TW447032B - Device and method for treating substrates - Google Patents

Device and method for treating substrates Download PDF

Info

Publication number
TW447032B
TW447032B TW088100877A TW88100877A TW447032B TW 447032 B TW447032 B TW 447032B TW 088100877 A TW088100877 A TW 088100877A TW 88100877 A TW88100877 A TW 88100877A TW 447032 B TW447032 B TW 447032B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
item
patent application
scope
processing fluid
Prior art date
Application number
TW088100877A
Other languages
English (en)
Inventor
Michael Storz
Lutz Rebstock
Aurelia Fingerholz
Original Assignee
Steag Micro Tech Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Steag Micro Tech Gmbh filed Critical Steag Micro Tech Gmbh
Application granted granted Critical
Publication of TW447032B publication Critical patent/TW447032B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/18Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Weting (AREA)

Description

A7 447032 __________B7 _ 五、發明説明(1·) 本發明侧於-種触赦之裝置及絲,基板在一包 含處理流體之槽内,有一基板用之下降_及上昇裝置。 在製造程序中,特別是在半導體工業中,需將基板以處 理流體加以處理’例如在晶片製造時,基板會受到溼處理。 在EP-B-0 38S 536及未公開之,同一專利權人之 DE-A-197 03 646中,描述在一包含處理流體之容器中將基 板溼處理之裝置’於該容器内,基板可與—基板載具一同被 置入此容器中。基板,例如半導體晶圓,藉一下降及上昇 裝置,被置入此包含處理流體之容器内,然後被此處理流體 處理。在溼處理完成後,半導體晶圓藉一刀狀裝置,從處理 流體中被取出’然後以如ΕΡ-Β-0 385 536中所描述之馬拉哥 尼方法加以脫乾,隨後再楝在容器上之頂蓋接收。在此裝置 中,是針對所處理基板之尺寸來設計,例如直徑為65公釐 ,84公釐,95公釐,130公釐或220公釐之半導體晶圓。 由於為基板特別尺寸作特別設計,因此,基板之下降及上昇 是固定不變的,而且基板在處理時,永遠被降至容器底部附 近之一固定位置上。 在習知之裝置中,皆希望能增加變通性,使不同尺寸之 基板均能被處理。裝置設計時會考慮基板的尺寸,故一般而 言,裝置只能處理較設計尺寸為小或相同之基板。因而,具 較小直徑之半導體晶圓,和具較大尺寸之半導體晶圓一樣, 是以同一固定速度下降置入容器内,及從容器中舉昇,而且 是從前面所說的固定位置開始。此下降及上昇因而是以一定 時間完成,與基板載具之尺寸無關。 裝----—訂--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員X.消費合作社印製 (CNS)A4 規格(21〇 X 297 公釐〉 447032 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 -------- --- 五、發明說明(2.) 本發明之任務是’設計一簡單及有效率之裝置及方法, 用以處理在盛有處理流體之槽内的基板,使基板在置入槽中 及從槽中取出之時間均得以最佳化。 本發明任務以如下方式解決:下降_及上昇裝置之昇降 速度可依基板尺寸而改變^如此之優點為:具不同尺寸之基 板,可依個別之要求,以不同之速度下降置入槽中,或是從 槽中取出,尤其是具較小尺寸之基板,其上昇時間可被最佳 化。 當基板完全被處理流體蓋住時,最好將基板以較高之速 度舉昇’隨後當基板從處理流體中冒出後’速度則降低。當 基板被處理流體蓋住時’可以隨意快速地將基板舉昇,而不 會有與基板處理,特別是與脫乾相關之缺點產生,隨後基板 從處理流體中冒出時,很重要的是要以一相對而言較慢及穩 定之速度,將基板從處理流體中舉出,使基板能達到均勻地 ,完全地脫乾。 此任務另一方面以下述方法加以解決:下降_及上昇裝 置之昇降高度可依基板尺寸而改變。藉此,其優點為:不同 尺寸之基板可被降至此包含處理流體之槽内不同之深度處。 基板最好只降至完全被處理流體蓋住之深度。此足以使 基板有完全之處理,尤其是當基板尺寸較小時,昇降會較小 ,而可節省基板置入及舉出之時間。 在一偏好之發明實施形式中,以一感測器探測基板之尺 寸,使所需之昇降速度及昇降高度之設定及控制可以自動進 行。 X 297# 釐) _ J — ! — 訂---------. (.請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 447032 A7 B7 五、發明說明(3.) 在另一發明實施例中’基板被最少一在槽上之頂蓋接收 ’此時最好對不同財之基板設置不同之職。藉著不同尺 寸之基板設置不同之頂蓋,可輕易接收基板,並將之從槽内 運走或是送至槽内。 最好將頂蓋依其應用之基板尺寸而加以標記 ,如此可藉 此頂蓋之標記得知基板尺寸大小,不需量測基板。此標記最 好是可供自動辨識之條碼。 在一偏好之發明實施形式中,由於可自動認出基板之尺 寸,而且可自動調整昇降速度及昇降高度,使裝置完全自動 化,因而節省操作之人力及避免操作之失誤。 本發明之任務另外藉一方法加以解決。在此方法中,昇 降速度及/或昇降高度可依基板之尺寸而改變。 以下藉一較偏好之實施例說明本發明,其中包括一些描 述此基板處理裝置之示意圖。 圖式簡單說明 此圖式為本發明之用於處理基板之裝置之示意圖。 裝置1有一槽3,槽有半圓形之底部5及與之相接之侧 壁6及7。在底部5上設計有入口-及/或出口 9,處理流 體10可經此口流入或流出。 在側壁6及7上各有一 L型之凸緣12及13。在凸緣 13上設計有一出口 IS,從槽3之侧壁6,7溢出之處理流體 10由此流出。 在槽3内為基板載具30及刀狀之元件25設有一上昇_ 或下降裝置20以舉昇晶圓,此元件在下文稱之為刀25。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1!!1 裝 i I (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂- --線-一 447032 A7 五、發明說明(4.) 此類《上昇-及下降裝置可在例如同一申請人未公開 义專利DE_A·W 37 802中看到。為避免重複,DE-A-197 37 802之内容也被引用為本案之内容。 ί請先閱讀背面之注^^項再填寫本頁) 在基板載具30之照準方向上裝有連續多個晶圓32 (圖 中八看到-個)。基板載具3〇由上昇―及下降裝置支撑 ,並藉其在槽内上下運動。刀25與基板载具3〇内承載之晶 圓32之最下點接觸,其用處為,如同在抓^97 37卿 中所描述之方式:將晶圓32從基板載具3〇推出,並推進頂 蓋35内,此頂蓋35將在下文中再加以描述。 在槽3上有-頂蓋35,其有侧邊導軌%,晶圓%被固 持在此導軌内部。圖中以虛線晶圓处表示晶狀如何被固 持在頂蓋35内。在頂蓋35上設有—氣體或混合氣體用之導 管37 ’此氣體或混合氣體用於晶圓32之脫乾,可參見上述 ΕΡ-Β-0 385 536中所說明之馬拉哥尼方法。 在圖中所τκ之頂蓋%,其内部尺寸適合承裝—定尺寸 線· 之晶圓32。為承裝不同尺寸之晶圓32,可使用不同之、未 圖不出之頂蓋。各頂蓋之設計,均與槽3相配。 在頂蓋35外侧設有條碼4〇,用以銀別頂蓋35之内部 經濟部智慧財產局員X消費合作杜印數 尺寸’以及間接地鑑别油部所承裝之晶圓尺寸及晶圓本身 〇 控制裝置45用來控制上昇—及下降裝置2〇,而且是藉 線路46相連接。另外,設有一條碼讀取器48,以讀取在頂 蓋35上之條碼40。 條碼讀取H 祕5G與鋪裝| 45祕,以傳
447032 A7 經齊郎眢慧財i笱員X消費Λ.Β作tt&si • B7 五、發明說明(5,) 遞控制裝置頂蓋之種類及因而間接地傳遞晶圓32之尺寸。 控制裝置45即依此資訊控制上昇—及下降裝置2〇。 在裝置操作時,不同尺寸之晶圓32與不同尺寸之頂蓋 35被輸送到槽3,及從槽3送出。當各頂蓋35及在其内有 一定尺寸或直徑之晶圓到達槽3上後,條碼讀取器48被啟 動’讀取條碼,將有關基板之尺寸經線路50送至控制裝置 45 ° 依測出晶圓尺寸’控制裝置控制上昇-及下降裝置2〇 ,將晶圓32下降至槽3之内。通常在此時刻,槽3内充滿 了處理流體10。 根據本發明之實施例,此晶圓32僅下降至處理流體1〇 ,直到晶圓完全被處理流體1〇蓋住為止。也就是說,對較 小直徑之晶圓32,其上昇〜及下降裝置2〇之下降距離不會 與較大直徑之晶圓一樣。如此可以節省將晶圓32置入槽3 之時間。當晶圓32被置於處理流體内後,即開始處理過程 ,例如經一未圖示出之噴嘴,將加壓後之處理流體1〇導入 槽3内,以將晶圓32洗淨。 在處理完後’上昇-及下降裝置20將晶圓32從槽3中 舉出,此晶圓32緩慢且持續地離開處理流體1〇,同時,從 頂蓋35導入-紐或混合氣體’將晶圓依馬拉哥尼方法脫 乾。因上昇-及下降裝置20只將晶圓32降至完全被處理流 體蓋住之位置,此晶圓32 一開始料即是連續及均句的, 因為晶圓32在-開始舉昇後,其上緣即離開處理流體ι〇, 也就是冒出處理流體。因具較小直徑之晶圓32不像大 (請先閱讀背面之注意事項再填萬本頁) 裝 訂· --線
447032 A7 B7 五、發明說明(6.) 直徑之晶圓一樣下降的那麼深,將晶圓32從槽3舉出也較 省時間,因而縮短處理時間,增加產量。 根據本發明另一實施形式中,所有晶圓,不論其尺寸大 小’均被降至槽3内一最深處之固定點上。此方式在下列情 況下是有利的:當前述未圖示出之導入處理流體之噴嘴被如 此設置,使得當上昇-及下降裝置20在一特定位置時,此 噴嘴可發揮最佳之作用。此方式還有一個優點,就是只需要 在槽3内最深處設定一固定點作為參考點。此參考點作為設 備之零點,其可顯示,例如在槽3上之頂蓋35可自由運動 ’而不會危害到放置於槽3内之晶圓32,而且與晶圓大小 無關。 在降至一固定之點後,在較小直徑之晶圓32上會出現 一相對較大的、被處理流體10充滿之空間,在舉昇時,只 要晶圓32仍完全被處理流體蓋住,晶圓就可以一較高之速 度上昇,隨後當晶圓32從處理流體10昇出後,速度則需較 慢及連續’使晶圓32可依馬拉哥尼方法均勻地脫乾a因具 較小直控之晶圓32首先可以較快速度上升,故也可節省時 間,使裝置得以最佳化。 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 • mill! « I I (請先聞讀背面之注意事項再填窝本頁) -線- 如前所述’此上昇及下降裝置20是由控制裝置45控制 ’條碼讀取器48則提供晶圓之尺寸資訊。 以上藉一較偏好之實施例說明了本發明。專業人士可以 作出更多的變化及設計,但都不背離本發明構思。特別是此 上昇及下降裝置20,及所示之槽3均可有其他形式。另外, 晶圓32之尺寸可直接由一例如設在槽3内之感測器導出, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -10 * 447032 A7 B7 五、發明說明(7.) 而不是由裝在頂蓋35上之條碼40讀出。在頂蓋35上之條 碼40也可使用其他標註,以表明頂蓋内晶圓之尺寸。另外, 也可使用其他種類之頂蓋,例如同時承裝晶圓及基板載具之 類。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ί ^° Τ ί 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐) 447032 A7 經齊郎智慧时轰笱員1-一消費咋;ώ中製 _B7 五、發明說明(8.) 元件符號說明 1 裝置 3 槽 '5 底部 6,1 侧壁 9 出口 10 處理流體 12, 13凸緣 15 出口 20 下降裝置 25 刀 30 基板載具 32 晶圓 35 頂蓋 36 導軌 37 導管 40 條碼 45 控制裝置 46 線路 48 條碼讀取器 50 線路 本紙張尺度適用令國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -12- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 線

Claims (1)

  1. 447032 Α8 Β8 C8 D8 經濟部智慧財轰笱員11嵙費kn乍出故 六、申請專利範圍 1. 一種處理基板之裝置,在一包含處理流體(1〇)之槽(3) 内,具一基板(32)用之下降及上昇裝置(2〇),其特徵 為’下降及上昇裝置(20)之昇降速度可依基板(32) 之尺寸而加以變化^ 2. 根據申請專利範圍第1項所述之裝置,其特徵為,基板 (32)在完全被處理流體(1〇)蓋住時之舉昇速度,較 隨後基板(32)從處理流體(1〇)中冒出後之舉昇速度 為快。 3. —種處理基板之裝置,基板(32)在一包含處理流體( 10)之槽(3)内’具一基板(32)用之下降及上昇裝置 (20) ’其特徵為,下降及上昇裝置(2〇)之昇降高度可 依基板(32)之尺寸加以變化。 4. 根據申請專利範園第3項所述之裝置,其特徵為,此昇 降高度如此之變化^使基板(32)在降下之狀態,永遠 是完全地被處理流體(10)蓋住。 5. 根據申請專利範圍第1項或第3項所述之裝置,其特徵 為,至少有一感測器用以得知基板尺寸。 6. 根據申請專利範圍第1項所述之裝置,其特徵為,至少 有一頂蓋(35)用以承裝基板(32)。 7. 根據申請專利範圍第3項所述之裝置,其特徵為,至少 有一頂蓋(35)用以承裝基板(32)。 8. 根據申請專利範圍第6項或第7項所述之裝置,其特徵 為’為不同尺寸之基板(32)設有不同之頂蓋(35)。 9·根據申請專利範圍第6項所述之裝置,其特徵為,頂蓋 本紙張尺;度適用中國國家標準(CNS>A4規格(210x297公楚Γ__ -13- - I i — I · I I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 線丨· A8 B8 C8 D8 4470 3 2 六、申請專利範圍 (35)在用於不同尺寸之基板(32)時,設有標記。 10·根據申請專利範圍第7項所述之裝置,其特徵為,頂蓋 (35)在用於不同尺寸之基板(32)時,設有標記。 11. 根據申請專利範圍第9項或第10項所述之裝置,其特徵 為,此標記是條碼.(40)。 ' 12. 根據申請專利範圍第1項或第3項所述之裝置,其特徵 為,設有裝置(48 ; 45),用以自動識別基板之尺寸,以 調整昇降速度。 13. —種處理基板之方法,在一包含處理流體(1〇)之槽(3 )内’基板(32)需下降至處理流體(!〇)内,及從處 理流體中舉出,其特徵為,昇降速度是依基板(32)之 ' 尺寸而改變。 14‘根據申請專利範圍第13項所述之方法,其特徵為,基板 (32)在完全被處理流體(10)蓋住時之舉昇速度,較 隨後基板(32)從處理流體(1〇)中冒出之舉昇速度為 快。 15. —種處理基板之方法,在一包含處理流體(1〇)之槽(3 )内,基板(32)為處理需要被下降至處理流體(10) 内’及從處理流體中舉出’其特徵為,基板(32)依其 尺寸’被下降至處理流體(1〇)内不同之深度。 16. 根據申請專利範圍第15項所述之方法,其特徵為,基板 (32)只被下降到處理流體(1〇)内完全被處理流體( 10)蓋住之位置。 17. 根據申請專利範圍第13項或第15項所述之方法,其特 本紙張尺度柳帽IS絲準(CNS)A4規格(2IG X 297— !11!111 ^ ' 11 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) LrJ· •線· 4物32 μ § 一 - ___ ____ D8 六、申請專利範圍 徵為’基板(32)之尺寸是藉一感測器讀出。 18. 根據申請專利範圍第13項所述之方法,其特徵為,基板 (32)被至少一在槽上之頂蓋(35)接收。 19. 根據申請專利範圍第18項所述之方法,其特徵為,為應 用於不同尺寸之基板(32),頂蓋(35)上設有標記。 20. 根據申請專利範園第19項之方法,其特徵為,此標記是 條碼(40)。 21·根據申請專利範園第13項或第U項所述之方法,其特 徵為,基板(32)之尺寸是以自動方式確定,而且昇降 速度及/或昇降高度是自動铜節。 f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 HST. --線· 經濟卸智慈时轰笱員1.肖费·乍It,?崑 適 度 尺 張 紙 本 準 標 10 (2 格 規
TW088100877A 1998-01-23 1999-01-21 Device and method for treating substrates TW447032B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19802579A DE19802579A1 (de) 1998-01-23 1998-01-23 Vorrichtung und Verfahren zur Behandlung von Substraten

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW447032B true TW447032B (en) 2001-07-21

Family

ID=7855502

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW088100877A TW447032B (en) 1998-01-23 1999-01-21 Device and method for treating substrates

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP1050069A1 (zh)
JP (1) JP2002502111A (zh)
KR (1) KR20010024876A (zh)
DE (1) DE19802579A1 (zh)
TW (1) TW447032B (zh)
WO (1) WO1999038198A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3376985B2 (ja) * 2000-02-25 2003-02-17 日本電気株式会社 ウェット処理装置
JP2003031549A (ja) * 2001-07-16 2003-01-31 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体ウェーハのエッチング装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4722752A (en) * 1986-06-16 1988-02-02 Robert F. Orr Apparatus and method for rinsing and drying silicon wafers
JP2538589B2 (ja) * 1987-04-07 1996-09-25 株式会社東芝 半導体ウエハ処理装置
JP2656041B2 (ja) * 1987-07-06 1997-09-24 ティーディーケイ株式会社 圧電磁器分極方法及び装置
DE3733670C1 (de) * 1987-10-05 1988-12-15 Nukem Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen insbesondere von scheibenfoermigen oxidischen Substraten
NL8900480A (nl) * 1989-02-27 1990-09-17 Philips Nv Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof.

Also Published As

Publication number Publication date
EP1050069A1 (de) 2000-11-08
DE19802579A1 (de) 1999-07-29
WO1999038198A1 (de) 1999-07-29
JP2002502111A (ja) 2002-01-22
KR20010024876A (ko) 2001-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW447032B (en) Device and method for treating substrates
ATE382909T1 (de) Vorrichtung und verfahren zum ausgeben von karten
DE69900078D1 (de) Gerät zur Handhabung von Halbleiterkarten
WO2001070388A3 (en) Method and apparatus for producing compact microarrays
JP4104792B2 (ja) 直線状の個別化装置
CA1113613A (en) Machine for automatically inserting parallel lead electronic components into a printed circuit board
EP1052060A3 (en) Method for chemical mechanical planarization
TW392218B (en) Apparatus and method for marking of identifier onto semiconductor wafer
ZA995687B (en) An apparatus for personalizing identification cards.
EP1096782A3 (en) Image processing apparatus and method, and storage medium therefor
CN105706115B (zh) Rfid标签的读写方法以及读写装置
JPS5916362Y2 (ja) リ−ドフレ−ムの供給受取装置
WO2002083578A3 (en) Process and apparatus for the removal of scale build-up
CN205920699U (zh) 一种双层标签、具有双层标签的盖子
JP2002039729A (ja) 箔押検査方法及び装置
KR19990059041A (ko) 반도체패키지 제조용 마킹 장치
CN105540264B (zh) 法兰自动堆叠架
CN107618274A (zh) 一种基于rfid读写器的微信控制标签打印机和方法
CN218273404U (zh) 一种非接触式ic卡打码装置
TW388062B (en) Device and method for controlling the measurement of drops of spin-on glass
MY140644A (en) Method and apparatus for drying a substrate.
JP3024351B2 (ja) 蓋つきicソケットの蓋開閉機構
CN213678640U (zh) 一种医院培养瓶传送供给系统
TWI796467B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法、及刷子
CN112258728A (zh) 一种用于衣服图案打印的全自动贩卖方法

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent