TW457616B - Film-forming apparatus - Google Patents

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TW457616B TW089100648A TW89100648A TW457616B TW 457616 B TW457616 B TW 457616B TW 089100648 A TW089100648 A TW 089100648A TW 89100648 A TW89100648 A TW 89100648A TW 457616 B TW457616 B TW 457616B
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Yasushi Aeba
Takanori Mimura
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Tokyo Electron Ltd
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Description

457 6 1 6 A7 B7 五、發明說明（1 ) 技術領域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關於在半導體晶片等之被處理體上，譬如 形成像含鎢之金屬膜那樣的膜之成膜裝置。 背景技術 通常’在半導體集成回路之製造步驟其中，在被處理 體之半導體晶片表面為形成配線圖樣或為填平配線間等之 凹部而施行堆積w(鎢）、WSi(鎢化矽）、Ti(鈦）' TiN(—氤 化欽）' TiSi(鈦化矽）、Cu(銅）等之金屬或金屬化合物而形 成薄膜。 該種金屬薄膜之形成方法已知有三個方式，譬如h2( 氩）還原法、SiH4(矽烷）還原法、siH2Cl2(二氮化矽烷）還原 法係為形成配線圖樣，譬如使用二氣化矽烷作為還原氣在 攝氏600度程度之高溫下形成鎢膜或wsi(鎢化矽）膜之方法 。矽院還原法係同樣為形成配線圖樣，譬如使用矽烷作為 還原氣在比先前低的攝氏450度程度之低溫下形成鎢膜或 鶴化矽膜之方法6再者，氩還原法係為填平配線間凹部那 樣晶片表面上之洞’譬如使用氫作為還原氣在攝氏4〇〇〜 430度程度之溫度下堆積鎢膜之方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述之方法都使用譬如WF6(六氟化鎢）作為成膜用之 處理氣體。 將通常形成這樣的金屬薄膜之方法與成臈裝置同時參 照第6圖說明如下。 譬如由鋁等筒體狀的成形之處理容器2之内係設置載 置台4，譬如由薄的碳材料或鋁化合物成形。該下方係透 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明說明（2 ) 過形成於處理容器底部的石英製之透射窗6配置齒素燈等 之加熱機構8°被處理體之半導體晶片w係載置於載置台4 上’該晶片W之周緣部係藉作成可能升降譬如略環狀之失 緊圈10壓入固定在載置台4上。該夾緊圈1〇係如第7圖擴大 所示’在其内側周緣部下面設置高度⑴作成3〇〜5〇微米 程度非常小的突起13 ’將該突起在周方向相互均等的配置 8個（圖係只表示1個）程度，如上述按壓晶片w之周邊部。 對向於該載置台4 ’亦即，作成與半導體晶片具有一定間 隔對面那樣’譬如鋁製之蓮蓬頭部12設置於處理裝置之上 部。該頭部之下面係形成略均等分布的多數之喷氣孔i j。 當在成膜時’如上述，半導體晶片在載置台4上藉夾 緊圈按壓支撐之狀態*藉來自加熱機構8之熱線透過透射 窗6照射至載置台4’加熱載置台，將配置於該載置台上之 半導體晶片W間接的加熱維持在一定之溫度。同時，自設 置於載置台4上方的蓮蓬頭部12之喷氣孔11，均等的供給 譬如六氟化鎢或氫等作為處理氣體至晶月表面上，在晶片 表面上形成鎢等之金屬膜。 上述之裝置例，雖在載置台4之裏面側流入壓力調整 過之背側氣體’但處理空間側之成膜氣體侵入形成於夾緊 圏1 〇與晶片上面周緣部之間寬30〜50微米程度之些微間隙 ’無法避免流入載置台4之襄面側。因此’如第7圖所示， 與晶片W周緣部之夾緊圈J 〇重疊的部份或晶片w之側面也 就會形成些微不需要的附著膜15。 在晶片W之側面’有這樣不需要的附著膜15，以膜厚 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公笼） -------------裝 -------訂·--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
五、 發明說明（ 或線寬並沒有那麼嚴格的習知之設計規則為基準而言，雖 未成為那種程度之問題，但設計規則變嚴，而且隨著元件 構件多層化，變成微粒之發生原因產生問題。具體上，譬 如為實施元件之多層化，為防止配線等之斷線等，層間絕 緣膜或配線膜等之表面有需要平坦化，在成膜後，通常實 施CMP(化學機械研磨）或蝕刻背面處理作為平坦化處理。 此時’由於附著堆積於晶片W上面，所謂正規片側面不需 要的附著膜15在該步驟途中或後步驟之途中剝落，這個為 微粒變成合格率降低之原因。 對此’雖考慮去掉夾緊圈10之突起，使失緊圈之下面 與晶片上面之周緣部面接觸，防止成膜氣體朝晶片裏面側 流入’但該情形附著於夾緊圈10表面與晶片表面之成膜就 會變成一體’由於搬送晶片時夾緊圈1〇不易剝離晶片从而 不能採用。 特開平9-115993號公報（美國專利編號08/729287)其中 ，建議將夾緊圈之内周側面作為錐狀面，構成在該錐狀面 與晶片線接觸，防止成膜氣體朝晶片或載置台之裏面側繞 入之構造。該文獻係作為參考，包括在内。然而，了解夾 緊圈些微的形狀變化更大的支配成膜氣體繞入晶片之侧面 側及裏面側，而且，後步驟其中，即使對晶片實施怎樣的 處理，容許朝晶片側面附著膜量也不同’有所謂的不能有 精確度良好充份的控制膜量之問題。 發明概述 本發明之目的係提供一種可適當的抑制被處理體之周 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） 請 先 閱 讀 背 面 之 注 項 再μ 蜞 · r裝 頁 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 A7
五、發明說明（4 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 緣部及側面近旁不需要的附著膜之形成，因而，即使形成 之膜作平坦化處理’微粒之發生也最小，或可防止那樣， 在被處理體上可能形成薄膜之成膜裝置。 本發明者等是銳意研究膜附著於半導體晶片之側面近 旁的結果，在夾緊圈本體與半導體晶片之上周緣部之重疊 量與夾緊圈本體的晶片接觸部之錐狀角於該等之間具有互 相關連很大的支配晶片外側面之附著臈，由於獲得所有的 見識達成本發明。 有關於本發明第1態樣之成膜裝置包含有： 處理容器； 氣體供給機構，用以供給成膜用之處理>氣艘至該處理 容器内； 載置台’係設置於該處理容器内，用以載置被處理體 夾持機構，係在該載置台，用以夾持支撐被處理體在 載置台之間；以及 加熱源，用以加熱前述載置台上之被處理體，藉處理 氣體形成一定厚度之膜於被處理體上， 前述夾持支撐機構包含有：以被處理體之外周部與長度L ，像遍及全周重疊那樣，規定比被處理體之外徑小的内徑 之開口’面向被處理體之徑方向外方之朝下方角度Θ傾斜 之内周接觸面，具有比被處理體之外徑大的外徑環狀之夾 子本體與按壓該環狀構件於被處理體之方向，將前述内周 接觸面頂接於被處理體之外周緣，防止處理氣體自被處理 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -----------------— —訂·111!!線 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4576 1 6 A7 B7 五、發明說明（5) 體之外周緣洩漏至外側之驅動機構， 前述環狀構件的内周接觸面之重叠長度L與角度0係比被 處理體之外周緣離0.4公厘的中心側之領域，在被處理體 上形成之膜具有前述一定之厚度至少90%厚度之周緣部， 設定自外周緣到0_4公厘以内之領域形成之膜順著外周緣 漸變薄那樣。 由此，變成可能適當的抑制在被處理體之外周面和外 周面近旁有不需要的膜之附著。 圖式之簡單的說明 第1圖係有關於本發明成膜裝置之構成概略表示圖； 第2圖表示在第1圖所示裝置的夾持機構之夾緊圈本體 與半導體晶片之關係擴大斷面圖； 第3圖係夾緊圈本體之頂端部擴大表示側面圖； 第4圖表示為作成適於蝕刻背面處理之成膜、半導體 晶片之外周緣，亦即’自邊緣之距離（重疊長度）與膜厚率 之關係的線圊； 第5圖表示為作成適於化學機械研磨（CMP)處理之膜 ，半導體晶片之外周緣，亦即，自邊緣之距離（重疊長度） 與膜厚率之關係的線圖； 第6圖表示一般的成膜裝置圖； 第7圖係在第6圖所示成膜裝置使用之夾緊圈擴大表示 圖。 為實施發明之最佳的形態 以下，以附上圖式為基準詳述有關於本發明成膜裝置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---I-------- - — II 訂--—1--I!線' {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（6 ) 之一實施例。 如第1圖所示，成膜裝置14具有譬如由鋁等的金屬圓 筒狀或箱狀的成形之處理容器16。該處理容器16内係設置 由處理容器底部豎立的圓筒狀之反射鏡18。該反射鏡18之 上面係固定譬如斷面L字狀的保持構件20之水平基端部。 該保持構件之垂直頂端部係水平的設置載置台22用以載置 作為被處理體之半導體晶片W。該反射鏡18及保持構件20 係由熱線透射性之材料譬如由石英構成，再者，載置台22 係由厚度1公厘程度譬如碳材料、氮化鋁等之鋁化合物等 構成。 前述載置台22之下方係複數枝，譬如3枝的頂件銷24( 圖示例只記載2枝）在支撐構件26之頂端豎立於上方那樣的 固定。該等支撐構件之基端通過形成於前述反射鏡〗8之垂 直狹縫延伸於反射鏡之外。該等支撐構件26係由相互可能 起上下動之環狀結合構件結合。一個支擇構件之延出端 按裝貫通處理容器底部垂直的延伸之推壓棒28之上端。這 樣一來’藉上下移動該推壓棒28，上述三枝頂件銷24透過 支樓構件26插通在貫通載置台22設置之頂件銷孔，變成可 能自載置台上搬晶片W和載置於載置台上。 上述推壓棒28之下端係透過可能伸縮之風箱32連接於 致動器34，用以保持處理容器16中内部的氣密狀態。上述 載置台22之周緣部係設置夾持機構35，用以保持晶片w之 周緣部並將周緣部朝載置台22側固定β該夾持機構35係接 近半導體晶片W之外周側面上面，亦即與周緣部遍及 本紙張反度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） --fill-------裝------II 訂-------1 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 9 ^576 1 6 經濟部智慧財產局具工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（7 ) 線接觸，就是具有按壓固定周緣部的環狀之夾緊圈本體38 與作為賦與該夹緊圈本體向下方之勢能的賦與勢能手段之 螺旋彈簧42。具體上，上述夾緊圈本體38係與栽置台22， 亦即與載置於載置台上之半導體晶片评同軸的配置具有 比半導體晶片之外徑稍微小的内徑之圓形或具有晶片形狀 之開口。該結果，在半導體晶片W藉失緊圈本體38按壓之 狀態，半導體晶片除了周緣部外，自上述圈本體3 8之開口 露出該露出部係變成成膜形成領域，形成預定厚度之膜 。該圈本體3 8之外徑雖隨意，但至少設定比晶片之外徑大 。該圈本體38係由有耐熱性同時對處理氣體不易腐蚀之材 料譬如陶瓷材料形成。作為該陶瓷材料譬如氮化鋁或在I 化IS表面塗覆氧化鋁使用得較為理想。 忒夾緊圈本體38之規定前述開口之内周面係如後述變 成錐狀面，形成與晶片之接觸面3 8A。該夾緊圈本體38係 貫通上述保持構件2〇那樣，支撐於插入形成於該保持構件 三個透孔之3枝支撐棒4〇(圖示例只記2枝）之上端β該等支 撐棒之下端係分別支撐於前述支撐構件26。該結果，夾緊 圈係與頂件銷一體的藉支撐構件26上下方向之移動可能升 降。前述保持構件20與各支撐構件26之間係包圍各支撐棒 40那樣介設上述壓縮螺旋彈簧42。該等螺旋彈簧經賦與夾 緊圈本體38等經常向下方之勢能，夾緊圈本體38下降時構 成與半導體晶片W頂接，停止時經賦與圈本體向下方之勢 能’與半導體晶片頂接’亦即，確實的夾持與載置台共同 之晶片。該等頂件銷24 '支撐構件26及保持構件20也由石 本"^張尺度適用中關家標準（C]^)A4規格（21Q χ 297公髮）-"―_--- --------II *---II--^ . — -------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 Α7 Β7 五、發明說明（8 ) 英等之熱線透射構件所構成。 前述載置台22之正下面，亦即，由圓筒狀之反射鏡包 圍之處理容器底部係形成圓形開口，該開口藉由石英等的 熱線透射材料形成之透射窗44氣密的閉塞。該透射窗之下 方係設置包圍透射窗44那樣箱狀之加熱室46。該加熱室46 内係作為加熱手段之複數個加熱燈48也兼有反射鏡按裝於 旋轉台50。該旋轉台50係透過旋轉轴藉設置於加熱室46底 部之旋轉馬達54’向箭頭所示方向旋轉。因而，由該旋轉 之加熱燈48放出之熱線係透過透射窗44 ,能均一的照射並 加熱載置台22之下面。作為加熱手段，可設置電阻加熱器 替代該加熱燈β 作成可位置於前述載置台22之外周側，處理容器〗6内 係具有多數整流孔60的環狀之整流板62藉上下方向環狀的 成形之支撐柱64支撐位置。該整流板62之内周側係設置環 狀之石英製配件66，用以使上述夾緊圈本體38在夾持位置 時，與該外周部接觸構成氣體不會流至該下方。整流板62 下方之處理容器底部係設置排氣口 68。該等排氣口 68係連 接圖未表示之真空栗之排氣通路70，處理容器丨6内能維持 於一定之真空度。 前述處理容器16之側壁係設置閘閥72，用以在搬出入 晶片時開閉。 與上述載置台22對向之處理容器頂棚部係為朝處理容 器16内導入處理氣體作為氣體供給手段之蓮蓬頭部μ與半 導雜晶片W具有一定間隔作成規定處理空間$那樣的設置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I . ------------訂- -------•線 (請先閱讀背面之注項再填寫本頁)
II 457 6 16 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（9 ) 。具體上’該蓮蓬頭部74係譬如由鋁等的金屬圓形箱狀的 成形’具有頭部本體76。該頭部本體之頂棚部係設置氣體 導入口 78。該氣體導入口 78係透過氣體通路可能流量控制 的連接於成膜處理需要的氣體，譬如六氟化鶴、氩、碎院 、氫、氮等之氣體源（圖未表示）。頭部本體76之下壁係在 面内略全體的配置多數的噴氣孔8〇，用以將朝頭部本體76 内供給之氣體放出處理空間S，變成遍及晶片表面放出氣 體。前述頭部本體76内係配設具有多數氣想分散孔μ之擴 散板84’變成更加均等的供給氣體至晶片面。 雖未圊示’處理容器之底壁設置氣罐，用以供給交換 氣體於載置台22之下面側，亦即，半導體晶片之侧方面向 上方那樣。 接著’關於上述夾持機構35之夾緊圈本體38也參照第 2圊及第3圖詳述的說明。 如前述該夾緊圈本體38内周面之接觸面38A係作為向 半導體晶片W之徑方向外方由水平方向一定之角度θ向下 傾斜之錐狀面形成。因而，該接觸面38A係與晶片w上面 之周緣部遍及全周環狀的線接觸之狀態有可能壓住晶片w ，該接觸部份之氣密性變成相當高。此外，晶片w周緣部 之側面係曲線狀或圓弧狀的形成。 前述夾緊圈本體38之接觸面38A的前述角度0，為適 當的抑制晶片側面不需要的附著膜，理想的係設定於丄5 度之範圍内。再者，該接觸面38A與晶片W周緣部之重叠 量（長度）L理想的係設定於0.7〜3.5公厘之範圍内。失緊圈 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公爱） 12 I I I I I ——— — — — I I - — — — — II I ^^ 1111111 *^^ I 應 气 {請先閱讀背面之注意事項再堉駕本頁) •經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _____B7____ 五、發明說明（10) 本體38之厚度係在1.0〜1.5公厘程度。 上述角度0及重疊量L係在半導體晶片W之後步驟， 依存實施該步驟之處理存在更加適當的值。譬如半導體晶 片W只要在採用該裝置實施成膜處理後預定接連CMP處理 ，上述角度Θ作為在2〜15度之範圍内且重疊量L係1.5〜 3,5公厘之範圍内。理想的係角度θ在5度，重疊量L係作 為2.0公厘。半導體晶片w在該成膜處理後，只要預定接 連蝕刻背面處理，上述角度0係在2〜15度之範圍内且重 疊量L係作為0.7〜2.35公厘之範圍内。理想的係角度0在 10度，重疊量L作為1公厘。 接著’就如以上構成的本實施例之動作，在半導體晶 片表面形成譬如像鎢那樣的金屬膜之情形予以說明。 首先’開啟設置於處理容器16側壁之閘閥72，藉圖未 表示之搬送臂在處理容器16内將晶片W搬入載置台22之上 方’藉推壓頂件銷24 ’將晶片W交接至頂件銷24側。接著 ’藉降低推壓棒28下降頂件銷24，將晶片W載置於載置台 22上，同時藉更進一步下降推壓棒28，以夾持機構35之夾 緊圈本體38按壓晶片W之周緣部並固定。此時，失緊圈本 體38之錐狀的接觸面38A與晶片上面之周緣部線接觸變成 氣您性很兩的狀態。再者，藉賦與彈發力之勢能的螺旋彈 簧42之賦與勢能手段，朝下方按壓晶片识之周緣部，晶片 全體可固定於載置台22上。 接著，自圖未表示之處理氣體源作為處理氣體，將六 氟化鎢、矽烷、氫等朝蓮蓮頭部Μ各供給一定量混合，將 I I I i ---裝 i — II I I 訂- !! -線 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
^576 1 6 Α7 _— Β7 五、發明說明（11 ) 此自頭部本體76下面之噴氣孔80朝處理容器16内略均等的 供給。同時，藉自排氣口 68吸引排氣内部環境氣體，將處 理容器16内設定於一定之真空度，譬如200帕〜11000帕範 圍内之值，且一邊旋轉位於載置台22下方之加熱燈48—邊 驅動’放射熱能。放射之熱線係透過透射窗44之後，照射 並加熱載置台22之裏面。該載置台22係如前述1公厘程度 非常的薄可迅速的加熱，因而，載置於該上面之晶片W可 迅速的加熱到一定之溫度。供給之混合氣產生一定之化學 反應，變成譬如鎢膜堆積並形成於晶片表面之全面。 實施如此成膜步驟之間，導入處理空間S的大部份之 處理氣體係分解在作成膜反應之後擴散至周圍，透過設置 於載置台22周圍的整流板62之整流孔60朝下方流出，更且 ，自排氣口 68向處理容器16外面排出。對此，由於一部份 之處理氣體係如第2圖所示晶片周緣部上面與夾緊圈本體 38的接觸面38A之接觸部並非完全不費事的密封，自形成 於此非常些微的間隙會繞入晶片W之側面侧及褢面侧。 不過，本發明其中係該夾緊圈本體38之接觸面38A的 傾斜角度0及該頂端與晶片周緣部之重疊量L在最適當的 範圍，亦即，自被處理體之外周緣離0·4公厘的中心側領 域，形成於被處理體上之膜具有前述一定之厚度至少90% 厚度之周緣部’由於設定0.4公厘以内之範圍係順著趨向 外周緣變薄了，可抑制朝晶片側面側或裏面側侵入之處理 氣體，可適當的抑制並控制附著於該部份之不需要的膜》 在此，前述夾緊圈本體，亦即，將環狀之失子本體38 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再堉寫本頁) --裝： 為 訂.. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 14 五、發明說明（l2) A7 B7 之接觸面38A之角度Θ與重疊量（長度）L作各種改變，檢查 形成的膜之厚度狀況’在成膜處理之後實施膜平滑化處理 ’亦即’由於研究化學機械研磨（CMP)與蝕刻背面處理之 關係，故說明其代表性例子。 第1表表示分別設定重疊量L作為1公厘，角度Θ作為 5度與10度，形成厚度5〇〇〇埃之鎢膜時之膜厚對晶片外周 緣之距離和膜厚率。 第1表- 向周圍之_ 距離· 0.24 0.32 0.46 0.7 1.0 1.5 2.0 3.0 =5度 率 0 1 10 92 99 100 100 100 卜厚度 0 50 750 4700 4950 5000 5000 5000 θ =10度 準 0 r 3 16 96 99 100 100 100 厚度 0 150 800 4900 [^5000 5000 5000 5000 在泫表，分別表示上段係膜厚率（％)，又下段係膜厚（ 埃） 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 度 尺 I張 紙 I本 第4圖表示在縱軸係膜厚率（％)，再者，橫軸係自晶片 之外周緣面向中心之距離，將膜厚率對距離之變化以第】 表所不數據為基準之線圖。在該圖分別表示黑圓係角度在 5度時，又黑四角係角度θ在1〇度的情形。 根據本發明之實驗，於蝕刻背面處理時要求的膜之條 件係自晶片之外周緣之距離0.4公厘更内側之領域係要求 膜厚率在90%以上，只要在此以下，變成了微粒之發生原 因。由於上述測定結果滿足該條件，藉使用距離L係！公 厘，Θ係5度和10度之夾緊圈成膜，已清楚明白在之後的 触刻背面處理不會產生任何問題。 §用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐 -----------裝—--—訂！--線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 15 4576 1 6 A7 B7 五、發明說明（13) 根據本發明者們之實驗，只要重疊距離L係0.7乃至 2.35公厘之範圍，角度係2乃至15度之範圍，認定在蝕刻 背面處理時不會產生問題。 第2表表示分別設定重疊量l作為2公厘，角度作為5 度與10度’形成厚度5000埃之鎢膜時之膜厚對自晶片的外 周緣之距離和膜厚率。 第2表 向周圍之 距離 0.24 0.32 0.46 0.7 1.0 1.5 2.0 3.0 θ=5度 率 0 0 0 1.6 20 88 100 100 厚度 0 0 0 80 1000 4400 5000 5000 Θ =1〇 度 率 0 0 0 4 32 92 98 98 厚度 0 0 0 200 1600 4600 4900 4900 第5圖表示縱軸係膜厚率（％)，又，橫軸係自晶片之外 周緣趨向中心的距離’將膜厚率對距離之變化以第2表所 不數據為基準之線圖。在該圖，分別表示黑圓係角度Θ在 5度時’又黑四角係角度0在i 〇度的情形。 根據發明者等的實驗，在CMP處理時要求之膜的條件 係自晶片的外周緣之距離2.0公厘更内側之領域係要求膜 厚率在90%以上’只要在此以下，變成微粒之發生原法。 由於上述測定結果滿足該條件，藉使用重疊距離L係2公 厘，係5度和1 〇度之夾緊圈成膜，明白清楚在以後的CMP 處理不會產生任何問題， 根據本發明者們之經驗，只要重疊距離L在1.5乃至3.5 公厘之範圍’角度0在2乃至15度之範圍，認定在CMP處 理時不會產生問題。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------- -裝 i · ί C請先閱讀背面之注意事項再堉寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 16 A7 B7_ —_ 此外’本發明之成膜裝置的夾持機構係無關晶片之大 小，可適用於譬如6吋、8吋' 12吋等全部大小之晶片。再 者’關於成膜種類也不限定於鶴膜、銅膜等其他的金属膜 ，或二氧化矽、氮化矽膜等的絕緣膜之成膜也能適用。 更且’作為被處理體係不限定於半導體晶片、液晶顯 示器基板、玻璃基板等也可適用。 產業上之利用性 如以上說明，根據本發明之成膜裝置，可發揮如下優 越的作用效果。 由於將夾緊圈本體之接觸面傾斜角度及與被處理艘之 重叠量設定作成於最適當的範圍’可適合性的抑制朝被處 理體之周緣部及側面近傍之不需要的附著膜之形成。 特別是’藉上述傾斜角度作為2〜15度之範圍，且重 疊量作為1,5〜3.5公厘之範圍，可作為適於CMP那樣的夾 持機構。 再者’藉上述傾斜角度作為3〜15度之範圍，且重疊 量作為0.7〜2_35公厘之範圍’可作為適用於蝕刻背面夾 持機構。 五、發明說明（M) .經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公愛） -------- ---- - · II ! J I I 訂·! 1!!* 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 17 4576 1 6 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（l5) 元件標號對照 2···處理容器 46, *加熱室 4···載置台 48· 加熱燈 6…透射窗 50· 旋轉台 8…加熱機構 54· •旋轉馬達 10…夾緊圈 60· •整流孔 12…蓮蓬頭部 62. •整流板 14…成膜裝置 64, •支撐柱 16…處理容器 66- 石英製配件 18…反射鏡 68. •排氣孔 2 0…保持構件 70. •真空泵之排氣通路 22…載置台 72. •閘間 24…頂件銷 74· •蓮蓬頭部 26…支撐構件 76. •頭部本體 28…推壓棒 78· 氣體導入口 3 2…風箱 80- -喷氣孔 34…致動器 82· •氣體分散孔 35…夾持機構 84· •擴散板 38…夾緊圈本體 Θ · .角度 38A…接觸面 L.· 重疊量（長度） 4 0…支擇棒 H·· 高度 42···壓縮螺旋彈簧 W· ‘半導體晶片 44…透射窗 S··· 處理空間 ------------Λ,^--------訂---------線-'-> (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 18

Claims (1)

  1. 用以載置被處 457616 六、申請專利範圍 —種成膜裝置，包含有： 處理容器機構’用以供給成膜用之處理氣趙至該 處理容器内； 載置台，係設置於該處理容骂内 理體； 夾持機構，係在該載置台，用以夾持並支撐被處 理體與載置台之間，以及 加熱源，用以加熱前述載置台上之被處理體，藉 處理氣體形成一定厚度之膜於被處理趙上， 而前述夾持機構包含： 内周接觸面’係以被處理體之外周部與長度L， 遍及全周重疊那樣規定比被處理想之外徑小的内徑之 開口’面向被處理體之徑方向外方朝下方以角度0傾 斜； 夾持本體’係環狀，具有比被處理體之外徑還大 的外徑；以及 驅動機構，用以按壓該環狀構件至被處理體之方 向’將前述内周接觸面頂接被處理體之外周緣， 而被處理體之外周緣離0.4公厘的中心側之領域， 在被處理體上形成的膜具有前述一定之厚度的至少 90°/。厚度之周緣部，設定自外周緣〇,4公厘以内的領域 形成之膜係順著趨向外周緣變薄那樣。 2，如申請專利範圍第丨項之成膜裝置，其中： 前述成膜用之處理氣體係用以形成金屬膜於成膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公蜚） 請 先 m 讀 背 面 之 注 意 事 項 J一· 5裝 本 頁 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 19
    、申請專利範圍 被處理體上之處理氣體。 3·如申請專利範園第2項之成膜裝置，其中： 前述成膜用之處理氣體係含鎢成份之處理氣體。 4·如申請專利範圍第1、2或3項中任一項之成膜裝置，其 中： 前述環狀構件的重疊之長度L係0.7乃至3,5公厘， 角度係2乃至15度。 5. 如申請專利範圍第4項之成骐裝置，其中： 在前述被處理體形成膜之後步驟其中，化學機械 研磨處理時，前述環狀構件之重疊的長度[係15乃至 3.5公厘’角度θ係2乃至15度。 6. 如申請專利範圍第4項之成膜裝置，其中·· 在前述被處理體形成膜之後步驟其中，作蝕刻背 面處理時，前述環狀構件之重疊的長度[係〇7乃至2.35 公厘’角度係2乃至15度" '經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製
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