TW437070B - Capacitor with a high-ε-dielectric or a ferro-electricum according to fin-stack-principle and production method - Google Patents

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43 J〇7〇 A7 B7 · 經濟部智恶財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（ f ) 1 1 本 發 明 傜 關 於 一 種 積 m 電 路 中 之 電 容 器 t 其 第 一 電極 1 ! 含 有 貴 金 屬 電 容 器 介 電 質 是 一 種 高 e 介 電 質 或 __- 種鐵 I 1 電 皙 諳 1 先 1 在 許 多 積 £曲 m 半 m 體 電 路 (例如， D R A Μ電路或A / D轉換 閱 讀 1 背 1 器 )中需要電容器。 提高積體密度是- -種首要之目標， ώ 之 1 m 盡 可 能 髙 之 電 容 或 足 以 符 合 需 求 之 電 容 須 以 取 小 之空 注 意 事 1 1 間 m 求 來 達 成 Ο 此 種 問 題 特 別 曰 疋 發 生 在 DRAM -電路中， 項 1 填 1 其 中 每 記 憶 胞 都 具 有 —' 値 12 m 電 容 器 和 —1 © & 擇 電晶 寫 本 U 體 可 供 每 一 記 億 m 使 用 之 面 積 持 續 地 降 低 〇 同 時 為了 頁 r '^· 1 1 可 靠 地 儲 存 電 荷 且 可 區 別 此 種 m 持 Μ 讀 出 之 資 訊 則記 1 I 億 電 容 器 須 保 持 某 種 程 度 之 最 小 電 容 量 Ο 此 種 最 小 電容 1 1 量 百 前 大 約 是 2 5 f F 〇 i 訂 為 了 減 小 電 容 器 之 空 間 需 求 » 則 可 使 用 較 高 介 電 率 1 I (P e r mi 11 i V it y )之 順 電 質 (高e介電質） 〇 在 記 億 體 配置 1 1 中 最 好 曰 疋 使 用 所 謂 "堆鏟” 電 容 器 (記億胞之電容器配置 1 I 在 所 屬 之 選 擇 電 晶 體 πμ. 之 上 方 )〇 記憶胞（其 使 用 順 電 性材 [ •今 料 作 為 電 容 器 介 電 質）在選取電源電壓時會損失其上所 ] 1 儲 存 之 電 荷 » 因 此 亦 損 失 其 所 儲 存 之 資 訊 〇 此 外 'JS ^ 1 記 億 胞 由 於 殘 餘 之 漏 電 流 而 必 須 持 續 地 重 新 寫 入 (更新 1 1 (Γ e f re s h ) 時間） 反 之 使 用 m 電 性 材 料 作 為 電 容 器介 1 電 質 可 由 於 Aff- 鐵 電 質 之 不 同 之 極 化 方 向 而 形 成 一 種 永 久性 1 記 億 體 (FRAM) 9 其 在 選 取 電 源 電 壓 時 不 會 遣 失 其 資 訊且 1 亦 不 須 持 鐘 地 重 新 寫 人 〇 記 億 胞 之 殘 餘 之 漏 電 流 不 會影 1 -1 m 所 儲 存 之 信 號 〇 1 I 3 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 43 7〇7〇 u A7 ___B7 五、發明説明（> ) 各種不同之高ε介電質和鐵電質在文獻中已為人所知 ，這些材料例如鈦酸緦鋇（B S Τ ),鈦酸缌（S Τ )或鈦酸錯 鉛（ΡΖΤ)ι .其它之鐵電性聚合物和順電性聚合物及其它 類似物質。 雖然上述笸些材料具有所期望之電性，但其重要性實 際上仍然是有限的。一種重要之原因是：上述這些材料 不可輕易地用在半導體配置中。這些材料之製造是由濺 镀或沈積程序來達成，其在含氣之大氣中需要較高之溫 度。這樣所造成之結果是：一些在半導體技術中作為電 極材料用之導電性材料（例如，多晶矽，鋁或_)是不適 當的，因為它們在此種條件不會被氣化。因此至少第一 電極通常是由一種含有貴金屬（例如，鉑，釕）之材料所 製成，，但這些新的電極材料就半導體技術而言是較不為 人所知之物質。它們較不易沈積且只有在較小之層厚度 時才可令人滿意地被結構化。此外，它們是可被氧透過 的，這樣所造成之結果是：在電容器介電質製造期間位 於深處之結構會被氣化且在第一電極和選擇電晶體之間 不能確保有足夠之接觸區。因此一種位於電容器介電質 下方之位障是需要的，此種位障可抑制氣之擴散。 在DE19640448中描述一種記億胞，其中第一電極和此 種至選擇電晶體所用之連接結構之間的位障接面是由氮 化作用所産生。在DE-OS 196 40244中描述一種電容器， 其具有高e介電質或鐵電性介電質，其中第一電極是由 電極核心和較薄之含有貴金屬之層所構'成，電極核心是 -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ----j----.1一 裝------„訂------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Q A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（ ) 1 1 由 連 接 結 構 或 氧 化 位 障 之 材 料 所 構 成 〇 這 樣 所 具 有 之 m 1 ί 點 疋 α 有 一 種 較 搏 之 含 有 貴 金 屬 之 層 必 須 被 結 構 化 〇 1 所 有 具 有 高 ε 介 質 或 鐵 電 性 介 電 質 之 電 容 器 是 共 产—、 請 1 先 1 用 的 > 其 設 有 一 種 在 原 理 上 疋 平 面 之 第 — 電 極 配 置 0 間 讀 1 1 在 IJ S 558 1 4 3 β中在電極核心之表面上施加- -種薄的 背 面 1 I 之 1 铂 層 以 作 為 上 述 技 術 之 電 容 器 之 第 一 電 極 ΰ 可 能 時 亦 可 注 意 1 事 1 在 形 成 第 — 和 第 二 電 極 之 前 製 成 此 種 高 e 介 電 質 以 作 為 項 再 1 — 種 裸 露 之 結 構 * 即 1 電 極 形 成 在 介 電 質 之 側 壁 〇 填 寫 本 J 裝 本 發 明 之 巨 的 疋 在 一 種 具 有 高 ε 介 電 質 或 鐵 電 性 或 介 *頁 1 1 電 質 之 電 容 器 中 進 步 降 低 空 間 需 求 本 發 明 亦 提 供 —' J 1 I 種 簡 易 之 能 以 —^* 般 製 程 來 進 行 之 此 種 電 容 器 之 製 法 〇 1 i 此 種 的 疋 以 _ 專 利 範 圍 第 1 項 之 特 散 中 所 述 之 電 1 訂 1 容 器 或 第 7 項 i 第 13 項 之 特 徽 中 所 述 之 製 造 方 法 來 達 成。 在 本 發 明 中 * 第 一 電 極 含 有 至 少 二 個 互 相 隔 開 之 薄 Η 1 1 t 此 二 値 薄 Η 基 本 上 平 行 於 承 載 體 表 面 且 經 由 —. 種 支 撑 1 I 結 構 而 互 相 連 接 〇 電 容 器 之 有 效 表 面 較 此 種 承 載 體 表 面 1 1 大 很 多 〇 j 第 一 電 極 之 幾 何 結 構 m 為 一 種 所 謂 鰭 狀 堆 疊 式 電 容 器 1 之 形 式 * 其 由 m 雜 之 多 晶 矽 所 構 成 〇 此 種 鳍 狀 堆 S 式 電 i 容 器 例 如 在 ΕΡ 4 15 5 3 0 Β 1 , E P 7 7 96 56 Α2 ΕΡ 756 3 26 A 1 Ί 及 在 仍 未 掲 示 之 DE 專 利 案 號 198 2 1 S 1 0 .5 1 1982 1776 .5 和 I i 19 82 17 77 ,3 中 已 有 描 述 〇 例 如 有 下 述 之 基 本 形 式 ： 1 1 A ) 在 薄 Η 之 一 個 或 二 個 相 鄰 側 面 上 之 位 於 外 部 之 支 撑 1 I 結 構 〇 - 5 - 1 1 I ! 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨Ο X 297公釐） 切 07σ Α7 ___Β7 五、發明説明（4 )

而 個有 三所 在在 1) \J B C 於 位 之 上 是 常 通 構 結 撑 支 之 β ώ 口 〇 外 構於 結位 撑之 支上 之面 7J外i

訂 化 氣 用 使 可 亦 a 但 構 . 結料 撑材 支之 之極 部電 内一 於第 位作 之用 片合 薄適 由 S& 經恃 DIA 器種 容此 電由 ε 是 高佳 在較 用極 使電 料二 材第 些 , 這知 -所 料人 材為 之已 屬中 金器 貴容 有雷 含 質 它霄 其锶 及或 之 當 #成一 構第 Μ 適！;而 {匕J質 晶 其，電 m夕夕 S 由 鐵 PTL 或 亦 質 ，屬八" 成金e * ^高 它 所Lr由 料 藉 材),是 之IN極 Θ1ΤΙ电 相 二 極y第 電I,之 器 第Η容 0料電 如 例 之 餘 其 體 戟 ΊΙΕ- 承 點 接 之 用 極 電 1 第 -131- 種 i 有 。含 離可 1cm 相 載 極承 I φϋΠΓ 蓋構 覆結 層ί# 離支 隔或 種 Η 一 薄 以之 是方 面下 表最 含 第 之 屬 金 之 面 表 體 JE- 承A ^ 有ί 蓋 覆 卽份 /1- TSP, 二 含 。包 區體 觸載 接承 性 C 電中 種胞 一 億 成記 形AM I R 可 D 保在 確用 以使 ’是 rfi .二二 接較 之器 述容 上電 蓋種 覆此 H. ί 上其h 由 £ 其且 ΕίΛί化 „ 佳一X D較® S 點 Π 之接Jif 例 體此 f 晶 。障 電接位 。連氣 體相之 晶極性 霞 -ί Β 可玲 ΙξΐΓ 擇一導 選第種 S 與 一 M0而有 之點具 靨接中 所之域 其述區 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) y装. -3 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 成 構 所 物 似 類體 或載 鎮承 -在 矽須 晶 ， 多極 ，電 鈦一 由第 是成 如數 例了 份為 部 含 包 可 其 era 隔 umu 種 列 序 層 1I3U 種 一 生 産 上 及 層 之 成 構 所 料 材 之 點屬 接金 式貴 入有 埋含 種由 1 I 一 種 有一 含有 中含 層地 離替 隔交 , 其 層 ， 擇 選 可腸 料金 材種 CJWU- 種 一 二用 第使 中是 LN ΙΙϋ 其佳 ，較 層 0 之刻 成蝕 構被 所而 料料 材材 t— tUnU 8 β二一 第第 由對 種地 一 性 例 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製

五、發明説明（ Γ ) 1 1 如 1 A ] 或 T i )作為第二種材料。 1 I 在 支 撑 結 構 位 於 外 部 之 此 種 實 施 形 式 中 » 須 對 上 述 之 1 1 廢 序 列 進 行 結 構 化 直 至 承 載 體 為 止 > 以 便 形 成 —* 種 具 有 ,-請 I 1 邊 線 之 層 結 構 〇 須 在 至 少 _. 痼 邊 線 上 産 生 此 種 支 撑 閲 讀 1 ί 结 構 1 此 時 可 待 別 使 用 種 非 等 向 性 傾 斜 式 之 蒸 發 過 程 背 ώ 之 1 或 共 形 (C on f 0 r m )之沈積過程及隨後之非等向性蝕刻以形 ί [ 1 成 種 間 隔 層 (S pa c e Γ ) 〇 在 第 二 種 方 式 中 然 後 須 對 此 層 爭 項 再 1 結 構 中 之 開 Π 進 行 刻 9 以 便 使 這 層 之 表 面 露 出 且 利 填 寫 本 ) 苯 I 闬 種 選 擇 性 蝕 刻 可 使 這 層 由 第 二 材 料 中 去 除 〇 _頁 1 I 上 述 之 開 □ 可 位 於 層 結 構 之 邊 緣 使 此 處 形 成 此 種 支 1 1 m 結 構 所 用 之 層 (或間隔層（S P a c e r )) 以 及 情 況 需 要 時 此 1 1 種 層 結 構 之 邊 緣 區 域 都 可 被 去 除 0 1 訂 1 I 此 種 開 口 另 - 方 面 可 兀 金 産 生 於 此 種 層 結 構 之 内 部 ( 特 別 是 中 央 )中。 這樣可在第二種材料被蝕刻去除時確 1 1 保 有 一 種 特 別 高 之 穩 定 性 這 是 因 為 此 種 支 撑 結 構 是 存 1 I 在 於 支 撑 架 之 所 有 位 於 外 部 之 邊 緣 上 〇 由 第 二 種 材 料 所 1 ί 構 成 之 m. 層 因 此 可 非 常 薄 * 例 如 20 30 n m 〇 ) y 1 上 述 之 開 口 亦 可 設 置 在 層 結 構 之 内 部 中 或 穿 過 内 部 t 1 ΐ 使 丨比 開 α 將 此 種 層 結 構 切 割 成 二 部 份 » 每 —► 部 份 都 用 作 ϊ 1 電 容 器 之 第 電 極 〇 換 言 之 ♦ 一 開 始 卽 須 産 生 此 種 層 結 .1 構 t 使 其 具 有 由 二 痼 相 龃 之 電 容 器 所 形 成 之 橫 向 尺 寸 S 1 • 1 妖 /、、、 後 在 形 成 上 述 開 P 時 此 種 層 結 構 被 分 為 - 値 電 極 0 每 1 i · 電 極 在 三 個 逄 緣 (外部側面） 上 設 置 — 種 支 撑 結 構 這 1 樣 同 樣 可 確 保 種 良 好 之 7 機 械 穩 定 性 〇 1 1 [ i I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） A7 B7 經濟部智祛財產局員工消費合作杜印製 五、發明説明（ y ) 1 1 在 本 發 明 之 另 一 實 施 形 式 中 > 此 支 結 構 形 成 在 電 極 1 • J | 之 内 部 〇 因 此 就 像 第 — 實 施 形 式 —- 樣 此 種 層 序 列 曰 7E 形 成 1 在 承 載 體 上 在 層 序 列 中 形 成 開 η 且 較 佳 曰 疋 m 第 —- 種 材 請 1 先 1 料 填 入 > 以 便 茌 開 □ 中 産 生 一 種 支 撑 結 構 〇 然 後 非 等 向 閱 讀 1 I 性 地 依 據 FJ1 將 産 生 之 電 極 之 大 小 而 對 一 種 層 結 構 來 對 此 背 dj 之 1 種 層 序 列 進 行 蝕 刻 由 第 —- 和 第 二 材 料 所 構 成 之 層 裸 露 注 意 1 I 事 1 在 外 部 邊 緣 0 藉 助 於 一 種 可 選 擇 性 地 對 第 --- 材 料 和 支 撑 項 再 1 結 構 而 進 行 之 蝕 刻 來 去 除 這 些 由 第 二 材 料 所 構 成 之 層 〇 填 寫 本 \ ) 装 於 曰 疋 使 用 種 具 有 等 向 性 成 份 之 蝕 刻 m 程 〇 這 些 殘 留 之 頁 1 ί 由 第 一 材 料 所 構 成 之 層 以 及 此 種 使 IS 層 電 性 相 連 接 所 1 [ ί 用 之 支 撑 結 構 共 同 形 成 第 一 電 極 〇 1 1 在 産 生 第 電 極 之 後 在 所 有 之 實 施 形 式 中 在 第 電 極 I 1 丁 上 施 加 —* 種 Ία 问 e 介 電 質 或 鐵 電 質 1 其 上 産 生 ___- 種 反 電 極 1 I 1 於 是 可 镇 満 此 種 介 於 薄 Η 之 間 的 中 空 空 間 〇 1 1 可 施 加 一 種 蝕 刻 停 止 層 以 作 為 此 種 層 序 列 之 最 下 層 或 [ I 最 下 之 第 二 層 〇 此 種 蝕 刻 停 止 層 可 在 此 種 由 第 二 種 材 料 l I 所 構 成 之 層 之 選 擇 性 等 向 或 蝕 刻 之 前 1 之 後 或 同 時 而 被 i 1 去 除 0 層 序 列 之 此 種 鄰 接 於 蝕 刻 停 止 層 之 層 較 佳 是 一 種 1 由 第 -- 種 材 料 所 構 成 之 層 〇 形 成 此 種 層 結 構 所 用 之 蝕 刻 \ 1 程 序 同 樣 可 像 産 生 上 述 開 Π 時 一 樣 在 二 個 或 値 牲 刻 步 "I 驟 中 完 成 * 其 中 第 — 独 刻 步 驟 是 選 擇 性 地 對 刻 停 止 層 I 來 進 行 種 可 能 存 在 於 承 載 體 中 之 接 frtDf 觸 孔 或 位 障 或 承 1 載 體 表 面 本 身 曰 7H 藉 由 本 方 法 而 特 別 良 好 地 受 到 保 護 〇 因 ] 此 1 ”使用- -種蝕刻停止層是否有月 是 和 第 一 及 第 二 種 1 8 I 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21 OX 297公釐} 切 〇7〇 λ7 __Β7_ 五、發明説明（7 ) 材料，位障以及承載體表面等之選擇有關 層序列（P t，A 1 _)之形成例如可藉由濺鍍或Μ由C V D方法 來逹成可使用一種以C 1 2 , A r , S i C 1 4或P C 13 來進 行之R I E方法來對此種由P t和A 1所構成之層序列進行非 等向性之蝕刻。對A 1所進行之選擇性等向式蝕刻是以 H a P 0 4 / Η Ν Ο 3 / Η 2 0或H C 1來進行，於是在蝕刻速率比 牵少是1: 100。鈦能以NH4〇H/H2〇2等向性地且選擇 件地對一種含有貴金屬之層而被蝕刻。此種對由氧化砂 所構成之承載體表面所具有之選擇性是S1: 100。 本發明以下將依據圖式和實施例來詳述。 圖式簡單説明如下： 第1-4圖 基板之横切面，本方法之第一實施例依據 一種D R A Μ記憶胞而在此橫切面上作説明。 第5 - 6圖 第二實施例。 第7-12圖 第三實施例 第1 3 - 1 4圖 第四實施例。 第1 5 - 1 9圖 第五實施例。 第20-24圖 第六實施例。 —ilf m 1^1^1 1^.HL ^11 fl^ll (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智葸財產局員工消費合作杜印製 如線 例元 1字 板有 基具 。其 2 ( 靥體 離晶 隔電 種擇 一 選 加些 施一 上有 1 含 板其 基 ， 在板 : 基 圖矽 1 種 第一 是 第在料鎬 )(材化 線平性矽 元整雷或 位被導鈦 和須以化 )0 圖離 4 隔 如入 例填 ” 之置 淮開谁己9 隔 摻須_ 化 氧 由 是 如 例 層 孔 觸 接 些 鎮孔 蜀 ， 矽接 晶些 多 一

濁 氐 構®鈦丨 Η接 其 0且§使0L 且 成 中 孔 氮 基 逹 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 4S ?〇 A7 B7 經濟部智惡財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（ί ) ί 1 板 中 m 擇 雷 晶 ϋ 之 源 極 / 汲 極 區 〇 較 佳 曰 疋 在 接 觸 孔 3 之 1 „[ 上 部 中 配 置 一 種 位 障 4， 其可仰制氣之擴散。 此種位障 1 [ 之 製 造 方 法 例 如 茌 D E -1.94 4 0 2 46 > D E -1 96 40 44 8中己 請 先 1 1 為 人 所 知 在 此 種 承 載 體 之 表 面 上 現 在 施 加 —*- 種 層 序 列 m 讀 1 背 1 其 含 有 交 替 地 配 置 之 層 6 1 (由 含 有 貴 金 屬 之 第 __. 種 材 ιέ 之 料 所 構 成 )及層6 2 (由第二種材料所構成） 〇 第 一 種 材 料 注 意 事 1 1 例 如 由 鉑 所 構 成 而 第 -， 種 材 料 是 由 鋁 所 構 成 0 m. 些 層 可 項 1 盲 接 依 順 序 地 利 用 一 種 濺 鍍 設 備 來 施 加 t 其 中 只 有 m 填 寫 本 X ) '衣 (t a r κ e t)須 更 換 且 可 調 整 此 種 濺 鍍 過 程 之 參 數 〇 在 本 實 頁 --· 1 I 旃 例 中 第 二 種 材 料 必 須 可 選 擇 性 地 對 第 一 種 材 料 及 對 承 1 I 載 體 表 而 2 而 被 蝕 刻 1 但 不 可 對 位 障 材 料 選 擇 性 地 被 独 1 1 刻 r> 在 本 實 施 例 中 直 接 在 承 載 體 表 面 上 施 加 一 種 由 第 一 1 訂 種 材 料 所 構 成 之 層 t 此 種 層 序 列 之 取 上 層 是 由 第 一 種 材 1 1 料 所 構 成 0 1 1 第 2 圖 然 後 使 用 — 種 遮 罩 藉 由 非 等 向 性 蝕 刻 而 由 此 1 | 種 層 序 列 形 成 一 種 層 結 構 6 , 其橫向尺寸即為所欲製造 1 之 電 容 器 Μ 大 小 (包括至少在- -側面上所固定之前置 } 量 V ) 在 與 此 相 垂 直 橫 向 方 向 中 此 種 層 結 構 之 延 伸 量 較 1 J 佳 是 等 於 電 容 器 薄 Η 之 大 小 〇 隔離層2 之表面裸露於 1 r 層 結 構 之 旁 !·· 此 種 蝕 刻 過 程 可 使 用 C ! 2 1 Ar 9 Si C 1 4 或 ( PC I ： i -Ί 層7 較佳是由第- -種材料以共形方式沈積而成 1 1 其 中 層 厚 度 是 在 10 - 1 0 0 n m 之 範 圍 中 〇 適 當 之 沈 積 方 法 1 例 如 是 C V D η J 第 3 圖 由 第 — 種 材 料 沈 積 而 成 之 層 Μ 由 等 向 性 之 回 I -1 0- 1 1 [ [ 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS > A4規格（2丨Ο X 297公釐） 437〇7〇 A7 ____B7 _ 五、發明説明（9 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 蝕刻而在層結構6之側壁上形成一種間隔層7 。非等向 件之轴刻可藉由醆镀蝕刻來進行。然後使用一種徹影術 所商生之遮罩藉由非等向性之蝕刻而對此種具有間隔層 7之層結構進行結構化，使得在一刨面上此間隔層7和 層结構6之一部份（即，先前所決定之前置量V)被去除 .、在此刨而上此種層結構於是具有一種邊線，鉛層6 i 之表而以及鋁層62裸露在此邊緣上。換言之，此層結 構中之一個開口（其位於此結構之一個側面上）須被蝕刻 。仍保存之間隔層7是一種支撑結構。 第4圖：由第二種材料構成之層& 2是藉由一種具有 等向性成份之蝕刻步驟來去除，此種蝕刻過程對這些由 第一材料，支撑結構7和承載體表面2所構成之層進行 侵触位障4是被第一'種材料所構成之最下層所保護。 以I比種方式而形成第一電極，其是由互柑隔離之薄Η 6 ，及支撑結構7所構成。支撑結構7使這些薄Η6,在 機械上及電性上互相連接且與承載體表面相連接。至接 點3, 4之接觸作用是由最下方之電容器薄Η來達成。電 容器介電質9 (其由高ε介電質或鐵電質所構成）是以習 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 知之方法沈積而成。所使用之高溫過程不會使位於深處 之結構被氣化，這是因為氣經由位障4之擴散作用已被 防lh 最後，施加一層導電層以形成反電極1 〇。 第4圖頭示另一種製作在承載體中之結構，此種結構 在安裝電容器時是存在於DRAM -電路中。第一電極. 7形成記億電容器之所謂記憶節點。第一電極經由其下 一 1 1 — 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4g ( 2[0X297公釐） 43?C/7〇 A7 B7 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（ ) 1 1 方 之 接 觸 區 3 (其 設 有 上 述 之 擴 散 位 障 4 ：(而與 選 擇 電 曰 B曰 體 1 '1 I 之 源 栩 / 汲 極 區 1 1相 連 接 〇 選 擇 電 晶 體 1 2之 另 __h 源 極 / 1 汲 極 區 1 2是 經 由 位 元 線 接 觸 區 1 4而 與 埋 入 式 位 元 線 15相 請 I 先 1 連 接 Γ. 較 佳 是 二 傾 相 m 之 記 億 胞 具 有 値 共 同 之 位 元 線 閱 讀 1 背 i 接 觸 區 埋 入 式 位 元 線 1 5和 位 元 線 接 觸 區 14是 由 隔 離 層 面 I 之 1 2 所 圍 嬈 〇 在 選 擇 電 晶 體 之 源 極 / 汲 極 區 1 1和 12之 間 配 注 意 1 I 事 1 置 通 道 區 16 閘 極 介 電 質 (未顯示）和 —- 種 作 為 字 兀 線 17 項 再 1 用 之 蘭 極 電 極 〇 字 元 線 17和位 元 線 接 觸 區 1 4分別 由 摻 雜 寫 ) 本 4^- 1 之 多 晶 矽 所 構 成 位 元 線 15是 由 揍 雜 之 多 晶 砂 t 砂 化 物 .頁 、_-· 1 1 或 鎢 所 構 成 Ο 在 源 極 / 汲 極 區 11之 遠 離 位 元線1 5之側面 1 1 1 上 設 置 — 種 隔 離 結 構 (例如， -種以隔離材料填人之平坦 1 1 式 溝 渠 1 8 )以便使相鄰之選擇電晶體對（ pa i r )之間形成 I 玎 隔 離 作 用 i'l 1 就 下 述 之 實 施 例 而 言 曰 疋 由 第 1 圖 所 示 之 結 構 開 始 0 1 1 第 5 圖 (第二實施例） 另 一 種 可 能 性 是 藉 由 導 電 層 1 I (待別是由第- -種材料） 之 非 等 向 性 傾 斜 式 蒸 發 而 在 層 1 結 構 6 之 側 壁 上 産 生 上 述 之 連 接 部 份 〇 於 是 由 層 序 列 6 1 ) Γ t 6 ^藉由非等向性之蝕刻而産生- -種層結構6 其 橫 向 1 ί 之 尺 寸 即 為 所 欲 製 成 之 電 容 器 薄 Η 〇 於 是 在 此 種 層 結 構 i ! 之 - 個 或 二 個 連 接 邊 緣 上 在 一 預 定 之 角 度 下 使 鉛 蒸 發 1 1 其 中 在 大 約 10 -4 Pa(帕） 時 使 用 — 種 電 子 柬 Μ 發 作 用 〇 須 ! 1 形 成 一 種 層 厚 度 大 約 是 10 -100 n id 之 支 結 構 7 , 由第- 1 和 第 一 種 材 料 所 構 成 之 各 層 之 表 面 裸 露 在 相 面 對 之 連 接 1 表 而 上 Λ m 表 示 ： 不 須 對 一 個 開 Ρ 進 行 蝕 刻 卽 可 存 在 一 1 12 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 切〇7〇 A7 __B7_ 五、發明説明（"） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 禪輩剮開稗之層結構。但亦可在整面上（因此，不須使 用徹影術）進行一種短暫之非等向性蝕刻，以便在水平 而卜.去除一種可能是很薄之齡層。 第β圖：由第二種材料所構成之層6 2是以一種具有 等向件成份之蝕刻過程來去除，其對這些由第一種材料 ，支挖結構7和承載體表面2所構成之各層進行侵蝕。 位障彳是被此種由第一種材料所構成之最下層所保護。 以此種方式來形成第一電極，其是由互相隔開之薄Η 6 i 及安撐結構7所構成。支撑結構7使這些薄片6 i在機 槭上及電性上互相連接且與承載體表面相連接。至接點 3, 4之接觸作用是經由最下方之電容器薄Η來逹成。然 後以習知之方法來沈積此種由高ε介電質或鐵電質9所 構成之電容器介電質。此處所使用之高溫過程不會使位 於深處之結構被氣化，這是因為氧經由位障4之擴散作 用已被防It。最後，沈積一種導電層以形成反電極1 〇。 使用在DRAM記億胞時當然可在基板中製成此種只顯示在 第4圖中之結構且在所有其它實施例時同樣可製成此種 結構 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第7圖：在第3實施例中，支撑結構形成在層結構6 之所有連接邊綠上。此外，將描述一種蝕刻停止層（其 基本上可使用在所有之實施例中）之使用。在承載體（其 如第1圖所述包括：矽基板，隔離層2, —種具有位障 4之接點3)上施加一種層序列，其具有交替配置之層6〇_ (由第一種材料構成）及另一層62 (由第二種材料構成）。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 437〇7〇 Μ B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( ) 1 1 由 第 —-- 種 材 料 構 成 之 層 直 接 位 於 承 載 體 表 商 上 〇 若 不 用 1 '1 | 此 種 由 第 二 種 材 料 所 構 成 之 取 下 層 9 則 亦 可 施 加 一 種 蝕 1 刻 停 il: 層 5 . 即， 最下方之第= 二層不是由第二種材料構成 f—'、 請 1 I 1 而 由 另 — 種 材 料 (第— •和第二種材料都可選擇招 E 11 ί 閱 if 1 脅 1 對 此 種 材 料 而 被 蝕 刻 )所構成。 第- -種材料例5丨 ]是餡， 面 之 m 二 種 材 料 曰 疋 A t (鋁） 且 蝕 刻 ίψ 止 層 5 曰 疋 由 TE0S 或 氮 化 物 注 意 1 ί 事 1 所 構 成 〇 此 外 > 種 R u 0/T i -層序列是適用的。 這些層 項 再 J ] 可 由 濺 鍍 過 程 來 形 成 〇 在 本 實 施 例 中 此 層 序 列 之 取 上 層 寫 本 / 、裝 是 由 第 種 材 料 所 構 成 ΰ 頁 i 1 第 8 圖 ： 妖 /IS-1 後 使 用 種 遮 罩 藉 由 非 等 向 性 之 f虫 刻 而 由 1 | 1比 種 層 序 列 (包括此蝕刻停止層5 )形成- -種層結構6 t 於 1 1 是 情 況 須 要 時 以 二 値 或 三 個 蝕 刻 步 驟 來 對 蝕 刻 停 止 層 5 1 訂 I I 進 行 蝕 刻 〇 此 種 等 向 性 之 蝕 刻 能 以 濺 鍍 言虫 刻 法 來 進 行 〇 就 此 種 蝕 刻 停 ih 層 之 蝕 刻 而 言 可 使 用 一 般 之 方 法 〇 隔 離 1 1 層 2 之 表 而 裸 露 在 層 結 構 6 之 旁 〇 1 | 第 9 圖 在 整 艏 配 置 上 以 丑 户·、 形 方 式 (c on f 0 「m )施加- 1 ί \ 種 由 第 種 材 料 所 構 成 之 層 7 〇 這樣可使層結構6 之所 } \ 有 連 接 邊 線 被 此 層 7 所 覆 JOl. Ο i f 第 1 0 圖 藉 肋 於 整 面 之 非 等 向 性 蝕 刻 而 由 層 7 來 對 — t ί 種 間 隔 層 (5 P a c e r ) 進 行 蝕 刻 〇 間 隔 層 形 成 上 述 之 支 撑 結 1 構 7 ,, 然後使闬- -種光罩而對層結構中之開口 8 進行蝕刻 1 I > 此 種 開 P 8 可 使 這 由 第 一 種 和 第 二 種 材 料 所 構 成 之 1 1 層 之 表 而 裸 露 出 來 〇 在 本 實 施 例 中 此 開 P 疋 位 於 此 結 構 [ 1 之 内 部 中 〇 於 白 aH 首 先 在 種 非 等 向 性 之 独 刻 步 驟 中 對 此 1 1 -1 4- 1 1 1 i 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格{ 2丨0Χ297公釐） A7 B7 437〇7〇 五、發明説明（β ) 種層序列進行蝕刻直至蝕刻停止層5為止。 (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1 1.圖：然後在一種具有等向性成份之蝕刻步驟中選 擇件地對第一種材料來去除上述之蝕刻停止層5 f，由第 二種材料所構成之層6 2是以一種具有等向性成份之蝕 刻步驟來去除，此種蝕刻步驟會侵蝕這些由第一種材料 所構成之層但不侵牲此支撑結構7 (可以在蝕刻停止層5 去除之前，之後或同時以此種方式來製成一種含有 眚金屣之第一電極。支撑結構7使電極之所有外側上之 薄Η 6 !在機槭上及電性上互相連接。至接點3 , 4之電 件接觸作用是藉由電極最下方之蒲Η (其可靠地S蓋著 此種接點）來逹成。在形成此開口 8時最下方之薄Η被 蝕刻或過（ο ν e r )蝕刻以及因此而發生接觸不良此種危險 性時都可藉由蝕刻停止層5之使用而排除。 第12圖：然後就像先前之例子一樣製成電容器（産生 電容器介電質及反電極）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第]3圖：在第四實施例中第一電極具有一種如EP 0779656A2中口所示之幾何形式。該文件第7至14圖中 所述之製造方法基本上可採用，其中此接點（該文件以2 3 表示）設有一種位障且層序列及支撑結構之材料以及所 使闬之蝕刻過程可依據本發明來改變。由第1圖開始， 層序列被蝕刻至層結構6 ,其覆蓋二個相鄰之接點3，3 ’ 巨其横向大小是二個相鄱之電容器（或其薄Μ )之大小。 在靥結構6之邊緣上産生一種間隔層7以作為支撑結構 。適當之蝕刻過程及沈積過程已說明在第一實施例中。 -1 5 -本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 43?〇7〇 υ A7 B7 五、發明説明（4 ) 隔離層2表而裸露在層結構6和支if結構7之外部。 第1 4圖：使用一種由撤影術所産生之遮罩，刖層結構 β藉由開口之非等向性蝕刻而制分成二個部份區域，此 二値部份蕻由一種間隙而互相隔開。隔離層2之表面裸 露在此間隙之區域中。此二痼部份區域具有此種層序列 之各靥之已裸露的表面。殘留之間隔層7是供每一艏部 份區域用之支撑結構7。由第二種材料所構成之層6 2是 以一種具有等向性成份之蝕刻步驟來去除，此種蝕刻步 驟會侵蝕這®由第一種材料，支撑結構？及承載體表面 2所構成之層。位障4是由第一種材料所構成之最下層 來保護，..以此種方式可形成二痼相鄰之第一電極，其是 由互相隔開之薄Η 6 i及支撑結構7所構成且相互間是 藉由間隙所隔開。支撑結構7使電容器之薄片6 i在三 個側面上及在機械上和電性上互相連接大且與承載體表 而相連接。至接點3 , 4接觸作用是藉由電容器最下方之 薄（=1來達成。以習知方法來施加此種由高ε介電質或鐵 霄質9所構成之電容器介電質。所使用之高溫過程不會 使位於深處之結構被氣化，因為氣經由位障4 , 4 ’之擴 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^^1 1— - I ^^^1 ^^^1 ^^^1 .^1^1 . ^^^1 ^^^1 ^^^1 ^^^1 ^^^1----- J«. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 散已被防丨h。最後，施加一種導電層以形成反電極1 〇。 在以下之實施例（第5及第6 )中，電容器之各薄Η是 藉由一種在内部延伸之支撑結構在機槭上及電性上互相 連接。相同之參考符號會用在目前之例子中；只有這些 和先前已詳述之方法不同之處才會説明。 第15圖：在隔離層2上形成一種例如由TEOS或氮化物 -1 6 -本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Is 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 437^α __Β7_ 五、發明説明（β ) 構成之蝕刻停lh層5 (厚度大約是5 0 n in)以作為此種層序 列之最下層，> 此種層序列之位於最下層之上之此層就像 最..h層一樣是一種由第二種材料所構成之層6 2 ,但此 二層亦可由第一種材料構成。 第1 6圖：在此種層序列中對一個開口進行蝕刻直到蝕 刻停出層β為出，，可使用一種如上所述之以含有氯之氣 體來丨隹行之蝕刻過程《在第二飩刻步驟中是以C 2 F e / C H h夾對蝕刻停止層5進行蝕刻旦使接點之位障層4 裸露出來...須選取此種蝕刻.步驟，使位障不會受到損害 開口中镇入第一種材料，較佳是在此種層序列之水平 表面上亦沈積第一種材料。 第1 ?圖··然後在一種非等向性之選擇性地對此蝕刻停 lh層所進行之蝕刻過程中使層序列6 1 , 6 2結構化成層 結構<5。 第1 8圖：如上述一般來對簿K 6 i進行一種淸除式(free) 蝕刻.其中此種蝕刻是選擇性地對第一種材料和對蝕刻 停11:層來進行。在使用鈦時，例如可使用N Η 4 0 H / H 2 0 2 來谁行之濕式化學蝕刻，其選擇性對以鉑作為蝕刻停止 曆時至少是1 : 1. 0 0目.在以氮化物作為蝕刻停止層時至少 是"I : 1 0 0。 第1 9圖：触刻停[h層可保存在承載體上，特別是當一 種由第二材料構成之層6 2配置在其上時更是如此。電 容器是藉由高e介電質9或鐵電質形成於裸露之表面上 以及産生反電極1 0而形成。 Ί7- (請先閱讀背面之注意事項再填爲本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨OX 297公釐） B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

五、發明説明（ 1 y ) 1 1 笔 20 圖 在 第 6 實 施 例 中 » 使 用 -^ 種 蝕 刻 停 止 層 (TE0S 1 ^ 1 [ 氤 化 的 )作為此種層序列之最下方第二 :層。 f 於 承 載 asth m 上 施 加 種 層 序 列 > 其 F7 取 下 層 疋 一 種 由 第 一 請 1 1 種 材 料 所 構 成 之 層 6 .而最下方第二層是- -種蝕刻停止 閱 讀 1 背 1 壩 5 , 忱種層序列上方交替地施加這些由第-- -（β 3 —) 和 第 1¾ 之 二 種 材 料 (6 2 >所構成之層。 注 意 1 1 事 1 第 2 1 圖 在 此 種 層 序 列 中 對 „- 値 開 Ρ 進 行 蝕 刻 停 止 層 XF\ 再 ί ·\ 5 為 ih 此 處 可 使 用 一 種 以 含 有 氣 之 氣 體 來 進 行 之 R I E 填 寫 ) 裝 渦 稈 1-i 在 第 二 η 刻 步 驟 中 以 C ; F 6 /C H F 3 來 對 此 蝕 刻 停 ' 頁 、W 1 j (Η 層 5 進 行 蝕 刻 ♦ 使 此 開 □ 中 可 裸 露 出 此 種 由 第 —' 種 材 1 Ι 料 所 構 成 之 最 下 層 之 表 面 〇 此 種 蝕 刻 步 驟 是 選 擇 性 地 對 1 1 第 一 種 材 料 來 進 行 此 開 P 中 是 以 第 一 種 材 料 植 入 較 ! 訂 1 I 佳 疋 在 1比 種 層 序 列 之 水 平 表 面 上 沈 積 第 一 種 材 料 0 第 22 圖 ； 然 後 在 ™- 種 非 等 向 性 之 蝕 刻 過 程 中 使 層 序 列 1 1 6 ， 6 2 (包括此蝕刻停止層5 )被結構化成層結構6 ύ 可 1 1 能 時 可 進 行 與 此 相 關 之 多 値 独 刻 步 驟 0 承 載 體 表 面 2 裸 \ 露 於 層 結 構 之 旁 〇 Γ 第 2 3 圖 就 像 上 述 樣 對 薄 片 6 ^進行- -種自由蝕刻， 1 1 其 中 此 種 蝕 刻 曰 疋 選 擇 性 地 對 第 種 材 料 來 進 行 〇 相 對 於 ί I 触 剌 停 [h 層 之 )¾ 擇 性 是 不 須 要 的 〇 蝕 刻 停 止 暦 5 同 樣 須 Ί 被 去 除 〇 適 當 之 用 於 TE0S 和 氛 化 物 之 等 向 性 蝕 刻 過 rn W- 對 I 丨比 行 業 之 專 家 而 言 是 熟 悉 的 Λ 因 此 可 製 成 第 電 極 0 薄 i I Η 6 1 經由支撑結構而在機械上和電性上互相連接， 與 I 連 接 結 構 3 , 4之 接 觸 作 用 疋 藉 由 最 下 層 之 薄 片 來 達 成 〇 I -1 8 " I I I I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（2丨0 X 297公尨） 4W〇7〇 Λ7 B7 五、發明説明（q ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此介於支撐結構和接點之間的欠（de-)對準是不重量 的。不使用一種蝕刻停止層時亦可對最下方之薄片進行 蝕刻而此位障4可能受傷害。 第24圓：電容器是藉由高ε介電質9和鐵電質形成於 裸露之表面上以及產生反電極10而被製成。 符號之說明 1 基板 2 隔離層 3,3， 接觸孔 4,4， 位障 5 蝕刻停止層 6 層結構 7 間隔層 8 開口 9 鐵電質 10 反電極 11,12 源極/汲極區 14 位元線接觸區 15 位元線 16 通道區 17 字元線 18 溝渠 6卜62 層 -19- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨0 X 297公釐）

Claims (1)

1. ^ft/@14492號『依據廳狀堆疊原理具有ε介電質或鐵電質之電容器及其製造方法』 專利鬉 88年12日,TF C 六、申請專利範圍

   揷霜容器，其配置在承載體上之半導體配置中，包 栝 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 - 一禪含有貴金隰之第一電極（6 i , 7 ), -.一揮-雷容器鐵電質（9 )，其是高ε介電質或鐵電質 材料所構成， -一種第二電極（1 0 ), 其特徴為：第一電極（6ι , 7)具有至少二値互相隔 開之簿！={ ( 6 1 ),這些薄K基本上是與承載體表面相 平行地配置箸且經由一種支撑.結構（7 )而在機槭上及 電件上互相連接。 2. 如申請專利範圍第1項之電容器，其中這些薄H (6l·) 猙由支撑結構（7 )而與承載體U , 2 )在電性上互相連 接 3. 如申請專利範圍第2項之電容器，其中此支撑結構（Ή 配置在薄Η ( 6 i )之至少一個連接邊綠上。 4. 如申請專利範圍第1或第2項之電容器，其中此支撑 結構（7)經由薄片而延伸。 5. 如申請專利範圍第1或第2項之電容器，其中承 載體在其面向電容之表面上具有一種隔離層（2)(其 中配置一種接觸區（3)),此接觸區（3)包括一種擴散 位障（4 )且與第一電極（6 i ，7 )相連接。 6 .如申請專利範圍第5項之電容器，其中此承載體包含 一種Μ 0 S電晶體巨接觸區（3 )使此電晶髏之源極/汲極 區Μ 1 )能與第一雷極（6丄，7 )相建接。 修煩 手諳 本委 f員 f明 Ϊ示葛年 容/1^ +日 ί所 正提 之 (請先閱讀背面之注意事項乒填寫本頁) 1Ί· .韓· 20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ο ?34 A8SSS 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 7 . —稀如申請專利範圍第1項所述電容器之製造方法， 其恃徽為： -存承載體（1 , 2 )之表面上産生一種層序列，其交替 包含.一揮由含有貴金屬之第一種材料（6 i )所構成 之層以及一種由第二種材料（6 2 )所構成之層，第二 種材料可選擇性地對第一種材料而被蝕刻， -層序列被蝕刻成一種具有邊緣之層結構（6), •須形成一種靥結構（7 ),其覆蓋此種層結構（& )之至 少一邊緣且在機械上及電性上使這些由第一種材料 所構成之層相連接， -使這些由第二材料所構成之層（6 2 )選擇性地對這些 由第一種材料所構成之層及對支撑結構（7 )而被去除 -在這柴由第一種材料和支撑結構（6 1 , 7 )所構成之 層之裸露之表而上以共形方式（conform)施加一種 由高£介電質或鐵電質材料所構成之電容器介電質 m， --在電容器介電質上産生第二電極（1 〇 ) ,：· 8.如申請專利範圍第7項之方法，其中此種支撑結構藉 肋於第一種材料之共形方式之沣積以及隨..後非等_向性 之回蝕刻而産生以形成間隔層，然後對此種層結構中 之開口 U )進行蝕刻，此開口（ 8 )使這些由第一種和第 二種材料所構成之各層之表面裸露出來。 9 .如申請專利範圍第8項之方法，其中該開口是位於層 結構（6 )之邊線。 -2 1 - 本紙張尺度適用尹國國家標準（CNS)A4規格（2〗〇χ 297公Μ ) ------------^^裝--------訂---------線. <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ?〇 γ Ο Α8 Β8 CS DS 六、申請專利範圍 I 0 .如申請專利範圍第8項之方法，其中該開口是位於層 結構之内部，使支撑結構保存在層結構之所有連接邊 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線上，:. II ,如申請專利範圍第8項之方法，其中在層結構中形成 上述之開口時層結構是以支撑結構而劃分成二値部份 區域，此二個部份區域是以一値間隙隔開，每一個部 份區域是電容器之第一電極。 1 2 .如申請專利範圍第7項之方法，其中該支撑結構藉 肋於非等向性之傾斜式蒸發過择而産生。 13. —種如申請專利範圍策1項所述電容器之製造方法， 其特徵為： -在承載體（1，_2)之表面上産生一種層序列，其交替 地包含一種由含有貴金屬之第一種材料（6i )所構成 之層以及一種由第二種材料（6 2 )所構成之層，第二 種材料可選擇性地對第一種材料而被蝕刻， -在層序列中形成一値開口， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -在此開口中形成一個支撑結構（7),其填入此開口中， -此種層序列在一種非等向性之蝕刻過程中被蝕刻成 一種層結構（6),其具有位於内部之支撑結構， -由第二種材料所構成之層（62)選擇性地對此種由 第一種材料所構成之層（6 i )及對該支撑結構（7 )而 被去除， -在此種由第一種材料及支撑結構Ut , 7)所構成之 層之裸露之表面上以共肢方式沈積一種由高e介電 -22 - 本紙張尺度適用中@國家標準<CNS)A4規格（210x 297公.爱） AS B8 C8 DS 7〇 六、申請專利範圍 暂或鐵霄質材料所構成之電容器介電質（9 ), ~芘雷容器介電質（9 )上産生第二電極Π 〇 )。 1 4 .如申請專利範圍第？ - 1 3項中任一項之方法，其中這些 '層（6 )是由第一種材料（例如，P t , I r或1U 0 )所産生， 而请哩層（6 7 )是由第二種材料（其是可選撣性地對第 一種材料而被鈾刻之金屬，恃別是A 1或T i )所産生。 15. 如申請專利範圍第7 - 1 3項中任一項之方法’其中在承 載體（2)上或在此種層序列上之最下層上施加一種蝕 刻停止層（5)。 16. 申請專利範圍第14項之方法，其中在承載體（2)上或 在此種層序列上之最下層上施加一種蝕刻停止層 (5}。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 線_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -23- 本紙張尺度適用中固國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公爱）