JPH07202332A - 半導体レーザ素子および固体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ素子および固体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH07202332A JPH07202332A JP33406293A JP33406293A JPH07202332A JP H07202332 A JPH07202332 A JP H07202332A JP 33406293 A JP33406293 A JP 33406293A JP 33406293 A JP33406293 A JP 33406293A JP H07202332 A JPH07202332 A JP H07202332A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】複数の発光点を有する半導体レーザバーを高効
率で冷却し、高出力が得られるようにする。そしてその
ような半導体レーザ素子を励起光源として小形、高出力
で安価な固体レーザ装置を得る。 【構成】レーザバーユニットの中を絶縁性液体冷媒を流
し、レーザバーに直接接触させることにより、レーザ素
体から、あるいはその近傍から熱を除去することができ
るので、高効率冷却が可能になる。冷媒には、例えばふ
っ化炭素を用いる。
率で冷却し、高出力が得られるようにする。そしてその
ような半導体レーザ素子を励起光源として小形、高出力
で安価な固体レーザ装置を得る。 【構成】レーザバーユニットの中を絶縁性液体冷媒を流
し、レーザバーに直接接触させることにより、レーザ素
体から、あるいはその近傍から熱を除去することができ
るので、高効率冷却が可能になる。冷媒には、例えばふ
っ化炭素を用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数の発光点を有する
半導体レーザ素子およびそのような半導体レーザを励起
源とする固定レーザ装置に関する。
半導体レーザ素子およびそのような半導体レーザを励起
源とする固定レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ (以下ＬＤと略記する)
は、共振器自体が１ｍｍ以下の微細な半導体チップで構
成されるため、他の固体レーザや気体レーザと比較して
極めて小形であること、電気−光変換効率が５０％にも
達し非常に高効率であることなどの特徴がある。周知の
ごとくＬＤは、長距離光通信等の情報分野あるいはコン
パクトディスク等の音響製品に広く用いられている。
は、共振器自体が１ｍｍ以下の微細な半導体チップで構
成されるため、他の固体レーザや気体レーザと比較して
極めて小形であること、電気−光変換効率が５０％にも
達し非常に高効率であることなどの特徴がある。周知の
ごとくＬＤは、長距離光通信等の情報分野あるいはコン
パクトディスク等の音響製品に広く用いられている。
【０００３】一方、最近ではＬＤの高出力化が進み、Ｌ
Ｄをレーザはんだ付けに用いたり、ＹＡＧ等の固体レー
ザ媒質の励起光源として使用するなど、ＬＤ光のパワー
を利用する応用分野も広がってきた。単一の発光点を有
するＬＤでは出力に限界があるため、このような目的に
は、高出力ＬＤは多数の発光点を持つＬＤバーとして製
作されることが多い。高出力ＬＤの最大の課題は冷却方
法である。例えば典型的なＬＤバーの底面積は0.０５ｃ
ｍ×１ｃｍ＝0.０５ｃｍ2 であり、１０Ｗの熱をこの面
を通して除去する場合、熱流密度２００Ｗ／ｃｍ2 の高
効率冷却が必要になる。冷却の善し悪しはＬＤの平均パ
ワーと発光点密度に関係する。特に複数のＬＤバーを集
積して２次元平面発光素子を製作する場合、発光点の密
度を大きくし、かつ平均出力を上げるためには、冷却効
率の向上が不可欠となる。
Ｄをレーザはんだ付けに用いたり、ＹＡＧ等の固体レー
ザ媒質の励起光源として使用するなど、ＬＤ光のパワー
を利用する応用分野も広がってきた。単一の発光点を有
するＬＤでは出力に限界があるため、このような目的に
は、高出力ＬＤは多数の発光点を持つＬＤバーとして製
作されることが多い。高出力ＬＤの最大の課題は冷却方
法である。例えば典型的なＬＤバーの底面積は0.０５ｃ
ｍ×１ｃｍ＝0.０５ｃｍ2 であり、１０Ｗの熱をこの面
を通して除去する場合、熱流密度２００Ｗ／ｃｍ2 の高
効率冷却が必要になる。冷却の善し悪しはＬＤの平均パ
ワーと発光点密度に関係する。特に複数のＬＤバーを集
積して２次元平面発光素子を製作する場合、発光点の密
度を大きくし、かつ平均出力を上げるためには、冷却効
率の向上が不可欠となる。
【０００４】このような高効率冷却を目的とする２次元
ＬＤ素子の冷却構造の例を図２および図３に示す。図２
はＬＤバーユニットの斜視図である。ＬＤバー１はレー
ザ光が図の右下に出射されるようにマウントされ、カソ
ード２とアノードを兼ねた熱拡散板３に挟まれている。
中継板４はカソード２とボンディングされる導線５で接
続されている。このようなＬＤバーユニット７を積層す
る場合、この中継板４が上に積まれたＬＤバーユニット
の熱拡散板３と接触する。中継板４と熱拡散板３との間
およびカソード２と熱拡散板３との間には絶縁板６が挿
入されている。図３は複数のＬＤバーユニット７が積層
された状態を示している。中継板４は隣のＬＤバーユニ
ット７の熱拡散板３に接触し、積層されたＬＤバー１全
体は直列に結合されている。積層ＬＤは絶縁板８を介し
てヒートシンク９上にマウントされ、ヒートシンク９が
水１０で冷却される構造となっている。
ＬＤ素子の冷却構造の例を図２および図３に示す。図２
はＬＤバーユニットの斜視図である。ＬＤバー１はレー
ザ光が図の右下に出射されるようにマウントされ、カソ
ード２とアノードを兼ねた熱拡散板３に挟まれている。
中継板４はカソード２とボンディングされる導線５で接
続されている。このようなＬＤバーユニット７を積層す
る場合、この中継板４が上に積まれたＬＤバーユニット
の熱拡散板３と接触する。中継板４と熱拡散板３との間
およびカソード２と熱拡散板３との間には絶縁板６が挿
入されている。図３は複数のＬＤバーユニット７が積層
された状態を示している。中継板４は隣のＬＤバーユニ
ット７の熱拡散板３に接触し、積層されたＬＤバー１全
体は直列に結合されている。積層ＬＤは絶縁板８を介し
てヒートシンク９上にマウントされ、ヒートシンク９が
水１０で冷却される構造となっている。
【０００５】ＬＤバー冷却構造の他の例を図４に示す。
ＬＤバー１をマウントして冷却する部分は、シリコン板
３１、シリコン板３２およびガラススペーサ３３で構成
される。シリコン板３１、３２には冷却水が流通する微
細な流路、マイクロチャンネル３４および整流溝３５が
形成されている。図に示すように、ガラススペーサ３３
をシリコン板３１、３２で挟むように積層され、シリコ
ン板３１の上にＬＤバー１が、長手方向を紙面に垂直に
してマウントされる。図５はシリコン板３１の下面図、
図６はシリコン板３２の上面図を示す。冷却水入口３６
から溝３７を通ってマイクロチャンネル３４に入った水
１０は、マイクロチャンネル３４の先端３で行ったのち
ガラススペーサ３３の貫通口３８を通り、シリコン板３
１のマイクロチャンネル３４より太いシリコン板３２の
整流溝３５に入り、溝３９により冷却水入口３６の反対
側に明けられた冷却水出口４０へ排出される。
ＬＤバー１をマウントして冷却する部分は、シリコン板
３１、シリコン板３２およびガラススペーサ３３で構成
される。シリコン板３１、３２には冷却水が流通する微
細な流路、マイクロチャンネル３４および整流溝３５が
形成されている。図に示すように、ガラススペーサ３３
をシリコン板３１、３２で挟むように積層され、シリコ
ン板３１の上にＬＤバー１が、長手方向を紙面に垂直に
してマウントされる。図５はシリコン板３１の下面図、
図６はシリコン板３２の上面図を示す。冷却水入口３６
から溝３７を通ってマイクロチャンネル３４に入った水
１０は、マイクロチャンネル３４の先端３で行ったのち
ガラススペーサ３３の貫通口３８を通り、シリコン板３
１のマイクロチャンネル３４より太いシリコン板３２の
整流溝３５に入り、溝３９により冷却水入口３６の反対
側に明けられた冷却水出口４０へ排出される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図２、図３に示した従
来技術では、冷却性能は熱拡散板３の熱抵抗をいかに小
さくするかにかかっている。ところが熱抵抗を下げよう
として熱拡散板３の厚みを大きくすると、ＬＤバーの間
隔が大きくなり、２次元発光素子としての単位面積当た
りの光出力、すなわちパワー密度が小さくなってしま
う。また単一のＬＤバーとして用いる場合も、出力を大
きくしようとして熱拡散板３を大きくすると素子が大き
くなるという不都合を生じる。
来技術では、冷却性能は熱拡散板３の熱抵抗をいかに小
さくするかにかかっている。ところが熱抵抗を下げよう
として熱拡散板３の厚みを大きくすると、ＬＤバーの間
隔が大きくなり、２次元発光素子としての単位面積当た
りの光出力、すなわちパワー密度が小さくなってしま
う。また単一のＬＤバーとして用いる場合も、出力を大
きくしようとして熱拡散板３を大きくすると素子が大き
くなるという不都合を生じる。
【０００７】図４、図５、図６に示した従来技術のマイ
クロチャンネル構造は、熱除去能力に優れているため、
ＬＤバーの間隔を小さくできて、パワー密度を大きくす
ることができるし、単一のＬＤバーとしても大出力が得
られる。ところがマイクロチャンネル構造の製作には手
間がかかり、製作コストの上昇を招く結果となる。本発
明の第一の目的は、安価で冷却性能の高いＬＤ冷却方法
によってパワー密度の高いＬＤ素子を提供することにあ
る。
クロチャンネル構造は、熱除去能力に優れているため、
ＬＤバーの間隔を小さくできて、パワー密度を大きくす
ることができるし、単一のＬＤバーとしても大出力が得
られる。ところがマイクロチャンネル構造の製作には手
間がかかり、製作コストの上昇を招く結果となる。本発
明の第一の目的は、安価で冷却性能の高いＬＤ冷却方法
によってパワー密度の高いＬＤ素子を提供することにあ
る。
【０００８】本発明の第二の目的は、安価で冷却性能の
高いＬＤ冷却方法によって小形で高出力かつ安価な固定
レーザ装置を提供することにある。
高いＬＤ冷却方法によって小形で高出力かつ安価な固定
レーザ装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、第一の本発明は、複数の発光点を有する半導体レ
ーザ素子において、半導体レーザ素体に絶縁性液体冷媒
が直接接触するものとする。第二の本発明は、複数の発
光点を有する半導体レーザ素子を励起光源とする固体レ
ーザ装置において、半導体レーザ素体に絶縁性液体冷媒
が直接接触するものとする。絶縁性液体冷媒がふっ化炭
素であることが有効である。
めに、第一の本発明は、複数の発光点を有する半導体レ
ーザ素子において、半導体レーザ素体に絶縁性液体冷媒
が直接接触するものとする。第二の本発明は、複数の発
光点を有する半導体レーザ素子を励起光源とする固体レ
ーザ装置において、半導体レーザ素体に絶縁性液体冷媒
が直接接触するものとする。絶縁性液体冷媒がふっ化炭
素であることが有効である。
【００１０】
【作用】絶縁性液体冷媒が直接ＬＤ素体に接触すること
により、ＬＤ素体から直接、あるいはＬＤ素体の近傍か
ら熱を除去することができる。また放熱面積も大きくと
れる。したがって高効率冷却が可能となる。また構造が
簡単なため、製作コストも安くできる。
により、ＬＤ素体から直接、あるいはＬＤ素体の近傍か
ら熱を除去することができる。また放熱面積も大きくと
れる。したがって高効率冷却が可能となる。また構造が
簡単なため、製作コストも安くできる。
【００１１】
【実施例】以下、図３ないし図６を含めて共通の部分に
同一の符号を付した図を引用して本発明の実施例につい
て説明する。図１に示す第一発明の第一の実施例では、
図２と同様の構造のＬＤバーユニット７が隔壁１１を介
して積層されている。各ＬＤバー１から出射されたレー
ザ光はマイクロアレイレンズ１２で平行光にコリメート
される。マイクロアレイレンズ１２は積層されたレーザ
バーユニットを収納する容器の蓋の役割も果たしてお
り、Ｏリング１３を介して容器に取りつけられている。
注入口１４から注入された液体冷媒１５、例えばふっ化
炭素は、図中の矢印のように、隔壁１１の流通口１６を
通って、各ＬＤバーユニット７の先端を迂回して流れ、
この図には示していない流出口から流出する。
同一の符号を付した図を引用して本発明の実施例につい
て説明する。図１に示す第一発明の第一の実施例では、
図２と同様の構造のＬＤバーユニット７が隔壁１１を介
して積層されている。各ＬＤバー１から出射されたレー
ザ光はマイクロアレイレンズ１２で平行光にコリメート
される。マイクロアレイレンズ１２は積層されたレーザ
バーユニットを収納する容器の蓋の役割も果たしてお
り、Ｏリング１３を介して容器に取りつけられている。
注入口１４から注入された液体冷媒１５、例えばふっ化
炭素は、図中の矢印のように、隔壁１１の流通口１６を
通って、各ＬＤバーユニット７の先端を迂回して流れ、
この図には示していない流出口から流出する。
【００１２】図７は、第一発明の第二実施例を示す。こ
の実施例では、熱拡散板３が隔壁の役割も果たしてい
る。各ＬＤバー１周辺に独立した流路１７が形成され、
冷媒１５は、この図には示していない分配口からこれら
の流路に注入され、紙面に垂直に流れてＬＤバー１を冷
却する。図８は、第二発明の第一の実施例を示す。ここ
で、Ｎｄ：ＹＡＧロッド２０は、冷却ジャケット２１を
貫通するように取りつけてある。励起光２２は第一発明
によるＬＤ投光器１８から発せられ、レンズ２３で集光
されてＮｄ：ＹＡＧロッド２０に注入される。レンズ２
３は、励起光に対しては入出射面とも無反射 (ＡＲ) コ
ーティングが施されているが、面２４はＹＡＧレーザ光
に対して高反射 (ＨＲ) コーティングが施されており、
この面２４と出力ミラー２５との間でＹＡＧレーザ光が
発振する。ＹＡＧおよびＬＤ冷却用−次冷媒15は共通
で、循環ポンプ２６を出た後、熱交換器２７、ＬＤ投光
器１８を通って、ＹＡＧ冷却ジャケットの入口２８から
ジャケット内の空間２９に入ってＹＡＧロッド２０を冷
却した後、ジャケット出口４１から流出する。熱交換器
２７には二次冷媒として水道水１０が注入され、一次冷
媒１５を冷却する。
の実施例では、熱拡散板３が隔壁の役割も果たしてい
る。各ＬＤバー１周辺に独立した流路１７が形成され、
冷媒１５は、この図には示していない分配口からこれら
の流路に注入され、紙面に垂直に流れてＬＤバー１を冷
却する。図８は、第二発明の第一の実施例を示す。ここ
で、Ｎｄ：ＹＡＧロッド２０は、冷却ジャケット２１を
貫通するように取りつけてある。励起光２２は第一発明
によるＬＤ投光器１８から発せられ、レンズ２３で集光
されてＮｄ：ＹＡＧロッド２０に注入される。レンズ２
３は、励起光に対しては入出射面とも無反射 (ＡＲ) コ
ーティングが施されているが、面２４はＹＡＧレーザ光
に対して高反射 (ＨＲ) コーティングが施されており、
この面２４と出力ミラー２５との間でＹＡＧレーザ光が
発振する。ＹＡＧおよびＬＤ冷却用−次冷媒15は共通
で、循環ポンプ２６を出た後、熱交換器２７、ＬＤ投光
器１８を通って、ＹＡＧ冷却ジャケットの入口２８から
ジャケット内の空間２９に入ってＹＡＧロッド２０を冷
却した後、ジャケット出口４１から流出する。熱交換器
２７には二次冷媒として水道水１０が注入され、一次冷
媒１５を冷却する。
【００１３】図９は、第二発明の第二の実施例を示す。
この実施例では、Ｎｄ：ＹＡＧとして板状の結晶 (スラ
ブ) ３０を用いる。また積層ＬＤブロック４２は、図に
示すようにキャビティ４３の内部にスラブ３０に接近し
てとりつけられている。すなわちこの実施例では、第一
発明の第一、第二の実施例、第二発明の第二の実施例で
示したようなマイクロアレイレンズ等は使用せず、ＬＤ
から出た励起光は直接ＹＡＧスラブ３０に入射する。ま
たスラブ３０で吸収されなかった光は、反射板４４で反
射されて再びスラブ３０に入射する構造となっている。
冷媒の循環系は第一実施例と同様である。レーザ光は、
全反射ミラー４５と出力ミラー３５との間で発振する。
この実施例では、Ｎｄ：ＹＡＧとして板状の結晶 (スラ
ブ) ３０を用いる。また積層ＬＤブロック４２は、図に
示すようにキャビティ４３の内部にスラブ３０に接近し
てとりつけられている。すなわちこの実施例では、第一
発明の第一、第二の実施例、第二発明の第二の実施例で
示したようなマイクロアレイレンズ等は使用せず、ＬＤ
から出た励起光は直接ＹＡＧスラブ３０に入射する。ま
たスラブ３０で吸収されなかった光は、反射板４４で反
射されて再びスラブ３０に入射する構造となっている。
冷媒の循環系は第一実施例と同様である。レーザ光は、
全反射ミラー４５と出力ミラー３５との間で発振する。
【００１４】図１０(a) 、(b) は第二発明の第三の実施
例で、図(b) は(a) のＡ−Ａ線断面図、図(a) は(b) の
Ｂ−Ｂ線断面図である。この実施例では、第一実施例と
同様にＮｄ：ＹＡＧロッド２０を用いる。Ｎｄ：ＹＡＧ
ロッド２０は、キャビティ４３を貫通してとりつけてあ
り、その周辺のヒートシンク４６にＬＤバーユニット７
が放射状に取りつけてある。ＹＡＧレーザ光は全反射ミ
ラー４５と出力ミラー２５との間で発振する。この実施
例でも励起光を集光するためのレンズは用いず、ＬＤか
ら出た光は直接Ｎｄ：ＹＡＧロッド２０に入射する。冷
媒循環系は第一、第二の実施例と同様で、一次冷媒は冷
媒入口２８からキャビティ４３内に入り、Ｎｄ：ＹＡＧ
ロッド２０とＬＤバーユニット７を冷却した後、冷媒出
口４１から外にでる。
例で、図(b) は(a) のＡ−Ａ線断面図、図(a) は(b) の
Ｂ−Ｂ線断面図である。この実施例では、第一実施例と
同様にＮｄ：ＹＡＧロッド２０を用いる。Ｎｄ：ＹＡＧ
ロッド２０は、キャビティ４３を貫通してとりつけてあ
り、その周辺のヒートシンク４６にＬＤバーユニット７
が放射状に取りつけてある。ＹＡＧレーザ光は全反射ミ
ラー４５と出力ミラー２５との間で発振する。この実施
例でも励起光を集光するためのレンズは用いず、ＬＤか
ら出た光は直接Ｎｄ：ＹＡＧロッド２０に入射する。冷
媒循環系は第一、第二の実施例と同様で、一次冷媒は冷
媒入口２８からキャビティ４３内に入り、Ｎｄ：ＹＡＧ
ロッド２０とＬＤバーユニット７を冷却した後、冷媒出
口４１から外にでる。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、絶縁性液体冷媒を直接
ＬＤ素体に接触させることにより、安価で熱除去能力の
高いＬＤ冷却が可能になり、パワー密度の高いＬＤ発光
素子を得ることができる。そして、そのような方法を用
いることにより励起用ＬＤの冷却性能を高めて、小形で
高出力かつ安価なＬＤ励起の固体レーザ装置を得ること
ができる。
ＬＤ素体に接触させることにより、安価で熱除去能力の
高いＬＤ冷却が可能になり、パワー密度の高いＬＤ発光
素子を得ることができる。そして、そのような方法を用
いることにより励起用ＬＤの冷却性能を高めて、小形で
高出力かつ安価なＬＤ励起の固体レーザ装置を得ること
ができる。
【図１】第一発明の第一の実施例の要部断面図
【図２】従来のＬＤバーユニットの斜視図
【図３】従来のＬＤ２次元発光素子の要部断面図
【図４】従来のＬＤバー冷却構造の別の例を示す要部断
面図
面図
【図５】図４の上部シリコン板の下面図
【図６】図４の下部シリコン板の上面図
【図７】第一発明の第二の実施例の要部断面図
【図８】第二発明の第一の実施例の要部断面図
【図９】第二発明の第二の実施例の要部断面図
【図１０】第二発明の第三の実施例を示し、(a) は(b)
のＢ−Ｂ線断面図、(b) は(a) のＡ−Ａ線断面図
のＢ−Ｂ線断面図、(b) は(a) のＡ−Ａ線断面図
１ ＬＤバー ３ 熱拡散板 ４ 中継板 ５ 導線 ６ 絶縁板 ７ ＬＤバーユニット １１ 隔壁 １２ マイクロアレイレンズ １４ 注入口 １５ 液体冷媒 １７ 流路 １８ ＬＤ投光器 ２０ Ｎｄ：ＹＡＧロッド ２１ 冷却ジャケット ２５ 出力ミラー ２９ 内部空間 ３０ Ｎｄ：ＹＡＧスラブ ４３ キャビティ ４４ 反射板 ４５ 全反射ミラー
Claims (4)
- 【請求項１】複数の発光点を有するものにおいて、半導
体レーザ素体に絶縁性液体冷媒が直接接触することを特
徴とする半導体レーザ素子。 - 【請求項２】絶縁性液体冷媒がふっ化炭素である請求項
１記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項３】複数の発光点を有する半導体レーザ素子を
励起光源とするものにおいて、半導体レーザ素体に絶縁
性液体冷媒が直接接触することを特徴とする固体レーザ
装置。 - 【請求項４】絶縁性液体冷媒がふっ化炭素である請求項
３記載の固体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33406293A JPH07202332A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体レーザ素子および固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33406293A JPH07202332A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体レーザ素子および固体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07202332A true JPH07202332A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=18273084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33406293A Pending JPH07202332A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体レーザ素子および固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07202332A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6038244A (en) * | 1997-06-26 | 2000-03-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor excitation solid-state laser apparatus |
| KR20000051917A (ko) * | 1999-01-27 | 2000-08-16 | 송순달 | 구리 이온 레이저 |
| JP2003037325A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光モジュール及び発光モジュールの組み立て方法 |
| US6850549B2 (en) | 2001-07-24 | 2005-02-01 | Fanuc Ltd. | Light source device for pumping solid-state laser medium |
| US7680171B2 (en) | 2007-02-13 | 2010-03-16 | Panasonic Corporation | Semiconductor laser device, and image display device |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP33406293A patent/JPH07202332A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6038244A (en) * | 1997-06-26 | 2000-03-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor excitation solid-state laser apparatus |
| KR20000051917A (ko) * | 1999-01-27 | 2000-08-16 | 송순달 | 구리 이온 레이저 |
| US6850549B2 (en) | 2001-07-24 | 2005-02-01 | Fanuc Ltd. | Light source device for pumping solid-state laser medium |
| JP2003037325A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光モジュール及び発光モジュールの組み立て方法 |
| US7680171B2 (en) | 2007-02-13 | 2010-03-16 | Panasonic Corporation | Semiconductor laser device, and image display device |
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