TW413862B - Piping system of etching apparatus - Google Patents

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TW413862B
TW413862B TW088114875A TW88114875A TW413862B TW 413862 B TW413862 B TW 413862B TW 088114875 A TW088114875 A TW 088114875A TW 88114875 A TW88114875 A TW 88114875A TW 413862 B TW413862 B TW 413862B
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pipeline
piping system
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TW088114875A
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Jia-Lin Ye
Chi-Shu Huang
Ming-Feng Wang
Jia-Rung Hu
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Mosel Vitelic Inc
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F4/00Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00

Description

413863 A7 _ B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明() 5-1發明領域: 本發明係有關於一種應用於半導體製程中的蝕刻設 備’特別是有關於蝕刻設備中各類製程氣體之管路系統。 5-2發明背景: 蚀刻製程(Etching Process)係為半導體工業中一項 極為重要的單元製程,而在目前的應用上主要可以分成濕 式蝕刻與乾式蝕刻。所謂的乾式蝕刻,主要係利用電漿所 產生的粒子對晶圓表面進行轟擊,而產生蝕刻的效果。而 另一種常見的乾式蝕刻製程,則是利用電漿將反應氣體的 分子解離成對晶圓表面材質具有化學反應性的離子,透過 這些反應離子與晶圓表面村質進行反應而形成揮發性的生 成物’再以真空系統將這些生成物抽離而達成钱刻晶圓的 目的。此一製程即為目前業界習知的反應性離子蝕刻法 (Reactive Ion Etch)。 由於反應性離子银刻法具有高選擇性與非等向性钱刻 的雙重優點’因此已被廣泛的應用在各類金屬的钱刻製程 中’如鎢,以及鋁合金等。在進行金屬蝕刻時,會通入反 應氣體進入蝕刻反應室中,這些氣體包含氣化物與乾化物 等氣體。經反應後這些氣體會與金屬形成氣態的化合物, 再透過真空泉的柚送經由特定的管路排送至整個鞋刻設備 的外部。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 11
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 413862 A7 B7 五、發明説明() (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 為了節約設計空間的緣故,整個蝕刻設備中的管路大 多十分曲折,而不同設計目的下的管路,其孔徑亦不相同。 因此在這些管路交錯中,蝕刻製程所產生的反應物將很容 易的附著在細小管路的交接或轉折處。舉例而言,蝕刻製 程中,晶圓受到反應離子揸擊常會造成其溫度升高,為了 控制晶圓的溫度常會在其背面的晶圓座中通入冷卻氣體。 而這些冷卻氣體,會透過一條細小的冷卻氣體管路,連接 於排氣管路將冷卻氣體隨同蝕刻反應室中的製程廢氣一起 排出。然而在冷卻氣體管路與主排氣管路接合處,常會有 許多製程廢氣中的蝕刻生成物附著其上。經過長時間的堆 積之後,造成冷卻氣體管路的阻塞,使得冷卻氣體的控制 失常,進而使得晶圓的冷卻不良而導致的蝕刻圖案不準確 等問題。 由於這些林林總總的管路大多都安置在#刻反應室的 下方,並由蝕刻設備的機殼所包覆著。因此傳統上,必須 要將蝕刻設備的機殼拆卸之後,才能夠進行管路的維修與 保養,如此將造成系統使用的負擔。而本發明即在這樣的 背景下,提出了 一個配合蝕刻設備的管路系統以克服上述 習知技藝的問題° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5-3發明目的及概述: 本發明之目的為在提供一種應用於半導體製程中蚀刻 設備之管路系統。 3 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 413862 Α7 Β7 五、發明説明()’ 本發明之目的為在提供一種應用於半導體製程中可防 止管路中附著製程微粒之管路系统》 本發明揭露_ 了 一種應用於半導體製程中触刻設備之管 路系統,其中包含一連接於蝕刻反應室之排氣管路,該排 氣管路並與一真空泵相速,’用以排送該勒刻反應室中之製 程廢氣。一冷卻氣體輸入管路,與該蝕刻反應室相連通, 以輸入冷卻氣體流經該晶圓的背面,而冷卻該晶圓的溫 度。該冷卻氣體輸入管路則透過一冷卻氣體旁通管路,與 該排氣管路相連用α調節冷卻氣體的流量。一壓艙氣體輸 入管路與排氣管路相連,以輸入壓艙氣體至真空泵中以調 節其中的氣體濃度與壓力。最後再安置加熱器於該冷卻氣 體旁通管路、壓艙氣體輸入管路與該排氣管路交接處的管 路外壁,以提高該處的溫度而防止製程微粒附著於管壁内 徑造成阻塞而影響晶圓的冷卻效果。 5-4圖式簡單說明: 第1圖 為本發明中應用於蝕刻設備之管路系統的功 能方塊示意圖。 第2圖 為本發明之管路系統中,局部管路結構之正 視圖。 5 - 5發明詳細說明: (請先閲讀背面之注意事項再填寫本I·) -訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 413862 at B7 五、發明説明() 本發明係為一種應用於蝕刻設備中的管路系統,並具 有防止製程微粒附著於微管路之管壁的效果β以下將以一 個具體的實施例來說明本發明之精神。 請參閲第1圖’顯示了依據台灣應用材料公司所銷售 之Ρ5000蝕刻設備所提出之管路系統的功能方塊示意圖。 氣體櫥櫃102與反應室104透過製程氣體輸入管路1〇1相 通連。氣體櫥榧102之t存放有氣體鋼瓶,而存放於氣體 鋼瓶中的化學反應氣體則透過製程氣體輸入管路101送入 反應室104中’再經由電漿的解離與對晶圓進行化學反 應,以與蝕刻標的形成氣態的反應生成物進而達成蝕刻的 效果。至於製程氣體的種類則依據不同的蝕刻標的而有所 不同,例如 SiCh、BC13、BBr3、CCL·、CF4、NFa,與 SFs 等 氣體,皆為目前針對金屬之蝕刻製程中常用的化學反應氣 逋。這些化學反應氣體與反應室104中的晶圓反應後的生 成物,將會受到真空泵106的抽送,經由排氣管路1〇3而 輸送至蝕刻設備的外部。 由於反應室1 0 4進行银刻反應時,會利用電漿解離化 學反應氣體,使其撞擊晶圓表面產生化學反應而達成钱刻 效果’因此將造成晶圓溫度的升高。為了將晶圓的溫度控 制在適當的範圍之内,本系統會於晶圓背面之晶圓座 (Chuck )中通入一定量的冷卻氣體,而達成對晶圓散熱的 目的。如圖中所示,冷卻氣體,如氦氣或其他惰性氣體, 自冷卻氣髏輸入端1 2 6,通過閘閥11 2、質流控制器1 〇 8、 5 本紙張尺度適用中國國家榇準(CNS ) A4規格(2〖0X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
413862 A7 _.__B7 五、發明説明() 閘閥Π4 ’流經冷卻氣體輸入管路〖05而進入反應室丨〇4 之晶圓座中而與晶圓達成熱交換的效果。閘閥11 2,11 4係 用以控制冷卻氣體輸入管路的開啟或關閉,_般而言可依 <請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 需要選擇手動閥(Manual Valve )或氣動閥(Air Actuated V a 1 v e ) »而質流控制器1 0 8則可以谓測並控制流經冷卻氣 體輸入管路之的氣體流量。此外,冷卻氣體旁通管路107 的一端連接於冷卻氣體輸入管路105上,而另一端則經由 閘閥11 8與排氣管路1 0 3相連,以調節冷卻氣體輸入管路 105中的氣體流量。此外,適量的壓艙氣體,如氮氣,自 氣體輸入端128’通過質流控制器11〇、閘閥12〇,經過壓 餘氣體輸入管路109流入排氣管路1〇3而進入真空泵iq6, 以防止其中水分子的凝結並沖淡易爆性氣體的濃度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 通常冷卻氣體輸入管路105、冷卻氣體旁通管路1〇7, 與壓艙氣體輪入管路109的外徑約為6·37ιηπι ,而排氣管路 1 0 3的外徑則約為3 8,5mni。由於冷卻氣體旁通管路丨〇7與 壓艙氣體輪入營路109的口徑較排氣管路1〇3的口徑來的 小切溫度亦來得低’因此由反應室1 〇 4所排出之製程廢氣 中的微粒將很容易附著在冷卻氣體旁通管路以及壓舱 氣體輸入管路109,與排氣管路1〇3的交接處而造成管路 的阻塞。為了克服此一現象,可於該管路交接處的外壁安 裝加熱器122、124,以提高此局部的溫度而防止製程微粒 的附著沈積。而本發明之管路系統之區域1 3 0的細部結 構,將以下文予以說明。 請參閱第2圖’排氣管路103的進氣端202與反應室 6 本紙浪尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 413862 A7 B7 五、發明説明() (請先聞讀背面之注項再填窝本頁) 104相連通,另一出口端206則連接至真空泵106處。在 實際的應用上,排氣管路103之上可安裝有溫度量規 (Thermal Gauge),以監控管路内的氣體溫度。冷卻氣趙 旁通管路107經由閘閥118,而壓艙氣體輸入管路109則 經由閘閥1 2 0與排氣管路1 0 3相連。M為了防止管路交接處 的製程微粒堆積,該處冷卻氣體旁通管路1^17與壓艙氣體 輸入管路109的外壁處安裝有加熱器122、124,以局部提 高該處的溫度。在此較佳實施例中,該處的溫度保持在約 80〜90 °C之間,即可有效的防止該處製程微粒的堆積。至 於加熱器122、124的選擇則可以考慮實際應用的需要而加 以變化。在本實施例中係以一種加熱帶(Heat Tape )包覆 於該處管壁的外壁,而達成局部加熱的較果。所謂的加熱 繃帶係為一種外部包覆著石棉布的電阻絲,使用時僅需將 電阻絲通入電流即可產生加熱的效果β透過本發明,將可 以有效的防止半導體製程中蝕刻設備的管路發生阻塞,而 影響晶圓的冷卻效果。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明以一較佳實施例說明如上,僅用於藉以幫助了 解本發明之實施,非用以限定本發明之精神,而熟悉此領 域技藝者於領悟本發明之精神後,在不脫離本發明之精神 範圍内*當可做些許更動潤飾及等同之變化替換,其專利 保護範園當視後附之專利申請範圍及其等同領域而定。 本紙張尺度適用_國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公董

Claims (1)

  1. 4X3862 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 ·—種半導體製程中蝕刻設備之管路系統,該系統至 少包含: 蝕刻反應室,用以容納晶圓遮對該晶圓進行蝕刻製 程; 排氣管路,與該蝕刻反應室相連通’用以排送該触刻 反應室中之製程廢氣; 冷卻氣體輸入管路,與該蝕刻反應室相速通’用以輸 入冷卻氣體流經該晶圓的背面,以冷卻該晶圓的溫度; 冷卻氣體旁通管路,該冷卻氣體旁通管路之一端與該 冷卻氣體輸入管路連接,另一端則與該排氣管路連接,用 以調節該冷卻氣體輸入管路之該冷卻氣體的流量;以及 加熱器,位於該冷卻氣體旁通管路與該排氣管路接合 處之外側,用以對該接合處加熱以防止製程微粒附著於該 接合處。 2.如申請專利範圍第1項之管路系統,更包含—質流 控制器,該質流控制器與該冷卻氣體輸入管路相連,用以 控制輸八該冷卻氣體輸入管路與該冷卻氣體旁通管路之該 冷卻氣體的流量。 (請先閲讀背面之生意事項再填寫本頁)
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3.如申請專利範圍第1項之管路系統,更包含一閉間 連接於該冷卻氣體輸入管路與該蝕刻反應室之間,用以開 啟及關閉該冷卻氣體輸入管路。 8 本紙張尺度適用令國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) 413862 as B8 C8 D8申請專利範圍 4. 如申請專利範圍第1項之管路系統,更包含一閘閥 連接於該冷卻氣體旁通管路與該排氣管路之間,用以開啟 及關閉該冷卻氣體旁通管路。 5. 如申請專利範圍第1項之管路系統,更包含一真空 泵連通於該排氣管路,用以抽送該製程廢氣與該冷卻氣體 至該姑刻反應室之外侧。 6. 如申請專利範圍第5項之管路系統,更包含一壓艙 氣體輸入管路,連接於該蝕刻反應室與該真空泵之間的該 排氣管路之上,用以調整該真空泵中氣體壓力與濃度。 7. 如申請專利範圍第6項之管路系統,更包含一質流 控制器與該壓艙氣體輸入管路相連,用以控制該壓艙氣體 輸入管路+壓艙氣體的流量。 8. 如申請專利範圍第7項之管路系統,其中上述之壓 餘氣體包含氮氣(Nitrogen)。 9. 如申請專利範圍第1項之管路系統,其中上述之冷 卻氣體旁通管路的外徑約為6. 37ηπη。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線:^''''Τ. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 0.如申請專利範圍第1項之管路系統,其中上述之加 熱器包含一種加熱帶。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 413862 as B8 C8 D8 、申請專利範圍 11 ·如申請專利範圍第1項之管路系統,其中上述之冷 卻氣體包含氦氣(Helium)。 12. 一種半導體製程中蝕刻設備之管路系統,該系統 至少包含: 蝕刻反應室,用以容納晶圓並對該晶圓進行蝕刻製 程; 排氣管路,與該蝕刻反應室相連通,用以排送該蝕刻 反應室中之製程廢氣; 真空泵,與該排氣管路相連,以經由該排氣管路抽送 該製程廢氣; 冷卻氣體輸入管路,與該蝕刻反應室相連通,用以輸 入冷卻氣體流經該晶圓的背面’以冷卻該晶圓的溫度, 冷卻氣體旁通管路,該冷卻氣體旁通管路之一端與該 冷卻氣體輸入管路連接,另一端則與該排氣管路連接,用 以調節該冷卻氣體輸入管路之該冷卻氣體的流量; 壓艙氣體輸入管路,連接於該蝕刻反應室與該真空泵 之間的該排氣管路之上,用以輸入壓艙氣體以調整該真空 泵中氣體壓力與濃度;以及 加熱器,位於該冷卻氣體旁通管路與該排氣管路接合 處,以及該壓艙氣體輸入管路與該排氣管路接合處之管壁 外侧,用以對該接合處加熱以防止製程微粒附著於該接合 處。 10 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ·、 《. is JJ --I------11 Jx)^ in----訂.------ί ^ Λ)^ _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 413862 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 1 3.如申請專利範圍第1 2項之管路系統,更包含一質 流控制器,該質流控制器與該冷卻氣體輸入管路相連,用 以控制輸入該冷卻氣體輸入管路與該冷卻氣體旁通管路之 該冷卻氣體的流量。 1 4.如申請專利範圍第1 2項之管路系統,更包含一閘 閥連接於該冷卻氣體輸入管路與該蝕刻反應室之間,用以 開啟及關閉該冷卻氣體輸入管路。 1 5.如申請專利範圍第1 2項之管路系統’更包含一閘 閥連接於該冷卻氣體旁通管路與該排氣管路之間’用以開 啟及關閉該冷卻氣體旁通管路。 1 6.如申請專利範圍第1 2項之管路系統,其中上述之 冷卻氣體旁通管路的外徑約為6. 37ππη。 17. 如申請專利範圍第12項之管路系統,其中上述之 加熱器包含一種加熱帶。 18. 如申請專利範圍第12項之管路系統,其中上述之 冷卻氣體包含氦氣(Helium)。 19. 如申請專利範圍第12項之管路系統,其中上述之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線 1T - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 413862 as B8 C8 D8 、申請專利範圍 壓驗氣體包含氣氣(Nitrogen)。 (請先閲讀背面之ii意事項再填寫本頁) 訂---------線ο. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 12 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
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