TW469487B

TW469487B - Method and apparatus of holding semiconductor wafers for lithography and other wafer processes

Info

Publication number: TW469487B
Application number: TW089115968A
Authority: TW
Inventors: Steve Moffatt
Original assignee: Applied Materials Inc
Priority date: 1999-08-06
Filing date: 2000-11-03
Publication date: 2001-12-21
Also published as: WO2001011431B1; US20050199825A1; US6909588B2; US20040084633A1; WO2001011431A2; US7372690B2; WO2001011431A3

Description

469487 五、發明說明（1) 發明領域 _ · 本發明之發明領域係有關於用於半導體製造的晶圓處理系-統，尤其是用於微影系統的晶圓夾具，及其他的晶圓處理步驟。發明背景電路積體化的程度已日益精進，1C的特性尺寸已急劇縮小。為了支援未來半導體製造上的需要，已發展出使用帶電荷粒子束，如電子束或離子束的微影系統以克服傳統光、學系統在特性尺寸上的限制。在帶電荷粒子束投射微影系統中，一光罩中的某些部份曝照到帶電荷粒子束下以將光罩的景夕像投射到基體中。已發展出數種新的帶電荷粒子束微影系統以將微影的能力擴展到次〇·丨5微米特性尺寸的種度。其中一種此類型的系統為由IBM所發展出來的微柱電子束系統。此系統使用相列陣列中大量的縮小電子束寫入器將在0 _ 1微米晶圓形狀的大小下投射光罩影像。熟知的 —種類似的電子束投射微影系統為由ϊ BM所發展出來的 PREVAILO 。 , 、另一種電子束微影系統為由AT&T的貝爾實驗室所發展 " 的SCALPELO，其中SCALPEL表示”在投射電子束微影中具有 -角度限制的散射11 ，且為紐澤西州Murray Hill之AT&T貝爾、實驗室中所登記的商標。SCALPEL微影系統將一晶圓曝照

第4頁 4^9487 五、發明說明（2) 到高能量的電子下以將光罩的影像投射到基體上，覆上一二能量感測材料或阻劑。在半導體製造期間，多層沉積在基二· 體上，且將數層曝照到上高能量電子中。 - 在微影處理期間’將光罩影像與具有預存之特徵的晶圓進行適當的對齊相當重要，考量許多上圖樣層可在特定的容差内對齊以產生功能積體電路。一投射圖樣的對齊容差或對齊預算與電路的關鍵尺寸（CD)成正比。一代表性的對齊谷差或對齊預算為CD/3。在處理期間，使用真空力或靜電力將晶圓握持在處理室之内。為了確保準確定位該登錄的正確性，由微影工具對齊系統詢問或者量測晶圓^的點，以自動地決定預存特徵的位置β此使得下一圖樣準位 I 可準確地加以定位。 ’ 在傳統的光學248nm中，將193nm波長的紫外線，深紫外線，極限紫外線及能量密度基本上在約1〇_25 ^;/^2的電子束微影作用到晶圓上。如果隨傳統的微影處理期間作用到晶圓的能量相當低，且晶圓溫度上升率相當小^小於 0.1 c)，則與可應用此工具列印之特徵尺寸所需要的容差比較下，其膨脹程度相當的小。在晶圓溫度上〇 1C的微影系統中，基本上不需要對熱膨脹所齊進行更正。土w个耵在晶圓處理系統中，必需控制熱膨脹，，處理期間經由將“溫度ΪΪ 吼通過該表面，而維持晶圓於一固定溫度下。 t要循環該空氣，所以與真空室系統不相容。因為”、、化夺

第5頁 4 69 48 7 $、發明說明（3) 某些半導體及微影處理中（包含SCALPEL)將晶圓的一小區域曝照到實際上更大的能量下，而導致晶圓的熱失真。將晶圓曝照至能量密度大於1 〇焦耳/Cm2的高能量粒子柬之下’將對於入射區域局部加熱，且可將局部溫度從 i。上升至50° C。當粒子束橫越過該晶圓，且在微影處理期間吸收能量’則在晶圓中將產生熱點。此熱點導致晶圓的熱膨脹。在微影影像之關鍵尺寸小於〇. 1 5nim的微影系統中’低至0· 1° C至1° c之晶圓溫度型式可產生足量的熱變形而導致不對齊。

在將晶圓曝照到較高能階的微影系統中，可經由控制機構穩定晶圓的溫度，將機構將冷卻晶圓j_減少熱膨脹。已設計出某些晶圓夾具以防止在晶圓下方由於猶環流體而加以晶圓以在處理期間冷卻晶圓。該系統中主要使用晶圓冷卻夾頭’而在處理期間藉由該夾頭將整個晶圓曝照在電漿或離子束中。已發展出多區域之晶圓冷卻夾頭，此夾頭可監視晶圓中不同區域的溫度，且獨立調整各區域的冷卻’因此維持所需要的均勻晶圓溫度。但是，一般多區域，晶圓冷卻夾頭無法由傳統的熱遷移去除以防止晶圓的局 #加熱及熱膨脹。而且’因為高能量粒子束快速掃瞄過該基體，發生膨脹冷卻爽頭中獨立的冷卻區域無法在整個晶圓上調整出均勻的溫度’以防止熱變形。在微影處理期間’基體熱變形的大小正比於基體溫度 1改變。因為粒子束微影系統可以只加熱一小區域，且掃 *田該基體，所以在整個微影處理期間晶圓的熱變形改變，

4 48 7 五、發明說明（4) 且不均勻。在微影處理期間導致1 0至1 〇〇nm的晶圓移動在微影處理期間，基體將導致在入射點處產生某一膨脹力可由基體及夾頭之間膨脹’直到熱膨脹力超過再擦力為止，此類型的效應有脹力及摩擦力之間的關係導同樣地，基體冷卻，而力超過摩擦力為业。此時，快速移動，且防止再度收縮止。與熱膨脹相同，基體的為尚能量微影系統，單色器的問題。，由於加熱所導致的熱變形可曝照在一高能量粒子束下，此實質的熱量。加熱之基體的熱的摩擦力反抗，而防止該晶圓度膨脹，直到熱膨脹力超過摩最後稱為"黏滑性"移動。熱膨致基體日益熱變形。導致建立熱收縮力，直到變形當收縮力超過摩擦力時，基體直到熱收縮力超過摩擦力為收縮度日益增加。黏滑性移動及頻率穩定雷射的領域中熟知黏滑性理期間，基用於補償基地決定在具發明概述本發明體介接且與生熱變形而觸，且具有間，基體及係相關之接觸不會產足夠的飼服層問題導體的對體的熱有黏滑致基體的熱膨脹無法預測，且使 ^業變得相當困難。對齊電腦系統可性移動期間基體位置。、法卓確於一晶圓夾具，此晶圓爽的伺服層而允畔在料炎♦具有™以違生黏滑性移動。杓服二理期間晶圓產韌性以允許其侵兴暴體接吁暴體變形而在料影忐m i 之間没有任h Μ Λ Q任锨影處理期任何的相對移動。因為

加熱時，伺服'層隨著基體變形，所以在微影處理期間，基體及伺服層之間沒有任何的相對移動。一微處理器系統使用該處理狀態及基體的物理特性在整個微影處理期間預測且量測基體的變形。經由預測且量測基體的熱變形，微處理器可調整入射的電子束，而使用帶電荷粒子束偏移器補償晶圓的熱變形□由於微處理器補償熱變形，所以在微影處理期間投射的影像可準確地對齊。圖式之簡單說明下文將應用代表性的實施例及附圖說明本發明，但是這些實施例及附圖並非用於限制本發明，各附圖中相同的標示表示相同的組件。圖1為一帶電荷粒子束微影系統之截面視圖；圖2A為本發明靜電夾頭實施例的截面視圖；圖2B為本發明靜電夾頭另一實施例的戴面視圖；圖3表示在微影處理期間基體相對於時間的熱移動發明之詳細說明將於下文中加以說明一種微影處理期間可穩定握持一晶圓的系統。在下文的說明中，為了說明上的需要，將說明多個特定的細節，以使得熟習本項技術者可更進一步了解本發明。但是顯然地’熟習本項技術者應瞭解可應用其他的方式實現本發明，而不受限於上述特定說明的細節了因此，文中對於較佳實施例的說明並非用於限制在後文中所定義之本發明申請專利範圍的觀點。

第8頁五、發明說明（6) 在微影處理期間，帶電荷粒子或輻射直接通過一光罩’而將光罩上部份的影像投射到一基體上，如具有的能量感測或光阻層的石夕晶圓，在代表性的帶電荷粒子束微影系統中使用電子束或離子束投射系統，以使用一影像光罩製造一晶圓。在本發明之一實施例中，晶圓握持系統中配置一 SCALPEL (在投射電子束微影中具有角度限制之散射）系統。

如所熟知者’在SCALPEL系統中，經由一晶圓投射一高能量的電子。存在多種不同型式的光罩適於使用在 SCALPEL系統中。其中一種具代表性的SCALpEL光罩具有兩種不同型式的區域’各區域中散射電子的能量多少比一般強一些。通過該光罩的電子束將光罩上的影像投射到一基體上。基本上該該光罩對於電子束中帶能量的電子（基本上具有lOOkeV的能量）呈透明（即可令電子通過），但是在當由光圈分化後’在低強度散射及高強度散射區域之間之電子產生特性中的差異足以在晶圓平面上提供微影處理上，要的對比。現在請參閲圖i，系統1〇〇表示SCALPEL微影系統中電子光學系統，其中包含本發明之實施例。在處理室120中包含光罩夾片台1〇6，夾頭U2及成像柱11〇。對於一SCALPEL而言，處理室12〇一般維持在一次大氣的環境中且因此可稱為一真空室。光學系統也包含一電子源 102，在此電子源中基本上配置一電子搶。電子源將電子103投射過在照明室丨04中的照明柱到一光罩夾片台1〇6 上。光罩夾片台1 0 6握持晶圓，且包含高強度散射區及低

第9頁 469487 五、發明說明（7) 強度散射區。電子束通過光罩1〇8及成像柱11〇(或投射柱）而形成聚焦的電子束105，此電子束投射到由夾頭112握持的晶圓114上。成像柱11 〇也包含一後焦點平面光圈，此光圈用於封鎖強散射電子，且允許低強度的散射電子通過晶圓 114。現在請參閱圖2A，將於下文中更進一步說明本發明實施例。靜電夾頭112包含一平台210，此平台中包含一電極 224及一伺服層222，在微影處理期間，此伺服層與該晶圓 114相接觸。現在請參閱圖2b，其他顯示本發明另一實施例。靜電夾頭112包含平台210及一覆蓋在上方的伺服層 2 22，在處理期間，此伺服層與該晶圓114接觸。電極2 24由適當的導電材料製造成，其他某些例子為鋼、鎳、鉻、鋁、鐵及其混合物或合金。電極224的厚度介於約lmm至1，〇〇〇mm之間。且基本上配置夾頭112的形態以握持晶圓11 4使垂直該成像柱1 1 〇之軸，此成像柱將圖樣影像投射到晶圓11 4上。夾頭11 2將一握持該晶圓11 4的吸力作用到夾頭11 2上。在本發明之一實施例中，由韌性聚合物製造伺服層 2 2 2，此聚合物的例子諸如（但不受限為這些例子）氟化矽 (fluorosilicones)，聚醯胺（polyamides)，聚醯亞胺 (polyimides)，聚甲酮（polyketones)，聚醚甲酮 (polyetherketones) ’ 聚（polysul f ones)，聚艘化物 (polycarbonates)，聚苯乙烯（polystyrenes)，聚胺基甲酸乙酯（polyurethanes)，尼龍（nylons)，聚氯乙烯

第10頁 4 48 7 五、發明說明（8) (ρ ο 1 y v i n y 1 c h 1 〇 r i d e s ) ’ 聚丙烯（p 〇 1 y p r 〇 p y 1 e n e s )，聚醚甲酮（polyetherketones)，聚醚 (polyethersulfones) ’ 聚乙烯對苯二酸鹽（p〇lyethylene terephthalate)，敗化丙烯丙二醇共聚物 (fluoroethaylene propylene cop〇lymers)，賽璐璐 (cellulose)，甘油三醋酸酯（triacctactes)，發 (silicones)及橡膠（rubbers)。也可以使用具有低粒子性及低金屬含量的製造該伺服層。伺服層也包含充填製造，以增加導熱及/或防蝕 -Μ /、、、'八 f 磨穿能力。最好充填材料為平均粒子大小比伺服層厚度小很多的粉末。充填材料的粒子尺寸最好小於約lmm。充填劑分佈在-聚合膜中’其體積比約1〇%至8〇%，基本上從 2:Λ50%。較佳之充填劑如鑽石、鋁、銼、硼化物、氮化 :了，’量這些材料具高導熱，優良絕緣的特性，且可承受高溫環境。 π ^ 附著了任何其他適當方式中的噴灑，鑄模，旋轉或 1龍至10mm之間項上形成伺服層。該伺服層的厚度介於約子的流動。最^好^服層也可以防止在電極及晶圓之間電大小以提供優良的3 ί層的材料及大小對應晶圓的材料及另外，伺服的熱遷移路徑，而在處理期間冷卻晶圓。也可可以具不同於晶圓的材料及大小。如，成為也可以？上形成f有不同特徵的多伺服層。例硬的材料以也可司服層的可°p，可以在曝照表面上使用較以防腐能力，也可以使用下層彈性材料以

第11頁 469487 五、發明說明（9) 維持韌性。在另一例子中’可以在電極及主伺服層之間使用導引層以改進電極及主伺服層之間的附著性。在本發明之一貫施例中，伺服層存在下列特性：物性之表面（介於25及75之間的蕭（Shore)而硬度級距A)，優良的電絕緣性’優良的介電性質（介電常數介於〇及3. 〇之間），適當的導熱性，足夠的彈性，在真空下低漏氣性，低舉升力，靜電夾持一鬆開時低的磁滯，及在晶圓處理期間沒有低粒子漏逸。如上叉T所士丄叫"τ糊小丹晶圓之熱膨脹有關的問題’其中由於晶圓及爽頭之間的摩擦力之故，該晶轉 ίΠίίίίΪ;形。本發明中藉由可在微影處理期f· ?者晶圓變形的韌性層’而消除黏滑問題。尤司：層的晶圓及上表面之間沒有相關的移動：，：有相對於產生黏滑之晶圓的熱變形力 "

有祠服層的夾頭上處理晶圓，可平整曰=。經由在I 摩擦力不反抗晶圓的熱變形，伺服戶：：：熱變形。雖齋膨脹力，且維持晶圓的收縮力。I層叙可抗拒晶圓Μ 彈簧’在晶圓膨脹時該伺服服】：動作如-二維的返回正常的位置。汗而在晶圓收縮時，則期門現Ϊ =考圖3 ’圖中的實線304表示在+ :間，晶圓的移動，其中二：在-夾頭的處理當晶圓沒有正在移動時的㈣：了的：服層。水平區表示圓相對於夾頭滑動時的”滑溜” ς 垂直區域表示當晶圖中的虛線302表示n @ 。在帶電荷粒子微影處理期間，在 469487

五、發明說明（ίο) 本發明夾頭上安裝晶圓的熱變形°晶圓的側向移動已平整掉，考量在晶圓及與晶圓接觸之伺服層的上表面之間並没有相對移動。由伺服層的彈性影響的伺服層的變形曲線。如上所述，伺服層作用如一二維彈簧，其可擋住晶圓的膨脹且加速晶圓的收縮。由於重複變形的磁滯效應，而使得伺服層的變形曲線隨著使用程度而跟著改變。因為可預測及可重複具有祠服層之夾頭的熱變形特性，安裝在本發明夾頭上的晶圓可更準確地將對上圖樣的帶電荷粒子或輻射曝照。尤其是，因為晶圓的熱變形而消除黏滑性移動，所以可決定晶圓準確的收縮位置，且可調整投射的光罩影像而補償晶圓的熱變形。 °° 在處理考點，且可晶圓與動性在微影處理圓及伺服層粒子不會從達到最小。分開晶圓的時，伺服層期間，晶圓的位置可令其頂住兩剛性的邊緣參應用大於5Ν的吸引爽持力而固定該夾頭。因為的伺服層接觸，且伺服層去除晶圓變形，所以期間，不會將摩擦力作用在晶圓上。因為在晶之間沒有任何的滑動產生，所以金屬或聚合物晶圓或伺服層中漏出，且可使得處理室的污染去除該夾持力，且從本發明夾頭中门“、於5n。當從灸頭上拿掉該晶圓不留在晶圓上。已熟知當平滑的晶圓表盥在處理後，舉升力相當胃了：的夾頭接觸時，照表面通常做得較粗糙。在力’夾頭的曝粗糙及減少舉升表面上造成璉漪為使夾頭表面 +升力的同樣的’可在失頭表面上形成

第13頁 469487 五、發明說明（11) 微細的凹槽（每公分11 〇〇個）以使得該表面粗糙化。在被影處理期間’伺服層的上表面隨著晶圓膨脹，而下表面仍固定到電極上，而導致在伺服層内產生侧向變形及剪應力。在一實施例中’相對於伺服層的厚度，伺服層的剪變形介於2%至10%之間。在帶電荷粒子束微影期間，晶圓的熱變形基本上小於〇. lmm至1. 〇mm厚度伺服層的 O.lmm變形產生10%的剪變形。最好，飼服層介於1,〇及 3. 0mm的厚度之間。

伺服層的晶圓平面變形可導致伺服層厚度方向的收縮，考量伺服層的體積維持固定之故。在〇· 或更小的側向膨脹導致伺服層的厚度減少1至2〇nm ^因為在伺服層上女裝晶圓之故，晶圓及光學系統之間的距離隨著改變。小的晶圓移動（1至20奈米）不會影響到投射晶圓影像的品質’此完全在光學系統的聚焦深度内。

I 因為熱變形相當平滑’且沒有任何的黏滑性移動，安褒在本發明夾頭上之晶圓的膨脹及收縮對於一給定的晶圓溫度而言可準確地決定。而且，可整個微影處理的過程中可應用本發明的夾頭預測晶圓的位置，考量在帶電荷粒子束微影處理期間已小心監視及/或計算晶圓的溫度。 V. 在SCALPEL或次場掃猫微影系統中，如果已知在處理中晶圓的正確位置，偏移單元可將該電子束再指向以補償處理期間晶圓的移動。此補償之帶電荷粒子的偏移導致在晶圓上影像可準確定位。因此，重要的是微影系統在處理的所有時間中了解光覃的準碟定位。本發明的夾頭改進微

第14頁 4 6 9 4 8 7 發明說明（12) 影處理，考量不會產生黏滑，且晶圓的位置在微影處理期間可準確地決定。、，在、實施例中，在電腦内設定程式以基於"向前預？則模式預則晶圓的位置。在半導體製造技術中，對於製造程序進行相當小心的控制，且在製造期間準確地重複。因為以小心控制可重複方式處理晶圓，所以各晶圓具有相同的熱變形。經由了解在處理期間晶圓的熱變形方式，可設計微影系統以將帶電荷粒子指向預期的晶圓之熱變形。在本發明的另—實施例中，微影處理包含晶圓上登錄對齊（registration aiignment)。在 SCAlpel 微影系統中’可在晶圓上之對應光罩上方掃瞄光罩影像，而達到晶圓上的登錄對齊。一表示兩光罩之疊積（convolution)的後向散射電子信號隨後可加以偵測並分析之。微影系統電腦分析後向散射的電子信號’而且自動更正在轉動，放大及失真時所偵測到的錯誤。微影系統電腦決定需要的系統設定以更正對齊錯誤及更正對於光罩夾片台，晶圓夾片台及成像柱的控制信號。在本發明之一實施例中’溫度感測器及/或溫度監視器決定在微影處理期間，跨過整個晶圓的局部溫度。局部晶圓的溫度資訊送到電腦中以計算晶圓的位置，且控制偏移單元以再指向帶電荷粒子’因此可補償晶圓的熱變形。如上所述’本發明允許晶圓膨脹且收縮，而在晶圓及伺服層之間沒有任何的滑動。因為沒有任何滑動，所以也不會產生任何粒子。避免產生粒子的能力不只俾益於微景 469487 明 ' ----------- 。二相=i對於任何需要高準位清潔度的晶圓*理裝置而生埶變:。因此，本發明已改進了任何可使得晶圓產理二變形的半導體處理系統。這些應用並不限於固定在處理^内的晶圓握持晶圓，例如，基本上應用一機械手在處埶至之間傳遞晶圓。因為在處理期間，通常需要將晶圓加二’使得將在處理室數位傳遞晶圓時，晶圓可能產生熱變、因為使用一伺服層，而在機械手内的晶圓夾具將減少在半導體處理裝置内產生的粒子。但是已說明與SCALPEL微影系統中本發明的特定實施例’熟習本技術者應了解上述說明的本發明實施例可使用在期間型式的系統中。這類型的系統包含沉積、蝕刻、純化、熱處理、機械手、微柱電子束系統、離子束投射系統及其他型式類似的微影系統。在這些例子中，以上述 SCALPEL系統相同的方式使用具有伺服層的夾頭。在上文的說明中，已說明了與帶電荷粒子束微影系統共用之晶圓握持系統。雖然文中以特定的代表性實施例說明本發明’須了解熟習本技術者可對於上述實施例進行多種不同的變更及更改也不偏離定義之本發明的精神及觀點。因此，上述說明及圖式僅作為說明之用，而非用於限制本發明的精神及觀點。圖式元件標號說明系統1 0 0電子源1 〇 2電子1 〇 3 照明室104電子束105光罩夾片台1〇6 光罩108成像柱110夾頭112

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五、發明㈤月―ΰ—心晶圓 114 平台 210 4 69 48 7 平台伺服層 116 222 處理室電極 120 224

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Claims

4 69 48 7 ψκ^^- 六、申請專利範圍補充丨種用於將一基體固定在一處理室的晶圓夾具，其包括：一電極，以及一或數層，其覆蓋與該晶圓接觸之晶圓夾具的一部位上，其中此數層中至少有一層為飼服層（compliant)。 2. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓夾具，其中該伺服詹的硬度介於25至1〇〇簫而硬度級距A (Shore Hardness scale A)之間。 3. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓夾具，其中該伺服層為一絕緣體，其介電常數介於1至3之間。. 4. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓爽具，其中該祠服層可承受1 〇%的剪應力，不超過伺服層材料的降伏強度。 5. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓夾具，其中該電極包含至少一導電性材料，此材料係選自鋼、鎳、鉻、銘、鐵及其混合物或合金。 6. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓夾具，其中該伺服層包括從下列一組群中所選擇出來的材料’此組群包含：氟化矽（fluorosilicones)，聚醯胺（Polyamides)，聚醯亞胺（polyimides)，聚甲酮（P〇lyketones)，聚醚甲酮（poiyetherketones)，聚（po 1 ysu 1 f ones) ’ 聚碳化物 (polycarbonates)，聚苯乙烯（polystyrenes) ’ 聚胺基甲酸乙輯（polyurethanes)，尼龍（nylons) ’聚氣乙烯 (polyvinylchlorides),聚丙烯（P〇lyPr〇Pylenes) ’ 聚醚

第18頁 469487 六、申請專利範圍· -1 tf I 年月 ther k( 補无 3 tdiies 聚趟赛®各，石夕 •其中該伺 (polyethersulfones)，聚乙烯對苯二酸鹽（polyethylene terephthalate);氟化丙烯丙二醇共聚物 (f1uoroethay1ene propylene copolymers) > (cellulose)，甘油三酷酸酿（triacctactes) (silicones)及橡膠（rubbers)，及其組合。 7. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓夾具服層的厚度介於1至3min之間。 8. —種將上圖樣之帶電荷粒子投射到一基體的裝置，此裝置包括：一處理室；一帶電荷粒子源’甩於產生帶電荷粒子束，此帶電荷粒子入射該基體；以及 + —靜電失頭，此靜電夾頭包含一電極及一或數層，其覆蓋與該晶圓接觸之晶圓夾具的一部位上，其中此數層中至少有一層為伺服層（c〇JHpliant)。 9. 如申請專利範圍第8項所述之裝置，其中該伺服層的更度介於25至1〇〇蕭而硬度級距a (shore Hardness scale A)之間。 10. 如申請專利範圍第8項所述之裝置，其進一步包括：儅άί腦’用於計算一估計的帶電荷粒子束偏移’以補 j 體曝露在帶電荷粒子束中所導至基體的實際變 "、電腦產生對應計算之偏移的偏移信號；以及

第19頁 469487 補充六、申請專利範圍應來自電腦一粒子束偏移器，""i移帶電荷粒子束以的偏移信號。 J丄如甘申入請專利範園第8項所述之裝置，其中柯服層為絕緣體，其介電常數介於1至3之間。 12. 如申請專利範圍第8項所述之裝置，其中該伺服層可承受10%的剪應力，不超過伺服層材料的降伏強度。 13. 如申請專利範園第8項所述之裝置，其中該^電極包含至少一導電性材料，此材料係選自鋼、鎳、絡、紹、鐵及其混合物或合金。 14. 如申請專利範圍第8項所述之襄置，其中該伺服層包括從下列一組群中所選擇出來的材料，此組群包含：氟化矽（fluorosilicones)，聚醯胺（polyamides)，聚醯亞胺（polyimides)，聚甲酮（polyketones)，聚喊甲酮 (polyetherketones)，聚 (po 1 ysu 1 fones)，聚碳化物 (polycarbonates) 1 聚苯乙婦（polystyrenes)，聚胺基曱酸乙酯（polyurethanes)，尼龍（nylons)，聚氯乙晞 (polyvinylchlorides)，聚丙婦（polypropylenes) ’ 聚醚甲酮（polyetherketones)，聚醚 (polyethersulfones)，聚乙稀對苯二酸鹽（polyethylene terephthalate)，氟化丙烯丙二醇共聚物 (fluoroethaylene propylene copolymers)，赛璐踏 (cellulose) ’ 甘油三醋酸醋（tfiacctactes) ’ 碎 (silicones)及橡膠（rubbers) ’ 及其組合。 15, 如申請專利範圍第8項所述之裝置，其進一步包

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一定位在帶電荷粒子源及基體之間的微影光罩；以及一配置在處理室内的電子感測器，用於偵測從基體上發射出來的後向散射之電子。 16.如申請專利範圍第8項所述之裝置，其進一步包括一基體的溫度感測器，用於在處理斯間量測基體的溫度，而且用於傳送對應量測之基體溫度的信號至該電腦處。 1 7.如申請專利範圍第8項所述之裴置，其中伺服層的厚度介於1至lpmm之間。 ^ I8.如申請專利範圍第8項所述之裝置，其中由於帶電荷粒子的曝照所導致之基雔的局部加熱溫介於i至5 〇 , c 之間。 19. 一種用於在基體上方上圖樣一光阻層的方法，該方法包含下列的步驟：在基體上形成一光阻層；將基體定位在靜電爽頭上，其中含—或數層，其覆蓋與咸晶圓接觸之晶圓夾具的一部位上，其中此數層中至少有一層為伺服層；以及將基體上之光阻層的某些部位曝照於一帶電荷粒子束下0 20. 如申請專利範圍第19項所述之方一步包含的步驟為.：

的42於：ί體曝照在帶電荷粒子朿下所導致之基體

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46 9 48 7 六、申請專利範圍 (cellulose· 補 ΙΚΕαΖ 年月/日厂τ甘油i醋酸酯（triacctactes)，石夕 (silicones)及橡耀"（rubbers)，及其組合。 29. —種用於將一基體握持在一夾頭上的方法，該夾頭包含一電極及一或數層，其覆蓋與該晶圓接觸之晶圓夾具的一部位上，其中此數層中至少有一層為伺服層，該方法包含下列的步驟：將晶圓置於之數層中的一層；以及賦能該電極。 30. 如申請專利範圍第29項所述之方法，其中該伺服層的硬度介於25至100蕭而硬度級距A (Shore Hardness scale A)之間。 3 1.如申請專利範圍第2 9項所述之方法，其中該伺服層為一絕緣體，其介電常數介於1至3之間。 3 2.如申請專利範圍第29項所述之方法，其中該伺服層可承受10%的剪應力，不超過伺服層材料的降伏強度。鎳、鉻、鋁、，其中該伺服此組群包含： 33, 如申請專利範園第29項所述之方法，其中該電極包含至少一導電性材料，此材料係選自鋼、鐵及其混合物或合金。 34. 如申請專利範圍第29項所述之方法層包括從下列一組群中所選擇出來的材料^ 氟化矽（fluorosilicones)，聚醯胺（polyamides)，聚醯亞胺（polyimides)，聚曱酮（polyketones)，聚醚甲酮 (polyetherketones)，聚（pol ysu 1 f ones)，聚碳化物 (polycarbonates)，聚苯乙烯（polystyrenes)，聚胺基甲

第24頁 459487 巧必1修正六、申請專利範園 Λ- Λ /〇 ^ tr ^ /補无酸乙酯（polyurethanes)，尼龍（nylons)，聚氯乙稀 (polyvinylchlorides)，聚丙婦（polypropylenes)，聚驢甲酮（polyetherketones)，聚醚 (polyethersulfones)，聚乙婦對苯二酸鹽（polyethylene terephthalate)，氟化丙婦丙二醇共聚物 (f 1 uoroe t hay 1 ene propylene copolymers)，赛璐璐 (cellulose)，甘油三醋酸酯（triacctactes)，石夕 (silicones)及橡膠（rubbers)，及其組合。 35.如申請專利範圍第29項所述之方法，其中該伺服層的厚度介於1至3mm之間。 3 6· —種處理一基體以使同在半導體處理之裝置，此裝置包括：一晶圓夾具；以及 .一或數層，其覆蓋與該晶圓接觸之晶圓夾具的一部位上’其中此數層中至少有一層為祠服層。 37. 如申請專利範圍第36項所述之裝置，其中該伺服層的硬度介於25至1〇〇蕭而硬度級距A (Shore Hardness s c a 1 e A)之間。 38. 如申請專利範圍第3 6項所述之裴置，其中該伺服層可承受10%的剪應力，不超過伺服層材料的降伏強度。 3 9.如申請專利範圍第36項所述之裝置，其中該伺服層包括從下列一組群中所選擇出來的材料，此組群包含：氟化矽（fluorosilicones),聚醯胺（p〇lyamides)，聚醯亞胺（polyimides)，聚曱酮（poiyket〇nes)，聚醚甲酮

第25頁 469487 六、申請專利範圍 (po 1 ye the r*lce tones ) 補无聚 (polysulfones)，聚碳化物 (polycarbonates)，聚苯乙烯（p〇iyStyrenes)，聚胺基甲酸乙酯（polyurethanes)，尼龍（nylons)，聚氯乙烯 (polyvinylchlorides)，聚丙豨（polypropylenes)，聚醚曱酮（polyetherketones)，聚醚 (polyethersulfones)，聚乙烯對苯二酸鹽（polyethylene terephthalate)，氟化丙烯丙二醇共聚物 (fluoroethaylene propylene copolymers)，赛璐璐 (cellulose)，甘油三醋酸酯（triacctactes) ’ 矽 (silicones)及橡勝（rubbers)，及其組合。 4 0.如申請專利範圍第36項所述之裝置，其中該伺服層的厚度介於1至3mm之間。

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