TW382739B - Deposition of a thin film on a substrate using a multi-beam source - Google Patents

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A7 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Β7 五、發明説明（1 ) 本發明之背景 本應用為1996年10月30曰歸檔，編號08/740,553之應 用延續部份。 1.本發明之領域 本發明係關於用分子束源或喷射氧相沈積方法在基材 上形成薄膜的射束源。 2·相關技藝之描述 於基材上形成薄膜在製造與研究上各種不同的領域有 廣泛的應用’例如微電子元件、光感元件、以及光學元件 等。兩品質的薄膜由高度控制的材料沈積於基材上而形成 。各種沈積技術曾被發展於各項應用，像是物理和化學氣 相沈積、電子束蒸鍍 '離子化核團束沈積，以及最近的沖 擊沈積和用惰性載氣做喷射氣相沈積。 許多應用的範圍，如積鱧電路製作等，需要適當的能 將材料沈積於高的高寬比架構的沈積技術，且同時完成高 產率和減少每片晶片的花費。如此的應用進一步需要在基 材的沈積上有高的均勻度。因而這些應用需要一種沈積技 術能夠提供高的射束方向性、高沈積速率、及高均勻度。 這些性能需求當元件堆積密度增加時可預期會變的更嚴苛 〇 如今變的更難使現存的氣相沈積技術符合這些性能的 要求。例如電子束蒸鍍技術一般具有中等的沈積速度和均 勻度’但相對上差的方向性。分子來技術反過來具有中等 的方向性但相對上地低沈積速率和均勻度。 I -裝 訂 ^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) i r r - 經濟部中央棣準局員工消費合作杜印製 A7 B7 Λ、發明説明（2) 要產生高方向性的射束，一個未加熱的準直器通常被 使用之。這樣的準直器藉著讓行經以準直器軸為準的一狭 小固體角之内的方向分子穿過而準直此射束，同時阻擋並 捕捉行經其他方向的分子而使這些分子撞擊準直器壁。這 技術可產高方向性射束，但一般會因沈積物質而堵塞準直 器。 其他技術已被發展出來而達成高沈積速率、方向性和 沈積均勻度。其中一項這種技術是離丰化核團束沈積。然 而它的應用因其硬體的複雜性而被限制住，這些硬體通常 包括了一個離子化器’加速度柵極和偏折裝置。近來有技 術發展出來使用高方向性的惰性氣流來將沈積材料的中性 粒子攜帶至基材上。在由j. s. Reid, R. A. Brain和C. C. Ahn 發表於 1995 VMIC 545頁的論文Ballistic Deposition of A1 Clusters Into High Aspect Ratio Trenches(lS 之沖擊沈積於 高的高宽比溝渠中），中性而大小為3_5毫微米的核困在處 於一個維持高純度惰性氣體於〇. 5至數個torr壓力間的週遭 下’藉著標準蒸艘技術而在第一容室中形成。經過一個直 徑1公分而長度14公分的管嘴，這些核團及凝結的氣體以 一具高能量及方向性的射束被引導至位於被路茲（R00ts) 幫浦抽真空過的第二腔艎中的基材。核困的速度達到每秒 數百公尺’相當於核團動能1〇4電子伏特的數量級而給予 每個原子足夠動能’而於沈積時造成核團熔化，薄膜沈積 速度可達每分鐘6微米。這樣的製程方法曾被用來沈積鋁 於0.5微米寬而高寬比為2:1的溝渠中。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） I 裝 訂 ^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 五、發明説明（3 ) 惰性載氣也曾被用在描述於B丄.Halpem和J. J. Schmitt於R. F. Bunshah編輯，1994年出版的“薄膜與塗佈沈積技術手 冊” 一書中822頁的文章“噴射氣相沈積”，以及Schimitt 的美國專利號碼4,788,082中的一項噴射氣相沈積技術之 中，而達到薄膜形成速率於每分鐘數微米的量級。這技術 用到聲波喷射於低真空速流，來輸送分子或負載核困的蒸 氣至基材。此喷射源有一個具有出口直徑在幾毫米至2厘 米範圍間的管嘴。氦或是其他惰性氣體被供應至此管嘴並 以喷射的形式離開。通常此管嘴壓力是幾個t〇rr，而下流 壓力是1 torr或更小。蒸氣源置於管嘴靠近出口處。與其 他技術相較，喷射氣相沈積在基材所處的基材腔體需求較 低的真空度’因而減少了複雜的真空裝置所需的花費。 前述的文獻顯示了高能量及高方向性的沈積材料射束 可由惰性氣流形成而帶至基材β這樣的技術一般較傳統的 分子束技術可達到較高的沈積速率及射束方向性。然而由 於用的是單一的高方向性喷射束，基材必須相對於喷射束 源由兩個方向掃瞄（一般是互相垂直）來形成均勻的膜如 前述Halpern和Schmitt的文獻中所示。 本發明之總結 本發明之目的為提供一射束源以高沈積速率在基材上 形成薄膜。另一目的為提供一射束源以高沈積速率將材料 沈積進入高的高寬比的架構中。進一步之目的為提供射束 源以可控制的均勻度形成薄膜。 根據本發明之一特點，在基材上形成薄膜的沈積速率 木紙張尺度適财_家縣（CNS Μ4規格（21Qx297公羞 nm - I - - - n I'*本| ! n Hi ------ (讀先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) -6 · A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明（4) 和均勻度之增強是藉著一多重射束源來提供許多相當程度 之相等強度的分子束或喷射流在基材上沈積材料。本發明 之一實施例包含有一多重射束分子束源來做氣相沈積之應 用。此實施例於此之後稱之為本發明之“分子束，，實施例 。本發明之另一實施例為包含有惰性載氣之多重射束源作 為沖擊沈積或喷射氣相沈積技術上的應用。在此實施例， 由惰性氣體攜至基材的沈積材料可為核困或是個別的原子 和分子。這實施例於此之後稱為本發初之“喷射氣相，，實 施例。 如本發明之另一特徵，加熱的孔徑被用被準直器來提 供高度方向性的射束來沈積材料進入大的高寬比之架構中 ，而避免一般未加熱準直器所有之阻塞問題。據觀察到與 具有同樣大小及高寬比的未加熱的準直器相比，加熱的孔 徑可產生分子束具有相當的或較優的方向性。 如本發明之一實施例中的多重射束源包含有一前端組 件具有一八洞來容納沈積材料的蒸氣，以及許多數目的孔 口提供於此前端組件，讓出來的蒸氣進入存有基材的低真 空基材腔體。此洞穴、孔口和存於洞穴内的蒸氣被維持於 一高溫。沈積材料的蒸氣可在洞穴的内部產生藉由例如加 熱一置於洞穴内的物質源，或是可從外部的蒸氣源經由與 洞穴相連的蒸氣入口而導入此洞穴。此蒸氣由加熱孔口出 來進入基材腔體，形成高度方向性的分子束。 於本發明之嘴射氣相實施例中，一惰性氣體流經由和 洞穴相連的氣體入口導入於洞穴之中。此氣流大的足以在 ΜΛ張尺度適用中國國家樣準（CNS ) Α4· (2獻297公幻 ^^i'm nn m *^1— II - I m^i -- 、一SJ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（5 ) 洞穴和基材腔體間產生高的壓力差。此氣體與沈積材料的 蒸氣在洞穴内混和，且以超聲波流形式被迫使經由孔徑進 入基材腔體作為高度方向性的喷射流》當離開孔口時，此 隋性氣流遭遇絕熱膨服’使得蒸氣冷卻。在某些條件下， 超冷的現象可能發生且沈積材料的核團可能在氣流中形成 °核困的形成和大小由蒸氣源的溫度，所用惰性氣體的形 式’惰性氣體之流動’和孔口的大小而決定。藉由控制這 些參數，沈積材料可以個別的原子或夯子，或是原子和分 子的核團的形式被攜至基材上。 在分子束和嗔射氣相兩實施例中，這些孔口最好在前 端組件中被排列成相當直線狀的形態。此多重射束源和基 材可相對於彼此來掃瞄以在基材的廣大面積上形成均勻的 薄膜》 藉著使用許多數量的孔口來產生許多數量的分子束或 喷射蒸氣流，沈積材料的產能會大量增加，因而增加沈積 速率。除此之外’加熱的孔徑產生高度方向性的射束而適 合將材料沈積於高的高寬比的構形中。再者，藉由將孔口 排列成相當直線狀的形態，在一條線内的沈積會很均勻， 且基材僅需在相對於此線垂直的方向掃描，而在基材上相 當大的面積上形成均勻的薄膜。因此與前述的其他沈積技 術比較，如本發明之多重射束源可在基材的廣大面積上達 到較高的整體薄膜沈積速率且增加產率。 圖形之簡述 第1圖顯示本發明中用來在基材上形成薄膜的多重射 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） J1 II II 裝 I— 111 n I n I n I (请先閱讀背面之注意事項存填寫本頁) 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（6) 束源之一較佳實施例； 第2a及2b圖為本發明中一較佳分子束實施例的前端組 件之縱向及橫截面圖； 第3 a及3b圖為如本發明中另一分子束實施例的前端組 件之縱向及橫截面圊； 第4a及4b圖為本發明中另一分子束實施例的側面及底 部橫截面圖； 第5圖為本發明中一較佳喷射氣相實施例之側面橫截 面圖； 較佳實施例之詳述 第1圖顯示使用如本發明之多重射束源在基材上形成 薄膜的裝置。基材11其可為一半導體晶片，被裝於一維持 在低真空的基材腔體12之中。具有一洞穴和許多數目孔口 於底部（未顯示）之多重射束源的前端組件13被直接裝於基 材11的上方。一裝有沈積材料蒸氣的儲存器經由管15和前 端組件連接來提供蒸氣給洞穴。雖然蒸氣儲存器顯示於此 ’“亦可選擇使用蒸氣生成器在前端組件内’，，從孔口離 開的蒸氣形成用來在基材上沈積的分子束。基材可裝於傳 動台16之上而在沈積時被傳動，以提供薄膜形成時較佳的 均勻度。另外前端組件可被傳動來完成想要的掃瞄。 描述了多重射束源操作的環境之後，多重射束源較佳 實施例的前端組件的詳細建構將於此被描述。 第2a和2b圖顯示本發明之一較佳分子束實施例的縱向 及橫截面圖。此多重射束源包含有一内部組件51，在内部 —.— — — — — — — 7 裝1— 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 加 五、發明説明（7) 組件外面的殼層52,以及一幅射屏蔽53包圍著此殼層及内 部組件。此高度圓柱體狀的内部組件51在一端是封閉的而 形成高度圓柱體狀洞穴54。内部組件的另一端形成一出入 口可用一可移除的蓋子55密封住。至少一個電阻加熱絲56 纏繞在内部組件51的外面之螺旋狀絲條管道57中，用以維 持内部組件51和殼層52於一高溫。此高度圓柱體狀殼層部 份功能為局限此加熱時會膨漲的加熱絲。内部組件而般層 之組合被包圍在輻射屏障53之内以減煞的失散。 洞穴中靠近出入口的一段區域58有開廣的橫載面來容 納如高純度鋁之類的蒸氣源材料。當洞穴被加熱絲加熱時 ’谷納於其中的材料源被蒸發而在洞穴内產生蒸氣。一個 獨立的加熱絲可被用來加熱此開廣區域58而與内部組件51 其他部份無關以增加變通性。 許多數目的孔口 59提供於内部組件的底部，以使得蒸 氣源從洞穴中離開。這些孔口最好排列成一排和内部組件 的圓柱體轴平行。如本發明之一特徵，這些孔口的壁被保 持於相當同樣於此洞六的溫度。因而這些孔口作為加熱的 準直器。而替換的孔徑可被使用之，像是旋進式孔徑，使 得前端組件可適用各種不同大小及高寬比（孔口長^與直 徑比）的孔口。最好這魏口是圓柱㈣且具直心公分及 尚寬比2:1。其他的大小及形狀也可使用，但最好其尺寸 小於或等於蒸氣分子在洞穴内平均自由徑。 、 多重射束㈣内部組件51和殼層52最好是由氮化观製 成，因為此材料於高溫時之惰性，純度、和可加工性 ( CNS } A4^£i77r〇X297^* I 裝 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 A7 ____B7 五、發明説明（8) 熱絲56最好是钽絲，且最好輻射屏障是由多層的钽形成β 經由小心的屏障，洞穴可以保持在很高的溫度僅消耗少量 的電力。例如400瓦足夠讓洞穴保持在12〇〇eC。洞穴溫度 的控制是經由控制加熱絲的輸入電力。除此之外，熱偶可 被裝入毅層和内部組件上許多小洞中來測量洞穴的溫度。 當然其他溫度電阻式材料可根據應用而被使用之。 第3a和3b圖顯示本發明另一較佳分子束實施例之縱向 及橫截面圖。此實施例之多重射束源；如同第2&和2b圖之 實施例’包含有内部組件21，一個可移除的塞子122，和 一輕射屏障123。此圓柱體形内部組件121在一端封閉，而 形成在另一端由塞子122密封的圓柱體洞穴124。不像第2a 及2b圖所示實施例中使用螺旋狀的熱絲管道，第33和孙圖 的前端組件有許多數目的縱向加熱絲管道125提供於内部 組件121内，於一般和洞穴124中心軸的方向平行，每一管 道125有一加熱絲（未顯示）來保持内部組件121和塞子I〗〗 於高溫。為了減少熱失散，内部組件121和塞子122被包圍 在輻射屏障123之内’而屏障和内部組件的間距最好是〇 $ 毫米。熱偶可被裝於内部組件中的許多小洞128中來測量 洞穴的溫度。 内部組件121在其底部有一個或多個孔口 126，作為加 熱的準直器而提供從洞穴來的蒸氣之出口。孔口 126的大 小、形狀和排列與第3a和3b圖所顯示實施例之情形是相似 的。（為簡單起見，僅有一孔口顯示於第3&圊之中，但依 據應用’許多個可能比較好）。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A规格（210X297公| )"""' " · 11 - I ^-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

*1T 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 -----——__________B7_ 五、發明説明（9 ) ~ ' ~~ 塞子122有一中空底部127向洞穴124開口來接收蒸氣 源材料。此中空底部最好是高度圓柱體形的其轴ma與 内部組件121之中心輪121a相交於某一個角度。中空底部 127的直#和傾斜角度最好是此中空部份縱長之延伸，能 夠和内部組件頂部才目交於-區域im直接位於孔口 126之 上方。 4操作上，塞子122可被拿走，如高純度鋁之蒸氣源 材料被置於中空部位’再將塞子放回。當内部組件和塞子 被加熱絲加熱時，材料源在中空底部127内蒸發，再進入 /同穴124的蒸氣最好對準孔口上方頂部的部位^ 多重射束源的内部組件121最好是由氮化硼製成由於 此物質在高溫時的惰性，純度和可加工性。輻射屏障123 最好由多層的鈕形成。加熱絲最好是鈕絲。溫度控制是以 如第2a及2b圖實施例中所描述之相似形式完成。 第4a及4b圖為本發明另一較佳分子束實施例之前方及 底部圊。内部組件131有一個具有長方形橫截面來容納沈 積材料蒸氣的洞穴132。用來加熱内部組件丨31的组絲（未 顯示）以及用來減低前端組件熱失散的鈕輻射屏障，均以 和第2a及2b圊顯示之實施例中所描述之相似的方式而提供 之。内部組件131具有許多數目的孔口 135讓蒸氣從洞穴甲 離開。與前面第2a及2b圖所示實施例中所描述的相似之孔 口設計考量也同樣應用於此處所示之實施例中。如第外圖 所示，孔口 135被排列許多交錯的行，最好是兩行，而當 孔口的中心投射至中心軸時（如圖中所示）是等距相隔的β 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -12 - I---------裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 ·" 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（10) 與單一行等距相隔的孔口相較，交錯行的結構使得孔口在 軸向排列的較為接近，同時保持同行的孔口間有適當的距 離而便於製作。 有一端和蒸氣儲存器（未顯示）連接的蒸氣管137和内 部組件131相連而將沈積材料的蒸氣流138導入洞穴132之 中。儲存器中的蒸氣可用此技藝中熟知的方法來產生，像 是熱蒸發。最好蒸氣管137的轴14.0和洞穴頂面142呈一角 度α，其中〇：最好由管子和洞穴的大小決定如下列關係： a csindD/s D疋蒸氣管137的直徑而s是洞穴132的長度。這樣的構形 相信是方便讓從管中來的蒸氣流能撞擊洞穴頂壁整個或相 當程度的整個長度。這樣的一個設置相信可增加從孔口離 開的分子束的均勻度。 與第2a和2b圊顯示的圓柱體形狀相較，一個具有長方 形橫截面的供應源組件具有此優點，其中許多供應源組件 可較容易邊連邊的堆積起來而同#沈積多種材料。 第5圖顯示了本發明之一較佳之喷射蒸氣實施例。前 端組件150的構造與第3a及3b圖顯示的分子束源相當相似 。一個氣體管153與内部組件155相連以將可控制的惰性氣 流導入洞穴157之中。此氣流大的足以在洞穴和基材腔體 間產生壓差。此惰性氣體與沈積材料的蒸氣在加熱的洞穴 157中混和，並被迫使經過許多孔口 159而形成噴射流，將 沈積材料之蒸氣樓至基材。 雖然沒有顯示出來’ 一惰性氣流可同樣被導入第4a和 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -13 - I n 裝 訂.¾ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（11) 4b圖中的分子束源來提供本發明的另一喷射蒸氣實施例。 多重射束源的設計考量及結果將於此討論。 在氣相沈積技術中，薄膜生成速率由許多因素決定， 包括材料源的溫度及蒸氣壓，它的分子量、孔口大小、以 及孔口和基材間的距離。再者，蒸氣壓隨材料源溫度之指 數關係增加。因此藉著改變這些參數，尤其是材料源溫度 ’薄膜生長的速率可以增加》使用具高寬比1:1之孔口及 材料源溫度1100 C曾做到沈積速率4 // m/min(每分鐘4微米 )。在本發明所示的實施例中，多重射束源組件保持於一 高溫，最好是在800eC和1350eC之間來沈積鋁及其他材料 ’例如矽或銅等。 對於需要高方向性射束的分子束應用，射束的準直傳 統上是用未加熱的準直器達成。當沈積材料之射束穿過未 加熱之準直器’僅有經由與準直器轴成狹小固體角之方向 内的分子能離開準直器，經由其他方向的分子會撞擊且黏 附於準直器壁，因而被未加熱的準直器所捕捉。一般相信 準直器具有和蒸氣相同的溫度會使得撞擊準直器壁的蒸氣 分子於其上反射而以大的角度離開準直器，因而破壞了準 直的目的。因此準直器通常為未加熱的準直器。 與一般接受的想法相反，加熱的準直器被發現可達到 與未加熱準直器同樣高程度的準直效應。在使用本發明實 施例之一例中，具有直徑5毫米和高寬比2:1的加熱孔口被 置於與基材50毫米遠。當基材保持於川它且蒸氣源和孔口 保持於1142°C，在基材上薄膜的半高寬為大約是4〇毫米， ^紙張从通财關家縣（CNS)纟4祕（2iGx297公廣 1----- ^m· ^^^1 I nn n ml i HI ^n« ^^^1TJ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明（12 ) 比未加熱的2:1準直器的預期值50毫米為窄。 在所顯示的實施例中，由於排成一行的孔口中心彼此 接近，與單一高方向性射束使用於先前的技術時所形成的 狹窄的點區相較，可以形成相當均勻的薄膜帶^ (對調位 置）因此在許多應用中’基材僅需在一個方向對於射束源 組件掃描來件基材上廣大的面積形成均勻薄膜。相比較之 下，先前使用單一高方向性的技術，基材一般必需在兩個 方向掃描來在廣大面積上形成均勻薄·膜。因而可知如本發 明的多孔口前端組件可增加形成薄膜於廣大面積的整體速 率而維持高方向性射束。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 雖然描述過三個較佳多重射束源的實施例，對於熟知 此技藝者很明顯其他的設計是可能的並在本發明的範圍内 。例如雖然具有圓橫截面和内蒸氣源的實施例，以及具有 長方形橫載面和外蒸氣源的實施例曾被描述，很明顯其他 形狀和蒸氣源結構的組合也可被使用。只要蒸氣經過洞穴 的傳導效應沒降低，洞穴的形狀相信不是重要的。這條件 確保具有相當程度相等強度的射束源由這些孔口形成《除 此之外，其他惰性氣體供應的結構可用於此喷射蒸氣實施 例。再者，材料源的蒸發可用許多此技藝中熟知的方法達 成，像是熱蒸發，發光放電濺鍍、微波反應、或雷射切除 。此外，雖然用來做分子束沈積和喷射氣相沈積的多重射 束源曾被描述，對熟悉此技藝者很明顯的是本發明的多重 射束源亦可被使用於其他沈積技術，像是離子化射束沈積 。發明的範圍應由申請專利範圍決定。 -15- H I...... 1 I- !11 - - - --I - I. .^^^^1 n (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ 8 Β8 C8 D8 六、申請專利乾圍 1· 一種用來沈積材料於基材的多重分子束射束源，其包 含有： 一蒸氣源來供應該沈積材料之蒸氣；以及 一前端組件具有一洞穴來容納該沈積材料之該蒸 氣’其中該前端組件有許多孔口讓該蒸氣從該洞穴離 開。 2. 如f請專利範圍第i項之多射束分子束源，其中該蒸 氣源包含有一蒸氣儲存器與該前端組件相連，該蒸氣 儲存器包含有一蒸氣生成器來產生該沈積材料之蒸氣 〇 3. 一種用來沈積材料於基材的分子束源’其包含有： 一用來供應該沈積材料之蒸氣之蒸氣源； 一具有一用來容納該沈積材料之該蒸氣的洞穴之 前端組件； 其中該則端組件定義有至少一個孔口讓該蒸氣從 該洞六離開；以及 一加熱器來加熱該孔口。 4. 如申請專利範圍第3項之分子束源，其中該孔口被加 熱至_溫度相當程度地相等於由該蒸氣源供應的該蒸 氣之溫度。 5. 如申請專利範圍第3項之分子束源，其中該孔口之溫 度是在800°C至1350。(：範圍之間。 6·如申請專利範圍第3項之分子束源，其中該蒸氣源包 3有蒸發器來蒸發該前端組件之該洞穴中的該沈積材 本紙張尺巧财關家標準（CNS ) 公董） 袭— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 AS B8 C8 ___________ D8 六、申請專利範圍 ~ ~ 料。 7_如申请專利範圍第3項之分子束源，其中該蒸氣源包 含有一蒸氣儲存器與該洞穴相連，該蒸氣儲存器包含 有一蒸氣生成器來產生該沈積材料之蒸氣。 8. —種用來沈積材料至基材的多重射束喷射蒸氣源，其 包含有： *一用來供應該沈積材料之蒸氣的蒸氣源； —前端組件具有用來容納該沈積材料之該蒸氣的 洞穴；以及 氣體供應裝置與該前端組件相連以供應惰性氣流 至該洞穴； 其中該前端組件定義有許多數目的孔口讓該蒸氣 和該惰性氣體從該洞穴離開。 9. 如申請專利範圍第8項之多重射束喷射蒸氣源，其中 該氣趙供應裝置包含有控制該惰性氣體流動的裝置。 10. 如申請專利範圍第8項之多重射束喷射蒸氣源，其中 該蒸氣源包含有一蒸氣儲存器與該前端組件相連，該 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 蒸氣儲存器包含有一蒸氣生成器來產生該沈積物質之 蒸氣》 11. 如申請專利範圍第8項之多重射束喷射蒸氣源，進一 步包含有一加熱器用來加熱該洞穴及該孔口至一溫度 大體上相等於該蒸氣源供應的該蒸氣溫度。 12. 如申請專利範圍第1〇項之多重射束喷射蒸氣源，其中 該蒸氣源包含有一蒸發器來蒸發該前端組件之該洞穴 -17- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（21〇χ297公釐） S8^Vo9

   内之沈積材料。 13. -種用來沈積材料至基材的方法其包含有： 產生該沈積物質之蒸氣； 容納該蒸氣於一維持於一升高溫度之洞穴内，此 升高溫度為該所產生蒸氣之函數；以及 •讓該蒸氣從該洞穴離開經過至少一個保持於與該 洞穴大體上相同的溫度之孔口而至該基材上。 14. 一種用來沈積材料於基材上的方法，其包含有： 產生該沈積物質的蒸氣； 容納該蒸氣於一洞穴；以及 讓該蒸氣從該洞穴經過許多孔口離開至該基材上 〇 15. 種用來沈積材料於基材上的方法，其包含有： 產生該材料之蒸氣； 容納該蒸氣於一洞穴； 導入一惰性氣流於該洞穴；且 讓該惰性乳體及該蒸氣從該洞穴經由許多孔口離 開而至該基材。 i^i .ϋ m * ^^1 In ^^1 i 0¾ *-* (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -18- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐）