TW400540B - Method and apparatus for control of deposit build-up on an inner surface of a plasma processing chamber - Google Patents

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第87104841號專利申請案 中文說明書修正頁(88年12月） 八7 B7 五、/ 經濟部中央樣準局員工消费合作社印製 刻入各種不同的材料層中。於諸此蝕刻處理中，可利用氣 體分佈板控制基板平面上反應器體積中之氣流空間分佈 。可自LAM研究公司取得之tcPtm 9100TM電漿蝕刻反應 器中’氣體分佈板為圓板’其直接被配合在TCPTM窗之下 ，其亦是在反應器頂部處於一平面上及平行半導體晶圓 之真空密封表面上。氣體分佈板乃以〇_形環利用至位在氣 體分佈板周圍處之氣體分佈環而被密封。氣體分佈環乃將 氣體由源極饋入由氣哮分佈板界定之體積内，在天線下的 窗内表面’以游絲形線圈形式將射頻能提供入反應器、及 氣體分佈環。氣體分佈板乃含有特定直徑之空孔陣列延伸 通過此板。可改變通過氣體分佈板之空孔空間分佈，以使 欲钱刻層之蝕刻均勻性最佳化，例如，光阻層、二氧化矽 層及晶圓上之下層材料。可將氣體分佈板之橫截面形狀加 以改變，以控制分佈進入反應器中之電漿射頻能分佈。氣 體分佈板材質必須是介電質，以使此射頻能之耦合能通過 氣體分佈板進入反應器。另外，氣體分佈板材質於諸如氧 氣或氩氟碳氣體電漿之環境中對化學濺鍍蝕刻為高阻抗 較佳’以避免與其有關的崩潰和最終的微粒產生。 根據本發明其中一個具體實施例，真空處理室乃示於圖 1中°真空處理室1〇係含有以底電極為形式之基板支架12 ’其提供靜電鉗力至基板13並彳吏射頻偏壓提供至被支撐 在其上的基板’及聚焦環14以侷限基板上之區域中被He 背向冷卻之電漿。維持室内在高泰度（例如1〇π_1〇ΐ2離子/ 公分3)電漿的能源，其諸如以游絲形線圈形式之天線丨8係 -8 - 本紙張尺度適用中國®家縣（CNS )八4胁（21GX297公釐） --^---^-----裝--；--:--^1Τ------線 (請先閱讀背面之注意ί項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明（1 ) - - 一 發明範圍 此發明係關於電漿反應器之改良，及關於電漿反應器中 於半導體晶圓上以諸如利用電漿蚀刻氧化物層處理積板的 方法。 發明背景 眞空處理室一般乃被用在化學氣相沈積（CVD)及蝕刻基 板上之材料，其利用將處理氣體提供至眞空室並將射頻場 施加至此氣體。平行板、變壓器耦合電漿（TCPTM，亦被稱 作ICP)、電子迴旋加速器共Jl(ECR)反4器之實例係揭示 於共同持有之美國專利案第4,340,462號；4,948,458號： 及5,200,232號中。於處理期間係利用基板支架使基板被固 定在眞空室之内。傳統之基板支架乃包括機械夾鉗及靜電 夹鉗（ESC)。機械失鉗及ESC基板支架之實例係提供於共 同持有之美國專利案第5,202,029號及共同持有之美國專 利申請案第08/401,524號中，其於1995年3月1〇號被歸 檔。以電極形式之基板支架係可將射頻（射頻）功率提供入 處理室中，如美國專利案第4,579,618號所揭示。 經濟部中央標準局員工消費合作社印51 ---;----------^-----^-I订 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) - 其中天線聯結至射頻（射頻）源其於處理室内使氣體激發 至電漿狀態下之電漿反應器，係揭示在美國專利案第 4,948,458 號；5，198,718 號；5,241，245 號；5,304,279 號 :5,4〇1，350 號；5,53 1,834 號；5,464,476 號；5,525，159 號；5，5 2 9，6 5 7號；及5,5 8 0，3 8·5號。於諸此系統中，係利 用諸如介電窗、氣體分佈板、環氧樹脂封裝層、或類似之 介電構件使天線與處理室之内部隔離，而射頻能乃經由介 4- t紙琅尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2ΙΟΧ 297公釐） 五、發明説明（2 ) 電構件被提供入處理室内。諸此處理系統可被用於諸如海 刻、沈積、光阻剝離等之各式半導體處理應用。 在電漿處理室中於半導體晶圓之氧化物蝕刻期間，聚合 物遮堆積在介電構件之曝露表面上。隨聚合物堆積加深， 處理基板時的均勻性乃會受到影響及/或後續聚合物乃會 將介電構件剝落。若介電構件是直接位在基板及卡盤上， 聚合物微粒則能直接落在基板上或以下的卡盤。此係會毀 壞基板，其降低良率或造成卡片問題。此外，處理必須被 停止及需要清潔處理室。因：麾機時間，·而需清潔的延遲亦 代表製造良率的實質損失。因此，沈積在介電構件上聚合 物之控制對達到高良率及在電装反應器中維持基板的通過 料量乃是重要的。 一 發明概诚 f發明之目的係在當諸如半導體晶圓之基板，於電漿反 應至中連續被處理時提高被處理基板之通過料量，其是以 諸如介電窗或氣體分佈板（GDp)之介電構件表面面向基板。 經濟部中央榡準局員工消费合作社印製 此發明（其它目的乃爲控制電漿反應器中内表面上的沈 器2之=二提高被製造基板之良率及減少清潔反應 先：及其它目的乃利用控制天線所呈現之電壓駐波的改 万’及&£達成’其以介電構件與錢反 離。根據本發明之—古$ Η ^ 。〈円Κ 波區或諸i域内，可尹離子^線（高振幅電®駐 潔。另沈積物自介娜牛處清 面&耆其中駐波電壓振幅低的區域，沈積物 A7 B7 五 '發明説明（ 將堆積-層厚的、有時爲附著不良的層。因此，根據本發 =其中一個具體實施例，離子轟擊區係藉由使天線之駐波 :壓產生位移而被移動，而介電構件乃被"清潔”或任何確 會發生的沈積组成可被抑制並且更加均勻。 根據此^明其中-個範例性實例，天線之终端阻抗値係 經過改變，以控制天線上駐波之高及低電壓振幅位g。根 據本發明此具體實施例’终端電容器的値係經過改變，故 低及高離子轟擊區可移過介電構件。 根據其中個範例性具體，，例，當終端電容器在高的 俊^下，清潔之中心區乃被形成而沈積堆積乃發生在包圍 邊中心區〈外邵區中。在低的電容値之下，中心區係呈現 =成而外：區係藉由離子為擊進行清潔。利用控制此 寺區域心離子轟擊，於介電構件 ' 附著性可被加以控制。 / 且（均勻性及 根據其中-個範例性具體實施例，终端電容器可改變二 或二次，於處理個別基板期間連绩 ，諸如可於電紫反應器中之半導之或設定成所需的値 物蝕刻期間及/或接著在蝕刻步驟 w乳 ，终端電容器可於處理期間(例潔猶環期 的-個値下操作，而電容器可於料:;回蚀刻處理期間)時 潔循環期間)的-個不同値下操作“'步驟期間(例如，氧清 附圖之簡單説明 __ 此發明为將參考附圖作更詳細之說明 代表類似的參考數字，而其中： -6 - 本纸悵尺度適州中國國家標準（CNS ) Α4^^Γ( 2丨—0·〆 .1,Ί---------裝----1—訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁), . 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝

其中類似元件J A7 B7 五 、發明説明（ 4 經濟部中央標準局員工消f合作社印製 圖1爲根據此發明其中一個範例性具體實施例之眞空處 理室橫截面圖，其具有襯墊、聚焦環及氣體分佈板； 圖2乃示出根據此發明其中一個範例性具體實施例之89 孔氣體分佈板頂視圖： 圖3示出根據此發明其中一個範例性具體實施例之天線 ’其形狀爲游絲形線圈； 圖4a-4b爲具有改變終端電容之沈積組成圖樣（以橫斜紋 表示）表示圖； 圖5示出用於天線之範例路配置，其以圖3中所示 之游絲形線圈爲形式。 圖6示出圖5中所示電路之C4値改變對Ci、C2及c3値 之影響，其使反射能力達到最小； 圖7示出C4値改變對天線電壓振幅及底電極射頻電壓'、 影響；及 圖8示出C：4値改變對天線電流振幅及底電極射頻電丰 影響。 ” 餐^達具體實施例之詳細部昍 此發明係提供降低諸如半導體（例如，矽、砷化鎵等）# 圓、平面板顯示基板、及類似基板之微粒污染改良。此= ，此發明乃提供順序處理基板之均勻及可再現過程，然其 容許極長之連續處理（例如，超過1〇()，較佳超過1〇的" 更佳乃超過2000片之晶圓運轉）於反應器清潔之停 2 行運作。’ 進 於基板之電漿蝕刻，可在諸如矽晶圓之基板、上^部 件蝕 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} -裝 丁 卜紙張尺度it/fl t 家標準（CNS ) 公釐- 第87104841號專利申請案 中文說明書修正頁(88年12月） 八7 B7 五、/ 經濟部中央樣準局員工消费合作社印製 刻入各種不同的材料層中。於諸此蝕刻處理中，可利用氣 體分佈板控制基板平面上反應器體積中之氣流空間分佈 。可自LAM研究公司取得之tcPtm 9100TM電漿蝕刻反應 器中’氣體分佈板為圓板’其直接被配合在TCPTM窗之下 ，其亦是在反應器頂部處於一平面上及平行半導體晶圓 之真空密封表面上。氣體分佈板乃以〇_形環利用至位在氣 體分佈板周圍處之氣體分佈環而被密封。氣體分佈環乃將 氣體由源極饋入由氣哮分佈板界定之體積内，在天線下的 窗内表面’以游絲形線圈形式將射頻能提供入反應器、及 氣體分佈環。氣體分佈板乃含有特定直徑之空孔陣列延伸 通過此板。可改變通過氣體分佈板之空孔空間分佈，以使 欲钱刻層之蝕刻均勻性最佳化，例如，光阻層、二氧化矽 層及晶圓上之下層材料。可將氣體分佈板之橫截面形狀加 以改變，以控制分佈進入反應器中之電漿射頻能分佈。氣 體分佈板材質必須是介電質，以使此射頻能之耦合能通過 氣體分佈板進入反應器。另外，氣體分佈板材質於諸如氧 氣或氩氟碳氣體電漿之環境中對化學濺鍍蝕刻為高阻抗 較佳’以避免與其有關的崩潰和最終的微粒產生。 根據本發明其中一個具體實施例，真空處理室乃示於圖 1中°真空處理室1〇係含有以底電極為形式之基板支架12 ’其提供靜電鉗力至基板13並彳吏射頻偏壓提供至被支撐 在其上的基板’及聚焦環14以侷限基板上之區域中被He 背向冷卻之電漿。維持室内在高泰度（例如1〇π_1〇ΐ2離子/ 公分3)電漿的能源，其諸如以游絲形線圈形式之天線丨8係 -8 - 本紙張尺度適用中國®家縣（CNS )八4胁（21GX297公釐） --^---^-----裝--；--:--^1Τ------線 (請先閱讀背面之注意ί項再填寫本頁) A7 -----___ _B7 真、發明説明（6 ) 以適合射頻源及適合射頻阻抗匹配電路驅動，以感應性地 使射頻能聯結進入處理室10，以提供高密度電漿。處理室 乃包含用於使處理室之内部維持所需壓力（例如，50毫托 以下，典型爲1-20毫托）的適合眞空泵裝置。實質爲均勻 厚度之平面介電窗20係被提供在天線18及處理室1〇内部 之間，並在處理室10之頂部處形成眞空壁。氣體分佈板， —般被稱爲簇射頭22，係提供在窗2〇之下並含有多個諸 如圓孔（未示出）的開孔，以使由氣體補給23所提供之處理 益體傳遞至處理室10。錐雙咚墊3〇係延伸自氣體分佈板 及包圍基板支架12。可提供天線18通道24，溫度控制液 乃經由入口及出口導管25、26穿過此通道。然而，天線 18及/或窗20可利用其它技術進行冷卻.，諸如利用將空氣 吹在天線及窗上使冷卻介質通過或與窗及/或氣體分佈板 等進行熱傳接觸。 經濟部中央標率扃負工消费合作社印製 於作業時’晶圓乃被置於基板支架12上，而當利用He 背向冷卻時，典型係利用靜電夾鉗、機械夾鉗、或其它鉗 制機構使之就定其位。藉由使處理氣體通過窗2〇及氣體分 佈板2 2之間缝隙’處理器體後續可被提供至眞空處理室} 〇 。合適的氣體分佈板配置（例如，簇射頭）乃揭示於共同持 有之美國專利申請案序號〇8/5〇9,〇80號；〇8/658,258號； 及08/658,259號中，而該等之揭示乃被併於此文以列爲參 考。 - 氣體分佈板可具有不同的設計，其中一個具體實施例係 示於圖2中。示於圖2中之氣體分佈板4〇乃含有89孔之 — -9- 本纸狀巾_家鮮（⑽）) A7 B7 五、發明説明（7 ) 41及4個凸起42靠近其中心，以提供處理氣體補給通過氣 體分佈板及介電窗之間。可將氣體分佈板、襯墊及/或聚焦 環嵌裝在揭示於共同持有之美國專利申請案序號 08/658,261號及08/658,262號類型之處理室中，該等揭示 係併於此文以列爲參考。製造能爲本發明所用之半導體基 板，其過程之完整説明乃揭示於共同持有之美國專利申請 案序號08/722,371號中，其揭示係併於本文以列爲參考。 朝向圖3，TCPTM線圈50示出係位於利用線圈製造之電 漿42上。線圈50之外端乃j固㉝被連接马具有輸出電壓及 電流V0及1〇之可變端接電容器60。線圈之内端乃被連接 至射頻電源，經由匹配電路65提供射頻電源，以使線圈之 内端分別具有Vi及Ii之輸出電壓及電流。諸如65之匹配電 路乃爲該等熟習此技藝者所知，因此，不再另外將其描述 於本文。因爲鬆弛的傳輸線，TCMtm線圈50乃呈現電壓 駐波，藉由改變線圈之終端阻抗係可將其沿其長度進行位 移。如示於圖3之實例，終端阻抗係藉由電容器60進行提 供。然而，對該等熟習此技藝者，電壓駐波之位移可利用 其它技術達成將是明顯的。 經濟部中央標準局員工消費合作社印繁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於呈現高電壓駐波振幅（例如，峰値電壓）之線圈50的區 域中，係有高離子轟擊之氣體分佈板40之對應區。於此高 離子轟擊區中，氣體分佈板係維持於相對上無聚合物組成 。在其中離子轟擊低的其它區域中，聚合物組成有可能會 發生。換而言之，其中峰値電壓高的線圈50之區域中，聚 合物組成於氣體分佈板之内表面上之相鄰區域中爲最小。 -10- 本紙?長尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2I0X 297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -11 五、發明説明（8 ) 駐波之最高電壓振幅位置，可利用控制終端阻抗使其沿 ’桌圈5 0產生位移。於其中一個範例性具體實施例中，電容 ，60乃被使用於改變終端阻抗'藉由改變電容器6〇之電 容値，高及低離子轟擊區可被移過氣體分佈板4〇之表面而 使板40的清潔有效。 」艮據此發明其中—個範例性具體實施例，它被發現當终 邮電容器被設疋在—個低的値時，介電構件7〇係含有聚合 物组成之内郅區域72及外部之相對清潔區域Μ，其如圖 4a所示。利用提高電容器6〇之二電容，聚合物组成之區域係 可被偏移至外邵區域76，而於内部區上之先前組成係可藉 由對该區I離子轟擊而㉟少，以形成相對之清潔内部區Μ ，其如圖4b所示。根據此發明__，電容可被控制及/或被改 變，以將清潔區域移過諸如氣體分佈板之介電構件内表面 以抑制沈積物堆積。 可變電容器60之電容可利用例如控制電路68之電機控 制根據本發明之此具體實施例，可實施至少兩個控制模 式第個控制模式於諸如蝕刻步驟或氧氣清潔步驟期間 係有系統地改變電容器6〇的電容。根據其中—個較佳且體 實施例，此t容在每個週期是以相同的方式被改變，讀 心、~勻及可再現之順序處理基板程序。第二個控制方法係 在處理週期期間.於—個値τ及在氧氣清潔循環期間於第二 個値:操作電容器6G。在其中基板尺寸小於天線的情況下 、可人a成將電容設足在一個値，該値乃相稱地與此臬 於介電構件的-個區域上達到均勻之沈積组成二此；況 本紙银尺度適用中國國家 ---^---XI----笑-------X 、-° ./H. - -(請先閲讀背面之：ίχ意事項再填寫本頁) A7 B7 五 發明説明（9 和消部中央標率局員工消費合作社印製 中’可接著利用選擇性清潔步驟移除沈積組成以完成均勻 、板之處理圖5-8乃示出電路詳圖，其可被用於驅動圖1 所不之TCP μ線圈。如圖5所示，天線是以線圏爲 形式，經由包含電容器Ci、C2及C3之電路配置其被供以 射頻旎，以终端電容器C4連接至此線圈的輸出。圖6乃示 出圖5所示電路G値（正常化後）的改變對Ci、c2、及c3 =常化値的影響，該等値係使反射能力爲最小。對自動調 白而。，C2及C3可被伺服傳動而C3可由手動調整。圖7 乃示出C4値（正常化後）的n對天線峰値電壓（正常化後） 及，電極射頻電壓（正常化後）之影響。圖8示出（:4値（正常 化後）的改變對天線峰値電流（正常化後）及底電極射頻電 流(正常化後）的影響。Cl、c：2-、q及C4之最佳値將視諸 如被處理基板的類型、天線類型、實施方法類型等許多〜因 素而定D 底％極係用於提供射頻偏壓至被處理基板。例如，傳統 乃在4倍萬赫茲的射頻電流下將其施加至底電極。底電極 上 <射頻電壓及電流乃利用反應器中具有經建立之電漿以 反應备阻抗決定。圖7示出底電極上之射頻電壓爲C4値的 函數。在此底電極上之射頻電壓改變，於處理基板時並無 太大影響。如圖8所示，於底電極上之直流電壓（例如，射 頻偏壓）’於較高之C：4値下，隨電漿產生偏向於處理室辟 其乃變爲更負。 I 而汪意的是，以上所述具體實施例僅提供作今專明之目 的而其它具體實施例將浮現於該等熟習此技藝者。例如 ---Ί--τ*----择-- ί/lv (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

A • HI* 12 本紙狀度d用中gjg;家縣（CNS ) Μ規格（2淑297公廣 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明（1〇 ) ，可利用以上所述游絲形線目5〇 離子森擊:，如，可利_-個： 4平面&或具有非螺旋之形狀。若使 圈’能以欲處理基板之尺寸爲基準來選擇其…此;卜，-泉 雖此發明是以有關控制電容器6〇的電容進行説明， 其它技術控制氣體分佈板上的離子轟擊。例如，根據本發 明可利用感應線圈魂接線圈5 Q及提供可變阻抗。除改變或 取代終端阻抗以外，也能利用連接至線圈其它部份的電元 件（例如，如圖3中以虛線表一气之選擇性f路元件9〇)修正 駐波。 以上已説明本發明之原理、較佳具體實施例及作業模式 。然而，此發明其建構係不應被侷限於所討論之特定具體 實施例。因此’以上所述具體實施例應考慮爲説明性而非 限制性，而在未偏離如下申請專利範圍定義之本發明範圍 前提下’該等具體實施例可由熟習此技藝之工作者加以變 化乃應可被理解。 -13- 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐）

Claims (1)

1. 六、 申请專利範圍 .¾濟部中夫#隼局員Η消費合作社印製 6 種減> 廷裝處理室之内表面上沈積組成之方法，其中 ^板乃經過處理，電漿處理室乃包含天線及使天線與電 j處理至之内邵隔離的介電構件，電槳係藉由提供射頻 =肌土天線被產生在此内部，射頻電流之部份係利用電 壓駐波電容性地被聯結至此電漿，其方法包括以下步驟 (a) 使電壓駐波之最大電壓振幅位置沿天線偏移：及 (b) 利用改變離子轟擊在介電構件之内表面上的量控 積組成，離子轟擊控制内表面上之沈積组成，係在 2電漿處理室中順序處理基板期間容許均勻之基板處理。 2據申叫專利乾圍第！項之方法，其中偏移及控制步驟 ^當於電漿處理室中處理基板時實施。 -根，申請專利範圍第2項之方法，其中電壓駐波係利用 $改變天線之終端阻抗在天線上被偏移。 4’根據f請專利範圍第3項之方法，其中終端阻抗係利用 $改變被連接至天線之終端電容器之電容進行控制。 '才—艮據申請專利範圍第4項之方法’其中電容乃被維持在 個値，其在内表面之中心區上造成較包圍内部 邵區上少的轟擊。 根據申請專利範圍第4項之方法，复中+ ^ 雷e . ，、中电谷乃由第一個 电合破提高至第二個電容，第二個電 庶u 在内表面之内部 5上較内表面之外部區上造成較大的離子轟擊，而第一 個電容在外部區上較内部區上造成較 刼@丄. 仅大的離子轟擊。 根據申請專利範圍第4項之方法，其中咖^ 、μ 丁兒谷係支個別層 <钱刻期間、氧氣清潔循環或其組合坤 ' - σ β間被改變。 請 先 閲 之 注 If 裝 頁 訂 Λ -14- 本紙張尺度逋用中國國家標率（CNS )八4鄕· ( 210X297公釐} A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 8.根據申請專利範園第4,之方法，其中 … 二期間被維持在第一個値，及在清潔步驟期間：理基 第二個値，然基板仍留在電漿處理室中。’、’維持在 9·根據申請專利範圍第4頊之方法，其中電 :期間由第一個値於氧氣清潔循環期間被提 说-種於電聚處理室中處理基板之方法，其具人+ 構件與電漿處理室之内部隔離的天線，其包括以 ^ (a)將處理氣體提供入電袅處理室之内部； 水· 狀藉由提供射頻能至天線以激發處理氣體進入電漿 幅(:)Γ在頻二Γ、天線之第—部、處係具有第-個電壓·振 心及在天線之弟二個部份處具有第二個電壓振 個電壓振幅高於第二個電壓振幅： ⑷稭由使基板之曝露表面與電漿接觸，以處理電 理室内部之基板，處理時製造之沈積物其在介電構件之 内表面第一部份上的乃較内表面第二部份上的更重度地 被沈積； (e) 偏移天線上第一及第二峰値振幅的位置，以使沈積 $更重度地被沈積在内表面之第二部份，而減少内表面 第一部份上之沈積物；及 (f) 使拳板由電漿處理室移除。 根據申請專利範圍第10項之方法，其中介電、構进乃包含 具有面向基板之曝露表面之氣體分佈構件，氣體分佈 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 請 先 閲 讀 背 之 注 意 事 ϊ( 填 . I裝 頁 件乃含有氣體分佈孔，處理氣體係通過流入相鄰於基板 的反應區，此處理氣體乃流動通過氣體分佈板進入於電 漿處理室，並藉由感應性地聯結來自天線之射頻能通過 氣體分佈板，以被維持在電漿狀態下相鄰氣體分佈構件 之曝露表面。 12. 根據申請專利範圍第10項之方法，其另外包括利用重覆 步驟（a-f)在電漿處理室中處理其它的基板。 13. 根據申請專利範圍第1 0項之方法，其中於處理步驟期間 天線乃含有實質之游絲形線圏，其將處.理氣體激發至電 漿狀態下，而處理氣體乃包含一或多個含鹵素之氣體， 其於處理步驟期間蝕刻基板。 fr 14. 根據申請專利範圍第10項之芳法，其中於處理步驟期潤 電漿乃含有高密度電漿，及以高密度電漿利用在基板上 钱刻一層處理基板，及將射頻偏壓提供至基板。 15. 根據申請專利範圍第1 0項之方法，其中第一及第二峰値 振幅之位置，係藉由改變天線上之終端阻抗偏移。 旅 16. —種電漿處理室，其包含： 用於支撑電漿處理室内部内之基板支架； 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 介電構件，其具有曝露表面面向相鄰被支撑在基板支 架上基板之反應區； 氣體補給，其使處理氣體提供入反應區； 天線，其使射頻能提供進人電漿處理室之内部，及將 處理氣體激發至電漿狀態下以處理基板，利jfl電-壓駐波 使射頻能之部份電容性地被聯結至此電漿；及 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） A8 _ ' B8 C8 D8 六、申請專利範圍 利用改變介電構件之内表面上離子轟擊量控制沈積组 成之裝置，此控制表面上沈積組成之離子轟擊，於電漿 處理室中順序處理基板之期間係容許均勾之基板處理。 17. 根據申請專利範圍第16項之電漿處理室，其中介電構件 乃包含氣體分佈構件，而用於控制沈積組成之裝置乃包 含被電連接至天線輸出之終端電容器。 18. 根據申請專利範圍第1 6項之電漿處理室，其中介電構件 乃包含介電窗，而天線乃包含相鄰此窗之實質游絲形線 圈，此線圈係經由該窗提供射頻能_，以、-激發處理氣體。 19. 根據申請專利範圍第1 6項之電漿處理室，其中介電構件 乃包含氣體分佈構件，此電漿處理室係含有相鄰氣體分 佈構件外表面之介電窗，氣禮分佈構/f牛乃具有多個延神 通過曝露表面之氣體出口，及多個在外表面中之氣體分 佈通道，此外表面乃和介電窗接觸，而氣體分佈通道乃 將處理氣體提供至氣體出口。 20. 根據申請專利範圍第19項之電漿處理室，其中介電窗及 /或氣體分佈構件係具有實質之均勻厚度及實質之平面 组態。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）