TW458836B - Diamond or gemstone marking - Google Patents

Description

45 88 A7 B7 經濟部中央揉準局員工消费合作社印製 五、發明説明（1 ) 本發明之背景 本發明有關於用以標記鑽石或其他寶石之表面之方法 及裝置。此標記可以是任何標記，但本發明係特別地但非 絕對地導向於對鑽石施加資料標記。此鑽石，例如，可能 是工業用鑽石，諸如一佈線圖模，雖然如此，但本發明實 際上有意於標記寶石鑽石，以及特別是用以施加一標記， 當此標記可以應用於寶石之磨光小面而不減其透明等級時 ’此標記係肉眼不可見或對使用小型放大鏡xl0(此係珠寶 商所使用者）之眼不可見者。 此標記可以用來藉編號或作為品牌或品質標記，獨特 地驗證此寶石’但它不應有減於此石之償值或外觀，並應 適當地不展示灰暗。 有標記之本質之詳細說明，它可以被應用於wo_ 97/03846號專利案中’其中此標記係藉紫外線雷射光之使 用一投影掩模者幅射一鑽石寶石而應用。 要產生改進解析度及可見度於使用適當之放大及照明 狀況來觀察時係普遍地理想，此標記係如此，即它並不有 減於此鑽石或其他寶石之價值及外觀。 本發明概述 依照本發明之第一觀點，特提供有在一鑽石或寶石之 表面上形成一標記之方法，此標記包含一個或多個希臘字 母記號或類似者，包含形成多個槽在鑽石或寶石之表面上 之步驟’此標記係如此，即它不能由肉眼所讀取，此槽在 某一預定之光線狀況下產生一可見衍射效果，因此該標記 ----------裝— (請先閲讀背面之注i項>填寫本頁) 訂 線 本紙乐尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 4 經濟部中央標隼局負工消費合作社印製 A7 ________B7 五、發明説明（2 ) 可以在_定預定之放大狀況下讀取。 亦依照本發明之第一觀點，提供有一裝置用以實施上 文提及之方法。本發明另延伸至一鑽石或寶石之業已由上 文提及之方法所標記者。 依照本發明之第二觀點，提供有形成—標記在一鑽石 或寶石之表面上之方法，包含形成多個槽在此鑽石之表面 上之步驟，該等槽在一定預定之照明狀況下產生一可見衍 射效果而沒有危害性地影響此錢石或寶石之透明等級。 亦依照本發明之第二觀點，特提供有用以實施上文提 及之方法之裝置。本發明另延伸至業已以上文提及之方法 所標記之鑽石或寶石。 槽之深度愈大，當觀察時標記將更可見。此槽應該是 適當之深度’俾使此標記係在適當之觀察情況下高度地可 見，但不是如此地深度使得鑽石或其他寶石之透明等級係 危害性地受到影樂。在一較佳實施例中，每一槽係不小於 10毫微米深及/或不大於50毫微米深而沒有使灰暗之跡象 。一特定之範例可以是大約30毫微米》 此槽可以是平行線之形態，或者甚至多個交叉槽形成 交叉線條圊形，耽視所要之效果而定。 雖然標記可以使用任何適用方法實施，例如，具有激 元雷射之蝕刻或電漿蝕刻，標記係適當地使用一離子束來 實施’以及最適當地以一聚焦離子束直接地書寫在鑽石表 面上。藉限制劑量，碳原子之濺散可以避免，濺散造成直 接物質移除’此將能使一標記以一控制之深度和解析度予 本紙張尺度通用中國國家揉隼（CNS ) A4現格（210 X297公釐） ^*--ΪΓ------^ (請先聞讀背面之注意事項4填寫本頁) 鯉濟部中央橾準局員工消費合作杜印製 883 6 A7 _______B7 五、發明説明（3 ) 以應用。典型地鎵離子可以使用，但其他適用離子之光束 亦可選擇性地使用。 吾人曾料想到每一入射離子自其場地移位若干碳原子 以產生鑽石晶體中填隙和空位。當被破壞量（晶體格陣混 亂）增加時即有一種趨向讓鑽石sp3(單相立方）結合由石墨 似之sp2(單相立方）結合所取代。這些結合可以由化學蝕刻 所攻擊以移除混亂層。藉限制劑量並保持適當足夠之劑量 *此入射離子造成混亂，它變換鑽石為一似石墨或其他非 鑽石結構，它可以例如藉使用一強力氧化劑，諸如通化硝 酸鉀者，在大約380至550攝氏溫度下予以清洗至幾分鐘至 幾小時之時間· 硝酸鉀之使用在移除不規則鑌石上經發現較其他熟知 方法來得更有效，因此可讓一指定深度之標記以較低之離 子劑量產生》 其他適用之氧化劑可以是化之化合物諸如鹼金屬鹽 ;化合物呈XnYm之形態，此處X族可以是Li+、Na+、K+ 、Rb+、Cs+或其他陽離子，以及Y族可以是0Η·、Ν03-、022· ' Ο2·、C032·或其他陰離子，整數η和m使用來保持電荷平 衡。此類化合物之混合物亦可使用。空氣或其他含氧氣體 亦可呈現。 作為一選擇，鑽石之此不規則層可以使用酸或硝酸_ 化入酸中而移除。不過，例如 化硝酸鉀之使用消除酸 煙氣。此外，已用過酸之棄置之需要係消除，藉以給予安 全環保及經濟效益。 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) M規格（210X297公釐） ----------¢----.--π------^ (請先閱讀背面之注意事項4填寫本頁) 45 8B3 6 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 A7 B7 五、發明説明（4 ) 吾人要求將鑽石表面上由離子光束所侵害之不規則之 深度減至最小。不規則之深度係以離子之範圍來測定。對 50keV鎵而言，此一範圍係大約3〇毫微米。最少劑量可以 是大約1013/cm2，並係適當地是大約i〇14/cm2至i〇i5/cm2， 或者甚至高至大約1017/cm2。不過，此劑量枕視正被使用 之離子以及其能量（如以keV計量者）而定。此離子光束劑 量係在同一表面區每單元區入射離子之總數於標記之時。 此光束電流可以是大約0.5 nA，以及此光束能量不少於大 約10keV或大約30keV，以及/或不大於大約l〇〇keV或大約 50keV。 吾人業經發現，即如果標記之深度係為一串聯之不同 光東能量依靠離子光束計量而標繪者，則標記之深度隨光 束能量之增加而增大。標記之特徵可以藉選擇自劑量/能 量組合而使之最佳’那將造成理想之標記之深度。 形成此標記之前’要予以標記之區域，以及/或周圍 區域，可以敷塗以一電導層，例如金，俾使電連接裝置可 以在離子光束標記之前可以裝設，以防止充電。此金之厚 度’或其他塗層改變標記隨光束能量之深度之變化，並因 此可以被選擇以使所產生之標記最佳。不過，吾人寧可以 一例如自一電子浸沒搶之低電子能源來照射要予標記之區 域（例如，大約l-l〇0eV)於標記處理中以防止充電。 如果一聚焦之離子光束係用來以形成此多條槽時，此 方法之精確度係如此，即沒有屏蔽係須要；此離子光束係 直接地應用於鑽石之表面於槽係次要予以形成之位置。不 本紙張尺度適^^辟（CNS ) A娜（2獻297公釐） ----------^----.--ΤΓ------0 (請先聞讀背面之注意事項7填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 G 88 3 6 Α7 Β7 五、發明説明（5 ) 過，如此其他，形成此槽之次精確之方法係被使用時，那 麼即可能必須要屏蔽形成槽之間之區域以避免其亦被標記 〇 依照本發明之第三觀點*特提供一用以觀察形成在一 鑽石上之標記之裝置，而此標記係使用本發明之第一或第 二觀點之方法所形成者，此裝置包含照明裝置用以以導向 燈成一角度地照明此標記，此角度相當於一預定波長或波 長帶之光線之衍射角，觀察裝置用以觀察此標記，以及放 大裝置用以放大標記之觀察影像。本發明亦延伸至觀察相 當於上文所界定之裝置之標記之方法》 此標記係依靠一深暗背景而適當地觀察，亦即較恰當 者即此照明光係大體上經防止其通過此石而反射並直接地 呈現於後面或接近此標記。對精於此技業者甚為明顯，即 為了要達成此，照明光線係自其供應之角度及方向（以及 因此線之定向及間隔）必須選擇，俾能確保沒有光線可依 從不良之路線。 需要以觀察此標記之放大之典型範圍係xlO至x50。 此多條槽之間之距離和導向光之角度確定當觀察時標 記將呈現之顏色。一般而言，為一衍射光栅： d.sin 0 = ±η. λ 此處d係各槽之間之距離，Θ係入射光線之角度，入 係衍射光線之波長，以及η係一整數，較恰當者η=ι。 因此，當一標記業已形成在錢石上時，d和η係已固定 ，以及衍射光之波長，亦即，當觀察時標記將呈現之顏色 本紙張尺度適用中國闺家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐} I ~.^·tr------0-- (請先聞讀背面之注項莩填寫本頁) 45 883 6 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（6 ) ，可以藉變化入射光之角度而變化。因此’如果吾人希望 當觀察時標記出現藍色，那麼此入射光之角度，亦即0， 係經設定’俾使使用上述公式λ係大約45〇毫微米。同樣 地，如果此標記係呈現紅色，那麼(9係經設定，俾使又係 大約620毫微米。 在依照本發明之第三觀點之裝置之一實施例中，此照 月裝置可包含一光源以及放置於入射光線路中之不透明屏 蔽’此屏有兩個孔形成於其内，此等孔係形成在一概略為 中央位置之兩邊，因此該兩個角度導向之光源係產生。孔 之間之距離確定入射光源之角度。不過，吾人強調該等導 向光源可以由任何傳統式方法提供，例如兩個公開之光源 ^ 一傳統式顯微鏡可包括照明裝置，此裝置包含含有由— 遙控鎢絲燈炮所照明之光纖之一圓環形光源之照明裝置。 本發明之照明裝置可以藉遮蔽所有區域但僅留下兩個直徑 相對之照明器之部分而獲得。 較佳實施例 本發明之實施例現在將僅藉參考附圊而列舉實例方式 來說明，附圖中： 第1圖係此類標記之放大之示意圖，它使用依照本發 明之第一及第二觀點之方法和裝置所形成； 第2圖係沿著第1圖之α·α直線之另一放大之橫截面圖 ;以及 第3圖係依照本發明之第三觀點之裝置之一實施例之 示意圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格 ---------裝----.—訂------線 (請先閱讀背面之注意事項4填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消費合作社印策 A7 B7 五、發明説明（7) 鱗 - 參看附圈之第1圈’—標記呈希臘字母記號之形態者 可以藉多條等距間隔平行伸長之槽1〇各以一距離段開。 每-槽10可以有-大致上正方或長方形橫截面如第』 内所示。另-可供選擇方式，-正弦外形可能更適合以減 少不要之較高衍射線。 範例： 形成各槽之一特殊方法現在將予說明： 一鑽石寶石係經安裝在一適用之夾持具上，並置於— 真空室内，此室裝備以一聚焦之離子光束源之諸如由FEI 或Micrion所供應者。當曝光時，要予標記之區域可以利 用一由Micricm所供應之浸沒電子搶來幅射，此Micri〇n提 供一低能源’例如1至1 OOeV之電子源，以防止此錢石變 為被充電。 使用一聚焦之離子光束具有光柵掃描，或類似於掃描 此光束，例如以瞬間，靜電折射（作為一選擇，此鑽石亦 可予以移動’但此係較不切實際），以及選擇性之任何適 用之軟想用以控制此離子光束，一串聯之緊密間隔之平行 直線係寫出於鑽石小面上。 此樣本係自此真空室移出，置於一不銹鋼坩堝内，並 覆蓋以強力之氧化劑，諸如响化之硝酸鉀，至一大約一至 兩小時之時間。此樣本隨後係被冷卻，並在使用水或酒精 予以清潔之前自此硝酸鉀移出，藉以移除此鑽石表面之部 分，而此部分業已由離子光束擾亂者，並留下一系列之緊 密分隔之槽，各大約30至35毫微米深，但沒有被灰暗之跡 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS )八4洗格（210Χ297公釐} 10 ---------^-- (請先聞讀背面之注意事呼彳填寫本頁) -訂_ 線 經濟部中央標準扃貝工消費合作社印装 A7 B7 五、發明説明（8 ) 象。 清潔前之檢察時’此曝光區域係可以其當，例如，在 一反射光顯微鏡内檢查時之似石墨之外觀來辨識。諸如一 標記不會被一鑽石序級者所接受者，其中它會大體上減少 鑽石之透明等級=> 不過，使用強力氧化劑清潔之後，此標 記係不易於在_顯微鏡内可見，在標記和周圍區域之間沒 有對比。當由適當之雙向光源以相當於一特殊波長之衍射 光之肖度例如藍光之角度之角度照明時，僅此標記變得可 見’在該時刻此標記出現藍色。如此一標記係對一鑽石序 級者可接受’其中它並不危害性地影響鑽石之透明等級。 此緊密間隔槽係適當地形成於一可見希臘字母記號或 類似者之可見輪廓以内，如附圖之第1圖内所示。 現在參看附圖之第3圖，用以觀察由上文所述之裝置 所產生之標記之方法現在將僅藉範例方式予以說明。 此標記鑽石104係置於一傳統式顯微鏡1〇2之觀察表面 100上。此錢石104係由雙向光源106之有一以垂直轴線γ 為準之角度Θ者所照明。如上文所述，Θ係經選擇，俾使 此標記被出現為例如藍色或紅色如所要求者。因此，如果 此標記係出現藍色，以及d係大約1200毫微米時，那麼0 係經選擇以滿足： d.sin β =(大約）450nm 此處n=l以及450nm係藍色光之大約波長，它係此衍 射光在第3圖内X處之波長，在此一情況，0=22。。 此導向光源可以由一概略為環形照明器來提供，所有 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（ 210X297公釐） 11 ----------裝-- (請先閱讀背面之注f項/¾寫本頁) 、#! 線 45 883 β Α7 ____Β7 五、發明説明（9 ) 但除了兩個直徑相對之孔以外之其部分均係被遮蔽。不過 ，任何適當之光源均有使用以產生相同效果。 本發明業已純藉範例方式說明如上，同時在本發明之 精神範圍以内仍有達成變更，此將延伸至所述特徵之等同 情況。本發明亦包含本文中說明或暗含或附圖中所顯示< 暗含之個別特徵，或任何此類特徵之組合，或任何此類特 徵或组合之任何概括。 元件標號對照 10…槽 100…觀察表面 102…顯微鏡 104…錢石 106…光源 ---------裝------訂------線 (請先閲讀背命之注意事項..，%寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印策 12 本紙张尺度速用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 45 883 6

   DS - 經-^智慧財產局員工湞費合作社印4,,农 六、申請專利範圍 第87122018號專利再審查案申請專利範圍修正本 修正日期：90年4月 1. 一種在鑽石或寶石之表面上形成一標記的方法，該標記 包含一個或多個單位象徵，該方法包含在該鑽石或寶石 之表面上形成多條槽的步驟，該等槽界定該（等）象徵， 該標記係使得其本身不能為肉眼所辨識，該等槽在特定 光源條件下產生一可見的衍射效果，使得該標記可以在 特定放大條件被辨識。 2·如申請專利範圍第丨項之方法，其中該等槽係藉一聚焦 之離子光束的構件所形成。 3. 如申請專利範圍第2項之方法’其中該鑽石或寶石之表 面的區域係藉由一高度氧化劑的方法來移除，其中其晶 體點陣係藉該聚焦之離子光束被不規則化。 4. 如申請專利範圍第3項之方法，其中該高度氧化劑係為 熔融化硝酸鉀。 5 如申請專利範圍第3項之方法，其中該高度氧化劑係為 一呈XnYm形式的化合物’其中X基困為Li+、Na+、κ+ 、Rb、Cs或其他陽離子或其等之混合物，且γ基團為 OH、NCV、022、〇2、C032-或其他陰離子或其等之混 合物，整數η和m係被用來保持電荷均衡。 6.如申請專利範圍第1項之方法，其中該等槽係被形成呈 實質上等距間隔分開之平行伸長槽。 ί請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝------I--訂------|!轉 本纸張尺度適用中國固家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐> § «卜3·_ 45 8816 六、申請專利範圍 7.如申請專利範圍第6項之方法’其中多個槽之交載組係 被形成以致於產生一交又斜線效果。 S.如申請專利範圍第2至7項中任一項之方法，其中該聚焦 之離子光束具有一50keV或更少之光束能量。 ^ 9,如申請專利範圍第2至7項中任一項之方法，其中該聚焦 之離子光束具有一大約0·5ηΑ之光束電流。 10_如申請專利範圍第2至7項中任一項之方法，其中藉由該 聚焦之離子光束所提供的離子劑量係大約為1 〇 I 3/cm2 至 1017/cm2。 11. 如申請專利範圍第10項之方法，其中該劑量係大約為 l〇14/cm2至 l〇t6/cm2。 12. 如申請專利範圍第2至7項中任一項之方法，其中要予標 記之該錢石或寶石的表面之範圍係以一電子低能量源 來幅射，以便消除電荷。 13. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之方法，其中該鑽石 係為一寶石鑽石。 14. 一種用以在錢石或寶石之表面上形成一標記之裝置，該 標記包含一個或多個單位象徵，該裝置包含用以在鑽石 或其他寶石之表面上形成多條槽的構件，該等槽界定該 (等）象徵，該標記係使得其本身不能為肉眼所辨識，該 等槽在特定光源條件下產生一可見的衍射效果，使得該 標記可以在特定放大條件被辨識。 15. 如申請專利範圍第14項之裝置，其中該用以形成多條槽 (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁} -------—訂· ----炊 經-部智慧时產局員工消費合作社印製 • 14- 欠.. 4 绩8 3 6

   申請專利範圍 經-部智慧財產局員工消費合作社印製 之構件包含用以幅射該鑽石或寶石之部分的構件’以致 於is成其晶體點陣變為不規格化並產生一不規則層，以 及用以移除該不規則層之構件。 16·如申請專利範圍第丨5項之裝置，其中該用以幅射該鑽石 之部分的搆件，該構件包含一聚焦之離子光束。 17. 如申請專利範圍第15項之裝置，其中該不規則層係藉由 一高度氧化劑之構件所移除。 18. 如申請專利範圍第17項之裝置，其中該高度氧化劑係為 炼融化之硝酸_。 19. 如申請專利範圍第17項之裝置，其中該高度氧化劑係為 —呈XnYm形式的化合物’其中X基團為Li+、Na+、κ+ 、Rb、Cs+或其他陽離子或其等之混合物，且γ基團為 OH、NCV' 〇22、〇2-、C〇32·或其他陰離子或其等之混 合物，整數η和m係被用來保持電荷均衡。 20. 如申請專利範圍第丨6項之裝置’其中該聚焦之離子光束 具有一 50keV或更少之光束能量。 21. 如申請專利範圍第16項之裴置，其中該聚焦之離子光束 具有一大約0·5ηΑ之光束電流。 22. 如申請專利範圍第丨6、17、20或21項之裝置，其中由該 聚焦之離子光束所提供之離子劑量為大約10n/cm2至 l〇17/cm2 〇 23. 如申請專利範圍第22項之裝置，其中該劑量係大約 l〇14/cm2至 l〇16/cm2。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公犮 <請先Μ讀背面之注意事項再填騖本1> * I I ---I I - I — — — — — — — 綠

   4 5 88 3έΒ 的 申請專利範圍 %如申請專利範圍第14至21項中任一項之襄置進 2以幅射-要以-電子低能量源予以標記之錢石 該表面範圍之構件，以消除電荷。 2=申請專利範圍第24項之裝置，其中該用以幅射籌 為一電子浸沒搶。 件 从如申請專利範圍第】至7項中任一項之方法，其中該標記 並不危害性地影響到該鑽石的透明等級。 27.如申請專利範圍第㈣之方法，其令該標記並不危害性 地影響該鑽石之透明等級。 28·如申請專利範圍第9項之方法，其中該標記並不危害性 地影響該鑽石之透明等級。 29.如申請專利範圍第10項之方法，其中該標記並不危害性 地影響該鑽石之透明等級。 30·如申请專利範圍第11項之方法，其中該標記並不危害性 地影響該鑽石之透明等級。 31. 如申請專利範圍第12項之方法，其中該標記並不危害性 地影響該鑽石之透明等級。 32. 如申請專利範圍第13項之方法，其中該標記並不危害性 地影響該鑽石之透明等級。 33_如申請專利範圍第14至21項中任—項之裝置，其中該標 記並不危害性地影響該錢石之透明等級。 $紙張尺中舀囷家標準（CNS)A4規格⑵0 X 297公爱） 裝--------訂---------線 請先STit背面之注4事項再填寫本頁) 經-部智慧財產局員工消費合作社印製 1：ί 4^88 3 6 J DB 六、申請專利範圍 34. 如申請專利範圍第22項之裝置，其中該標記並不危害性 地影響該鑽石之透明等級。 35. 如申請專利範圍第23項之裝置，其中該標記並不危害性 地影響該鑽石之透明等級。 ?6.如申請專利範圍第24項之裝置，其中該標記並不危害性 地影響該鑽石之透明等級。 37. 如申請專利範圍第25項之裝置，其中該標記並不危害性 地影響該鑽石之透明等級。 38. —種鑽石，其具有一藉由如申請專利範圍第】至13項中 任一項之方法的構件於其上形成之標記。 39. 一種寶石，其具有一藉由如申請專利範圍第丨至丨3項中 任一項之方法的構件於其上形成之標 (請先W讀背面之汶意事項再填罵本頁} 經-部智慧財產局員工消費合作社印製 铩圮在鑽石或寶石之表面上的方法，該標記 包含-個或多個單位象徵，該方法包含在㈣石或寶石 之表面上形成多條槽的步驟，該等槽界定該（等）象徵 ，該等槽在特定光源條件下產生-可見的衍射效果而不 會危害性地影響到該鑽石或寶石的透明等級。 4=申請專利範圍第4〇項之方法，其中該標記係呈—個或 多個希臘字母記號或類似者之形式。 42.ΓΓ利範園第40項之方法，其中該等槽係藉由- …、之離子光束的構件被形成。 43.如申請專利範圍第41項之方法，其中該等槽係藉由 Μ-------- ^---------^ 聚 聚 -17- 經浯部智慧財產局員工消費合作社印製 4 5 8§|3 d 六、申請專利範圍 焦之離子光束的構件被形成。 44. 如申請專利範圍第41、42或44項之方法，其中該錄石或 寶石之表面區域係藉由一高度氧化劑所移除，其中其晶 體點陣係藉由該聚焦之離子光束所不規則化。 ' 的 45. 如申請專利範圍第44項之方法，其中該高度氧化劑係為 溶融化硝酸鉀。 46·如申請專利範圍第料項之方法，其中該高度氧化劑係為 呈XnYm形式之化合物’其中X基團為u+、Na+、、 Rb、Cs+或其他陽離子或其等之混合物，且γ基團為〇矿 、Ν〇3、〇/·、〇2、cc^-或其他陰離子或其等之混合 物，整數η和m係被用來保持電荷均衡。 47. 如申請專利範圍第40項之方法’其中該等槽係被形成呈 實質上等距間隔分開之平行伸長槽。 48. 如申請專利範圍第47項之方法，其中兩個或多個槽之交 截組係被形成以致於產生一交叉斜線效果。 49. 如申請專利範圍第42或43項之方法，其中該聚焦之離子 光束具有一 50keV或更少之光束能量。 5〇·如申請專利範圍第42或43項之方法，其中該聚焦之離子 光束具有一大約0.5nA之光束電流。 51.如申請專利範圍第42或43項之方法，其中由該聚焦之離 子光束所提供之離子劑量係大約l〇l3/cm2至l〇"/cm2。 52·如申請專利範圍第51項之方法，其中該劑量係大約 本紙張尺度適用中园國家標準（CMS)A4規格（2】〇χ297公g ) -18- — — — — — — — If I — II^· ! 1111 —tr-— — — — — — — ·^ rtt先閱tt背面之it意事項再填寫本I) 申請專利範圍 l〇i4W至 i〇16/cm2。 53. 如申請專利範圍第42或43項之方法，其中要予標記之該 靖 錢石或寶石的表面之範圍係以一電子低能量源來幅射 ’以便消除電荷。 54. —種鑽石，其係藉由如申請專利範圍第扑至”項中任— 項之方法的構件將_標記形成於其上β 55· -種寶;δ，其係藉由如巾請專利範圍㈣至53項中任一 項之方法的構件將一標記形成於其上。 訂 種用以在一鐵石或寶石之表面上形成一標記的裝置 ，該標記包含一個或多個單位象徵’該裝置包含用以在 ，石或其他寶石之表面上形成多條槽的構件，該等界定 該（等）象徵，該等槽在特定光源條件下產生一可見的衍 射效果，而不會危害性地影響到該鑽石之透明等級。 竣 57·如申請專利範圍第％項之裝置，其中該用以形成多條槽 之構件包含用以幅射該鑽石或寶石之部分的構件，以致 於造成其晶體點陣變成不規則化且產生一不規則層以 及用以移除該不規則層之構件， it- 部 智 S 时 產 局 員 工 消 費 合 社 印 製 58. 如申請專利範圍第57項之裝置，其令該用以幅射該鑽石 或寶石部分之構件包含一聚焦之離子光束。 59. 如申請專利範圍第57或58項之裝置，其中該不規則層係 藉由一高度氧化劑之構件被移除。 6〇·如申請專利範圍第59項之裝置，其中該高度氧化劑係為 溶融化硝酸钟。 本紙張尺度獅帽@家標準（CNS)A4規格（210_ 297 公;g ) ,^ It,. —- J·' -開尤 4 5 813 6 C8 DS 六 經«部智慧財產局員工消費合作社印製 中請專利範圍 61_如申請專利範圍第59項之裝置，其中該高度氧化劑係為 一呈XnYm形式的化合物，其中X基團為u+、Na+、κ+ 、Rb+、Cs+或其他陽離子或其等之混合物，且γ基團為 OH—、NOf、〇?-、〇2-、cof或其他陰離子或其等之混 合物，整數η和m係被用來保持電荷均衡。 62_如申請專利範圍第58項之裝置，其中該聚焦之離子光束 有一 50keV或更少之光束能量。 63. 如申請專利範圍第58項之裝置’其中該聚焦離子光束有 一大約0·5 nA之光束電流。 64. 如申請專利範圍第58項之裝置，其中由該聚焦之離子光 束所提供之離子劑量係大約l〇n/cni2至l〇17/cm2。 65. 如申請專利範圍第64項之裝置，其中該劑量係大約 l〇14/cm2至 1〇丨6/cm2。 66_如申請專利範圍第58項之裝置，進一步包含以一電子低 能量源用以幅射要予標記之鑽石或寶石之該表面範圍 的構件，以消除電荷。 67,如申清專利範圍第66項之裝置，其中該用以幅射之裝置 係一電子浸沒搶。 68· 一種用以觀察一在鑽石或寶石之表面上之標記的裝置 ，該標記包含產生多條槽，當該等槽被放大及照明時’ 會產生一高度衍射效果，該裝置包含： 二個用於照明該標記之構件，該構件具各在一相當於一 預定波長或波長帶之光線的衍射角度的角度之定向光 本紙張尺度適用中®i家標準（CNS)A4規格（2〗卜29:公爱)----- {請先Mit背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂----I 線 ΚΙ 4 δ 8 8 3 6 β! gl 六、申請專利範圍 線’該照明構件係設為該等定向光線係在實質上—般對 該表面之相同角度’但，當對該表面看似正常時，該照 明構件係實質上在相反方向； ~… 用以觀察該標記之觀察裝置：以及 用以放大該標記之觀察影像的放大裝置。 6 9 ·如申請專利範圍第6 8項之裝置，其中所提供之照明光線 的角度及方向係被設為該標記可以一相當灰暗的背景 為背景被觀察》 ^ 70. —種在錢石或寶石之表面上觀察一標記的方法，該標記 包含一個或多個單位象徵，該方法包含形成多條槽的步 驟’該等槽界定該（等）象徵，該等槽當被照明時產生一 衍射效果’該方法包含以定向光線在一相當於一特定波 長或波長帶之光線的衍射角度的角度照明該標記、觀察 該標記以及放大該標記之觀察影像的步驟》 71.如申請專利範圍第70項之方法，該方法包含選擇角度及 方向之步驟，照明光線係從該角度及方向被供應以致於 該標記可以一相當灰暗的背景為背景被觀察。 f先閱it背¾之注意事項再填寫本頁> 裝 illi — 訂1!! 结. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -21- ΐ1紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）