半導體材料通常不玄I 4 一 易摻雜南）農度雜質（Dopant)， 因而不容易形成歐姆接觸，# m “ 觸 抓用低此隙的材料當歐姆接觸 層具有可容易摻雜高濃度雜質的優點，但由於能隙小會吸 收活性層發出的光’因此，厚度不能太厚。 上述之化合物組成比，例如（AlxGai x)Q 5lnG 5p活性 層，僅是舉出-較佳例子，並非用以限制本發明，其中 (AlGa)xInYP ’ X ’ Y之值不必非等於〇 5，僅需〇〈χ，， 本發明同樣適用於其他的材料。此外在本發明中，AlGalnp 活性層1 4之結構可以是採用雙異質結構（DH)或是多重量 子井（Multiple Quantum Well ; MQW)。所謂的雙異質結構 (DH)即包括第2圖所示之η型磷化鋁鎵銦（AlxGa^ χ)ο.5ΐη〇.5Ρ 下包覆層 16 與一磷化鋁鎵銦（AlxGai_x)〇5ln()5p 活性層14、一 P型磷化鋁鎵銦（AlxGaNx)〇 5p上包覆層ι2， 上包覆層12與下包覆層16之鋁含量均約為〇·5$χ$ι，其 中上’下包覆層16的厚度約為〇.5〜3 // m，活性層14的厚 度約為0.5〜1.5/z m。 根據本實施例，布拉格反射層1 9形成於η型神化鎵 (GaAs)基板20以及活性層14之間。此布拉格反射層19 係由數對（pair )容易氧化的高鋁含量半導體層/不易氧化 的半導體層所組成。例如高鋁含量砷化鋁鎵（AlGaAs ) / 9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1 --------^--------- (請先S2-讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 474033 B7___ 五、發明說明（) 鱗化链鎵銦（A1G a I η P )層或高链含量坤化紹鎵/低銘含量 砷化鋁鎵（AlGaAs )層堆疊所組成。而經過氧化處理後部 分高鋁含量砷化鋁鎵會氧化形成低折射率的絕緣體，並利 用此一特性所形成的高反射率布拉格反射層1 9來反射活 性層14所發出的光。上述的高反射率布拉格反射層每一層 的厚度可以設計成等於；I /4n，其中λ是指發光二極體的發 光波長，η是指折射係數。 請參照第3 Α與3 Β圖，其所繪示為本發明發光二極體 結構之第一實施例的上視圖以及剖面圖。本實施例係以三 對高銘含量神化铭鎵層或填化铭鎵銦層1 9 c所形成之布拉 格反射層1 9來做說明，此對數無任何限制。由於高鋁含量 砷化鋁鎵的特性易於氧化，故在製程階段將水氣通入此發 光二極體，在高溫約300°C〜800t下，高鋁含量砷化鋁鎵 層19c會由外而内地開始氧化，形成氧化鋁（Aix〇y )層i9a， 以及未乳化的南紹含量神化紹嫁層1 9 b。高含量石申化|呂 鎵層19c的氧化速率隨著溫度越高越快，也隨著鋁含量越 高越快’本發明之高鋁含量砷化鋁鎵的鋁含量是控制在 8 0%〜100%的範圍内，而氧化的溫度是在3〇〇。〇以上，使得 氧化的製程可以在一合理的時間範圍内完成。最後，η型 電極40以及ρ型電極30分別形成於η型砷化鎵（GaAs)基 板20以及P型歐姆接觸層1〇完成此發光二極體。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐了 (請先既讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4^4〇33 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __B7 _________ 五、發明說明（） 請參照第4圖，本發明之布拉格反射層經過氧化的製 程，氧化鋁的折射係數變為1.6，與不容易氧化的半導體 層，如低鋁含量、砷化鋁鎵層或磷化鋁蘇銦層，其折射係數 大於3，二者折射係數差異很大，因而所形成之布拉格反 射層19的反射波長範圍很廣約在500〜800奈米（nm)之 間，幾乎大部分的可見光波長都可以被第3 A與3 B圖中 的布拉格反射層19所反射且反射率幾乎達到接近1〇〇%。 因此在發光二極體中具有反射作用的布拉格反射層19可 以有效的反射活性層1 4所發出的光。再者，由於氧化鋁層 1 9 a為絕緣體’所以在發光二極體中電流的流向會集中於未 氧化的高銘含量珅化紹嫁層1 9 b區域，亦即，電流會被侷 限在未氧化的高鋁含量砷化鋁鎵層1 9b區域中，雖然經過 下包覆層1 6時電流會往外擴散一點，但大部分的電流仍祇 通過對應於未氧化的高鋁含量砷化鋁鎵的活性層區域，而 此區域活性層產生的光將不會被電極所擋住。因此基於以 上的因素，發光二極體的亮度可以很顯著的被提昇。雖然 在本實施例’布拉格反射層19是位於基板20與下包覆層 16之間，但並非用以限制本發明，本發明的布拉格反射層 19也可以放置於下包覆層16内，同樣也可以達到本發明 之效果。 凊參照第5 A與5 B圖，其所繪示為本發明發光二極體 結構之第二實施例的上視圖以及沿著ν·ν虛線的剖面圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) | · H ϋ n n n an ϋ 一：tfJ· —i n 1_1 n n n _ ·%· 11

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 474033 A7 B7 五、發明說明（） 本實施例係以二對的高鋁含量砷化鋁鎵層或磷化鋁鎵銦層 1 9c所形成之布拉格反射層1 9來做說明。為了要縮短氧化 的時間。本發明更由發光二極體的上表面蝕刻至η型砷化 鎵（GaAs)基板20，形成一十字形凹縫25，使得布拉格反 射層 1 9分成四個區域可以同時進行氧化。因此經由控 制，高鋁含量砷化鋁鎵層會由每一區域的外而内開始氧 化，形成四個氧化鋁（AlxOy )層19a，以及未氧化的高鋁 含量砷化鋁鎵層1 9b形成的發光區域。因此活性層1 4的發 光的區域即被分開成四個區域。最後，η型電極40以及ρ 型電極30分別形成在基板20以及Ρ型歐姆接觸層10上完 成此發光二極體。再者，上述之磷化鋁鎵銦層19c亦可以 用低鋁含量砷化鋁鎵來取代，來形成布拉格反射層1 9。本 實施例二的優點是每一發光二極體晶粒都分成四個區域 來進行氧化，氧化距離縮短一半，因此氧化的時間祇有實 施例一的二分之一。 請參照第4圖，其為本發明之布拉格反射層與習知布 拉格反射層的反射率比較。由於習知的布拉格反射層材料 為鱗化鋁錁銦（AlGalnP ) /填化鋁銦（AllnP )，其反射率 在波長為550至600奈米時僅可達到約80 %的反射率。而 本發明其反射波長在500〜800奈米之間都可以接近100% 完全被反射，因此本發明之布拉格反射層具有非常高的反 射率。 12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公餐） (請先(53-讀背面之注意事項再填寫本頁) ▼ · m n n n m m n 一；01 · n n m _1« an n . 474033 A7 _ B7 五、發明說明（） 再者，請參照第6圖，其所繪示為本發明之布拉格反 射層中氧化的高铭含量砷化鋁鎵/磷化鋁鎵銦層或氧化的 兩紹含量砷化鋁鎵/低鋁含量砷化鋁鎵層的對數與習知布 拉格反射層中的構化紹鎵銦/碟化銦的對數所達成之反 射率繪示圖。很明顯地，本發明的布拉格反射層在氧化的 高链含量砷化鋁鎵/磷化鋁鎵銦層或氧化的高鋁含量碎化 鋁鎵/低鋁含量砷化鋁鎵層到達4對時即可達成反射率約 1 0 0 %的情況。而相較於習知礙化链鎵銦/填化銘銦到達2 〇 對時反射率僅能夠到達80%，因此本發明之布拉格反射率 其結構相較於習知更為簡單，並且能夠達成更高的反射 率。 而由於以含有氧化鋁層所形成之布拉格反射層可以反 射幾乎涵蓋所有可見光的波長，因此本發明的高反射率布 拉格反射層可以適用於所有的發光二極體。 本發明之一項優點為本發明提供一種發光二極體的結 構及其製造方法，本發明運用了一種高反射率之布拉格反 射層來增加發光二極體的亮度，以避免發出之光被基板吸 收掉。 本發明之另一項優點為本發明提供一種發光二極體的 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公t ) 請 先 閱 讀 背 面 注 意 事 項 再

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 474033 A7 _____B7 五、發明說明（） 結構及其製造方法，本發明係在垂直堆疊之發光二極體晶 粒結構中的基板上方提供氧化的高鋁含量砷化鋁鎵/罐化 鋁鎵銦層或氧化的高鋁含量砷化鋁鎵/低鋁含量砷化鋁鎵 層來形成高反射率布拉格反射層用以反射發光二極體所產 生的光，且由於高鋁含量砷化鋁鎵層容易氧化的特性，並 且氧化後形成的氧化銘層其折射率小，所形成之布拉格反 射層其反射的波長幾乎可以涵蓋所有可見光波長。 本發明之另一項優點為本發明提供一種發光二極體的 結構及其製造方法，由於氧化後的砷化鋁鎵層為絕緣體， 所以電流會流經未被氧化的砷化鋁鎵層區域，亦即，電流 會被控制在特定的區域中。 本發明之另一項優點為本發明提供一種發光二極體的 結構及其製造方法，其所製造的發光二極體，相較於習知 的發光二極體’其發光的亮度可以很顯著的被提昇。 以上所述僅為本發明之較佳實施例而已，並非用以限 定本發明之申請專利範圍，凡其它未脫離本發明所揭示之 精神下所完成之等效改變或修飾，均應包含在下述之申請 專利範圍内。 (請先軋讀背面之注意事項再填寫本頁)

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Claims (1)

1. 4?4〇33 A8 B8 C8 _______ D8'申請專利範圍 經·濟部智慧財Α局員工消費合作社印製 1 · 一種發光二極體的結構，至少包括： 一基板二側具有一第一表面與第二表面，而該第一表 面上具有一第一電極； 一發光二極體磊晶結構形成於該基板的該第二表面 上’該發光二極體蠢晶結構是由多層III-V族化合物半導體 蟲晶層所組成，其中包含一發光的活性層及一布拉格反射 層位於該基板與該發光的活性層之間，且該布拉格反射層 有部分區域被氧化；以及 一第二電極形成於該發光二極體磊晶結構上。 2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體的結構， 其中該布拉格反射層係由複數個可氧化半導體層與不容易 氧化半導體層堆疊所形成。 3. 如申請專利範圍第2項所述冬發光二極體的結構， 其中該布拉格反射層裡的該些不容易氧化半導體層係為一 磷化鋁鎵銦層。 4·如申請專利範圍第2項所述之發光二極體的結構， 其中該布拉格反射層裡的該些不容易氧化半導體層係為一 砷化鋁鎵層。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 %». ^紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ洗格（瘦) 474033 經濟部智慧財.4局員工消費合作社印货 AS B8 C8 ^〆 ^^ 六、申請專利範圍 5. 如申請專利範圍第2頊所述之發光一極體的知構g 其中該布拉格反射層裡的該些町氧化半導體層係為/而鋁 含量砷化鋁鎵層。 6. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體的結構 其中該些可氧化半導體層部分區域被氧化而形成電流無· 通過的絕緣層。 7. 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體的結構 其中該高鋁含量砷化鋁鎵層，其鋁含量在80%〜100%之間 8. 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體的姑構’ 其中該高鋁含量砷化鋁鎵層是在3 00 t〜8 0 0 °C的溫度範圍 氧化成絕緣層。 9· 一種發光二極體之製造方法，至少包括下列步驟： 提供一基板； 成長一發光二極體磊晶結構於該基板上，該發光二極 體磊晶結構係由多層III-V族化合物半導體磊晶層所組 成，其中包含一發光的活性層及一布拉格反射層，該布拉 格反射層位於該基板與該發光的活性層之間； 接著進行一氧化處理，將部分該布拉格反射層區域氧 化，使其具有高的反射率，並且無法導通電流； 16 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 广请先閲1^背扇年淡意事項轟填寫本

   474033 經濟部智慧时產局員工消費合作钍印¾ A8 B8 C8 PB____ 六、申請專利範圍 然後形成一第一電極於該基板的一第一表面；以及 形成一第二電極於該發光二極體蟲晶結構上。 1 0 ·如申請專利範圍第9項所述之發光二極體之製造 方法，其中更包括钱刻該發光二極體蟲晶結構至該布拉袼 反射層，並暴露一可氧化的高鋁含量砷化銘鎵層。 11,如申請專利範圍第9項所述之發光二極體之製造 方法，其中該布拉格反射層係由複數個可氧化半導體層與 不容易氧化半導體層堆疊所形成。 1 2.如申請專利範圍第1 1項所述之發光二極體之製造 方法，其中該布拉格反射層裡的該些不容易氧化半導體層 係為一磷化鋁鎵銦層。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項所述之發光二極體之製造 方法，其中該布拉格反射層裡的該些不容易氧化半導體層 係為一珅化銘鎵層。 14.如申請專利範圍第11項所述之發光二極體之製造 方法，其中該布拉格反射層裡的該些可氧化半導體層係為 一高銘含量神化紹鎵層。 17 本紙伕尺度適用中國國家揉準（CNS ) Μ規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁 訂 474033 AS B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 5 .如申請專利範圍第1 1項所述之發光二極體之製造 方法，其中該些可氧化半導體層部分區域被氧化而形成電 流無法通過之絕緣層。 16.如申請專利範圍第14項所述之發光二極體之製造 方法，其中該高鋁含量砷化鋁鎵層，其鋁含量在80 %〜100 % 之間。 17·如申請專利範圍第14項所述之發光二極體之製造 方法，其中該高鋁含量砷化鋁鎵層是在 3 00 °C〜8 0 0 °C的溫 度範圍氧化成絕緣層。 (請先H讀背vg之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財/i局員工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4洗格（210X297公釐）