TW379397B - Parallel testing method by taking average value of backside bias voltage - Google Patents

Description

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 217ltwf . doc/ 005 八7 B7 五、發明説明（/ ) 本發明是有關於一種平行測試（Parallel Test)方法，且 特別是有關於一種使用晶背偏壓（Back Bias Voltage，VBB)平 均値之平行測試方法。 在傳統有關P型基底之記憶體之製程中，例如是動 態隨機存取記憶體（DRAM)或是靜態隨機存取記憶(SRAM) 之晶片，如第1圖所繪示晶元平行測試之晶片剖面圖， 在晶片14上之晶元（12或16)接上Vcc及Vss後，以P型 基底10上之晶元（12或16)會自動產生一個-1.5V〜-2.5V左 右的晶背偏壓（乂_或VBB2)，且每一個晶元所產生之晶背 偏壓VBB不同，對在晶元作平行測試（即一次以16個或32 個等作測試）時，晶背偏壓Vbb又會有振盪情形發生，或是 電路電荷激射（Charge Injection)原因，如第1圖所示晶元 12釋出電洞h+與電子&，不僅影響鄰近受測晶元14的正 常功能，甚至使晶元的功能故障，導致平行測試失誤，降 低其效益。所以晶元作平行測試時，在P型基底都會直接 使用一晶背偏壓Vbb(如-2V)，用以提高晶元在受測時的穩 定性。 接著第2圖，其繪示爲習知之平行測試方法之流程 圖。 首先在步驟40,對所提供晶片以16個晶元爲一組進 行直流測試，其目的在檢測一靜態電流、一運作電流以及 一漏電流。 接著步驟42，對晶元進行晶背偏壓測試，用以得到 3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -------------1------ΐτ--------▲ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 2171twf.doc/005 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明（>) 個別的晶背偏壓値，以此判斷這些晶元中的晶背偏壓値過 大或太小，已經損壞不能使用者先記錄去除，其中一般可 測試規格的晶背偏壓大約在（-1.0V〜-3.0V)。 最後在步驟44，使用固定之晶背偏壓（如-2.0V)，強 灌於晶元上，進行功能測試。 但是，在上述步驟之平行測試時，由於使用固定晶 背偏壓，對於一些本來適用之晶元，卻因爲製程參數漂移 導致晶背偏壓値（如-1.2V)與固定之晶背偏壓（如-2.0V)差 距較大，往往在進行功能測試時，無法發揮正常作用，必 須要捨去不用，即誤宰情形發生，進一步使晶片良率降 低，造成廠商成本提高。 且所使用晶背偏壓在負値越大時，會使得DRAM特性 較差，而使用固定晶背偏壓，無法依實際狀況去作修正， 以達到最佳化目的，所以得到的成果較差。 再者，對於晶背偏壓（如-2.4V)接近固定晶背偏壓（-2.0V)之晶元，在一般的測試因與固定晶背偏壓（-2.0V)差 距小，所以都可以輕易通過檢驗，但在最後的包裝測試 (Package test)時，晶背偏壓係自動產生，因自動產生之晶 背偏壓較固定偏壓之値爲負，特性變差，固可能無法通過 檢測，即產生晶元測試誤放現象產生。 因此，本發明的主要目的就是在提供一種使用晶背 偏壓平均値之平行測試，可以避免上述使用固定晶背偏 壓，產生誤宰情形發生，使得廠商成本降低。 本發明的另一目的在於晶背偏壓平均値，爲針對不 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --------—裝--------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2171twf . doc/005 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（）） 同批號、不同製程之晶元，作自動作最佳化修正，能夠避 免在晶背偏壓過貪，DRAM特性變差的缺點。 本發明的再一目的在於使用晶背偏壓平均値，能夠 避免誤放現象產生，對在最後的包裝測試，才產生問題的 可能性大爲降低。 根據本發明的主要目的，提出一種使用晶背偏壓平 均値之平行測試，包括下列步驟= 首先提供一 P型基底晶片，並對晶片之複數個晶元 進行直流測試，用以檢測一靜態電流、一運作電流以及一 漏電流，接著對上述晶元進行晶背偏壓測試，用以得到個 別的晶背偏壓値，將符合測試規格(電壓在-3.0伏特至-1.0 伏特間）之晶背偏壓値相加後，除以合格者之總數得一晶 背偏壓平均値，最後使用得到的晶背偏壓平均値於該些晶 元進行功能測試。 爲讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明 顯易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳 細說明如下= 圖式之簡單說明： 第1圖繪示晶元平行測試之晶片剖面圖； 第2圖繪示習知的平行測試方法之流程圖；以及 第3圖依照本發明之一較佳實施例的流程圖。 標號之簡單說明： 1〇:Ρ型基底 12:晶兀 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----：-----1 —----- — ίιτ-------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2171twf.doc/005 A7 B7 經濟部申央標準局貝工消費合作社印裝 五、發明説明（y) Μ:晶片 16:晶元 實施例 爲改善使用固定晶背偏壓之缺點，本發明之測試方 法，取用符合可測試規格之每一個晶背偏壓之平均値，使 用於晶元上作測試，得到較佳的使用狀況。 其中，第3圖繪示依照本發明之一較佳實施例的流程 圖。請參考第3圖，步驟50乃針對所提供晶片，以16個 晶元爲一組進行直流測試，其目的在檢測一靜態電流、一 運作電流以及一漏電流。 接著步驟52，對晶元進行晶背偏壓測試，用以得到 個別的晶背偏壓値，以此判斷這些晶元中的晶背偏壓値過 大或太小，已經損壞不能使用必須先作記錄去除，例如一 般可測試規格的晶背偏壓大約在（-1.0V〜-3.0V)。 接著在步驟54,對於上述步驟52測試之晶背偏壓値 中，符合在一般測試規格（-3.0V〜-1.0V間），取出來相加 後，除以合格者之總數得到晶背偏壓平均値，至於其他不 合者，則省略不計。 最後在步驟56，使用上述步驟54所得之晶背偏壓平 均値，強灌於晶元上，進行一功能測試。 爲使第3圖之上述步驟50至步驟56更進一步了解’ 下面以實際數據說明：首先如步驟50，進行平行測試時， 例如以16個測試元件（Device Under Test，DUT)爲一組進行 直流測試，接著如步驟52,對16個DUT作晶背偏壓測試， 6 本紙張纽適用中国國家標準（CNS)从胁（2Η)χ 297公兼） I---------—襄------1T------.線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2171twf.doc/005 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作杜印裝 五、發明説明（f) 得到下列分佈情況:(-〇,5V*2個,-1.2V*3個，-1.3V*5個，-1.4V*3個，-1.6V*2個，-3.2V*l個），由步驟54中，將不合 —般測試規格(-3.0V〜-1.0V間）去除，在本例子中有3個數 値過大或過小（-0.5V*2個，-3.2V*1個），其餘13個晶元則 在範圍內，將13個晶背偏壓相加得到總和，再除以具有 付合一般測試規格的晶兀總數13，得到一晶背偏壓平均 値(-1.35V)，最後步驟56係利用所得之晶背偏壓平均値(-1.35V)，進行功能測試。 由上述的方法，可更接近真實狀況，如使用習知的 固定晶背偏壓（-2.0V)，對如（-1.2V)和（-1.3V)的晶元，本來 可使用’卻因與晶背偏壓（-2.0V)差距過大，在功能測試 時’容易產生不適用的情況，即誤宰情形發生。 而使用晶背偏壓平均値(-1.35V)，對如測試之晶背偏 壓爲（-2.4V)，因爲差距過大，在功能測試時，會產生不適 用的情況，而自動將它排除，若使用固定晶背偏壓爲（-2.0V)，因差距較小，在一般測試都可以使用，但在最後 的包裝測試時，卻產生無法使用的情形，即誤放現象發 生。 因此，本發明的特徵之一在使用晶背偏壓平均値之 平行測試時，可以避免習知使用固定晶背偏壓，產生誤宰 情形發生，而使良率降低，廠商成本提高的損失。 本發明的另一特徵在於使用的晶背偏壓平均値，爲 針對不同批號、不同製程之晶元，自動作最佳化修正，能 夠避免在晶背偏壓過負時，DRAM特性變差的缺點。 7 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝·

、1T --線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 2171twf.doc/005 Δ7 Αϋ 如？__B7_ 五、發明説明u ) 本發明的再一特徵在於使用晶背偏壓平均値，能夠 避免誤放現象產生，對最後測試才發生問題情形降低。 雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其並非 用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之 精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之 保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者爲準。 ----：-------裝--------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 8 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 經濟部中央標準局貝工消费合作社印装 六、申請專利範圍 1.一種取晶背偏壓平均値之平行測試方法，其中該取 晶背偏壓平均値之平行測試方法包括下列步驟： 提供一晶片； 對該晶片之複數個晶元進行一直流測試； 對該晶片之該些晶元進行一晶背偏壓測試，用以得 到複數個晶背偏壓値； 由該些晶背偏壓値中，符合一測試規格之部份得到 一晶背偏壓平均値；以及 使用該晶背偏壓平均値於該些晶元進行一功能測 試。 2. 如申請專利範圍第1項所述之測試方法，其中該晶 片具有一 P型基底。 3. 如申請專利範圍第1項所述之測試方法，其中該直 流測試，用以檢測一靜態電流、一運作電流以及一漏電 流。 4. 如申請專利範圍第1項所述之測試方法，其中該測 試規格係設定爲電壓在-3.0伏特至-1.0伏特間。 5. 如申請專利範圍第1項所述之測試方法，其中該晶 背偏壓平均値，係隨不同之該些晶元改變。 6. 如申請專利範圍第1項所述之測試方法，其中該功 能測試係使用於符合該測試規格之該些晶元。 7. —種取晶背偏壓平均値之平行測試方法，其中該取 晶背偏壓平均値之平行測試方法包括下列步驟： 提供一晶片； 9 本紙張尺度適用中國國家橾率（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1.'---.-----1¾-------1T------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) /2, J WL .t j^f.doc/005 l· KI.t A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 對該晶片之該些晶元進行一晶背偏壓測試，用以得 到複數個晶背偏壓値； 由該些晶背偏壓値中，符合一測試規格之部份得到 一晶背偏壓平均値；以及 使用該晶背偏壓平均値於該些晶元進行一功能測 試。 8. 如申請專利範圍第7項所述之測試方法，其中該晶 片具有一 P型基底。 9. 如申請專利範圍第7項所述之測試方法，其中該測 試規格係設定爲電壓在-3.0伏特至-1.0伏特間。 10. 如申請專利範圍第7項所述之測試方法，其中該晶 背偏壓平均値，係隨不同之晶元改變。 11. 如申請專利範圍第7項所述之測試方法，其中該功 能測試係使用於符合該測試規格之晶元。 ij-------—裝------一訂 (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）