TW413957B - Compound semiconductor laser diode and method for fabricating the same - Google Patents

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經濟部眢慧財產馬員工消費合作社印製 413957 Α7 ___ Β7 五、發明説明（） 發明背景 發明領域 本發明是有關於一種雷射二極體，尤其是有關於一 種複合半導體雷射二極體及製造出具改善其可靠 合半導體雷射二極體的方法。 習用技術背景 一般’當雷射束具有較窄頻帶與較尖銳方向性時， 從雷射二極體射出的雷射束，已經被應用到光通訊，多 重通訊，以及衛星通訊領域上。其中結合光通訊的一項 重要雷射二極體應用領域是光碟領域，其中目前的光碟 機以及光碟讀取/寫入裝置都需要很好的雷射二極體’ 所需的雷射二極體須具有很大的平行遠視角以及要在很 小的電流下操作，並能通過高溫下的可靠的操作試驗。 有一種習用技術的GaN半導體雷射二極體具有簡單的 凸脊結構，是在GaN基底上長出多晶層所形成的，並形 成P型電極’如圖la與lb所示，其中在題13中是使用GaN 基底’而圖：lb中是使用不具導電性的隔絕GaN基底。 .參閱圖la，在GaN基底1上依序以長晶方式長出n~

AlGaN/GaN 包覆層 2，InGaN 主動層 3，p-AIGaN/GaN 包覆 層4，以及p-GAN電極層6，以製造出凸脊結構，蝕刻掉 部分的晶體層，並用隔絕層5定義出電流通道。然後， 在凸脊7上形成p型電極7，並在基底}的底部形成n型電 3 I I i I |裝| I n n I n I I-^ {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度谪用中國國家標準（CNS ) A4規格（210χ297公釐） 413957 A7 B7 五、發明説明（） —-—- 極8，完成雷射二極體的製造。 為了使可罪的半導體雷射二極體能正常的操作，半 導體雷射二極體必須在金屬封裝塊内製造，因為半導體 雷射二極體的操作電流對溫度非f敏感，當溫度上升時 ，會大幅的增加操作電流，而需要一種讓主動層所產生 的熱量能有效逸散出去的結構。為了解決這問題，已經 有二種如圖la與圖lb所示的習用技術方法被使用到。第 一種習用技術方法是，將基底侧打線金屬封裝塊上，而 第二種習用技術方法是，將凸脊表面打線金屬封裝塊上 。當主動層所產生的熱量要經由基底而逸散到金屬封裝 塊上時，第一種方法具有較長的熱逸散路徑。亦即，當 主動層所產的熱量’與基底下的電極做比較，是較接近 凸脊頂部上的電極時，第一種習用技術方法具有很低效 率的熱逸散路徑。雖然當凸脊表面是打線金屬封裝塊上 ，而形成較短的逸散路徑時，第二種習用技術方法是具 有較高效率的熱逸散路徑，但是除凸脊區以外的隔絕層 ’會對隔絕層打線到金屬封裝塊上所使用到的焊料，具 有較差的黏結性。隔絕層的熱傳導性較差，不能將主動 層所產生的熱量逸散出去。而且，由凸脊高度所產生的 間隙要用焊料填滿。然而，當凸脊的高度有幾百奈米時 ’很難均勻的填滿凸脊的高度，不只是會降低了元件的 熱效能’而且還會降低元件性能的均·一性。因此，當習 用技術的半導體雷射二極體無法達到有效的熱逸散時， 4 A4規格 ^210X297公釐 ' ----1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _____B7 五、發明説^ ) ~~~~~' — 是很難將習用技術的半導體雷射二極體應用到商業用途 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁〕 發明摘要 因此’本發明是針對複合半導體雷射二極體以及其 製造方法，排除掉習用技術的限制與缺點所導致的一個 或更多個問題》 本發明的目的在於提供一種複合半導體雷射二極體 以及其製造方法，能有效的將主動層所產生的熱量有效 的逸散出去。 本發明的其它特點與優點會在以下的說明中提出， 從該說明中有一部分將會更為明顯，或是由本發明的實 例而學習到。將會在說明中，申請專利範圍中，以及所 附的圖式中所特別指出的結構，來實現並達成本發明的 其它目的與優點。 "! 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 為了達到依據本發明目的的這些優點以及其它優點 ’如文中所述的，複合半導體雷射二極體包括基底，在 基底上的η型包覆層，在η型包覆層上的主動層，在主動 層上的ρ型包覆層’在ρ型包覆層主動區上的ρ型電極層 ’在包含有ρ型電極層的整個表面上的平面型ρ型電極， 以及在基底底部或在ρ型包覆層頂部上的η型電極，其中 ρ型包覆層具有第一凹陷區與第二凹陷區以及主動區， 都具有一深度，而主動區是在第一凹陷區與第二凹陷區 5 本紙張尺細中國固Λ4^7ΙΙ^297^^ ) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 413957 A7 ____B7 五、發明説明（） 乙間。 在本發明的其它特點中’有提供一種製造複合半導 t雷射二極體的方法’包括以下步驟（1)在GaN基底上， 敗序形成η型AlGaN/GaN包覆層，inGaN主動層，p型 UGaN/GaN包覆層，p型GaN電極層，以及利用從AlyGal_ 0 ’ Si〇2，Si3N4 ’ Al2〇3中所選取的其中一種材料，形 成隔絕層’（2)蝕刻掉AlyGai-yN隔絕層的區域，曝露出 p型GaN電極層，（3)除了中央區域以及以底下的p型 UGaN/GaN包覆層以外，將已曝露的p型GaN電極層中相 反侧的區域蝕刻掉’到達一深度，以曝露出p型 \lGaN/GaN包覆層’（4)在包括AlyGal-yN隔絕層的整個 表面上形成p型電極，（5)在GaN基底的底部或p型 UGaN/GaN包覆層上，形成η型電極》 在本發明的另一特點中’有提供一種製造複合半導 體雷射二極體的方法，包括以下步驟（1)在GaN基底上， 依序形成η型AlGaN/GaN包覆層，InGaN主動層，p型 41GaN/GaN包覆層，以及p型GaN電極層，（2)去除掉p型 GaN電極層’只在所需的區域中留下p型GaN電極層，以 曝露出P型AlGaN/GaN包覆層，（3) I虫刻掉部分在所殘留 P型GaN電極層的二側上的p型AlGaN/GaN包覆層，到達所 需的深度’（4)在包括AlyGal-yN隔絕層的整個表面上形 成p型電極，（5)在GaN基底的底部或p型AlGaN/GaN包覆 上，形成η型電極。 6 (锖先聞讀背面之注項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X^7公釐） A7 413957 五、發明説明（ 要了解的疋’則述的—般說明以及以下的詳細說明 都是代表性的以及解鏗从从 m Λ 执 解擇性的’用來進一步說明申請專利 範圍的内容。 圖式之簡簟説明 相關的圖式是用來對本發明做進一步的了解，並結 合到本說明書的-部分巾，以說明本發明的實施例，而 且結合說明内容來解釋本發明的原理。 在圖式中有： 圖la與lb顯示出代表習用技術㈣半導體雷射二極體 的各個區段； 圖2a至2c顯示出代表習用技術Μ半導體雷射二極體 封裝塊的各個區段； 圖3a至3e顯不出代表依據本發明較佳實施例以％半導 體雷射二極體的各個區段； 圖4顯示本發明母個區域的電流電壓特性曲線； 圖5a至5f顯示依據本發明第一較佳實施例來源製造 GaN半導體雷射二極體方法的步驟；以及 .圖6a至瞧线據本㈣第二較佳實施例來製造㈣ 半導體雷射二極體方法的步驟。 圖式中之參考數號 1基底 ‘紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規狢（21〇X2^jy (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印製 413957 五、發明説明（） 2包覆層 3主動層 4包覆層 5隔絕層 6電極層 7凸脊（p型電極） 8 η型電極 21 GaN基底 22 η型AlGaN/GaN包覆層 23 InGaN主動層 24 ρ型AlGaN/GaN包覆層 25 p型GaN電極層 26隔絕層 27 p型電極 28介電隔絕層 29 η型電極 Α7 Β7 f碕先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)

.、1T 較佳實施例的詳細說明 •將對本發明的較佳實施例做詳細的”，並配 關圖式做解說。本發明揭示出-種複合半導體雷射二極 體以及製造方法，能有效的將主動層所產生的熱量，逸 散到金屬封裝塊上’以確保GaN半導體雷射二極體的可 靠度，能夠達到商業用途的要求。為了達到上述目的， 坡 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本纸張尺度適财_家標準（CNS) M規格（训讀公赛） 413957 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 明説明（） 半導體雷射二極體必須具有半導體雷射二極體的頂部表 面，接近黏結到金屬封裝塊上的主動層，而不能有所失 誤’並需要達到以下二項要求。 第一，半導體雷射二極體的頂部表面必須使用與半 導體雷射二極體相同材料的隔絕材料來構成，或是能對 半導體表面產生強的黏結力的介電材料，整個表面的金 屬電極必須沉積在隔絕材料上，而且金屬電極與金屬封 裝塊必須黏結到焊料上。 第二’半導體雷射二極體的凸脊間隙必須用焊料自 然的填滿。 參閱圖3a至3c，為了滿足第一項要求，除了晶體成 長（GaN基底21，η型AlGaN/GaN包覆層22，InGaN主動層 23 ’ p型AlGaN/GaN包覆層24，p型GaN電極層25)以外， 還要成長出從AlyGal-yN，Si〇2，Al2〇3中所選取的任何 一種材料的隔絕層26 ’以形成半導體雷射二極體。 AlyGal-yN的隔絕層26，不論是未摻雜的或η型雜質摻雜 的’都為底下的ρ型材料具有很好的隔絕性。因此，本 發明的半導體雷射二極體提供ρ型電極27，沒有電流的 交流’沉積在隔絕層26底下的整個表面上，以便利用 Ρ型電極27當做表面電極。當金屬層通過熱處理製程時 ’ Ρ型電極的金屬層是直接沉積在半導體上，對半導體 與金屬層具有良好的黏結力。所以’金屬層提供良好的 黏結表面，利用焊料黏結到金屬封裝塊上。焊料是黏結 9 才衣！ (諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 ^'' 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2I0XW?公釐） 413957 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（) 金屬封裝塊表面以及半導體雷射二極體表面的理想材料 。然而，在有些時候，△卜以卜—的隔絕層26必須去除 掉。 為了滿足第二項要求，在主動區（圖3b中的丨區）的每 一側上，形成很小的凹槽，而且用卩型電極27填滿該凹 槽’，以避免形成階梯。本發明中有二種結構，取決於凹 槽形成製程與p型電極27形成製程之間的製造方式而定 0 參閱圖3a，所得到的結構是在主動區的二側形成凹 槽，在凹槽内用Si〇2，Si3N4，A1203沉積出介電隔絕層 28，以及在整個表面上沉積出p型電極27。而且，如圖 3b所示，其它結構是在主動區的二侧形成凹槽所獲得， 曝露出p型AlxGai-xN包覆層，而且並不沉積出像圖如中 的介電隔絕層28,而是直接沉積出p型電極27。圖牝的 其匕結構具有一個電流傳導通道，其中之一是正常通道 (I區），是由位於p型電極27與p型GaN電極層25之間的接 觸區所建立，另一通道是由位於p型電極27與口型 AIxGal-xN包覆層之間的接觸區所建立的通道（^區）。 然而，如圖4所示，既然Π區具有導通起始電壓V1±2 , 高於I區的導通起始電壓Vthl ’流向π區的電流便可以 忽略，以便製造出簡單且理想的半導體雷射二極體。在 本實例中，很重要的是，凹槽的底部表面必須是5型 AlxGal-χΝ包覆層的表面。如圖3C所示，如果將目前的 10 ---------穿-- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -5 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（公釐〉 413957 A7 ----- - --B7 —___ 五、發明説明（) ~〜·—- 結構加到具有無傳導性隔絕GaN基底的雷射二極體中， 將會對雷射的熱量逸散有很大的影響。亦即，如果將二 個凹槽加到具有隔絕G a N基底或A120 3基底的習用結構中 ’將對熱逸散有很大的影響，而且能大幅的改善除主動 區以外區域内半導體與p型金屬電極之間的黏結力。 此外’可以在如圖3d與圖3e所示的結構中製造出複 合半導體雷射二極體，是與圖3a ’圖3b，圖3c的結構不 同，如下所述。 第一，沒有AlyGal-yN隔絕層的晶體成長。 第二’從主動區以外的區域，移去p型GaN電極層。 雖然圖3d與圖3e結構中複合半導體雷射二極體的操 作是與圖3a ’圖3b，圖3c的相同，但是以製造的觀點來 說，圖3d與圖3e的結構較佳。亦即，製程較為簡單，不 需要成長出AlyGal-yN隔絕層’只蝕刻掉p型AlxGal-xN 包覆層，可以避免蝕刻所造成的損壞。 在圖3a至3e中所述的複合半導體雷射二極體中，主 動層寬度Wa ’凹槽寬度Wc，凹槽深度he，AlyGal-yN隔 絕層的厚度，組成與密度，以及p型Aix(ja卜』包覆層中 ’的A1含量，各具有以下的範圍。 主動層寬度Wa ; 1/z m S Wa S 10 y m 凹槽寬度 Wc，1 # m S Wc S 2 0//m 凹槽深度 he ; 1 Onm S he S 2 /z m

AlyGal-yN隔絕層的厚度 tu ; 5nmS tuS1 OOOnm 11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210x 297公楚 1-- (诗先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

*1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印" A7 413957 五、發明説明（）

AlyGal-yN隔絕層的A1含量y; OSySl

AlyGa卜yN隔絕層的η型雜質密度；η型雜質$ 5xl〇18/Cm p型AlxGal-χΝ包覆層中的A1含量’X’ ； OSxSl 圖5a至5f顯示依據本發明第一較佳實施例來源製造 GaN半導體雷射二極體方法的步驟。 參閱圖5a，依據本發明第一較佳實施例來源製造GaN 半導體雷射二極體方法的步驟，在開始時是GaN基底21 上，從AlyGal_yN，Si〇2，Al2〇3中所選取的任何一種材 料，成長出η型AlGaN/GaN包覆層22，InGaN主動層23， p型AlGaN/GaN包覆層24，p型GaN電極層25，隔絕層26。 AlyGal-yN隔絕層26的厚度，組成與密度是與上述的區 域相同，在圖3d與圖3e中是去除掉的。如圖5b所示，蝕 刻掉AlyGa卜yN隔絕層26的區域，以曝露出p型GaN電極 層25。AlyGal-yN隔絕層26被蝕刻掉部分的寬度，等於 AlyGa卜yN隔絕層26所留下來部分的寬度。然後，如圖 5c所示，钱刻掉主動區二側上的p型GaN電極層25與p型 AlGaN/GaN包覆層24，只留下p型GaN電極層25與在曝露 出來p型GaN電極層25中主動區上的p型AlGaN/GaN包覆層 24,形成凹槽。凹槽的寬度與深度等於上述的區域，而 凹槽的底部表面是P型AlxGa卜χΝ包覆層（OSx^l)的表 面。然後，如圖5d所示，在凹槽内側形成Si〇2，Si3N4 ，或Al2〇3的介電隔絕層28，阻擋流向凹槽内側的電流 12 ----------t------ΐτ------錄 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 413957 A7 —______B7_ 五、發明説明（） 。介電隔絕層28的厚度約i〇nm到500nm，而圖3b與圖3c 中所示結構的介電隔絕層沉積製程，則是去除掉。此外 ，如圊所示，平面p型電極27是在包括AlyGa卜yN隔絕 層26的整個表面上形成’而且如圖5f所示，基底21的底 部是接地’ η型電極29在其上面形成，形成一鏡面，到 達雷射穴的長度’而完成製造步驟。

圖6a至6d顯示依據本發明第二較佳實施例來製造GaN 半導體雷射二極體方法的步驟。既然圖6a與圖6b與第一 實施例的圖5a與圖5b是相同的，所以將不再做說明。 參閱圖6c，蝕刻掉主動區二側上曝露出來的p型GaN電 極層25與p型AlGaN/GaN包覆層24，只留下p型GaN電極層 25與在曝露出來p型GaN電極層25中主動區上的？型

AlGaN/GaN包覆層24 ’在p型GaN電極層25上形成p型電極 ，以便形成凹槽。凹槽的寬度與深度等於上述的區域， 而凹槽的底部表面是p型AlxGal -χΝ包覆層（〇各χ$ι)的 表面。依序蝕刻掉AlyGa卜yN隔絕層26，ρ型GaN電極層 25 ’ p型AlGaN/GaN包覆層24，以及InGaN主動層23，曝 露出η型AlGaN/GaN包覆層22。然後，如圖6(1所示，在

AlyGa卜yN隔絕層26與p型AlGaN/GaN包覆層24上形成p型 電極27 ’ n型電極29在曝露的AlGaN/GaN包覆層上形成， 並且形成一鏡面’到達雷射穴的長度，而完成製造步驟 〇 本發明複合半導體雷射二極體以及其製造的方法具 13 本紙張尺度適用中> A4規格 _{ 2丨OX 297公釐） ------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂_ 銻 413957 A7 _____ B7 五、發明説明（） 有以下的優點。 利用焊料做均勻的填滿，以便將半導體雷射二極體 的頂部表面黏結到金屬封裝塊表面，並用半導體形成整 個表面的頂部表面，以阻擋電流，極大化從半導體雷射 二極體的熱逸散，進而改善其可靠度。 對於熟知該技術領域的人士來說，在不偏離本發明 的精神與範圍下，可以對本發明複合半導體雷射二4體 以及其製造的方法做不同的修飾與變化。亦即，本發明 是包括在申請專利範圍與其相對等的範圍内，所有2發 明的修飾與變化。 裝— (請先閱請背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -£ Z- 尺 張 紙

Ns C /V 準 標 一祕

Claims (1)

1. 經 智 % 財 4. 局 X 消 費 合 作 杜 印 製 413957 A8 B8 C8 D8 ~、申請專利範圍 一種複合半導體雷射二極 —基底； 包括 一11型包覆層，在基底上形成； 一主動層，在η型包覆層上形成； —Ρ型包覆層’在主動層上形成，具有一第一凹陷區 ，一第二凹陷區，以及一主動區，第一凹陷區與第 二凹陷區都具有一深度，而主動區是介於第一凹陷 區與第二凹陷區之間； —Ρ型電極層’在ρ型包覆層的主動區上形成； —平面Ρ型電極，在包含ρ型電極層的整個表面上形成 ;以及 一η型電極，在基底的底部或ρ型包覆層的頂部上形成 〇 如申請專利範圍中第1項之複合半導體雷射二極體， 其中s亥基底與p型電極層是由GaN所構成，而η型包覆 層與Ρ型包覆層是由AlxGal-xN/GaN(OSxSl)所構成 〇 如申請專利範圍中第1項之複合半導體雷射二極體， ’其中該主動區的寬度在至10#m之間。 4. 如申請專利範圍中第1項之複合半導體雷射二極體， 其中該第一凹陷區與第二凹陷區都具有lym至20 em 的寬度’以及l〇nm至2"m的深度。 5, 如申請專利範圍中第1項之複合半導體雷射二極體， 15 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 本紙乐尺家標準（CNS > μ規格（210><297公釐） 413957 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 其中在除了第一凹陷區，第二凹陷區，以及主動區以 外的該p型包覆層上，依序堆疊出一口型電極層與一隔 絕層。 6.如申請專利範圍中第丨項之複合半導體雷射二極體， 其中該隔絕層是從AlyGa卜yN(0 g y ‘ 1)，§i〇2， Si3N4，A1203中所選取的其中一種材料所構成。 7·如申請專利範圍中第5項之複合半導體雷射二極體， 其中該隔絕層是未摻雜的，或是用11型雜質做摻雜的 〇 8·如申請專利範圍中第7項之複合半導體雷射二極體， 其中該η型雜質密度在5xl〇18/cm以下。 9.如申請專利範圍中第5項之複合半導體雷射二極體， 其中該隔絕層的厚度為5nm至i〇〇〇nm。 1〇·如申請專利範圍中第5項之複合半導體雷射二極體， 其令該隔絕層的寬度等於主動區寬度以及第一與第二 凹陷區寬度的和。 11. 如申請專利範圍中第1項之複合半導體雷射二極體， 其中在該第一凹陷區與第二凹陷區的整個表面上，形 .成一介電層。 12. 如申請專利範圍中第11項之複合半導體雷射二極體 ’其中該介電層是從Si〇2，Si3N4，Al2〇3中所選取的 其中一種材料所構成。 13. 如申請專利範圍中第11項之複合半導體雷射二極體 16 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ’衣· -訂. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度逍用中园國家標準 (CNS ) ( 210x297公釐） Α8 Β8 C8 D8 413957 六、申請專利範圍 ，其中該介電層的厚度為10nm至500nm。 14. 如申請專利範圍中第1項之複合半導體雷射二極體， 其中一金屬封裝塊被接到該p型電極，以便將主動層 所產生的熱量逸散掉。 15. 如申請專利範圍中第14項之複合半導體雷射二極體 ，其中該p型電極與金屬封裝塊是焊接在一起。 16_—種複合半導體雷射二極體的製造方法，包括以下 步驟： (1) 在GaN基底上，依序形成η型AlGaN/GaN包覆層， InGaN主動層，p型AlGaN/GaN包覆層，p型GaN電極層， 以及利用從AlyGal-yN ’ Si〇2，Si3N4，Al2〇3中所選取 的其中一種材料形成隔絕層； (2) 姓刻掉AlyGal-yN隔絕層的區域，曝露出p型GaN電 極層； (3) 除了中央區域以及以底下的p型AlGaN/GaN包覆層 以外，將已曝露的p型GaN電極層中相反侧的區域姓刻 掉，到達一深度，以曝露出p型AlGaN/GaN包覆層； (4) 在包括AlyGa卜yN隔絕層的整個表面上，形成p型 .電極；以及 (5) 在GaN基底的底部或p型AlGaN/GaN包覆層上，形成 η型電極。 17.如申請專利範圍中第16項之複合半導體雷射二極體 的製造方法，其中該步驟（3)中，所曝露的ρ型 17 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁〕 訂. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） 413957 μ __ __ D8 六、申請專利範圍 AlGaN/GaN包覆層具有AlGaN的表面。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 18. 如申請專利範圍中第16項之複合半導體雷射二極體 的製造方法，其中在該步驟（3)後，進一步包括在所 曝露的p型AlGaN/GaN包覆層的整個表面上，形成介電 層。 19. 如申請專利範圍中第16項之複合半導體雷射二極體 的製造方法’其中該η型電極是在依序蝕刻掉AlyGal-yN ’ p型GaN電極層，p型AlGaN/GaN包覆層，以及 InGaN主動層，而曝露出η型AlGaN/GaN包覆層後，在 η型AlGaN/GaN包覆層上形成的。 20. —種複合半導體雷射二極體的製造方法，包括以下 步驟： (1) 在一GaN基底上，依序形成η型AlGaM/GaN包覆層， InGaN主動層，p型AlGaN/GaN包覆層，以及p型GaN電極 層； -岣 丨. (2) 去除掉p型GaN電極層，留下所需區域内的p型GaN電 極層’曝露出p型AlGaN/GaN包覆層； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (3) 將殘留p型GaN電極層二侧上的部分p型AlGaN/GaN包 •覆層餘刻掉到達一深度； (4) 在包括p型GaN電極層的整個表面上，形成p型電極； 以及 (5) 在GaN基底的底部或p型AlGaWGaN包覆層上，形成 η型電極。 18