TW449959B - Rail-to-rail operational amplifier and method for making same - Google Patents

Rail-to-rail operational amplifier and method for making same Download PDF

Info

Publication number
TW449959B
TW449959B TW087102187A TW87102187A TW449959B TW 449959 B TW449959 B TW 449959B TW 087102187 A TW087102187 A TW 087102187A TW 87102187 A TW87102187 A TW 87102187A TW 449959 B TW449959 B TW 449959B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
power supply
rail
operational amplifier
voltage
output
Prior art date
Application number
TW087102187A
Other languages
English (en)
Inventor
Gregory L Schaffer
Original Assignee
Maxim Integrated Products
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Maxim Integrated Products filed Critical Maxim Integrated Products
Application granted granted Critical
Publication of TW449959B publication Critical patent/TW449959B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/30Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
    • H03F3/3001Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor with field-effect transistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

A7 B7 449959 五、發明説明(1) 發明背景: 1 .發明領域: 本發明係大致有關積體電路,尤係有關負軌電壓至正 軌電壓(即軌至軌)運算放大器電路。 2 .相關技術說明: 傳統的運算放大器(Operational AMPlifier:簡稱 OP AMP)是用來設計多種電路的習知多用途電子裝 置。舉例而言,當一個傳統〇P AMP的各端子在電氣 上連接到其他組件時,該OP AMP可用來作成微分電 路、積分電路、增益上升電路、增益下降電路等。通常以 一負電源供應電壓(亦即,- 5伏)及一正電源供應電壓 (例如+5伏)對傳統的OP AMP供電。在作業中, 具有一主要共模電壓及一差動電壓之信號輸入電壓通常係 輸入傳統OP AMP的正輸入端《在傳統的〇p_ AMP中,正輸入端(及負節點)通常係連接到一個內部 的單一輸入電晶體對。 在此種方式下,信號輸入電壓的範圍可在負電源供應 電壓與正電源供應電壓間之某一位置。此外,傳統的〇P Αώρ具有一對輸出電晶體,這對輸出電晶體通常在一輸 出節點上將其源極(或射極)連接在一起。在此種方式下 ,傳統OP AMP的輸出節點可產生輸出信號的範圍爲 :高於負電源供應電壓1伏至2伏,且低於正電源供應電 壓1伏至2伏。 表纸伕尺度適用令國國家椋準(CNJS )以規格(210X297公釐)·4 · (請先閱讀背面之注意事項再填β本頁) 訂 翅濟部中央標準局員工消费合作it印¾ 449 9 5 9 經漭部中央愫準扃貝工消费合作ft印¾ A7 B7 五、發明説明(2) 對於只需要在負電源供應電壓與正電源供應電壓之間 工作的電路,雖然傳統的OP AMP可運作良好,但是 許多電路現在要求運算放大器提供軌至軌之輸入及輸出。 例如,理想上係將軌至軌OP AMP設計成接收範圍在 負電源供應電壓(含)與正電源供應電壓(含)間之信號 輸入電壓。因而迫使電路設計工程師修改傳統的〇 P AMP設計,以便起動範圍在負軌電壓與正軌電壓間之输 入,並提供範圍在同一負軌電壓與正軌電壓間之輸出。但 是很不幸,現有的軌至軌電路設計無法達到π真實的^•軌 至軌性能。 圖1Α示出一個傳統的軌對軌OP AMP (10) ,該OP AMP使用一交叉電路(20)而獲致自負軌 電壓至正軌電壓之輸入信號擺動。在此實例中,代 表一正軌電壓,而代表一負軌電壓。圖示之傳統軌 對軌0 P AMP ( 10 )具有一個用於接近一正軌電壓 的輸入電壓之NPN差動電晶體對(12) °NPN差動 電晶體對(1 2)通常包含一 NPN電晶體(2 8 )及一 NPN電晶體(3 0),這兩個NPN電晶體的射極係分 別耦合到一節點,而該節點則連接到交叉電路(2 0 ) » 圖ΐ亦示出包含一PNP電晶體(3 2 )及一PNP電晶 體(34)之ΡΝΡ差動電晶體對(14),這些ΡΝΡ 電晶體係用於接近一負軌電壓之輸入電壓。在此實例中, 示出ΡΝΡ電晶體(3 2 )及(34)之射極係耦合到交 叉電路(20) - ΝΡΝ電晶體C30)及ΡΝΡ電晶體 表紙伕尺度通用中國國家標準(CNS > Λ4規格(210X 297公釐)-5 ·
(讀先閱讀背面之注意事項再填{?!.本-SC
449959 A7 B7 經濟部中央螵準局負工消资合作it印¾ 五 、發明説明( 3) I ( 3 4 ) 之 基 極 端 係耦合到- -正輸入端 C ] 6 ) > 而 I 1 N P N 電 晶 體 ( 2 8 ) 及 P N P 電 晶 體 ( 3 2 ) 之 基 極 端 J 1 係 耦 合 到 負 *九 輸 入 端 ( 1 5 ) Q 請 先 閱 1 圖 示 N P N 差 動 電 晶 體 對 ( 1 2 ) 及 P N P 差 動 電 晶 1 Bltb 體 對 ( 1 4 ) 之 集 極 端 係 耦 合 到 — 曼 接放 大 電 路 ( 1 8 ) 讀 背 ι6 1 I —. 般 而 言 i 疊 接 放 大 電 路 C 1 8 ) 係 用 來 結 合 白 差 動 電 之 注 意 1 ϊ 晶 體 對 C 1 2 ) 及 ( 1 4 ) 接 收 的 輸 出 信 號 9 並 將 接 合 的 事 項 1 ! 信 號 輸 出 到 — 輸 出 級 ( 4 0 ) 〇 如 圖 所 示 S 疊 接 放 大 電 路 填 % 本 1 % ( 1 8 ) 及 輸 出 級 ( 4 0 ) 係 耦 合 到 —' 正 電 源 供 應 電 壓 ( 頁 1 I V ) 及 ~~· 負 電 源 供 應 電 壓 ( G ) 〇 如 刖 文 所 述 t TV G 代 I I 表 — 負 軌 電 壓 I 而 V ν 代 表 — 正 軌 電 壓 〇 輸 出 級 ( 4 0 1 1 I ) 通 常 包 含 —' P N Ρ 電 晶 體 ( 5 2 ) 及 —— N P N 電 晶 體 ( 1 訂 5 4 ) 0 P N P 電 晶 體 ( 5 2 ) 及 N P N 電 晶 遐 ( 5 4 ) [ 1 的 基 極 端 係 在 電 氣 上 耦 合 到 —' 位 準 移 動 器 ( 5 6 ) 〇 — 般 1 1 而 言 > 當 輸 出 級 ( 4 0 ) 接 收 一 高 位 準 時 7 P N P 電 晶 體 ! j .( 5 2 ) 即 斷 路 9 而 Ν P N 電 晶 體 C 5 4 ) 即 導 通 〇 相 反 ff 地 » 田 輸 出 級 ( 4 0 ) 接 收 —' 低 位 準 時 > N P N 電 晶 體 ( 1 1 5 4 ) 即 斷 路 f 而 Ρ Ν P 電 晶 體 ( 5 2 ) 即 導 通 0 因 此 , l 1 輸 出 係 經 由 —* 共 用 集 極 而 傳 送 出 去 0 如 將 於 下 文 中 說 明 的 ! 1 j k 種 共 用 集 極 輸 出 配 置 的 缺 點 在 於 負 載 將 嚴 重 影 響 到 r 性能 〇 因 此 , 輸 ϋ 負 m 有能能影響到頻寬及穩定性。 圖 1 B 是 信 號 輸 入 電 壓 對 圖 1 A 所 示 '* 電 流 I 1 及 一 1 1 | 電 流 I 2 響 應 之 電 流 電 壓 關 係 圖 Q 因 爲 大 部 分 的 信 輸 入 1 [ 電 壓 可 能 利 用 負 電 壓 位 準 及 較 低 的 正 電 壓 位 準 所 以 通 常 1 1 1 本汍張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X29·?公釐)-6- 449959 A7 B7 經濟部中央櫺進局叕工消费合作杜印繁 五、發明説明(4) 將交叉電路(2 0 )配置成在一轉變位置(6 2 )上使電 流I 1及I 2發生轉變,而該轉變位置(6 2)距離正電 源供應電壓(V)約有1伏》亦即,在信號輸入電壓的範 圍在負電源供應電壓(G)與一交叉範圍(V c 〇)的一 端時,電流I 2將導通(亦即PNP差動電晶體對(1 4 )將發生作用)β相反地,在信號輸入電壓的範圍在正電 源供應電壓(V)與交叉範圍(Vc 〇)的另一端時,電 流I 1將導通(亦即NPN差動電晶體對(1 2 )將發生 作用)。 雖然傳統的軌對軌0ΡΑΜΡ ( 1 0)可在正電壓與 負電壓之間產生電壓擺動,但是將導入各種誤差,此時將 很不幸地影響到該0 P AMP之軌至軌性能。務請注意 ,傳統的軌對軌OP AMP(1〇)之輸入通常在 NPN差動電晶體對(1 2)或PNP差動電晶體對( 1 4 )導通時(例外的情形爲在Vc 〇範圍中,ith時兩個 差動電晶體對都導通)之情況下工作。但是很不幸,由於 習知的電壓偏移誤差,差動電晶體對(1 2 )之差動輸出 電流及PNP差動電晶體對(1 4)之差動輸出電流常會 變動》 因爲兩個電晶體的特性値很少完全相同,所以N P N 電晶體(2 8)及(3 0)之基極至射極電壓(Vb e ) 很少能相互匹配。因此,N P N電晶體(2 8 )及(3 0 )之基極至射極電壓(Vb e )界定了一輸入偏移電壓。 NPN差動電晶體對(1 2)之輸入偏移電壓將因而產生 本紙伕尺度適用中國國家標率(CNS ) Λ4^格(210X29*7公釐)· 7- (請先閱讀背而之注意事項再填舄本頁) 丁 4 4995 9 A7 B7 經濟部中失樣準局貝工消费合作社印聚 五 、發明説明(5) I 1 個 會 影 響到最終偏移 電壓 之誤差電流I 0 1 (亦即 該 誤 1 I 差 電 流將 通到S接放大' 電路 (1 8 ) ) »縱使降低了 f I N P N 差 動電晶體對( 1 2 )之偏移誤差 ( 亦即以微 調 或 ^—1 1 其 他 方 式 降低該偏移誤 差) ,Ρ Ν P差動 電 晶體對( 1 4 先 閱 1 1 ) 也 將 有其相關聯的偏 移電 壓,而該偏移 電 壓將產生 其 本 •fi 背 1¾ | 身特有的 電流I 0 2 ( 亦即 通到疊接放大 電 路(1 8 ) ) 之 注 意 t 1 〇 雖 然 單 獨看來電流I 0 1 與I 0 2間之 差 異可能是 小 的 章 項 再 1 1 1 9 但 是 在 高增益下,該 差異 很不幸地被放 大 了,而產 生 顯 填 本 1 > 著 的 增益非線性》 頁 1 1 傳 統 軌對軌0 P AM P ( 1 0 )的 輸 入也會有 輸 入 1 l 偏 動 電 流 誤差。如我們 所習 知的,Ν Ρ N 電 晶體(2 8 ) 1 I 及 ( 3 0 )之電流增益 (β >經常大於Ρ N F >電晶體( l 訂 | 3 2 ) 及 (3 4 )之電 流增 益。因此,因 爲 偏動電流 大 約 1 1 爲 I e / /3,所以各N Ρ Ν電晶體的偏動電流將不同於 1 t P N P 電 晶體的偏動電 流, 這是因爲這些 電 晶體的J /3 不 同 1 1 0 還 有 更 複雜的事,N Ρ Ν差動電晶體對 :1 2 )及 t P N P 差 動電晶體對( 14 )的輸入偏動 電 流係以相 反 的 1 ! 1 方 向 流 動 。亦即,輸入 偏動 電流流進Ν P N 電晶體( 2 8 1 i ) 及 ( 3 0 )之基極, 且流 出Ρ Ν P電晶 體 (32) 及 ( 1 1 3 4 ) 之 基極<舉例而 a, 1 0毫微安培 可 能沿著一 個 方 • ^ 向 流 動 > 而2 0毫微安 培可 能沿著另一方 向 流動》我 們 當 1 了 解 1 輸 入電流大小及 方向 的改變將產生 輸 入偏動電 流 誤 1 1 I 差 , 該 誤 差又很不幸地在輸出端導入誤差。 1 1 當 然 ,可利用Μ 0 S F E T取代Ν P N 差動電晶 體 對 1 1 1 木紙法尺度適用中國國家標準(CNS > Λ4規輅(2丨OX 29?公釐)-8 M濟部中央標準局貝工消资合作社印¾ I dulAUftii.lLLJ'11·! 4 4995 9 A7 B7 五、發明説明(6) (12)及PNP差動電晶體對(14) β於使用 MOSFET時,係使用Ν通道的電晶體來取代ΝΡΝ電 晶體(2 8 )及(3 0 ),且利用Ρ通道的電晶體來取代 ΡΝΡ電晶體(3 2)及(34) 。雖然上述的輸入偏動 電流並不顯著,但是MOSFET所產生的輸入電壓偏移 誤差比雙極性電晶體大一倍。此外,於使用1^0 s F Ε 丁 時,一般皆習知轉變位置(6 2 )(圖1 B )係大致較不 —定。因此,圖1 A所示之雙極性電晶體及其相關聯的缺 點是優於MO S F ET »此外,輸入級的跨導經常在交叉 時改變》由於跨導的改變,將會產生頻寬的改變,此時可 能導致具有電容性負載的某些應用的不穩定性。 如前文所述,必須將Ρ N P電晶體(5 2 )及N Ρ N 電晶體(5 4 )的集極連接在一起,以便獲致一個在軌至 軌電壓擺動的輸出。然而,此種軌至軌電壓擺動並不真正 完全延伸到正軌電壓及負軌電壓》在最佳的作業中,正軌 電壓及負軌電壓擺動大約是離開一個集極至射極飽和電壓 C V c e s a t )。舉例而言,在較小電流時,V c e s a t可以小至〇 . 1伏,而在較大電流時,Vc e s a t則大至〇 . 5伏。因此t輸出信號擺動將不會是真 正ή軌至軌電壓擺動。有時將有限的軌至軌電壓擺動稱爲 Α安全界限値* ( Aheadroon^ ),該安全界限値意指一 個有限軌至軌電壓擺動與一個*完全理想的〃軌至軌電壓 擺動間之電壓差。 此外,傳統的軌對軌OP AMP(1〇)對共用集 本纸铁尺度適用中國囡家標準{ CNS ) Λ4規格{ 210X 29?公楚),9_ (諳先閱讀背面之iif項再填邛本頁)
經濟部中央標弟局!X工消f合作it印裝 «449 9 5 9 A7 B7 五、發明说明(7) 極輸出級的要求相當受到隨負載而變的困擾。這是因爲共 用集極輸出級有較高的輸出阻抗。因此,傳統的軌對軌 Ο P AMP (10)經常隨著電容性負載而振盪,因而 使該OP. AMP難以穩定。此外,將耗用更多的功率, 才能將足夠的驅動能力提供給傳統的軌對軌〇 P AMP (10)。 有鑑於此,目前需要一種運算放大器,該運算放大器 可充分消I輸入電壓偏移誤差及輸入偏動電流誤差,並可 提供一個真正的軌至軌電壓輸出,且減少對輸出負載的敏 感性3 發明槪述: 廣義而言,本發明藉由提供了一種可提供完全軌至軌 電壓輸出之運算放大器,而滿足了上述的需求。我們當了 解,可以多種方式來實施本發明,這些方式包括一種方法 、一種程序、一種系統、一種裝置、或一種元件》下文中 將說明本發明的數個創新實施例。 在一實施例中,掲露了一種運算放大器,該運算放大 器具有:一正輸入端、一負輸入端、一輸出端、一正電源 供i電壓輸入端、及一負電源供應電壓輸入端。該運算放 大器包含一個耦合到該正輸入端及該負輸入端之電晶體輸 入對。一第一充電泵係耦合到該運算放大器內包含的正電 源供應電路。該第一充電泵係經過配置,而在一個強化正 電源供應電壓下操作該運算放大器內包含的該正電源供應 本纸乐尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公楚)-10- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
449 9 5 9 經濟部中央榡革局S工消费合作社印裝 A7 __ B7五、發明説明(8) 電路。該運算放大器又包含一第二充電泵,該第二充電泵 係耦合到該運算放大器內包含的負電源供應電路*該第二 充電泵係經過配置,而在一個強化負電源供應電壓下操作 該運算放大器內包含的該負電源供應電路。因此,電晶體 輸出對提供了 一個本質上完全的軌至軌電壓輸出。 在另一實施例中,揭露了一種放大器。該放大器包含 一放大級,該放大級具有一正信號輸入端、一負信號輸入 端、及一輸出端,係自一正電源輸入端及一負電源輸入端 對該放大級供電。一第一充電泵具有一個耦合到該正電源 輸入端之輸入,而產生一個高於該正電源輸入端電壓之電 壓。該第一充電泵具有一個耦合到該放大級之輸出端。該 放大器又包含一第二充電泵,該第二充電泵具有一個耦合 到該正電源輸入端之輸入,而產生一個低於該負電源輸入 端電壓之電壓。該第二充電泵具有一個耦合到該放大級之 輸出端。該放大器因而提供了一個本質上完全的fl至軌電 壓輸出。 在又一實施例中,揭露了一種製造軌至軌運算放大器 之方法。該運算放大器包含:一正輸入端、一負輸入端、 及一輸出端。該軌至軌運算放大器被配置成接收一正電源 供i電壓及一負電源供應電壓。該方法包含提供一第一內 部充電泵,用以驅動該運算放大器內包含的一正偏壓電路 。該第一充電泵係經過配置,而在一個強化正電源洪應電 壓下操作該正偏壓電路。該方法又包含提供一第二充電泵 ,用以驅動該運算放大器內包含的一負偏壓電路。該第二 (請先閱讀背而之注意事項再填{-1·3本頁) 訂 本紙乐尺度適用中囡國家標孪(CNS ) Λ4規格(210X297公釐)-”- 449959 Α7 Β7 經濟部中央標萆局只Μ消费合作社印裝 五、發明説明(9) 充電泵係經過配置,而在一個強化負電源供應電壓下操作 該負偏壓電路。此外,該方法包含:配置該軌至軌運算放 大器之一輸出級,用以接收一個較該正電源供應電壓更高 的且比該負電源供應電壓更低的強化閘極驅動信號。該強 化閘極驅動信號係經過配置,而以設有以推挽式共用源極 電路方式連接的若干輸出場效電晶體(例如爲P通道及N 通道),得以進行真正的軌至軌電壓輸出。 在又一實施例中,揭露了一種運算放大器,該運算放 大器具有:一正輸入端、一負輸入端、及一輸出端。該運 算放大器被配置成接收一正電源供應電壓及一負電源供應 電壓。該運算放大器包含:在一強化正電源供應電壓下驅 動該運算放大器內包含的電路之裝置;以及在一強化負電 源供應電壓下驅動該運算放大器內包含的電路之裝置。該 運算放大器又包含一輸出裝置,用以自該運算放大器內包 含的電路接收一強化閘極驅動信號。該強化閘極_動信號 之位準高於該正電源供應電壓,且其位準低於該負電源供 應電壓。該強化閘極驅動信號係經過配置,而驅動該輸出 裝置進行本質上完全軌至軌電壓輸出。 該放大器的各實施例之優點在於可包含一放大級,該 放关級具有:一正信號輸入端、一負信號輸入端、及一輸 出端。在一實施例中,最好是自一強化正電源供應電壓及 —強化負電源供應電壓對該放大級供電。自該正信號輸入 端及該負信號輸入端操作的兩個內部充電泵(或類似裝置 )(亦即該放大器的電源供應軌)產生這些強化電源供應 (請先閱讀背而之注意事項再填g本頁) 本紙張尺度適用中國囡家標準(CNS ) Λ4現格(2Ι0Χ 297公釐).12 - I 44995 9 Α7 Β7 經濟部中央標準局K工消费合作杜印裝 五、發明説明(ip 電壓》在此種方式下,該放大級之輸出係在兩個強化1電源 供應電壓之間擺動β我們當了解,此種強化電壓擺動可讓 —信‘號驅動兩個輸出場效電晶體之閘極,而這兩個輸出場 效電晶體之源極信號即進行軌至軌電壓擺動。在一較佳實 施例中,該等兩個輸出場效電晶體之汲極係連接到電源供 應軌。若參照下文中以舉例方式說明本發明原理的詳細說 明,並配合各附圖,將可易於了解本發明其他的面向及優 點。. 附圖簡述: 若參照下文中之詳細說明並配合各附圖.,將可易於了 解本發明,在這些附圖中,相同的代號指示同類的結構元 件,這些附圖有: 圖1 Α示出具有一交叉電路用以進行軌至軌電壓擺動 的_傳統軌至軌運算放大器。 圖1B是圖1A所示一電流I 1及一電流I 2對輸入 信號共模電壓的響應之電流電壓關係圖。 圖2示出根據本發明一實施例的一軌至軌運算放大器 圖3是根據本發明一實施例的圖2所示軌至軌運算放 大器之電路圖。 圖4是根據本發明一實施例的一軌至軌運算放大器實 施例之示意圖。 (諳先閱讀背面之注fJa再填寫本頁) 訂 本紙張K度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210/297公楚).-)3- 449959 M br.*iar<J£^i:,-a,..: A7 B7 經濟部中央揉革局Μ工消费合作杜印裝 五 、發明説明[ Ί 1 ] 主 要元 件 對 照 表 1 | 1 0 2 0 0 3 0 0 軌 至 軌 運 算 放大器 1 I 2 0 交 叉 電 路 1 1 請 1 I 1 2 N P N 差 動 電 晶 體 對 先 閲 1 I 讀 Γ 2 8 , 3 0 N P N 電 晶 體 背 1 1 之 1 1 4 P N P 差 動 電 晶 體 rut 對 意 I | 3 2 1 3 4 5 2 5 4 P N P 電 晶體 事 項 再 1 1 t 1 6 2 1 6 正 輸 入 端 填 艿: 本 .) 1 5 2 1 5 負 輸 入 _Lt 1 r 1¾ 頁 i I 1 8 疊 接 放 大 電 路 1 i 4 0 輸 出 級 1 1 5 6 位 準 移 動 器 1 訂 [ 6 2 轉 變 位 置 1 1 2 0 2 電 壓 強 化 電 路 1 1 2 0 4 2 0 6 充 電 泵 i 1 2 2 8 輸 出 電 晶 體 對 2 0 8 N 通 道 電 晶 體 ! 1 I 2 1 0 P 通 道 電 晶 體 1 i 2 1 2 節 點 i 1 3 1 0 電 流 源 -L 1 3 2 6 輸 入 電 晶 體 對 3 3 0 * 3 2 1 9 3 3 2 信 m 線 1 1 1 3 1 2 電 流 源 1 1 4 0 8 偏 壓 電 路 1 1 本紙张尺度適用中國國家標隼(CNS ) Λ4规格(210'乂297公釐)-14 - 449959 A 7 _ B7 五、發明説明( 406 時脈電路 404 充電泵電路單元 較隹實施例之詳細說明: 本發明揭露了一種可適應軌至軌輸入信號並提供一完 全的軌至軌電壓輸出之運算放大器。該運算放大器最好是 包含第一及第二充電泵,用以在增強到正及負電源供應電 壓之外的電壓上驅動該運算放大器內部的電路。由於係在 強化電壓位準上驅動內部電路,所以該運算放大器之輸出 級可供應一完全的軌至軌電壓輸出》在下列的說明中,述 及許多特定細節,以便本發明可以徹底被了解》然而,熟 悉本門技術者當可了解,在不限於這些特定細節的全部或 部分之情形下,亦可實施本發明。在其他的情形中,並未 詳述習知的程序作業,以便不會不必要地模糊了本發明。 圖2是根據本發明一實施例的一軌至軌運算放大器( (諳先閱讀背面之注意事項再填,rcT本頁)
ρ ο Μ 2 A ( ρ ρ Μ ο A ο食 2 包 所 0 --□有 T具 丨個 示 軌 *nui 至 端 入 輸 正
經濟部中央樣单局負工消合作社印U 1 ( 2 路 C 電 端化 入強 輸壓 負電 1 之 \ly c 2 ( ο 泵 2 電 C充 路一 電到 化合 強耦 壓係 電 3 之 2 C地 1接 P 及 c XJ-。V )( 4 壓 ο 電 2 應 ( 供 )源 2 電 P 正 C 一 <到 泵合 霞 禹 钃 秦 充亦 1 是 及好 } 最 2 1 ο (ώ ρ 2 fe c 二, c 及中 - >例 地V實 樣彳此 同壓在 0 電 點應 供 源 電 正 該 至 合 0ΗΡ 条 是 好 最 4 ο 2 ρ c 及 4 ο :適 I度 义 -张 標 公 449 95 9 超其·部中央標泉局Η工消伦合作权印繁 A 7 B7 _五、發明説明(1? 係經過配置,而將一強化正電源供應電壓(V + )及一強 化負電源供應電壓(V -)分別提供給電壓強化電路( 202)。在此種方式下,電壓強化電路(202)將最 好是在強化電壓位準上工作,以便提洪將傳送到一輸出電 晶體對(228)之輸出信號。如圖所示,輸出電晶體對 (228)包含一N通道電晶體(208)及一P通道電 晶體(2 1 0 ),這些電晶體之源極係耦合到一個界定一 輸出之節點(212) 通道電晶體(208)之汲極 最好是耦合到該正電源供應電壓(V),且Ρ通道電晶體 (2 10)之汲極係耦合到一負電源供應電壓(G) 在 此實例中,.該正電源供應電壓(V)及負電源供應電壓( G )分別代表一正軌電壓及一負軌電壓。舉例而言,正電 源供應電壓(V)可以是+5伏,而負電源供應電壓(G )可以是一 5伏。亦即,(V)最好是一個較電壓(G) 爲高的電壓。因此,(V)可以是+5伏,而(0)可以 是0伏,或可界定一較高軌電壓及一較低軌電壓之其他組 合。當然,我們當了解,這些電源供應電壓只是舉例,亦 可使用任何適用的正及負電源供應電壓。 在一實施例中,最好是將充電泵(CP1) (206 )置成產生一個高於正電源供應電壓(V)之電壓。舉 例而言,強化正電源供應電壓(V + )可以自高於(V) 1.5 伏到高於(V) 5伏。在一較佳實施例中,強化 正電源供應電壓(V + )大約高於(V) 3伏。在同樣的 方式下,強化負電源供應電壓(V —)可以自低於(G) (請先閱讀背面之注意事項再填巧木頁) 夂紙張尺度適闳中國國家標準·( CMS ) Α4規格(210X297公釐). ^499 5 9 A7 B7 五、發明说明(1f 1 . 5伏到低於(G) 5伏。在一較佳實施例中,強化正 電源供應電壓(V—)大約低於(G) 3伏。當然.亦可 採用更高或更低的強化電壓。 舉例而言,如果正電源供應電壓(V)是+5伏,且 負電源供應電壓(G)是一 5伏,則強化正電源供應電壓 最好是約爲+8伏,而強化負電源供應電壓最好是約爲 一 8伏》在又一實施例中,如果正電源供應電壓(V)是 + 5伏,且負電源洪應電壓(G)是〇伏,則強化正電源 供應電壓最好是約爲+8伏,而強化負電源供應電壓最好 是約爲-3伏。在此種方式下,在將信號傳送到輸出電晶 體對(228)之前,電壓強化電路(22)內的所有組 件係在一強化電壓位準上工作。 在強化電壓位準上操作電壓強化電路(2 0 2 )之優 點在於:可使輸出電晶體對(2 2 8 ).的輸出信號進行完 全的軌至軌電壓擺動。換言之,當各別電晶體導通時,提 供給N通道電晶體(2 0 8 )或P通道電晶體(2 1 0 ) 的閘極驅動信號是超出正及負電源供應電壓之外。另一優 點在於:輸出電晶體對(2 2 8 )提供了一共用源極輸出 ,此種輸出對輸出負載的變化較不敏感,因而使軌至軌 Ο P AMP (200)對不同的電容性負載更具有穩定 性。尤其是消除了習用技術的安全界限値之限制,這是因 爲係利用充分強化的閘極驅動信號來驅動输出電晶體對( 2 2 8 )- 圖3是根據本發明一實施例的一軌至軌運算放大器( 本坻张尺度適用*0國家樣準(CNS ) A4%格(2丨0X297公釐)~;17· (請先w讀背面之注意事項再填3本頁) ·
、1T n 449959 附件1 :第87102187號專利申請案 中文說明書修正頁民國89年7月呈
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(矽 3 0 0 )之電路圖。在此實例中,圖示電壓強化電路( 2 0 2 )之內部電路係耦合到一強化正電源供應電壓( V+)及一強化負電源洪應電壓(V—),其優點在於: 產生了更強的閘極驅動信號而傳送到輸出電晶體對( 2 2 8 ),因而得以進行一個完全的軌至軌電壓輸出。如 圖所示,負電源供應電壓(G )係耦合到一電流源( 3 1 0),而該電流源(3 1 0)係連接到一個由電晶體 P6、P7、P8、及P9代表的電流鏡像電路。電晶體 之輸出因此提供一送入至一輸入對3 2 6之電流(I)。 輸入電晶體對(3 2 6 )最好是包含:一電晶體 P 1 0,該電晶體P 1 0之閘極係耦合到一正輸入端( 2 1 6 );及一電晶體P 1 1 ,該電晶體P 1 ]_之閘極係 耦合到一負輸入端(215)。電晶體P1〇之汲極亦係 經由一信號線(3 3 0 )而耦合到一電晶體N 5與一·電晶 體N 6之間。在相同的方式下,電晶體P 1 1之汲極係經 由一信號線(3 3 2 )而耦合到一電晶體N 3與一電晶體 N 4之間。在此實例中,電晶體N 3、N 4、N 5、及 N6形成一疊接放大電路,圖示之該疊接放大電路係耦合 到該強化負電源供應電壓(V _)。 此外,電晶體P 3、P 4、及P 5形成一電流鏡像電 路之一部分,該電流鏡像電路係耦合到該強化正電源供應 電壓(V + )。電晶體P 5亦係經由一信號線(3 2 1 ) 而耦合到電晶體N 6。在此實例中,圖示之正電源供應電 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -18^ -----------裝------Ϊ---^訂---------tl、.. ί (請先閱讀背面之注意ί項再填寫本頁) 44935 9
經濟部中央揉準局运工消费合作杜印絜 A7 B7 五、發明説明(1? 壓(V)係耦合到一電流源(3 1 2),該電流源( 3 1 2)又係耦合到偏壓電晶體N7及N8。在作業中, 電晶體N7及N8係經過配置,而將偏壓(VB 1 )及( V B 2 )分別提供給電晶體N 6與N 3、以及電晶體N 5 與N 4。圖示電晶體N 2之閘極及汲極係耦合到電晶體 P 3,且電晶體N 2之源極係耦合到電晶體P 2之源極。 電晶體P 2亦係耦合到該疊接放大電路的電晶體N3之汲 極。 因此,電壓強化電路(202)內包含的整個電路係 在被增強到正電源供應電壓(V)之上且在負電源供應電 壓(G)之下的電壓下工作。在此種方式下,電晶體P 2 或N 2可將一個超過負及正電源供應電壓的閘極驅動電壓 提供給P通道電晶體(2 1 0 )或N通道電晶體(2 0 8 )。因此,輸出電晶體對(228)之優點在於適於提供 —個完全的軌至軌電壓輸出。此外,因爲N通道讀晶體( 208)及P通道電晶體(2 1 0)之源極係連接到輸出 節點(2 1 2 ),所以將產生一個較低的輸出阻抗,因而 將減少對輸出負載之敏感性。. 務請注意,在自運算放大器(3 0 0 )提供一個完全 的至軌電壓輸出時,並不需要一交叉電路。因此,當採 用輸入電晶體對(3 2 6 )的電晶體P 1 0及P 1 1時, 將不會導入與交叉電路相關聯的輸入電壓偏移誤差。因此 ,其優點在於可避免任何的增益非線性》此外,設計成的 軌至軌運算放大器(3 0 0 )很像一個傳統的運算放大器 本紙&又度適用中國國家標隼(CNS ) Λ4規格(210Χ297公犮)-19 - 449959 ΗΠΕ
A7 B7 經"部中央榡苹局另工消资合作社印鉍 五 、發明説明(1Γ 1 | 0 亦即 9 當就輸入及輸出而檢視軌至軌運算放大器( 1 I 3 0 0 ) 時,各介 面組 件 通 常 得 以 簡 化 —' 傳統 的 運 算 放 大 Γ 1 器 ( 例 如 單一輸入 電晶 體 對 正 電 源 供 應 電 壓 ( V ) 負 請 1 I. 電 源 供 應 電壓(G 及 —1 -* 個 將 源 極 連 接 在 —* 起 的 輸 出 電 先 閱 1 | 讀 .» 晶 體 對 ) ,且同時 提供 了 ~~ 個 真 正 的 軌 至 軌 電 壓 輸 出 擺 動 背 1 〇 換 言 之 ,由於內 部充 電 泵 C P 1 ( 2 0 6 ) 及 C Ρ 2 ( 之 注 意 I 2 0 4 ) 提供的電 壓強 化 9 所 以 電 壓 強 化 電 路 ( 2 0 2 ) 事 項 再 1 1 | 的強化 電 壓作業在本質. 上是不€ 月顯的< ) 填 本 1 .X 雖 然 本發明提 供了 電 壓 強 化 電 路 ( 2 0 2 ) 之 例 示 電 頁 I 1 晶 體 連 線 ,但是我 們當 了 解 1 在 保 持 電 壓 強 化 作 業 的 效 益 | 下 可 改 變或修改所實施的電晶體連線= 1 1 圖 4 示出根據 本發 明 — 實 施 例 的 — 運 算 放 大 器 之 例 示 訂 | 示 意 圖 ( 4 0 0 ) 。.如 圖 所 示 軌 至 軌 運 算 放 大 器 設 有 一 1 I 1 正 電 源 供 應電壓( V ) 及 — 負 電 源 供 應 電 壓 ( G ) > 用 以 I 1 驅 動 偏 壓電路( 4 0 8 ) —- 時 脈 電 路 ( 4 0 6 ) 、 及 1 I 一 充 電 栗 電路單元 (4 0 4 ) Q 圖 示 正 輸 入 端 ( 2 1 6 ) 及 負 輸 入 端(.2 1 5 ) 係 耦 合 到 一 0 Ρ A Μ Ρ ( 4 0 2 |· ) 之 各 輸 入端。一 般而 ~Ξ5* > 0 P A Μ Ρ ( 4 0 2 ) 最 好 是 1 1 1 包 含 圖 3 所示電壓 強化 電 路 ( 2 0 2 ) 及 輸 出 電 晶 體 對 ( 1 1 2 2 8 ) 內含的例· 承電路 〇 „ | t 舉 例 而言,圖 示0 Ρ A Μ P ( 4 0 2 ) 白 充 電 泵 ( I C Ρ 1 ) (206 )接 收 — 強 化 正 電 源 供 廬 電 壓 ( V + ) 1 » 並 白 一 充電泵( C Ρ 2 ) ( 2 0 4 ) 接 收 •— 強 化 負 電 源 I 1 I 供 應 電 壓 (V -) 。在 此 實 施 例 中 1 C Ρ 1 ( 2 0 6 ) 及 1 1 I 本紙乐尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4現格(210X 297公楚)-20- 449959 經濟部中央捸蕈局·'«工消费合作社印炅 A7 B7 五、發明説明(1f CP2 (204)係包含在充電泵電路單元(404)之 內。圖示充電泵電路單元(4 0 4 )具有連接到時脈電路 (406)的若干端子,用以控制與CP1 (206)及 CP2 (204)作業相關聯的時序。如我們所習知的, 這些充電泵在本質上是作爲電容,用以經由一信號線而充 電,然後放電,以便產生所需的強化電源供應電壓。因此 ,時脈電路(4 0 6 )確保以正確的順序對各充電泵進行 適當的充電及放電。 圖示之偏壓電路(4 0 8 )係耦合到時脈電路( 406),充電泵電路單元(4 04)、及OP AMP (402)。雖然圖中只示出一個OP AMP (402 )及一個充電泵電路單元(4 0 4 ),但是我們當了解, 可採用任何數目的OP AMP (402)及充電泵電路 單元(4 0 4 )來產生多個真正的軌至軌運算放大器級。 雖然爲了要淸晰說明而稍微詳述了本發明,桓是我們 當了解,可在下列申請專利範圍的範圍內進行某些改變及 修改。此外,我們當了解,可以任何形式來實施各電路圖 ,這些形式包括諸如適用的半導體基板、印刷電路板、封 裝的積體電路、或軟體之實施形式。因此,上述各實施例 係i發明之舉例,而非對本發明加以限制,且本發明並不 受限於本文所述之細節,而是可在下列請專利範圍的範圍 及等效權項內對本發明加以修改。. 本紙張尺度通用中國國家標準{ CNS ) Λ4規格(2丨0X297公犮)-21 - (锖先閲讀背面之注意事項存填,ri本u ) -訂

Claims (1)

  1. 449959 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 種運算放大器,該運算放大器具有一正輸入端 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、一負輸入端、一輸出端、.一正電源供應電壓輸入端.及 一負電源供應電壓輸入端,該運算放大器包含: 一個耦合到該正輸入端及該負輸入端之電晶體輸入對 I —個耦合到該運算放大器內包含的正電源供應電路之 第一充電泵,該第一充電泵係經過配置,而在一個強化正 電源供應電壓下操作該運算放大器內包含的該正電源供應 電路;以及 一個耦合到該運算放大器內包含的負電源供應電路之 第二充電泵,該第二充電泵係經過配置,·而在一個強化負 電源供應電壓下操作該運算放大器內包含的該負電源供應 電路;因而該電晶體輸出對提供了一個本質上完全的軌至 軌電壓輸出。 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印装 2.如申請專利範圍第1項之運算放大器,文包含一 個耦合到該運算放大器的該輸出端之電晶體輸出對,該電 晶體輸出對係經過配置,而自在該強化正電源供應電壓及 強化負電源供應電壓下工作的該正負電源供應電路接收一 驅動信號。 ^ 3.如申請專利範圍第2項之運算放大器,其中該電 晶體輸入對是一單一差動電晶體對。 4.如申請專利範圍第3項之運算放大器,其中該強 化正電源供應電壓高於該正電源供應電壓輸入約1 . 5伏 到5伏之間。 本紙張尺度適用中國®家揉半(CNS ) A4说格(210X297公釐)-22- 4499 5 9 A8 B8 C8 _ D8 六、申請專利範園 算放大器,其中該強 電壓輸入約1 . 5伏 算放大器,其中該電 節點,且該電晶體輸 正及負電源洪應電路 算放大器,其中該正 一電流鏡像電路.用 算放大器,又包含一 請 先 閱 讀 背 '之 注 意 事 項 再 % 5 ·如申請專利範圍第3項之運 化負電源供應電壓低於該負電源供應 到5伏之間。 6 .如申請專利範圍第2項之運 晶體輸出對係耦合到一共用源極輸出 出對具有經過配置之閘極,用以自該 接收驅動信號。 7 ·如申請專利範圍第1項之運 電源供應電路包含一個經過配置的第 以將一電流提供給該電晶體輸入對》 8 .如申請專利範圍第7項之運 第一電流源,該第一電流源係耦合於該負電源供應電壓輸 入端與該第一電流鏡像電路之間。 算放大器,其中該正 二電流鏡像Λ路,用 以將一第一輸出電流提供給一第一強化輸出電晶體,該第 訂 9 .如申請專利範圍第2項之運 電源供應電路包含一個.經過配置的第 一強化輸出電晶體係耦合到該電晶體輸出對之一第一閘極 經濟部t央櫺牟局負工消費合作社印策 10 .如申請專利範圍第9項之運算放大器,其中該 第上強化輸出電晶體是一 η通道電晶體。 1 1 .如申請專利範圍第項之運算放大器,其中 該負電源供應電路包含若干耦合到一第二電流源之偏壓電 晶體,該第二電流源係耦合到該正電源供應電壓輸入端》 1 2 .如申請專利範圍第1 1項之運算放大器,其中 本紙張尺度逋用令國國家揉準^泌以彳规格“^^之耵公釐)-23 - 8 8 8 8 ABCD 六、申請專利範圍 該負電源供應電路包含一疊接放大電路,該疊接放大電路 係親合到該等偏壓電晶體、該電晶體輸入對、及該第二電 流鏡像電路。 13. 如申請專利範圍第12項之運算放大器,其中 該疊接放大電路係經過配置,而將一第二輸出電壓提供給 一第二強化輸出電晶體,該第二強化輸出電晶體係耦合到 該電晶體輸出對之一第二閘極。 14. 如申請專利範圔第13項之運算放大器,其中 該第二強化輸出電晶體是一p通道電晶體。 15. 如申請專利範圍第13項之運算放大器,其中 該第一充電泵及該第二充電泵係耦合到一時脈電路,該時 脈電路被配置成控制該第一及第二充電泵之作業。 16種放大器,包含: —放大級,該放大級具有一正信號輸入端.一負信號 輸入端、及一輸出端,且係自一強化正電源輸入端及一強 化負電源輸入端對該放大級供電; 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 <請先闖讀背面之注$項再填寫本頁) 一第一充電泵,該第一充電泵具有一個耦合到該正電 源輸入端之輸入端,而產生一個高於該正電源輸入端電壓 之電壓,該第一充電泵具有一個耦合到該放大級之輸出端 :ώ及 一第二充電泵,該第二充電泵具有一個耦合到該正電 源輸入端之輸入端,而產生一個低於該負電源輸入端電壓 之電壓,該第二充電泵具有一個耦合到該放大級之輸出端 本紙張又立逋用中國國家揉率(CNS ) Α4说格(210Χ297公釐)-24 - 4 499 5 9 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 因而該放大器之該輸出端上提洪了一個在該正電源輸 入電壓與負電源輸入電壓間之本質上完全的軌至軌電壓輸 出。 1 7 .如申請專利範圍第1 6項之放大器,其中高於 該正電源輸入電壓的電壓約高出1.5伏到5伏之間。 18 .如申請專利範圍第16項之放大器,其中低於 該負電源輸入電壓的電壓約低於1 . 5伏到5伏之間。 19.如申請專利範圍第16項之放大器,其中該放 大級又包含一個經過配置的單一電晶體輸入對,用以自該 正信號輸入端及該負信號輸入端接收輸入。 2 〇 ..如申請專利範圍第1 9項之放大器,其中該放 大級又包含一個經過配置的電晶體輸出對,用以自該放大 級接收增強驅動信 2 1 · —種運算放大器之方法,該軌至 軌運算放大器具有一正輸入端、一負輸入端、及一輸出端 ,該軌至軌運算放大器被配置成接收一正電源供應電壓及 一負電源供應電壓,該方法包含下列各步驟: 經清部中央橾準局员工消費合作社印製 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 提洪一第一內部充電泵,用以驅動該運算放大器內包 含的一正偏壓電路,該第一充電泵係經過配置,而在一個 強彳{:正電源供應電壓下操作該正偏壓電路; 提供一第二充電泵,用以驅動該運算放大器內包含的 一負偏壓電路,該第二充電栗係經過配置,而在—個強化 負電源供應電壓下操作該負偏壓電路:以及 配置該軌至軌運算放大器之一輸出級,用以接收一個 / 本纸伕尺度逋用中國國家揉準(CNS ) Μ規格(210X297公^25- 44995 9 A8 B8 C8 D8 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印裂 六、申請專利範圍 較該正電源供應電壓更高的且比該負電源供應電壓更低的 強化閘極驅動信號,該強化閘極驅動信號係經過配置,而 得以進行真正的軌至軌電壓輸出* 2 2 .如申請專利範圍第2 1項的製造一軌至軌運算 放大器之方法,又包含下列各步驟: 將該正輸入端及該負輸入端接線到該軌至軌運算放大 器之一差動電晶體對:以及 在該強化正電源供應電壓下操作該差動電晶體對。 2 3 .如申請專利範圍第2 2項的製造一軌至軌運算 放大器之方法,又包含下列步驟: 連接該輸出級內含的一對輸出電晶體,使該對輸出電 晶體的每一電晶體之源極界定該軌至軌運算放大器之輸出 端電壓。 2 4 .如申請專利範圍第2 3項的製造一軌至軌運算 放大器之方法,其中該輸出端產生一個與負載無南的輸出 〇 2 5 ·如申請專利範圍第2 3項的製造一軌至軌運算 放大器之方法,又包含下列步驟: 將該強化正電源供應電壓調整到高於該正電源供應電 壓备1 . 5伏到5伏之間。 2 6 .如申請專利範圍第2 3項的製造一軌至軌運算 放大器之方法,又包含下列步驟: 將該強化負電源供應電壓調整到低於該負電源僎應電 壓約1 . 5伏到5伏之間。 本紙铁尺度通用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)-26 - ---«_^^----多-- (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央棣準局貝工消费合作社印裝 44995 9 A8 BS C8 m___ 六、申請專利範園 2 7 .—種積體電路,該積體電路包含一個利用申請 專利範圍第β1項所述程序製造的運算放大器。 2 8 . —種運算放大器,該運算放大器具有一正輸入 端、一負輸入端、及一輸出端,該運算放大器被配置成接 收一正電源供應電壓及一負電源供應電壓,該運算放大器 包含: 在一強化正電源供應電壓下驅動該運算放大器內包含 的電路之裝置; 在一強化負電源供應電壓下驅動該運算放大器內包含 的電路之裝置:以及 一輸出裝置,用以自該運算放大器內包含的電路接收 —強化閘極驅動信號,該強化閘極驅動信號之位準高於該 正電源供應電壓,且其位準低於該負電源供應電壓,該強 化閘極驅動信號係經過配置,而驅動該輸出裝置進行本質 上完全的軌至軌電壓輸出。 29.如申請專利範圍第28項之運算放大器,又包 含一個耦合到該正輸入端及該負輸入端之輸入裝置,該輸 入裝置被配置成在一強化電源供應電壓下工作。 3 0 _如申請專利範圍第2 8項之_算放大器,其中 該^化正電源供應電壓高於該正電源供應電壓輸入約 1 . 5伏到5伏之間。 31.如申請專利範圍第28項之運算放大器,其中 該強化負電源供應電壓低於該負電源供應電壓輸入約 1 . 5伏到5伏之間》 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS >A4规格(210X2!»7公釐)* 27 - ---„— ^J--- 1-----^---訂------棒· (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁)
TW087102187A 1997-03-20 1998-02-17 Rail-to-rail operational amplifier and method for making same TW449959B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/821,405 US5880638A (en) 1997-03-20 1997-03-20 Rail-to-rail operational amplifier and method for making same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW449959B true TW449959B (en) 2001-08-11

Family

ID=25233324

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW087102187A TW449959B (en) 1997-03-20 1998-02-17 Rail-to-rail operational amplifier and method for making same

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5880638A (zh)
EP (1) EP0970561A4 (zh)
JP (1) JP2001515674A (zh)
TW (1) TW449959B (zh)
WO (1) WO1998042072A1 (zh)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6775525B1 (en) * 1999-10-29 2004-08-10 Renesas Technology Corporation Radio communication apparatus and semiconductor device
US6545564B1 (en) 2000-04-25 2003-04-08 Signal Technology Corporation RF signal divider
US6538503B2 (en) * 2001-02-22 2003-03-25 Texas Instruments Incorporated Instrumentation amplifier and method for obtaining high common mode rejection
US7061327B2 (en) 2002-01-24 2006-06-13 Maxim Integrated Products, Inc. Single supply headphone driver/charge pump combination
US7183857B2 (en) * 2002-01-24 2007-02-27 Maxim Integrated Products Inc. Single supply direct drive amplifier
KR100449950B1 (ko) * 2002-07-19 2004-09-30 주식회사 하이닉스반도체 부하구동력 가변형 증폭회로
US6740859B1 (en) * 2002-08-06 2004-05-25 Southeastern Univ. Research Assn., Inc. Fractional substraction resistive readout for position sensitive photo-multiplier tubes
US7285992B1 (en) * 2002-12-20 2007-10-23 National Semiconductor Corporation Amplifier with charge-pump generated local supplies
JP4532847B2 (ja) * 2003-05-16 2010-08-25 株式会社リコー 差動増幅器
CN100542018C (zh) * 2003-07-10 2009-09-16 Nxp股份有限公司 具有恒定偏移的运算放大器和包括这种运算放大器的设备
JP4805699B2 (ja) * 2006-03-14 2011-11-02 株式会社リコー 半導体装置
US7432756B2 (en) * 2006-08-03 2008-10-07 Hr Textron, Inc. Regulated charge pump circuit and application in power stages employing normally on power switching devices
US7554408B2 (en) 2007-05-21 2009-06-30 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for asymmetric charge pump for an audio amplifier
GB0715254D0 (en) 2007-08-03 2007-09-12 Wolfson Ltd Amplifier circuit
US8008975B1 (en) * 2009-03-31 2011-08-30 Cirrus Logic, Inc. Gate-boosted, variable voltage supply rail amplifier
US8000113B2 (en) 2009-04-07 2011-08-16 Maxim Integrated Products, Inc. Efficient power regulation for class-E amplifiers
US8482342B2 (en) * 2009-10-30 2013-07-09 Stmicroelectronics S.R.L. Circuit for generating a reference voltage with compensation of the offset voltage
US8704588B2 (en) 2009-10-30 2014-04-22 Stmicroelectronics S.R.L. Circuit for generating a reference voltage
JP5480017B2 (ja) * 2010-05-27 2014-04-23 ラピスセミコンダクタ株式会社 フォールデッドカスコード型の差動アンプ及び半導体装置
US8593830B2 (en) 2010-06-29 2013-11-26 Maxim Integrated Products, Inc. Reverse current limit protection for active clamp converters
JP2015005842A (ja) * 2013-06-20 2015-01-08 富士電機株式会社 差動増幅回路
KR102118349B1 (ko) * 2013-10-31 2020-06-04 서울시립대학교 산학협력단 게이트 구동 회로, 스위치 장치 및 이를 갖는 전원 공급 장치
EP3739327B1 (en) * 2019-05-16 2022-08-31 EM Microelectronic-Marin SA Electrochemical sensor with interface circuit

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4966057A (zh) * 1972-10-27 1974-06-26
NL8500770A (nl) * 1985-03-18 1986-10-16 Philips Nv Versterkerschakeling.
JPH05347519A (ja) * 1991-12-31 1993-12-27 Texas Instr Inc <Ti> 演算増幅器
US5412309A (en) * 1993-02-22 1995-05-02 National Semiconductor Corporation Current amplifiers
US5631606A (en) * 1995-08-01 1997-05-20 Information Storage Devices, Inc. Fully differential output CMOS power amplifier

Also Published As

Publication number Publication date
US5880638A (en) 1999-03-09
JP2001515674A (ja) 2001-09-18
EP0970561A1 (en) 2000-01-12
WO1998042072A1 (en) 1998-09-24
EP0970561A4 (en) 2002-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW449959B (en) Rail-to-rail operational amplifier and method for making same
US5673002A (en) Operational amplifier having stable operations for a wide range of source voltage, and current detector circuit employing a small number of elements
TW381370B (en) Folded-cascode amplifier stage
CN104901642B (zh) 差分放大器及其信号放大方法
TW201138299A (en) Differential amplifier circuit
EP1239585B1 (en) Differential amplifier
US6731169B2 (en) Differential amplifier circuit
US7378875B2 (en) Compensation circuits for unequal input/output common mode voltages
US6628148B2 (en) Sample and hold circuit having a single control signal
US7545214B2 (en) Class AB rail-to-rail input and output operational amplifier
CN100550606C (zh) 具有不同输入/输出共模电压的电路装置
US5736900A (en) Method and apparatus for amplifying an electrical signal
TW201115913A (en) Amplifier circuit with overshoot suppression
TW531956B (en) Ft multiplier amplifier with low-power biasing circuit
JP3528725B2 (ja) 電力増幅回路
US7816989B2 (en) Differential amplifier
EP1624568A1 (en) Symmetrical pulse signal generator
JPH05199045A (ja) 増幅回路
WO2008122632A1 (en) Charge pump cmos circuit
JPS63133708A (ja) 演算増幅回路
JPH05283950A (ja) 演算増幅器
JPS58171110A (ja) カレントミラ−回路
JP3325813B2 (ja) 直流増幅回路のオフセット電圧補正回路
JP2006128916A (ja) 電力増幅回路および電力増幅器
WO1997002655A1 (en) Method and apparatus for amplifying an electrical signal

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees