TW317034B - - Google Patents

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317034 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印31 B7五、發明説明（'） 本發明有關於一種徹光學裝置，係將一或更多锢雷射 二搔體棒、或是一些沿直交參考座標条统X方向的偵別 雷射二極體所發射的第一屆雷射光射束，轉換成第二雷 射束，且包括多數且有長條形截面的健別雷射光射束。 這種撇光學裝置掲露於如雷射聚焦世界，1 994年5月 ，第 47頁 Laser Focus World,May 1994,page 47, J.R. 赫伯斯之「二極體所唧注之固態雷射：補償平面鏡轉換 雷射光射束」"（Diode pumped solid-state laser: 0 f f s e t - p 1 a n e 丨 ί r r o r* s t r* a n s f o r b 1 a s e r b e a B ")。此撤 光學裝置包括相隔某一間距互相平行而S置的兩傾高反 射性鏡面，這兩個鏡面於垂直及水平上都是交互補償的 。長條結構雷射二極體的第一傾雷射光束，以之〇° < «<90°之α角入射到垂直鏡面，經遇兩値鏡面之間適 度數次全反射之後，轉換成幾傾相互平行的長條形鏟別 + 雷射光束所所構成的第二雷射光束集。這種鏡面糸统有 實質上的困難，包括射束集上間的有效轉換霹要在這兩 傾鏡面彼此之間以及這對鏡面與入射的第一姮雷射束集 之間作毫度準確的諝整。此外，在這對鏡面中多次反射 所造成的耗損是非常高。已經逹到的最大的轉換效率大 約是70%。 因此本發明爵的在於發展一開始卽提到容易調整而轉 . ： 換效率介於90%到100%之間的一種撤光學裝置。此外 還能使這種撤光學裝置的製造符合成本效益。 此一目的是在射束平行光學糸統將沿參考座標集統ζ —3 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央陳準局員工消費合作社印袈 五、發明説明 ( > ) 1 軸 所 發 散 第 一 m 雷 射 束 集 的 雷 射 光 束 平 行 化 之 後 達 成 的 1 » 結 果 » 諸 長 條 形 平 行 m 別 雷 射 射 束 所 構 成 的 雷 射 束 集 1 被 轉 向 鏡 面 配 置 轉 換 成 第 二 饀 雷 射 束 集 〇 請 1 舉 例 來 說， η :種微光學裝置 可 由 就 雷 射 亡 極 體 棒 閏 1 | 讀 1 | 所 發 射 出 雷 射 光 波 長 而 — 是 透 明 的 半 導 塍 材 料 所 组 成 0 背 1 1 之 1 然 後 可 以 在 半 導 體 材 料 引 導 雷 射 束 集 > 結 果 降 低 了 鏟 別 注 意 1 雷 射 射 束 的 射 束 擴 張 以 及 輻 射 耗 損 Ο 射 束 平 行 化 光 學 % 事 項 1 I 再 1 統 及 轉 向 鏡 面 配 置 的 結 構 > 可 以 藉 半 導 體 製 造 工 程 中 熟 填, % 本 、1 k. 知 的 蝕 刻 技 術 來 製 造 〇 造 也 確 保 撤 光 學 裝 置 的 製 造 符 合 頁 1 | 成 本 效 益 〇 1 [ 圖 式 之 簡 單 說 明 1 ί 1 茲 配 合 圖 1 至 圈 6 1 藉 肋 於 四 姮 典 型 的 寘 例 • 更 詳 盡 1 1 .訂 1 説 明 本 發 明 〇 ΠΕΠ 圖 1 係 本 發 明 第 — 微 光 學 裝 置 典 型 實 例 之 簡 略 透 視 圖 1 1 示 〇 1 1 圖 2 — 雷 射 二 極 賭 棒 區 段 簡 略 圖 示 〇 1 1 [SJ 圖 3 本 發 明 第 二 微 光 學 装 置 中 轉 向 鏡 面 配 置 之 典 型 實 1 例 之 簡 略 透 視 圖 示 〇 1 1 麵 4 係 根 據 典 型 實 例 一 或 二 » 藉 微 光 學 裝 置 作 射 束 集 1 I 轉 換 之 簡 略 圃 示 Ο 1 1 圖 5 偽 本 發 明 第 三 徹 光 學 裝 置 中 轉 向 m W. W 之 典 型 1 1 實 例 之 簡 略 透 視 〇η Igjl 示 〇 1 圖 6 本 發 明 第 四 徹 光 學 裝 置 中 轉 向 鏡 面 配 置 之 典 型 •r f Ι 賓 例 之 簡 輅 透 視 圈 示 0 4 - 1 • ι 丨 1 1 率 標 家 國 國 中 用 £ 尺 紙 本 格 \ 317034 A7 經濟部中央#準扃員工消費合作社印装 __B7五、發明説明（3 ) 圖7傜根據典型賨例三或四，藉撤光學装置作射束集 轉換之簡略圈示。 下述各典型實例目的如圖2所示在於將雷射二搔體棒6 所發射雷射束_集8作轉換。雷射二極體棒6包活七宿値 別的雷射二極醴7 。屆別的雷射二極睦7的pn接合面與 直交參考座稼条統5之x-y平面平行。每一掴別雷射二 極體7發射寬Λχ的痼別雷射射束9,這些雷射射束在平 行値別雷射二極體的Ρη接合面方向只會輕撖發散，而在 垂直値別雷射二極體的ρη接合面則會有極強的發散現象 。惟為簡單起見，以下將假定個別雷射二極體7所發射 健別雷射射束9是指向平行镔別雷射二極雔的ρη接合面 方向，且只在垂直値別雷射二極體的ρη接合面方向會有 發散現象。 當然除了雷射二極體棒6之外，也可以在所有典型實 例中使用多健雷射二極體棒、或是一些値別雷射二搔體 晶Η 〇 如圖1所示，本發明之撤光學裝置的第一傾典型買例 傜建構在基盤1上的。基盤1含有一種鉬銅（Ho/Cu)合金、 或另一種良好熱導性且其膨脹俱數與撤光學装置中其他 成分之膨脹愾數匹配的材料。基盤1上面被一㈣垂直階 梯2分割成兩傾平行於直交參考座標毛U X - y平面的區 域3, 4。雷射二掻醱棒6是以諸如焊接或鲇阽法繫於較 高的區域3,其方式是使雷射二極體棒6之雷射光出射 平面10最终對準階梯2的垂直面。因此傾別雷射射束9 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) :裝

'1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐〉 經濟部中央標準局員工消費合作杜印裂 317034 A7 _ B7 五、發明説明（4 ) 是沿x-_出射。 平凸圓柱透鏡11繫於較低區域4且以其彎曲表面緊鄰 雷射光出射平面10。不遇也可以彎曲表面和雷射光出射 平面10互相對調的方式將透鏡的彎曲表面安排在雷射光 出射平面10之外一小段距_。舉例來説，圔柱透鏡11是 以玻璃、塑謬或是對值別雷射二極醭所發射之雷射光波 長而言是透明的半導塍材料製成。半導醱係尤適合這種 窸用之材料，待別是因為它們的折射傜數很大的緣故。 例如，S ί C在光學上可應用的波長> 9 0 0 n b , G a P在光學上 可應用的波長>500nn, GaAs在光學上可應用的波長>900nn ，而Si在光學上可應用的波長則>ll〇〇nB。圖柱透鏡11 將沿參考座標糸統5 z -軸強烈發射的値別雷射射束9平 行化。包括t個平行化具有長條形截面的宿別雷射射束 12的雷射束集31由圓柱透鏡11射出來。f別雷j 截而的^央落在平行於平行於參考座標糸統5 y -軸 的單一直線上。於圖1中配置在邊綈的平行化值別雷射 射束1 2以射束軸標示。 除了圓柱透鏡11之外，也可以使用繞射性光學糸統、 或者圔柱透鏡與繞射性光學糸統的組合。 繫於較低區域4沿著圓柱透鏡11射束行進方向[+ x方 向]之下鮮處是七個個別鏡面13所組成的鏡面列14。舉 例來說，這姮鏡面列是由金颶或半導體材料所製成，鏡 子表面鍍膜且刨光；比如以蒸鎪或噴濺的方法鍍上一層 像鋁或二氣化矽/矽之類加強反射的材料。桓別鏡面13 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)Λ4規格（ 210X297公釐') 丨.^ 《裝-------訂------^ ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製

五、發明説明 ( ) 1 » 1 的 表 面 垂 直 方 向 和 平 行 傾 別 雷 射 射 束 12的 射 束 軸 夾 一 姮 J 1 45 〇 角 9 且 沿 參 考 座 m % 統 5 X - Z平面延W 3 ο 每— -鹤餡別 J 鏡 面 13沿 平 行 X - 軸 相 對 於 其 鄰 近 m 別 鏡 面 1 3位 於 了 ζ + /—S 請 1 ε « 以 致 於 那 — 排 鏡 面 14有 階 梯 式 的 構 造 Ο Δ .zlJ LJI 1 S!L 无 閲 1 I 讀 1 I 雷 射 射 束 12沿 Z 軸 方 向 在 給 定 明 確 直 背 1 I 之 1 _ 4 所 標 示 的 e 是 在 雷 射 束 集 31 轉 換 成 雷 射 束 集 17之 後 注 意 1 I 長 條 形 艏 別 雷 射 射 束 12之 間 的 距 離 0 m 別 鏡 面 13表 面 的 事 項 1 I 再 1 寬 和 畏 分 別 是 Δ y + δ 及 至 少 Δ Z / C 0 S 45 0 〇 Δ y是- -個 寫 本 裝 届 別 雷 射 射 束 9 白 雷 射 二 極 體 棒 6 出 射 之 後 的 寛 度 9 而 頁 1 I § 則 是 兩 値 m 別 雷 射 射 束 9 之 間 的 距 離 〇 平 行 化 傾 別 雷 1 1 射 射 束 12被 鏡 面 列 14沿 Z - 軸 辐 轉 90 0 * 同 時 以 不 致 有 兩 j 1 餹 桓 別 雷 射 射 束 12之 截 面 中 央 縱 軸 落 在 同 一 直 線 的 方 式 1 1 別 鏡 訂 相 互 補 償 0 在 鏡 面 列 14之 上 則 安 排 了 另 —*· Μ 由 i: 個 1 面 16所 組 成 的 鏡 面 列 15 〇 舉 例 來 説 » 這 傾 MC 鏡 面 列 15的 製 1 I 造 與 鏡 面 列 1 4 是 t±z» 兀 全 一 樣 的 〇 別 鏡 面 1 6的 表 面 垂 直 方 1 1 1 向 和 平 行 化 傾 別 雷 射 射 束 12的 射 束 軸 夾 一 .傾 45 〇 角 沿 1 Λ ζ - 軸 褊 轉 90 ° » 且 沿 參 考 座 檫 % 統 5 之 y - Z平面延伸。 < .-I 毎 一 値 傾 別 鏡 面 16沿 平 行 X - 軸 相 對 於 其 m 近 的 m 別 鏡 面 1 1 1 6位 移 了 Δ y + δ 以 致 於 那 一 排 鏡 面 15有 階 梯 式 的 構 造 1 1 〇 傾 別 鏡 面 16表 面 的 寬 和 長 分 別 是 Δ Z + ε 及 至 少 Δ y + δ 1 I / r* Γ s45 ° C 個別鏡面1 3 , 1 6相互間配置成使兩個值別 ______ ....... 1 I 鏡 面 1 5 , 1 e 表 面 的 中 心 點 分 別 沿 Z - 軸 落 在 另 一 傾 的 上 方 i l： 〇 鏡 面 列 1E >將 被 鏡 面 列 14沿 Z - -軸 锔 轉 的 m 別 雷 射 射 束 12 1 沿 y - 軸 箱 轉 9C )° 並 將 個 7 別 雷 射 射 束 12依 圃 4 所 示 以 相 1 r ϊ 1 I I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210 X29?公釐） 經濟部中央梯準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（b ) 互平行的方式成像於另一射束上。 如圓3略示本發明撤光學裝置之瘺轉鏡面配置同樣包 括分別由七屆傾別鏡面19, 20所組成的鏡面列18, 21。 健別鏡面19, 20的配置和尺寸以及微光學裝置_餘部分 的配置都和第一種典型實例完全相同。鏡面列14, 15的 差異在於，位處圓柱透鏡11下游處之雷射射束12並非在 空氣中，而是在一種就值別雷射二極體所發射雷射光波 長而言是透明的媒體中被引導的。於此典型實例中，光 學上透明的傳導媒體與空氣乃至於另一邊界傳導媒體的 界面之間形成傾別鏡面19, 20的鏡面表面。舉例來說， 痼別鏡面19, 20的鏡面是由傳導媒醱所組成單一立方體 中切斷出來的。除了玻璃和塑膠之外，邇能使用SiC為 傳導媒體於光學波長> 4 0 0 n b , G a P於光學波長> 5 0 0 n a . GaAs於光學波長>900nB,以及Si於光學波長>11〇〇ηΒ的 醮用上。這類半導體材料的優點在於其高折附傺數使我 們不再霈要鍍短別鏡面19, 20的鏡面。例如若使用玻璃 刖可以在鏡面的表面鍍上鋁或其他合適的材料以增加其 反射性質。蒸鍍、噴濺、化學蒸鍍或其他半導醱製造工 程中熟知的技術都可以用作鏡面鍍膜的方法。 第二種典型實例中，平行傾別雷射射束12經由光的入 射表面22而進入鏡面列18,並沿z -軸被艏別鏡面19镐轉 90° ,同時沿X -軸相互對另一射束作出補償。結果艏別 雷射射束12被値別鏡面20沿y軸饍轉90° ,並經過光的 出射表面23由鏡面列21出射。 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） m· ^^^1 m. i HH - HH νν ι^ϋ n^i , \ 芽 i \ . (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局員工消費合作社印策 A7 B7 五、發明説明（7 ) 圜4根據典型實例一或二簡略圖示藉偏轉鏡面配製轉 換雷射射束集31的簡略圖示。雷射射束集31包括七傾平 行化姮別雷射射束12被轉換成包括t傾互相平行且間距 為ε的矩形姮別雷射射束12的射束集17。 上述的典型實例一或二可以將鏡面列14或18換成一傾 大的鏡面簡單達成。此鏡面必須是尺寸合適使其垂直鏡 面表面的方向與參考座棵糸統5之x-y平面夾一儀45° 角，且Ulx-z平面夾一锢7 >0的角度。這個傾斜鏡面的 宽是「雷射二極體棒6的長]β C0S7 ,而這個傾斜鏡面 的髙至少有^2/(:0345° 。鏡面列15或21相對於其結構 維持不變，不過個別鏡面16或20的寬則變成[Ay+δ ]* t a η 7 〇 本發明徹光學裝置的第三値典型實例具有單獨一值鏡 面列24而不是兩列各造成90°镉轉之鏡面列。圖5中這 艏鏡面列24包括鏡表面垂直方向與參考座標糸统5之x-y 平面夾一健45°角、且與x-y平面夾一個α>0角的t鹤 傾別鏡面25。各傾傾別鏡面25鏡表面的中心點落在平行 參考座榡条統5 y軸的單獨一條直線上，且互相間隔 △ y+ δ的距離。傾別鏡面25的長度至少△y/cosAS。、 寬度至少Δ z / c 〇 s α。選擇c(角俾每一平行镇別雷射射 束12在所附屬傾別鏡面25反射之後，經由+y軸方向下游 的傾別鏡面25導離。為了讓成像後傾別雷射射束29之間 的距離η儘可能地小，所選澤痼別鏡面25的寬度和〇(角 也是愈小愈好。而最小α角刖決定於傾別雷射二極體之 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210Χ 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· Λ 經濟部中卓標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（8 ) 間的距離及傾別鏡面25的寬度。 圖6簡略圏示之本發明拥（光學裝置第四典型實例，其 原理與第三宿典型實例完全一致。其間差異在<0別鏡面 27所組成鏡面列26的構造，是使傾別雷射射束12是在光 學傳導媒體中而不是在空氣被引導，且該傳導媒體對值 別雷射二極體所發射光之波長而是透明的。舉例來說， 瘡傾鏡面列26可以由第二镔典型實例提及的材料製造， 而傾別鏡面27刖是從對傾別雷射二極體所發射光之波長 而言是透明的立方醴傳導媒賭中切割出來的楔形鏡面。 為了改進造些鏡面的反射性質，在鏡面可以鍍上·銘或二 氣化矽/矽[可能是交替層膜，亦即交替鍍上二氣化矽 與矽材料的層膜]之類的材料並[或]磨光。鏡面列2 6則 透過同樣是對雷射光之波長而言是透明的藉合板28與圓 柱透鏡11藕合在一起。不過鏡面列列26和藕合板28也可 以組成一値單》的元件。除了藕合板28外，也可以在鏡 面列26和雷射二極體棒之間安排一塊板以便插入或建構 圖柱透鏡11及[或]額外的透鏡的。這一塊板可以由半導 體材料所組成，而這[些]透鏡則以傳統的半導醱製造方 法來製造。 圖7所根據典型實例三或四。簡略圖示藉縝轉鏡面配 製轉換雷射射束集31。包括七傾平行化長條形健別雷射 射束12的雷射射束集31,被轉換成包括七借互相平行且 間距為η之長條形傾別雷射射束29所組成的平行四邊形 的射束集30。 -1 0 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） / i I 」 In· ^^^^1 ffn-^1 n^la —^ϋ mu ^^^^1 4 ^iBn ^^^^1--tn^B nn m^n mfc , \ Ί V (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五 、發明説明（9 ) Α7 Β7 經濟部中央.樣準局員工消費合作社印製 比時還要指出的是，就像先前所假設，平行於傾別雷 射二ffi賭pn接合面的傾別雷射射束9 ，並不是完全平行 的而是會稍後地發散，因此鏡面的尺寸必須適酋匹配才 行，前面指定的最小尺寸得改成較大的數值。這同樣適 用於屆別雷射射束12並非完全平行而會稍後地發散，其 計箄恒決定於沿射束方向最後自光出射表面10所移去諸 鏡而Ay和Δζ的數值。 於光學傳導媒體中引導艏別雷射射束9, 12及29的好 處是可以避免其擴張。典型簧二或四中以一種便利的方 式，能讓圓柱透鏡11的出射表面10分別緊鄰於光在鏡面 列18及藕合板28上的入射表面22和32,因而使黴光學裝 W中導致反射漏失之光學界面數目變得最小。而於同一 元件中製造一或數傾鏡面列及圖柱透鏡也是可能的。 上述鏡面配置及圓柱狀透鏡，也因為可以用符合成本 效益的方法製造而成為優越的設計。 半導體材料製成的平凸圓柱透鏡，亦能用像蝕刻方法 一樣的熟知技術製造於晶片上，然後在將晶片切割成長 寬適中的値別透鏡。 擧例來說，由矽（Si)、磷化鎵（GaP)、砷化鎵（GaAs)、 硪化矽（SiC)、金屬或玻璃製成的鏡面列，可利用半導 體製造工程中熟知的蝕刻技術來製造。不過我們也可以 利用塑瞟、玻璃或金颶技術上應用的注射禱造（injucti moulding)、鑄造（Boulding)及鏞製（casting)等方法來 製造。例如所謂LIGA方法可以用來製造鎩造物。鏡面結 -11- ο η - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 、ΤΓ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210 X 297公釐） 經濟部中央—準局員工消費合作杜印製 317034 A7 B7 五、發明説明（π ) 構又可用像精密鑽石旋轉方法之類的機械技術來製造。 並列結構的玻璃碟片刖可以用陽極電鍍壓焊、焊接及壓 焊方方法逹成。就塑膠而言，鏡面結構則可以利用機械 蓮轉或當作射出成形元件來製造。 此刻為了完整性還得再提到，雖然在典型實例所描述 傾轉鏡面是專有的t姮傾別雷射射束設計，根據這項發 明的擻光學装置是可以用於任何數目的傾別雷射射束。 所霈要的只是每一情況下的傾別鏡面的數目必須符合。 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

1. 修正 祿龙银年3月 煩請委—明禾'&年日所提之 經濟部中央棣丰局貞工消費合作社印製 修正本有無變更實質内容是否准予修iE-。 A8 B8 C8 - D8 '申請專利範圍 第85104590號「撖光學裝置」專利案（册年3月修正） 杰申請專利範國 1. 一種微光學裝置，僳將一或更多届雷射二極鼸棒、或 是一些沿直交參考座標糸统（5)χ方向之镅別雷射二 極鼸晶Η所發«，並包括許多具長條形截面的鴒別雷 射射束（9)的第一俚笛射光射束（8),轉換成第二铟笛 射束集（17, 30)，其特數在於，射束平行化光學条統 (11>將第一 射光射束集U)之具有長條形*8面沿 參考座標条统（5U軸發散的個別笛射射束（9)平行化 ，律包括有平行化長條形個[別雷射射束（12)之雷射束 集（31)被一轉向嫌面配置轉換成第二鹤雷射束集（17, 30)〇 2. 如申諳專利範圍第1項之微光學装置*其中第一個雷 射射光束集（8)之傾別雷射射束（9)長條形截面的中央 躱》¥在參考座檫条统（5)沿y_軸延伸的單-直線上。 3. 如申請專利範圍第1或2項之徽光學装置，其中第二 倕雷射束集（17, 30)由數值互相平行而具長條形截面 的俚別當射射束U2, 29)組成。 4. 如申請專利範園第1或2項之ί«光學装置，其中雷射 束集（31)由平行化畏條形«別當射射束（12)組成•且 /或，第二雷射射束（17, 30>分別由數傾具相同截面 的掴別雷射射束（分別是9和12，29)组成。 -1 - 本纸法尺度逋用tBB家#準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、vs 經濟部中央揉準局身工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 5. 如申諳專利範圃第3項之微光學裝置，其中笛射束集 (31)由平行化長條形镳別雷射射束（12)组成，且/或 ,第二雷射射束（17，30)分別由數俚具相同截面的個 別雷射射束（分別是9和12, 29)组成。 6. 如申請專利範圍第1或2項之微光學装置，其中射束 平行化光學条统包括一個園柱透鏡（11)。 7. 如申請專利範函第3項之撖光學装置，其中射束平行 化光學糸統包括一®圔柱透鏡（11)。 8. 如申誚專利範園第4項之徽光學裝置，其中射束平行 化光學条统包括一俪讕柱透鏡（11)。 9. 如申誚專利範圍第1或2項之微光學裝置，其中射束 平行化光學条統包括一個嬈射性光學条统。 10. 如申請專利範圍第3項之撖光學裝置，其中射束平行 化光學糸統包括一值換射性光學条统。 11. 如申誚專利範匾第4項之撖光學裝置，其中射束平行 化光學条統包括一届燒射性光學糸统。 12. 如申誚專利範園第6項之撖光學裝置，其中射束平行 化光學条统額外包含了一個镰射性光學条統。 13. 如申請專利範鼷第3項之微光學裝置，其中偏轉鏡面 配置包括第一德和第二β鏡面列（14，15),第一借鏡 面列（14)之各鏡寬和長分別為Ay+ δ及至少ΔΖ/COS 45° ,其中ΔΥ為各雷射射束之寬，3為二fi別雷射 -2- 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS )六4*格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本ί ) ϊ_ 、1Τ 經濟部t央揉準局Λ工消費合作社印裂 Α8 68 C8 D8 々、申請專利範圍. 射束間之間隔，而ΛΖ則為各雷射射束之高，此第一. 傾鏡面列（14)将平行化儀別雷射射束（12)锡轉離開X-軸，同時以平行化個別笛射射束Π2)之截面中央縱軸 落在互相平行延伸且有固定間隔έ的直線上，而沿X-軸成ΔΖ+£相互補償，而第二籲鏡面列U5)之各鏡 寬和長分別為ΔΖ+乞·及至少ΔΥ+δ/(：03 45° ，此 第二值鍊面列（15)則將相互補償之平行化鏟別雷射射 束（1 2 )以互相平行的形式成像。 14. 如申諳專利範園第4項之撖光學裝置.其中镰轉鐮面 配置包括第一值和第二值鏡面列U4, 15),第一餡鏡 面列（14)之各鏡寬和長分別為Δϊ+ δ及至少ΔΖ/COS 45° ,丼中ΔΥ為各笛射射束之宽，δ為二届別雷射 射束間之間隔，而ΛΖ則為各雷射射束之高，此第一 個鏡面列（14)將平行化值別笛射射束（12)僱轉離開χ-軸，同時以平行化傕別雷射射束（12)之截面中央躱軸 落在互相平行延伸且有固定間隔έ的直線上，而沿X-軸成ΔΖ+e相互補償，而第二隹鏡面列（15)之各鏡 寬和長分別為ΔΖ+^及至少,此 第二匍鏡面列（15)則將相互補償之平行化傾別雷射射 束（12)以互相平行的形式成像。 15. 如申講專利範第6項之撖光學裝置，其中偏轉鎞面 配置包括第一镝和第二傾鍊面列（14, 15),第一届鏡 -3 _

   (請先閲讀背面之注意^項再填寫本頁)

   Α8 Β8 C8 D8 317034 六、申請專利範圍 面列（14)之各鋪寛和長分別為Ay+ S及至少ΔΖ/COS 45° ,其中ΔΥ為各雷射射束之寬，δ為二館別笛射 射束間之間隔，而ΔΖ則為各笛射射束之高，此第一 fi鏡面列（14)將平行化值別雷射射束（12)«轉離開X-軸，同時以平行化镅別雷射射束（12)之截面中央縱軸 落在互相平行延伸且有固定間隔厶的直線上，而沿X-和成ΔΖ+e相互補償，而第二匍鏡面列（15)之各鏡 寬和長分別為ΔΖ +么及至少ΔΥ+3/(：05 45。，此 第二«鏡面列（15)則將相互補償之平行化別笛射射 束（12)以互相平行的形式成像。 16. 如申請專利範翮第3項之微光學裝置，其中偏轉鏡面 配置有一單獨鏡面列（24),其各鏡之X與長分別為 △ Z/COSii及至少ΔΥ/COS 45。，其中〇<·為鏡面與χ-γ平 面間之角度，此單獨鐃面列（24)將平行化届別雷射射 束（12)«轉離開X-軸、沿z-軸相互補償並謳它們以互 相平行的形式成像。 17. 如申讅專利範園第4項之微光學裝置，其中僱轉嫌面 配置有一單獮鏡面列（24),其各鏡之寬與長分別為 △ Z/COSdL及至少ΔΥ/COS 45。，其中丄為嫌面與χ·γ平 面間之角度，此單獨鏡面列（24)將平行化键別雷射射 束（12)福轉_團χ-_、沿ζ-軸相互補償並譎它們以互 相平行的形式成像。 本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ^裳-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 經濟部中央標準局身工消費合作社印装 經濟部中央標準局身工消费合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 18. 如申讅專利範圍第6項之微光學装置，其中偏轉鏡面 配置有一單獨鏡面列（24),其各鎞之寬舆長分別為 ΔΖ/COSd及至少ΔΥ/COS牴。，其中〇C為鏡面與X-Y平 面間之角度，此單獨鏡面列（24)將平行化值別雷射射 束（12)«轉離開x-_、沿軸相互補償並籣它們以互 相平行的形式成像。 19. 如申請專利範圍第1或2項之微光學装置，其中射束 平行化光學条統和傷轉鏡面配S含有對雷射二極體棒 及晶Η所分別發射雷射光波長而言是透明的半導腥材 料，且雷射射束在半導醱材料内部被導引。 20. 如申請專利範函第3項之微光學装置，其中射束平行 化光學糸统和《轉鏡面配置含有對雷射二極腥棒及晶 Η所分別發射雷射光波長而言是透明的半導《材料， 且雷射射束在半導醱材料内部被導引。 21. 如申謫專利範圍第4項之微光學裝置，其中射束平行 化光學条統和偏轉鏡面配置含有對雷射二極臞棒及晶 Η所分別發射雷射光波長而言是透明的半導體材料， 且雷射射束在半導鼸材料内部被導引。 22. 如申謫專利範園第6項之微光學装置，其中射束平行 化光學糸統和«轉鏡面配置含有對雷射二極體棒及晶 Η所分別發射雷射光波長而言是透明的半導匾材料， 且雷射射束在半導體材料内部被導引。 -5 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

   本紙張尺度逍用中國國家#準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 行晶 ， 平及料 束棒材 射鼸體 中極導 其二半 ，射的 置笛明 裝對透 學有是 光含言 微置而 之配長 項面波 131 光 第轉射 圍«雷 範和射 利统發 専条別 請學分 申光所 如化 K 行 平 束 射 中 其 0 · 引置 導裝 被學 部光 内撤 料之 材項 讎16 導第 半園 在範 束利 射專 射請 霣申 且如 晶 . 及料 棒材 體體 極導 二半 射的 S明 對透 有是 含宫 置而 配長 面波 健光 轉射 福當 和射 统發 条別 學分 光所 化 Μ 法 方 之 置 装 學 。光 引微 導之 被項 部19 内第 料匾 材範 鼸利 導專 半請 在申 束如 射造 射製 笛種 且一 面 嫌 〇 轉造 «裂 和來 統術 条技 學刻 光拽 化的 行知 平熟 束中 射程 .工 於造 在製 徽體 待導 其半 中藉 其置 ，配 法面 方鏡 之轉 置籲 装和 學统 光条 撖學 之光 項化 21行 第平 束 範射 利 ， 專於 請在 申歡 如特 造其 裂中 種其 法 。方 造之 裂置 來装 術學 技光 刻微 蝕之 的項 知22 熟第 中 Β 程範 工利 造專 裂請 «申 導如 半造 藉裂 置種 配一 面 鏡 〇 轉造 褊裂 和來 统術 条技 學刻 光》 化的 行知 平熟 束中 射程 , 工 於 m 在製 微饑 特導 其半 中藉 其置 ，配 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 'IT 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印装 法面 方鏡 之轉 置軀 裝和 學统 光条 微學 之光 項化 23行 第平 束 範射 利- 専於 誚在 申戡 如待 造其 裂中 種其 法 。方 造之 製置 來装 術學 技光 刻微 «之 的項 知24 熟第 中園 程範 工利 造專 製謫 讎申 導如 半造 藉製 置種 配 1 面 鏡。 轉砠 镉裂 和來 統術 条技 學刻 光蝕 化的 行知 平熟 束中 射程 -Η 於造 在製 撤讎 待導 其半 中藉 其置,£ * 國 中 用 逍 9 2 X ο 21