TW466150B - Non-abrasive conditioning for polishing pads - Google Patents
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Description
466150 五、發明說明(l) 發明背景 1.技術領域 本發明一般關於利用化學機械式拋光技術對半導體晶 圓拋光,尤指其中所用拋光墊片表面之調理。 2.相關技藝背景 * 6 積體電路元件科技之進步’必須化學機械式拋光 (CMP)科技之進步,以提供更佳和更為一貫的表面平整方 法。在預備基材上製造此等元件(即CMOS、VLSI、ULSI、 微處理機、半導體記憶器、和相關科技),以及基材本身 之製備(原晶圓撤光)’需要高度平坦和均勻表面。為了 在基材表面達成此等商水準4平整性和均勻性,必須可靠 而一貫地進行其製法,拋光不足、拋光過度、不均勻和/ 或不平坦的表面’不能製成良品的微電子元件。 在CMP製作技術中’常連同轉動中拋光墊、直線拋光 帶、或轉動圓筒*使用游離磨劑化學漿液,與工件表面接 觸’將該表面拋光和平整r此等裝置之典型例載於 SpeedFam的美國專利第5, 329, 732號,揭示轉動拋光墊片 挺光機 ’Applied Mater i a Is 的 PCT申請案 97/20660,
揭示直線帶樾光機,以及Ebara Corporation和東芝股份 有限公司的美國專利第5, 643, 056號,揭示轉動圓筒拋光 機’前述專利之内容相關部份,於此列入參玫β 在如此已知拋光方法中’晶圓的一側附於晶圓座,而 晶圓的另一側被壓緊於拋光表面》—般而言,拋光表面包 括拋光塾片或帶,可由市售各種材料,諸如美國亞里桑納
五、發明說明(2) 州 Scottsdale 的 ,諸如氧化飾、 刺等水質膠體 择中,工件( 威J:線移動) jgj #可繞其垂 上西擺動。在 #的磨粒和化 學揀腐钱,因 然而,此等 會#到工件表 因此,重點不 其要正確製造 ,包含使用新 _抛光方法之 #屬代替較硬 拋光表面時, 果。第^—種7G 磨 遞 動 晶 蟓 •組 都 〇 f 控 的 結 癍 6 % 揭 0 4 6 B 1' 5 Ο
Rode 1公司產銷吹氣聚胺酯形成。典型上 氧化鋁、發煙/沉澱氧化矽,或其他粒狀 磨漿’沉積在拋光表面上。在拋光或平整 例如矽晶圓)典型上是壓緊考動(例如專 中的拋光表面。此外,為改進拋光效果, 直抽線轉動和/或在抱光表面的内、外周 拋光表面和被拋光工件間施壓時,漿液内 學物’即對被拋光表面產生機械性磨光和 而從工件除去材料。 方法的嚴重缺點是,拋光表面的任何瑕蘇 面’導致工件的拋光平整性和均勻性遜色 只在此校正拋光表面因磨損引起的劣化, 使用前的表面。半導體科技的近來連績進 材料和降低尺寸幾何形,逼得需要更密切 規則性。尤其是在金屬連接件中使用鋼等 * 的鋁和鎢,當用到以目前已知方法調理過 往往產生不規則、不平坦和不均勻的拋光 件結構’即.歲潭隔離(STI ),亦有同樣難 般已知拋光的不4勻表面磨損和整塊變形,是導致 平捩和不均勻拋光結果的最重大原因。為免除此問題, 開發出多項方法,重新調理墊片的表面。此等方法主要 磨劑型’如SpeedFam的美Ρ專利第5,486,131號所載, 系攞動和轉動之塗佈磨劑的環總成。最常用的磨粒為金
466150
五、發明說明(3) 剛石,雖然其他許,「超磨」材料也用 ,
SuperNexus ’’ CBN -立體氮化蝴)。使用此 | 成 之強烈缺點是’使用磨粒本身〜在使用中=自調理 總成脱落》若此等磨粒埋人墊片巾,會導致到^件。由 於f粒較卫件表面層硬得多,到—次就會嚴“有效破壞 工件。此外,使用此等磨光總成來調理拋光表面,以控制 鋼、STI和其他結構的不均勻和不平坦拋 極不滿意。 通
由不均勻和不平坦拋光引起的二項最大問題是,凹陷 和侵蝕》在鋼波紋法中因習知CMP法導致的此等瑕疵,如 第1圓所示。簡言之’銅波紋法涉及氧化物層内形成的溝 和通路結構之充填過度,再將鋼材料拋光,在晶圓上形成 所需連接件和通路結構。如第1圖所示,在銅連接件特色 中得凹陷1 0,是由工件表面上接近底層氧化物特點3〇間銅 線不平坦表面(典型上為凹面)證實,若氧化物或阻止層 40不足以「阻止」CMP法過度拋光軟銅50,即會發生侵蝕 20°在拋光製程中形成的該項瑕疵,在微電子元件製作之 接績步驟’諸如照相平版印刷製程步驟中,會造成困難。 由此等瑕疵造成的其他重大問題,包含電路永久故障和完 全失效元件。銅處理中涉及的困難,以及該製程之監督方 法進一步資料,可參見IBM公司的美國專利5, 723, 874號, 其相關部份於此列入參玫。 有關凹陷和侵蝕之其他已知技術’包含模具結構/密 度變化、阻止層,以及改變遮蔽技術。然而’由於特殊設
第6頁 466150 t、發明說明(4) ~ ^規則或議題涉及成本大增,不可能調節模具結構。使用 另颛遮蔽技術亦增加製法之額外步驟’固而又增加成本和 複雜性。 目前已知技術在現有技藝狀態的軟質材料中校正凹陷 2其他不規則抛光法,不能令人滿意。除結果不能令人滿 意外’此等技術亦需使用成本奇高或複雜之方法。所以, ,需有消除此等缺陷之裝置和方法,容許在工件的全表面 摘1供更高度的平整程度和均勻性。 發明概述 · - 本發明主要目的’在於提供拋光令控制基材表面平整 性和均勻性之方法和裝置。 0 本發明另一目的,在於提供抛光墊片調理方法和裝 置。 本發明次一目的,在於提供改良控制拋光墊片表面之 微魬織和微凹凸,透過改良調理進行。 - 本發明又一目的’在於提供撤.光整片之調理,導致減 少拋光非均勻性並増加工件平整性》 ” 、 本發明再一目的’在於從調理裝置消除固定的磨粒,-通常為金剛石,在其脫落時會埋入拋光墊片内,對工件造 成刮傷或其他損害" 0 本發明又一目的’在於取消會磨損或刮傷墊片表面因 而打破和撕破拋光墊片的細胞體壁,造成工件不均勻性和 不平整性之墊片調理方法。 簡言之’本發明提供安裝在台架上的有刃切削工具,
•第7頁
4 6 6 15 0 五、發明說明(5)
可供銑削、刨削或刮削拋光墊片之表面,利用規則平面方 式除去抛光塾片表面上的微組織特點,以改進拋光效能。 工具的切削刃以幾近平行方向與拋光墊片表面接觸,得以 高度控制下的「削片」,並從表面除去材料%工具安裝於 台架’運動工具進出接觸並跨越拋光表面。台架總成又具 有固定面參照,有位置上的反饋,消除脫出,並提供準確 表面輪廓》系統還可利用電腦控制,以供自動使用。 簡單銳.明 本發明特殊細_經由下述以及已知技藝和本發明之圖 ’即可更為明白。 第1囷為顯示凹陷和侵蝕的波紋結構之簡圖; 第2圖為利用習知磨光調理器所調理拋光墊片之顯微 表面組織例圖;
U 第3囷為利用習知磨光調理器所調理拋光墊片之顯微 表面組織理想圖; 第4圖為初製(新製、未用和尚未調理)拋光墊片之 顯微表面組織例圖; ^ 第5圖為利用本發明方法和裝置所調理拋光墊片之顯 微表面組織例圖;
第6圖為利用本發明方法和裝置所調理拋光墊片之顯 微表面蚯織理想圖; 第7圖為含有加設本發明的調理台架之平台總成透視 圖; 第8A圖為本發明切削工具總成之第一具體例;
466150 五、發明說明(6) 例之 第8B和8C闽分別為本發明切削工具總成第 側視囷和俯視圈。 較佳具體例之詳鈿銳.aq
本發明係關於拋光表面之改良方法和裝置,用以處理 工件表面。雖然工件可實際上包括需要控制整飾之裝置, 但本發明宜參照需控制下平坦且均勻表面整飾之半導體晶 圓加以說明。然而’精於此道之士均知本發明不限於任何 特殊工件、抛光表面(例如墊片、帶、搭接板等)或任何 特種工件表面整飾d技藝上已知此等拋光和搭接功能的操 作方法及進行裝置’故在此不予贅述。只有對使用本發明 直接相關的裝置具體例之部份加以說明。 本發明係對化學機械式拋光之際引起不規則拋光過程 的性質和肇因經科學研究的成果。各種改進拋光墊片表面 的組織和凹& ’使用顯微技術,以光束和電子射束(SEM 一 二次電子顯微術)加以探測。測定工件表面品質對改良墊 製備隨後差異相關關係和所得觀察。拋光墊片的表面變化 ’及表面瑕疵造成的困難和利用本發明校正的後續過程, 可參見第2和3圖、第4圖、及第5和6圖一系列之對比加以 說明》
參見第2和3圖,其中第2圖表示利用習用80網目磨擦 拋光環所調理搬光墊片例表面之高倍數放大圓。第3圖表 示第2圖所示表面之理想化圖。第2和3圖所示墊片胞孔, 表示磨擦調理過程於重整表面之際事實上已撕破和破壞胞 孔之晶胞壁《所得晶胞壁極粗,在微米尺寸規模。晶胞破
玉、發明說明(7) 裂以及隨後或同時撕破晶胞壁材料,於較薄位置,諸如二 相鄰晶胞間’比在有更多呈樹脂柱狀結構或粗面150的寿 晶胞(、3個或以上)匯合處,發生更為快速。此等小粗面 150在1〇毫米程度’以彈簧般的方式作用,並變形為鋼波. 紋結構’造成顯微(微米和次微米)程度的凹陷和不平坦 拋光^先前此種微組織粗糙度,未被注意或理解為與鋼拋 光中的凹陷和沖蝕問題有關。反而把凹陷和沖蝕問題歸因 於塾片整塊變形為工件的表面組織。所以,過去嘗試減少 此等不規則拋光’以致集中在調理環上使用更細網目磨劑-(400網目)之技術。雖然此等措施有些改進(凹陷14〇〇Α 對比1600A),仍然令人报不滿意。 ¢3 第4圖表示典型的初製(未用、未經調理)墊片表面微 組織》明顯可見,雖然晶胞壁在製造中使用削片法而有塑 性扭曲’但双晶胞壁未像第2和3圖所示磨光調理墊片表面 那樣四魔或磨掉。更重要的是已發現在該初製墊片上拋光 之晶圓’顯示銅結構凹陷(12〇〇A)比用過或磨光調理過的 塾片(1600A)大減。可惜,對初製整片抛光,由於典型不 均勻削片,及墊片製程中產生表面造型或平整性不良,而 產生不良均勻.性。 第5圖表示利用本發明方法和裝置調理的拋光墊片例 表面之高倍數放大俯視圖》經如此調理的墊光墊顯微表面 組織之理想化圖,如第6圖所示。與第2和3圖所示磨光調 =表面相對的是,第5和6圖顯示高度平坦表面,有明確限 定的晶胞壁和多晶胞匯合點,而消除有碍平整性之粗面。 ^66150 五、發明說明(8) 此項有效調理從墊片微結構除去任何加載、上光或壓實之 碎屑,並以平坦方式塑造全部晶胞壁和晶胞間柱。此外, 本發明方法和裝置再切墊片類似初製表面,但以正確造漤 導致柱與晶胞壁共平面被砍或割斷。因此,塾片表面的絨 毛減少,而拋光工件的平整性獲得改進,因而得更高品質 的拋光工件。 本發明及其有刃切削工具各種形式之多項具艘例,進 行此等改進墊片調理操作,以致調理墊片產生更高品質而 較少凹陷或沖蝕的i件。墊片切削調理過程一般涉及使用 有刃工具’其中工具的切削刃以近乎平行導向與墊片接觸 ’並以對拋光墊片表面近乎平行相對運動,從墊片表面除 去薄層材料。上述削片或刮削運動,最好由刮刀繞幾乎蜜 直於拋光墊表面的軸線轉動而得β 0 第7圖表示本發明平台總成200和調理總成300之具體 例。平台總成200包含平台210,有平台表面220。平台總 成2〇〇安裝成在平台支持體260上,最好按反時鐘方向Α轉 動°具有拋光表面755的拋光墊片100,使用已知方法附設 於平台表面220。墊片100的表面755可塑造成增進拋光過 程;然而,以實質上平坦表面為佳,其特徵為表面不規則 性較少β拋光墊片1〇〇可包括各種材料,諸如聚胺酯、毛 毡、布等。 在較佳具體例中,拋光墊100直徑D1為25至40吋(以32 吁最好),厚度Τ1為〇.〇4至0.15吋(以0.050吋最好)。墊片 100亦包括多層,往往由不同材料形成(例如頂層為IC-
第11頁 4 6 615 0_____ 五、發明說明(9) 1000型材料’底層為Sub a IV型材料,二者均為美國亞里 桑納州Scottsdale的Rode 1公旬製品)〇位於平台總成200 懸空的調理台架總成300’包含Z軸作動器320,可升降徑 向擺動臂340 ’而調理工具700利用心軸740附設於臂340端 。馬達、直線作動器、球頭螺釘、液力機制,或其他類機 制’為技藝上公知者,均可用來控制調理工具700、臂340 和Z軸線(垂直於拋光表面)作動器320之運動。
在第8A所示較佳具體例中,墊片調理工具7〇〇包括複 數切刀710,有附設.於外売730之可再磨利或更換之銳刃 720。外壳含有徑孔740以供承接心轴742。心轴742最好附 設於外壳730,以提供外売730相對於心轴742繞平衡點760 作自由萬向平衡運動》切刀經由軸承750可運動自如地安 裝於總成,使切刀710可相對於外売730自由轉動。切刀 710亦可在驅動馬達作用下,配合繞其本身轴線770轉動。 為了最佳效能,切刀710各具有接近切刃之平坦面積780, 使切刀可「浮動」或自行調高。面積780的表面積,以及 從表面780至切刀710刃之偏差距離Doc (垂直於拋光墊片表 面測得),得以控制切削深度。距離Doc愈小,面積780的 表面積愈大,造成進入拋光墊表面的切削深度愈淺,條件 相反時’切削深度愈深。可為墊片調理器之最佳效能單獨 調節條件》總成的穩定性和效能,可藉降低平衡點760或 牢固安裝,進一步增進,以確保更高平整性。 在第8B和8C圖所示本發明另一較佳具趙_例中,.具有切 刃Ή6的單刃切削刀Π5安裝於聯結器745,後者不是安裝
第12頁 4 6 6 15 0 五、發明說明(10) 於心轴747,便是形成心軸747之一部份。刀71 5利用突緣 735和固定螺釘738固定於聯結器745 °刀715薄而可撓性或 剛硬性;而切刀715之刃Π6與拋光墊表面755形成小角α ,刀715以硬化、加塗、耐磨、耐蝕鋼構成為佳。然而, 1 切刀715亦可由陶瓷或諸如碳化鎢等適常材料形成。另外 ,刀715之刃716可形成扇形或鋸齒狀,以進一步控制刀 715之操作動態。刀715之扇形和/或鋸齒狀刃716可有固定 或可變間距輪廓(刃重複單位,即齒或扇之間隔),可根據 本發明操作參變數(·例如刀轉速,或施加壓力)選擇,亦可 設定鋸齒刃716之齒,以產生特殊鋸口。 另外,視特殊用途,以習知銑削或刨削型切削工具, 可得充分結果。適當類式、大小和造型的「端銑」、「面 銑」和「有孔切刀」,可從美國賓州Latrobe市的 Kennametal Inc.和伊利諾州 Rockford 市的 Ingersoll Mi 11 ing Machine Co., Inc.購得。適當的刨削刀則日本 的JET設備工具公司、RB工業公司和Maki ta電機廠均有售 ,供應此類刀做為其設備的更換零件。 0 在上述較佳具體例操作中,作動器320縮回,降低臂 320和調理工具700,造成工具之切刃或刀,在使用者或拋 光機本身計算的控制視適當特定的力量下,與墊片表面接 觸β此項動作可在原位(在工件拋光之際)或移位(不拋光 時)時發生,並提供準確平坦或輪廓造型,以拋光墊片表 面。典型上,此力量應接近但稍微大於0,使工具可結合 墊片,無需除去過份材料。由於拋光墊的上層典型上為
第13頁 4 6 6-15 0
五、發明說明(11) ^ u ^ ^ 0. 050吋,重要的是只除去最少量材料,以延長墊片的便 用壽命6所以,切削冬較佳深度在0. 000至0· 005吋範圍’ 最好是0. 000.5至0. 〇〇02吋。由於必須準確控制,系統以反 饋和電腦,或厂程式規刻性邏輯控制器」(PL0)自動化設 計。
在調理之際,切削工具700橫越拋光墊片時’工具700 的「進料率」或相對於墊片表面755的相對速度宜在〇·〇至 1. Om/s範圍》此項運動以l-5cm/s最好。此項運動速率是 拋光表面與擺動臂“0和調理工具700的相對運動(轉動、 移動等)組合作用所提供。另外,此項運動可單獨由拋光 表面相對於固定調理工具的運動產生。 調理工具組件的切刀或刀轉動,得以進一步控制調理 功能。如上所述,刀可繞其軸線「自由飛轉」驅動。在繞 其軸線驅動時,較佳速率或轉動在〇至20, OOOrpm範圍内, 而以5, 00 0至10, 〇〇〇rpi範圍最好。最適用轉訴主要視刀的 設計(直徑、厚度、鋸口等)、銳利、進料率,及其他特點 而定。對刮削和刨削型切刀而言,速度愈快(5,〇 〇 〇至 10, 00 Or pin)和愈薄的刀愈好,然而對銑削型切刀而言,轉 速愈慢可達成愈佳結果。速度不夠會造成損壞和撕裂拋光 表面的微結構。此外,速度過大會導致拋光墊片材料溶 化。 在本發明另一具體例中,切削工具700的支持和運動 ,可由X-Y-Z直父二轴線台架(圖上未示)供應。台架控制 經由電腦或PLC系統提供’因應控制方略並加設反饋機制
^ ee i5〇 五、發明說明(12) 為之。利用適當馬達、直線作動器、球頭螺釘、液力機制 ,或技藝上已知之其他類似方法,提供與此等軸線協調之 運動。台架總成的適當組件來源,有美國伊利諾州 Schaumburg市THK美國公司’供應直線軌、球_螺釘、球. 頭角栓’以及相關零件和總成。機械組件之另一來源為紐 約州Port Washington市的Thomson工業公司,供應直線導 -件和軌道。運動控制系統、馬達、組件,可由維琴尼亞州 Radford市的Kollmorgen運動科技集團,亞里桑納州風風 城的 Rockwel 1 Automation/A1 Un-Brad ley 及西門子能量 _ 自動化公司,或伊利諾州Northbrook市的Yaskawa電機美 _ 國公司提供。 0 雖然本發明是在附圖脈絡中加以說明,但精於此道之 士均知本發明不限於圖示之特定形式,拋光裝置之設計和 配置可有各種其他改變、變化、增進,而不違所附.申請專 利範圍限定之本發明精神和範圍,例如,本發明是以半導 體晶圓抛光裝置為具體例,但須知本發明不限於任何特種 工件,諸如元件晶圓、硬碟或玻璃。此外,墊片銑削、刨 削或刮削用切削工具,以及他種台架結構,均可有其他具 體例。
D
4 6 6 1 5 0 圓式簡軍說明 第1圖為顯示凹陷和侵鈦的波紋結構之簡圖; 第2圓為利用習知磨光調理器所調理拋光墊片之顯微 表面組織例圖; 第3圖為利用習知磨光調理器所調理拋光墊片之顯微 1 表面組織理想圖; 第4圖為初製(新製、未用和尚未調理)拋光墊片之 顯微表面組織例圖; 第5圖為利用本發明方法和裝置所調理拋光墊片之顯 微表面組織例圖;· 第6圖為利用本發明方法和裝置所調理拋光墊片之顯 微表面組織理想圖; , 第7圖為含有加設本發明的調理台架之平台總成透視 圖; 第8A圖為本發明切削工具總成之第一具體例; 第8B和8C圖分別為本發明切削工具總成第二具體例之 側視圖和俯視圖。 0
第16頁
Claims (1)
- 4 6 6 15 0 六、申請專利範困 1. 一種拋光表面之調理裝置,包括下列步称: 提供具有切刀之切削工具; .把該切削土具之切刃放在與該抛先表面呈實質上平· 行接觸;以及 將該切削工具和該搬光表面至少其一相對運動^使 該切刃從該拋光表面除去材料者。 2. 如申請專利範圍第1項之方法’其中該切削工具和 該概光表面至少其一運動步驟,消除該拋光表面之脫出並 提供準確輪廓者。· 3. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該切削工具和 該拖光表面至少其一運動步称.,是以進料率在至1 m/s範圍内之相對速度進行者》 4. 如申請專利範圍第1項之方法,又包括轉動該切削 工具之步驟者。 5. —種拖光表面之調理裝置,包括: 心軸; 附設於該心轴之機架;以及 具有切刀之複數切削構件,以圓形幾何狀態安裝於 該機架’該複數切削構件各具有接近其切刃之平扫 容許該切削構件「浮動」和自行調高者。 平-面積 6. 如申請專利範圍第5項之裝置,其中該切削構件係 可活動自如地經由軸承安裝於機架,使切削構件繞轴線轉 動者。 7. 如申請專利範圍第5項之裝置,其中該切削構件之 第17·頁 466 150 六、申請專利範圍 該切刃係可、利者》 ' 87^T 利範圍第5項之裝置,其中該切削構件之 該切者 9,如申請專利範圍第6項之裝置,其中該t刀削構件可 利用驅動馬達相對於該機架確實轉動者。 I 0.如申請專利範圍第5項之裝置,其中該切削構件之 該切刃係扇形者。 11.如申請專利範圍第5項之裝置,其中該切削構件之 該切刃係鋸齒者。’ 1 2.如申請專利範圍第5項之裝置,其中該切削構件之 該切刃係鋸口者。 1 3.如申請專利範圍第5項之裝置,其中該切削構件之 該切刃至少其一具有的間距輪廓,係根據該切削構件的轉 速選擇者。 14. 如申請專利範圍第5項之裝置,其中該心軸係利用 平衡點附設於該機架者。 15. —種拋光表面之調理裝置,包括: 心軸;以及 安裝;該心軸之切刀,具有切刃,相對於拋光表面 形成9 0度角以下者。 1 6.如申請專利範圍第1 5項之裝置,其中該刀之切刃係 . ________________ ·· . 可再磨利者。 > 17.如申請.專利範圍第15項之裝置,其中該刀係可更換 者。 第18頁 4 6 6 15 0 六、申請專利範圍 18. 如申請專利範圍第15項之裝置,其中該刀之切刃為 扇形者。 19. 如申請專利範圍第15項之裝置,其中該刀之切刃為 鋸齒者。 1 20. 如申請專利範圍第15項之裝置,其中該刀之切刃為 鋸口者。 21. 如申請專利範圍第15項之裝置,其中該刀之切刃具 有的間距輪廓係根據該刀的轉速選擇者。 2 2.如申請專利範圍第15項之裝置,其中該心轴係利用 驅動馬達繞其軸線轉動者。 ^ 23. —種拋光表面之調理裝置,包括: p 心軸; 附設於該心軸之切削工具;以及 控制工具,以控制該切削工具相對於該拋光表面之 立體位置和速度者。 24. 如申請專利範圍第23項之裝置,其中該切削工具立 . 體位置和速度之控制系統,包括從固定參照平面反饋位置 和速度者。 25. 如申請專利範圍第23項之裝置,其中該切削工具立 -體位置和速度之控制系統,包括擺動臂和Z軸線運動控制 一' . C 者。 2 6.如申請專利範圍第2 3項之裝置,其中該切削工具立 體位置和速度之控制系統,包括三軸線台架者。 27.如申請專利範圍第23項之裝置,其中該切削工具立第19頁 466150 六、申請專利範圍 體位置和速 度之控 請專利 度之控 加力接 29. —種工件平 成具有 28.如申 體位置和速 表面間所施 表面上拋光 為: 以切 質上平坦表 將工 30. 如申 括:該切削 ,結合該拋 31. 如申 括令該切削 制系統係電腦 範圍第2 3項之 制系統,包括 近零者" 整性和均勻性 晶胞結構之柔 化者。 裝置,其中該切削工具立 運動導致切削工具和拋光 改進方法,該工件在拋光 順材料,此方法包括步驟 削工具 面到顯 件拋光 請專利 工具之 光表面 請專利 工具和 調理該拋光表面,使該晶胞結構形成實 微程度;以及 者》 範圍第29項之 切刃以對該拋 者。 範圍第29項之 該拋光表面至 方法,其中該調理步驟包 光表面呈90度以下之角度 方法,其中該調理步驟包 少其一彼此相對運動者。第20·頁
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