TW385448B - A fuse-arrangement for a semiconductor memory device - Google Patents

Description

A7 B7 經滴部中央掠率局努工消费合作^印製 五、發明説明 ( / ) 1 本 發 明 傺 關 於 一 種 半 導 體 記 憶 體 元 件 用 之 熔 絲 - 配 置 1 1 I J 其 具 有 許 多 熔 絲 i 洹 熔 絲 是 設 置 在 半 導 體 本 3Μ 上 且 1 可 各 別 藉 由 能 量 作 用 而 被 程 式 化 以 便 中 斷 或 形 成 導 電 性 請 1 之 連 接 〇 閱 讀 1 北 熔 絲 已 知 是 用 來 將 永 久 性 之 資 料 儲 存 在 半 導 體 記 億 體 I 之 元 件 中 且 在 此 種 半 導 體 記 億 體 元 件 中 是 用 來 對 備 用 狀 態 注 意 1 書 1 進 行 程 式 化 〇 在 第 一 種 情 況 中 熔 絲 之 狀 態 (導通或不導通） 項 1 決 定 資 料 之 值 (0或 1) 9 而 在 第 種 情 況 中 3 在 有 缺 陷 之 再 填 寫 .‘rK 本 衣 記 億 p rj-u* αο 早 胞 中 藉 由 熔 絲 之 驅 動 而 可 接 通 備 用 之 記 憶 體 BC» 早 頁 '—. 1 I 胞 〇 1 1 熔 絲 通 常 是 由 多 晶 矽 或 其 它 適 當 之 材 料 所 構 成 9 此 種 1 1 材 料 可 藉 由 能 量 之 作 用 而 熔 化 5 m 樣 就 可 中 斷 先 -Χ-ί- 刖 已 存 訂 在 之 導 電 性 連 接 〇 但 亦 可 使 用 一 種 材 料 9 此 種 材 料 可 藉 1 由 能 量 之 作 用 而 由 非 導 電 狀 態 轉 換 成 導 電 狀 態 9 以 便 形 1 1 成 一 種 導 電 性 連 接 〇 但 以 下 是 由 下 述 方 式 開 始 ： 藉 由 能 1 1 量 作 用 而 破 壞 ,w. 刖 已 存 在 之 導 電 性 連 接 〇 1 1 能 量 作 用 例 如 可 藉 由 雷 射 光 束 入 射 至 熔 絲 而 達 成 或 簡 ί act 早 地 以 下 述 方 式 達 成 • 較 大 之 電 流 經 由 一 指 定 之 熔 絲 而 1 發 送 ) 以 便 使 此 一 熔 絲 熔 化 〇 1 1 巨 a-t- 刖 之 熔 絲 - 配 置 使 用 許 多 熔 絲 5 m 熔 絲 是 以 矩 陣 1 I 方 式 相 鄰 地 配 置 在 半 導 體 記 億 體 元 件 之 晶 Η 或 半 導 體 本 1 I 體 之 表 面 上 〇 隨 著 熔 絲 逐 漸 增 加 之 數 困 (卽 半導體記億 1 1 體元件之記億容量亦增加）， 則所需之』 1(片面積整體上ΐ 重常是較 1 I 大 的 〇 1 1 i - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） 五、發明説明（ A7 B7 前此 ， 目但時 則 。化 ， 小式 小能程 很可絲 持盡熔 保上使 能何或 可幾.時 盡在螓 積1 .動 面使驅 之絲在 需熔 ， 所些即 種這 ， 此成制 使構限 了何其 為如；有 在討施 現採措 須種 持期 保所 相使 互地 須靠 必可 間且 之當 絲適 熔可 各光 5; 射 J 雷 時由 絲藉 熔是 射於 照 ， 束距 光間 射小 雷最 如種 例 一 是 徴 待 其 置 配 I 絲 熔 種1 供 提 是 此 因 0 的 化目 熔之 絲明 熔發 之本 望 動 上 驅中 被置 地配 靠| 可絲 且熔 當之 適藝 可技 絲述 熔所 各頭 且開 求文 需本 間在 空 ， 低明 降發 地本 大據 大依 可 設多熔 是在於 中置由 面配上 平地體 個下本 二上體 少相導 至互半 在可在 絲亦， 熔絲此 : 熔因 成些 C 達這 式。 方上 述體 下本 以體 是導 的半 目於 述置 個 中 面 平 値 η 如 例 時 線 導 用 接 連 之 絲 熔 些 這 慮 考 不。 當 η 積數 面因 之個 需一 所少 在減 存可 之乎 絲幾 氧 ， 二 |日 由而 如身 例本 由絲 藉熔 面就 平 0 種離 各隔 之相 絲互 熔而 層 束 光 射 雷 個 二 少 至 或 流 電 由 藉 可 其 離，化 隔矽熔 各晶被 之多而 成用用 構使作 所可加 矽如疊 化例之 驅 可1 此 在 束 光 射 雷 之 用 作 有 個 二 此 C 。叉 絲交 熔相 此中 動絲 驅熔 便之 以動 平藉此 些是因 這常且 ，通化 中化熔 面式料 平程.，材 個之絲 多絲熔 在熔使 置些束 配這光 亦 。射 絲離雷 熔隔以 些相。 這互行 ，而進 中層來 明離束 發隔光 本由射 在藉雷 面由 藉 可 絲 熔 些 這 中 況 情 之 面 平 絲 熔 。之 斷置 中配 接下 連上 性個 電多 導在 使 本紙張尺度適州中國國家標率（CNS ) Λ4規格（21 OX 297公釐） (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ——：----------Ί.π------- 經濟部中央標牟局^:工消贽合作"印製 . A7 B7 五、發明説明（4 ) 由一固定之電流（其會使材料熔化）而被程式化或可藉由 多個雷射光束之疊加而被程式化。因此須選擇雷射光束

I 之強度，使各別之光束不會對材料造成損害；藉由多個 光束蠱加於一點（可程式化之熔絲存在於該處）中，但強 度須夠大，以便使熔絲熔化。 本發明以下將依據圖式作詳細描述。圖式簡單説明如 下： 第1圖在二個平面中之熔絲-配置。 為了使二値平面能更清楚的顯示出來，此画中省略了 隔離用之隔離層。 在此圖中，在二個平面2, 3中由多晶矽所構成之熔絲1 在z -方向中上下地互相配置在（未顯示之）半導體本髏之 在XI平面中延伸的表面上且藉由同樣是未顯示之由二氧 化矽所構成之隔離用之隔離層。 可程式化之熔絲4須受到〗二個雷射光束5，6所照射，此 二個雷射光束在熔絲4之區域中的點7中相交，使此點 熔化而中斷。須調整雷射光束5，6之能量，使得只有有一 値光束仍不能造成熔化現象，因此可確保：可依據目標 而只有使熔絲4毀損（雷射光束5 , S是在熔絲4中相交）而 其餘之熔絲1不會受到損壞。

若不用相交之雷射光束5，6，則亦可使電流流經熔絲4 ，使熔絲4熔化而毀損。 S -5 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） (讀先間讀背面之注意事項再填寫本頁)

A7 B7 五、發明説明（4 ) 符獅照表 絲 熔 之 化束束 式光光點 絲面面程射射叉 熔平平可雷雷交 ---f L----Λ装！ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 經濟部中央標準局兵工消贽合作社印製 本紙張尺度適州中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210'/ 297公鼇）

Claims (1)

1. 六、申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 多 }箝 許別 有分 具可 其且 ，、上 置體 配本 - 體 絲導 熔半 之在 用置 件設 元是 體絲 憶熔 記些 體這 導 ， 半 s 種絲 一 熔 之 性 電 導 成 形 或3’ 斷(2 中面 便平 以個 化二 式少 程至 被在 而 ： 用.為 作徴 量特 能其 由 ， 接 連 絲 熔 之 中 置 設 是 (.束 束光 光射 射雷 雷之 個加 二疊 少該 至中 由其 藉 ， 別化 分式 可程 旦被 上而 體 S 本用 體作 導加 半疊 在之 交 相 中 絲 熔 式 程 可 一 在 是 \)/ 61 第 圍 範 利 專 請3’ 2 ¢, ., 如平 之 0) 絲 熔 中 其 置 配- 絲 熔 之 項 離 隔 相 互 而 層 離 隔 由 藉 是 是 層 離 隔 中 其 置 配- 絲 熔 之 項 2 第。 圍成 範構 利所 專矽 議化 申氧 如二 3 由 置 配- 絲 熔 之 項 任 中 項 3 第 至 1- 第 圍 範 利 專 請 串 如 成 構 矽 晶 多 由 是 sly 絲 熔 中 其 (#先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局負工消費合作社印I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）