TW466128B - Method and system of manufacturing slurry for polishing, and method and system of manufacturing semiconductor devices - Google Patents

Method and system of manufacturing slurry for polishing, and method and system of manufacturing semiconductor devices Download PDF

Info

Publication number
TW466128B
TW466128B TW089104940A TW89104940A TW466128B TW 466128 B TW466128 B TW 466128B TW 089104940 A TW089104940 A TW 089104940A TW 89104940 A TW89104940 A TW 89104940A TW 466128 B TW466128 B TW 466128B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
slurry
water
honing
rotary shaft
manufacturing
Prior art date
Application number
TW089104940A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuya Okumura
Yoshinori Yoshida
Original Assignee
Toshiba Corp
Jsr Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Jsr Corp filed Critical Toshiba Corp
Application granted granted Critical
Publication of TW466128B publication Critical patent/TW466128B/zh

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09GPOLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00Polishing compositions
    • C09G1/02Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463Aqueous liquid suspensions
    • H10P52/403

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Filtration Of Liquid (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

466128 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(/) 發明領域 本發明係有關於由無機氧化物與水調配之漿料與供給 該調配後之漿料至硏磨裝置之方‘法,以及實現該方法之系 統。又,本發明係有關於由無機化合物與水調配之漿料與 _供給該調配後之漿料至用於製造半導體裝置之硏磨裝置的 方法,以及實現該方法之系統。 發明背景 近年來分散無機氧化物粒子於水中而成之漿料被使用 於超LSI等半導體裝置的硏磨,將該漿料調製成所希望之 組成、所希望之濃度、所希望之純度等之後,套裝於桶罐 等之運送用容器中,再運送至半導體裝置之硏磨-製造廠 商》 .然.而’將硏磨用漿料_裝於桶罐等之運送容器中.,再 運送至半導.體裝置之硏磨-製,造.廠商,會有下述⑷-(d)的問 . . ' 題。. (a)於輸送時或保管時,槳料會乾燥同時漿料中無機粒子 复,該結果導致漿料的濃度或純度以及漿 料中的無機粒子之粒徑會與調製時不同而變成無法得到 所希望之硏磨特性。爲了避免該問題,要完全進行輸送 時或保管時之漿料的品質管理,或必須進行於半導體裝 置-製造者再次進&麗逍之M jft、精製、分析之品.1疏jg。 然而如此一來對於漿料製準者或半導體裝置之硏磨-製造 者的成本變得非常高。 (b〉+所#望之硏磨特挂決率於作爲硏磨對象之半導體裝置 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2i〇x29i7公釐) ^Q,?!!丨 ^___!--y----------- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 46612 8 A7 B7 五、發明説明(么) 等的種類•因此,對應於任一種硏磨對象,必須制定漿 料之組成 '濃度、純度' pH値等。然而針對訂單供之槳 料|造省供給由半導體裝置之硏磨-製造者所制定之組 成、濃度、純度、pH値等的漿料至製造半導體裝置之硏 磨-製造者的方法則成本非常高。另一方面如調製成特定 之硏磨特性(組成、濃度、純度、PH値等)的漿料’以 半導體裝置之硏磨-製造者之庫存來供給的方法,則保管 期間容易變長而易於發生前述之問題。 (c) 安定性不佳之漿料容易於保管時或運送中發生品質變 化,因此即使在當製造之後的硏磨性能非常地優異,但 於保管時或運送中發生品質變化而使硏磨性能變差,此 結果導致不能在產業中使用。 (d) 由於一般硏磨用漿料的濃5-30%的41程度,量變 得很多,運輸成本則變大。 發明槪述 本發明鑑於上述之問題,以達致不需要於輸送或保管 時嚴密地進行漿料品質管制所必須的成本之目的。又,可 達致對於半導體裝置之硏磨-製造系統可適時地供_給_^_4 的漿料之目的。又,可達致使不安定之漿料.在_工業的使用 變爲可行之-目的。又,可達致使硏磨用漿料不會惡化半導 體裝置之製造設備無塵度之目的。 本發明之硏磨用漿料的製造方法爲連續地進行:分散 無機氧化物於水中而得到漿料之步驟,過濾所得漿料的步 驟,將過濾後漿料供應給硏磨裝置之步驟。 -4- 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS ) A视ig· ( 21〇χ297公釐) " (請先閲讀背面之注意事項再填寫本ί}
46612 8 at ___B7 五、發明説明(Z ) 本發明之硏磨用漿料之製造方法在上述供給步驟之 後,在用所供給之漿料來硏磨半導體裝置之時,同時地連 續地進行檢驗硏磨後半導體裝置硏磨狀態之步驟。 本發明之硏磨用漿料之製造系統具有分散於無機氧化 物與水捏合時所得之無機氧化物於水中之漿料的分散裝 置,以及裝設於該分散裝置之後段用來過濾從該分散裝置 送來之漿料的過濾裝置,以及裝設於該過濾裝置之後段用 來供給從該過濾裝置送來之漿料至硏磨裝置的供給裝置。 本發明之硏磨用漿料之製造系統爲於上述供給裝置之 後段,又裝設有使用從該供給裝置連續地供給之漿料來硏 磨半導體裝置之硏磨裝置。. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於本發明所使用之無機氧化物,舉例表示有氧化矽、 氧化鋁、氧化鈦、.氧化銷、氧化錬氧化鉻,、:氧化鍺.、氧 化:釩 '氧化_鎢_ _、,氧化鐵氧化姉_、.'氧化_鐘、.氧化.鲜等之金 屬氧化物。該等之中特別以氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧 化鈽爲佳。於本申請發明中所使用之無機氧化物是以四氯 化矽與氫和氧反應後加水分解以合成二氧化矽之熱解法 (高溫火焰加水分解法),或者在熔點以上加熱金屬以產 '生金屬之蒸氣再與氧氣反應合成無機氧化物之奈若菲司技 術公司法(金屬蒸發氧化法)等之以氣相法合成之無機氧 化物,其由於純度高而佳。又,於本發明中所使用之無機 氧化物亦可使用以加水分解金屬醇鹽來合成無機氧化物的 溶膠-凝膠法所合成之無機氧化物。以熱解法所合成之無 機氧化物由於在高純度上比.較廉價而更佳。又,混合使用 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS ) Μ規格(2I0X297公釐) Α7 Β7 4 6 612 8 五、發明説明(4) 一種以上之無機氧化物亦可》 圖式簡單說明 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1圖顯示本發明系統之整體構造模式圖。 第2圖爲舉例表示於無塵室內設置已密封裝入套裝中 之第1圖系統內各裝置時,在同一套裝內裝置之組合的說 明圖。 . 第3圖爲顯示行星式之捏合機原理,(a)爲上視圖,(b) 爲側面圓。 第4圊(a)爲以模式顯示之中空圓筒形狀之深型罐狀過 濾器之斜視圖,第4圖(b_)爲說明深型過濾器之厚度方向之 孔滴構造及孔徑變化之模式圖。 第5圖(a)爲顯示使用第4圖之深型過濾器之過濾系統 .之一個範例的構造圓,第5圖(b)爲以模式顯示的袋式之深 型過濾器之.斜視.圖1::/ 第6圖(a)爲正面目視轉動式造粒機之模式剖面圖,第 6圖(b)爲顯示施力於轉動式造粒機內底部之迴轉圓板上之 粒子之說明圖.,第ό圖(4爲顯示在該迴轉圓板上之粒子轉 動狀態說明圖。 發,明之詳細說明 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製. 以下爲本發明之詳細說明。 [1]整體構造 第1圖展示的是本發明系統之整體構造範例。 圖示之系統包括:以無機氧化物與水捏合來製造無機 粒子漿料的分散裝置,以及裝設於分散裝置之後段用來過 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > Α4規格(210Χ297公釐) A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 46612 8 五、發明説明(y) 濾從分散裝置送來之漿料的過濾裝置,以及裝設連接於過 濾裝置之後段用來供給從過濾裝置送來之漿料至硏磨裝置 的供給裝置’以及裝設連接於供給裝置之後段並使用從供 給裝置所供給之漿料來硏磨半導體裝置之硏磨裝置。 忿„散_裝·露具有加料斗21及送料器29及分散槽22及稀 釋槽23。於加料斗21中投入無機氧化物作爲原料,送料 器29則供給由加料斗21所投入並運送至分散槽22之原 料至分散槽22 ’分散槽22則以由送料器29所供給之原料 與由純水槽24供給之純水攪拌來製造無機粒子之漿料; 稀釋槽23係以由純水槽24供給之純水來稀釋從分散槽22 送來之漿料,又添加由KOH槽26供給之氣氧化鉀KOH。 將於後述相關於分散裝置之具體實例與機能。 過濾裝置25具有深型之罐狀過減器.、深型之舞式過渡 器、板框型過濾器等之過濾器。將於後述相關於具備有深 .... ·. 型過濾器之過濾裝置。 供給裝置32則供給從過濾裝置送來之漿料於複數個 (圖示之實例爲5個)CMP硏磨裝置33a〜33e。CMP爲化 學機械抛光之簡稱。將於後述相關於漿料供給裝置32之 具體實例。 硏磨裝置33a~33e則使用從供給裝置送來之漿料來硏 磨半導體裝置。將於後述相關於硏磨裝置33(33a〜33e)。 在上述之加料斗21、送料器29'分散槽22、稀釋槽23、 過濾器裝置25以及漿料供給裝置32中,爲了防止漿料中 發生金.屬污染,以於內..壁或攪拌翼等之與液體或粒子接觸 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁)
五 經濟部智暮財產局員工消費合作社印製. A7 B7 發明説明(6 ) 部位施行聚滕其.酸.酯、鐵m龍、環》泰歡脂.等t內.酿專氮化 銷.等..之,.觀.奪內襯來提高耐...磨-耗-性I佳/。 ti]套裝 第2圖爲舉例表示密封裝入套裝中之分散裝置(加料 斗21,送料器29、分散槽22及稀釋槽23)、過濾裝置25 ' 供給裝置32及CMP硏磨裝置33時之組合。此處在套裝時’ 分散裝置、過濾裝置25、供給裝置32及CMP硏磨裝置33 之馬達等機械部份或所供給之原料爲產生粉塵之起因’所 以蠤了防裝置之場所周邊的無塵環境惡化.,既密封 上述之,又施行具備將上述粉塵排出外部機能之手 段。 於第2调⑷中,加料斗21及過濾器29及分散槽22 被一起密封裝入套裝P1.1中。又,個別將稀釋槽23單獨 密封裝入套裝ΡΪ2 .及過濾裝置.25單獨密封裝入套裝P13 中。又,個別將漿料供給裝置32單獨密封裝入套裝P21 及CMP硏磨裝置33a~33e密封裝入套裝P22中。 第2.圖(b)與第2圖(a)之組合大略相同,不同點是一 起將稀釋槽23與過裝置25裝入套裝P14中。 第2圖(c)與第2圖(a)和第2圖(b)之組合不同點是一 起將加料斗21直到過濾裝置25密封裝入套裝P15中。 該等之各套裝是設置於無塵室之內或之外。又,各套 裝是以具..爾g風..示_之.旅氣置.將扁各套裝舟產今奋-趾邀粉塵 排出無麈室_之..外.所,後麻...。 又,個別將連接分散槽22與稀釋槽23的連接管、連 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
46612 8 A7 ____B7_ 五、發明説明(7 ) 接稀釋槽23與過濾裝置25的連接管、連接過濾裝置25 與漿料供給裝置32的連接管、以及連接漿料供給裝置32 與CMP硏磨裝置33的連接管密封起來。 又,如在第2圖中以虛線B所示,例如將一直到漿料 供給裝置32之各裝置配置於無塵室外或C1等級之無塵 室’而CMP硏磨裝置則以配置於相較於等級C1高等級之 等級C2所構成爲佳。在該等情況下,具有減少高度無塵 度之無塵室容積的效果。 再者,密封裝入各套裝內的裝置類之組合並不限於如 第.2(a)-第(c)所示之組合,以針對設備之面積適宜地來變 更〆隹。, . 办原料 加料斗21中雖然投入原料爲無機氧化物.,鼠藏 例如以'挺用:备:水-體狀之氣 相法無機氧化物作爲原料爲佳。含水固體狀之無機氧化物 可加入特定量的水於無機氧化物(形狀爲粒狀、板狀、塊. 狀等)中以增加其整體密度,例如所請於氣相法無機氧化 物100重量份中,添加水40~300重量份,以添加水來增 力^^隨籤餘物‘之I輕縣J上尬mil範遞-可 安定地經過長時間的保管,而且大-幅丧书.低屬-處·理僻凇 麈座凰生 添加水於無機氧化物粒子中得到含水固體狀之無機氧 化物爲原料的方法,並不限定於上述的方法。 例如以裝設有攪拌機之混合槽中每次添加入少.量無^ -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) -n. n ----- I a^i I! - ^^1 ^^1 - ^^1 I (讀先閲讀背面之注意事項再镇寫本頁) ,訂- -4:. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製. 4 661 2 8 A7 ____B7_ 五、發明説明(ί ) 氧化物和水之同時進行輕微攪拌,可製得含水固體狀無機 氧化物。該援拌如過強,所供給之無機氧化物則形成非含 水固體狀昀漿赴因此必須注意攪拌強度不要過 強。例如若以攪拌翼的迴轉來進行攪拌的情況下,應注意 於攪拌翼之迴轉速度。以攪拌製得含水固體狀物質之攪拌 型的造粒機者,例如大川原製作公司所製造的流動噴射造 粒機(Flow Jet Granulator)或奈良製作公司所製造的高速 攪拌型混合造粒機NMG-P、NMG-H、NMG-L型。 以不用攪拌機之製造無機氧化物的含水固體狀物質方 法有使用轉趣或疯° 以第6圖(a.)模式表示轉動式造粒機之構造:轉動式造 粒機爲於圓筒51內之底部中設置迴轉圓板52’既以於該 迴轉圓.板52上供給:無機氧化物,.又以噴霧等方式供給水 進行含水固體狀之無櫸氧化物豳::子之食粒襄置:。適宜地設 定迴轉圓板52之傾斜度、迴轉數、設置深度’必要時應 於迴轉圓板52上面設置溝槽,而以適宜地構成該溝槽之 • ., 深度、形狀、.方向、間隔等,可製得粒徑一致之所希望尺 寸的含水固體狀無機氧化物粒子。第6圖(b)顯示施於迴轉 圓板52上粒子之力,第6圖(c)顯示某粒子之轉動狀態。 於迴轉圓板52上同時噴霧供給水於粒狀尺寸不一致之無 機氧化物粒子上,施以如第6圖(b)所示之迴轉圓板52之 迴轉方向(接線方向)之力與離心力方向(半徑方向)之 力的合力。因此如第6圖(c)所示之各個尺寸不一致之含水 固體狀無機氧化物粒子_,蓽複進行順著合力A的方向、順 -10 - 本紙張尺度適用中國國家標準(C.NS ) A4規格(210X2.97公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
4 6 61 2 8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7__五、發明説明() ~ _ 著內部周圍方向碰撞圓筒51之內壁面、一再地碰撞圓筒51 之內壁面之運動;即,以各個粒子之自轉與全體之公轉重 複進疔如拉住繩子般之渦流運動。又,此時於迴轉圓板52 上之溝槽中碰撞而受到衝擊以及剪斷而慢慢地球形化。如 此一來,可得粒徑比較一致之粒狀物。 轉動式造粒機者爲不二POWDER公司製之造粒機或栗 本鐵工公司所製之型造粒機等;又,、轉動式造粒機之方式 爲連續製得粒狀物之方式即以批式製得之方式° 流動式造粒機是在以.送風所形成之Ml層中連續投.入-’與霧化之微粒水滴接觸而進行凝集造 粒。流動式造粒機者例如大川原製作公司所製之混合造粒 機,另外亦於同機中進行乾燥步驟。 • ·. - . ·. · . . . ..筚等裝置於必要時應、屬X.減少金屬污染.,.以於液體接. 觸部位及#體接觸部位施行聚Μ甲酸.醋、鐵氟龍環氧樹 • . . 1 · ^' - . . 脂等之內襯或塗,,或者氧化锆等之佳。 上述的裝置爲製得作爲含水固體狀之無機氧化物的場 合時所使用之裝置,然而並無對含水固體狀無機氧化物之 粒子形狀有所限制,例如板狀或塊狀等亦可。 製造考水固體狀無機氧化物爲粒狀之情形時’該粒徑 爲 0.5〜ΙΟΟιηπιΦ,而以 1〜30ππηΦ 爲佳,而以 更+_' 又,該整體密度以0.3〜3 g/cm3爲佳’以〇.4~2 g/cm3 更好,尤其特別以0,4〜1.5 g/cra3之範圍更隹° 含水固體狀無機氧化物之製造中所用的水’可使用必 要純度之離子交換水等。. - * -11- (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 -ηΊ·· 本紙張从適用中國國家標準(C.NS ) A4規格(21〇χ297公釐) A7 B7 >!46 61 2 8 五、發明説明((〇) 水之用量則因無機氧化物之種類、無機氧化物粒子之 平均粒徑、或該比表面積等而異,例如相對於氣相法無機 氧化物粒子100重量份爲40〜300重量份,而以50〜200重 量份爲佳,以60〜150重量份較佳,在由於無機氧化物粒 子之平均粒徑小而使比表面積大的情形時,需要多量的 水;如水量較40重量份爲少,則不能製得所希望的食冰 固.體盧物,或者不能充分增加所得之含水固體狀 .無機氧化物之整體密度;又如水量較40重量份爲少時| 由於所製造的物質迕處理時會由於發生過多粉塵,對於在 使用於半導體裝置目的之CMP硏磨裝置之前段不佳。水 量如超過300重量份則所製造之物質不能變成固體狀而不 佳。 還有,應於必要時而且在製造後.之用途沒有日照的障 • +、 圍中,亦可於含水固體狀無機氧化物中添加酸或鹼 [4]分散步驟及裝置 [4-1]槪要 分散無機氧化物粒子於水性介質中以製得水性漿料的 分散步驟爲例如將含水固體狀無機氧化物與所適切地添加 的水性介質於以副迴轉軸帶動迴轉攪拌翼,同時以主迴轉 軸帶動迴轉副迴轉軸之迴轉方式的捏合機之捏合槽內進行 攪拌。由於爲了該捏合機粉塵不致在無塵室內飛散,故以 密封裝入套裝中爲佳。還有,以副迴轉軸帶動迴轉攪拌翼 同時以主迴轉軸帶動迴轉副迴轉軸之迴轉方式,一般稱爲 -12- 本紙張Λ度適用中國國家標华(CNS )八4^格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注^^項再填寫本頁) 佳。
4661 2 8 A7 B7 五、發明説明(〆) 行星方式。 %-2]行星方式之捏合機 第3圖爲以模式顯示行星方式之捏合機,(a)爲上視圖、 (b)爲側面圖。如圖所示,在行星方式之捏合機捏合槽1〇 內,設置在以箭頭方向迴轉於副迴轉軸a的周圍之攪拌翼 11a以及在以箭頭方向迴轉於副迴轉軸b的周圍之攪拌翼 lib,同時設置在以箭頭方向迴轉於該2支副迴轉軸a' b .的周圍之主迴轉軸c:即行星方式之捏合機爲攪拌翼在副 迴轉軸之周圍迴轉(自轉),而且副迴轉軸在主迴轉軸之 周圍迴轉(公轉)所構成之捏合機。 由於如上述所設置之攪泮翼11a、Ub進行複雜的軌跡 運動,所以捏合槽內之流體可均勻地揑合,則充分地分裂 凝集體,該結果使多-量的無撒氧化物於比較少量的液體中. - · .. .... . . 高效率地分散:成爲可行的。 在第3圖中所顯示的2支副迴轉軸分別爲a和b,然 而取代2支副迴轉軸設置爲1支副迴轉軸亦可,而設置3 支以上副迴轉軸亦可。又,當設置多數.支副迴轉軸 時,等間隔設置各副迴轉軸亦可,設置爲非等間隔亦可。 又,在第3圖中雖然是個別於副迴轉軸a與b設置2 片之攪拌翼,各副迴轉軸設置1片攪拌翼亦可,設置3片 以上攪拌翼亦可。 又,在與具有攪拌翼之副迴轉軸之同軸上或在與具有 攪拌翼之副迴轉軸之不同軸上設置高速迴轉翼,而以該高 速迴轉翼更能提昇分裂、分散凝集體之能力。 -13- 本紙張Λ度適用中國國家標準{ CNS ) A4規格(210 X 297公釐) I ..----- -I- _ -I 1--- fi (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) *•11 .1> β -η 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4661 2 8 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製· 五、發明説明(/上) 又’雖然在第3圓中所顯示的是主迴轉軸c或副迴轉 軸a、b之任一的俯視均爲逆時鐘方向迴轉,然而設定主 迴轉軸c與副迴轉軸a與b之迴轉方向互爲相反方向來改 變攪拌翼之運動軌跡亦可。 又1雖然在第3圖中所顯示的是攪拌葉11a、lib在兩 端之間爲彎曲同時扭轉(所謂旋轉形狀),然而只要所使· 用之攪拌翼形狀爲如能使捏合槽中的流體均勻地捏合、凝 集體能充分地分裂、而該結果可使多量的粉體於比較少量 的液體中高效率地分散的形狀時,採用其他形狀亦可/ 滿足上述要求之行星方式之捏合機者以使用萬能捏合 攪拌機(DELTON公司製)、萬能攪拌機(POWLEK公司製)、 KPM強力攪祥機(栗本鐵工所公司製)、行星式捏合攪祥 .... · 機(足澤公司製)、T. K·高黏度分散攪拌機(特殊撵化工 - ·. - 業公司製)'行星式分散微(淺田鐵工公司製)等爲佳 特別是以組合攪拌葉與高速迴轉翼.(分散機)而成之裝置 以及τ. κ.高黏度分散攪拌機能在短時間將多量之粉體於 比較少量之液體中均勻化地分散爲佳。 爲了提高漿料於分散後之均勻性,亦可更使用其他捏 合機之分散裝置進行分散處理,此情況例如可適當地使用 可雷司型高速攪拌分散機、均勻機、高壓均勻機、或玻璃 珠硏磨機等。 [4-3]分散時的濃度 於上述分散步驟中之水性漿料中濃度爲30~70之重量 % ,以35~60重量%爲佳,·而以40~50重量%更佳。無機 -14- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公楚) : (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 4661 2 8 A7 B7 五、發明説明(/3 ) 粒子濃度如少於30重量% ,則會因分散效率差而於所得 漿料中殘留多量凝集物,該結果不僅會發生於保管中沉降 分離之不便,也有增加黏度之膠化的不便。無機粒子濃度 如高於70重量%以上,則會施加於裝置的負荷過大而變 得無法維持攪拌動作;以該狀態繼續不合理的攪拌動作及 無機粒子過度地分散,該結果也會有再凝集而產生多量10 β jn以上之粗大粒子。 44-4]無機氧化物之添加方法 在製造娥料時,所希望的是將無機氧化物以連續式或 間歇式的添加於水中並進行攪拌。最初時同時將所需要量 的無機氧化物添加進去,亦會發生裝置負荷過大而使攪拌 動作停止的問題,故以監看捏合穣之電流値(負荷)同時 以連‘續式或間接式添加含水固體狀物質以免導致過負荷爲 - - . · . ;·. · ...... ·. 佳。無機氧化物之供給裝置.爲利用自然落下之裝:置或例如 以螺桿輸送之裝置。 於漿料之製造時使用非粉末之含水固體狀無機氧化 物,比較於使用粉未之無機氧化物之情形,由於不產生細 微粉末,在製造-硏磨半導體裝置之製造者中對於無塵環 境爲非常重要考量的製造者而言是非常好的。又,使用含 水固體狀無機氧化物及可縮短無機氧化物添加之所需時 間,可實質地改善裝置之作業效率。 -Γ4-5]鹼或酸之添加 添加鹼或酸於上述之漿料中,由於提昇最終所得的無 機粒子之漿料的安定性而佳。添加駿之情況爲最終稀釋後 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製h 4 6 6 1 2 Β Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(β) 所得之無機粒子漿料之pH値以m範圍爲佳:添如驗 之情況爲最終稀釋後所得之硏磨用漿料之pH値以7~12之 範圍爲佳。pH値較_ ,2..爲低_時滅較. ..12爲高時.*...則„無機.氣化 粒子變爲.屈-溶解及凝集而不佳。 酸或鹸的添加可於任意時期時間添加於水性漿料中, 預先可於無機氧化物之添加中、無機氧化物之添加後、捏 合中、或捏合後之任何時期中添加酸或鹼,於捏合中或捏 合後之稀釋前添加於水性介質中,以於捏合中或捏合後之 稀釋(將於後就稀釋說明)前添加爲佳,於捏合中或捏合 後之稀釋前添加,由於酸或鹼的添加可防止於水性漿料中 產生凝集物。 酸則可使用鹽酸、硝酸、硫酸 '磷酸等之無機酸,或 醋酸'酞酸、丙烯酸、甲基丙烯酸、丁烯酸、聚丙烯酸、 馬來酸、山梨酸等之有機酸,其中以具有丨價酸之鹽酸、 硝酸、醋酸爲佳。 鹸則可使用氫氧化鈣、氫氧化鈉、氫氧化鋰' 氨等無 機鹸基、乙烯基二胺、三乙烯基胺、對二氮己環等之胺類 等。 必要時應可混合供給裝置32之漿料與氧化劑、螯合 劑、pH調節劑等之1或2種以上之藥品。 ί4-6]稀釋 以上述方法所得之漿料,應於必要時在捏合步驟後進 行稀釋,在第1圖之系統中稀釋爲既進行由ΚΟΗ槽26供 給氫氧化鉀ΚΟΗ,又由純水槽24供給純水於稀釋槽23。 -16- (請先Μ讀背面之注項再填寫本頁) 4 ^τ 本紙張尺度適用中國國家標隼(〇'«)人4規格(210\297公釐) 4661 2 8 A7 _______B7 ____ 五、發明説明(/j:) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 以行星方式之捏合機進行分散的情形下,稀釋的程度以已 分散之無機氧化物粒子之種類或捏合時之濃度而異’如以 水性介質之稀釋,希望降低濃度較於捏合時濃度低.5 %以上,如以捏合步驟時濃度相同,不但會由於高黏度而 使處理困難,而且同時因黏度增加而發生所謂膠化形成之 問題= [4-7]用於分散步驟之裝置的其他實例 除了前述的行星方式之捏合機,作爲分散槽22者例 如可使用以流體相撞分散之鬲壓均勻機。高壓均勻機者可 爲如同榮商事公司提供之馬特卡烏林均勻機、日本精機製 作所公司製之皮帶式均勻機、三保工業公司製之微滴化 機、月島機械公司置之奈米化機、白水化.學工業公司製之 ΌΕΝίηΡΥ、如曰本.BEE公司提#(之系統組織構、.如伊藤 1產檄公司提供之終端機等。又,亦可使用如玻璃珠硏磨 機之分散機;玻璃珠之材料者以無鹼玻璃、三氧化二鋁' 锆石、氧化鍺、二氧化鈦、氧化矽爲佳。 過濾步驟及裝置 [5-1]過濾器 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製- 爲Ύ從如前述之分散無機氧化物粒子於水中而得之硏 磨用水性漿料中.將粗大粒子..完_金^去^接下來要以過濾器 過濾該漿料。並無特別限定所使用之過濾器,例如可使用 深型之罐狀過濾器或板框型過濾器等。於第丨圖之系統中, 設置連接於分散槽23 (分散裝置之構成要素)之後段的是 具有深型罐狀過濾器之深型過濾裝置,而過濾袋式之過濾 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ··,r Vv. a ·. ··,r Vv. a ·. A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 46612 8 五、發明説明(/ ί>) 器爲由IPS公司提供之製品。 深型之過濾器中,其過濾材質之孔洞構造可爲於入口 側粗而於出口側細,而且從入口側隨著向出口側以連續式 或階段地變細之一體成型之過濾器。由於深型之過濾器之 過濾材質非常厚(例如:〇.2~2cm),可從通過該過濾材質 之流體中捕捉多量之異物。 .例如第4圖(b)中所示,深型之過濾器之孔洞構造爲於 流體之進入(入口)側粗大而排出(出口)側細小,而且 設計如從進入側隨著向排出側以連續式或階段地(階段爲 1階段亦可2階段以上亦可)變細之一體構造的厚度d 之過濾材質。如該孔洞構造.,於粗大粒子中之較大粒子於 進入側附近被捕捉,而比較小之粒子則於排出側附近被捕 捉,整體而言,粗大粒子於過滤器之厚的方向(流體通過 * 的方向)之各部份中被捕捉:。該結果爲確實進行粗大粒子 之捕捉,同時不難估計該方法具有可延長過濾器壽命之效 果。 又,如於第4圖(b)中所示,深型之過濾器爲使用雖纖 維粗大但設計爲於流體之進入(入口)側粗而排出(出口) 側細之過濾材質。在該纖維構造中,空隙率在由流體之進 入側至排出側之各部份變成大約一樣,於此,空隙率爲於 垂直於流體通過方向之平面內之平均單位剖面的空隙比 例。由於該等空隙率大約一樣,流體通過時之壓力損失變 小而粗大粒子之捕捉條件於流體之通過方向變成大約一 樣,進而可使用較爲低壓式樣之幫浦。 -18 私紙張尺度適用中國國家標準(C.NS ) A4規格(210X297公釐) (諳先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)
4661 2 8 A7 B7_ 五、發明説明(丨7 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 深型之過濾器亦可爲如第4圖(a)所示之圓筒形之罐狀 過濾器201,亦可爲如第5圖(b)所示之袋狀型式之過濾器 202。在圓筒形之過濾器201的情況時,具有可設計過濾 材質之厚度爲所希望厚度之優點。另一方面,袋狀型式202 之情況時,由於可設置在流體由袋內向袋外通過型式之過 濾器200部份(參照第5圖(a))內,於過JS·器 202之替換時_^属省^ 一起和被過濾物除去之效果^。 如於第5圖(a)所示於過濾器200部份內組裝如深型過 濾器之過濾器,可従添加無機氧化物於水性介質中分散之 水性漿料除去粗大粒子。 還有,可由適當地選擇過濾器之孔洞構造來控制除去 之粗大粒子之粒徑。 - · · [5-2]過濾裝置 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製- 第5.圖(a)所示的是第1圖之過濾裝置25所使用可行 之過濾裝置系統之構造。圖示之系統中,從稀釋槽23送 來之漿料貯存於槽102內後*從該槽102送出以幫浦P壓 送至過濾器部.份200中,以於該過濾器部200中組裝之過 濾器201 (或202 )過濾之後,經由閥VI再返回容器桶1〇2 內,重複進行該循環操作將漿料內之粗大粒子完全除去 後,關閉閥VI同時打開閥V2,將粗大粒子除去後之漿料 貯存於蓉器桶300內。以細微粉末不會在無塵室內飛散之 方式,將該過濾裝置密封裝入於套裝內爲佳《還有,第5 圖(a)中所示之循舉式系統爲使用一次通過之系統亦可,即 槽102之漿料以過濾器200部分來過濾時,經由閥V2送 -19 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 46612 8 A7 B7 五、發明説明(/》) 入槽300之系統爲佳。一次通過方式之情況時,以空氣壓 力等加壓用來過濾之槽來取代加壓幫浦P亦可。 還有,亦可組合使用離心分離法,組合使用該方法之 情況時,不難估計具有可延長該壽命。再來,於上游測組 合使用孔洞構造大之過濾器,由進一步估計之保護深型過 爐而可延長該壽命。 〆]供給步驟與裝置 於供給步驟中所使用之漿料供給裝置32是將從過濾 裝置25送來之無機粒子之漿料送至設置於後段的CMP硏 磨裝置33a~33e,於該裝置中不最望_5„有_玉..純|握入漿料 中*豕不希望星機粒子之凝>。因此,希望於與液體 接觸之部位上施行內襯或1層(聚胺甲酸酯/鐵弗龍/環氧 樹脂等之內襯或塗層、氧化錆等之陶瓷內襯)。又,爲了 • , 防止滯留狀態的無機粒子之凝集,希望具輝攪拌的手段(例 如:螺旋槳等)。又,希望以細微粉末不飛散於無塵室內 之方式將供給裝置密封裝入套裝內。再來,希望漿料供給 裝置32具備檢測該裝置32內之漿料濃度之手段。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 [7/]單位時間平均之最大供給量與分散/過濾能力 , 於本實例之系統中,從漿料供給裝置32送至硏磨裝 置33a~33e之無機粒子漿料的單位時間平均之最大供給 量,最終是基於在以研磨裝置33a~33e之硏磨步驟所必須 之硏磨用漿料之單位時間平均的最大消耗量、分散裝置22 之單位時間平均之分散能力、及過濾裝置25之單位時間 平均之過濾能力來-決定,具體而言,分散裝置之尺寸(分 -20- 本紙張歧適用中國國家標準(CNS )八4規格(210Χ297公釐) A7 B7 16612 8 五、發明説明(/7〉 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 散槽22之容量)或過濾裝置25之能力來決定。硏磨甩漿 料之最大消耗量例如爲5升/分鐘程度,而分散槽22之容 量雖因所供給之原料而異,例如針對於上述之最大消耗量 之容量爲50L程度,於該情.況下之過濾器尺寸爲2.5吋Φ X20吋之1支罐狀之程度。 [趵硏磨狀態之檢測與回饋 CMP硏磨裝置33a~33e是使用硏磨用漿料來硏磨(平 坦化)半導體裝置等之硏磨對象的裝置表面至所希望之平 滑度。於本實例之系統中,於硏磨裝置33設置爲了檢測 硏磨狀態之手段(無圖示),以使用該檢測.手段來監看半 導體裝置之硏磨狀態,使得調整原料、分散步驟、稀釋程 度、過濾步驟' 於漿料供給裝置中之攪拌等,以及最適之 硏磨成爲可行的》 [9]分析裝置 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在設置於本實例之硏磨用漿料之製造系統中的各個裝 置上,亦可設置分析裝置。設置於分散步驟、過濾步驟及 /或供給步驟中的分析裝置爲溫度、pH、密度、粘度、粒 徑、粗大粒子數之各測定裝置,以設置1種或多數種類之. 該等測定裝置,可製造以較精密控制之漿料並可供給於 CMP硏磨裝置33。 符號表 21 加料斗 22 分散槽- -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(C.NS )八妨^格(21〇Χ297公釐) A7 B7 4 6 612 8 五、發明説明(>〇) 23 稀釋槽 25 過濾裝置 32 漿料供給裝置 33a~33e CMP硏磨裝置 (#先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂_ ΊΓ· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -22- 本紙張Λ度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210Χ297公釐)

Claims (1)

  1. 4661 2 8 A8 B8 C8 D8
    j 經濟部智慧財產局員工消費'合作社印製 六、申請專利範圍 第89104940號「硏磨料漿之製法與製造系統,及半導體裝 置之製造系統與.製法」專利案 (90年6月7曰修正) 六申請專利範圍: 1. 一種製造硏磨用漿料之方法,包括以下連續步驟: 藉由行星式捏合機來捏合含水的固體狀無機氧化物 和水以獲得無機氧化物分散於水中之漿體的步驟,該 h·· . | 捏合機具有繞著副迴轉軸旋轉的攪拌翼,該副迴轉軸 I係繞著主迴轉軸旋轉,且該捏合機係密封於套裝中; T 過濾上述所得之駿料的步驟;及 Λ ί 將上述過濾後之漿料供應給硏磨裝置的堪給步驟。 ^ 2.~種製造研磨甩漿料之系統,包括:: | 藉由存星式遐直機來捏合含水的掘體狀無翁氧化物 f 和水以揸得無機氧化物分散於水中之漿體的分散裝 I 置,該捏合機具有繞著副迴轉軸旋轉的攪拌翼,該副 i 迴轉軸係繞著主迴轉軸旋轉,且該捏合機係密封於套 内 奪 裝中; 設置連接於上述分散裝置之後段,並過鴻從該分散 裝置送來之漿料的過濾裝置;及 設了置連接於上述過濾裝置之後段,並將由該過濾裝. 置送來之漿料供應給班裏_裝置·的供給.裝置。 3.如申請專利範圍第2項之製造硏磨用漿料之系統,其 中分散裝置的分散時之漿體濃度爲30至70重量%, 而分散裝置輿過濾裝置之間設有一能將漿體濃度稀釋 本紙張尺度適用中國.國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------,-------i, —-------$ (請先閱讀背面之注意事項再#^本頁) d6 6l 2 8 88SS ABaD 正Η 修%^br 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7六、申請專利範圍 到低於分散時的5%以上之稀釋裝置。 4. —種半導體裝置之製造系統,包括: 藉由行星式捏合機來捏合含水的固體狀無機氧化物 和水以獲得無機氧化物分散於水中之漿體的分散琴 置,該捏合機具有繞著副迴轉軸旋轉的攪拌翼,該副 迴轉軸係繞著主迴轉軸旋轉,且該捏合機係密封於套 裝中; · 設置連接於上述分散裝置之後段,並過濾從該分散 裝置送來之漿料的過濾裝》; 設置連接於上述過濾裝置之後段,並將由該過濾裝 置送來之漿料供應給研磨裝置的进給_裝;眞^;及 設置連接於上述供給裝置之後段,並使用以該供給 裝置所供給之漿料來硏磨半導輝裝瞿之班H賢。 5. 如申請專利範圍第4項之半導體裝置之製造系統,其 中分散裝置的分散時之漿體濃度爲30至.70重量%, 而分散裝置與過濾裝置之間設有一能將槳體濃度稀釋 到低於分散時的5%以上之稀釋裝置β 6. 如申請專利範圍第4項之製造系統,其中上述分散裝 置之單位時間平均之分„^^力,以及上述過濾裝置之 單位時間平均之過濾能#是基於上述硏磨裝置中的漿 料之單位時間平均之最決定。 7. 如申請專利範圍第4項之製造系統,其中上述分散裝 置及上述過濾裝置及上述供給裝置及上述硏磨裝置之 個別密封裝入套裝應具備慨段,連接 先 閲 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 ί Μ 訂 _ 'ν 2M氏張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 466128 A8 BS C8 D8
    經濟部智慧財產局員工消費.合作社印製 六、申請專利範圍 上述分散裝置於上述過濾έ置之連接手段,以及連接 上述過濾裝置於上述供給裝置之連接手段,以及連接 上述供給裝置於上述硏磨裝置之連接手段爲個別密閉 8. 如申請專利範圍第4項之製造系統,其更具有檢測半 導體裝置之硏磨狀態之段。 9. —種製造半導體裝置之,包括以下連續步驟: 藉由行星式捏合機來捏合含水的固體狀無機氧化物 和水以獲得無機氧化物分散於水中之漿體的步驟,該 捏合機具有繞著副迴轉軸旋轉的攪拌翼,該副迴轉軸 係繞著主埤轉軸旋轉,且該捏合機係密封於套裝中: 過濾上述所得之漿料的步驟; 將上述過爐後之奉料_供應給硏磨裝置的供給步驟;及 使用上述供給之漿料來拼磨半導體裝置,同時檢測 該半導體裝置之硏磨狀態的步驟。 10 _如申請專利範圍第9項之製造方法,其中分散於水 中之上述無機氧化物是以檢測之硏磨狀態來決定其組 成,並以檢測之硏磨狀態所.決定之混合比例來與水捏 合。 -3- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 請 先 閲 讀 背 之 注 、意 事 項 再 填套識 訂 線
TW089104940A 1999-03-18 2000-03-17 Method and system of manufacturing slurry for polishing, and method and system of manufacturing semiconductor devices TW466128B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11074628A JP2000269171A (ja) 1999-03-18 1999-03-18 研磨用水性分散体の製造方法と製造システム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW466128B true TW466128B (en) 2001-12-01

Family

ID=13552662

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW089104940A TW466128B (en) 1999-03-18 2000-03-17 Method and system of manufacturing slurry for polishing, and method and system of manufacturing semiconductor devices

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6338670B1 (zh)
EP (1) EP1036632A3 (zh)
JP (1) JP2000269171A (zh)
KR (1) KR20000062924A (zh)
TW (1) TW466128B (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6241586B1 (en) 1998-10-06 2001-06-05 Rodel Holdings Inc. CMP polishing slurry dewatering and reconstitution
US6447375B2 (en) * 2000-04-19 2002-09-10 Rodel Holdings Inc. Polishing method using a reconstituted dry particulate polishing composition
KR100406475B1 (ko) * 2000-12-23 2003-11-20 (주)에이에스티 씨엠피장비의 슬러리 공급장치
JP4032740B2 (ja) * 2001-12-28 2008-01-16 松下電器産業株式会社 半導体研磨装置及び半導体基板の研磨方法
JP2004247688A (ja) * 2003-02-17 2004-09-02 Canon Inc 冷媒供給装置
US8002151B2 (en) * 2004-05-07 2011-08-23 Deb Ip Limited Method of producing foamed cleanser with suspended particles therein and a dispenser therefore
TWI364450B (en) * 2004-08-09 2012-05-21 Kao Corp Polishing composition
JP4982970B2 (ja) * 2005-06-03 2012-07-25 東レ株式会社 ペースト製造装置
JP6530881B2 (ja) * 2012-10-12 2019-06-12 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物の製造方法
US8859428B2 (en) * 2012-10-19 2014-10-14 Air Products And Chemicals, Inc. Chemical mechanical polishing (CMP) composition for shallow trench isolation (STI) applications and methods of making thereof
US9770804B2 (en) 2013-03-18 2017-09-26 Versum Materials Us, Llc Slurry supply and/or chemical blend supply apparatuses, processes, methods of use and methods of manufacture
CN103446937B (zh) * 2013-08-16 2015-05-13 钟国芳 一种自动制浆系统
CN105313015B (zh) * 2014-07-29 2019-08-16 盛美半导体设备(上海)有限公司 抛光液过滤装置
JP7499126B2 (ja) * 2020-09-10 2024-06-13 リファインホールディングス株式会社 炭素質材料分散体からの異物除去方法
JP7309297B2 (ja) * 2021-03-03 2023-07-18 株式会社Screenホールディングス 給液装置、塗布装置、エージング装置、給液方法、およびエージング方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996002319A2 (en) * 1994-07-19 1996-02-01 Applied Chemical Solutions, Inc. Chemical slurry mixing apparatus and method
US5791970A (en) * 1997-04-07 1998-08-11 Yueh; William Slurry recycling system for chemical-mechanical polishing apparatus
US5957759A (en) * 1997-04-17 1999-09-28 Advanced Micro Devices, Inc. Slurry distribution system that continuously circulates slurry through a distribution loop
KR19990023544A (ko) 1997-08-19 1999-03-25 마쯔모또 에이찌 무기 입자의 수성 분산체와 그의 제조 방법
US5781970A (en) 1997-11-14 1998-07-21 National Molding Corp. Strap Retainer
US6123602A (en) * 1998-07-30 2000-09-26 Lucent Technologies Inc. Portable slurry distribution system
US6165048A (en) * 1998-11-10 2000-12-26 Vlsi Technology, Inc. Chemical-mechanical-polishing system with continuous filtration

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000269171A (ja) 2000-09-29
KR20000062924A (ko) 2000-10-25
EP1036632A2 (en) 2000-09-20
US6338670B1 (en) 2002-01-15
EP1036632A3 (en) 2001-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW466128B (en) Method and system of manufacturing slurry for polishing, and method and system of manufacturing semiconductor devices
US6676719B2 (en) Aqueous dispersion, a process for the preparation and the use thereof
KR100510815B1 (ko) 무기입자의 수성분산체 및 그의 제조방법
TWI242589B (en) Dispersion for chemical mechanical polishing
KR19990023544A (ko) 무기 입자의 수성 분산체와 그의 제조 방법
JP2005334808A (ja) 超音波分散装置
CN1533304A (zh) 高压介质磨
JP5103707B2 (ja) 高濃度シリカスラリ−及びその製造方法
CN101878184A (zh) 制备二氧化硅分散体的方法
EP3012019B1 (en) Particle production device and particle production method using same
WO2000020108A1 (en) Method of producing fine particle dispersions
CN105143108A (zh) 表面被覆粒子及其用途
TWI834643B (zh) 複合氧化物粉末之製造方法
CN106458613A (zh) 水性气凝胶及其生产方法
KR101184730B1 (ko) 균일한 입자 분포를 갖는 산화세륨 나노분말의 제조방법
TW460555B (en) Water-laden solid matter of vapor-phase processed inorganic oxide particles and slurry for polishing and manufacturing method of semiconductor devices
JP3849261B2 (ja) 水性分散体の製造方法
JP3603553B2 (ja) 水性分散体の製造方法
JP2005087972A (ja) ナノ粒子分散方法
CN222871971U (zh) 一种氧化铝抛光液配液装置
JP2000000458A (ja) 水性分散体と水性分散体中の粗大粒子の測定方法
CN114302919B (zh) 金属氧化物粉末的药剂处理方法及制造方法
CN219232089U (zh) 一种调浆池搅拌装置
JP3819155B2 (ja) 研磨材の製造方法
WO2009035128A1 (ja) 微粒子酸化チタン粉末の製造方法及び微粒子酸化チタン粉末

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees