TW470857B - Reflection type liquid crystal display device - Google Patents

Description

470857 五、發明說明（1) [發明所屬之技術分野] 本發明係有關一種具有由反射材料所形成之顯示電極 之反射型液晶顯示裝置。 [習知之技術] 以往己有人提案一種可使由觀察方向射入之光反射來 觀察顯示資訊之所謂反射型液晶顯示裝置。 第2圖為習知之反射型液晶顯示裝置之剖視圖。 如第2圖所示’習知之反射型液晶顯示裝置係由，連 接於薄膜電晶體（Thin Film Transistor :以下稱為 「TFT」）等之切換元件之鋁（A1)製顯示裝置18及形成有定 向膜22之絕緣性基板10、及形成有對向電極21及定向膜22 之對向電極基板20相對向，用接著密封劑23所接著之空 隙’填充有液晶材料之扭轉向列（TN液晶）。又，在液晶顯 示裝置之外部之觀察者1〇〇侧設置有偏光板24。 由外部射入之自然光40是由觀察者丨〇〇侧之偏光板24 射入，透過對向電極基板20、對向電極21、定向膜22、TN 液晶30、TFT基板1〇上之定向膜22，於顯示電極18反射， 之後朝射入之相反方向透過各層，由對向電極基板2〇上之 偏光板24射出，進入觀察者之眼睛1〇〇。 第3圖為一般以往的反射型液晶顯示裝置之一顯示畫 素部之剖視圖。 在玻璃等之絕緣性基板10上形成有閘極電極u，經由 設置於該閘極電極1 1上之閘極絕緣膜12形成由多結晶矽構 成之有源層14。在其有源層14上形成有由絕緣膜所形成之

470857 五、發明說明（2) 阻止層1 3 ’將此阻止層1 3作為遮罩，在有源層1 4設置注入 有不純物之源極電極14s及汲極電極14d。被阻止層13所遮 住之部份則為通道1 4c。阻止層1 3、有源層1 4及閘極絕緣 膜1 2上形成有層間絕緣膜丨5。 一側之源極電極1 4 s藉由形成於層間絕緣膜1 5之接觸 孔而和由A1形成之顯示電極（源極電極）1 8連接。另一侧之 沒極電極14d則藉由形成於層間絕緣膜15之接觸孔而和由 A1形成之沒極電極1 6連接。如此，形成有TFT之絕緣性基 板1 0，亦即TFT基板即告完成。 [發明欲解決之課題] 但是，由於顯示電極係由喷濺法堆積A丨形成圖樣而構 成，在喷濺形成時，電極表面會產生突起，或在喷濺後之 熱處理中，顯示電極也會產生突起，並且，鏡面反射率會 因此而降低，有無法充分的反射外光以得到明亮顯示之缺 故本發明乃有鑑於上述之缺點，而提供一種使顯示電 極表面不易產生犬起’且得以提高鏡面反射率得到明亮顯 示之反射型液晶顯示裝置為目的。 [解決課題之手段] 本發明之反射型液晶顯示裝置，係為經由反射材料所 形成之顯不電極使光反射，以觀察顯示内容之反射型液曰 顯示裝置，其特備徵為：在前述顯示電極顯示内容觀察； 之相反侧具備有與該顯示電極背面相接觸之背面電極。 又，前述背面電極係由高融點金屬所構成者。

470857 五、發明說明（3) [發明之實施形態] 以下就本發明之反射型液晶顯示裝置加以說明。 第1圖顯示本發明反射型液晶顯示裝置之一顯示畫素 之剖視圖。 如第1圖所示，在玻璃等之絕緣性基板丨〇上，形成有 由Cr等金屬所構成之閘極電極u，並介著由設置在該閘極 電極11上之Si02等絕緣膜所構成之閘極絕緣膜12形成由多 結晶矽構成之有源層14。在其有源層丨4上形成有由s丨〇2等 絕緣膜所構成之阻止層1 3，將此阻止層丨3作為遮罩，於有 源層14注入不純物而設置源極電極14s及汲極電極14d。被 阻止膜1 3遮住部份則為通道1 4 c。阻止膜1 3、有源層1 4及 閘極絕緣膜1 2上形成有層間絕緣膜1 5。在廣間絕緣膜1 5上 與沒極電極14d相對應之位置形成有接觸孔（c〇ntact hole)，並藉由該接觸孔來與沒極電極ig連接。 然後’在層間絕緣膜1 5及 >及極電極1 6上形成平坦化絕 緣膜17 ’在源極電極14s之對應位置上之層間絕緣膜丨5及 平坦化絕緣膜1 7中亦設置有接觸孔。 在該接觸孔内及平坦化絕緣膜1 7上，用喷錢法堆積約 1 00 0埃（Angstrom)之鉬（Mo)，並且在其上同樣用喷濺法形 成約2000埃之A1層，然後在A1上形成用以構成顯示電極18 之抗蝕圖樣，再依序將A1及Mo蝕刻，而形成顯示電極1 §及 與在顯示電極1 8之背面形成與此顯示電極1 8同形狀之背面 電極41。此時，經由設在平坦化絕緣膜1 7及層間絕緣膜；i 5 之源極電極1 4 s對應位置上之接觸孔，源極電極1 4 s乃連接

C:\ProgramFiles\Patent\310623.ptd 第 6 頁 4^〇857 明說明（4)"" 一 " " ---- 於兼具源極電極之顯示電極1 8。如此，形成有TFT之絕緣 性基板1 0 ’也就是TFT基板1 〇乃得以完成。 、 如第1圖之如點線所示，由外部射入之自然光4〇是， 由觀察者100側之偏光板24射入，在由對向電極基板2〇、 對向電極21、定向膜22、液晶30、TFT基板1〇上之定向膜 22、A1所構成之顯示電極18反射，之後朝著入射之相0反方 向透過各層由對向電極基板2〇之偏光板24射出，進入觀察 者的眼睛1 0 0行進。 、 在顯示電極1 8之背面設置由高融點金屬製成之背面電 極時，A1之結晶粒徑變小、結果應力被抑制，表面不易產 生突起。 以形成背面電極41之材料來說，除了上述心以外，也 可用鈦（Ti)、鎢（W)、鈕（Ta)、鉻（Cr)等高融點金屬。特 別是用Ti、W時，因與源極電極14s之接觸良好，容易進 行’故適於作為背面電極的適當材料。而且，Ti為六方晶 系’使用此Ti的話，與面心立方晶系之A1在結晶袼子構造 上之配合性良好，A1變為易成為（111)定向狀態之結晶表 面，故表面不易產生突起。 又’作為使用液晶材料可採用有複折射控制模式且使 用偏光板之扭轉向列（TN液晶）。 如此’經由在顯示電極1 8之背面侧形成有與顯示電極 同形之Mo、T i等之高融點金屬，用喷濺法形成顯示電極工8 之時，即使其後之熱處理程序中，其表面也不易產生突 起’而且，由於這種特點，由A1所構成之顯示電極之鏡面

C:\Progmm Files\Patent\310623*ptd 第7頁 470857 案號 88108701 曰 修正 五、發明說明（5) 反射率不會降低，可獲得具有明亮顯示之反射型液晶顯示 裝置。 又，平面電極41之厚度只要是不易使顯示電極18產生 突起程度之200埃至500埃之厚度即可。 又，在本實施形態中，係就TFT閘極電極設置在有源 層下之所謂底閘電極型TFT採用於反射型液晶顯示裝置時 之情形加以揭示，但本發明中，對具有閘極電極設置於有 源層上之所謂頂閘極型TFT之反射型液晶顯示裝置亦會得 到相同的效果。 [發明之功效] 依本發明之液晶顯示裝置，顯示電極表面不易產生突 起，可提高鏡面反射率，而獲得具備明亮顯示之反射型液 晶顯示裝置。 [圖式之簡單說明] 第1圖係表示本發明之實施形態之反射型液晶顯示裝 置之一顯示畫素部之剖視圖。 第2圖為以往之反射型液晶顯示裝置之全體概略剖視 圖。 第3圖為以往之反射型液晶顯示裝置之一顯示畫素部 之剖視圖。 [符號說明] 10 絕緣性基板 11 閘極電極 12 閘極絕緣膜 13 阻止層

IS 31〇623.ptc 第8頁 2001.10.16.008 年β月修正 470857 _案號 88108701 五、發明說明（6) 14 有源層 14c 通道 1 4 d、1 6 没極電極 14s 源極電極 15 層間絕緣膜 17 平坦化絕緣膜 1 8 顯不電極 20 對向電極基板 21 對向電極 22 定向膜 23 接著密封劑 24 偏光板 30 TN液晶 40 自然光 41 背面電極 100 觀察者

310623.ptc 2001.10.16.009 第9頁

Claims (1)

1. 470857 六、申請專利範圍 1, 一種反射型液晶顯示裝置，係在經由反射材料所構成 之顯示電極使光反射，觀察顯示内容之反射型液晶顯 示裝置中，其特徵為：在前述顯示電極之顯示内容觀 察側之相反側具備有與該顯示電極背面接觸之背面顯 示電極者。 2. 如申請專利範圍第1項記載之反射型液晶顯示裝置，其 中，前述背面電極係由高融點金屬所構成者。

   C:\Program Files\Patent\310623.ptd 第10頁