TW407357B - Inherently robust repair process for thin film circuitry using UV laser - Google Patents

Description

407357 a?

407357 A7 ---------B7__ 五、發明説明^ : " 一 " ”修復操作已用於MLTF結構之上表面上的固定金屬配置。 通常，修復流程利用兩個陣列排列的校正墊'至少兩個直 接分佈結構、一個信號墊及延伸於至少兩個直接分佈結構 之間的導體。 在美國專利第4,254,445號中，一種用於LSI晶片的模組 包括墊與大量晶片之扇出金屬化之组合之正交陣列。在晶 片與扇出區域之侧邊平行行進的是許多平行預製的薄膜工 程轉換（EC)互聯線，其終止於相鄰扇出的骜。墊排列成容 許扇出之利用短跨線以最少的跨接隨意連接墊片。 美國專利第4,489,364號顯示一種晶片負載模組，其包括 許多埋藏在模組表面下的EC轉換線。該EC線係週期地中 斷以提供一組向上延伸至每組晶片間的模組之上表面的通 路’在孩處通路係由包括一個啞鈴型墊連接，該墊包括一 個容許雷射切除的狹窄連結。扇出墊可利用跨線連接墊。 美國專利第5,220,490與5,224,022號顯示藉由使上金屬布 線獨自化（未修復）而完成的定製互聯^可定製的電路具有 經濟部中央標準局貝工消费合作社印装 能夠緊密地互聯間隔的LSI電路的高密度正交配置的χ與γ 導線。 上面的專利併於本文以供參考。 包含許多使用通路、墊與連接導線帶的互聯的典型薄膜 結構係以橫截面顯示於圖丨，其標示爲1〇。該結構典型地 係安裝於一個基材（未顯示出）上、例如包含金屬線的陶瓷 材料（MCM-D/C)。MLTF結構包含一個動力平面（磚塊狀） 或捕捉層19、網孔1層u、χ金屬線層12、γ金屬線層13 本紙張尺度適用中國囤家揉準（CMS ) Α4$ ( 2丨OX297j董j· 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 407357 g 五、發明説明（3) - 、接地平面網孔2層‘14與上表面冶金層（TSNi)15。上表面冶 金（TSM)層包含通路16、對應墊17與用以連接晶片至薄膜 封裝的通路-墊帶狀導線18。上表面冶金層也可包含如下 所討論的用以校正缺陷互聯或形成EC的修復線。 ， 表示典型的MCM與圖1之TSM金屬化層1 5之部份上視圖 的圖2顯示由虚‘27、通路16與晶片連接墊17 (例如被稱爲 C4整的控制收墙晶片連接塾）所圍住的晶片區域，通路代^ 表MLTF結構之$接至1/0，以及若任何墊與〇4墊代表甩以 支撐連接晶片至薄膜基材的C4球的微插座，則通路支撑基 材。如同可從圖中看到的，C4墊17係從通路16偏移，其較 佳地係在高性能機器中用以確保任何由於仍連接修復線的 缺陷互聯之存在而引起的不連續之消除。在圖中，C4塾係 利用導線帶18連接至通路而提供用於非缺陷互聯的連接。 該導線帶傳統地係在TSM製造期間利用罩幕產生，以及若 互聯係缺陷的，則雷射切除操作係必須的，以便切斷來自 C4墊的缺陷互聯。如同下文中將更完整討論的，通路16& 與16 b被認爲是部份缺陷互聯，且是未使用到的。對應塾 17a與17b係顯示成分別利用帶18R與18R'連接至修復線3〇R 與 30R·。 記住先前技藝之問題與缺點，因此本發明之一項目的係 知^供一穣'用於在包含電子元件如MCM的多層薄膜中修復互 聯及/或形成工程轉換的方法。 本發明之另一項目的係提供一種用於在包含電子元件的 多層薄膜中修復互聯及/或形成工程轉換的方法，該電子 本。張適用中準(CNS)八4胁(2〗〇χ297:釐) -—— (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁} -訂- 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印製 ^07357 A7 - —__ Β7 五、發明説明（4> 元件係應用於陶瓷·、層壓板、絕緣或其它基材上。 本發明之又另一項目的係提供—種具有藉由使用本發明 之方法而形成的修復線及/或EC線的MLTF結構。 本發明之再另一項目的係提供一種包含一 MLTF結構的 模組，該結構具有藉由使用本發明之方法而形成的修復線 及/或EC線。 本發明之又其它目的與優點根據説明將是部份清楚及部 份顯而易見的。 發明摘述 對熟諳此技藝者爲顯而易見的上面及其它目的係由本發 明所達成，其係關於一種用於在多層薄膜（MLTF )結構中 修復互聯的方法，該結構典型地係用於藉由在MCM如 MCM-C (陶瓷基材）、MCM-D (非導電性基材）與MCM-L (層 壓板基材）上應用MLTF結構而形成多晶片模組（MCM)，其 包括在相鄰上表面層的層上層層地形成MLTF、決定MLtf 結構之上表面層下面及相鄰之的薄膜層上的互聯缺陷、決 定須用以修復以未覆蓋的缺陷及/或需求的EC爲基礎的缺 陷互聯的上表面連接'較佳地使用一種電腦控制的演算法 以決定上表面層上的最佳金屬線路徑、利用光阻技術限定 上表面層以形成上表面金屬化及許多正交的X-Y修復線、 以及接著利用金屬連接線帶將須修復的通路墊連接至x修 復線及/或Y修復線’以及接著利用金屬連接線帶將連接的 X及/或Y修復線連接至需求的墊，其係利用以未覆蓋的缺 陷及/或需求的EC轉換爲基礎的光阻曝光而限定需求的金 ~ n- ί tB— ^^^1 m 1^1 I m HI J·^-(請先閲讀背面之注^^項再填寫本頁) <107357 a? Β7 經濟部中央揉率局wc工消费合作社印装 五、發明説明（5) … 屬連接線及接著顯告彡與鍍金屬上表面金屬化層。 廣泛地説’在MLTF已形成於相鄰TSM層與在TSM層下 的薄膜層之後，實施電性試驗以確認任何缺陷互聯❶互聯 缺陷係由於金屬線斷路與短路所引起的。簡單的電容試驗 或其它此類試驗方法可用於缺陷與無缺陪互聯之區別。重 要的是，頃注意輸入/輸出（I/O )網中的任何斷路或動力接 地平面短路係致命的缺陷，且爲無法修復的。其次，上表 面冶金層之建立係同樣地利用塗佈具有已限定通路的聚亞 酿胺或類似的絕緣材料、塗佈一金屬導電廣、塗佈一光阻 層及使用一固疋罩幕來決定C4勢、通路捕捉塾、許多較佳 地位於晶片引腳區域内外及在晶片區域間行進的正交X _ γ 導線、以及連接墊至通路位置的導線帶。缺陷互聯較佳地 係被隔絕的，以便墊與對應缺陷通路互聯之間沒有導線帶 。使用已確認的互聯資料’上表面上須藉由連接缺陷通路 之墊至其它墊而修復元件的導電帶係使用一種光設備曝光 金屬線修復帶及接著顯影光阻與鍍上完整上表面冶金而決 定。 對於每個缺陷及/或形成的工程轉換而:言，從“缺陷”整 至修復位置的修復線係連接X線及/或γ線之第一修復帶， 以及係用於修復每個缺陷通路或形成每個工程轉換的單一 (個別）導.線。第二修復帶係接著須用於從連接χ線及/或丫 線的第一修板帶連接至需求的塾。X修復線與γ修復線接 著係藉由使用光設備以相似的狀態互聯，以便再形成電路 通道或連接“缺陷”勢至需求的修復整*。接著顯影光阻及艘 ---δ-___ 4;----.I---:、-§!- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) - I _ _ 浪 紙 冬 ft* / ο r 3 V 你 S 3 T 用 1/ X y s 五、發明説明（6) 上完整的上表面冶鲞。 在本發明之另一個觀點中，本發明提出的方法也可用於 實施工程轉換（EC)。在產品中須要EC以在系統層形成轉換 。在本方法中，EC可藉由使用某些具有埋藏於基材中及連 接C4墊的EC線的主要用於EC的C4墊及暴露導電帶於χ線 及/或Υ線而顯影與金屬化而併入，修復帶接著可如上述地 連接至已決定的EC C4墊。修復流程可用於切斷與删除原 始連接之通路與C4墊間的導電帶。EC係描述與顯示於上 述的美國專利第5,243，140號。 圖案簡述 咸信爲新穎的本發明之特點與本發明之部件與元件特徵 係詳細地陳述於附屬申請專利範圍。圖案係只爲了説明之 目的’且爲非比例描料。然而，本發明本身之機構與操 作方法最佳地可藉由參考連同附圖的詳細描述而了解，其 中： 圖1係可藉由本發明方法修復的多層薄膜結構電子元件 之側視圖。 圖2係MCM之部份上視圖，其顯示肌叮之上表面及使 用本發明之修復方法的修復金屬線。 圖3_9係顯示—連串可藉由本發明之方法用於修復多層 薄膜結構的步驟之側視圖。 圖10係-多層薄膜結構電子^件之部份侧視圖，其顯示 χ與γ正交導電修復線之交叉區域。 較佳具體實施例描述 4〇7357 五、發明説明（7 ) A7 B7 經濟部中央棣準局属工消費合作社印装 這裏將參考圖案之圖1-10來描-述本發明之較佳具體實 例，其中相同的數目字代表本發明之相同部件。本發明' 部件不須成比例地類示於圖案中。 修復流程可用於具有任何層數的任何^^玎結構。圖1顯 示一般標示爲10的MLTF結構之橫截面，在這個例子中含 有五層1金屬層（11-14與I9)及一層金屬以熥層^。tsm層將 包含部件如晶片連接墊、通路 '通路·墊連接帶與修復結 構。Μ五層金屬層係列於下面： ° 層1 :捕捉墊（19) 網孔1 ( 11 ) X金屬線層（12) Υ金屬線層（13 ) 網孔2(14) 層11-14包含對應介電層Ub、〗2b ' m與14b中的通路 (11a、12a、13a與14a)及介電層頂上與通路中的金屬線（Uc 、12c、13c與14c)。未顯示出的其它MLTF金屬線係如同此 技藝中眾所周知地亦位於每一層中。墊、導電帶與通路層 層互聯及形成終止於上表面15的互聯。頂層15包括通路16 、$*17、導電帶18及許多正交X導線3〇11與丫導線31R(未顯 示出）。許多這些互聯係缺陷的，以及須使用本發明之方 法修復。. 使用的修後流程係以用於MLTF層14之缺陷的電性測試 及/或檢查爲基礎，該層14係在上表面層I〗的下面且相鄰 之’以及該流程係以上表面上已決定的X與γ正交導線之 層2 層3 層4 層5 m t紙張尺度適用中國固家揉準（CNS ) Λ4規格（210X297公;^ (請先閲讀背面之注f項再填寫本頁) -訂 -ί I I 1 m 407357 五、發明説明（8) — « 使用爲基礎。導線榇利用鍍金屬的修復帶連接至缺陷通路 之墊’其使用測試資料以控制薄膜（結構）之上表面丨5上的 爆光裝置如一種光設備。測試資料係用於決定從缺陷通路 之墊至X導線及，或Y導線的修復帶。光設備係使用一種演 算法，其分析測試資料及決定最佳的或最有效的TSM層所 需的修復配置 '在導體層與光阻層塗佈之後，由該演算法 控制的光設備典型地在X-Y方向上移動遍及上表面15，以 便曝光光阻而形成需求的修復帶連接。光設備也可用於決 定墊 '通路等’然而，由於成本考量，大多數通常係使用 一種固定罩幕來形成。光設備典型地含有一個UV光或電 子束源、一個具有可變開口的光栅和聚光鏡及一個還原鏡 ’以及具有一個用以曝光區域、曝光劑量與位置之輔助控 制的資料系統。 多數正交的X與γ導線係以容許所有來自互聯裝置的信 號墊通過及容許通到基材上所有裝置的形態所建立。爲了 容許X與γ導線交叉而不中斷其連續性，其中之一（典型地 爲Y導線）係使用上表面及下面的層14 (網孔2)而製成。在 X線須交又γ線的每個點，γ線從地下部件之X線下面穿過 ，該部件經由每個末端之通路連接至TSM。圖10概要顯示 其一橫截面。因此，相鄰TSM的網孔層14包含容許修復線 連續與正交及封裝操作所需的動力分佈與通路互聯的地下 部件。 圖2顯示一個典型多層薄膜結構及一個典型修復與Ec流 程之部份上視圖，該結構顯示一個由虛線2 7圍住的晶片及 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) II-· 鍾濟部中央橾準局貝工消費合作社印裂 M濟部中央標準局貝工消費合作社印«. 407357 A7 _______B7_ 五、發明説明（9 ) … 該流程使用本發明之方法。無缺陷通路16及其支律C4球以 連接晶片的對應C4墊17係由顯示爲L形的通路連接帶18所 電連接。C4墊17如所示的較佳地係從通路16偏移以藉由添 加或切除導電帶而輔助切斷缺陷薄膜或陶瓷網，以便沒有 導電帶連接修復線。藉由測試可檢測到通路16a是缺陷的 ，以及較佳地沒有製成連接至其對應墊17a的導電」帶若製 成連接墊17a與通路16a的導電帶18a(未顯示出），則帶i8a 可藉由雷射切除技術切除以從墊17a切斷缺陷通路16a。例 如，使用光設備程序，可形成修復帶〗8r且顯示出其從C4 墊17a連接至X修復線30R，以及可形成修復帶18R•且顯示 出其從C4墊17b連接至X修復線30R，，以便修復缺陷16a與 16b通路互聯。類似的修復帶連接可由修復線3〇R與3〇R，形 成’其直接或結合一個或多個互聯γ線31R及/或一個或多 個X線30R連接至需求的墊。 通常’修復方法包含一連串如下的步驟： 1.如圖1所示，在捕捉層19上建造薄膜層11、12、13與14 ，其包括金屬線圖案如墊、導電帶、通路等，以及較佳地 係在下一層建造之前測試每一層之斷路與短路。典型地， 每一層係如下所示地形成》塗佈—層絕緣材料層ub如聚 亞醯胺或環氧，以及通路lla用以決定更進一步的互聯。 -層種子·鍍金屬層係塗佈於其上，以及接著塗佈光阻.材料 及曝光於已定的金屬線圖案。在顯影之後，一金屬如銅係 電鍵上去而形丨金屬線llc。接著制&光阻材料與種子層 。這通常稱爲微影或光微影：序’並且可用於此技藝中眾 本纸張家辦·（ CNS ) A4麟·（ 210X297^1；) --------- ϋ· i n —L· n I n . n I (請先閲讀背面之注^一^項再填寫本頁) 訂 經濟部中*揉率局貝工消费合作社印装 407357 at — Β7 五、發明説明（10) 所周知的增或減金屬化程序，例如美國專利第5，h8 236號 所描述的’其併於本文以供參考。這個程序係持續於每一 層’直到薄膜結構完成。每一層之層間短路/斷路可使用 現有的設備來修復。任何鍍金屬法可加以使用，例如此技 藝中已知的増或減金屬方法。 2.在建造五層結構之後，測試網孔2層14 (圖1 )以建立任 何互聯缺陷，例如信號線/通路斷路/短路。須修復的網因 而決定，縱令其爲薄膜或陶瓷（基材）網。 3·如其它層—樣建造上表面層15，較佳地係使用固定罩 幕’及分別曝光產生如圖2所示的C4墊及通路連接帶於每 一個通路位置及一連串Χ-Υ導線3〇r、3〇RI、31R與31R,。 較佳地係不建造用於缺陷通路互聯的導電帶，然而，這不 是最有效成本的方法，而較佳地是使用固定罩幕及建造導 電帶，而後雷射切斷連接缺陷網的導電帶。在含有所有 TSM部件的固定罩幕圖案曝光之後，接著將修復區域分別 曝光’其依靠電性測試之結果。這是藉由決定須修復的網 及選擇性曝光光阻以決定須接觸缺陷通路之以墊至X導線 30R及/或γ導線3〗r而修復MLTF元件或形成ec的導線修復 帶所芫成。例如，如圖2所示，缺陷通路16a與16b之分別 存在的墊17a與17b係由帶18R與18R，連接至X導線3〇R與 3〇R|，以便用於缺陷的或不需要的通路163與161)之修復或 進行EC。爲了清晰起見，其它X線3〇R與丫線31R未顯示出 來在這個第一曝光完成之後’接著標準地顯影光阻，產 生完整的金屬線圖像，以及只須要缺陷帶雷射切斷操作來 -— ,, 本紙張^尺度適用中固國裳技虚f 技、 ^1- n n IT n n ϋ n n 1^1 n (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 407357 A7 ___B7 五、發明説明（11) ， 恢復全部的功能。 經濟部中央輮準局負工消费合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 關於圖3-9，本發明之修復方法可説明—種增金屬電鍵 程序。圖3概要顯示圖1之多層薄膜基材，其完全接觸網孔 2層14，並且該組合顯示爲26。基材26接著塗佈—層絕緣 材料如聚亞醯胺層15b，以及通路16a係由雷射切除或光微 影所決定。通路16a係顯示爲代表須要修復的金屬線連接 。如下面圖10所示，通路亦用以提供正交的γ修復線之地 下連接，其處爲X與Y修復線交又（交錯）的地方。爲了清 晰起見，這些地下通路未顯示於圖3-9。在圖4中，一層薄 金屬電鍍導體層23如鉻/銅係以25004的厚度塗佈於介電層 15b與通路16a。圖5顯示厚正光阻材料24之塗佈於金屬層 23。圖6顯示經由一罩幕曝光光阻層24以曝露與決定正交 的X修復線30R與30R·及非可顯影光阻區24a、24b與24c。 爲了清晰起見，正交的Y修復線31未顯示於此圖中。固定 的結構’即晶片連接整17a、通路16a與導電帶線〗83亦經 由一罩幕同時像區域24及修復線30R與30R，一樣的曝光。 參考圖6 ’使用藉由測試較低相鄰層所決定的資料，其決 定通路16a係缺陷的，因此須要一條從整17a至X導線30R 的修復帶。現在區域24b係曝光的，其使用光設備將24b從 顯影期間爲不會溶解的部份轉換成會溶解的部份。光阻24 係正光阻.，以及如圖7所示，當其顯影時，其只留下正影 像24a與24c於金屬表面23。因此，24a與24c代表電子元件 之上表面15上不鍍金屬的區域。接著由固定罩幕圖案與修 復帶一起组成的完成曝光的影像接受顯影。 -------44-___ 本紙張尺度適用中國國家橾率（CNS ) A4規格（210X297·^ ) ' -- 407357 經濟部中央揉準局員工消费合作社印It

A7 B7 五、發明説明（12 ) 圖8顯示金屬電鍍後光阻區域24a與24c剝除之後的圖7所 示的基材。如圖8所示，導電帶18a、通路16a、導線30R與 3〇R'、修復帶24b(現在顯示爲修復帶18R)及墊17a係形成 於該結構之上表面。原始導電帶18a係如圖9所示由雷射切 除，以及鍍金屬導體層已被蝕刻掉未保護區域而在每個修 復_ 30R與30R'、修復帶18R及墊17a下面留下導體層23。 現在缺陷通路10a係被隔絕的，以及墊17a係藉由修復帶 18R連接至X修復線30R ^導線30R典型地將連接至其它X 及/或Y修復線，以及藉由從修復線至墊之由如上所述之光 設備形成的修復帶終止於模組上需求的墊位置。 圖10顯示使用的MLTF電路，其中X與Y正交導體修復線 交叉於上表面層。當然，X與γ線不可互相接觸，除非須 要連接X線與Y線以決定修復通道。因此，圖2所示的交叉 區域34係顯示於圖1〇，並且包含γ金線層13與網孔2層14 °地下通道33係藉由上述的技術形成於層14以形成金屬化 如通路、墊等。通路33亦形成爲連接層表面15。當上表面 冶金係形成於表面15時，γ線3111與乂線3〇r係如顯示地鍍 上去。爲了避免γ線3111在線交叉處接觸X線3〇R，丫線31{1 係中斷於點35與36，以及利用通路33連接至地下通道32。 因此’ Y線31R係電連續而不接觸正交的連續χ線3〇R。 雖然已特別描述本發明，連同特殊較佳具體實施例，但 是熟碏此技藝者借諸前面的描述後，顯然許多選擇改良 與變化將是顯而易見的。因此頃期望附屬申請專利範園將 包含任何落在本發明之眞正範圍與精神内的選擇、改良與 (請先閲讀背面之注意ί項再填寫本頁)

407357 at B7 五、發明説明（13 ) 變化。 因此，在描述本發明之後，申請專利範圍如下： I 裝 I 一訂 ^ >· ·* .* (請先閲讀背面之注#·事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印装 _-16- 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS > A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 407357 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 經濟部中央揉率局負工消費合作社印«. 1. 一種多層薄膜結構’包含一連_含有金屬之—介電層 ’該介電層具有金屬線與通路互聯形式的金屬及該結 構之表面層具有通路、晶片連接墊、通路— I連接帶 與許多正交X導線與γ導線及已決定的金屬帶修復線的 結構，修復線係藉由測試相鄰表面層的較低層上的互 聯缺陷而決定，該帶狀修復線連接缺陷的或不要的晶 片連接墊至X導線及/或γ導線，x導線及/或丫導線之 另一端係藉由決定的金屬帶修復線連接至其它塾及/戋 通路以形成電路及修復缺陷互聯及/或形成工程轉換。 2. 根據申請專利範圍第1項之結構，其中帶狀修復線係由 微影形成。 3 .根據中請專利範圍第2項之結構 用於形成修復線。 4_根據申請專利範圍第3項之結構 曝光上表面層上的光阻材料以形成需求的金屬帶狀修 復線圖案而實行。 5. 根據申請專利範園第之結構，其中許多多層薄膜結 構係用於形成多晶片模組封裝，以及χ及/或丫導體金 屬線連。接封裝中一個或多個晶片位置之缺陷的或不要 的通路互聯之晶片連接塾。 6. —種形成根據申請專利範園第丨項之結構的方法，其包 含如下的步驟： 建造相鄰結構之上表面金屬層的多層薄膜結構， 其中增或減金屬化係 其中微影程序係藉由 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 袈- 訂 -m f — In -17 407357 A8 B8 C8 D8 經濟部t央樑牟局貝工消费合作社印*. ^、申請專利範圍 電測試及/或檢查相鄰上表面金屬層的層及決定缺陷互 聯； 決定須用於修復缺陷互聯及/或形成工程轉換的金屬線 路徑； 建造包括許多正交X導線與γ導線的上表面層及決定其 金屬帶狀修復線 形成上表面層上的通路、通路-墊連接帶、晶片連接墊 及金屬修復及/或工程轉換帶線，該帶狀修復線係從 晶片連接墊至X導線及/或γ導線，連接的χ導線及/或 γ導線之其它末端係由決定的修復帶線連接至上表面 層上所需的整或通路。 7·根據申請專利範圍第6項之方法，其中金屬修復及/或 工程轉換線係藉由一種由一演算法控制的曝光設備所 決定，該演算法分析測試資料及決定須要的修復及/或 工程轉換金屬線。 8 _根據申請專利範固第7項之方法，其中通路連接帶及修 復及/或工程轉換線係藉由一種由一演算法控制的曝光 設備所決定及不須要帶線切除操作，該演算法分析測 試資料及決定須要的修復連接帶。 9 ·根據申請專利範圍第6項之方法，其中該結構係在上表 面金屬層形成之後在沒有添加額外導體下修復及/或工 程轉換。 10.根據申請專利範圍第6項之方法，其中上表面金屬部件 _ -18- I n ϋ n n n I— - ^ I I n n l·— I ^ (請先閱讀背面之注t項再填寫本頁) 丁 - t ί r 一 六、申請專利範固 係使用減除或増加金屬化技術所形成。 u—種用於修復多層薄膜互聯結構或形成該結構之工程 轉換的万法’該結構包含一連_含有電鍍金屬之介電 層，通介電層具有形狀爲金屬線與連接下一層的通路 互聯的電鍍金屬，以及該結構之頂層，其具有藉由導 電帶到達下層與連接至通路的對應晶片連接墊，其勺: 含如下的步棵： 、匕 層層建造多層薄膜結構直到相鄰頂層的層； 測試及/或檢查相鄰頂層的層以決定多層薄膜結構中 的互聯缺陷； 形成包含一絕緣材料的頂層及決定通路、墊與通路_ 墊帶狀連接線金屬化及許多正交X導線與γ導線； 經濟部中央樣率局負工消费合作社印«. 取決於多層薄膜結構中藉由測試相鄰頂層的層而得 到的缺陷，決定上表面上須連接須修復的一個墊或 多個墊至需求的墊的修復帶，其利用帶狀修復線互 聯墊至形成的X及/或γ導線之一端，x線及/或¥線 之另一端係利用修復帶連接至一個墊及/或通路以 消除缺陷及/或形成工程轉換；以及 形成上表面層上的金屬化與修復線。 12.根據申請專利範圍第11項之方法，其中修復帶係使用 一種光設備所決定，該設備係由一種演算法所控制， 該演算法分析測試資料與決定多層薄膜結構所需的修 復帶金屬線β -19- 本紙張尺度逋用中Ββ家梂準（CNS ) Α4规格（210X297公釐） 407357 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 •根據中請專利範固第12項之方法，其中金屬化與修復 線係形成於上介電層’其藉由塗佈一層金屬、塗：― 層光阻、使用-罩幕以決定通路、蟄、通路塾連接帶 及X與Y導線，以及接著使用—光設備以便藉由以使用 得到的資料的演算法爲基礎而曝光金屬層、顯影光阻 及鏡金屬於已顯影的結構而決定修復帶線。 14. 根據申請專利範園第u項之方法，其中除了修復帶以 外，上表面金屬化係使用一，種固定罩幕所形成。 15. 根據申請專利範園第丨丨項之方法，其中每個薄膜層係 在製成之後測試及/或檢查，以便決定層間缺陷及在下 一'層形成之前修復任何此種缺陷。 n* n n n n In i n m n n in .^1 n n (請先WIKSC面之注—項再填寫本頁) 經濟部中央梯率局貝工消費合作社印IL 20- 本紙張度逋用中國國家檩準（CNS ) A4洗格（210X297公釐）