434731 A7 ________B7__ 五、發明說明（1 ) 發明背景 下述爲本發明之習知技藝； 1) 日本專利公開No 5 — 21338 ，1993 ’ 1 ，2 9公開 2) 曰本專利公開No . 7 — 302889， 1995，11 ，14 公開 3) ''水槍機發展歷史"’日本水槍技術協會期刊’ 1984，第一冊，No.1，第四頁 發明領域 本發明係關於一種構件分離裝置和構件處理裝置，構 件分離方法，和半導體基底製法。 相關技藝之說明 具有SOI (絕緣體上之矽）構造之基底（SOI基 底）已知爲具有單晶矽層在一絕緣層上之基底=使用此 S 0 I基底之裝置具有無法由一般矽基底所達成之優點。 這些優點如下。 (1 )因爲介電隔離相當容易*可增加整合程度。 、..（2 )可增加抗輻射性。 (3 )因爲雜散電容較小，可增加裝置之操作速度。 ( 4 )不需要井步階。 (5 )可防止閂鎖。 (6 )藉由薄膜形成可形成完全空乏場效電晶體。 ―― __ 4 二 —— — 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210 x 297公釐> 二一 II 一 ------Γ ----III — ^ 11 1. <請先閱讀背面之注意事項免填寫本頁) 線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 H- 43473 1 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ________ B7_五、發明說明（2 ) 由於SO I構造具有上述之優點，數十年來，已對其 形成方法進行許多的硏究。 關於SO I技術，長久以來，已知SOS技術（在藍 寶石上之矽）•其中矽以CVD (化學蒸氣沉積）外差磊 晶成長在單晶藍寶石基底上。此s ◦ S技術一度臝得最成 熟S 0 I技術之美譽。但是，因爲大量的晶體缺陷因在矽 層和底層藍寶石基底間之介面中之晶格不匹配而產生，形 成藍寶石基底之鋁混合在矽層中，此基底相當昂貴，和難 以獲得大的面積，因此，S 0 S技術迄今尙未實際使用。 而後，以引進各種S 0 I技術至此S 0 S技術。這些 S〇I技術主要針對降低晶體缺陷和降低製造成本而檢視 。這些技術之例如下。首先，氧離子植入一基底以形成掩 埋氧化層。其次，兩晶圓經由氧化膜結合，且一晶圓受拋 光或蝕刻以留下單晶矽層在氧化膜上。再者，將氫離子由 具有氧化膜之矽基底之表面植入至一預定深度，此基底結 合至另一基底，藉由加熱等，薄單晶矽層留在氧化膜上， 且剝離結合基底（另一基底）。 申請人已揭示一種新的S 0 I技術在日本專利公開 No . 5 — 21 338中。在此技術中，藉由形成非多孔 單畢矽層在具有多孔層之單晶矽層上而準備之第一基底經 由一絕緣層（S i 〇2)而結合至第二基底。而後，此基底 在多孔層上分離，藉以傳送非多孔層至第二基底。此技術 之優點爲S 0 I層之膜厚度均勻性相當良好，可降低在 S 0 I層中之晶體缺陷密度，S 0 I層之表面平面性良好 .一_—_^_· 纸張瓦度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） - — — It--— 丨 |1丨|_ * |一| (請先閱讀背面之注意事項t寫本頁)
IM .線_ 二 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 43473 1 A7 ___B7_____ 五、發明說明（3 ) ’因此不需要具有特殊規格之昂貴製造裝置，且以〜製造 裝置可製造具有厚度爲數百埃至1 0 之SO I膜之 S 〇 I基底。 本申請人亦揭示日本專利公開N 〇 . 7 - 3 0 2 8 8 9，此技術爲結合第一和第二基底，分離 第一和第二基底而未破壞第一基底，使已分離之第一基底 之表面平滑，和再度形成一多孔層以再使用第一基底。在 此技術中’不浪費第一基底，且因此，可顯著的降低製造 成本，且可簡化製造方法。 爲了利於使用上述技術之大量生產，必須減少降低良 率之因素。例如’在一序列於一多孔層上分離一結合基底 堆疊之處理中，重要的是防止基底之掉落。 發明槪要 本發明乃在考量上述之情況下製成，且其目的乃在提 供一種分離裝置和方法，其適於分離例如基底之構件，一 種處理裝置，其適於處理例如基底之構件，和使用該分離 方法之半導體基底製法。 依照本發明，·於此提供一種構件分離裝置，包含：操 挫機、構，用以改變構件之主表面之方向；和分離機構，用 以使用一流體流以分離該構件‘，其中該操控機構具有操控 該構件以使主表面之方向匹配第一方向之功能和操控該構 件以使主表面之方向匹配第二方向之功能。 在此構件分離裝置中，該操控機構最好接收主表面之 二一 …一 -------：----i I---裝'1 (請先閱讀背面之注意事項ί寫本頁) 訂·' -線 二- 二
二 I 本紙張尺度適用中國园家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局負工消费合作社印製 434731 A7 _______B7 _五、發明說明（4 ) 方向匹配第一·方向之構件，匹配主表面之方向和第二方向 ，和移動構件至該分離機構可處理該構件之位置，且亦匹 配由該分離機構分離之至少一構件之主表面之方向和該第 —方向。 在此構件分離裝置中，該操控機構最好接收主表面之 方向匹配第一方向之構件，匹配主表面之方向和第二方向 ，和移動構件至該分離機構可處理該構件之位置，且亦匹 配由該分離機構分離之構件之主表面之方向和該第一方向 〇 在此構件分離裝置中，第一和第二方向最好實質互相 垂直。 在此構件分離裝置中，第一方向最好爲構件之主表面 實質水平之方向。 在此構件分離裝置中，較佳的，欲處理之構件包含一 板構件，和該分離機構在一平面方向上切割板構件以分離 該構件成爲兩板構件。 在此構件分離裝置中，較佳的，第二方向爲板構件之 主表面實質垂直之方向，和該分離機構向著在垂直方向之 板構件射出流体以分離該構件成爲兩板構件。 、、在此構件分離裝置中，第一方向最好爲板構件之主表 面實質水平之方向。 在此構件分離裝置中：該操控機構包含一對保持機構 ，當該分離機構分離板構件時，該保持機構藉由從兩表面 側夾住構件而保持該板構件。 ----------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項ί寫本頁) 灯· -線- 二一 H- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗0 X 297公釐） 二 4 34? 〇 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作杜印製 五、發明說明（5 ) 在此構件分離裝置中，每個保持機構最好包含箝夾機 構用以箝夾板構件。 在此構件分離裝置中，較佳的，該操控機構包含樞轉 機構用以樞轉該對保持機構至少之一繞著平行於該箝夾機 構之箝夾表面之軸，和該板構件之主表面之方向以該樞轉 機構改變。 在此構件分離裝置中，較佳的，該操控機構包含樞轉 機構用以樞轉該對保持機構繞著平行於該箝夾機構之箝夾 表面之軸’和該板構件之主表面之方向以該箝夾機構改變 在此構件分離裝置中，當成該保持機構之樞轉中心之 軸最好安排在該對保持機構不互相干擾之位置上》 此構件分離裝置最好進一步包含轉動機構用以轉動構 件繞著垂直於主表面之軸。 在此構件分離裝置中，該轉動機構包含當該分離機構 分離該構件時轉動該構件之機構。 在此構件分離裝置中，較佳的，該分離機構使用一液 體流分離該構件，和該轉動機構包含一機構用以轉動由該 分離機構分離之至少一構件以移去黏著在構件上之液體。 、、此構件分離裝置最好進一步包含轉動機構用以轉動該 對保持機構之至少之一繞著垂直於保持表面之軸。 在此構件分離裝置中，當分離機構分離該構件時，該 轉動機構最好轉動該保持機構。 在此構件分離裝置中，較佳的，該分離機構使用一液 ____-8- _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐> 二 二一 -- ------r -------I --- <請先閱讀背面之注意事項ί寫本頁> )aJ- -線 二 二 43473 A7 B7 五、發明說明（6 ) <請先閲讀背面之注意事項^#寫本頁) 體流分離該構件，和該轉動機構轉動該保持機構以在由分 離機構分離構件後移去黏著在由保持機構所保持之構件上 之液體。 此構件分離裝置中最好進一步包含一室以覆蓋該裝置 〇 在此構件分離裝置中，該室最好具有一可開/關之快 門》 此構件分離裝置最好進一步包含傳送機構以傳送域處 理之構件至該操控機構，和由該操控機構接收該分離構件 ，該傳送機構安排在該室外，且當快門開啓時，至/從該 操控機構傳送/接收該構件。 在此構件分離裝置中，至少當構件由分離機構所分離 時，該快門最好關閉。 此構件分離裝置最好進一步包含定位機構用以相關於 該操控機構定位欲處理之構件。 在此構件分離裝置中，較佳的，欲分離之構件具有一 易碎層當成一分離層，和該易碎層實質平行於構件之主表 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 面。 依照本發明，於此提供一種構件處理裝置，包含：操 控槔構，用以改變構件之主表面之方向；轉動機構，用以 轉動該構件繞著垂直於主表面之軸；和處理機構，用以在 轉動機構轉動該構件時，處理該構件，其中該操控機構接 收主表面之方向匹配第一方向之構件，匹配主表面之方向 和第二方向，和移動構件至該處理機構可處理該構件之位 _______ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公芨） 經濟部智慧財產局負工消f合作社印製 4347 3 t A7 ___B7__ 五、發明說明（7 ) 置，且亦匹配已由該處理機構處理之構件之主表面之方向 和該第一方向。 在此構件處理裝置中，第一和第二方向最好實質互相 垂直。 在此構件處理裝置中，第一方向最好爲構件之主表面 實質水平之方向。 在此構件處理裝置中，較佳的 > 該處理機構使用一液 體處理該構件，和該轉動機構轉動該構件以在由處理機構 處理構件後移去黏著在構件上之液體。 依照本發明，於此提供一種構件處理裝置，包含：保 持機構，用以保持該構件；操控機構，用以改變該保持機 構之保持表面之方向；處理機構，用以處理由保持機構所 保持之構件；和轉動機構，用以在處理機構處理中和/或 已處理該構件時，轉動保持該構件之保持機構繞著垂直於 保持表面之軸，其中該操控機構在該保持機構接收欲處理 之構件時匹配保持表面之方向和第一方向，在該保持機構 接收和保持該構件後匹配保持機構之保持表面之方向和第 二方向，和移動保持機構至該處理機構可處理該構件之位 置，且在由該處理機構處理完成後，亦匹配該保持機構之 保if表面之方向和該第一方向。 在此構件處理裝置中，第一和第二方向最好實質互相 垂直11 在此構件處理裝置中，第一方向最好爲構件之主表面 實質水平之方向。 ___- 10 -__ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 * 297公釐） I一 = 一 l· Μ 二 三 二二 二|1 ---rll· ! ：----------.----裝--------訂---------線——K---*-----------·-----------！-一 i- {請先聞讀背面之注意事項f寫本頁) 434731 A7 __B7_____ 五、發明說明（8 ) (請先閱讀背面之注意事項ί寫本頁) 在此構件處理裝置中，較佳的，該處理機構使用一液 體處理該構件，和該轉動機構轉動該構件以在由處理機構 處理構件後移去黏著在構件上之液體。 依照本發明，於此提供一種構件分離方法，包含：接 收步驟，用以接收主表面之方向匹配第一方向之構件；操 控步驟，用以匹配構件之主表面之方向和第二方向；和分 離步驟I用以使用一流體流以分離該構件。 此構件分離方法最好進一步包含第二操控步驟，用以 匹配在分離步驟中分離之至少一構件之主表面之方向和第 一方向。 此構件分離方法最好進一步包含第二操控步驟，用以 匹配在分離步驟中分離之構件之主表面之方向和第一方向 〇 在此構件分離方法中，第一和第二方向最好實質互相 垂直。 在此構件分離方法中，第一方向最好爲構件之主表面 實質水平之方向3 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在此構件分離方法中，較佳的，欲處理之構件包含一 板構件，和該分離步驟包含在一平面方向上切割板構件以 分_該構件成爲兩板構件。 在此構件分離方法中，較佳的，第二方向爲板構件之 主表面實質垂直之方向，和該分離步驟包含向著在垂直方 向之板構件射出流体以分離該構件成爲兩板構件。 在此構件分離方法中，第一方向最好爲板構件之主表 ___-11 -_- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 43473 1 A7 _B7 ____ 五、發明說明（9 ) 面實質水平之方向。 在此構件分離方法中，該分離步驟最好包含藉由從兩 表面側夾住構件而保持該板構件。 在此構件分離方法中，該分離步驟最好包含在轉動欲 處理之構件繞著垂直於主表面之軸時，使用一流體流分離 該構件。 在此構件分離方法中，較佳的*該分離步驟包含使用 一液體分離該構件，和該方法進一步包含在構件在分離步 驟中分離後，轉動分離之至少一構件以移去黏著在構件上 之液體。 在此構件分離方法中，該分離步驟最好在一室中執行 以防止流體之散佈。 在此構件分離方法中，較佳的，欲處理之構件具有一 易碎層當成一分離層，和該易碎層實質平行於構件之主表 面。 在此構件分離方法中，該易碎層最好包含一多孔層。 在此構件分離方法中，該易碎層最好包含具有微孔洞 之層。 在此構件分離方法中，較佳的，欲處理之構件乃藉由 結令至少兩板構件而準備，且兩板構件之至少之一包含一 半導體基底。 在此構件分離方法中，該半導體基底最好包含單晶矽 基底。 在此構件分離方法中，較佳的，欲處理之構件乃藉由 ___： -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐) --- !ί (請先閲讀背面之注意事項t寫本頁) I- II •裝 訂· Μ- •線！ 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 Η Η 一 43473 ] at ___B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（10) 結合至少兩板構件而準備，且兩板構件之至少之一包含一 絕緣基底= 在此構件分離方法中，該絕緣基底最好包含一石英基 底。 在此構件分離方法中，較佳的，欲處理之構件乃藉由 結合至少兩板構件而準備，且兩板構件之至少之一包含一 透明基底。 在此構件分離方法中，欲處理之構件最好藉由結合實 質具有一非多孔層和由一表面向內之多孔層之第一基底經 由非多孔層至第二基底而準備。 在此構件分離方法中，非多孔層最好具有單晶矽層。 在此構件分離方法中，非多孔層最好具有一絕緣層在 單晶矽層上。 在此構件分離方法中，該絕緣層最好以氧化矽形成。 在此構件分離方法中，第二基底最好包含一絕緣基底 〇 在此構件分離方法中，第二基底最好包含一透明基底 〇 在此構件分離方法中，第二基底最好包含一石英基底0、 在此構件分離方法中，該多孔層最好藉由陽極化單晶 矽基底而形成。 在此構件分離方法中，欲處理之構件最好藉由結合第 二基底至包括有一微孔洞層之第一基底之表面而準備。 -13- Η ---------------— (請先閲讀背面之注意事項ί寫本頁) 三 訂· 線_ ||一 ΙΞ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4^3473 1 Λ • _ ___ Β7 A7 經濟部智慧財-1局員工消费合作社印製 五、發明說明（11 ) 在此構件分離方法中，該微孔洞層最好藉由將離子植 入單晶矽層而形成。 在此構件分離方法中，最好使用水當成流體。 依照本發明，於此提供一種半導體基底製法，包含之 步驟爲：準備包括有一多孔層或一微孔洞層之第一基底： 結合第一基底至第二基底以準備一結合基底堆疊：使用如 申請專利範圍第3 4項之構件分離方法，以多孔層或微孔 洞層當成一分離區域將結合之基底分離成第一基底側和第 二基底側；和移去留在第二基底側上之多孔層或微孔洞層 α 此半導體基底製法最好進一步包含之步驟爲，在結合 基底堆疊分離後，移去留在第一基底側上之多孔層或微孑L 洞以再使用第一基底。 在此半導體基底製法中，該多孔層最好藉由陽極化一 半導體基底而形成。 在此半導體基底製法中，該微孔洞最好藉由將離子植 入半導體基底而形成。 由本發明之下述實施例之詳細說明並參考附圖可更加 明瞭本發明之進一步目的，特徵和優點。 .、 圖式簡單說明 圖1 Α至1 Ε爲在製造依照本發明之較佳實施例之 SO I基底之步驟之說明圖； 圖2 A至2 C爲依照本發明之較佳實施例之分離裝置 -14- ____ 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） Π 一_ __ 主/ -i n n n 1 (請先閱讀背面之注意事項寫本頁> 訂： -線- 二 434731 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（12 ) 之原理之圖： 圖3爲分離裝置之第一構造之示意圖； 圖4爲分離裝置之第一構造之示意圖； 圖5爲分離裝置之第一構造之示意圖； 圖6爲分離裝置之第一構造之示意圖； 圖7爲分離裝置之第一構造之示意圖； 圖8爲用以調整介於基底保持部份間之間隙之一調整 機構之第一構造圖； 圖9爲用以調整介於基底保持部份間之間隙之—調整 機構之第二構造圖： 圖1 0爲一自動分離裝置之第二構造之示意圖； 圖1 1爲一自動分離裝置之第二構造之示意圖； 圖12爲一自動分離裝置之第二構造之示意圖；和 圖1 3爲一自動分離裝置之第二構造之不意圖。 主要元件對照表 11 單晶矽基底 12 多孔矽層 15 絕緣層 、10 第一基底 、 2 0 第二基底 13 非多孔單晶矽層 22，23 基底保持部份 2 4，2 5 轉動軸 -15- ----— I11III-I1 ^ -------I ^« — — 1—---- (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 1 結合 基 底 堆 2 9 噴 射 介 質 2 8 噴 嘴 3 0 噴 射 空 間 1 5 0 ， 1 6 0 基 底 操 控 部份 1 0 8 > 1 0 9 基 底 保 持部份 1 0 8 a r 1 0 9 a 真 空 箝夾槽 1 0 6 > 1 0 7 轉 動 軸 1 0 1 結 合 基 底 堆 1 0 0 分 離 裝 置 1 0 2 1 1 0 3 軸 支 持 部 份 1 0 4 J 1 0 5 軸承 1 1 4 » 1 1 5 驅 動 源 1 1 1 彈 簧 1 1 0 噴 嘴 1 2 2 汽 缸 1 2 1 活 塞 桿 1 3 1 偏 心 輪 1 3 2 驅 動 板 1 5 1 > 1 6 1 驅 動 源 1 5 0 1 1 6 0 基 底 操 控 部份 4 0 0 室 5 0 3 快 門 43473 1 A7 _B7 五、發明說明（13 ) 2 6，2 7 轉動軸 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） Ξ- 二一 Η 二 二|一 H-i l· ! I I I 1 Is M . J---.---訂---------線-------.---------------! (請先閱讀背面之注意事項％^寫本頁) -16- 43473 1 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ____B7__五、發明說明（14 ) 500 傳送裝置 501 傳送機器人 507 定位單元 5 0 4 匣 505，506 空白厘 5 0 2 機器手 較佳實施例之詳細說明 以下參考附圖說明本發明之較佳實施例》 圖1A至1E爲在製造依照本發明之較佳實施例之 S〇I基底之步驟之說明圖。 在圖1A所示之步驟中，準備單晶矽基底1 1 ，且比 陽極化形成多孔矽層1 2在基底表面上。在圖1 B所示之 步驟中，以磊晶成長形成非多孔單晶矽層1 3在多孔矽層 1 2上。而後，此表面受氧化以形成S i 〇2層1 5。以此 處理，可形成第一基底1 0 ^ 在圖1 C之步驟中，準備由單晶矽構成之第二基底。 第一和第二基底1 〇和2 0在室溫下互相接觸，因此第二 基底2 0相對於一絕緣層1 5。而後，第一和第二基底 和2 0以陽極化結合，按壓，加熱，或其結合而結合 在一起。此絕緣層1 5可形成在非多孔單晶矽層1 3上， 如上所述，在第二基底2 0上，或在上述兩者上，只要當 第一和第二基底互相接觸時，可得圖1 C所示之狀態。 在圖1 D所示之步驟中，結合在一起之兩基底在多孔 -----；---裝 i-_ (請先閱讀背面之注意事項#埃寫本頁)
II 二一 -線. Η 一 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210x297公爱） 43473 1 A7 __B7五、發明說明（15 ) 矽層12上分離。結果， 絕緣層1 5，和單晶矽基 底側（10〃 + 20)。在第一基底 層1 2 >形成在單晶矽基 在分離後，留在第一 除，且基底表面依 多孔矽層1 2，單晶矽層1 3 ’ 底2 0之多層構造形成在第二基 (1 0 / )側，多孔 需要平 用以形成第一基底1 0之 在結合基底分離後， 1 0 〃 + 2 0 )上之表面 除。以此處理，可獲得單 晶矽基底2 0，即具有S 關於第二基底，不只 絕綠基底（例如，石英基 底1 1上。 基底上之多 坦化，藉以 單晶矽基底 如圖1 E所 上之多孔層 晶砂層1 3 0 I構造之 可使用單晶 底）或透明 孔矽層 受到移 再使用第一基底當成 11° 示，在第二基底側（ 1 2 #受選擇性的移 ，絕緣層1 5，和單 基底，之多層構造。 矽基底，且亦可使用 基底（如石英基底） 請 先 閲 讀 背 之 注 t 事 項 再·~ 填二I裝 頁 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在此實施例中，爲了利於結合兩基底而後將它們分離 之處理，具有易碎構造之多孔層1 2形成在分離區域中。 除了多孔層外，亦可形成微孔洞層。微孔洞層可藉由將離 子植入半導體基底而形成。 在此實施例中，在圖1 D所示之步驟中，亦即，在分 離_結合兩基底而準備之基底（以下視爲結合基底堆疊） 之處理中，一高壓液體或氣體（流體）射入結合基底堆疊 之分離區域以破裂該多孔層，藉以分離結合基底堆疊成爲 兩基底。 線 本紙張尺度適用中囷國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 18- 43473 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（16) (分離裝置之原理） 以下首先說明依照本發明之較佳實施例之分離裝置之 原理。此實施例之分離裝置使用一水噴射方法。一般而言 ，水噴射方法射出高速高壓水流至物體以由表面移去塗覆 膜，或淸潔表面（"水槍機發展歷史# ，曰本水槍技術協 會期刊，1984，第一冊，No . 1，第四頁）。 此分離裝置射出一高速高壓液體或氣體（流體"）流至 在基底表面方向中之結合基底堆疊之多孔層（分離區域） ，以選擇性的破裂多孔層，藉以分離在多孔層上之基底堆 疊。此液體流以下視爲一噴射流。形成噴射流之液體或氣 體（流體）以下視爲"噴射介質# =關於噴射介質方面， 可使用水，如乙醇之有機溶劑，如氫氟酸或硝酸之酸，如 氫氧化鈉鉀之鹼，如空氣之氣體*碳酸氣體，或蝕刻氣體 等。 圖2 A至2 C爲本發明之較佳實施例之分離裝置之原 理。此分離裝置具有一對基底保持部份2 2和2 3以支持 基底。轉動軸2 4和2 5分別耦合至基底保持部份2 2和 2 3。基底保持部份2 2和2 3受支持以分別自由的樞轉 繞著轉動軸2 6和2 7。 、、爲了分離結合基底堆疊2 1成爲兩基底2 1 a和 21c，首先，基底保持部份22和23之基底支持表面 製成水平，如圖2 A所示。結合基底堆疊2 1安裝在基底 保持部份2 2上之預定位置上，且箝夾在基底支持表面。 其次，如圖2 B所示，基底保持部份2 2和2 3分別 -19- 二一 (請先閱讀背面之注意事項f寫本頁： 裝 --線- Η 二一 二 U- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） 43473 i A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（17 ) 繞著轉動軸2 6和2 7樞轉以互相相對，因此，結合基底 堆疊2 1由基底保持部份2 2和2 3所夾住和保持。此時 ，基底保持部份2 2和2 3之基底支持表面爲垂直的。 在此狀態下，一噴射介質（例如水）2 9由噴嘴2 8 噴出且注入結合基底堆疊2 1之分離區域（多孔區域）， 而結合基底堆疊2 1繞著轉動軸2 4和2 5轉動。以此操 作，結合基底堆疊2 1分離成兩基底2 1 a和2 1 c。在 此分離時，結合基底堆疊2 1可受到保持而無真空箝夾。 如圖2 C所示，基底保持部份2 2和2 3分別繞著轉 動軸2 6和2 7樞轉，直到基底支持表面變成水平。在此 操作時，基底2 1 a由基底保持部份2 2所箝夾，且基底 2 1 c由基底保持部份2 3所箝夾。 而後，例如水之液體使用當成噴射介質，而分離基底 2 1 a和2 1 c可藉由以高速轉動基底保持部份2 2和 2 3分別繞著轉動軸2 4和2 5而乾燥。 在圖2 B所示之狀態中，亦即，當結合基底堆疊2 1 由基底保持部份2 2和2 3夾住時，轉動軸2 6和2 7必 須在由突出結合基底堆疊21之表面在軸同上而形成之空 間（突出空間）3. 0之外側，以防止在基底保持部份2 2 和2、3間之干擾。但是，如果已安排用以移動基底保持部 份2 2和2 3之一或兩者之機構在水平方向時，基底保持 部份2 2和2 3可位於突出空間3 0中》 以上述之分離裝置，結合基底堆叠2 1可以水平狀態 傳送至分離裝置，且分離基底21 a和2 1 c可以水平狀 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -?n- H'-r二|二Γ,----^---------裝 i-1 (請先閱讀背面之注音？事項寫本頁) 訂 = Ξ一!線. 1—
II 4347/31 A7 B7 五、發明說明（18) 態從分離裝置接收。在容許基底以水平狀態傳送之構造中 ，基底可從下側支持。因此，在傳送時，可降低基底掉落 之危險。 以下說明本發明之較佳實施例之分離裝置之特殊構造 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (分離裝置之第一構造） 圖3至7爲分離裝置之第一構造之示意圖。分離裝置 1 0 0包含一對基底操控部份1 5 0和1 6 0以操控基底 〇 基底操控部份1 5 0和1 6 0具有基底保持部份 1 0 8和1 0 9以分別支持基底。基底保持部份1 0 8和 1 0 9具有真空箝夾槽1 0 8 a和1 0 9 a當成用以箝夾 基底之機構。箝夾槽1 0 8 a和1 0 9 a分別和經由轉動 軸1 0 6和1 0 7延伸之真空線相通。此真空線經由一轉 動真空接頭連接至外部真空線。 欲處理之結合基底堆疊101安裝有一多孔層 1 0 1 b當成易碎構造部份，且在多孔層1 0 1 b上分離 成兩基底101 a和101c。 、、爲了分離結合基底堆疊1 〇 1，結合基底堆疊1 〇 1 以基底保持部份1 0 8和1 0 9夾住且垂直的支持，如圖 5所示。 在此分離裝置中，結合基底堆叠設定成基底1 〇 i a 呈現在第一基底側（10')，和基底1〇1 c呈現在第二 __'___-7Λ -__ ϋ張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公t ) 二二. 二-|| 一一 二| 一.Ξ一 · 「_一 I--------------rlllr^-I-!裝 i.---.---訂---------線一----^---.------------------·:. (請先閱讀背面之注意事項免填寫本頁) 1 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 五、發明說明（19) 基底側（1 0 ’ + 2 0 )，如圖1 D所示。 基底保持部份1 0 8耦合至由一軸.支持部份1 0 2經 由一軸承1 0 4而軸向且轉動的支持之轉動軸1 0 6之一 端。轉動軸1 0 6之另一端耦合至一驅動源1 1 4。關於 驅動源114方面，可使用一馬達。在分離處理中，結合 基底堆疊101以來自驅動源114之轉動力轉動。驅動 源1 1 4以依照來自一控制器（未顯示）之指示所指定之 轉動速率轉動轉動軸1 0 6。 另一方面，基底保持部份1 0 9耦合至由一軸支持部 份1 0 3經由一軸承1 0 5而軸向且轉動的支持之轉動軸 1 07之一端。轉動軸1 07之另一端耦合至一驅動源 1 1 5。關於驅動源1 15方面，可使用一馬達。在分離 處理中，結合基底堆疊1 0 1以來自驅動源1 1 5之轉動 力轉動。驅動源1 1 5以依照來自一控制器（未顯示）之 指示轉動轉動軸1 0 7以和轉動軸1 0 6之轉動同步。轉 動軸1 0 6和1 0 7互相同步轉動，以防止結合基底堆疊 1 0 1之扭曲。 可分別耦合獨立的驅動源至轉動軸1 0 6和1 0 7， 如上所述。但是，使用單一驅動源時’由驅動源所產生之 轉_力可分佈至轉動軸1 06和1 07。在此例中’轉動 軸1 0 6和1 0 7可輕易的互相同步的轉動。 .替代的，可只驅動轉動軸106和107之一。例如 ，當只安排用以驅動轉動軸1 0 6之驅動源1 1 4時’在 結合基底堆疊1 0 1分離前，轉動軸1 〇 6 ’基底保持部 _____-70 -_ 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項一^#寫本頁) !1一 二- 裝 二三 訂_ ! 線· 彐 43473 1 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7 _五、發明說明（20 ) 份108，結合基底堆疊101，基底保持部份109， 和轉動軸1 0 7整合的轉動。當結合基底堆疊1 0 1分離 成兩基底時，在轉動軸1 0 7側上之構件停止。 在轉動軸1 0 7側上之軸支持部份1 0 3安裝有一彈 簧1 1 1以按壓結合基底堆疊1 0 1。因此，結合基底堆 疊1 0 1接收在基底1 0 1 a壓抵基底1 〇 1 C之方向上 之力（X軸負方向）。結果’在結合基底堆疊10 1以來 自噴嘴1 1 0之噴射流分離成兩基底1 0 1 a和1 0 1 c 後，且即使當兩基底1 0 1 a和1 0 1 c未分別由基底保 持部份1 0 9和1 08真空箝夾時’基底1 0 1 a和 1 0 1 c亦不會掉落。 在此實施例中，彈簧1 1 1應用—力在基底1 〇 1 a 壓抵基底10 1c之方向上（X軸負方向）°但是’此力 亦可爲藉由改變彈簧之位置而應用在基底1〇1a與基底 1 0 1 c分離之方向。在此例中’當在結合基底堆疊 1 〇 1以來自噴嘴1 1 0之噴射流分離成兩基底1 〇 1 a 和1〇1 c時，基底1〇1 a和101 c分離。 分離裝置1 〇 〇具有一調整機構以調整介於基底保持 部份1 0 8和1 〇 9間之間隙。以下說明調整機構之特殊 例。、 圖8爲調整機構之第一構造之圖。圖8所示之調整機 構使用一汽缸1 2 2 °汽缸1 2 2固定至軸支持部份 103。當一活塞桿121•收縮（驅動）時’驅動源（如 —馬達）1 1 5受到拉動。當活塞桿1 2 1之驅動取消時 -23 - ___ -Ξ一 二二-'.ΙΞ ' -In- -II 二 I ——l· — I—----——.——-------^----_ ——.-----------I.-----I! (請先閲讀背面之注意事項$寫本頁) 本纸張尺度邮中闕家標举(CNS)A4規格（210 X 297公f ) 43473 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（21) ’彈簧1 1 1之力可作用在轉動軸10 7上以按壓基底。 圖9爲調整機構之第二構造之圖。圖9所示之調整機 構使用一偏心輪1 3 1和一馬達。偏心輪1 3 1稱合至一 馬達（未顯示）。介於基底保持部份1 〇 8和1 0 9間之 間隙藉由移動耦合至驅動源115之後端之一驅動板 132而調整。彈簧111之力作用在基底受按壓之方向 上之轉動軸1 0 7上。爲了保持結合基底堆疊1 〇 1和將 其分離成兩基底，偏心輪1 3 1樞轉在由偏心輪1 3 1對 驅動板1 3 2之限制取消之方向上，亦即，在偏心輪 1 3 1和驅動板1 3 2間形成一間隙之方向上。以此操作 ，彈簧1 1 1之按壓力可作用在結合基底堆疊1 0 1上。 即使以作用在結合基底堆疊1 0 1受到拉動之方向之 彈簧取代彈簧1 1 1時，亦有需要調整介於基底保持部份 1 0 8和1 0 9間之間隙之調整機構。在此例中，調整機 構使用以推動基底保持部份10 9，直到其和結合基底堆 疊1 0 1接觸，以箝夾結合基底堆疊1 0 1在基底保持部 份10 9之基底支持表面上。 分離裝置1 0 0具有驅動源（如一馬達）1 5 1和 1 6 1以轉動轉動軸1 1 2和1 1 3，以分別樞轉基底操 控部份1 5 1和1 6 0。驅動源1 5 1和1 6 1固定至， 例如，分離裝置1 0 0之主體框。 如圖3所示，在分離裝置1 0 0中，基底操控部份 1 5 1和1 60可藉由驅動源1 5 1和1 6 1而樞轉繞著 轉動軸112和113，以使基底保持部份108和 _____-24- |一一 (請先間讀背面之注音？事項#4寫本頁) 裝： · -線· Μ 二 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 43473 1 A7 B7 經濟部智慧財產局員工湞费合作社印製 五、發明說明（22) 1 0 9之基底支持表面分別爲水平或垂直的。 除了準備兩驅動源以分別用於基底操控部份1 5 0和 1 6 0外1亦可安排單一驅動源。在此例中，來自驅動源 之輸出分佈以驅動基底操控部份1 5 1和1 6 0。 在分離裝置1 ◦ 0中，當結合基底堆疊1 0 1由基底 保持部份1 0 8和1 0 9夾住（垂直支持）時，轉動軸 1 1 2和1 1 3位於由突出結合基底堆疊1 0 1在軸向上 而形成之空間（突出空間）外側。此外，轉動軸1 1 2和 1 1 3安排在平行於基底保持部份1 0 8和1 0 9之基底 支持表面之方向（Y軸方向）。因此，基底操控部份 1 5 0和1 6 0可不互相干擾的操作，且結合基底堆疊 1 0 1不會破壞分離基底101a和101c。 即使當轉動軸1 1 2和1 1 3位於突出空間中，藉由 增加基底保持部份1 0 9對軸支持部份1 0 3側之退後距 離，可防止介於基底操控部份1 5 0和1 6 0間之干擾。 以下說明由分離裝置1 0 0處理之一序列結合基底堆 疊分離步驟。 首先，如圖3所示，基底操控部份150和160以 驅動源1 5 1和1 6 1驅動以分別使基底保持部份1 0 8 和\ 0 9之基底支持表面水平。基底保持部份1 0 9以如 圖8或9所示之調整機構縮回至軸支持部份1 0 3，如圖 3所示。在此狀態中，結合基底堆疊1 0 1安裝在基底保 持部份1 0 8，且在槽1 0 8 a中之壓力降低以箝夾結合 基底堆疊101在基底支持表面上。結合基底堆疊101 II 一 -----l·— ——；----.裝 j — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) |二 二一一 II· 一
三I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNSM4規格（210 X 297公釐） -25- 43473 1 A7 B7 經濟邨智慧財產局員工消费合作社印製 五、發明說明（23) 最好安裝在基底保持部份1 0 8上，因此結合基底堆疊之 中央匹配基底保持部份1 0 8之中央。 其次，如圖4所示，基底操控部份1 5 0和1 6 0以 驅動源151和161樞轉以分別使基底保持部份108 和10 9之基底支持表面垂直。 如圖5所示，基底保持部份1 0 9以彈簧1 1 1之作 用由軸支持部份1 0 3推動，因此，結合基底堆疊1 0 1 由基底保持部份1 0 9所按壓。當使用如圖8或9所示之 構造時，此操作可藉由取消由汽缸1 2 2或偏心輪1 3 1 對轉動軸1 0 7之限制而達成。 在此狀態中，結合基底堆疊1 0 1可由基底保持部份 1 0 8和1 0 9之一或兩者真空箝夾。當彈簧1 1 1之按 壓力充足時，結合基底堆疊1 0 1可只以按壓力而無真空 箝夾而保持。 其次，驅動源1 1 4和1 1 5同步的操作以轉動結合 基底堆疊1 0 1。一噴射介質（例如水）以高壓泵（未顯 示）壓縮和供應至噴嘴1 1 0，以將此噴射流注入當成結 合基底堆疊1 0 1之分離區域之多孔層1 0 1 b，亦即， 在垂直方向。當注入噴射流並轉動結合基底堆疊1 0 1時 ，、結合基底堆疊1 0 1分離成兩基底1 0 1 a和1 0 1 c 在結合基底堆疊1 0 1物理的分離成兩基底後，基底 保持部份1 0 8和1 0 9以如圖8或9所示之調整機構退 卻至軸支持部份1 0 3側，如圖6所示。以此操作，物理 _-26-___ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ~Γ- i —!I — -I-：----Mi) (請先閱讀背面之注意i項再填寫本頁) -6·- 線· r ir ΊΙΙ-二 Έ 一二 43473 二 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（24) 分離之兩基底1 0 1 a和1 〇 1 C乃空間的分離。當基底 1 0 1 a和1 0 1 c未分別由基底保持部份1 〇 9和 1 0 8所箝夾時，在分離結合基底堆疊1 0 1下，在基底 保持部份1 0 9退卻至軸支持部份1 0 3側前，基底 1 0 1 a和1 0 1 c需要由基底保持部份1 〇9和1 08 所箝夾。 如圖7所示，基底操控部份1 5 0和1 6 0藉由驅動 源1 5 1和1 6 1而繞著轉動軸1 1 2和1 1 3樞轉，以 分別使基底保持部份1 0 8和1 0 9之基底支持表面水平 。基底101a和l〇lc保持水平。 當分離處理使用一液體當成噴射介質而執行時 > 噴射 介質留在分離基底1 0 1 a和1 0 1 C上。黏著在基底 1 0 1 a和1 0 1 c上之噴射介質最好分別藉由以驅動源 1 1 4和1 1 5轉動基底保持部份1 0 8和1 0 9而移除 ，以使基底乾燥（旋轉乾燥）。關於旋轉乾燥方面，最好 在兩基底操控部份1 5 0和1 6 0間插入用以遮蔽散佈噴 射介質之遮蔽板。 基底1 0 1 a和1 〇 1 c可傳送至另一乾燥裝置以藉 由該裝置使其乾燥。當需拋棄其中一基底時，該欲拋棄之 基辱無須乾燥。 如上所述*分離裝置.1 0 0執行分離處理並垂直的保 持結合基底堆疊。其一理由爲當噴射流未注入在垂直方向 時，噴射流軌道因重力而向下彎曲’因此其變成難以將噴 射流注入結合基底堆叠之所需位置（分離區域）。另一個 __；_—_zJZLz__ 表紙張尺度適用中圈國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） C請先閱讀背面之iit-事項再填寫本頁) --裝 訂. 二 二一 H- I! 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 43473 1 A7 _________B7_ 五、發明說明（25 ) 理由是當結合基底堆疊之分離表面（多孔層）平行於噴射 流之方向時，噴射流可有效的作用在分離表面，因此，可 增加分離處理之效率。 依照具有基底操控部份1 5 0和1 6 0之分離裝置 1 0 0，可執行分離處理並垂直的保持結合基底堆疊 1 0 1，此外，結合基底堆疊可以水平狀態傳送至分離裝 置，和已分離之基底亦可以水平狀態接收。由於在基底傳 送時’基底可由下側支持，因此可降低基底掉落之危險。 另一方面’如果使用用以垂直狀態傳送結合基底堆疊至分 離裝置之機構或用以以垂直狀態接收分離基底之機構時， 基底可能會掉落。 此外，依照本發明，當基底保持部份1 0 8和1 09 之基底支持表面設定成水平時，可確保在基底支持表面上 之寬廣空間=如此有利於基底之傳送或接收。 (分離裝置之第二構造） 此實施例係關於安裝有第一構造之分離裝置1〇〇之 自動分離裝置’其可自動的執行一序列的操作，即抽取儲 存在一匣中之結合基底堆疊，將其傳送至分離裝置1 0 0 ’、在分離裝置1 0 0中分離結合基底堆疊1 〇 1，和儲存 所分離之基底在另一匣中。 .圖1 0至1 3爲自動分離裝置之第二構造之示意圖。 更特別而言，圖1 0爲結合基底堆疊1 0 1設定在分離裝 置10 0中之狀態之示意平面圖；圖11爲由一側觀察時 -9ft - 本紙張尺度用中關家標翠（CNS)A4規格（210 X 297公楚) I ---I ---I*! til — !-- (請先閱讀背面之注意事項系漆寫本頁) 43473 1 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7 五、發明說明（26 ) ，圖10所示之構造；圖12爲結合基底堆疊101分離 之狀態之示意平面圖：和圖1 3爲由一側觀察時’圖1 2 所示之構造。 此實施例之自動分離裝置包含第一構造之分離裝置 1 0 0，和用以傳送結合基底堆疊和分離基底之傳送裝置 5 0 0 ° 較佳的，分離裝置1 0 0設定在一室4 0 0中，且逼 快門5 0 3安排在室4 0 0和傳送裝置5 0 0間。較佳的 ，當結合基底堆疊1 0 1設定在分離裝置1 〇 〇或欲抽取 分離基底時，快門5 0 3開啓，而在分離處理時，快門關 閉。以此構造，在分離處理時，可防止由室4 0 0散佈噴 射介質（例如水）。 傳送裝置5 0 0包含傳送機器人5 0 1以傳送結合基 底堆疊1 0 1和分離基底，和一定位單元5 0 7用以相關 於基底保持部份1 0 8定位結合基底堆疊1 0 1。 爲了執行分離處理，儲存多數結合基底堆疊1 0 1之 一之匣5 0 4和儲存分離基底1 0 1 a和1 0 1 c之空匣 5 0 5和5 0 6設定在傳送裝置5 0 0中之預定位置。匣 5 0 4設定以使結合基底堆疊保持水平且開口部份面對傳 送f器人501。匣505和506設定以使分離基底可 以水平狀態儲存且開口部份面對傳送機器人5 0 1。 以下說明以自動分離裝置處理之分離步驟。 操作者設定儲存結合基底堆叠1 0 1之匣5 0 4和空 匣5 0 5和5 0 6在傳送裝置5 0 0中之預定位置。當操 I JI (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 二 一~ 訂· --線. lr Η 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） -29- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 43473 1 A7 _B7五、發明說明（27 ) 作者經由一控制板（未顯示）指示啓始分離處理時’自動 分離處理開始下述一序列之處理操作。 首先，分離裝置1 0 0樞轉基底操控部份1 5 0和 1 6 0以使基底支持表面水平，如圖1 0和1 1所示。 傳送機器人5 0 1在匣5 0 4中之相關結合基底堆疊 1 0 1下方插入具有箝夾機構之機器手5 0 2，箝夾結合 基底堆疊之下表面，和移除結合基底堆疊1 0 1。 傳送機器人5 0 1安裝結合基底堆疊1 0 1在定位單 元5 0 7之支持台上並取消箝夾。定位單元5 0 7藉由互 相相對之兩引導構件而將結合基底堆疊101之中央位置 對準參考位置。傳送機器人5 0 1箝夾結合基底堆疊 1 0 1之下表面在定位單元5 0 7之支持台上，延伸機器 手502向著分離裝置100之基底保持部份108，和 設定結合基底堆疊1 0 1在基底保持部份1 0 8上之預定 位置上=藉由使用定位單元507，結合基底堆疊101 可相關於基底保持部份1 0 8定位。 當傳送機器人5 0 1設定結合基底堆疊1 0 1在基底 保持部份108上時，快門503開啓。 藉由以定位單元5 0 7定位每個結合基底堆疊1 0 1 ，、每個結合基底堆疊1 0 1可設定在基底保持部份上之正 確位置=由於結合基底堆疊1 0 1之中央可匹配轉動軸 1 0 6之中央軸，介於噴嘴1 1 0和結合基底堆叠1 0 1 之側表面間之距離可保持不變，而結合基底堆疊1 0 1可 轉動和分離。因此，噴射流可均勻的沿結合基底堆疊 ---— - - - ——- - -30 τ ____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項牙填寫本頁) 丨裝 i-5 · .線. 二 二一
IP Ξ 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 43473 1 A7 ________B7_____五、發明說明（28〉 10 1之整個週緣作用。 當完成結合基底堆疊101之設定在基底保持部份 108上時，傳送機器人501縮回機器手502，而後 ，關閉快門5 0 3。 在分離裝置1 〇 0中，基底操控部份1 5 0和1 6 0 以驅動源1 5 1和1 6 1樞轉以分別使結合基底堆疊 1 0 1垂直，且結合基底堆疊1 0 1由基底保持部份 1 0 8和1 0 9所夾住和真空箝夾。 分離裝置1 0 0執行分離處理。更特別而言，在分離 裝置1 0 0中，結合基底堆疊1 0 1以驅動源1 l· 4和 1 1 5 >轉動，且同時，一噴射流由噴嘴1 1 0射出並注 入結合基底堆疊1 0 1之分離區域（多孔區域1 0 1 b ) 。以此分離處理，結合基底堆璺1 0 1分離成兩基底 101a和l〇lc。驅動源115’包括不只上述之驅動 源1 1 5，且亦包括如圖8或9所示之調整機構。 當結合基底堆疊1 0 1分離成兩基底1 0 1 a和 1 0 1 c時，分離裝置1 〇 〇以上述之調整機構分離兩基 底101a和101c。而後，基底操控部份150和 1 6 0以驅動源1. 5 1和1 6 1樞轉以分別使基底保持部 份I 0 8和1 0 9之基底支持表面水平。 藉由以驅動源1 1 4和1 1 5'以高速轉動基底保持部 份108和109，可移除（旋轉乾燥）黏著至分離基底 之噴射流。 而後，打開快門5 0 3。傳送機器人5 0 1延伸機器 ---ill-----· J---.---^ --------- (請先閱璜背面之注音？事項羚填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -31 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 434731 A7 __B7 __五、發明說明（29) 手5 0 2在基底保持部份1 〇 8上之基底1 〇 1 c下方’ 藉由箝夾其下表面而保持基底1 〇 1 c，和儲存基底 1 0 1 c在匣5 0 5中。以相同的方式，傳送機器人 5 0 1延伸機器手5 0 2在基底保持部份1 0 9上之基底 1 0 1 a下方，藉由箝夾其下表面而保持基底1 0 1 a ’ 和儲存基底1 0 1 a在匣506中。 以上述之處理，一結合基底堆疊之分離處理終止。藉 由對所有未處理之結合基底堆疊重覆上述處理，此自動分 離裝置可分離在匣5 0 4中之所有結合基底堆疊。 依照此自動分離裝置，當準備和設定儲存結合基底堆 疊之匣和兩空匣在傳送裝置5 0 0中，且指示分離處理之 執行時，分離處理自動的執行，且已分離且乾燥之兩基底 選擇性的儲存在兩恢復匣中。 如上所述，即使當分離裝置自動的執行時，可以水平 狀態傳送基底在傳送裝置和分離裝置間之構造具有相當顯 著的優點。 和以垂直狀態傳送基底在傳送裝置和分離裝置間之構 造比較，此優點相當容易瞭解。在此例中，除非傳送機器 人傳送基底至基底保持部份且正確且垂直的保持，基底保 持f份難以箝夾結合基底堆疊，且結合基底堆疊有時會掉 落。此亦可應用至由傳送機器人對分離基底之接收。如果 機器手之基底保持表面未正確平行於基底時，機器手難以 可靠的箝夾基底。 !一~ 一 ji 二二 三 ----— — ^----裝 i----.---訂---------線------------ <請先閱讀背面之注意事項#填寫本頁) -32 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 434731 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（3〇) (分離裝置之應用例） 關於上述分離裝置之應用例方面，以下參考圖1A至 1 E說明S Ο I基底之製法。 關於單晶矽基底1 1方面，可準備具有6 2 5〔 〕，5〔 inch〕直徑，和0 01 〔Ω· cm〕之電阻率 之P或η型（1 00)單晶矽基底。此單晶矽基底1 1浸 入HF溶液中且陽極化以形成具有厚度爲1 2〔 "m〕之 多孔矽層1 2 (圖1 A )。陽極化條件如下。 電流密度：7[mA/cm2〕 陽極化溶液：H F : Η 2 Ο : C 2 Η 5 Ο Η = 1 : 1 : 1 處理時間：1 1 〔 m i η〕 此基底在氧氣中加熱至400〔°C〕並氧化1小時。 以此處理，在多孔矽層1 2中之孔之內壁覆蓋以熱氧化膜 。而後，具有0 , 3〔em〕厚之單晶矽層13以CVD 法磊晶成長在多孔矽層1 2上。磊晶成長條件如下。在此 處理前，基底可在磊晶爐中在氫氣中烘焙。 氣體源：S i Η 4 載送氣體：Η· a 、、溫度：8 5 0 〔 °C〕 壓力：1X10— 2〔Torr〕 成長率：3.3 〔nm/sec〕 ' 0 2〔em〕厚之3丨02層15形成在單晶矽層（ 磊晶層）13上（圖1. B)。單晶矽基底20分離準備° _^___- 33 -___ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） M-.二 “ I: 二二‘ · |M Η ----rllllr!· M-J---.---訂---------線------------------------- <請先閱讀背面之ii意事項再填寫本頁) ^3473 1 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（31) S i 〇2層1 5和單晶矽基底2 0之表面在室溫下互相接觸 。而後，在1 1 0 0〔 °C〕之溫度下執行熱處理1小時以 結合兩基底（圖1 C )。 此結合基底堆疊儲存在匣5 0 4中且設定在第二構造 之自動分離裝置之傳送裝置5 0 0中，並執行分離處理（ 圖1D)。關於噴射介質方面，可使用純水。噴射直徑設 定爲0 . 2〔mm〕，和射出之水之壓力設定爲350〔 Kgi/cm3〕。執行分離處理並固定噴嘴之位置剛好在 結合介面上。結合基底堆疊以約8 〔 r pm〕之速度轉動 Q 當結合基底堆疊已進行五次循環時，大部份之結合基 底堆疊可完全分離。但是，在考量介於基底間之變化下， 自動分離裝置設定以噴出噴射流，並轉動結合基底堆疊約 2分鐘。 即使當結合基底堆疊分離成兩基底後，由於彈簧 1 1 1之作用，兩基底仍互相接觸。在由結合基底堆疊分 離處理啓始起一段預定時間後，一基底保持部份1 0 9退 卻至軸支持部份1 0 3側以空間的分離已物理分離之兩基 底。此基底無裂縫，龜裂，或損壞。 、、移除分離和儲存在匣505中之基底（10" +20 )，且使用H F / Η 2 0 2 / Η 2 Ο基蝕刻劑選擇性的蝕刻 在表面上之多孔矽層。由於單晶矽之蝕刻率相當低，當成 多孔矽層之下層之單晶矽基底之蝕刻量於實際使用時可忽 略。以此蝕刻處理，可形成具有約0 . 2 jczm厚之單晶矽 _______-34-__ 本纸張尺度適用中0國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — 1 — — —! — — # - J I I I*1 1 I 訂— — — — — I* (請先閱讀背面之注意事項#填寫本頁) 43473 1 A7 B7 經濟邨智慧財產局員工消費合作社印5取 五、發明說明（32 ) 層13在Si〇2膜15上之SOI基底C圖1E)。 可確認的是，所得S 0 I基底之表面，亦即’單晶矽 層1 3之表面無缺陷。以透射電子顯微鏡觀察單晶矽層 1 3之截面發現在磊晶成長後在處理中不會增加晶體缺陷 *且可保持滿意的晶性。 除了形成S i 〇2膜在單晶矽層（磊晶層）1 3之表面 外，即使當1 ) S i 0 2膜未形成在單晶矽層1 3側之表面 而是在一獨立準備之單晶矽基底之側上，或2) S i 0 2 膜形成在單晶矽層1 3側之表面且在一獨立準備之單晶矽 基底之側上，亦可形成滿意的S 0 I基底。 藉由移除在表面上之多孔層和使表面平坦化，上方形 成有多孔矽層之基底（單晶矽基底1 1 )可再度使用當成 第一或第二基底。 適於製造S 0 I基底之基底分離裝置和方法已如上述 本發明之較佳實施例所述。本發明之分離裝置和方法可使 用於分離或切割其它構件。欲分離之構件最好如同多孔層 之易碎分離區域。 依照本發明，可降低，例如基底之構件掉落之危險。 本發明並不限於上述之實施例，且於此仍可達成各種 改·_、和修飾，但其仍屬本發明之精神和範疇。因此，本發 明之精神和範疇應由下述申請專利範圍界定之。 — — — — — III1I ,,111* ' J---.---訂--— — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項#填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）