462138 A7 B7 經濟部中央檁隼局負工消費合作社印^ 五、 發明説明（ 1 ) I 發 明 所 1 2 技術 領 域 1 1 本 發 明 偽關 於 半導醱瀲起固醴雷 射 裝置， 尤其 是. m 1 1 於 一 種 在 半 導體 激 起固體雷射裝置將 半 導體雷射所 輪出 之 1 1 ) m 起 光 傳 送 至固 醱 笛射媒質的光學条 統 者。 先 閱 I 1 讀 I £L 忭 技 術 背 1¾ 1 I 之 第 1 5 圈 及第 16 鼷傜表示以往之半 導 膀激起固醱 雷射 裝 意 1 1 置 (固體雷射振懣器。第16 圖偽表示依表示於 第15_之综 項 再 1 填 1 XV I - XV I的剖面圔。 半導謾 激起固體霣射装置 ，偽具有固 本 装 醱 雷 射 媒 質 101， 及雷射激 起源的半導體雷射 103 , 及依 將 頁 1 1 半 導 體 雷 射 103之激起光傳 送至固證雷射媒質 1 0 1之 長方 體 1 1 平 板 的 光 學 性導 板 105〇 i I 從 半 導 體.雷 射 103所發 出之激起光， 傜以 某一程度之 訂 I 發 散 再 度 入 射至 光 學性導板105内部， -在光 學性導板 1 I 105之内制面全反射一面到 逹固體雷射媒質1 0 1側. 並被 固 1 ! 體 雷 射 媒 質 101吸收。 t 1 泉 發 明 欲 解 決 之課 開 1 使 用 發 敗角 度 較大之半導醱雷射 時 ,為了從半 導體 雷 1 射 103所發出之激起光能入 射於光學性導板105内部 ,産 生 1 須 增 大 光 學 性導 板 105之厚 度（瀲起光 入 射面之面積 )之必 1 I 要 惟 因 以 往 之半 導 髅激起固體茁射裝 置 之光學性導 板10 5 ! 1 係 形 成 長 方 膻之 平 板形狀， 因此，隨 著 光學性導板 1 05之 I J f | 激 起 光 入 射 之面 積 增大而固體雷射媒 質 1 0 1側 之光學性導 1 1 板 105之出射面的面積也變 大，激起光無法被 固體雷射媒 1 1 質 1 0 1吸收， 而在光學性導 板105内逆 道 而行. 故損 失之 比 1 1 本紙浪尺度適/fl中國國家標準（os) Λ4規格t 2丨ο x 2yv公龟） 1 3 9 5 0 5 4 6 2 13 8 Λ7 Β7 五、發明説明（2 ) 經濟部中央標皁局與工消費合作社印掣 大 變 率 三 以 度 精 之 上 以 定一 以 須 好 良 率 效誤 之導£0下 送半δϊ上 傳於U的 光裝Ξ間 使組5IS之 了將10板 為 式板導 方導性 維性學 ms 學 光 與 片 晶 射 »*Β1 _Ώβ 醱 導 半 的 光 與 片 晶 射 雷 體 導 半 示離 表匍 傜軸af ^'.. 埋 影 之 失 損 合 結 於 給 Η 表光 〇 出 率輸 比 之 的片 差 晶 誤射 下j雷 上體 之導 度半 厚 依 於偽 對線 板曲 導失 性損 學 合 光結 示之 表圖 #17 軸第 橫於 〇 示 上 與 , 片 子 晶 例 射 該 C 雷 在加體 。 增 導 同地半 不速之 所急射 有失當 質損體 材合導 之結半 板示於 導表装 性 。組 學時示 光96表 及 3 像 度過 _ 角超18 散差第 發誤 的下 。 發 埵的 影光 之出 失輪 損之 合 片 結晶 於射 給雷 隙體 間> 導 之半 向 由 方稱 軸也 光線 的曲 間失 之損 板合 導結 性之 學時 光此
同 不 所 有 質 材 之 2 板 導 性 學 慢 慢 失 損 合 結 示 表 時 % 作 創 而 點 題 問 之 述 上 如 於 适 之之 射出 笛输 鳗 所 導射 半雷 行 逆 的 光 起 激 效 有 更 光 起 激
改 經 之 光 起 激 收 吸 地 率 效 有 i J 3 霣 媒 射 雷 體 固 使 並 質 媒 射 置 裝 射 體 固 起 激 體 導 半 的 統 糸 學 光 之 良 段 手 之 闲 所 賭 理 泱 解 射 0 體 固 起 激 體 導 半 之 明 發 本 的 巨 之 述 上 成 逹 了 為 雷媒 體射 導雷 半醱 之固 源述 起上 激至 射送 雷傅 及光 , 起 質激 媒之 射 射 腾Η 固導 : 半 有述 具上 偽將 , 及 置 ， 裝射 述 上 中 其 置 装 射 雷 體 固 起 激 體 導 半 的 板 導 性 學 光 之 霣 本紙張尺度適用中闺®家標準（CNS ) Λ4規格（210Χ297公；t ) 2 3 9 5 0 5 (請先閱讀背面之注意事項再填艿本頁) 6 2 138 Α7 Β7 經濟部中央標卞局貞工消f合作杜印製 五、 發明説明（3 ) | 光 學 性 導 板 偽 垂 直 於 激 起 光 之 傳 送 主 光 軸 的 横 斷 面 積 在 上 1 1 I 述 半 導 髏 雷 射 餹 較 大 * 由 此 随 著 向 上 述 固 體 雷 射 媒 質 側 愈 1 1 小 者 0 1 1 請 I | 依 本 發 明 之 半 導 體 激 起 固 體 雷 射 裝 置 » 在 光 學 性 導 先 閲 1 讀 1 I 板 之 横 斷 面 為 半 導 體 雷 射 倒 較 大 1 由 此 1 隨 著 愈 向 固 體 雷 背 ιέ 1 1 射 媒 質 側 疲 小 ， 因 此 ， 可 將 半 導 鳢 雷 射 之 激 起 光 大 量 送 入 意 ί I 於 於 光 學 性 導 板 f 而 使 從 固 體 雷 射 媒 質 倒 逆 行 向 光 學 性 導 Ψ 項 再 1 1 板 的 激 起 光 之 光 置 減 少 Ο % 本 装 I 依 以 下 之 發 明 的 半 導 睡 激 起 固 體 雷 射 裝 置 % 在 依 照 Ά 、 1 1 1 上 述 之 發 明 的 半 導 醱 激 起 固 體 雷 射 裝 置 中 光 學 性 導 板 偽 1 1 依 厚 度 之 變 化 9 上 述 横 斷 面 積 在 上 述 半 導 體 雷 射 侧 較 大 參 1 1 由 此 隨 箸 向 固 鳢 雷 射 媒 質 側 愈 小 者 0 訂 1 依 本 發 明 之 半 導 體 激 起 固 睡 雷 射 裝 置 * 像 在 光 學 性 導 1 i 板 偽 依 厚 度 之 變 化 > 光 學 性 導 板 之 摧 斷 面 積 在 半 導 體 雷 射 1 I 側 較 大 4 由 此 f 隨 著 向 固 體 雷 射 媒 質 倒 愈 小 1 將 半 導 體 雷 1 1 射 之 激 起 光 大 量 送 入 於 光 學 性 導 板 % 使 固 89 雷 射 媒 質 倒 向 1 光 學 性 導 板 逆 行 的 激 起 光 之 光 蛋 滅 少 0 1 1 依 一 發 明 的 半 導 鼸 m 起 固 饅 雷 射 装 置 1 具 有 : 固 1 1 體 雷 射 媒 質 t 及 笛 射 激 起 源 之 半 導 醴 雷 射 * 及 將 上 述 半 導 1 1 體 雷 射 之 激 起 光 傅 送 至 上 述 固 醱 雷 射 媒 質 之 光 學 性 導 板 的 I 半 導 體 激 起 固 醱 笛 射 裝 置 > 其 中 上 述 光 學 性 導 板 之 側 面 對 1 I 於 上 述 半 導 醱 雷 射 所 输 出 之 激 起 光 之 傳 送 主 光 軸 方 向 所 成 1 1 I 的 傾 斜 角 度 為 時 ， 上 述 去 學 性 導 板 之 折 射 率 n g m 足 式 (1 ) 1 1 時 > 上 述 光 學 性 導 板 位 於 上 述 半 導 體 雷 射 相 對 向 之 端 面 在 1 1 本紙張尺度適州中國®家螵孳（CNS ) Λ4規格（2丨0乂29*7公笼） 3 9 5 0 ί 4 6 2 138 A7 B7 附件一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（） 上述供面間形成凹面，上述折射率ng滿足式（2>時，上述 光學性導板位於上述半導«霣射相對向之蟠面在上述側面 面闢形成凸面者。 arccos(l/ng)-arcsin(l-ng)-^3 >0 ...式（1) a r c c 〇 s (1 / n g ) - a r c s i η (1 - n g ) - jS < 〇 .·.式（2) 依本發明之半導髓激起固級雷射裝置，係》著光畢性 導板之折射率,光學性導板之入射面形吠決定成凹形 吠或凸形狀。 依另一發明的半導體澹起固*笛射裝，係具有：固》 笛射媒霣，及笛射澹起源之半導拥雷射，及將上逑半専體 雷射之激起光傅送至上述固體雷射媒霣之光學性導板的半 導鳢激起固黼笛射裝置，其中：具有在內部配置上述固艚 霤射媒質，並將由上述光學性導板所射出之激起光反射至 上述固»媒質的筒狀聚光器；K該聚光器與上逑光學性導 板無間隙地醑鐃上逑固》雷射媒質之全周者。 依本發明半等髑激起固體雷射裝置，係由光學性導板 所射出之激起光均被吸收在固體雷射媒霣不會從聚光器向 外部洩漏。 依另一發明的半導體激起固《笛射装置，係具有：固 艚雷射媒質，及雷射澹起源之半導髁雷射，及將上述半導 «雷射之激起光傳送至上述固《笛射媒霣之光學性導板的 半導雅激起固艚笛射裝置，其中，上述光學性導板係上述 半導《笛射傷之長度大約相等於激起光間鏟狀地發光的上 述半辱澜笛射之開鑲長度，而上述固嫌雷射媒霣側之長度 I-------------------訂 *------- I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國0家標準（匚\'3)八4規格（2〗〇>=297公爱） 4 (修正頁} 395 0 5 4 6 2 13 8 A7 B7 俜正 fa 五、發明說明（5 ) 大約相等於固髖雷射媒霣之長度者。 依本發明之半導《澹起固《笛射装置，係將半導嫌雷 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 激 之除加 學不 述射 散 固導的述間件 餳 , 述係 _ 光而 上雷 擴 ：半板上度構 軸 板 上板面 於， 依 K 光 有述導與高持 光 導 依導外 人射 在導 由 具上性射之保 定 性 在性在 C 射反 係半 藉 係將 學雷 用之 選 學 。係學 ，者係全 ，述 偽 *及光iff格板 偽 光域，光外覆，部 置上 ， 置，之導調導 . 由領置述面塗置内 裝在。置 裝射質半鐮性 置 , 全装上端射裝板 射 ，者装 射笛媒述偏學 。裝 板的雷 ，之反射導 笛中板射 莆嫌射上軸光者射 導度嫌中91全笛性 髑置散宵。拥導笛在光述件笛 性長固置質的體學 固装掮體性固半髁中置上隔嫌 學之起裝媒射固光 起射光固勻起之固其配與間固 光霣激射射反起在 激笛置起均漁源述 ，間射隙起 在媒M莆笛全激係M鶼配激之獮起上置之雷間激 入射導髁賸長髓，。導固間«向導激至裝件«之體 射笛半固固波導光漏半起之導方半射送射構導用_ 接餺的起輿之半起洩的澹板半軸的笛傳笛持半整半 直固明澹側射之激供明醑導之對明及光M保述調之 均在發 W 射笛明之外發導性明光發 ，起固之上隙明 光收 一導笛«發部向 一 半學發起一 霣激起板在間發 起吸另半«!導本内等另的光本激另媒之 激導而置本 激被依的導半依板面依明述依高依射射髖性 ，配依 之光 明半於 導例 發上 提 笛雷導學件間 射起 發了對 性會 之與 板 髑髀半光隔之 ^--------訂---------線 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗0 X 297公釐） 5 (修正頁）39505 4 經濟部中央標隼局員工消费合作社印狀 6 2 13 8 A7 B7五、發明説明（6 ) 離調整用之高度間隔件，使半導體雷射所具有之半導醱雷 射晶片與光學性導板之光軸槭離量能進入被決定之誤差範 園内，又蘧定間隙諏用之間除間隔件，使半導體雷射晶片 與光學性導板之光軸方向的間隙能進入被決定之誤差範圍 内，成為使半導體雷射晶片與光學性導板之光軸偏離量， 及半導體雷射晶片與光學性導板之光軸方向的間隙均能進 入容許誤差範圍内。 依另一發明的半導《激起固S雷射装，傈在依上述之 發明的半導體激起固體笛射裝置中，上述半導體雷射具有 搭載半導釀雷射晶片的封装本膜，上述离度間隔件配置於 上述封裝本髑之底部與上述光學板之保持構件之間，上述 間陳間隔件配置於上述封装本體之前部舆上述光學性導板 之保持構件之間者。 依本發明之半導《激起固體雷射裝置，係由於在封裝 本醱之底部與光學性導板之保持構件之間配置高度間隔件 ,因此，半導觴雷射晶片與光學性導板之光軸褊差量能進 人容許誤差範圍内，而由於在封裝本體之前部與光學性導 板之保持構件之間配置間隙間隔件，因此，半導S雷射晶 片與光學性導板之光軸方向之間隙能在容許誤差範圍片。 依另一發明的半導饅激起固醱雷射装置偽在依上述之 發明的半導體激起固體雷射裝置中.在上述間陳間隔件固 定上述光學性導板，該間隙間隔件S由踫上半導體雷射之 封裝本體實行諏整間陳，在上述間隙間隔件與上述光學性 導板之保持構件之間配設上述高度間隔件。 本紙張尺度適用中酬规格（wx靖）~~6 --'= ..... ^^^^1 I - -- - - 1----- 4 ^^^^1 p^^flc 一 ，-a (請先M讀背面之注意事項再填寫本頁) 462138 A7 B7 五、發明説明（7 )依本發明之半導體激起固體雷射裝置，偽铕間陳間隔 衩濟部中央標隼局負工消費合作杜印梨 射導間使差 固導半形部部配 之部 晶同能 述位装 雷性隙 ，誤 ：半的體 置置位 座置醱 ，陳 上定封 證學 間件許 有 述板本 配配定 支配 導内間 依之述 導光該隔容 具 上導裝 位位部 副位 半圍的 在座上 半與 在間在 僳將 性封 定定置 在定使 範方 傜支在 於 Η 並，度能 ，及學之 之之配 偽之 ，差雙 ，副別 上晶 ，高量 置 ，光射t)座位 ，板置 誤軸 置述分 踫射内設差 装射之雷un支定 置導 配許光 装上偽 由雷圍配偏 射雷質體EDO副之 装性 位容之 射 ，部 藉體範藉軸 雷體媒導ab述板 射學 定入板 雷中置 件導 差間光 塍 導射半 U 上導 當光 之進導 醴置配 隔半 誤之之 固 半雷在 座部性 體在 方能性 固装位 間使 許件板 起 之固中 支置學 固向*量 學 起射定 陳陳容構導 激源述其副配光 起座 該離光 激雷之 間間 在持性 體起上 .之位該 激支蒱 偏與 體體板 該整 能保學 導 激至置 片定在 CSS副 ，軸 Μ 導固導 , 諏隙之光 半射送裝晶之而者導置 板光晶 。半 起性 板行 間板與 的雷傳 射射板 ，板 半配導 之射内 的激學 導實 的導片 明 及光雷 雷導 座導之 位性板 雷 園 明體光 性，向性晶 發 -起醴 體 性支 性明定 畢導體 範發 導述 學醱 方學射 一 質激 固導學 副學發 部光性 導差 一 半上 光本 軸光雷 。另媒之起半光置光本置置學半誤 DR 的與 持装光與醴内 依射射 激持述 配述依 配配光 使許依 明部 支封之件導圍 雷雷體保上位上 位位與 ，容 發置 件之板隔 半範 體髓導成與定置 定定 Η 時在 之配 ··-_-- - ^^^^1 ^Ef K I ^^^^1 n^f ^^—^1 _··1·_ ^ 1 ry-e (請先M讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙浪尺度適用中國國家標淨-(CNS ) /\4规格（ϋ11)Χ ；：97公龟） 7 3 9 5 0 5 4 6 2 138 A7 B7五、發明説明（8 ) 本醴經機械加工之段差部所給予者。 經濟部中央標羋局負工消費合作社印龙 經装位片使許 述上體之 本保 述丨板 劑導所 體封定晶 ，容 上 於蓋部 装之 上M導 塾性量 本在部體時在 依載裝置 封板 依ΦΙ性 襯學力 裝又置導 同能 在搭封配 由導 在装學 著光入 封 >配半-陳 傜護述位 S 性 俱 ί 光/隔持夾 封 者 在座位使内間 ，保上定 偽學 ，纟述丨僳保因 述ii 像支定 。圍的 置有 ，述 ，光 置ill上¾，入止 , 副之置範向 装設體上 。置离 装 與 置夾防 置置板配差方 射 ，蓋於者裝提 射 „鳢？ 装體， 中 或 射配導 位誤軸 雷中装 設部射 ， 笛 ，¾} 射蓋材 雷位性定許光 醴置封配持笛板 醴置裝rig雷裝衝 體定學 之容之 固裝 的持保 膜導 固装封ki醱封缓 固之光方在板 起射 片保 板固性 起射述ac固與為 起座的雙能導 激雷 晶入 導起學 激雷上(P起體作 。 瀲 支部該 董性 體 醱射夾 性激光 醱體 及劑激 本用壞 體副 差由離 學 導固雷 體學 體持 導固 ，钴膿 装作損 導的段葙偏光 半起體本光導保 半起間襯導封爾之 半部之 ，軸與 的 激導裝 的半入 的激 之有半 由接板 之差工 板光片 明鱧 半封 板之夾 明體板 裝之藉 黏導 明段加 導之晶 。發 導之述 導明腰 發導 導介明 ， .性 發之械性板射内一半體上性發蓋 一半性別發劑劑學 本 Η 機學導 雷圍另 的本以 學本装 。另 的學分 本接墊 光 依加經光性體範依明装 有光依封度依 明光 -依黏襯的 械體置光導差 發封具述 與強 發述間 是 ，起 機本配 與半誤 之述僳 上 醴 持 之上之 或板引 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適川中國圉家標準（CNS ) Α4規格（公,曼） 3 9 5 0 5 α 6 2 1 38 Α7 Β7 五、發明説明（9 ) 依另一發明的半導饅激起固體雷射裝置，係在依上述 之發明的半導體激起固體雷射裝置中，上述襯塾劑或黏接 劑偽菘由比上述光學性導板之折射率小的材料所構成者。 依本發明之半導賭激起固體雷射裝置，偽襯墊劑或黏 接剤之折射率比光學性導板之折射率小，由該光學性特性 抑制從光學性導板之側面部的光之洩漏損失。 m ^ s m m m 以下，參照所附圃示詳述依本發明之半導體激起固篇 雷射装置的實施形態。 實施形態1 第1圖至第4圔葆表示依本發明的半導體激起固體雷射 裝置的實施形態1。 經濟部中央怵準局員工消費合作社印聚 (請先閱讀背面之注意事項再填荇本頁) 該半導體瀲起固醱雷射裝置傜具備：依YAG捍等之圓 柱形固體雷射媒質1,及依雷射激起源之雷射二極管等的 板Η狀半導證雷射（半導B雷射装置）3,及將半導體雷射 3之激起光傳送至固定雷射媒質1的光學玻璃製之光學性導 板（光傳送醴）5,及将由光學性導板5所出射之激起光反射 至射媒質1之圓茼狀反射鏡的聚光器7。 媒霣1像同心配置於聚光器7内部之中心位置， 在該實|^@態，半導醴雷射3,及每一各半導體雷射3之光 學性導板5僳有4傾，而以90度之旋轉角度等間隔地放射線 狀配置於固醴雷射媒質1之中心軸線周圍。 光學性導板5像半導體雷射3制之入射面5a之厚度最大 ,由此，随箸向固體雷射媒質側厚度逐漸變小，而厚度在 本紙張尺度適用中國圉家標準（CNS ) Λ4規格（21ϋΑ:97公笼） 9 3 9 5 0 5 462138 A7 B7 五、發明説明（10 ) (請先Μ讀背面之注意事項再填艿本頁) 出射面5b形成最小，由此，半導鱧雷射3垂直於輪出之激 起光的傳送主光軸A(參照第3圖，第4圖）之橫斷面積偽半 導醱雷射3侧較大。由該琪隨著向固醱雷射媒質1側逐渐變 小。 光學性導板5俱如第2圖（第2圖像表示於第1_之線II-II的剖面圖）所示，半導體雷射3側之長度大約相等於半導 髓雷射3之開缝狀發光部3a之閬缝長度.而固醱笛射媒質1 倒之長度大約相對於固體雷射媒質1之長度（軸長），平面 形狀形成台地形狀。 由此，半導醱雷射3之所有激起光像直接射入於光學 性導板5,而激起光藉光學性導板5被吸牧在固體雷射媒質 1之長度全區域。 在此時，藉由調整光學性導板5之厚度，也可將半導 體雷射3倒之入射面5a之面積成為最大，而可將出射面5b 之面稹成為«小。 經濟部中央標導局员工消费合作杜印" 聚光器7傜將光學性導板5所射出之激起光反射至固體 雷射媒質1者，以該聚光器7與光學性導板5無間陳地圍練 固醱雷射媒質1之全周。 由此，由光學性導板5所出射的激起光不會從聚光器 7内向外部洩漏而全被吸收在固體雷射媒質1。 由半導體雷射3之開縫狀發光部3a所發出之激起光， 偽自其入射面5a以某一擴展（發散角度）射入於光學性導板 5内部。激起光在光學性導板5兩側之側面5c—面重複多重 反射，一面可傅送的最大擴展角度（以下.稱為鹽界角度） 本紙張尺度通用中國S家標举-(CNS ) Λ4规格（210X297公釐） 2 138 A7 B7 經濟部中央梂羋局負工消f合作社印取
五、 發明説明（ 11 ) \ | Θ » 像 將 光 學 性 導 板 5之软 f射率設為n S時 > 以 下 ⑴表 示： 1 1 1 6 a r c si η [ n g • si n ( a r c c 〇 s · ( 1 / n g )， α ~ /3 } ]+ α ί I 請 I | * * 式 (3) 先 1 讀 式 中 α 對 於 連 結 激起 光入射點的光學性導板 5之 背 1 之 半 導 體 雷 射 3的開缝狀發光部3 a舆固歷雷 射 媒 質 1之中 心的 注 意 1 I 基 準 面 來 自 垂 直 面 之 傾 斜 角度 ，而0傜對於撖起光之 傳送 事 項 再 1 1 1 主 光 軸 方 向 ， 光 學 性 導 板 5之俩面5c所成 的 傾 斜 角度。 填 本 1 装 1 傾 斜 角 度 β 在 正 值 之 領域 ,葆半導匾雷射3倒之斷面 Η 1 1 積 比 光 學 性 導 板 5之固髅雷射媒質1倒的斷面積大，與 使用 1 1 長 方 體 平 板 形 狀 之 光 學 性 導板 時相比較， 可減低從聚 光器 1 j 7倒逆行的激起光的光置。 訂 I 臨 界 角 度 θ 偽 入 射 面 5a所 成之傾斜角度α與倒面 5 c所 1 1 I 成 之 傾 斜 角 度 β 滿 足 下 式 (4)時，成為最 大 值 π /2+ α 〇 1 1 i α * β - a Γ C C 0 s (1 / n g )-a r c s i η (1 / n g )· * · 式 (4) 1 i 給 予 最 大 臨 界 角 度 的 光學 性導板5之 入 射 面 形狀， 偽 l 傾 斜 角 度 α 為 正 值 時 則 如第 3圖所示， 呈 凹 形 狀，而傾 1 1 斜 角 度 為 負 值 時 r 則 如 第 4圖， 呈凸形狀 0 因 此 ，由式（5) 1 之 值 的 符 號 可 決 定 入 射 面 形狀 0 1 I a r C C 〇 s ( 1 / η S ) -a r c si η (1/ n g ) - /3 ... 式 (5 ) 1 1 I 給 予 最 大 睡 界 角 度 的 光學 性導板5之 入 射 面 形狀， 係 1 側 面 5 c 所 成 之 傾 斜 角 度 β 為0時，光學性 導 板 5之折射 率n s 1 1 為 2以下， 傾斜角度c ϊ為負， 則入射面 形 狀 偽 如第4 圖所 1 1 示 > 呈 凸 形 狀 〇 對 於 此 若光 學性導板5 之 折 射 率ng為厂2 1 I 本紙伕尺度適用中國國家標率（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） 1 1 3 9 5 0 5 A7 462 138 B7 五、發明説明（12 ) 以上時，傾斜角度為正，則人射面，葆如第3圖所示，呈 凹形狀。 ί ] [ t . 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本買) 在光學性導板5,為了增加半導鳢雷射3所輸出之激起 光的人射面積，而減少聚光器7之反射光逆入射於光學性 導板5之光量，若採反半導醴雷射3倒之斷面積大於光學性 導板5的固定雷射媒質1倒之斷面積時，則傾斜角度乃你成 為正值。 此時，光學性導板5之入射面形狀分成凹形狀舆凸形 狀的折射率ng偽成為比^2大。此乃表示，由於使用折射 率tis大的光學性導板而可增加鼉大臨界角度π/2+ct,而 且可增加半導體雷射3倒之斷面稹與固體雷射媒質1倒之斷 面積的比率。 經濟部中央榡草局負工消費合作杜印双 對於光學性導板5,因苗擇谋足式（4)之傾斜角度α舆 卢之組合，由進入光學性導板5而可傳送至固醑雷射媒質 1钿的半導Β雷射3之激起光的發射角度供成為最大值？I /2 + ct。亦即，半導《雷射3之發散角度為0時，由式（4), 在滿足次式（b)之範園，可給予光學性導板5之脚面5c的傾 斜角度。 β S Θ n /2){arccos(l/ng) -arcsin(l/ng)] …式（6 ) 光學性導板5側面的物質，不是空氣，而是具有折射 率ma之物質時，則瞞足式（4)與式（6)之條件，偽被修正成 次式（7 ) . ( 8 )。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210x297公釐） 3 9 5 0 5 12 6 4 2 138 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印农 五、 發明説明（ 13 ) 1 I α = a r C C 0 S (n a / ns 1 r c s i η (1 / η S) ' .1 (η g) 1 1 * •式（7) 1 1 β Θ -[ {π / 2) {a Γ C C 0 s ( n a / η g )- a r C S in (1 / η g ) ] 1 I 請 1 1 ., 式（ 8) 先 閱 1 讀 1 | 由 於 如 上 述 之 構成 > 將 半導體 雷射3 之 激 起 光 大 置 地 背 而 1 I 之 1 取 進 光 學 性 導 板 5 , 可將此傳送至固定 雷 射 媒 質 1 , 又可減 注 意 1 事 1 低 從 聚 光 器 7逆行之光量， 實現可將半 導 匾 雷 射 输 出 有 效 項 矣 1 填 \ 率 地 傳 送 至 固 體 雷 射媒 質 的 半導體 激起固體雷射裝置。 寫 k. 裝 頁 1 富 形 m 2 -_- 1 第 5圔像表示依本發明的半導匾激 起 固 睡 雷 射 裝 置 之 1 1 實 施 形 態 2〇 在第5圖中 * 對 應於第 1圖 之 部 分 卽 附 註 與 第 1 1 1園之記號相同之記號而省略其說明。 訂 I 在 該 實 施 形 態 ,除 了 光 學性導 板5之 半 導 體 雷 射 3側舆 1 1 固 髓 雷 射 媒 質 1倒的端面（人 射面5a 出射面5 b ) 外 1 在 外 面 Ϊ 1 I 塗 覆 對 於 半 導 饅 雷 射之 波 長 形成金 反射的全反射塗覆層9 1 1 0 由 此 > 避 免 入 射於 光 學 性導板 5内 部 的 激 起 光 從 側 面 丨 1 5 c 等 洩 漏 至 外 部 赘 可將 半 導 體雷射 3之 激 起 光 以 低 損 失 傅 1 送 至 固 體 雷 射 媒 質 1 ,而寅現可將半導 體 雷 射 输 出 有 效 率 1 | 地 傅 送 至 固 髏 射 媒質 的 半 導體瀲 起固醴雷射装置。 1 1 為 了 m 起 光 向 轅方 向 之 均勻化 ，光擴散板11配置於半 1 I 導 體 雷 射 3與光學性導板5之 間。 1 1 由 此 > 也 可 将 半導 雅 雷 射3之激起 光 大 董 地 送 入 光 學 t 1 性 導 板 5 , 可將此傳送至固定雷射媒質 1 , 又可减低從聚光 1 1 本紙張尺度適用中國國孓標隼（CNS ) Λ4規格（210 x 297公釐） 13 3 9 5 0 5 經濟部中央埤卑局貞工消费合作社印狀 I 6 .:; i Ί A7 ' B7五、發明説明（14 ) 器7逆行之光量，而實現可將半導體雷射輪出有效率地送 至固體雷射媒質的半導體激起固體雷射裝置。 窨旃形萌3 第δ_第7匾换表示依本發明的半導醱激起固醴雷射裝 置之實施形態3。 該半導體激起固«雷射裝置僳具備：依YAG桿等之圖 柱形固體雷射媒質21,及依雷射激起源之雷射二極管等的 板片狀半導髖雷射（半導Β雷射封装）23,及將半導體雷射 23之激起光傳送至固定雷射媒質21的光學玻璃之光學性導 板（光傳送體）25，及用於冷却固體雷射媒質21並與固體雷 射媒質21同心地配置的透明玻瓌製之琉體管27,及將由光 學導板25所出射之激起光射至固體雷射媒質21之圔筒狀反 射的聚光器2 9。 固體雷射媒質21像同心配置於聚光器29内部之中心位 置，在該寅施形態，半導膜雷射3及毎一各半導體導件3之 光學性導板25偽也有4健，這些偽以90度旋轉角度等間隔 地放射狀地配置於固體雷射媒質21之中心軸線周圍。 在第6圖，僅表示半導Β雷射23為對應於一處之光學 性導板25者，惟當然，在其他三處之光學性導板25也同樣 安装有半導體雷射。另外，欲增大雷射输出，對於一固醱 雷射媒質21,可將複數傾半導體雷射排在長度方向（捍狀 固體雷射媒質21的軸線方向即可。 半導體雷射23偽形成由發光雷射光的半導體雷射晶片 31,及在上面搭載半導體雷射晶Μ31,並除去來自半導謾 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2ΙΟΧ 297公釐） 1 4 3 9 5 0 5 — -n^i ^^^1 I....... - ^^^1 ^^^1 1· ^^^1 ^^^1 ί --i mf ^^^1 !— -«-1 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局員工消t合作社印" 本紙ί長尺度適用中國國家標苹（CNS ) Λ4規格（ 395050 462138 A7 B7 五、發明説明（l5 ) 雷射晶H31之動作熱（散熱Η)與用於吸收半導體雷射晶Η 31與下述之封装本體35之線膨脹常數之相差的副支座33, 及在上面搭載副支座33,為了將來自副支座33之熱排出至 外部而在内部具有冷却水通路（省略圖示）之水構造的封裝 本體35,及安裝於須保護半導腥雷射晶Μ31之封裝本體35 的封裝蓋體37之裝配體的封裝構造。又，在封裝本體35之 背面部安裝有冷却水人口管39與冷却水出口営41。 半導體雷射晶Η31與副支座33僳藉金屬軟焊良熱傳與 導霣地被連接，副支座33偽藉金屬軟焊良熱傳與導®地被 連接於依導電性材料之封裝本體35,而封裝本體35僳兼具 陽極霣極。 在封装本醴35上面經由霉氣绝緣板43設有電極零件45 。霣極構件45係藉多數條細金線47導電連接於半導體雷射 晶Μ31,霣極構件45面接接於依導電性材料所産生之封装 蓋酒37,封裝蓋醱37係兼具陰極金屬。 在如上述之霣極構造，偽霣位施加於封裝本體35與封 裝蓋體37間，能由半導體雷射晶片31之右端面振盪激起用 雷射光。 光學性導板25係固定於橫轉L形之導板保持構件49之 前部豎立部49a上面。導板保持構件49與封裝本體35與封 裝蓋體37,藉螺定於於貫穿這些之鎖緊螺栓50與鎖緊螺栓 50的螺帽52牢固地被固定連結。 從半導醱雷射晶H31所振盪的雷射光係被導入至極薄 地形成之光損失少的光學性在導板25。由於光學性導板25 15 ------^-----裝-- (請先s讀背面之注意事項再填荇本頁) ,-β 泉 A7 462133 B7 五、發明説明（16 ) (請先M讀背面之注意事項再填鸿本頁) 對於激起雷射光的輪入输出端面，偽與光繼相比較具有較 大之相當面積，因此，在此等端面可實行無反射塗覆處理 ,可將在兩端面之光損失抑制在1¾以下。 在半導體雷射晶片31與光學性導板25之光學性結合， 為了由半導體雷射晶片31有效率地光傳送至光學性導板 25,如上所述，必須以所定值以上之精度三維地相對地來 位置設定半導腰雷射晶H31與光學性導板25。 在如上述之装配構成，半導體雷射晶片31與光學性導 板25之相對性位置設定.偽由導板保持構件49與封裝本體 3 5相對位置所決定。 在封装本髏35與導板保持構件49之間，設有L形間隙 間隔件51,及平板狀之高度間隔件53。此等間隔件51, 53 偽輻上述之鎖緊蟝栓50與螺帽52與封裝蓋體37,封装本睡 35及導板保持構件49 一起地共同鎖緊。 搜濟部中央標隼局員工消fr合作社印狀 L形間陳間隔件51像有夾在封装本體之前部與導板保 持構件49之前部轚立部49a之間的間隙諝整部51a,由間隙 讕整部51之厚度尺寸來設定半導體雷射晶片31與光學性導 板2 5之光軸方向的間隙。 L形間陳間隔件5 1之水平部5 1 b與高度間隔件5 3係互相 璽叠而夾住封装本體35之底部與導板保持構件49之水平部 49b之間，藉由L形間陳間隔件51之水平部51b與高度間隔 件53的合計尺寸來決定半導體雷射晶H31光學性導板25之 相對性上下位置，決定光軸饉離調整。 由此，選定高度間隔件53及L形間隙間隔件51之水平 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（21ϋ.< 297公t Λ r n „ 16 39505 4 6 2 1 3 8 a7 B7五、發明説明（Π )部51b ,能使半導體雷射晶片31與光學性導板25之光軸偏離量進入被決定之誤差範圔内，又，選定L形間隙間隔件 的 晶 向射 方雷 軸體 光導 之半 25使 板能 導’ 性此 學因 光’ 與内 31圍 H範 晶差 射誤 雷之 體定 導決 半被 使入 能進 , 隙 51間 3 内 片 圍 晶 範 射差 雷誤 體許 導容 半在 及能 , 均 量陳 離間 褊 的 軸向 光方 之軸 5 t 2 板之 導25 性板 學導 光性 與學 31光 片與 抑 2 送 失板傳 損導地 合性率 結學效 之光有 生於出 産對輪 所 3 射 差片雷 誤晶導 隙射半 間雷将 及體可 差導 ， 誤半行 離由實 儋為地 C 翰成率質 光 ，效媒 , 值有射 此少送雷 由 較傳體 成光固 制之至 觼 形 倫 半 的 明 發 本第 依在 示 ’ 表又 係 。 圓4 8 態 第形 施 實 中 圖 8 (請先閱讀背面之注意事項再填踔本贾) 經漪部中央梯隼局員工消资合作社印掣 之與 置註 装附 射分 雷部 體之 固圖0 ^ ^ 激、.、說0 導 ea 於0 對 其 略 省 而 號 記 之 同 相 號 記 之 圓 6 上 5 5 件 隔 間 隙 間 在 定 固 被 板 導 性 學 光 態 形 施 實 該 在 隔向 間方 陳軸 間光 由之 M25 能板 , 導 面性 前 學 35光 體與 41 本 3 装 Η 封晶 到射 踫雷 藉體 553 件半 隔定 間設 陳來 J 5 間 5 , 件 陳 間 的 件 隔 間 隙 間 在 成 形 於 149 配部 7 5 立 件豎 隔部 間前 度之 高49 件 構 的 3 部 差 段 置 載 件 隔 間 持 保 板 導 3· 由 ο 間 之 來置 寸位 尺下 度上 厚 性 計對 合 相 之的 7 5 5 2 件板 隔導 間性 度學 高 光 與與 5 1 5 3 ο 件片整 隔晶諷 間射離 陳雷镰 間體軸 由導光 藉 半行 , 定 實 此決 ， 本紙張尺度適用中國阈家標準（CNS ) Λ4現格（2H^_. N7公筇） 7 11 3 9 5 0 5 A7 462138 B7 五、發明説明（18 ) (請先閱讀背面之洼意事項再填荇本頁) 在該實施形態，像在專用工模結合光學性導板25,能 使間隙間隔件55以與封裝本體35接觸之面作為基準來設置 所定間隙而可結合，之後，藉翌定上卜諏整用之高度間隔 件57,因此，能使半導賭雷射晶H31與光學性導板25之光 軸軀離蛋，及半導醱雷射晶片31與光學性導板25之光軸方 向的間除均能在容許誤差範圍内。 由此，光軸«離誤差及間隙誤差所産生之結合損失抑 制成較少值，成為由半導體雷射晶片31對於光學性導板 25之光傳送有效率地實行，可將半導雷射輪出有效率地傳 送至固體雷射媒質。 奮掄形篛5 第9醒及第10圔偽表示依本發明的半導體激起固鱧雷 射裝置之S施形態5。又，第9圖及第10圖中，對應於第6 圔之部分附註與第6圔之記號柑同之記號，而省略其說明 〇 在本實施形態中係在封裝本體35上.向光軸方向直線 經濟部中央橾皁局貝工消费合作社印製 地排列有安装半導體雷射晶片31之副支座33與光學性導板 25 〇 在封裝本體35，作為副支座33之定位配置部的第一段 差部35a,或是作為光學性導板25之定位配置部的第二段 差部35b分別被機械加工。 第一段差部35a與第二段差部35b傜高精度地機械加工 成為半導《雷射晶片31之激起用雷射光通過光學性導板 25之中心，而且能使半導釅雷射晶片31與光學性導板25之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2!0 .< 297公釐） i a 3 9 5 0 5 4 6 2 1 3 8 A7 B7五、發明説明（19 ) 光軸方向的間陳在預定範園内。 經濟部中央標皁局員工消費合作社印麩 軟 之 厚 米 撤 數 態 狀 上 踫 準 基 為 面 差a, 段35 以部 座差 支段 副一 > 身 此於 由合 接 焊 接 黏 態 狀 上 踫 5 2 板 導 性 學 光 而 此 因 内 圍 範 差 誤 許 容 在 董 離 b, 0 35軸 部光 差之 段25 二 板 第導 於性 學 光 與 3 片 晶 射 雷 捿 Ann 導 半 使 能 雷 暖 導 半 時 同 誤 許 容 在 •MHM 均 隙 間 的 向 方 軸 光 之 5 2 板 導 性 學 光 與 11 3 Η 晶 射 抑 失 損 合 結 之 生 産 所 差 誤 除 間 及 差 誤 離0 軸 光 °t 内此 園由 範 差 傳 板地 導率 性效 學有 光出 於輪 對射 31雷 Η 導 晶 半 射将 雷可0 , 導行 半實 由地 為率 成效 - 有 值送 少傳 較光 成之 J 5 制 2 質 媒 雷 體 固 至 送 雷 臞 固 起 激 體 導 半 的 明 發 本 依 示 表 偽 圔 2 第 及 圖 1 1 第 於0 對 中 圖 2 第 及 圖 1 11 第 在 又 ο 6 態 形 施 實 之 置 裝 射 之 同 相 號 記 之 圖 ο 1L $ 及 if 9 第 與 註 附 分 部 之 圔 ο 1* 第 及 園 9 號 第 記 明 説 其 略 省 而 態 形 施 實 本 態 形 施 寅 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -丨装.
'1T -A, 裝 封 於 設 a 7 3 部 係 持 a 保37 板部 導持 性保 學板 光導 , 性 例學 形光 變。 之部 a ΊΤ 端 前 之 置 配 持 保 入 夾 5 3 醱 本 裝 封 與 成 形 方 上 b 5 3 部 差 段 二 第 位 持 夾 7 3 鳗0 装 封 與 5 3 體 50本 2 装 tr 封 導 由 性0 光 之 b 態 35形 部施 差實 段本 二 在 第 於 此 由 ο 度 強 持 保 之 5 2 板 導 性 學 光 高 提 5 2 板 導 性 學 光 持 保 間 時 配 装 短 縮 可 為 成 易 容 為 成 配 装 之 置 装 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（21ϋχ297公廣） 9 I i 3 9 5 0 5 4 6 2 138 A7 B7 經濟部中央樣隼局員工消f合作杜印製 五、 發明説明（2Q ) | 第 1 3 圖 及 第 1 4 m 表 示 依 本 發 明 的 半 導 體 激 起 固 體 雷 1 1 射 裝 置 之 實 施 形 態 7 〇 又， 第13圖及第1 4圖中， 對應於第 1 1 1 1 園 及 第 12 圖 之 部 分 附 註 與 第 11 圖 及 第 1 2 圖 之 記 號 相 同 之 1 I 請 1 I 記 號 而 省 略 其 説 明 0 先 閱 1 讀 1 1 本 簧 施 形 態 涤 實 施 形 態 6之變形例， 襯墊劑或黏接剤 背 T& 1 分 別 介 裝 於 封 裝 本 m 35之 第 二 段 差 部 35b與光學性導板25 之 意 1 事 1 之 間 * 及 封 装 基 腰 37 之 光 學 性 導 板 保 持 部 37 a與光學性導 項 i. f 填 \ 板 25之 間 ， 由 此 • 設 有 缓 衝 層 59 0 本 裝 I 在 本 實 施 形 態 > 形 成 缓 衝 層 59之 襯 墊 劑 1 黏 接 劑 作 用 頁 1 1 作 為 级 衝 材 料 * 藉 由 夾 人 力 ft 防 止 光 學 性 導 板 25 〇 1 1 又 > 形 成 缓 衝 層 59的 襯 墊 劑 或 黏 接 劑 之 折 射 率 bb 光 學 1 1 性 導 板 之 折 射 率 小 藉 由 該 光 學 性 恃 性 • 抑 制 從 光 學 性 導 訂 | 板 25之 钿 面 的 光 之 洩 漏 損 夫 9 因 而 抑 制 光 傳 送 效 率 之 降 低 1 1 i 0 明 效 果 1 1 1 .义 由 以 上 之 說 明 可 瞭 解 1 依 照 本 發 明 的 半 導 體 激 起 固 腥 i 雷 射 裝 置 » 在 光 學 性 導 板 之 横 斷 面 為 半 導 體 雷 射 刨 較 大 1 1 由 此 * 隨 著 愈 向 固 體 雷 射 媒 質 側 愈 小 1 因 此 可 將 半 導 體 i 雷 射 之 激 起 光 大 量 射 入 光 學 性 導 板 t 減 低 從 固 體 雷 射 媒 質 1 I 側 向 光 學 性 導 板 逆 行 的 瀲 起 光 之 光 量 * 可 將 半 導 髏 雷 射 輪 1 1 1 出 有 效 率 地 傳 送 至 固 m 雷 射 媒 質 0 1 I 依 照 以 下 之 發 明 之 半 導 體 激 起 固 醴 雷 射 装 置 > 在 光 學 1 1 性 導 板 偽 依 厚 度 之 變 化 > 光 學 性 導 板 樓 斷 面 積 在 半 導 體 雷 1 1 射 m 較 大 » 由 此 ， 隨 箸 向 固 體 雷 射 媒 質 倒 愈 小 ， 將 半 導 體 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2〗0χ；^公,緩） 20 3 9 5 0 5 6 2 13 8 A7 B7 經濟部中央標準局員工消f合作社印紫 五、' 發明説明（ 2 1 ) | 雷 射 之 激 起 光 大 量 射 人 光 學 性 導 板 1 低 從 固 體 雷 射 媒 質 惻 1 1 向 光 學 性 導 板 逆 行 的 m 起 光 之 光 置 1 可 將 半 導 鱧 雷 射 輸 出 1 1 有 效 率 地 傳 送 至 固 體 雷 射 媒 質 0 ^~k. i ! 請 1 I 依 照 以 下 之 發 明 之 半 導 體 激 起 固 體 雷 射 裝 置 » 隨 箸 光 先 閱 1 讀 1 I 學 性 導 板 之 折 射 率 * 光 學 性 導 板 之 入 射 面 形 狀 決 定 成 凹 形 背 ιέ 1 ! 之 [ 狀 或 凸 形 狀 可 將 半 導 體 雷 射 之 激 起 光 大 量 射 入 光 學 性 導 板 >主 意 1 事 1 > 減 低 從 固 體 雷 射 媒 霣 倒 向 光 學 性 導 板 逆 行 的 激 起 光 之 光 項 再 1 填 1 量 • 可 將 半 導 體 雷 射 输 出 有 效 率 地 傳 送 至 固 體 雷 射 媒 質 0 % 本 装 1 依 照 另 一 發 明 之 半 導 體 激 起 固 醱 雷 射 裝 置 由 光 學 性 頁 s_- 1 i 導 板 所 射 出 之 激 起 光 均 被 吸 收 在 固 體 雷 射 媒 質 不 會 從 聚 光 1 1 器 向 外 部 洩 漏 t 可 將 半 導 醴 雷 射 输 出 有 效 率 地 傳 送 至 固 體 1 I 雷 射 媒 質 ΰ 訂 1 依 照 另 —· 發 明 之 半 導 體 瀲 起 固 體 雷 射 裝 置 * 將 半 導 體 1 | 雷 射 之 激 起 光 均 直 接 入 射 在 光 學 性 0 導 板 ί 而 由 光 學 性 導 1 I 板 將 激 起 光 在 固 髏 笛 射 之 媒 質 長 度 的 領 域 吸 收 9 可 將 半 導 1 1 泉 體 雷 射 输 出 有 效 率 地 傳 送 至 固 體 雷 射 媒 質 0 依 照 另 一 之 發 明 之 半 導 體 激 起 固 體 雷 射 装 置 » 入 射 於 1 i 光 學 性 導 板 内 部 之 激 起 光 1 偽 光 學 性 導 板 内 部 被 金 反 射 9 1 不 會 從 側 面 等 向 外 側 洩 漏 » 可 將 半 導 醴 雷 射 输 出 有 效 率 地 1 1 傳 送 至 固 體 雷 射 媒 質 0 1 依 照 % 一 發 明 之 半 導 體 激 起 固 醱 雷 射 装 置 ， 藉 由 光 馕 1 I 散 板 提 高 激 起 光 對 於 軸 方 向 之 均 勻 性 t 可 將 半 導 體 雷 射 輸 1 1 I 出 有 效 率 地 傳 送 至 固 體 雷 射 媒 質 〇 1 1 依 照 另 一 發 明 之 半 導 體 激 起 固 體 雷 射 装 置 苗 定 光 軸 1 ί 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Λ4坭格（2丨ϋ < 297公聲； 2 1 3 9 5 0 5 462138 A7 經濟部中央標苹局負工消費合作社印取 B7五、發明説明（22 ) 鴒離諏整用之高度間隔件，使半導體雷射所具有之半導體 雷射晶Μ與光學性導板之光軸槭離置能在被決定之誤差範 圔内，又苗定間隙諝整用之間隙間隔件，使半導賭雷射晶 片與光學性導板之光軸方向的間隙能在被決定之誤差範圍 内，成為使半導體射晶片與光源性導板之光軸镉離量，及 半導體笛射晶片與光學性導板之光軸方向的間陳均能在容 許誤差範圍内，依光軸镉差誤差及間隙誤差之結合損失抑 制成較少值，成為從半導體雷射晶片至光學性導板之光傳 送有效率地實行，可將半導钃雷射输出有效率地傳送至固 體雷射媒質， 依照另一發明之半導鳢激起固體雷射裝置，由於在封 裝本體之底部與光學性導板之保持構件之間配置高度間隔 件，因此，半導體雷射晶片與光學性導板之光軸軀差量在 容許誤差範圍内，而由在封裝本醱之前部與光學性導板之 保持構件之間配置間隙間隔件，因此，半導賭雷射晶片與 光學性導板光軸方向之間隙能在容許誤差範圍内，依光軸 鴒差誤差及間隙誤差之結合損失抑制成較少值，成為從半 導體雷射晶片至光學性導板之光傳送有效率地實行，可將 半導體雷射输出有效率地傅送至固醱雷射媒質。 依照S —發明之半導匾激起固體需射裝置，Μ間陳間 隔件支持光學性導板，該間隙間隔件轉由踫上於半導賭雷 射之封装本體，實行調整間隙使半導體雷射晶Η與光學性 導板之光軸方向的間陳能在容許誤差範園内，並在該間隙 間隔件與光學性導板之保持構件之間藉配設高度間隔件， 本紙張尺度適用中國阄家標準（CNS ) Α4規格（2丨Ο X 297公尨） n c λ c (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 装. -ιφ 泉 462138 A7 B7 五、發明説明（23 ) 使半導體雷射晶片與光學性導板之光軸《差量能在容許誤 經滴部中央標羋局負工消費合作社印鉍 成有射 座配導 ，陳 合板傳 本副定 -範向 差學效 制送雷 支位半 片間结 導地 装 置之置 差方誤 光有 抑傅體 副定 使圍的 之性率 封配板 配誤軸 陬至出 失光固 在之 ，範方 差學效 在位 導位 許光 間片输 損之至 ，板置差雙誤光有 ，定性 定容之 及晶射 合板送 置導 配誤軸 隙至出 置部學 之在板 差射當 結導傳 装性位 許光 間片輪 裝置光 方能導 誤雷體 之性地 射學定容之 及晶射 射 配的雙 置 性差體 導 差學率 雷光之在板差射雷 雷 位部該 離學 Μ 導半 誤光效 體在方能導誤雷體 《定差由 «光軸半將 陳至有 固而 雙置性 差體導 固之段 S 軸與 光從可 間 Η 出 起 該離學偏 導半 起座 Η, 光片依為， 及晶輸 激座藉鴒光軸 半將 激支加板之晶 ，成行 差射射 體支 -軸與光從可 髏副械導 板射内 -實 。 誤雷雷 導副板光片 依為 ， 導的機性導雷圍值地質 差體體 半置導之晶 ，成行 半部經學 性體範少率媒 偏導導 之配性 板射内 ，實 。之 差體光 學導差 較效射 軸半半 明位學 導雷圍 值地霣 明 段本置 光半誤 成有雷 光從將 發定光性 體範少 率媒發之裝 S 與使許制送體 依為可 一部置學導差 較效射 一I封位片 -容抑傳固 , 成 ， 另置配光半誤成有雷另加在定晶時在失光至 内 ，s 照配位與使許制送 fi 照械又部«同能損 之送 圍值地 。依 位定片 ，容抑 傅固依 機 ，置導 ，陳合 板傳 範少率質 定部晶時在失光至 經座配半内間結導地 差較效媒 之置體同能損之送 體支位使圍的之性率 ί __· nnt I I - I Jn ml ..... f-J— — Ξι I — - i- - .......' t— 一 1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙乐尺度適用中國國家標字-(CNS ) Λ4規格（2丨0X2W公韙） 23 3 9 5 0 5 462138 A7 B7 五、發明説明（24 ) 另裝 照封 依與 撞 nflH 本 度 強 持 保 另 照 依 接 黏 是 或 劑 墊 襯 板 導 光 的 起 引 所 體裝發 ， ，性 間發比 性 蓋又一劑劑學時 一 率學 裝之 封板 由導 藉性 , 學 置光 裝高 射提 tdD * 體板 固導 起性 激學 體光 導持 半保 之入 明夾 發 墊 〇 襯 間著 時隔 配 ， 裝置 短裝 缩射 可雷 , 體 易固 容起 為激 成體 配導 裝半 之之 置明 性量 學力 光人 持夾 保因 人止 夾防 體 ， 蓋材 裝衝 封缓 與為 體作 本用 装作 封劑 由接 «黏 易 容 為 成 配 裝 之 置 裝 此 由 〇 壞 損 之 板 導 黏 或 0 塾 置 裝 射 雷 體 固 起 激 體 導 半 之 明 間 時 配另 装照 短依 缩 可 明 〇 銳 射 光率蜇 折從效商 之 制送之 剤抑傳式 接性光臞 特低 性 降 學制 光抑 該 -由失 藉損 , 獮 小洩 率之 射光 折的 之部 板面 導側 性之 學板 光導 之 置 裝 射 笛 體 固 起 激 醴 導 半 的 明 發 本 依 示 表 係 ffl 第 圈 面 正 的 1X 態 形 施 實 第第 2 3 之 置 装 射 〇 雷 圖體 面固 剖起 的激 Ϊ I 體 I-導 [ 半 的 明 發 第本 於依 示 示 表表 俱偽 _ 圖 線 之 圈 C請先閱讀背面之注意事項再填寫本I) 經濟部中央標革局貝工消费合作社印裝 之 置 裝 射 C 雷 圓體 面固 正起 的激 時醱 狀導 形半 凹的 為明 狀發 形本 面依 射 示 入表 中你 1圖 態 4 形第 施 實 之 置 裝 射 〇 雷 圖體 面固 正起 的激 時體 狀導 形半 凸的 為明 狀發 形本 面依 射 示 入表 中偽 1 画 態 5 形第 施 實 之 置 装 射 雷 if 固 起 激 體 導 半 的 明 發 〇 本 圔依 面 示 正表 的你 2圖 ® 6 形第 施 實 圖 面 正 的 3 態 形 施 寊 本紙張尺度適用中國阐家標隼（CNS ) Λ4規格（2ΙΟΧ291公釐） 3 9 5 0 5 4 6 213 8 A7 B7五、發明説明（25 ) 第7匾偽表示依本發明的半導體激起固醴雷射装置之 之 置 裝 射 雷 0 固 起 激 醴 導 半 的 明 發 〇 本 圖依 面示 平表 的像 «3圖 態 0〇 形第 施 寘 之 置 裝 射 雷 體 固 起 激 腥 導 半 的 明 〇 發 圖本 面依 正 示 正表 的傜 4圖 態 9 形第 施 實 圏 面 正 的 的 明 發 第本 於依 示示 表表 换愾 圖圖 態1011 形第第 施 實 之 _ 9
之 置 裝 射 雷 〇 體 圖固 大起 放激 的體 分導 部半 A 國 面 正 的 之 置 裝 射 雷 體 固 起 激 體 導 半 之的 圖明 11發 第本 於依 示 示 表表 偽像 圖圃 態1213 形第第 施 » 圖 大 放 的 分 部 (請先閱讀背面之注意事項再填』Η本頁) 装- 圖 面 正 的 7 態 形 施 實 圖 大 放 的 分 部 面 正 的 置 装 射 雷 整 ΑΗΡ 固 起 激 辑 之導 ΙΒ半 13之 第往 於以 示 示 表表 偽偽 圖圖 4 5 1Χ 11 第第 丁 ，-β 圔 經濟部中央橾隼局Μ工消资合作社印裝 画差差 15誤誤 第下陳 於上間 示依依 表 示 示 依表表 圖 圖η 6 7 8 1i 11 M few 明 說 ΓΝ 霣 媒 射 體 固 射 雷 體 導 半 3 板 導 性 學 光 器 光 聚 層 » 塗 射 反 全 線 之 圆 面 剖 的 表 圖 的 性 持 失 損 合 结 之 表 圃 的 性 待 失 損 合 結 之 本紙張尺度適用中國阎家標準（CNS ) Λ4規格（210X29?公釐） 25 3 9 5 0 5 462138 A7 B7 五、發明説明（26 )11 光擴散板 質 媒 射 a*Tn 裡 固 11 2 f? 笛 體 導 半 板 導 性 學 光 5 2 管 睡 流 13 5 3 3 3 片 晶 雷 器體 光導 聚半 座 支 πν 畐 鼉 本 装 封 部部 差差 段段 一 二 第第 醱 蓋 裝 封 7 3 件 構 持 保 板 導 性 學 光 (讀先閱讀背面之注意事項再填巧本頁) 装 訂 1 3 5 5 件 0 間 隙 間 形 件 隔 間 度 高 件件 隔隔 間 間 隙度 間髙 5 7 5 5 經濟部中央標羋局負工消費合作社印掣 層 Β 緩 本紙张尺度適用中國國家漂準（CNS ) Α4規格（2】Οχ_π7公釐） 26 3 9 5 0 5