TW320687B - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
TW320687B
TW320687B TW086103845A TW86103845A TW320687B TW 320687 B TW320687 B TW 320687B TW 086103845 A TW086103845 A TW 086103845A TW 86103845 A TW86103845 A TW 86103845A TW 320687 B TW320687 B TW 320687B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
substrate
forming
control
chamber
Prior art date
Application number
TW086103845A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Toray Industries
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries filed Critical Toray Industries
Application granted granted Critical
Publication of TW320687B publication Critical patent/TW320687B/zh

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568Transferring the substrates through a series of coating stations
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542Controlling the film thickness or evaporation rate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C23C14/566Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11Anti-reflection coatings
    • G02B1/113Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only

Description

S20687 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 五、發明説明( 1 ) 1 1 C 產 業 上 之 利 用 領 域 1 1 本發明為有闞附有薄膜之基板 的製造方法及製造裝置 1 1 « 其 用 途 為 例 如 ; 裝 在 防 止 反 射 滤 光 Η 陰 極 射 線 管 -V 請 先 1 (CRT) Λ 液 晶 顯 示 裝 置 (LCD) Λ 電 致 發 光 顯 示 裝 置 (EL) 閲 讀 I Λ 發 光 二 極 體 顯 示 裝 置 (LED) Λ 螢 光 顯 示 管 (VFD) 投 背 1 之 1 影 型 顯 示 裝 置 等 各 種 顯 示 裝 置 的 前 面 來 使 用 之 防 止 反 射 注 意 1 1 事 、 1 光 學 η 光 片 : 或 直 接 貼 於 其 圖 像 顯 示 面 來 使 用 之 防 止 反 項 再 -"* 射 薄 膜 或 施 加 於 液 晶 顯 示 器 的 組 件 之 偏 光 m 光 片 上 之 填 寫 本 1 防 止 反 射 膜 干 擾 m 光 片 半 反 射 鏡 ; 大 量 用 在 厭 惡 有 頁 »·—^ 1 I 害 熱 線 ( 紅 外 線 ) 的 光 纖 光 源 液 晶 投 影 裝 置 放 影 機 1 1 牙 科 用 照 明 及 店 舖 照 明 等 上 之 紅 外 線 (IR)冷反射鏡 Λ 1 1 紅 外 線 截 止 m 光 片 用 在 半 導 體 液 晶 顯 示 裝 置 的 拋 物 1 χτ 面 縝 橢 圓 面 鏡 % 平 面 鏡 上 而 專 用 於 只 反 射 紫 外 線 1 365 405 4 3 6η m (i 線 k g 線 h 線) 之紫外線(U V ) 1 1 冷 反 射 鏡 紫 外 線 截 上 滤 光 片 t 用 在 彩 色 照 片 顯 像 % 彩 1 I 色 印 相 機 Λ 彩色傳真機 彩 色 電 視 攝 影 機 、 及 投 影 電 視 I 从 機 的 對 應 於 紅 線 藍 色 之 雙 向 分 光 鏑 雙 向 分 光 嫌 等 的 球 I 各 種 帶 通 m 光 片 等 之 光 學 m 光 片 用 光 學 薄 膜 及 各 種 顯 示 1 1 裝 置 之 防 止 反 射 膜 類 或 各 種 半 導 體 光 碟 \ 液 晶 顧 示 1 1 裝 置 及 液 晶 顯 示 器 用 彩 色 m 光 Η 所 用 之 各 棰 薄 膜 ♦ 或 最 / 1 I 近 備 受 注 巨 的 等 離 子 區 顯 示 板 用 氧 化 鎂 膜 或 用 在 液 晶 ,I | 顯 示 器 觸 摸 板 電 子 耦 合 元 件 Λ 加 熱 反 射 摸 等 的 氧 化 1 1 絪 / 氧 化 錫 氧 化 錫 氧 化 絪 > 氧 化 鋅 膜 等 各 種 透 明 電 1 I 極 所 用 之 附 有 薄 膜 的 基 板 之 製 造 方 法 及 製 造 裝 置 〇 1 1 -3 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格(2…·,《^公》) 687 687 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(2 ) 〔習用之技術及發明解決之問題〕 光學漶光片用光學薄膜及各種顥示裝置的防止反射膜 類,或各種半導體、光碟、液晶顯示裝置、彩色瀘光片 、及透明電極等所用的各種附有薄膜的基板之成膜工藝 是以真空蒸鍍、離子加速蒸鍍、維子電鍍、濺射法,及 消融法等遒行之。 K下將在光學透鏡上形成防止反射膜、及在玻璃板或 樹脂板的平面基板上形成防止反射膜,和光學濾光Η等 的光學薄膜,Μ真空蒸鍍形成時為例,參照圖面說明以 往的附有薄膜的基板之製造方法。 第4圖是這種附有薄膜的基板之製造情形模式圖。首 先,說明成膜室的狀況。在真空室16内部,將薄膜材料 3的成膜粒子產生部位2置於向圖上方方向。從電子槍 6發出的電子射線受到圓未示之磁場效果,到達成膜粒 子產生部位2 ,將其加熱,藉此產生成膜粒子5 。如此 產生的成膜粒子5之成膜粒子束袖9 (表示成膜粒子產 生最強的方向之方向袖)是朝向圖的上方。在該成膜粒 子束袖9的袖線上,或其近旁,設有成膜監視器8 ,在 該成膜監視器8的上方,設有可將形成在該成謓監視器 8上的薄膜之膜厚,Μ光學方法測定之膜厚測定裝置7 。在圓頂形基板保持架40 2的中心部位開有間隙401 , Μ使成膜粒子可以到達成膜監視器8 。圓頂形基板保持 架402在成膜粒子產生源的上方水平面旋轉,使固定在 圓頂形基板保持架402的成膜對象基板群403的下面曝 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(. Ν’公離) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ^----- >-iTn n I _ 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 含20687 A7 B7 五、發明説明(5 ) 露於成膜粒子中而形成薄膜者。又,為限制成膜對象基 板群40 3曝露於成_粒子範圃之大小,在成膜粒子產生 部位2與成膜對象基板群403之間配設了成膜區域限定 構件4 。又,也設有於必要時將成膜粒子遮斷之遮蔽 板11在於其間。 第5圖是將這種構造的模式,從成膜監視器8的位置 向成膜粒子束袖9的反方向所看到之俯視圖。成縢對象 基板群403 ,例如第3圖所示Μ最緊密被填充的排列在 圓頂形基板保持架402上,在成膜粒子束軸9的輸線上 或其近旁有基板等不遮住成膜粒子5之間隙401 。成膜 監視器8係配置在成膜粒子可由該間隙到達成膜監視器 8上之位置。 要在成膜對象基板群403的各基板上形成薄膜時,首 先預先使圓頂形基板保持架402轉動。接著,由電子槍 6所發出的電子射線使薄膜材料3的成膜粒子產生部位 2繼績被加热,由此使其產生成膜粒子。這#時,遮蔽板 11在起始時是被闞閉著,故成膜粒子不能到達成膜對象 基板40 3 。成膜粒子產生部位2的溫度達到稱定狀態時 ,成膜粒子的產生強度也達到穗定狀態。經由確認後打 開遮蔽板11。從成膜粒子產生部位2產生的成膜粒子, 會以成膜粒子袖9為其中心方向,成放射狀飛翔,而到 達成膜對象基板群40 3之各基板。而且,有一部分成膜 粒子會通過在成膜粒子束軸9的袖線上或其近旁之間隙 ,到達成膜監視器8 。 -5 - 农紙伕尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0'乂 297公釐) --------^ ---裝----^---訂-----f ' 線 *' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 320687 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 4 ) 1 1 成 膜 對 象 基 板 群 403 在 各 基 板 薄 膜 之 膜 厚 » 是 將 形 成 1 1 於 成 膜 監 視 器 8 的 監 視 器 薄 膜 之 膜 厚 膜 厚 測 定 裝 置 7 1 加 Μ 測 定 » 乃 是 間 接 地 测 定 之 〇 在 成 膜 監 視 器 8 上 會 在 /—V 請 1 先 1 近 U 於 成 m 對 象 基 板 群 403 的 各 基 板 之 條 件 下 形 成 監 閱 讀 1 1 視 器 薄 膜 〇 因 此 » 監 視 器 薄 m 的 膜 厚 會 成 為 形 成 在 成 膜 背 I 之 1 對 象 基 板 群 403 的 各 基 板 上 薄 膜 之 膜 厚 有 一 定 相 鼷 閫 係 注 意 f 事 J 之 膜 厚 〇 在 理 想 上 9 固 定 在 圓 頂 形 基 板 保 持 架 402 的 成 項 再 \ 膜 對 象 基 板 群 403 是 和 成 膜 監 視 器 8 同 樣 » 不 斷 的 被 曝 填 寫 本 1 暖 在 成 膜 粒 子 中 » 因 而 監 視 器 薄 膜 的 膜 厚 與 形 成 在 成 膜 頁 1 I 對 象 基 板 群 403 的 薄 膜 之 膜 厚 相 同 〇 實 際 上 * 這 種 相 對 1 1 m 係 會 由 實 驗 而 嚴 密 的 求 出 之 〇 又 * 由 於 此 結 果 可 求 得 1 成 膜 監 視 器 8 的 監 視 器 薄 膜 之 膜 厚 在 單 位 時 間 內 之 變 化 1 訂 和 形 成 在 成 膜 對 象 基 板 群 403 的 薄 膜 之 膜 厚 在 單 位 時 間 1 内 之 變 化 之 相 對 關 係 〇 1 1 依 據 這 種 薄 膜 的 膜 厚 测 定 结 果 可 在 成 膜 中 調 整 成 m 1 I 速 度 或 所 形 成 薄 膜 的 折 射 率 等 之 特 性 » 或 在 已 獲 得 所 需 A 線 1 膜 厚 時 » 將 遮 蔽 板 11 閉 合 t 而 结 束 成 膜 的 這 種 成 膜 作 業 之 控 制 0 1 I 尤 其 是 作 為 光 學 薄 膜 的 用 途 上 * 其 成 膜 的 作 業 嫌 乎 都 1 是 將 成 膜 對 象 基 板 夾 住 在 Μ 某 軸 (也有假想的情形) 為 中 | 心 旋 轉 的 圓 形 保 持 架 上 以 形 成 薄 膜 者 〇 疸 種 方 式 記 載 在 1 例 如 為 特 開 平 1- 306560號 公 報 等 上 〇 1 1 又 f 最 近 9 為 提 升 生 產 力 而 設 置 進 料 室 與 出 料 室 速 结 1 I 於 成 膜 室 » 以 連 續 的 成 膜 時 9 也 同 樣 使 用 圓 形 基 板 保 持 1 1 -6 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(5 ) 架,而使其旋轉之方式者。 第6圖是這種連缅方式之横式·。此實施形態是將進 料室601 、成膜室602 、出料室603依序連結配置者·。 成膜對象基板是被夾住在圓形的基板保持架604上。只 有1成膜單位的分量可被夾住在該圆形保持架604上。 這些室的1室内是可收容該成膜單位者。這種形態的成 膜過程中,下一成膜對象基板被送入進料室後進料室則 被排氣之同時,出料室被解放於大氣中,從出料室取出 上次被成膜的成膜對象基板後,出料室會被排氣。 這種方式記載於例如為特開平3-193873號公報等上。 又,濺射裝置等是記載於特開平7-27880 1號公報等上。 然而,在被要求膜厚等的精確度要高時之連鑛型裝置中 ,幾乎都是將基板保持架移動到成膜室(真空處理室)後 ,在該室内使其轉動者,因而,K成膜所要時間為節抬 時間形成為間欧性連續運轉,故浪費了許多可被成膜的 區域。這種情形在於光學用各種透鏡或小型的基板時, 堪不太成問題。其理由可用圖來說明之。 第7圖是表示成膜區域和成膜對象基板群的移動區域 之關係圖。首先,成膜區域701通常是大致成為圓形。 Μ往的方法是製作和該圓形成膜區域同一大小的圓 形基板保持架Μ夾住基板。即在此所稱的成膜區域是圓 形區域701的内部部分。然而,將成膜對象基板群從圖 中的左方向右方邊移動邊成膜時,第7圈中的斜線部分 也可利用為成膜區域。即以上述方法時,只是Κ可利用 -7- 本紙張尺度適用中國國家撐,() AO見格(210X297公釐) ---一-----j--裝----/---訂-----f 線 -' (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 320687 A7 B7 五、發明説明(6 ) 的成膜®域的?r /4(78.5X)之生產率生產。 而且,使用圓形基板保持架時,成膜對象基板愈大則 其問題愈嚴重化。第8圖是例如使用其圆形成膜區域的 直徑為1·時之生產裝置,Μ在例如對角線長14吋(35c«) 的顯示裝置用表面防止反射光學濾光片(短邊26X長邊 33cb)上形成薄膜時的情形,從成膜監視器8的位置向 與成膜粒子束軸9相反方向所看之俯視圖。Μ這種情形 時,即使將以往的圓形基板保持架作最有效的利用,也 只能容纳5片上述之光學漶光片。即在0.785 m2的潛 在成膜面積中,實際上只利用到0. 26 X 0 . 33 X 5 = 0.429b 2 之成膜面積,只能Μ生產潛在的生產率之約55X生產率 製造出如上述之濾光片。又如想要提升如上述的濾光片 之生產率時,其結果是必需製作所需Μ上的大型生產裝 置。 又基板的形態愈大,會有基板的進料效率愈低之問題 點。又在同樣大型的基板上成而使用Μ往的方法時,也 會發現要製造所需Κ上之巨大裝置,随著有排氣糸统也 會大型化之問題點。 從而,也就是說Κ生產率很低的裝置生產附有薄腆的 基板。雖然生產率會顯著的降低,但仍Μ如第4鬮的方 法生產,其係可能因如下之理由。 第1 ,相信由飛翔於成_粒子軸或其近旁方向的成膜 粒子所形成的薄膜特性,會比飛翔於離開此方向的成_ 粒子所形成的薄膜優異,因而,最適合於做為成膜過程 -8- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) m-i nn ί an— dn 1^1,一St n nn mu ml * w (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(7 ) 之監視。此乃由於飛翔於成膜粒子束袖近旁方向的成膜 粒子之數量多*在一般上持有較高運動能量,故所形成 的薄膜之折射率較高,可形成均勻性高的薄膜。相對的 *飛翔在遠離成膜粒子束袖方向的成膜粒子之數量少能 量也少,因而,所形成的薄膜之折射率小,膜厚也薄。 從而,在成膜粒子束袖近旁安置成膜監視器乃被認為 當然之事,且要使得成膜對象基板可K轉動,在基板保 持架中心安置成膜監視器最為理想。 第2 ,相信直到現今為止,成膜粒子產生源仍不能安 定,要形成一層模時,在上面多轉幾個就可消除其不均 勻,即為其基本技術。又,這時•使成膜對象基板多次 曝曬於成膜粒子的手段,足K使用旋轉系統在櫬械上最 為簡單。 經克服這種旋轉型基板保持架的間敗連續裝置之生產 率不良點的K往例是稱之為通遇型連續裝置或直列式型 裝置,在濺射手法中,通過型成膜裝置是在特開平 5- 1 06034號公報中•而蒸鍍裝置也有最近的特開平 6- 65724號公報等。在埴些構成中,都是使基板保持架 (基板)先在所謂通路鎖定室的進料室中待機,並在成 膜室的真空不開放之狀態下,間敗連績的將基板保持架 送進成膜室。K這種裝置時,到成膜為止的成膜對象基 板群之包括加熱的,在於真空中的時間很短(據說頂多 為10分鐘),要在樹脂基板成膜時會有問題。樹脂基板 時,常常要將基板加熱,或加長在真空中的時間· Μ使 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公華 1 — - - f^i. I ^ - I In „ —^^1 II —1 In ........ _ --1 -* (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 320687 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印笨 五、發明説明 ( 8 ) 1 1 基 板 脫 氣 〇 這 種 脫 氣 不 完 菩 時 9 時 常 會 產 生 樹 脂 基 板 與 I 1 1 如 本 發 明 作 為 對 象 的 真 空 薄 膜 之 間 的 緊 貼 性 之 不 夠 充 分 1 9 或 在 成 膜 作 業 中 從 基 板 產 生 氣 體 » 影 響 成 m 中 的 膜 之 請 1 先 1 作 業 條 件 而 不 能 獲 得 理 想 之 膜 等 問 題 0 處 理 上 述 用 途 閲 讀 1 的 透 明 模 等 時 會 產 生 可 視 光 有 所 吸 收 * 或 在 光 學 薄 膜 背 I 之 1 等 時 會 使 膜 的 折 射 率 產 生 變 化 而 不 能 得 到 理 想 的 光 注 意 1 ^ I 譜 特 性 等 問 題 〇 要 解 決 這 樣 的 問 題 之 手 段 中 , 也 有 人 在 事 項 再 -4 進 料 室 的 更 前 段 配 置 真 空 室 者 但 裝 置 會 成 為 非 常 龐大 填 寫 本 1 裝 1 ( 成 膜 對 象 群 的 移 動 方 向 會 m 長 ) 9 在 空 間 上 非 常 釀 成 頁 1 I 問 題 〇 1 1 其 次 要 形 成 二 層 上 的 多 層 膜 時 之 例 中 例 如 像 特 Ί 開 平 7- 27880 1 號 公 報 等 是 設 置 多 数 處 理 室 使 基 板 保 1 訂 持 架 節 拍 時 間 移 動 於 移 動 後 在 該 處 理 室 做 旋 轉 移 動 1 等 形 成 薄 膜 然 後 以 節 拍 時 間 使 基 板 移 動 到 下 一 處 理 室 1 1 之 方 法 〇 但 其 係 需 設 置 所 要 成 膜 的 種 類 或 數 量 份 之 真 空 1 I 處 理 室 而 有 裝 置 會 成 為 大 型 之 問 題 〇 又 在 特 開 平 」 3- 193873號 公 報 等 之 例 中 也 有 以 交 換 成 膜 粒 子 產 生 物 線 1 質 Μ 形 成 多 層 膜 之 想 法 但 K 這 種 裝 置 構 成 時 難 Μ 提 1 | 升 大 型 的 成 膜 對 象 基 板 群 之 生 產 率 〇 1 又 通 過 型 埋 鑛 裝 置 中 被 提 案 的 是 將 成 膜 粒 子 源 直 ' I, | 列 配 置 * Μ 一 次 通 過 成 膜 就 可 獲 得 多 層 膜 之 裝 置 0 在 多 | 曆 膜 時 * 尤 其 是 光 學 多 層 膜 或 光 碟 等 的 多 層 膜 時 與 其 前 1 1 面 一 層 的 條 件 或 與 在 其 後 面 一 層 的 膜 之 成 m 作 業 條 件 多 1 I 半 互 不 相 同 要 獲 得 理 想 的 膜 時 其 所 需 作 業 條 件 的 控 1 1 I -1 0- 1 1 1 1 <·紙认尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 320687 A7 B7 五、發明説明(9 ) 制*會有非常困難之問題。為解決此問囲,在特開晒 62-26005 9號公報中•想出在多數真空處理室之間作成 隔板構造等,其在分離不同膜的作業條件上有非常困難 之問題。 在進料室中多段收容成膜對象基板群的裝置例,見於 特開昭64-4472號公報或特開平3-352 1 6公報等中•但由 於成膜室内並未形成為可收容多段的構造*即收容成膜 對象群的進料室和出料室是與成膜室分離,因而在連績 生產上有問題。又特閭昭64-4472號公報的情形是為了 電形成多層膜,而具可更換目的材料的櫬構,使多層膜 的成膜成為可能。但為了要使成膜對象群進出,要在進 料室和出料室為大氣壓下開始•非等到成為與成膜室同 等之真空條件不可,在連績化上也會有問賵。又*特開 平3-352 1 6號公報的情形是雖然是用單層成膜裝置•但 由於要連績化*而在其例子上可看到準備各2個相同功 能進料室和出料室K對應於達續化者,但在該裝置中· 成膜對象基板群被收容之方向與將其取出之方向及成膜 時所要通過之方向成為三維(三輸)方向,因而•在成 膜對象基板於轉換移動方向時,會有容易引起機械故障 之問題*及要使基板向3方向移動的移動手段之裝置* 在安裝手段上非常困難。亦即,要將埴種手段的真空密 封做得很好是非常的困難,若這種裝置K現實問題而言 ,尚未能認為可經得起生產之裝置。 〔發明之目的〕 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格(210X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 訂 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 S20687 A7 B7 五、發明説明(l〇 ) 從而,本發明的目的是在於提供一種不會因随|成_ 對象基板的大型化及基板的連鑛化所引起生產0¾不理 想狀態而大型化或降低生產率,又即使為多膺之成膜, 亦得Μ小型的裝置使基板顚梅移動,其生產率頗高,且 可用同一生產設備生產多項品種(多項規格)之連績性 附薄膜基板之製造方法及製造裝置。 〔發明擬解決的手段〕 為達成上述目的,本發明附有薄膜的基板之製造方法 係具備著: 在其成膜區域的前後擁有可多段收容成膜對象基板的 第1及第2儲料機之成膜室; 設於該成膜室的前後,而各自擁有可多段收容成膜對 象基板的儲料機之進料室及出料室;及 當成膜對象基板在該成膜室備受成瞑期間,將下一成 膜對象基板群進入進料室預先完成排氣,並將上一次被 成膜的成膜對象基板群從出料室取出之附有薄膜的基板 之製造方法•其特徵為:邊使該成膜對象群通過該成膜 區域,邊使其成膜者。其理想之形態為例如, 從第1儲料機顒序取出該成膜對象基板,使其順序通 過成膜區域,順序送人於第2儲料機,接著,從第2儲 料機順序取出該成膜對象基板,使其順序通過成_匾域 ,顒序送入於第1儲料機,如此在被密閉的成膜室中反 複移動,而進行成膜作業。而更理想的是; 使該通遇速度為恒速,就可製造出附有均勻薄膜之基 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210Χ297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-I mM < 1^1 一OJVHK 320687 A7 B7 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印裝 五、發明説明( if ) 1 1 板 〇 1 1 一 方 面 9 要實施這種附有薄膜基板之製造方法的製造 1 裝 置 9 其 待 擻 為 具 備 著 請 ! 先 1 在 其 成 膜 區 域 刖 後 • 擁 有 可 多 段 收 容 成 膜 對 象 的 第 1 閲 及 第 2 儲 料 機 之 成 膜 室 ; 背 面 I 之 1 設 於 該 成 膜 室 的 前 後 9 而 各 白 擁 有 可 多 段 收 容 成 膜 對 注 意 1 ' | 象 基 板 的 儲 料 機 之 進 料 室 及 出 料 室 事 項 J. 再 1 該 成 膜 室 的 該 進 料 室 及 該 出 料 室 偽 具 有 可 各 白 獨 立 排 填 寫 本 1 裝 氣 之 排 氣 手 段 9 而 該 成 膜 室 俗 具 備 著 成 膜 粒 子 産 生 源 頁 V_X 1 I 使 該 成 膜 對 象 基 板 群 通 過 成 膜 區 域 之 手 段 及 將 該 成 1 1 膜 對 象 基 板 群 從 第 1 儲 料 機 顒 序 取 出 給 該 通 過 手 段 9 並 j | 從 該 通 過 手 段 送 入 於 第 2 儲 料 機 之 手 段 者 〇 1 訂 C 發 明 之 最 佳 實 施 形 態 1 以 下 9 將 本 發 明 附 有 薄 膜 的 基 板 製 造 方 法 之 一 形 態 t 1 I 參 照 圖 面 說 明 之 〇 1 1 I 在 本 發 明 中 $ 理 想 的 成 膜 對 象 基 板 是 用 玻 璃 基 板 及 塑 1 料 平 板 或 塑 料 薄 Η 薄 膜 等 〇 在 此 所 稱 之 塑 料 是 聚 甲 基 線 I 丙 烯 酸 条 樹 脂 N 聚 烯 烴 % 樹 脂 、 聚 m % 樹 脂 、 聚 磺 酸 酯 1 1 条 樹 脂 聚 酯 条 樹 脂 、 聚 m % 樹 脂 、 聚 m 胺 樹 脂 、 多 硫 1 化 物 条 樹 脂 N 不 飽 和 聚 酷 条 樹 脂 環 氣 糸 樹 脂 三 聚 氛 胺 I % 樹 脂 > 酚 条 樹 脂 鄰 苯 二 甲 酸 二 烯 丙 基 酯 条 樹 脂 、 聚 \ 醯 亞 胺 条 樹 脂 順 丁 烯 二 m 抱 亞 胺 % 樹 脂 聚 m 肌 酸 条 1 I 樹 脂 聚 胺 酯 % 樹 脂 聚 酯 酸 乙 烯 酯 % 樹 脂 N 聚 乙 烯 醇 1 1 -1 3- 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公_、 經濟部中央標準局負工消費合作社印聚 A7 B7 五、發明説明(12 ) 系樹脂、笨乙烯系樹脂、聚氯乙烯糸樹脂、纖維素糸樹 脂、二甘酵雙烯丙基碳酸酷聚合物(CR-39)等。在這些 成膜對象基板上形成薄膜後•要作為光學滤光片或顯示 裝置的反射防止膜使用時,成膜對象基板是要用透明或 半透明者。最近在提升對比度上,或使晝面容易看清, 多被採用其透光率為30〜70!K程度,或進而採用對顔色 具有選擇性的透射者。而在不損及圖像顯示面色調程度 之灰色系顔色更為理想。 首先,說明要用被固定的成膜監視器時的情形。 成膜對象基板愈為大型,本發明的效果愈大。成膜對 象基板的短邊寬度為成膜區域的寬度之1/5 Μ上或20cb Μ上時最為理想,26cbM上時更為理想。 又,也可如第9圈,將成膜對象基板在移動方向配置 成列,而將多數瑄種成膜對象基板的行列並排,同時一 面受成膜粒子的曝曬* 一面形成薄膜。又,成膜對象基 板的行列*並不只是將成膜對象基板排成直線狀者,將 成膜對象基板沿著像圓形曲線排列者亦可。例如也可將 成膜對象基板順著圓周排列•於成膜中·使瑄些基板順 著上述圓周旋轉,使同一基板反複通過成膜區域之構成 者。 又,成膜區域是指在於與成膜基板的成膜面在實質上 為同一的面上,可受到足於形成薄膜的足夠量之成膜粒 子所嗶痛之區域。即將成膜對象基板配置成為多數行列 時•該基板區域與其空隙及外圍的合計區域即為上述之 -14- 本紙张尺/t 4 r 家櫺準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 320687 A7 B7 五、發明説明( 成膜區域(第3圔中的成膜區域20)。 又,在本發明中,要固定成膜監視器的位置是可將其 設在成膜區域的外侧(即成膜區域限定構件的背面等) 。可滿足此條件時,不必對成膜對象基板的配置等加以 限制,可取得監視器薄膜的膜厚與形成在成膜對象基板 的薄膜之相互關連《而且,在成膜粒子的産生源與成膜 監視器之間無任何東西之存在,可形成舆形成在成膜對 象基板的薄膜相等之監視器薄膜,可精確的控制成膜作 業。當然成膜監視器也可設在成膜區域内之基板區域外》 第1画是本發明附有薄膜的基板之製造方法及製造裝 置之一實施形態。本實施形態是將進料室102 、第1儲 料機室103 、成膜室104、第2儲料機室105及出料室 106配置成為聯結狀態。又,第1儲料機室103和第2 儲料機室10 5並未被閘門閥等與成膜室隔開,而是由同 一受密閉的真空室所構成。因而在成膜室1Q4中,傜將 第.1儲料機室103與第2儲料機室105包括於成膜室104 内。成膜對象基板109是受基板保持架群所夾住^ 1成 膜單位是例如由20锢基板保持架108所構成,而該一室 内傷可收容此1成膜單位者。 以下注目於成膜對象基板的動向,説明成膜工程之1 例。其俗由如下述A到Η的主工程所形成。 Α工程:將第1基板保持架群108進入進料室1D8 , 經定位後,將進料室102 ,成膜室104和出料室106排 氣之工程。 -1 5- 木纸張尺凊用中國國家標嗥f CNS ) A4規格(2丨0X 297公犛) I $ i J 餐 -' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 320687 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明(14 ) B工程:將進料室102保持與大氣遮蔽的狀態下,將 第1基板保持架群108順序移動到第1儲料機室103之 工程° C工程:在進料室102與成膜室104及與出料室106 予K遮蔽之狀態下,使進料室102對大氣開放後將第2 基板保持架群108送入進料室102 ,並使進料室102排 氣之期間,在成膜室104中,將第1基板保持架108個 涸的從第1儲料機室103取出放置於移動手段110 ,使 其顒序一邊移動一邊使例如為20個成膜對象群109通過 可受成膜粒子曝曬之成膜區域使其成膜,顒序使全部的 例如為20個基板保持架群103從移動手段110送入第2 儲料機室105之移動手段。 D工程:在進料室102和出料室106對大氣遮蔽之狀 態下,將第1基板保持架群108從第2儲料機室105順 序移動到出料室106之期間,將第2基板保持架群108 從進料室102順序移動到第1儲料機室103之工程。 E工程:在進料室102與成膜室104及與出料室106 予Μ遮蔽之狀態下,使出料,室106開放於大氣,取出第 1基板保持架群108後使出料室106排氣之期間,同時 也是使進料室102開放於大氣,將第3基板保持架群 108送入進料室102後使進料室102排氣之期間,在成 膜室104中,將第2基板保持架群108 —個個的從第1 儲料櫬室103取出,放置於移動手段110 ,顒序使例如 為20個成膜對象群109 —邊通過成膜區域一邊使其曝瞩 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4成格_ ·…公缝) ---^-----f 丨裝----:--訂-----< 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(15 ) 於成膜粒子5使其成膜,順序使全部的例如為20傾基板 保持架群108從移動手段110送入第2儲料機室105之 移動工程。 F工程:在進料室102和出料室106對大氣遮蔽之吠 態下,將第2基板保持架群108從第2儲料機室105 _ 序移動到出料室106之期間,將第3基板保持架群108 從進料室102顒序移動到第1儲料機室103之工程。 G工程:在進料室102與成膜室104及與出料室106 予Μ遮蔽之狀態下,使出料室106開放於大氣,取出第 2基板保持架群108後使出料室106排氣之期間,同時 也是使進料室102開放於大氣,將第4基板保持架群 108送入進料室102後使進料室102排氣之期間,在成 膜室104中,將第3基板保持架群108 —個涸的從第1 儲料機室103取出,放置於移動手段110順序使例如20 個成膜對象基板群109 —邊通過成膜區域一邊使其曝鼷 於成膜粒子5 ,使其成膜,顒序使全部的例如為20個基 板保持架群108從移動手段110送入第2儲料機室105 之移動工程。 Η工程:將F〜G工程反複η次之工程(η為任意次 數)° 又,在本發明的成膜過程中,也可包括如下之處理事 項。例如可交替的做成膜與處理,在此所稱的處理是包 括Κ氧等雄子、各種氣體等離子、由離子槍的氧離子或 氩離子等之照射的基板處理等。這種處理是用在提升成 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(cns )厶4«_蝽:·〇 yn公ft ) -j ( 裝 ^訂 ^ 線 - t (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 320687 A7 B7 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 五、發明説明( 1 1 膜 對 象 基 板 舆 成 膜 物 質 N 或 成 膜 物 質 與 成 膜 物 質 的 緊 阽 1 力 為 百 的 者 〇 1 1 又 $ 成 膜 工 程 是 以 例 如 由 電 子 槍 6 所 産 生 的 電 子 射 線 V 請 '1 先 1 使 薄 膜 材 料 3 的 成 膜 粒 子 産 生 部 位 2 繼 鑲 加 熱 » 由 此 閱 使 其 産 生 成 膜 粒 子 9 這 時 候 9 開 始 時 遮 蔽 板 1 1 是 關 閉 背 面 1 之 1 箸 » 成 膜 粒 子 不 能 到 逹 成 膜 對 象 基 板 〇 成 膜 粒 子 産 生 部 注 意- 1 位 2 的 溫 度 達 到 穩 定 狀 態 時 1 成 膜 粒 子 的 産 生 強 度 也 達 事 項 1 再 1 到 穩 定 狀 態 〇 經 將 之 確 認 後 打 開 遮 蔽 板 11 以 成 膜 監 視 1 裝 馬 本 器 8 確 認 安 定 的 進 行 著 成 膜 後 9 將 基 板 保 持 架 108 以 某 頁 Sw-*1 1 I 速 度 從 例 如 第 1 圖 的 左 方 向 右 方 移 動 〇 這 時 有 時 候 是 1 1 依 據 成 膜 監 視 器 8 的 資 料 9 以 使 移 動 速 度 為 可 變 者 較 為 1 I 理 想 之 情 形 〇 從 成 膜 粒 子 産 生 部 位 2 所 産 生 的 成 膜 粒 子 訂 向 以 成 膜 粒 子 束 軸 9 的 方 向 為 中 心 之 方 向 飛 翔 9 到 達 1 成 膜 對 象 基 板 群 109 之 各 基 板 〇 又 9 一 部 分 的 成 膜 粒 子 1 I 會 到 逹 成 膜 監 視 器 8 〇 1 1 I 監 視 器 薄 膜 的 膜 厚 9 經 考 量 和 形 成 在 成 膜 對 象 基 板 群 1 的 各 基 板 上 薄 膜 膜 厚 有 相 互 顔 偽 〇 在 理 想 上 > 例 如 在 20 線 I 群 的 成 膜 對 象 基 板 群 10 9 形 成 薄 膜 時 » 成 膜 監 視 器 8 上 1 1 的 監 視 器 薄 膜 的 膜 厚 成 為 形 成 在 成 膜 對 象 基 板 群 1 0 9 1 1 的 薄 膜 膜 厚 之 約 20倍 〇 實 際 上 這 種 相 互 關 俗 是 由 實 驗 锻 I 密 的 求 出 之 〇 又 9 由 此 實 驗 結 果 可 求 出 成 膜 監 視 器 8 的 1 Ί 監 視 器 薄 膜 膜 厚 在 aa 単 位 時 間 内 的 變 化 和 形 成 在 成 膜 對 象 1 I 基 板 群 10 9 的 薄 膜 膜 厚 在 單 位 時 間 内 的 m 化 之 相 互 關 俗。 1 | 依 據 該 薄 膜 的 膜 厚 m 定 結 果 » 調 整 成 膜 中 的 成 膜 速 度 1 1 -1 8 ~ 1 1 1 1 表紙铢尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 17 ) 1 1 或 所 形 成 薄 膜 的 折 射 率 等 之 特 性 等 〇 經 確 認 成 膜 對 象 基 1 1 | 板 群 109 中 的 例 如 第 20涸 的 最 後 基 板 保 持 架 群 108 中 的 1 1 例 如 第 20個 已 通 過 成 膜 區 域 後 * 闢 閉 遮 蔽 板 11 結 束 請 先 1 成 膜 工 程 〇 即 9 本 實 施 形 態 是 Μ 上 述 方 法 進 行 成 膜 作 業 閲 讀 1 I 之 控 制 〇 背 1 I 之 1 I 又 多 要 形 成 多 層 薄 膜 時 » 在 於 將 基 板 保 持 架 群 108 從 注 意 古 1 第 1 儲 料 機 室 103 顒 序 移 動 到 移 動 手 段 110 9 放 置 於 移 Ψ 項 再 1 動 手 段 110 上 t 順 序 使 其 一 邊 移 動 一 邊 使 例 如 為 20 個 成 填 寫 本 1 λ I 膜 對 象 基 板 群 109 曝 曬 於 成 膜 粒 子 5 f 使 其 成 膜 » 並 從 頁 '—^ 1 I 移 動 手 段 110 順 序 送 入 第 2 儲 料 機 室 105 • 經 將 例 如 20 1 1 1 個 基 板 保 持 架 群 108 全 部 移 動 到 第 2 儲 料 機 室 105 之 工 1 1 程 之 後 更 換 成 膜 粒 子 產 生 源 之 物 質 r 而 這 —- 次 是 相 反 訂 的 9 將 基 板 保 持 架 群 108 從 第 2 儲 料 機 室 105 顚 序 移 動 1 到 移 動 手 段 11 0 9 放 置 於 移 動 手 段 110 上 9 順 序 使 其 一 1 1 邊 移 動 一 邊 使 例 如 為 20個 成 膜 對 象 基 板 群 109 曝 躧 於 成 1 I 膜 粒 子 5 » 使 其 成 膜 9 並 從 成 移 動 手 段 110 傾 序 送 入 第 1 1 儲 料 機 室 103 » 經 將 例 如 20M 基 板 保 持 架 108 全 部 移 線 1 動 到 第 1 儲 料 機 室 108 〇 即 反 複 上 述 工 程 以 形 成 多 層 膜 1 I 〇 移 動 次 數 如 為 偶 數 時 f 在 最 後 一 次 成 膜 後 » 將 基 板 保 1 J 持 架 群 108 放 置 在 移 動 手 段 110 使 其 移 動 時 9 使 其 不 受 | 成 膜 粒 子 之 曝 曬 9 從 圖 的 左 方 直 接 移 到 右 方 , 就 可 完 成 : 1 如 上 述 之 工 程 〇 1 1 第 3 圖 是 成 膜 監 視 器 8 之 固 定 位 置 t 其 係 除 將 成 膜 監 1 I 視 器 8 m 置 在 成 膜 區 域 外 側 以 測 定 監 視 器 薄 膜 的 膜 厚 1 I -1 9- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29*7公釐) A 7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (18 ) 1 1 之 外 » 其 餘 與 第 9 圖 Μ 注 的 附 有 薄 膜 的 基 板 之 製 造 方 法 1 1 相 同 〇 成 膜 監 視 器 8 是 m 置 在 成 m 對 象 基 板 310 的 進 行 1 1 方 向 和 成 膜 粒 子 束 軸 9 雙 方 之 垂 直 方 向 並 m 開 基 板 區 /·—v 請 先 1 域 20之 位 置 〇 由 於 成 膜 監 視 器 8 是 配 置 在 埴 個 位 置 因 閱 讀 1 而 f 可 在 具 第 9 圖 時 的 2 倍 Μ 上 大 小 之 成 膜 對 象 基 板 背 1 之 1 310 上 形 成 薄 膜 〇 又 • 如 本 實 施 形 態 在 成 膜 對 象 基 板 行 注 意 1 事 列 的 外 側 設 置 成 膜 監 視 器 時 * 可 使 成 膜 監 視 器 與 成 膜 粒 項 再 子 產 生 源 之 間 的 距 離 近 似 於 成 膜 對 象 基 板 與 成 膜 粒 子 產 填 寫 本 1 裝 1 生 源 之 距 離 9 比 以 往 的 較 為 理 想 0 頁 1 I 又 9 形 成 在 成 膜 監 視 器 的 監 視 器 薄 膜 的 成 膜 條 件 » 最 1 1 好 是 近 U 於 形 成 在 成 膜 對 象 基 板 的 薄 膜 之 成 膜 條 件 0 基 1 Ί 於 使 用 百 的 9 而 所 要 薄 膜 的 特 性 雖 有 些 不 同 » 但 監 視 器 訂 薄 膜 的 例 如 折 射 率 密 度 電 氣 特 性 等 的 物 理 特 性 及 膜 1 ,厚 最 好 能 獲 得 近 似 於 基 板 區 域 内 者 〇 1 1 要 如 上 述 > 使 監 視 器 薄 膜 的 成 膜 條 件 t 能 近 U 於 形 成 1 I 在 成 膜 對 象 基 板 的 薄 膜 時 9 監 視 器 的 位 置 最 好 能 設 在 如 I W0 95/33081號公報所記載者 > 線 I 依 據 該 薄 膜 的 膜 厚 測 定 結 果 » 作 為 調 整 成 膜 中 的 成 膜 i I 速 度 或 所 形 成 薄 膜 的 折 射 率 等 特 性 〇 或 於 得 到 所 要 膜 厚 1 1 時 m 閉 遮 蔽 板 11M 结 束 成 膜 等 之 成 膜 作 業 之 控 制 0 _* I | 又 f 本 發 明 中 的 成 膜 區 域 限 定 構 件 是 指 設 在 成 膜 粒 子 / I I 產 生 源 與 成 膜 對 象 基 板 之 間 t 具 限 制 成 膜 粒 子 的 飛 翔 範 1 1 圃 之 功 能 者 〇 例 如 使 用 如 第 1 圖 的 成 膜 區 域 限 制 構 件 4 a 1 I f 4b ( 是 要 限 定 成 膜 區 域 在 基 板 進 行 方 向 的 大 小 或 形 狀 1 I -20- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標卑()MUL格(210X 297公釐) 320687 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (19 ) 1 1 之 遮 板 t 在 第 2 nat _ 中 成 膜 區 域 20成 為 繞 線 軸 形 者 9 是 由 1 1 半 月 形 成 成 膜 1^ 域 限 定 構 件 眼 制 其 成 膜 區 域 者 ) 者 〇 在 1 1 成 m 區 域 限 定 構 件 的 成 膜 粒 子 產 生 源 側 » 由 於 可 獲 得 和 /—S 請 先 1 成 膜 區 域 同 等 之 成 膜 條 件 t 因 而 如 在 該 位 置 放 置 成 膜 監 閲 讀 1 視 器 Μ 測 定 監 視 器 薄 膜 的 膜 厚 時 f 容 易 取 得 與 成 膜 對 象 背 面 1 之 1 基 板 薄 膜 的 膜 厚 之 相 互 關 係 是 很 理 想 之 位 置 〇 又 也 注 意 1 事 可 Μ 用 成 膜 區 域 限 定 構 件 作 為 成 膜 監 視 器 9 Μ 測 定 形 成 項 再 於 此 的 監 視 器 薄 膜 的 膜 厚 〇 填 寫 本 1 A 成 膜 監 視 器 之 可 移 動 者 係 記 載 於 W0 95/3308 1 號公報 '—^ 1 I 中 » 在 本 發 明 中 也 可 Μ 用 到 〇 1 1 在 本 發 明 中 使 成 膜 對 象 基 板 一 邊 通 過 成 膜 區 域 一 邊 成 1 1 膜 的 意 思 是 » 成 膜 對 象 基 板 在 通 過 成 膜 區 域 期 間 開 始 终 1 訂 不 停 止 之 意 思 9 在 通 過 中 如 有 停 止 1 受 成 膜 粒 子 曝 曬 的 時 間 中 會 在 通 過 方 向 產 生 斑 紋 t 難 以 獲 得 均 勻 之 薄 膜 〇 1 1 因 而 通 過 速 度 為 一 定 是 最 為 理 想 〇 但 微 微 的 間 欧 移 動 或 1 I 不 產 生 通 過 時 間 的 部 分 差 之 短 時 間 停 止 参 是 可 容 許 的 〇 1 人 即 » 雖 然 有 停 止 » 但 在 通 過 方 向 受 成 膜 粒 子 所 曝 曬 的 時 涨 I 間 » 如 不 發 生 必 要 Μ 上 之 變 動 t 則 並 不 違 背 一 邊 通 過 成 1 I 膜 區 域 一 邊 成 膜 之 定 義 〇 通 過 條 件 的 部 分 差 9 雖 然 也 要 1 1 依 據 其 他 的 條 件 » 但 Μ 20¾ K 下 t 最 好 是 10¾ 以 下 t 而 -Ί | 5*以 下 更 好 〇 能 保 持 恒 速 為 最 理 想 但 依 據 監 視 器 膜 厚 /| 1 » 白 動 控 制 通 姆 速 度 時 9 必 然 地 t 也 會 產 生 微 小 的 速 度 1 1 變 動 〇 1 I 在 本 發 明 中 » 不 拘 於 何 種 薄 膜 » 但 最 好 是 用 在 以 控 制 1 1 I -21 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 20 ) 1 1 光 的 反 射 或 透 射 特 性 為 百 的 之 光 學 薄 膜 » 或 為 了 要 提 高 1 1 塑 料 等 表 面 ra 度 所 用 的 硬 敷 層 » 或 絕 緣 膜 Μ 及 導 電 性 膜 1 1 等 〇 尤 Μ 必 需 精 密 控 制 膜 厚 的 光 學 薄 膜 $ 是 本 發 明 最 合 /--V 請 先 1 適 之 應 用 對 象 0 尤 其 是 各 種 顧 示 裝 置 的 防 止 反 射 膜 之 成 閲 讀 I 膜 對 象 基 板 是 以 大 型 者 為 多 » 且 為 多 層 者 9 最 逋 合 於 本 背 1 之 1 發 明 〇 又 » 最 近 受 到 注 巨 的 在 於 比 較 容 易 實 現 其 對 角 線 注 意 1 事 長 為 28时 到 60吋 的 大 型 圖 像 顯 示 面 構 成 為 薄 型 圖 像 顯 示 項 再 —S 面 之 等 離 子 顯 示 板 (PDP) 的 用 途 上 » 可 裝 在 其 前 面 使 填 寫 本 1 ά I 用 » 以 作 為 提 升 對 比 度 9 防 止 外 光 反 射 » 截 止 紅 外 線 % 頁 1 I 截 止 電 磁 波 等 為 巨 的 之 防 止 反 射 光 學 m 光 片 1 或 在 濺 射 1 1 法 上 難 於 實 現 的 氧 化 鎂 成 膜 中 9 其 節 拍 時 間 只 要 可 和 其 1 他 工 程 相 應 就 可 作 為 高 速 成 膜 之 方 法 上 » 也 會 受 到 注 目。 1 訂 又 本 發 明 中 的 監 視 器 薄 膜 之 膜 厚 測 定 方 法 有 » 將 成 1 瞑 監 視 器 等 放 在 成 膜 粒 子 束 内 部 9 而 將 形 成 在 其 上 面 的 1 薄 膜 膜 厚 用 光 干 擾 法 或 能 量 吸 收 法 來 测 定 之 方 法 1 或 測 1 I 定 監 視 器 的 機 械 共 振 頻 率 之 變 化 之 方 法 » 又 t 薄 m 如 具 1 導 電 性 時 » 測 定 其 電 阻 的 方 法 等 9 都 可 用 到 〇 薄 膜 如 為 銀 1 光 學 薄 膜 時 9 在 測 定 精 確 度 上 以 光 干 擾 法 為 宜 0 1 I 由 光 干 擾 法 測 定 膜 厚 的 方 法 是 用 > 例 如 將 特 定 波 長 的 1 1 光 照 射 於 監 視 器 由 此 測 定 光 的 反 射 強 度 或 透 射 強 度 之 •·| | 方 法 等 〇 此 乃 利 用 薄 膜 的 折 射 率 和 膜 厚 使 光 的 干 擾 情 形 /1 | 有 所 不 同 而 利 用 » 光 的 反 射 率 或 透 射 率 在 成 膜 過 程 中 • I 1 會 有 周 期 性 的 變 化 者 〇 例 如 捕 捉 反 射 光 強 度 的 極 大 或 極 1 I 小 » Μ 测 定 膜 厚 〇 瑄 時 » 不 只 是 膜 厚 » 其 折 射 率 的 影 響 1 1 -22- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 五、發明説明(^) 也會同 不是薄 程長為 用光 厚有周 内的光 定光的 極值, 光學上 ,比起 之膜厚 又, 為光學 間上之 是好方 時反映 膜的膜 特定值 干擾法 期性的 學上的 波長;I 因而谋 的光程 用干擾 測定β 也可由 上的膜 變化, 法。 於測定 厚本身 之目的 時,理 變化現 光程長 之1/4 足該條 長是成 光強度 計算反 厚(薄 即薄膜 A7 B7 結果,但在 ,而是要使 者為多。反 想的方法是 象,以控制 (比例於膜 倍的整數倍 件時中止成 為測定光的 的絶對值來 射光強度的 膜的折射率 之堆積速度 光學薄 薄膜内 而以此 利用干 成膜過 厚與折 時,干 膜,就 1/4倍 控制, 膜時, 部的光 法較妥 擾光的 程者。 射率之 擾光的 可保證 之整數 較具良 所要的並 學上之光 〇 強度對膜 即,薄膜 積)為測 強度具有 薄膜内的 倍。因此 好再生性 時間上之變化,將之作 X物理上之膜厚)之時 ,以控制作業條件,也 J---------f *-----^4T > - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)_ 法 方 之 化 變 率 頻 振 諧 械 機 的 體 # 盪 數振 有晶 厚水 膜定 的測 膜用 薄可 ,也 又 , 時 低 很 率 射 透 的 膜 薄 或 上 以 到 用 被 常 常 時 法 手 之 等 〇 法法 射收 濺吸 、量 鍍能 電的 子子 豳離 性等 應用 反利 在是 的 使融 是消 業或 作法 膜射 成 B 想 、 理鍍 S 霞 生子 産離 子 / 粒鍍 膜蒸 成速 使加 要子 ,離 中 、 明鍍 發蒸 本空 在真 用 等 法 發使是 蒸,熱 其上加 使板的 ,基料 熱象材 加對膜 料膜薄 材成。 膜的法 薄溫方 將低之 中較膜 空到薄 真送成 在輪形 如氣以 例蒸, 定該出 鍍將析 蒸 ,、 空華凝 真昇冷 或其 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公« ) 320687 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 22 ) 1 1 例 如 Μ 電 子 射 線 等 的 帶 電 粒 子 線 照 射 於 薄 膜 材 料 表 面 使 1 1 其 加 熱 者 〇 1 1 離 子 加 速 蒸 鍍 是 在 上 述 真 空 蒸 鍍 時 » 用 離 子 槍 將 已 被 請 先 1 激 發 的 氧 或 氯 等 的 氣 體 離 子 向 成 膜 對 象 基 板 邊 加 速 照 閱 讀 I 射 > —. 邊 蒸 鍍 之 方 法 〇 背 © 1 之 1 m 子 電 鍍 是 例 如 在 輝 光 放 電 等 的 等 離 子 中 、 對 電 位 被偏 注 意 1 事 勝 的 成 膜 對 象 基 板 進 行 真 空 蒸 鍍 之 方 法 是 在 成 膜 對 象 項 再 基 板 的 與 成 膜 粒 子 產 生 源 栢 反 的 一 面 放 置 電 極 $ 將 在 等 填 寫 本 1 I 離 子 中 電 離 之 離 子 粒 子 吸 引 到 成 膜 對 象 基 板 者 0 頁 '---- 1 I m 射 法 是 在 真 空 氣 氛 中 使 離 子 分 子 或 原 子 等 高 1 1 能 量 粒 子 線 眧 射 於 薄 膜 材 料 表 面 將 其 能 量 直 接 加 上 於 •丨 成 膜 材 料 的 成 膜 粒 子 ( 原 子 分 子 > 或 其 群 ) 上 不 加 訂 熱 而 直 接 使 其 放 出 於 真 空 氣 氛 中 者 0 1 又 消 融 法 是 用 光 線 束 供 應 同 樣 之 能 量 者 〇 1 1 這 些 都 是 使 薄 膜 的 材 料 粒 子 和 飛 翔 於 真 空 中 之 手 段 9 1 I 而 使 其 產 生 可 從 成 膜 粒 子 源 向 Μ 特 定 方 向 ( 例 如 成 膜 粒 1 -α 子 產 生 源 面 之 法 線 方 向 等 ) 為 中 心 的 方 向 成 放 射 狀 擴 大 線 1 之 成 膜 粒 子 者 〇 成 為 該 成 膜 粒 子 飛 翔 的 中 心 之 方 向 粬 9 1 I 稱 之 謂 成 膜 粒 子 束 軸 〇 在 一 般 上 順 著 成 膜 粒 子 束 袖 方 1 1 向 飛 翔 之 成 膜 粒 子 數 為 最 多 愈 離 開 該 軸 成 膜 粒 子 數 愈 • 1 I 少 〇 同 時 > 成 瞑 粒 子 所 具 有 的 運 動 能 量 也 有 愈 小 之 傾 向0 | | 成 膜 粒 子 所 具 有 的 運 動 能 量 會 影 響 到 形 成 於 成 膜 對 1 1 象 基 板 的 薄 膜 之 折 射 率 等 特 性 之 情 形 較 多 〇 在 一 般 上 » 1 | 成 膜 粒 子 的 運 動 能 最 愈 高 愈 可 形 成 高 折 射 率 且 均 匀 的 1 I -24- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 320687 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明( 23 ) 1 1 薄 膜 〇 又 » 成 膜 粒 子 的 飛 翔 方 向 愈 接 近 於 成 膜 對 象 基 板 1 1 上 的 薄 膜 之 形 成 方 向 f 也 即 基 板 面 的 法 線 方 向 時 » 所 形 1 1 成 薄 膜 的 折 射 率 會 愈 高 9 因 而 % 形 成 在 成 腰 區 域 的 中 央 /—V 請 I 1 先 1 部 位 ( 成 膜 粒 子 束 袖 近 旁 ) 的 薄 膜 之 折 射 率 較 高 » 愈 接 閲 讀 1 近 成 膜 區 域 的 外 邊 » 其 折 射 率 愈 低 , 同 時 > 如 上 述 成 m 背 1 之 1 粒 子 數 也 會 愈 少 膜 厚 愈 薄 〇 * 1 | 事 本 發 明 中 控 制 成 膜 作 業 的 方 法 如 下 〇 項 再 ⑴ 控 制 成 膜 對 象 基 板 或 成 膜 對 象 基 板 群 在 於 受 成 膜 粒 填 寫 本 1 裝 1 子 所 曝 曬 的 範 圍 的 成 膜 基 板 進 行 方 向 的 長 度 之 方 法 〇 頁 1 I (2) 控 制 成 膜 對 象 基 板 或 成 膜 對 象 基 板 群 在 於 受 成 膜 粒 1 I 子 所 曝 曬 的 範 圍 中 所 通 過 的 時 間 之 方 法 〇 1 控 制 成 膜 對 象 基 板 或 成 膜 對 象 基 板 群 在 於 受 成 膜 粒 j 訂 子 所 曝 曬 的 範 圍 中 * 在 單 位 時 間 内 所 到 達 的 成 膜 粒 子 量 1 之 方 法 0 1 1 控 制 成 膜 對 象 基 板 或 成 膜 對 象 基 板 群 的 表 面 溫 度 之 1 I 方 法 〇 1 丄 首 先 說 明 用 ⑴ 方 法 的 成 膜 作 業 之 控 制 〇 形 成 在 成 膜 對 银 1 象 基 板 的 薄 膜 之 膜 厚 在 基 本 上 是 與 到 達 基 板 表 面 的 成 1 I 膜 粒 子 在 單 位 時 間 内 之 成 膜 粒 子 數 和 其 表 面 在 於 成 膜 區 1 1 域 内 的 時 間 之 積 成 比 例 〇 因 而 9 調 整 基 板 進 行 方 向 的 成 ,Ί | 膜 區 域 之 大 小 就 可 控 制形成在成膜對象基板上的薄膜 -1 1 之 膜 厚 〇 1 1 唯 梦 是 使 成 膜 對 象 基 板 一 邊 通 過 成 膜 區 域 一 邊 成 膜 t 1 I 因 而 f 成 膜 對 象 基 板 的 同 一 表 面 部 位 會 一 邊 横 過 成 膜 粒 1 I -25- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國it, (、S ) Λ4见格(210 X297公釐〉 320687 A7 B7 五、發明説明(24 ) 子束一邊成膜。而如上述在成膜粒子束内部也有成_粒 子束軸近旁與外邊的成膜粒子數等在條件上不相同之情 形。因而,在成膜對象基板中,在成膜中通過成膜粒子 束近旁的部位和只通過外邊的部位之間·雖然在成膜區 域受到相同時間的曝曬,但,其膜厚或物理特性並不會 相同。因此*如第3圖的成膜區域20所示,在一般上, 是將成膜區域的形狀形成為繞線軸型者較為理想。因此 *將具半月狀的形狀之成膜區域限定構件放在成膜粒子 的飛翔路徑,K使成膜區域的形吠在基板的進行方向修 正為弧狀的撓線軸狀之形狀者多被採用。又該成膜區域 限定構件是例如為首先依據所謂餘弦法則(成膜膜厚是 比例於成膜粒子的飛翔方向與成膜粒子束軸間所構成的 角度之餘弦的3次方或4次方之法則)製作,用之Μ反 複做成膜實驗,直到可獲的滿足之膜厚及折射率之分佈 為止,Μ決定最後的形狀等之方法製法之。又,使該成 膜區域限定構件在上下或基板的進行方向移動•也可Μ 用來作為薄膜膜厚之控制。又*成膜產生物質不同時, 其飛翔分佈也不同,因而可依其種類更換每一種類的成 膜範圍限定構件。 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次,說明用(2)方法的成膜作業之控制。此方法在具 體上是使成膜對象基板的移動速度皤著成膜監視器上成 膜的膜厚•而變化者。此乃和⑴方法同樣*控制成膜對 象基板表面受成膜粒子所曝曬時間之長短者。在一般上 •從成膜粒子源所飛翔的成縝粒子量或其運動能量*會 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 320687 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 25 ) 1 1 由 於 真 空 容 器 的 狀 態 9 即 其 真 空 度 容 器 之 污 穢 狀 態 9 1 1 由 送 入 的 基 板 之 脫 氣 效 果 而 有 所 變 化 〇 因 而 9 由 瑄 些 所 1 1 產 生 的 成 膜 之 變 動 t 由 — 邊 監 視 器 著 監 視 器 膜 厚 的 變 化 /·—s 請 先 1 ( 即 成 膜 速 度 ) Μ 使 薄 膜 可 均 勻 的 形 成 » — 邊 變 化 其 移 閲 讀 1 1 I 動 速 度 〇 例 如 成 膜 速 度 太 快 時 9 加 快 移 動 速 度 9 相 反 的 背 Λ 1 之 1 9 成 膜 速 度 太 慢 時 減 慢 移 動 速 度 K 做 理 想 的 控 制 〇 注 意 1 接 著 9 說 明 用 方 法 的 成 膜 作 業 之 控 制 〇 此 方 法 是 隨 事 項 再 1 著 膜 厚 監 視 器 上 的 監 視 器 膜 厚 調 整 投 入 於 成 膜 粒 子 產 填 寫 本 1 裝 1 生 源 的 能 量 之 方 法 者 〇 由 此 可 控 制 到 達 成 膜 區 域 的 軍 位 頁 1 1 時 間 内 之 成 膜 粒 子 数 或 成 膜 粒 子 之 能 量 〇 例 如 Μ 電 子 槍 1 1 對 薄 膜 材 料 的 成 膜 粒 子 產 生 部 位 加 上 能 量 時 成 膜 速 度 J 如 太 快 則 減 少 電 子 搶 的 燈 絲 電 流 成 膜 速 度 如 太 慢 « 1 訂 則 加 大 電 子 槍 燈 絲 電 流 由 此 方 法 可 控 制 成 膜 工 m 〇 Μ 1 瑄 種 方 法 時 可 由 測 定 監 視 器 薄 膜 的 膜 厚 對 成 膜 作 業 做 1 1 反 饋 控 制 〇 1 I 以 下 說 明 用 ⑷ 方 法 的 成 膜 作 業 之 控 制 〇 到 達 成 膜 區 域 1 人 的 成 膜 粒 子 的 數 量 雖 然 相 同 但 如 成 膜 對 象 基 板 的 表 面 線 1 溫 度 比 較 高 則 成 膜 速 度 會 比 較 快 且 視 所 形 成 的 薄 膜 1 | 種 類 其 折 射 率 會 有 升 高 的 情 形 〇 利 用 這 種 性 質 t Μ 成 1 1 膜 對 象 基 板 的 表 面 溫 度 來 控 制 成 膜 速 度 或 折 射 率 等 之 成 •Ί | 膜 作 業 〇 其 中 9 加 熱 器 是 可 使 用 時 常 被 利 用 其 光 的 輻 射 .1 | 之 鹵 素 燈 或 Μ 紅 外 線 輻 射 及 熱 傳 導 為 主 巨 的 之 附 加 吸 熱 1 1 器 ( 微 加 熱 器 ) 或 m 铬 電 熱 器 等 0 控 制 器 可 使 用 控 制 開 1 I 與 闞 者 , 但 可 做 程 序 資 訊 (P ID) 控 制 之 控 制 器 $ 更 可 適 1 1 I -27- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明( v{? ) 1 1 用 之 〇 1 1 又 * 從 監 視 成 膜 監 視 器 上 的 監 視 器 薄 膜 之 膜 厚 » 測 定 1 I 成 膜 作 業 的 成 膜 速 度 > 依 據 所 得 成 膜 速 度 t 以 控 制 成 膜 請 Ί 1 作 業 較 為 理 想 〇 依 發 明 者 們 的 見 識 » 成 膜 速 度 與 所 形 成 先 閲 1 讀 1 1 的 薄 膜 之 物 理 待 性 之 間 很 少 有 互 相 鼸 傜 〇 例 如 在 氣 化 鈦 背 面 1 之 1 的 成 膜 時 氧 化 鈦 在 成 膜 粒 子 産 生 源 於 熔 融 狀 態 下 成 為 注 意 1 氣 化 三 鈦 飛 翔 於 真 空 中 9 而 在 飛 翔 中 或 在 基 板 上 與 氣 事 項 再 I 氣 産 生 氣 化 還 原 反 應 形 成 氣 化 鈦 膜 〇 這 種 氣 化 還 原 反 導 1 本 袭 應 i£s9 受 到 五 氣 化 三 鈦 粒 子 所 具 有 的 運 動 能 量 很 大 的 影 蜜 頁 1 〇 成 膜 粒 子 的 運 動 能 量 是 與 成 膜 粒 子 的 飛 翔 速 度 有 一 對 1 1 一 的 對 應 關 % 之 物 理 量 > 而 與 成 膜 速 度 有 強 勢 之 相 互 關 I 係 〇 本 發 明 者 們 發 現 這 種 膜 的 成 膜 t 可 由 控 制 其 成 膜 速 1 度 » 就 可 形 成 具 理 想 物 待 性 的 薄 膜 〇 例 如 在 待 定 速 度 時 1T 1 没 有 吸 收 9 而 可 形 成 折 射 率 高 的 薄 膜 之 情 形 〇 在 這 種 情 1 I 形 時 > 最 好 是 使 其 成 膜 速 度 在 最 佳 值 時 予 以 安 定 化 〇 又 1 1 使 成 膜 速 度 週 期 性 的 變 化 t 也 會 有 可 對 薄 膜 的 物 理 特 性 1 賦 與 週 期 性 變 化 之 情 形 〇 這 種 可 由 成 膜 速 度 控 制 其 物 理 1 線 I 待 性 的 薄 膜 材 料 物 質 中 9 可 使 用 的 是 最 近 用 在 液 晶 顯 示 1 1 器 上 的 氧 化 洇 / 氣 化 錫 (I TO ) 氣 化 錫 氣 化 铟 、 氣 化 1 | 鋅 氣 化 m 〇 1 在 本 發 明 中 » 控 制 膜 厚 分 佈 或 膜 性 能 分 佈 的 方 法 是 採 1 : 取 在 成 膜 粒 子 産 生 源 上 想 出 辦 法 者 〇 即 採 用 在 成 膜 粒 子 1 I 産 生 部 位 上 9 使 粒 子 産 生 物 質 以 某 速 度 迪 缠 移 動 以 消 1 1 除 熔 融 部 位 的 形 狀 在 時 間 上 之 變 化 的 手 法 * 以 使 成 膜 膜 1 1 -28" 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公嫠) 320687 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 21 ) 1 1 厚 分 佈 及 m 性 能 分 佈 在 時 間 上 保 持 一 定 者 〇 由 此 對 於 例 1 1 如 防 止 反 射 光 學 濾 光 片 等 需 要 高 精 密 度 光 學 薄 膜 的 成 膜 1 1 時 , 可 保 證 成 膜 對 象 基 板 群 的 通 過 方 向 之 成 膜 膜 厚 分 佈 /«—S 請 先 1 及 膜 性 能 〇 閲 讀 1 在 本 發 明 的 處 理 過 程 中 9 特 別 是 在 蒸 鍍 法 時 , 尤 其 背 ιέ 1 之 1 成 膜 對 象 基 板 是 樹 脂 製 品 時 9 成 膜 對 象 基 板 與 成 膜 粒 子 注 意 1 拳 產 生 源 的 理 想 距 離 為 500· HI K 上, 且也有離開800 m σ 上 項 再 較 理 想 之 情 形 〇 短 於 5 0 0圃 ΠΙ時, 在使樹脂基板等成膜時, 填 寫 本 1 A 會 受 到 成 膜 粒 子 產 生 源 來 的 輻 射 熱 之 大 影 響 而 有 產 生 頁 '—^ 1 I 過 熱 之 情 形 〇 又 在 氧 化 絪 / 氧 化 錫 成 膜 或 氧 化 鎂 成 膜 時 1 1 9 常 用 反 應 性 蒸 鍍 手 法 但 也 會 有 與 氧 氣 的 反 應 不 充 分 1 Ί 9 >λ 致 成 為 帶 有 吸 收 色 光 的 薄 膜 之 情 形 〇 又 也 易 於 受 訂 到 成 膜 粒 子 產 生 源 的 偏 差 之 影 響 成 為 膜 厚 不 均 勻 的 原 1 因 等 〇 1 1 又 本 發 明 中 儲 料 機 是 在 於 成 膜 室 内 〇 其 好 處 在 於 特 1 I 別 是 要 操 作 樹 脂 系 基 板 時 可 將 成 膜 對 象 基 板 長 時 間 保 1 持 在 高 真 空 領 域 中 因 而 可 充 份 的 對 基 板 加 熱 及 脫 氣 1 線 | 可 形 成 具 非 常 優 異 物 性 之 薄 瞑 〇 1 I 本 發 明 中 的 多 段 儲 料 機 之 構 造 9 是 對 成 膜 對 象 基 板 群 1 1 的 成 膜 區 域 移 動 之 方 向 成 直 角 的 方 向 f 設 有 多 段 者 且 Ί 1 成 膜 對 象 基 板 群 的 取 出 及 送 入 方 向 是 與 該 成 膜 對 象 基 /| I 板 群 的 在 成 膜 區 域 移 動 之 方 向 相 同 為 佳 〇 如 果 收 容 多 段 1 1 儲 料 櫬 的 方 向 9 和 從 儲 料 機 取 出 送 入 成 膜 對 象 基 板 群 的 1 I 方 向 9 及 和 成 膜 對 象 基 板 群 的 在 成 膜 區 域 移 動 之 方 向 成 1 1 I -29- 1 1 1 1 穿、紙帳 <度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (28 ) 1 1 為 3 維 (3 軸) 方 向 時 , 在 成 膜 對 象 基 板 群 於 轉 換 方 向 時 1 1 需 要 複 雜 的 機 構 * 且 » 要 將 該 機 械 裝 進 於 真 空 中 1 因 1 1 而 在 其 驅 動 部 份 的 真 空 密 封 上 有 非 常 困 難 的 問 題 點 〇 在 請 先 1 本 發 明 中 » 是 在 於 對 成 膜 對 象 基 板 群 的 在 成 膜 區 域 移 動 閲 讀 1 之 方 向 成 直 角 的 方 向 形 成 為 多 段 者 f 且 t 成 膜 對 象 基 板 背 1 之 1 群 的 取 出 及 送 入 方 向 是 和 該 成 膜 對 象 基 板 群 的 在 成 膜 區 注 意 1 域 移 動 之 方 向 相 同 因 而 多 段 儲 料 機 的 對 基 板 ( 基 板 保 事 項 再 1 -1 持 架 ) 之 把 持 部 位 和 從 多 段 儲 料 機 取 出 及 送 入 基 板 填 寫 本 1 1 ( 基 板 保 持 架 ) 之 把 持 部 位 大 致 在 同 平 面 上 使 基 板 頁 •—✓ 1 I 移 動 在 該 所 取 出 的 方 向 使 基 板 ( 基 板 保 持 架 ) 移 動 » 1 1 就 可 使 基 板 曝 躧 於 成 膜 區 域 因 而 在 機 構 上 並 無 勉 強 之 1 處 〇 例 如 以 儲 料 機 為 上 下 驅 動 基 板 ( 基 板 保 持 架 ) 的 1 訂 取 出 及 送 入 方 向 與 基 板 ( 基 板 保 持 架 ) 的 在 成 膜 區 域 移 1 動 之 方 向 為 水 平 時 為 例 說 明 之 〇 儲 料 機 的 一 部 分 是 在 •第 1 1 24圖 中 的 邊 ΧΥ部 位 和 邊 ZW部 位 接 受 基 板 ( 基 板 保 持 架 ) 1 I 之 構造 並 使 基 板 的 取 出 及 送 入 方 向 和 基 板 在 成 膜 區 域 1 移 動 的 方 向 為 一 致 $ 而 在 此 方 向 排 列 滾 輪 時 > 由 儲 料 機 線 I 的 上 下 移 動 可 使 基 板 ( 基 板 保 持 架 ) 的 ngi 圖 中 之 邊 XW部 1 | 位 和 邊 YZ部 位 為 該 滾 輪 所 接 受 1 因 而 可 使 基 板 的 移 動 很 1 1 圓 滑 的 進 行 之 優 點 〇 真 空 密 封 件 是 由 套 入 上 下 驅 動 用 驅 | 動 軸 之 真 空 密 封 件 和 套 入 水 平 運 送 用 驅 動 軸 的 真 空 密 封 /1 1 件 所 構 成 9 因 而 很 容 易 設 計 9 且 維 護 也 容 易 〇 又 在 生 產 1 1 上 也 難 於 發 生 故 障 〇 1 I 又 9 Μ 這 種 情 形 時 其 水 平 運 送 是 由 滾 輪 擔 任 9 因 而 1 1 1 -30- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4規格(210X 297公釐) 320687 Α7 Β7 五、發明説明(29) ,滾輪的驅動可利用伺服電動機,可得很高精度之基板 蓮送速度。又,可使基板(基板保持架)加速到成膜區 域,在成膜區域保持一定速度,而從成膜區域加速後再 減速之速度控制方法,也很容易實施之。因此,這種構 造是非常的理想。 本發明的基板加熱方法是採用在成膜室或其前後的進 料室或出料室,或在更前後的進料室或出料室,或所有 的室中加熱。而在基板的儲料機内的多段構造中•夾入 加熱器時,由於其可對基板均勻加熱,因而可採用之。 即,儲料機的構造最好是Μ基板部、加熱器部、基板部 、加熱器部之交互配置之構造者。這種方法可適用於成 膜室中的成膜區域前後之儲料機室,其前後之進料室或 出料室或更前後之進料室或出料室上。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在本發明中,最好是使成膜室具備可將成膜變更為不 同作業條件之手段者。例如在氣體導入手段中裝備可調 整氣體量者。Μ這種情形時,在形成不同膜種薄膜中, 可變化其成膜時的真空度。在於防止反射光學漶光片的 光學薄膜時,常常會有其薄膜的折射率可由形成薄膜時 的真空壓來控制,或變化。像氧化結膜樣你i膜是很好的 例子,對於這樣的薄膜時是很有效果。又,要K雄子加 速蒸鍍的薄膜、高頻離子電鍍的薄膜,及通常蒸鍍的薄 膜等等不同手法蒸鍍時,例如其蒸發手段只Μ電子搶就 可通用,對裝置的低價格化的面上很有利,且可在同一 真空室進行*因而如果以同一排氣機構獲得保持在高真 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標肀'_’Μ«格(210X29"?公釐) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明( 30 ) 1 1 空 之 狀 態 下 可 變 更 作 業 條 件 » 則 更 為 理 想 〇 1 1 I 又 9 對 於 如 帶 通 m 光 片 等 的 » 將 高 折 射 率 膜 和 低 折 射 1 1 率 膜 交 替 形 成 多 曆 之 所 謂 反 複 多 層 膜 時 9 是 非 常 有 效 〇 請 先 1 由 於 同 . 作 業 條 件 可 交 替 配 置 9 因 而在於到1 5層或3 0層 閱 讀 1 等 之 多 層 膜 時 $ 如 設 置 必 要 層 份 之 成 膜 室 時 會 成 為 很 背 ir 1 之 1 長 ( 很 大 ) 之 成 膜 裝 置 而 使 用 本 發 明 時 只 要 使 基 板 注 意 1 在 成 膜 區 域 注 復 移 動 就 可 在 1 個 成 膜 室 » 圓 滑 進 行 多 事 項 再 1 —i 數 次 之 成 膜 因 而 具 可 用 很 小 型 的 裝 置 生 產 之 特 徵 〇 填 寫 本 1 Λ I 通 過 一 次 使 其 通 過 真 空 處 理 裝 置 後 t 取 出 於 外 部 頁 ----- 1 I 再 使 其 通 過 裝 置 的 方 式 不 僅 費 事 尤 其 是 對 於 物 性 « 1 1 也 即對於膜與膜之間的密合性有很大 的 影 響 〇 經 Μ 通 過 次 的 成 膜 曝 露 於 大 氣 後 再 使 其 通 過 真 空 處 理 裝 置 1 IT 的 這 種 反 複 手 法 所 形 成 之 多 層 膜 在 網 紋 膜 剝 離 試 驗 時 1 產 生 薄 膜 的 分 離 而 本 方 式 中 所 採 用 的 具 儲 料 機 型 式 1 1 之 成 膜 室 在 原 封 不 動 的 真 空 中 所 形 成 的 薄 膜 其 膜 與 1 I 膜 題 之 間 的 緊 貼 性 良 好 網 紋 膜 剝 離 試 驗 並 未 發 生 問 1 -L 、球 1 〇 在 本 發 明 中 如 作 為 画 國 像 顧 示 面 的 刖 面 板 等 用 途 之 防 1 I 止 反 射 光 學 m 光 片 時 時 常 會 有 為 了 使 其 外 層 具 防 止 污 1 1 染 之 功 能 而加上撥水處理之事 例 如 會 有 使 用 浸 漬 氟 系 有 1 1 機 溶 液 的 蒸 鍍 材 料 之 情 形 〇 這 種 情 形 時 氣 系 有 機 物 質 .1 1 會 有 阻 礙 薄 膜 的 膜 緊 貼 之 情 形 因 而 最 好 將 成 膜 室 分 1 1 開 〇 又 要 成 膜 其 成 膜 手 段 完 全 不 同 的 膜 時 也 時 常 會 1 I 將 其 成 膜 室 分 開 來 進 行 〇 1 I -32- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(51 ) Μ下,Μ實施例說明之*唯本發明並不只限定於這些 中所舉者。 實施例1 用第1圖所示的成膜裝置,在成膜對象基板群上形成 薄膜,製造附有薄膜的基板。該附有薄膜的基板是作為 顯示裝置的防止反射之漶光片之用者,而薄膜是光學薄 膜,必須要有嚴格的膜厚管理者。 成膜作業是Μ真空蒸鍍、離子加速蒸鍍、或高頻離子 電鍍而成膜對象基板的原料是用透明的塑料。成膜區 域的寬度為120〇Bm。這時,裝置的安裝面積是約100m2 ,裝置所必要的運轉人員為2人。由於只有1俚成膜室 ,因而毋可節省排氣泵,也不必準備多數的產生成膜粒 子手段之電子槍,因此,成為很低廉的裝置。 成膜監視器是配置在成膜區域的外側,K使不受基板 大小的影響。 成膜監視器與成膜粒子產生源的距離是Μ成膜區域與 上述產生源的最短距離和最長距離的中間為其距雄,並 使成膜監視器的法線方向和在成腠監視器位置的成膜粒 子之飛翔方向為一致。又形成在成膜監視器上之監視器薄 膜之膜厚測定是併用光干擾式的光學式膜厚計與水晶式 膜厚計。 所要成膜的薄膜之構成為如表1所示者。Μ下注目於 成膜工程說明本實施例。 在1只成膜對象基板保持架(500··χ 1 200βιβ)上,安 -33- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1-----1.---f I裝--------訂------^ 泳 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 320687 A7 B7 五、發明説明(52 ) 裝4片對角線長為14时(35c·)的顯示裝置之表面防止反 射瀘光片用,經施加有機矽烷糸硬敷層的聚甲基丙烯酸 甲脂基板(330bbX 26 0«»x 2mn),此狀況以第10圓示之。 準備了 20套這種基板保持架,構成為20群基板群。基板 加熱是K微加熱器和鹵素燈,使基板溫度達80 t:。 (0)事前處理是用成膜室的等離子產生型離子槍(辛 克隆公司製RIS型離子搶),Μ加速電壓500V,加速電 流IOObA將氧離子加速,一邊使其照射成膜對象基板的 通過區域,一邊使成膜對象基板20群Κ3β/分的速度移 動接受曝曬。到20群成膜對象基板全部移動終了為止的 時間為4分鐘。 ⑴第1層氧化锆的加熱時間(放出氣體時間)設定為 2分鐘,氧化皓的粒子產生部位之溫度已達到穩定狀態 。然後打開遮蔽板,由成膜監視器確認30秒鐘的成膜毽 定狀態後,開始移動成膜對象基板20群,使其曝躧於成 膜區域。將電子槍施加於成膜粒子產生源的能量保持恒 值,並控制其移動速度Κ使成膜膜厚能形成為统一規定 值。使20群成膜對象基板群全部移動终了後,闞閉遮蔽 板。到關閉遮蔽板為止的時間為約5分鐘。 ⑵第2層的氧化矽是在第1層蒸鍍時做完預熱(在此 所稱的預熱是將成膜粒子產生部位的溫度加溫到毽定狀 態),在⑴中(«閉遮蔽板之同時,打開在氧化矽上面的 遮蔽板,經Μ成膜監視器確認30秒鐘的成膜穩定狀態後 ,開始移動成膜對象基板2 0群,使其曝皤於成膜區域, -34- 本紙張尺度適用中家幃♦ ( CNS ) Μ说格(210X297公釐) : n ^ I裝 : .訂 I从 練 -« (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 33 ) 1 1 將 電 子 槍 胞 加 於 成 膜 粒 子 產 生 源 的 能 量 保 持 恒 值 t 並 控 1 1 I 制 其 移 動 速 度 Η 使 成 膜 膜 厚 能 形 成 為 統 一 規 定 值 〇 使 20 1 1 群 成 膜 對 象 基 板 群 全 部 移 動 终 了 後 9 翮 閉 遮 蔽 板 〇 到 闞 /—V 請 I 先 1 閉 遮 蔽 板 為 止 的 時 間 為 約 2 分 鐘 〇 閱 讀 r m 第 3 層 的 氧 化 銦/ 氧 化 錫 是 在 第 2 層 蒸 鍍 時 做 完 預 背 1 之 1 熱 » 在 ⑵ 中 闞 閉 遮 蔽 板 之 同 時 , 引 入 氧 氣 曹 使 成 膜 室 的 注 意 古 1 壓 力 為 3 . 0X1 Ο'2 Ρ a , 利用設於成膜室的天線, 加上 事 項 再 1 —i. 1 3 .56MHz (兆赫) 的 高 頻 電 波 500« 使 氧 氣 成 為 等 雔 子 狀 填 寫 本 i A I 態 » 並 且 用 等 離 子 產 生 型 離 子 槍 將 氧 氣 離 子 化 後 加 速 氧 頁 1 I 離 子 » 一 邊 使 其 向 成 膜 基 板 會 受 到 曝 躧 的 方 向 照 射 9 一 1 邊 打 開 在 氧 化 铟 / 氧 化 錫 上 面 的 遮 蔽 板 經 以 成 膜 監 視 1 器 確 認 30秒 鐘 的 成 膜 m 定 狀 態 後 開 始 移 動 成 膜 對 象 基 1 IT 板 20群 9 使 其 曝 曬 於 成 膜 域 〇 將 電 子 槍 施 加 於 成 膜 粒 1 子 產 生 源 的 能 量 保 持 恒 值 t 並 控 制 其 移 動 速 度 Κ 使 成 膜 1 1 膜 厚 能 形 成 為 統 一 規 定 值 ο 使 20群 成 膜 對 象 基 板 群 全 部 1 I 移 動 終 了 後 » 闞 閉 遮 蔽 板 ο 到 關 閉 遮 蔽 板 為 止 的 時 間 為 1 -i. 約 5 分 鐘 〇 ,球 1 第 4 層 的 氧 化 钛 是 在 第 3 層 蒸 鍍 時 做 完 預 熱 • 在 1 I 中 瞄 閉 遮 蔽 板 之 同 時 引 入 氧 氣 » 使 成 膜 室 的 齷 力 為 1 . 0 X 1 1 10 -2 Pa » 打 開 在 氧 化 钛 上 面 的 遮 蔽 板 » 經 成 膜 監 視 器 •1 I 確 認 30秒 鐘 的‘成 膜 穩 定 狀 態 後 » 開 始 移 動 成 膜 對 象 基 板 •丨 | 20群 > 使 其 曝 曬 於 成 膜 區 域 〇 Μ 水 晶 式 膜 厚 計 監 視 附 著 1 1 於 監 視 器 的 膜 之 堆積 速 度 t 反 饋 控 制 電 子 搶 的 施 加 於 成 1 I 膜 粒 子 產 生 源 的 能 量 之 輪 出 9 以 使 堆 積 速 度 保 持 恒 值 9 1 I -35- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A7 B7 五、發明説明( 並控制其移動速度以使成膜膜厚能形成為統一規定值》 使20群成膜對象基板群全部移動終了之後,闋閉遮蔽板 。到關閉遮蔽板為止的時間為約5分鐘。 ⑸第5層的氣化矽是在第4層蒸鍍時做完預熱,在⑷ 中關閉遮蔽板之同時,打開在氣化矽上面的遮蔽板,經 以成膜監視器確認30秒鐘的成膜穩定狀態後,開始移動 成膜對象基板20群,使其曝曬於成膜區域,控制移動速 度以使成膜膜厚能形成為統一規定值,使20群成膜對象 基板移動終了之後關閉遮蔽板。到關閉遮蔽板為止的時 間為約2分鐘。 (0)〜(5)的時間再加上機械的機構損耗時間,使20群 成膜對象基板群成膜所需的1生産節泊時間為30分鐘。 將此生産節拍循環反復蓮轉140次,包括初期排氣和 最後的取出時間共為72小時(3天)β這時所生産的14时 (35CB)顔示裝置之表面防止反射濾光片是11,200片(20 保持架Χ4 ΗΧ140次)。 hh較例1 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 使用與待開平3-193873所記載的連缠真空薄膜形成裝 置相類的裝置(第6圖所示),在成膜對象基板群上形成 薄膜,製造附有薄膜的基板。該附有薄膜的基板是用作 顯示裝置之防止反射濾光片之用者,而薄膜是光學薄膜, 必須要有駸格的膜厚管理者。 成膜作業是以真空蒸鍍,成膜對象基板的原料是用透 明的塑料。成膜區域是以1200»·β即用成膜匾域的寬度 -3 6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > Α4規格(公f t 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(55 ) 有1 200m·的裝置。這時,裝置的安裝面積為約100b2, 裝置所必要的運轉人員為2人。 成膜監視器是如第4圖所示安置在圓頂形基板保持架 的中心部位,圓頂形基板保持架的中心部位有間隙孔。 形成在成膜監視器的監視器薄膜之膜厚測定是用光干擾 式者。 所要成膜的薄膜之構成為如表1所示者。K下注目於 成膜工程,說明本例。 在1只圓頂形基板保持架(直徑1200mm)上,安裝最緊 密的8片對角線長為14吋(35cm)的顯示裝置之表面防止 反射瀘光片用,K聚甲基丙烯酸甲酯製成,經施加有機 矽烷系的硬敷層之基板(330πιβΧ 260bbX 2mn),此狀況 Μ第13圖示之。基板加熱是用微加熱器和鹵素燈,使基 板溫度達80t;。 (0)事前處理是一邊使圓頂形基板保持架在水平方向 轉動,一邊用熱陰極電子衝擊型離子槍(辛克隆公司製 RIS型離子搶),Μ加速電壓500V,加速電滾IOObA將 離子加速,照射成膜對象基板1分鐘。在以下的成_過 程中,是Μ圓頂形基板保持架在於水平方向轉動之狀態 者0 ⑴第1層氧化锆的加熱時間(放出氣艟時間)設定為 3分鐘,氧化IS的粒子產生部位之溫度已達到穩定狀態 。然後打開遮蔽板,對成膜對象基板8片成膜,由成膜 監視器監視,確認達到目摞膜厚時,闞閉遮蔽板。到瞄 -37- 穿气屮尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) n^^i- ^^^^1 ^^—^1 ^^^^1 m^i t^in ^^^^1 m ^^^^1 n (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(56 ) 閉遮蔽為止的時間為約1分鐘。 ¢)第2層的氧化矽是在第1層蒸鍍時做完預热,在(1) 中鼷閉遮蔽板之同時,打開在氧化矽上面的遮蔽板,對 成膜對象基板8片成膜,由成膜監視器監視,確認達到 目標膜厚時,闞閉遮蔽板。到關閉遮蔽板為止的時間為 約1分鐘。 (¾第3曆的氧化銦/氧化鋦是在第2層蒸踱時做完預 熱,在⑵中闞閉遮蔽板之同時,引入氧氣,使成膜室的 壓力為3.ΟΧΙΟ-2 Pa,利用設於成膜室的天線,加上 13.56MHz(兆赫)的高頻電波500W,使氧氣成為等離子狀 態,並且用離子槍將氧氣離子化後加速氧離子,一邊對 成膜對象基板照射,一邊打開在氧化絪/氧化錫上面的 遮蔽板,對成膜對象基板8 Η成膜,由成膜監視器監視 ,確認達到目標膜厚時,闞閉遮蔽板。到闞閉遮蔽板為 止的時間為約3分鐘。 (4) 第4層的氧化钛是在第3層蒸鍍時做完預熱,在⑶ 中闞閉遮蔽板之同時,引入氧氣,使成膜室的壓力為 1.0Χ10-2 Pa,打開在氧化鈦上面的遮蔽板,對成膜對 象基板8片成膜,由成膜監視器監視,確認達到目標膜 厚時,闞閉遮蔽板。到闞閉遮蔽板為止的時間為約3分 鐘。 (5) 第5層的氧化矽是在第4層蒸鍍時做完預熱,在W 中瞄閉遮蔽板之同時,打開在氣化矽上面的遮蔽板,對 成膜對象基板8 Η成膜,由成膜監視器監視,確認達到 -38- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) J----^------J I裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 A7 B7 五、發明説明(57 ) 目標膜厚時,闞閉遮蔽板。到闞閉遮蔽板為止的時間為 约2分鐘。 (0)〜(5)的時間再加上機械的機構損耗時間,使8片 成膜對象基板所需的1生產節拍時間為18分鐘。 將此生產節拍循環反複運轉235次,包括初期排氣和 最後的取出時間其為72小時(3天)。這時所生產的14吋 (35cb)顯示裝置之表面防止反射漶光片為1,880片(8片 X 235次)〇 實際上與實施例1比較時,雖然裝置的大小及所必要 的人員是大致相同,但實施例1的生產率成為比較例1 的約6倍(1 1,200片/1 , 880月与6倍)。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝_ -訂 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -39- (·* ‘’Kt過用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(58 ) 表1 從基板側起 成膜物質 物理上的膜厚 第1層 氧化锆 約 2 5 n m 第2層 氧化矽 約 2 0 n ra 第3層 氧化絪/氧化錫 約 3 0 n m 第4層 氧化鈦 約 8 5 n as 第5層 氧化矽 約 8 7 η id 啻餱例2 成膜對象基板為17吋(43CB)的顯示裝置之表面防止反 射滹光片用基板(310ιπβΧ 38〇BmX 2m),除大小有改變之 外完全和實施例1同樣的方法成膜。基板保持架的大小 仍為5 0 0 b a X 1 2 0 0 b m而不變,在其上安裝3 Η上述成瞑 對象基板。其狀況如第11圖。 由於基板保持架不變,其工程及生產節拍時間也相同。 將此生產節拍循環反複運轉140次,包括初期排氣和 最後的取出時間共為72小時(3天)。這時所生產的17时 (43cm)顯示裝置之表面防止反射溥光片為8,400片(20保 -40- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇X297公釐) 「 _ 一 I裝 . 、訂 f 踩 - * (請先閲讀背面之注意事項再填寫本1) A7 320687 B7 五、發明説明(59 ) 持架X3 HX140次>。 hh齡例2 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 成膜對象基板為17吋(43cb)的顯示裝置之表面防止反 射逋光Η用基板(310πιβΧ 380bbX 2m),除大小有改變之 外完全和比較例1同樣的方法成膜。圓頂形基板保持架 (直徑1200Bm>的大小仍為直徑1200m·而不變,在其上安 裝最緊密的5片上述成膜對象基板。其狀況如第14圖。 由於基板保持架不變,其工程及生產節拍時間也相同。 將此生產節拍循環反複運轉23 5次,包括初期排氣和 最後的取出時間共為72小時(3天)。這時所生產的17时 (43cm)顯示裝置之表面防止反射雔光片為1,175片(5片 X 235次)〇 實際上與實施例1比較時,實施例2的生產率為比較 例2的約7倍(8,400片/1,175片% 7倍)° 窗淪例3 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 成膜對象基板為20吋(51cm)的顯示裝置之表面防止反 射逋光Η用基板(310bbX 460mmx 2·),除大小有改變之 外完全和實施例1同樣的方法成膜。基板保持架的大小 仍為500mmXl20〇Bffl而不變,在其上安裝2片上逑成膜 對象基板。其狀況如第12圖。 由於基板保持架不變,其工程及生產節拍時間也相同。 將此生產節拍循環反複蓮轉140次,包括初期排氣和 最後的取出時間共為72小時(3天)。這時所生產的20吋 (51cm)顯示裝置之表面防止反射濾光片為5,600片(20保 -41 - 本紙張尺度適用中國國家標準((,NS 格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(40 ) 持架X 2片X 140次)。 bh較例3 成膜對象基板為20吋(51cb)的顯示裝置之表面防止反 射瀘光片用基板(310meX 460inmX 2b),除大小有改變之 外完全和比較例1同樣的方法成膜。圓頂形基板保持架 (直徑1200mB)的大小仍為直徑1200mm而不變,在其上安 裝最緊密的3片上述成膜對象基板。其狀況如第15圖。 由於基板保持架不變,其工程及生產節拍時間也相同。 將此生產節拍循環反複運轉235次,包括初期排氣和 最後的取出時間共為72小時(3天)。這時所生產的20时 (51cm)顯示裝置之表面防止反射逋光片為705片(3片 X 235次)° 實際上與實施例3比較時,實施例3的生產率為比較 例3的約8倍(5,600片/705片S8倍)。 當1餱例4 用如第1圓的成膜裝置,對成膜對象基板群形成薄膜 ,Μ製造附有薄膜的基板。該附有薄膜的基板是作為近 紅外線反射鏡之用者,而薄膜是光學薄膜,必須要有嚴 格的膜厚管理者。 成膜作業是Μ真空蒸鍍,離子加速蒸鍍,成膜對象基 板的原料是用透明的塑料。成膜區域的寬度為1200»m。 這時,裝置的安裝面積為約100b 2裝置所必要的運轉人 員'為2人。 成膜監視器是配置在成膜區域的外側,使其不受基板 -42- 本紙张尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) — ' J 丨裝 ^ *訂 ί·& ·' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 320687 五、發明説明Ul ) 大小之影響。 成膜監視器與成膜粒子產生源的距離,是以成膜區域 與上述產生源的最短距離和最長距離的中間為其距離, 並使成膜監視器的法線方向和在成膜監視器位置的成膜 粒子之飛翔方向為一致。又形成在成膜監視器的監視器 薄膜之膜厚测定是併用光干擾式的光學式膜厚計與水晶 式膜厚計。 所要成膜的薄膜之構成為如表2所示者。以下注目於 成膜工程,說明本實施例。 在1只成膜對象基板保持架(500X 1200mm)上,安裝1 片近紅外線反射鏡用,經在其兩面胞加紫外線硬化型丙 烯糸硬敷層之聚甲基丙烯酸甲酯透明基板(450mx 1150nm (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 板 基達 群度 20溫 為板 成基 構使 架燈 持素 保鹵 板和 基器 種熱 這加 套微 20Μ 了是 備熱 準加 。 板 Π.)基· 霣 C 2 ο。0 X 群8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (0)事前處理是用成膜室的等離子產生型離子槍(辛 克隆公司製RIS型離子槍),K加速電壓500V,加速電 流100·Α將氧離子加速,邊使其照射成膜對象基板的通 過區域,邊使成膜對象基板20群Μ3β/分的速度移動接 受曝曬。到20群成膜對象基板全部移動终了為止的時間 為4分鐘。 ⑴第1層氧化矽的加熱時間設定為2分鐘,氧化矽的 粒子產生部位之溫度已達到穩定狀態。然後打開遮蔽板 ,由成膜監視器確認30秒鐘的成膜穩定狀態後,開始移 -43- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(42 ) 動成膜對象基板20群,使其曝曬於成瞑區域。以水晶式 膜厚計監視附著於監視器的膜之堆 < 積速度,反蝕控制電 子槍的施加於成膜粒子產生源的能量之輸出,K使堆積 速度保持恒值,並控制其移動速度,Μ使成膜膜厚能形 成為铳一規定值。使20群成膜對象群全部移動終了後, 關閉遮蔽板。到鼷閉遮蔽板為止的時間為約4分鐘。 ②第2層的氧化钛是在第1層蒸鍍時做完預熱,在⑴ 中關閉遮蔽板之同時,引入氧氣,使成膜室的壓力為 1·0χ10_2Ρβ,打開在氧化鈦上面的遮蔽板,由成膜監視器 確認30秒鐘的成膜穩定狀態後,開始移動成膜對象基板 20群,使其曝曬於成膜區域。Μ水晶式膜厚計監視附著 於監視器的膜之堆積速度,反蝕控制電子槍的施加於成 膜粒子產生源的能量之輸出,Μ使堆積速度保持恒值, 並控制其移動速度,Μ使成膜膜厚能形成為統一規定值 。使20群成膜對象群全部移動终了後,閭閉遮蔽板。到 關閉遮蔽板為止的時間為約4分鐘。 (3)第3層的氧化矽是在第2曆蒸鍍時做完預熱,在② 中闞閉遮蔽板之同時,打開在氧化矽上面的遮蔽板,由 成膜監視器確認30秒鐘的成膜稱定狀態後,開始移動成 膜對象基板20群,使其曝曬於成膜區域。成膜條件是與 (1)完全相同。到關閉遮蔽板為止的時間為約4分鐘。 ⑷Μ後,將⑵(¾反複進行5次。 (5)第14層的氧化钛是和©同樣的進行。 ©第15層的氧化矽是和⑶同樣的進行。到闞閉遮蔽板 為止的時間為2分鐘。 -44- 本紙張尺度適用中*f嗥I CNS ) Λ4規格(210X297公釐) .I----^------f I裝-- * 應' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -9 五、發明説明(45) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 表2 從基板側起 成膜物質 光學上的膜厚 第1層 氧化矽 約 225no 第2層. 氧化鈦 約 2 2 5 n b 第3層 氧化矽 約 225ηη 第4曆 氧化鈦 約 225ηβ 第5層 氧化矽 約2 2 5 η祖 第6層 氧化鈦 約 2 2 5 η β 第7層 氧化矽 約 2 2 5 n m 第8層 氧化鈦 約2 2 5 η讓 第9層 氧化矽 約 2 2 5 n id 第10層 氧化钛 約 2 2 5 η β 第11層 氧化矽 約 225ηοι 第12層 氧化钛 約 225nm 第13層 氧化矽 約 225 η η 第14層 氧化鈦 約 2 2 5 η η 第15層 氧化矽 約 ΙΛ3 η m -45- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) J----^------f ί裝-- « <· (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 A7 320687 B7 五、發明説明(44) 管睢例5 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 用如第1圖的成膜裝置之大型裝置,對成膜對象群形 成薄膜,Μ製造附有薄膜的基板。該附有薄膜的基板是 作為顯示裝置的防止反射漶光片之用者,而薄膜是光學 薄膜,必須要有嚴格的膜厚管理者。 成膜作業是Μ真空蒸鍍、離子加速蒸鍍或高頻離子電 鍍,成膜對象基板的原料是用透明的塑料。成膜區域的 寬度是1 200m«。這時裝置的安裝面積是約140b2,裝置 所必要的運轉人員為2人。由於只有一個成膜室,因而 可節省排氣泵,心可不必準備多數的產生成膜粒子手段 之電子槍,因此成為很低廉的裝置。 成膜監視器是配置在成膜區域的外側,Μ使不受基板 大小的影響。 成膜監視器與成膜產生源的距維是Κ成膜區域與上述 產生源的最矩距離和最長距離的中間為其距雄,並使成 膜監視器的法線方向和在成膜監視器位置的成膜粒子之 飛翔方向為一致。又形成在成膜監視器的監視器薄膜之 膜厚測定是併用光干播式光學式膜厚計和水晶式膜厚計。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 所要成膜的薄膜之構成為如表1所示者。Κ下注目於 成膜工程,說明本實施例。
在1只成膜對象基板保持架(800πι«ιΧ 1 200·β)上,安 裝1片其對角線長為42时(107cb)的等離子顯示板的表 面防止反射漶光片用,經在其兩面施加紫外線硬化型丙 烯系硬敷層之聚甲基丙烯酸甲酯基板(700bbX 900mmX 一 4 6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇y>' ·) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(45 ) 5bi>。又該基板是用其透射率為70S:,而對3原色的紅 、綠、藍具選擇透射性之灰色系有色基板。準備了 16套 這種基板保持架,即成膜對象基板群為16群。 成膜條件是和實施例1同樣的條件下實施之。除一次 所移動的移動量不同,1成膜所要的時間為不同之點外 ,完全和實施例1成為完全同樣的條件。 對實施例1〜3及比較例1〜3 , Μ如下之評價方法 做過評價。 ⑴表面摩擦性 把鋼絲綿if 0 0 0 0揉成團,向與網絲棉的堪維方向成垂 直方向,一邊加上荷重2kg —邊摩擦樣品。Μ如下A〜 D對其評價。 A:完全不受傷 B:幾乎不受傷 C :有少許受傷 D:有大的變形受傷 ⑵緊貼性 用剌刀在樣品上割上l*m間隔的100 ®方格。將玻璃 紙帶貼在100個方格部分,一 口氣剝離玻璃紙帶。Μ未 被剌落的個數作為其評價结果。 (¾耐摩損性 用紗布一邊加上2kg荷重,一邊用市場上出售的玻璃 除垢器對樣品研磨,評價其摩損性。經200 0轉的摩損試 驗用透射光觀察其薄膜的剝落等之外観。 -47- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ^-.1 —II II乂 I裝 _ n ^ n 上" * ♦- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明( ⑷浸潰於6 0 t熱水2小時後做⑴〜(3)之評價。 (5) 附熱性 放置於80t:乾燥爐中1小時後,觀察樣品的外觀。 (6) 表面電阻值 用測試器將其探針相隔leu寬觭於樣品表面測定其電 阻。電阻值為下者算為合格。 ⑺光譜特性 用光譜光度計(日立3 30型)測定。防止反射光學漶光 片時是測定波長40 0nm〜800nB的光譜特性,近紅外線反 射漶光片時是測定波長600nm〜1200nn的光譜特性。 總合實施例、比較例的評價結果為如表2所示。光譜 特性為如第16〜23圖所示。實施例及比較例的哪一個方 法都可獲得同樣的物性、光學特性優良之防止反射光學 濾光片。 J : ^ ^—裝 ^ 訂 ί·^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 _ 4 8 一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 3^0687 A7 B7 五、發明説明(π) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 3 ③ © @ s 2 謝 a 绺 黎 m S! 群 s 疏 m m 兴 兴 兴 IS m Μ jq〇D 卿 漭 親 m 親 班 « ΠΠ 固 iS Γιβ* 成 (TCe ms m _ 5S 銪 菸 m S 3 3 a 群 m 砌 m Si % Μ m m 阵 〇 〇 〇 100/100 DO 〇 100/100 > -1 實_例1 〇 〇 〇 100/100 σσ 〇 100/100 3> 比較例1 〇 〇 〇 100/100 σσ 〇 100/100 實施例2 〇 〇 〇 100/100 ασ 〇 100/100 3> 比較例2 〇 〇 〇 100/100 OT 〇 100/100 實施例3 〇 〇 〇 100/100 σσ 〇 100/100 > 比較例3 -49— L.---^---~~T-LI 裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙认>1 t满/»:中國囷家標準(CNS )八4規格(210Χ297公釐) 320687 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(W ) 〔發明之效果〕 依照本發明附有薄膜之基板的製造方法及製造裝置時 ,其對大型成膜對象基板形成薄膜時,做多層成膜也可 以用較小、價廉的製造設備,連缠的製造薄膜及附有薄 膜之基板。其設置空間小,具對工廠節省空間之效果。 依照本發明附有薄膜之基板的製造方法及製造設備時 ,其在成膜對象基板中,尤其是對樹脂基板可發揮很好 的效果,易於獲得所期望的薄膜,且薄膜的黏著性等的 物性會成為非常良好。 依照本發明附有薄膜之基板的製造方法及製造裝置時 ,其俗可使薄膜在基板的移動方向難於産生不均勻缺失。 依照本發明附有薄膜之基板的製造方法及製造裝置時 ,其對大型成膜對象基板形成薄膜時,也可提高成膜對 象基板的配置之自由度,可提升附有薄膜的基板之製造 工程生産性。 依照本發明附有薄膜之基板的製造方法及製造裝置時 ,其偽可在成膜監視器上獲得近似於形成在成膜對象基 板上的薄膜之監梘器薄膜,因而可對膜厚做精密的控制》 依照本發明附有薄膜之基板的製造方法及製造裝置時 ,其傜可依據形成在成膜監視器上的監視器薄膜,控制 成膜作業,因而可對薄膜的物理待性做精密的控制。 〔附圖簡單說明〕 第1圖;本發明附有薄膜之基板的製造方法一實施例 之側視圖。 -5 0 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本瓦) 丨裝· 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 明説 明發
A B 法 方 造 製 的 板 基 。之 圖膜。 視薄圖 俯有置 之附位 圖明之 1 發器 第本視 .,.,監 圖圖膜 2 3 成 第第的 中 法 方 造 製 的 板 基 之 膜 薄 有 附 的 往 以 _ 4 第 例 例 施 施 實 實 圖 例 施 實1 法 方 造 製 的 板 基 之 膜 薄 有 附。 的圖 往架 以持 ., 保 画板 5 基 第的 中 實1 法 方 造 鑛 it 逋 的 板 基 之 膜 薄 有 附 的 往 以 圖 0 6 圖 第例 施 基 象 對 。膜 圖成 較置 比安 域上 區架 膜持 成保 的板 例基 往在 以 , 與中 明例 發往 本以。 • > ; 圖 圖圖例 7 8 一 第第之 板 例 施 實1 法 方 造 «3 的 板 基 之 膜 薄。 有圖 附置 的位 往之 以器 視 圖監 9 膜 第成 中 •, 板 ! 基 _ 10在11 第,第 中 例 施 實。 一 圓 法例 方一 造之 製板 的基 板象 基對 之膜 膜成 薄置 有安 附上 明架 發持 本保 例 施 實 一 法 方 造 製 的 板 基 之 膜 薄 有 附 明 發 本 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. •-訂 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 基圖基 在12在 ,第 , 中 中 板 板 持發持 保本保 例 施 。實 c 圖一圖 例法例 一 方 一 之造之 板製板 基的基 象板象 對基 膜之 成膜 置薄 安有 上附 架明 對 膜 成 置 安 上 架 例 施 實 0 一 圖 法例 方一 造之 製板 的基 板象 基對 之膜 膜成 薄置 有安 附上 的架 往持 以保 ;板 圖基 13在 第, 中 例 施 實。 一 圔 法例 方一 造之 製板 的基 板象 基對 之膜 膜成 薄置 有安 附上 的架 往持 以保 ;板 圖基 4 1 在 第 -中
1 1A 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 320687 A7 B7 五、發明説明(奸) 第15園;以往的附有薄膜之基板的製造方法一實施例 中,在基板保持架上安置成膜對象基板之一例圖。 第16圖,·應用本發明的實施例1附有薄膜之基板的製 造方法所製造之防止反射濾光Η的光譜待性一例圖。 第17圖;應用本發明的實施例2附有薄膜之基板的製 造方法所製造之防止反射濾光Η的光譜恃性一例圖β • 第18圖;應用本發明的實施例3附有薄膜之基板的製 造方法所製造之防止反射濾光Η的光譜待性一例圖^ ^ 第19围;應用本發明的比較例1附有薄膜之基板的製 造方法所製造之防止反射濾光片的光譜特性一例圖。 第20圖;應用本發明的比較例2附有薄膜之基板的製 造方法所製造之防t止反射濾光片的光譜待性一例圖。 第21圔;應用本發明的比較例3附有薄膜之基板的製 造方法所製造之防止反射濾光Η的光譜特性一例圖》 第22圖;應用本發明的實施例4附有薄膜之基板的製 造方法所製造之近紅外線反射鏡的光譜透射率一例画。 第2 3圖;應用本發明的實施例5附有薄膜之基板的製 造方法所製造之防止反射濾光片的光譜特性一例圖。 第2 4画;本發明附有薄膜的基板(基板保持架)之一例。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔符號說明〕 la-d:成膜對象基板群 2:成膜粒子産生部位 3:薄膜材料 4a、b:成膜區域限定構件 5 :成膜粒子 6 :電子槍 7:膜厚測定裝置 8:成膜監視器 -52- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公f A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 群 110 :移動手段 五、發明説明(5工) 9:成膜粒子束軸 II :遮蔽板 20 :成膜區域 103 :儲料櫬室 105:儲料機室 108 :基板保持架 109a-m :成膜對象基板 III :基板加熱手段 113a-h :真空泵 21 la-b :離子槍 218a-b :成膜監視器 401 :間隙 403a-f :成膜對象基板 601 :進料室 603 :出料室 604c:基板保持架 606a-d :閘門閥 800:圓形基板保持架 I 000 :基板保持架 II 0 0 :基板保持架 1200:基板保持架 1300:圓形基板保持架 1400:圓形基板保持架 1500:圓形基板保持架 10a-d:成_對象基板 16 :真空室 101 、 102:進料室 104 :成膜室 106、107:出料室 108a-f :基板保持架群 112:高頻等離子產生用天線 114a-d :閘門閥 212a-d :油旋轉泵 310a-d:成膜對象基板 402:圓頂形基板保持架 4 0 4 :真空泵 602 :成膜室 604a-b:基板保持架 605a-c :成膜對象基板群 701:圓形成膜區域 80 1 -805 :成膜對象基板 1 00 1 -1 004 :成膜對象基板 1101-1103 :成膜對象基板 1 20 1 -1 202 :成膜對象基板 1 30 1 -1 308 :成膜對象基板 1401-1405:成膜對象基板 1 50 1 - 1 503 :成膜對象基板 -53- —1—^ fm n i 1^1.^ n (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
*1T 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐)

Claims (1)

  1. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 r 1. 一種附有薄膜之基板的製造方法,乃是在成膜S域的 前後具有可多段收容成膜對象基板的第1及第2儲料 機之成膜室,及設於該成膜室的前後,而分別具有可 多段收容成膜對象基板的儲料機之進料室和出料室, 當成膜對象基板在該成膜室備受成膜期間,將下一成 膜基板群送入進料室預先做完排氣,並將上一次已被 成膜的成膜對象基板群從出料室取出之附有薄膜的基 板之製造方法中,其待擻為: 邊使該成膜對象基板通過該成膜區域,遴使其成膜 者。 2. 如申請專利範圍第1項所述之附有薄膜之基板的製造 方法,其中從第1儲料機順序取出該成膜對象基板, 順序使其通過成膜區域,再順序送入第2儲料機,換 著從第2儲料機順序將該成膜對象基板取出,順序使 其通過成膜區域,順序送入第1儲料機,以密閉的成 膜室中反複移動而成膜者。 3. 如申請專利範圍第1項所述之附有薄膜之基板的製造 方法,其中在該成膜區域内的通過速度,在實質上為 恒速者。 4. 如申請專利範圍第2項所述之附有薄膜之基板的製造 方法,其中一旦成膜之後,仍將該成膜室減壓的狀態 下,更換成膜粒子産生源的物質,再度使成膜對象基 板通過成膜區域,以作2層以上之成膜者。 5. 如申請專利範圍第1項所述之附有薄膜之基板的製造 -54- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) J— -»- · 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 方法,其中在該成膜室設置2種以上的成膜粒子産生 物質,使得從第1儲料機到第2儲料機的一次移動, 就可做2層以上的成膜者。 6. 如申請專利範圔第1項所述之附有薄膜之基板的製造 方法,其中在進料室之前面設置第2進料室,當成膜 對象基板在成膜室備受成膜期間,將下下一成膜對象 基板群送入第2進料室而預先做完排/氣者。 7. 如申請專利範圍第1項所述之附有薄膜之基板的製造 方法,其中在出料室之後面設置第2出料室,當成膜 對象基板在成膜室備受成膜期間,實施仍將上次所成 膜的成膜對象基板群保持減壓的狀態下,從出料室移 至第2出料室之操作;和將在上述之前所成膜的成膜 對象基板群從第2出料室取出之操作者。 8 ί如申請專利範圍第1項所述之附有薄膜之基板的製造 方法,將該進料室加熱者。 9. 如申請專利範圍第1項所述之附有薄膜之基板的製造 方法,其中在該成膜室中,乃依據形成為成膜監視器 的監視器薄膜之膜厚,邊控制其成膜作業而邊使成膜 者。 10. 如申請專利範圍第9項所述之附有薄膜之基板的製 造方法,其中該控制成膜作業的方法是在成膜中,對 成膜基板溫度、真空度、成膜區域的長度、成膜對象 基板的通過速度或成膜粒子密度中的任一項予以變更 ,或將上述這些加予組合者。 -55- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· .-訂 線- 本紙張尺度ii冽+ * « *-坟<· ( CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 製板 製者製長 製象 製子 製為 製件該 製動 的基 的度的的 的對 的粒 的而 的構與 的移 板膜 板空板膜 板膜 板膜 板内 板定件 .板邊 基成 基真基成 基成 基成 基域 基限構 基内 之更 之更之更 之更 之更 之區 之域定 之域 膜變 膜變膜變 膜變 膜變 膜膜 膜區限 膜區 薄是 薄是薄是 薄是 薄是 薄成 薄膜域 薄膜 有法 有法有法 有法 有法 有在 有成區 有成 附方 附方附方 附方 附方 附置 附置膜 附該 之的 之的之的 之的 之的 之配 之設成 之在 述業 述業述業 述業 述業 述係 述中該 述器 所作 所作所作 所作 所作 所器 所域在 所視 項膜 項膜項膜 項膜 項膜 項視 項區置。項監 1 成 1 成 1 成 1 成 1 成 05 監 9 膜配者 05 膜 第制 第制第制 第制。第制 第膜 第成器間第成 圍控 圍控圍控 圍控者圍控 圍成 圍該視之圍該 範該 範該範該 範該度範該.範該。範在監源範使 C 利中 利中利中 利中速利中 利中者利中膜生利中者 專其 專其專其 專其過專其。專其外專其成産專其膜 請 ,C請,請, 請,通請,者諳,域請,該子請,薄 申法者申法申法。申法的申法度申法區申法將粒申法成 如方度如方如方者如方板如方密如方板如方而膜如方形 .造溫 ·造.造度 ·造基 ·造的.造基 ·造,成.造邊 1234567 8 .--,--. .1 I 裝----,--.訂-----< 綵 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 320687 Α8 Β8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 19. 如申請專利範圍第9項所述之附有薄膜之基板的製 造方法,其中依據該監視器薄膜測定成膜速度,並依 據該成膜速度以控制該成膜作業者。 20. 如申請專利範圍第9項所述之附有薄膜之基板的製 造方法,其中使該成膜速度成為一定值以進行成膜者。 21. 如申請專利範圍第9項所述之附有薄膜之基板的製 造方法,其中該成膜監視器的膜厚檢測方法為光干擾 法者。 22. 如申請專利範圍第1項所述之附有薄膜之基板的製 造方法,其中成膜方法是真空蒸鍍、離子加速蒸鍍、 離子電鍍、及濺射中之任一種者。 23. 如申請專利範圍第1項所述之附有薄膜之基板的製 造方法,其中在成膜中是將成膜粒子産生物質連缠的 供應給成膜粒子的産生部位者。 24. 如申請專利範圍第1項所述之附有薄膜之基板的製 造方法,其中該附有薄膜的基板為顯示裝置的表面防 止反射濾光片基板者β 25. 如申請專利範圍第1項所述之附有薄膜之基板的製 造方法,其中該附有薄膜的基板為液晶用濾色片基板 者。 26. 如申請專利範圍第1項所述之附有薄膜之基板的製 造方法,其中該附有薄膜、的基板為透明電極用基板者。 27. 如申請專利範圍第1項所述之附有薄膜之基板的製 造方法,其中該附有薄膜的基板為等離子區顯示板 -57- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4規格(;ΜΟ *公·) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 丄 —裝-------•訂------^ I---T- ! 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (PDP)的前面板者。 28. 如申請專利範圍第1項所述之附有薄膜之基板的製 造方法,其中該附有薄膜的基板為等離子區顯示板所 使用的氧化鎂之成膜基板者。 29. 如申請專利範圍第1項所述之附有薄膜之基板的製 造方法,其中該附有薄膜的基板為帶通濾光片基板者。 30. 如申請專利範圍第1項所述之附有薄膜之基板的製 造方法,其中該附有薄膜的基板為光學透鏡者。 31. —種附有薄膜之基板的製造裝置,其待擞為具備著: 在其成膜區域的前後具有可多段收容成膜對象基板 的第1及第2儲料機之成膜室; 設於該成膜室的前後,而分別具有可多段收容成膜 對象基板的儲料機之進料室和出料室; 該成膜室、該進料室及該出料室係具有可各自獨立 排氣之排氣手段;以及 該成膜室僳具有使成膜粒子産生源和成膜對象基板 通過成膜區域之手段,及將該成膜對象基板群從第1 儲料機順序取出到該通過手段,並從該通過手段送入 第2儲料機之手段者。 32. 如申請專利範圍第31項所述之附有薄膜之基板的製 造裝置,其中該成膜室僳具,將該成膜對象基板群從 第2儲料機順序取出於該通過手段,並從該通過手段 送入於第1儲料機之手段者。 33. 如申請專利範圍第31項所述之附有薄膜之基板的製 _ 5 8 _ 木η a r嗜遴用中國國家標準(CNS > A4規格(210X 297公釐) J----; -<丨裝----.—訂-----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 基的俗向 製, 製 製 製具 製視 製膜 魃距 象段向方 的下 的 的 的外 的監 的式 的的 對多方一 板態 板 板。板域 板膜 板學 板源 膜為之同 基狀 基 基者基區. 基成 基光 基生 成成入為 之的 之 P 之槍之板 之之 的之 之産 與形送向 膜壓 膜者膜子膜基 膜動 膜擾 膜子 係向旧方 薄滅 薄極薄電薄為 薄移 薄干 薄粒 造方此.的 有持 有陰有為有而 有域 有光 有膜 構角取域 附保。附為附段附内 附區 附用 附成 之直的區 之室者之源之手之域 之膜 之利 之與 機呈群膜 述膜段述生述生述區 述成 述為 述板 料向板成 所成手所産所産所膜 所在 所器 所基 儲方基過 項該之項子項子項成 項可 項視 項象。 的的象通 3 將源 3 粒 3 粒 3 其 3 有 3 監 3 對者 段域對的 第仍生第膜第膜第在 第具 第膜 第膜上 多區膜板 圍有産圍成圍成圍偽 。圍偽 圍成 圍成以 該膜成基 範具子範該範該範其者範其 範該 範該 m 中成其象 利傜粒利中利中利中器利中 利中 利中om 其過,對 專其膜專其專其專其視專其 專其 專其80 , 通且膜 諳,成請,請,請,監請, 請請,隔 置的 ,成 申置該申置申置申置膜申置。申置者申置相 裝群造該。如.裝換如裝如装如裝成如裝者如裝計如裝為 造板構和者.造更.造 ·造.造有.造器.造厚.造離 4 5 6 7 8 9 ο (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 41. 如申請專利範圍第31項所述之附有薄膜之基板的製 造裝置,在該進料室之前面,再具備可獨立排氣而具 有可多段收容成膜對象基板的儲料機之第2進料室者。 42. 如申請專利範圍第31項所述之附有薄膜之基板的製 造裝置,其中在該出料室之後面,再具備可獨立排氣 而具有可多段收容成膜對象基板的儲料機之第2出料 室者。 43. 如申請專利範圍第31項所述之附有薄膜之基板的製 造裝置,其中其進料室係具有加熱手段者。 44. 如申請專利範圍第31項所述之附有薄膜之基板的製 造裝置,其中在該成膜室中,其成膜粒子産生源與成 膜對象基板通過面之間設有成膜區域限定構件者。 45. 如申請專利範圍第31項所逑之附有薄膜之基板的製 造裝置,其中·在成膜中可使該成膜區域限定構件移動 者〇 46. 如申請專利範圍第31項所述之附有薄膜之基板的製 造裝置,其中具有2種以上的該成膜區域限定構件, 這些成膜區域限定構件是在成膜中可更換者。 47. 如申請專利範圍第31項所述之附有薄膜之基板的製 造裝置,其中在成膜中可變更成膜對象基板群之通過 速度者。 48. 如申請專利範圍第31項所述之附有薄膜之基板的製 造裝置,其中具有可吏成膜對象基板通過成膜區域的 速度為一定之手段,和使該成膜對象基板通過該成膜 區域後的移動速度加速之手段者。 -6 0 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) m n In ^^1 —1· · 丨裝. *tr 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公鑛) A8 B8 C8 D8 七、申請專利範圍 49. 如申請專利範圍第31項所述之附有薄膜之基板的製 造裝置,其中可在成膜中變更成膜粒子産生源的輸出 者。 50. 如申請專利範圍第31項所述之附有薄膜之基板的製 造裝置,其中可在成膜中變更成膜對象基板的基板溫 度者。 51. 如申請專利範圍第31項所述之附有薄膜之基板的製 造装置,其中可在成膜中將成膜粒子産生物質連缠的 供應給成膜粒子産生部位者。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. ---訂_ 經濟部中央標準局®?工消費合作社印装 -61- 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS〉A4規格(210X297公釐)
TW086103845A 1996-04-01 1997-03-26 TW320687B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7884096 1996-04-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW320687B true TW320687B (zh) 1997-11-21

Family

ID=13673031

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW086103845A TW320687B (zh) 1996-04-01 1997-03-26

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5993614A (zh)
EP (1) EP0834596B1 (zh)
KR (1) KR19990022135A (zh)
AT (1) ATE273403T1 (zh)
DE (1) DE69730185T2 (zh)
TW (1) TW320687B (zh)
WO (1) WO1997037051A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8118472B2 (en) 2008-12-25 2012-02-21 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Fixing structure for printed circuit board of backlight module
TWI381768B (zh) * 2004-04-08 2013-01-01 Pioneer Tohoku Corp 有機el元件的製造方法及製造裝置
TWI476288B (zh) * 2011-11-16 2015-03-11 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Vacuum evaporation device
TWI774936B (zh) * 2019-03-08 2022-08-21 台灣愛司帝科技股份有限公司 承載結構及承載設備

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3370806B2 (ja) 1994-11-25 2003-01-27 株式会社半導体エネルギー研究所 Mis型半導体装置の作製方法
US6275744B1 (en) * 1997-08-01 2001-08-14 Kokusai Electric Co., Ltd. Substrate feed control
WO1999056199A1 (fr) * 1998-04-24 1999-11-04 Nissha Printing Co., Ltd. Ecran tactile
US20020099886A1 (en) * 1999-05-17 2002-07-25 Emerson Theodore F. System and method for controlling remote console functionality assist logic
JP4345158B2 (ja) 1999-10-15 2009-10-14 ソニー株式会社 光学部品の製造装置及び製造方法
KR100323991B1 (ko) * 1999-11-16 2002-02-16 이경희 박막 제조 방법 및 제조 장치
TW490714B (en) * 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
US20020011205A1 (en) 2000-05-02 2002-01-31 Shunpei Yamazaki Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device
US6881269B2 (en) * 2000-08-17 2005-04-19 Novartis Ag Lens plasma coating system
CN1216302C (zh) * 2001-02-27 2005-08-24 精工爱普生株式会社 多层膜截止滤波器及其制造方法
JP2002363733A (ja) * 2001-06-04 2002-12-18 Nippon Sheet Glass Co Ltd 被膜の形成方法
JP4120546B2 (ja) * 2002-10-04 2008-07-16 株式会社Ihi 薄膜形成方法及び装置並びに太陽電池の製造方法及び装置並びに太陽電池
US20040121146A1 (en) * 2002-12-20 2004-06-24 Xiao-Ming He Composite barrier films and method
JP2006058473A (ja) * 2004-08-18 2006-03-02 Oyokoden Lab Co Ltd 誘電体多層膜フィルタ及びその製造方法
US7518614B2 (en) 2004-08-23 2009-04-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and apparatus for capturing and transmitting screen images
KR101017187B1 (ko) * 2004-08-31 2011-02-25 엘지디스플레이 주식회사 스토커 시스템
US20060181266A1 (en) * 2005-02-14 2006-08-17 Panelvision Technology, A California Corporation Flat panel display inspection system
JP4462197B2 (ja) * 2006-01-23 2010-05-12 ソニー株式会社 光学ローパスフィルタ
DE102006057386A1 (de) * 2006-12-04 2008-06-05 Uhde Gmbh Verfahren zum Beschichten von Substraten
US8318245B2 (en) 2007-02-23 2012-11-27 Essilor International (Compagnie Generale D'optique) Method for producing an optical article coated with an antireflection or a reflective coating having improved adhesion and abrasion resistance properties
FR2913116B1 (fr) * 2007-02-23 2009-08-28 Essilor Int Procede de fabrication d'un article optique revetu d'un revetement anti-reflets ou reflechissant ayant des proprietes d'adhesion et de resistance a l'abrasion ameliorees
JP2008033341A (ja) * 2007-08-21 2008-02-14 Seiko Epson Corp 多層膜カットフィルターの製造方法
KR101933902B1 (ko) * 2007-12-27 2018-12-31 엑사테크 엘.엘.씨. 멀티-패스 진공 코팅 시스템
JP5153410B2 (ja) * 2008-03-31 2013-02-27 Hoya株式会社 レンズ成膜方法、蒸着装置及びレンズの製造方法
CN101988186B (zh) * 2009-08-04 2013-08-21 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 工件真空溅镀方法及装置
WO2013077375A1 (ja) * 2011-11-21 2013-05-30 旭硝子株式会社 光学多層膜付きガラス部材及び近赤外線カットフィルタガラス
EP2839052A4 (en) 2012-04-19 2015-06-10 Intevac Inc DOUBLE MASK ARRANGEMENT FOR MANUFACTURING SOLAR CELL
WO2013163622A1 (en) 2012-04-26 2013-10-31 Intevac, Inc. System architecture for vacuum processing
US10062600B2 (en) 2012-04-26 2018-08-28 Intevac, Inc. System and method for bi-facial processing of substrates
KR101336225B1 (ko) * 2012-05-30 2013-12-03 주식회사 선익시스템 기판의 이송속도 조절을 통해 고 증착효율을 갖는 인라인 증착 시스템
CN106688088B (zh) 2014-08-05 2020-01-10 因特瓦克公司 注入掩膜及对齐
EA034967B1 (ru) * 2018-05-04 2020-04-13 Общество С Ограниченной Ответственностью "Изовак Технологии" Технологическая линия для формирования тонкопленочных покрытий в вакууме (варианты)
DE102020003578A1 (de) 2020-05-20 2021-11-25 Schneider Gmbh & Co. Kg Beschichtungsanlage, Spannring und Magazin für Brillengläser und Verfahren zum Beschichten von Brillengläsern

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62260059A (ja) * 1986-05-02 1987-11-12 Seiko Epson Corp スパツタ装置
US4859493A (en) * 1987-03-31 1989-08-22 Lemelson Jerome H Methods of forming synthetic diamond coatings on particles using microwaves
JPS644472A (en) * 1987-06-25 1989-01-09 Toshiba Corp Sputtering device
JPH0335216A (ja) * 1989-06-30 1991-02-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 連続式スパッタ装置およびカラー液晶用基板の製造方法
JPH03193873A (ja) * 1989-12-21 1991-08-23 Shinku Kikai Kogyo Kk 連続真空薄膜形成方法および装置
DE4111384C2 (de) * 1991-04-09 1999-11-04 Leybold Ag Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten
US5815396A (en) * 1991-08-12 1998-09-29 Hitachi, Ltd. Vacuum processing device and film forming device and method using same
US5215420A (en) * 1991-09-20 1993-06-01 Intevac, Inc. Substrate handling and processing system
US5250660A (en) * 1991-11-12 1993-10-05 Eli Lilly And Company Peptide purification process
US5474611A (en) * 1992-05-20 1995-12-12 Yoichi Murayama, Shincron Co., Ltd. Plasma vapor deposition apparatus
JPH0665724A (ja) * 1992-05-20 1994-03-08 Yoichi Murayama インラインプラズマ蒸着装置
JPH07278801A (ja) * 1994-04-13 1995-10-24 Idemitsu Material Kk 真空成膜装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI381768B (zh) * 2004-04-08 2013-01-01 Pioneer Tohoku Corp 有機el元件的製造方法及製造裝置
US8118472B2 (en) 2008-12-25 2012-02-21 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Fixing structure for printed circuit board of backlight module
TWI476288B (zh) * 2011-11-16 2015-03-11 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Vacuum evaporation device
TWI774936B (zh) * 2019-03-08 2022-08-21 台灣愛司帝科技股份有限公司 承載結構及承載設備

Also Published As

Publication number Publication date
EP0834596A1 (en) 1998-04-08
US5993614A (en) 1999-11-30
ATE273403T1 (de) 2004-08-15
DE69730185T2 (de) 2005-08-18
WO1997037051A1 (fr) 1997-10-09
KR19990022135A (ko) 1999-03-25
EP0834596B1 (en) 2004-08-11
DE69730185D1 (de) 2004-09-16
EP0834596A4 (en) 2003-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW320687B (zh)
JP3064301B2 (ja) 薄膜形成装置及び方法
US6844976B1 (en) Heat-absorbing filter and method for making same
US6250758B1 (en) Plastic optical devices having antireflection film and mechanism for equalizing thickness of antireflection film
JP3808917B2 (ja) 薄膜の製造方法及び薄膜
JP2016513753A (ja) 酸素分圧を有する環境内におけるアルミニウム源の使用によって酸化アルミニウムを基板上に成長させ、透光性、耐スクラッチ性の窓部材を形成する方法。
JP6867418B2 (ja) 被処理物体の表面に1価又は多価イオンを注入する方法及び方法を実施するデバイス
EP2776602A1 (en) Ion beam deposition of fluorine-based optical films
US20140262752A1 (en) Method and apparatus for producing low-particle layers on substrates
KR100356492B1 (ko) 박막부착기판,그제조방법및제조장치
JP2006091694A (ja) Ndフィルタ及びその製造方法と光量絞り装置
EP4067531A1 (en) Optical film, sputtering target and method for forming optical film
JP2007058194A (ja) 高反射率可視光反射部材及びそれを用いた液晶ディスプレイバックライトユニット並びに高反射率可視光反射部材の製造方法
JP2008304497A (ja) 光学薄膜成膜方法、光学基板及び光学薄膜成膜装置
JP7418098B2 (ja) 光学多層膜の成膜方法および光学素子の製造方法
JP2007063574A (ja) 多層膜の成膜方法および成膜装置
JP2002339084A (ja) 金属膜および金属膜被覆部材
TW201712136A (zh) 成膜裝置及層疊體
US10114150B2 (en) Optical multilayer coating, optical lens, and method of manufacturing optical multilayer coating
JP2006083404A (ja) 多層膜形成用スパッタリング装置及びその膜厚制御方法
JP2003114313A (ja) 反射鏡およびこれを用いた映像プロジェクタ装置
CN111218659A (zh) 成膜方法及成膜装置
TWI615494B (zh) 鍍製光學硬膜之封閉式高能磁控濺鍍裝置及其製造方法
US20150291812A1 (en) Low Emissivity Glass Incorporating Phosphorescent Rare Earth Compounds
KR102579089B1 (ko) 이온빔 스퍼터링 장치를 이용한 편광필터 제조방법