TW400568B - Chemical mechanical polishing for a layer of isolating material based on silicon or a silicon derivative, and abrasive for the chemical mechanical polishing of a layer of isolating material based on silicon or a silicon derivative - Google Patents

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Eric Jacquinot
Maurice Rivoire
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Clariant Chimie Sa
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Description

A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 1 ) 1 1 | 本 發 明 係 關 於 一 棰 利 用 適 於 積 體 電 路 絕 緣 用 之 電 絕 緣 材 1 1 1 料 之 化 學 機 械 拋 光 法 之 平 面 技 術 〇 1 請 1 在 微 電 子 領 域 中 m 緣 技 術 乃 被 用 減 低 尺 寸 及 增 加 密 先 閱 1 度 0 因 此 9 對 於 Μ 局 部 氧 化 為 主 之 活 性 區 域 之 絕 緣 技 術 可 讀 背 1 1 I 藉 由 淺 槽 溝 絕 緣 (s h a 11 0 W t re n c h is ο 1 at 1 0 η ) 進 行 活 性 區 之 注 1 | 意 I 域 之 横 向 絕 緣 技 術 包 括 蝕 刻 槽 溝 填 充 非 導 電 材 料 沉 積 事 項 1 I 再 層 及 絕 緣 層 之 平 面 化 之 步 驟 » 而 可 成 功 地 達 成 之 〇 填 寫 本 裝 此 種 絕 緣 技 術 之 主 要 困 難 為 非 導 電 材 料 沉 積 層 之 平 面 化 頁 '— 1 | (P 1 a n a r i z a t 1 ο η ) ζ > I 化 學 機 械 拋 光 法 顯 然 為 此 平 面 方 法 之 最 有 效 解 決 方 式 〇 1 其 具 有 習 知 液 體 或 雷 射 蝕 刻 法 之 優 點 即 在 蝕 刻 材 料 之 同 1 訂 時 仍 可 非 常 有 效 地 使 最 初 凸 起 部 圼 平 面 化 〇 1 1 本 發 明 係 顢 於 一 種 對 於 横 向 絕 緣 (STI :淺槽溝絕緣）及 對- 1 | 於 相 連 絕 緣 (ILD :内層電介質） 之 積 體 電 路 製 造 所 用 氧 化 矽 1 | 進 行 平 面 化 步 驟 的 改 良 〇 I 化 學 擁 械 抛 光 法 乃 结 合 兩 種 對 於 非 等 電 材 料 之 浸 蝕 1 (a 11 a c k) 具 有 影 嚮 之 效 應 即 機 械 效 粒 及 化 學 效 1 機 械 效 應 係 由 於 拋 光 纈 物 上 半 導 體 材 料 之 晶 圓 所 產 生 之 1 | 負 荷 力 Λ 晶 圓 及 織 物 之 相 對 位 移 速 度 (例如旋轉） 绷 物 及 1 I 磨 料 中 二 氧 化 矽 粒 徑 之 特 性 而 造 成 的 0 1 1 化 學 效 應 則 主 要 係 由 於 膠 體 二 氧 化 矽 之 表 面 化 學 特 性 而 1 1 造 成 的 Ο 1 1 此 兩 種 結 合 效 應 藉 由 誘 使 欲 被 拋 光 之 材 料 進 行 平 面 化 而 1 I 使 得 拋 光 材 料 優 先 被 再 處 理 於 已 凸 起 之 區 域 0 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 4 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（2 ) 為 使 矽 衍 生 物 如 二氧 化矽 或氮化矽為主之 非導電材科 進 行 拋 光 9 通 常 使 用 由高 溫二 氧化砂(pyrogen ί c si 1 i c a )(亦 稱 煅 製 二 氧化 矽）之膠體粒子鹼性水溶液所構 成 之 磨 料 o 此 種 高 溫 二 氧 化 矽 係藉 將高 純度四氛矽烷與 氫及氧在高 溫 下 於 燃 繞 室 中 經 由 高溫 製程 而製得者。 —* 般 可 製 得 5至50奈米（ nano meters)之球狀二氧化砂之 基 本 粒 子 9 此 可 形 成 粒徑 通常 在50與500奈米之間的粒子 聚 集 體 〇 依 據 文 獻 ， 其 記 載 著在 K矽 衍生物為主（尤其Μ二氧化 矽 為 主 )之非導m材料進行化學櫬械摁光時，對於利用高 溫 二 氧 化 矽 之 非 導 電 材料 而言 ，當高溫二氣化 矽之粒徑越 大 及 所 使 用 膠 體 二 氧 化矽 溶疲 之pH值越高，則 其浸蝕速率 (a 11 a c k r a t e )越高（尤可 參見 文獻如R* Jaira th et a 1 ., Mat； R e s • So C · S y m p. P roc. voi 337, 1994 ,ρ. 121- 31 > G . J· P i e t S c h e t a 1 .,S u r f ace Science 331-333 (1995) P .395 -401 9 Η. Β 〇 r d a e t a 1 . , D u m i c Co nf e r e n c e 21- 22 9 2, 1995, P. 33卜337, D • De VI i e ge Γ e t a 1 . f C ο η f e r e η c e Proceedings ULS Ι-Χ, 1995 Ma t e r i a 1 s Re sear ch S ociety, p * 2 01 -205 , W . J . P at r i c k e t a 1 ,， J .El ectrochem. S o c ..ν ο 1 . 138 , N 〇 . 6 > J u n e 1991， P · 1778-1784, R· Ko 丨1 e n k o w e t a 1 • » s olid S t a t e Technology# June Ίτ I n —Λ · τ— I. IJ ~ ^ I I I I ,/i *r (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
1992, P. 112-114, Beyer, Klaus Dietrich EP 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 5 « c - A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明 ( 3 ) 1 1 I 224646 9 Se a r S Ge 0 Γ ge W alia c e Jr US 3 ,922 ,393 1 1 1 Do an Τ Γ U ng τ • US 5 ,169 ,491 • Koto Its u k ί JP I 請 1 4 07316846). 先 閲 1 I 最 普 遍 使 用 之 pH值 為 介 於 9及2 .5之 間 〇 另 __. 方 面 9 在 pH 讀 背 1 1 ώ I 值 為 酸 性 時 f 浸 蝕 速 率 特 別 低 9 尤 可 參 見 ”表面科學 之 注 音 1 1 "331 -333 (1995) G . J . Pi e t sh等 人 所 著 文 刊 之 匾 1 ^ i 事 項 1 | 再 在 高 鹼 性 介 質 中 使 用 此 種 含 水 懸 浮 液 具 有 若 干 缺 點 0 首 填 寫 本 k 先 9 因 聚 集 體 廣 大 分 佈 之 粒 徑 9 其 經 過 —* 段 時 間 後 將 沉 積 頁 1 » 此 缺 點 僅 可 藉 由 懸 浮 液 之 恒 定 授 動 而 減 至 最 低 0 再 者 ♦ 1 I 使 用 高 鹼 性 含 水 懸 浮 液 對 於 周 圍 環 境 及 工 作 環 境 總 是 有 缺 ** 1 點 0 1 訂 因 此 申 請 人 之 主 要 i 的 為 一 種 在 絕 緣 方 法 中 9 其 可 在 例 1 1 如 積 體 電 路 之 製 造 中 利 用 半 導 觼 基 板 之 提 前 (f u t U Γ e)活 性- 1 | 區 域 的 淺 槽 溝 横 向 絕 緣 方 法 * 及 需 使 二 氧 化 矽 達 到 理 想 1 | 之 平 面 化 之 積 體 電 路 之 其 他 絕 緣 方 法 9 來 對 於 二 氣 化 矽 之 平 面 技 術 之 改 良 〇 此 亦 包 括 使 用 二 氧 化 矽 之 積 體 電 路 之 相 1 連 絕 緣 〇 1 為 達 到 對 於 利 用 膠 體 二 氧 化 矽 鹼 性 含 水 懸 浮 液 之 所 有 此 1 I 等 改 良 申 請 人 很 意 外 地 及 不 可 預 科 地 發 現 藉 由 包 含 或 由 1 I 二 氣 化 矽 之 個 別 粒 子 (非由矽氧烷键聯结在- -起） 所 構 成 及 1 1 使 用 酸 性 介 質 中 之 膠 體 二 氧 化 矽 懸 浮 液 將 獲 得 很 大 改 良 1 1 之 平 面 化 效 果 * 而 仍 能 保 持 絕 緣 材 料 之 良 好 浸 蝕 速 率 及 對 1 1 於 拋 光 之 浸 蝕 均 勻 性 之 優 異 品 質 0 1 Ι Μ 上 即 可 說 明 本 發 明 之 標 的 為 使 用 種 磨 料 其 包 含 含 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 6 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（4 ) 有個別粒子（非由矽氧烷鍵聯结在一起）所構成之膠體二氧 化矽酸性含水懸浮液，及水作為懸浮液介質，供Μ矽層或 矽衍生物層為主之化學機械拋光，更特別是*供二氧化矽 層之化學機械拋光，Κ及一種以矽或矽衍生物為主之絕緣 材料層之化學機械拋光法*其中絕緣材料層之研磨係藉由 利用包括磨料之織物來摩擦該層而實施，其特徵為該磨料 包含含有個別粒子（非由矽氧烷鍵聯结在一起）所構成之膠 體二氧化矽酸性含水懸浮液，及水作為懸浮疲介質，且較 佳為其本質上係由該酸性含水懸浮液所構成。 該膠體二氧化矽之含水懸浮液包含或係由含有個別细小 二氧化矽粒子（非由矽氧烷鍵聯结在一起）於含水懸浮液中 所構成，且較佳為實質上不包含粒子聚集體。對於依據本 發明之材料層之化學機械拋光法，膠體二氧化矽含水懸浮 液係使用在酸性介質中，且其較佳為具有個別粒子包含粒 徑介於3及250nm之間，更佳為介於3及150nm之間，尤其介 於10及50nm之間。 上述膠體二氧化矽含水懸浮液可得自鹼性矽酸鹽，尤其 納或鉀，或得自矽酸乙酯。在此二例中，利用熟悉本技藝 之士所習知之方式*特別是由K.K. He「所著之” The Chemistry of Silica(二氧化矽化學）”（第 9章，第 3313 至 343 頁，Wiley Interscience出版社，1979年）所述者，可 獲得含有非由矽氧烷鍵聯结在一起之包括粒徑介於3及 2 5 0 n m之間之個別粒子所構成之膠體二氧化矽酸性含水懸 浮液。_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） --TF------•裝'--*--J--訂------J. flat% 一 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 五、發明説明（5 本發明之主要儍點為可藉由膠體二氧化矽酸性含水懋浮 液來改良諸如二氧化矽之絕緣材料層之化學機械拋光。 例如，上述改良主要可由下列三種試驗所證明： a) 由膠體二氧化矽含水懸浮液磨料浸蝕二氧化矽層之 速率的試驗。此浸蝕速率係K測量二氧化矽不含圖案之晶 圓/薄片於拋光前及後之厚度測定差而得。浸蝕速率係以 〇 __ A / πι i η 表示 0 b) 平面試驗，特別是在對具有最初高度為7000$之絕緣 圖案之晶圓/薄片上所測得最初凸起部（拋光前）與最終凸 起部（拋光後）之間的階段高度差所得之平面度（DP)。其係 K百分比表示，由下列公式定義： DP=100X Hi-Hf
Hi H i =最初段高度 Hf =最终段高度 缌平面為100¾之總平面度。零平面為0¾之平面度。 圖1,2及3為說明平面度之定義。圖1中之平面度為0%， 圖2者為5 0¾及圖3者為100¾。 對於所有之平面試驗，在下方（圖案外部）被移除之厚度 乃被調整至3500式。 c) 拋光之浸蝕均匀性之試驗。此表示在相同晶圓上氧 化物之厚度差。其係依據下列公式自相同晶圓上氧化物於 抛光前及拋光後之測定所得： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ^—1 ^^^^1 nil n^fl mV ^^^1 I Έιιϋ «VI-— nn flflvfl 1 、 I ^^^1· ml 1 fn· / US. 一 - i p (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 8 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 6 ) 1 1 U = 最大 m 度 最小 1 aL Χ100 1 I 2 X 被 移 除 之 平 均 厚 度 1 1 所 得 值 越 低 f 浸 蝕 均 匀 性 越 令 人 滿 意 〇 I 請 1 此 優 異 之 拋 光 法 係 利 用 具 有 非 由 矽 氧 烧 鐽 聯 結 在 -- 起 之 先 閱 I 個 別 粒 子 所 構 成 之 膠 體 二 氧 化 矽 酸 性 含 水 懸 浮 液 而 實 施 者0 讀 背 1 '1 I 在 為 實 現 依 據 本 發 明 方 法 之 較 佳 例 中 對 於 所 使 用 之 膠 之 注 1 | 意 I 體 二 氧 化 矽 酸 性 含 水 懸 浮 液 9 其 pH值 包 括 介 於 1及6之 間 » 事 項 1 I 5 f 特 別 是 介 於 1 . 5及4之 間 更 特 別 是 介 於 2及3之 間 0 填 禽 本 裝 在 為 實 現 依 據 本 發 明 方 法 之 其 他 較 佳 例 中 > 對 於 所 使 用 頁 1 I 之 膠 體 二 氧 化 矽 懸 浮 液 * 其 基 本 粒 子 之 粒 徑 包 括 介 於 3及 1 I 250η IB之間， 特別是介於3及 15 0η m之間， 更特別是介於1 0 - 1 I 及 50 n m 之 間 〇 訂 為 達 到 最 佳 拋 光 效 率 尤 其 針 對 兩 個 保 留 試 驗 二 氧 化 1 1 矽 層 之 浸 蝕 速 率 及 經 處 理 層 之 平 面 品 質 在 為 實 現 依 據 本- 1 I 發 明 方 法 之 另 一 較 佳 例 中 對 於 抛 光 產 物 即 二 氧 化 矽 其 1 I 濃 度 以 重 量 計 為 5至 50¾ 較 佳 為 15 至 30¾ ( ) 1 I 絕 緣 材 料 層 較 佳 Μ 二 氧 化 矽 氮 化 矽 多 晶 矽 或 非 晶 矽 :1 為 主 尤 其 Μ 二 氧 化 矽 為 主 0 1 本 發 明 之 另 一 優 點 為 其 因 具 有 非 由 矽 氧 烧 鐽 聯 结 在 一 1 1 起 及 有 利 之 單 分 散 粒 徑 之 個 別 粒 子 所 構 成 之 膠 體 二 氧 化 矽 1 1 I 酸 性 含 水 懸 浮 液 而 使 得 即 使 經 過 一 段 時 間 亦 不 會 產 生 沉 積 1 1 t 因 此 具 有 良 好 之 安 定 性 〇 1 1 本 發 明 最 後 標 的 為 提 供 — 種 供 Μ 矽 或 矽 衍 生 物 為 主 之 絕 1 1 緣 材 料 層 之 化 學 機 械 拋 光 法 用 之 磨 料 ， 其 包 含 用 含 有 非 由 1 | 矽 氧 鏈 聯 结 在 __. 起 之 包 括 粒 徑 介 於 3 及 2 5 0 η πι 之 間 之 個 別 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公婕） 9 A7 A7 負載力： 板速： 載體速度： 溫度： 磨料通過量 B7 五、發明説明（7 ) 粒子所構成及pH值介於1 . 5及4之間的膠體二氧化矽酸性含 水懸浮液來浸漬之織物。較佳之懸浮液乃說明於下列製程 之操作條件中。 Μ下之實施例可使本發明更加明瞭。 實施例1 本實施例為利用Κ本發明膠體二氧化矽酸性含水懸浮液 為主之磨料來進行拋光。 將約Ιϋΐη二氧化矽堆積層置於各欲被研討之晶圓，並在 抛光前測畺之。 然後依據下列標準方法將晶圓進行拋光。 0.5daN/cm^
25revs/min 22rev/iein 20V 80 cm3/niin -織物：取自 RODEL PRODUCTS之 Suba 4 IC 1000 在各例中所示之结果係取自供浸蝕速率及平面度用之完 整二氧化矽晶固，及供平面度測定用之已建構晶圓。 所使用膠體二氧化矽之特徵如下： - 膠體二氧化矽之基本粒子之平均粒徑 12ηιη - 懸浮液之p Η值 2.2 - 膠體二氧化矽之濃度（Μ重量計） 20¾ 可得下列結果： - 平面度為78¾ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） ^^^1 til·* ^^^^1 fnn ^^^^1 an. t .m^ tm 1 Ί (Ml·— Itl 11.^1 Bn^— m* .i 0¾. _ i /9% i. « (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 10 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（8 ) - 二氧化矽之浸蝕速率為105〇Α/ιπίη - 浸蝕均匀性百分比為3% 在相同條件下使用膠體二氧化矽，其特徵如下： - 膠體二氧化矽之基本粒子之平均粒徑 25nia - 懸浮液之P Η值 2.2 - 膠體二氧化矽之濃度（Κ重量計） 20¾ 可得下列结果： - 平面度為52¾ - 二氧化矽之侵襲速率為185〇ί/πίη - 浸蝕均匀性百分比為2.5¾ 實驗1 : 此為利用K膠體二氧化矽鹼性含水懸浮液為主之磨科來 進行拋光之比較例。 此拋光方法係在上述條件下實施，但二氧化矽之濃度（ K重量計）改用12至13¾。 使用市售高溫膠體二氧化矽，其特徵如下： - 基本粒子之平均粒徑 l〇nm - 聚集體粒子之平均粒徑 150ηια - 懸浮液之ρ Η值 10.3 - 活性產物之湄度（Μ重量計） 12¾ 可得下列结果： - 平面度為42¾ -SiOz之浸蝕速率為llOO^/min - 浸蝕均匀性百分比為8 . 5 % 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝' 、vs -11 - 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（9 ) 使用市售高溫膠體二氧化矽，其特激如下： - 基本粒子之平均粒徑 25ηιη - 聚集體粒子之平均粒徑 200η® - 懸浮液之p Η值 10.2 - 活性產物之湄度（Κ重量計） 13¾ 可得下列结果： - 平面度為56¾ -SiOz之浸蝕速率為1500$/ιηίη - 浸蝕均匀性百分比為11. 5¾ 因此，一方面可發現與文獻所述相反及令人意外的是， 利用膠體二氧化矽酸性含水懸浮液所得二氧化矽層之浸蝕 速率與先前利用膠體二氧化矽鹼性含水懸浮液所得二氧化 矽層之浸蝕速率具有相同大小之值。 另一方面，亦可發現同樣在令人意外之情形下，膠體二 氧化矽酸性含水懸浮液所得二氧化矽層之平面效果為相當 優異於與膠體二氧化矽鹼性含水懸浮液所得二氧化矽層者 ，而令人驚訝的是，Μ小粒子為主之酸性含水懸浮液在所 有試驗之產物中為產生最佳结果者。 最後可證實，與高溫膠體二氧化矽鹼性含水懋浮液比較 下，依據本發明膠體二氧化矽酸性含水懸浮液乃具極佳之 浸蝕均匀性。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐）
In *nl In m^i nn d I*-ml l nn 11^1 \ m i t— ^ U3. * i ，言 V» /si -* (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -12 - 五、發明說明（1 〇) A7 B7
SS 圖 明 說 義 定 度 面 平 之 νΛ ο 為 度 面 平 3 中 明明 說發 單本 簡為 式il B 圓 圈 圖 明 說 義 定 度 面 平 之 圖 明 說 義 定 度 面 平。 之度 0¾厚 ο ο δ 5 1¾ 為為度 度度高 面面示 平平表 中中 Son 發發本本， 2 3 中 鬮圈其 ow fiu T"T\ 及 h 之 中 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝----1--f 訂· 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） Γ3 修正頁

Claims (1)

  1. A8 B8 C8 D8 (>和修正bs. 8. 28 ’ ‘‘補交」修正本， 六、申請專利範圍 1. 一棰供以矽或矽衍生物為主之絕緣材料層用之化學機 械拋光法，其中絕緣材料層之研磨係藉由利用包括磨料之 嫌物來摩擦該層而實施，其特徴為該磨科包含含有非由矽 氧焼鐽聯结在一起之個別粒子所構成之膠體二氧化矽酸性 含水懸浮液，及用水作為懸浮液介質。 2. 如申請專利範圍第1項之化學機械拋光法，其中膠體 二氧化砂酸性含水懸浮液具有以值為介於1與6之間。 3. 如申謫專利範圍第2項之化學櫬械拋光法，其中膠體 二氧化砂酸性含水懸浮液具有以值為介於2與3之間。 4. 如申謫專利範圍第1至3項中任一項之化學機械拋光法 ’其中驂體二氧化矽酸性含水懸浮液包含含有非由矽氧烷 鍵聯结在一起之個別粒子，其粒徑介於3與250η·之間。 5. 如申請專利範圃第4項之化學機械抛光法，其中膠艚 二氧化砂酸性含水懸浮液包含含有非由矽氧烷鐽聯结在一 起之俚別粒子，其粒徑介於1〇與50nm之間。 6. 如申請專利範圃第1至3項中任一項之化學機械拋光法 ，其中膝體二氧化矽酸性含水懸浮液之使用量以二氧化矽 計為介於5與50»之間。 7. 如申謫專利範圍第6項之化學櫬械抛光法•其中膠體 二氧化矽酸性含水懸浮液之使用量Μ二氧化矽計為介於15 與3 0 X之間。 8. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之化學機械拋光法 ，其中以矽或矽衍生物為主之絕緣材料層Μ二氧化矽、氮 化矽、多晶矽或非晶矽為主。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · -線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 (>和修正bs. 8. 28 ’ ‘‘補交」修正本， 六、申請專利範圍 1. 一棰供以矽或矽衍生物為主之絕緣材料層用之化學機 械拋光法，其中絕緣材料層之研磨係藉由利用包括磨料之 嫌物來摩擦該層而實施，其特徴為該磨科包含含有非由矽 氧焼鐽聯结在一起之個別粒子所構成之膠體二氧化矽酸性 含水懸浮液，及用水作為懸浮液介質。 2. 如申請專利範圍第1項之化學機械拋光法，其中膠體 二氧化砂酸性含水懸浮液具有以值為介於1與6之間。 3. 如申謫專利範圍第2項之化學櫬械拋光法，其中膠體 二氧化砂酸性含水懸浮液具有以值為介於2與3之間。 4. 如申謫專利範圍第1至3項中任一項之化學機械拋光法 ’其中驂體二氧化矽酸性含水懸浮液包含含有非由矽氧烷 鍵聯结在一起之個別粒子，其粒徑介於3與250η·之間。 5. 如申請專利範圃第4項之化學機械抛光法，其中膠艚 二氧化砂酸性含水懸浮液包含含有非由矽氧烷鐽聯结在一 起之俚別粒子，其粒徑介於1〇與50nm之間。 6. 如申請專利範圃第1至3項中任一項之化學機械拋光法 ，其中膝體二氧化矽酸性含水懸浮液之使用量以二氧化矽 計為介於5與50»之間。 7. 如申謫專利範圍第6項之化學櫬械抛光法•其中膠體 二氧化矽酸性含水懸浮液之使用量Μ二氧化矽計為介於15 與3 0 X之間。 8. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之化學機械拋光法 ，其中以矽或矽衍生物為主之絕緣材料層Μ二氧化矽、氮 化矽、多晶矽或非晶矽為主。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · -線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 DO400568 g六、申請專利範圍 矽 Μ 中 其 法 光 抛 械 機 學 化 之 項 8 第 圍 範 利 專 請 甲 如 機聯 學鐽 化烷 之氧 。層矽 主料由 為材非 矽緣有 化絕含 氧之含 二主包 Μ為用 層物，利 料生括 材衍包 緣矽其 絕或， 之砂料 主Μ磨 為供之 物種用 生一法 衍.光 矽10抛 或 械 與 具所 及液 成浮 構懸 所水 子含 粒性 別酸 個矽 之化 間氧 之二 nm體 50勝 vfr J 之 間 於之 V) 介 徑 粒於。 及介物 起為織 一 值 之 在PH漬 结有浸 與 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .- -線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 2
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