TW311990B - - Google Patents

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TW311990B TW84105288A TW84105288A TW311990B TW 311990 B TW311990 B TW 311990B TW 84105288 A TW84105288 A TW 84105288A TW 84105288 A TW84105288 A TW 84105288A TW 311990 B TW311990 B TW 311990B
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311990 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 i、發明説明（1 ) 本發明係有鬮於非繚性光學活性聚磺酸_以及有鼷於包 含逭些聚碳醆酯之光子姐件（Photonic components )。 更特定言之，本發明係有Η於具有高度極化性及离種定性 波凱爾效應之新穎非嫌性光學（HL0)聚碳酸釀。 非繚性光學物質一般都用於光學信號之調節Μ及笛射光 之頻率轉換。此等非嫌性光學物霣一般都含有光學活性基 團，其包含一邊連接於電子給予基而另一邊連接於電子抽 除基之不定位Pi糸統》給予臞-Pi-接受黼（D/ιΑ)糸统一 阕常用於本文。 當非嫌性光學物質受外部電場力量之影響極化畤》即會 觀察到許多光學非繚性規象包括頻率倍加及波凱爾效應。 利用埴些規象*即可將非嫌性光學物霣使用於導波姐件· 如光學開闞及頻率倍加器中。 已用在《—光装置中的非線性光學物Λ—般部是無機ft 體·如鈮酸鋰或磷酸氩鉀。最近已開發出以有機分子，特 別是極性有櫬分子為基之非嫌性光學物質。有機非線性光 學物質之優點為其Μ分子為準之NL0活性較高；其在電-光裝置中提供非常快速變換時間之能力；其低介電常數（ 此在一定《力消耗下可達成較高的竃一光讕節頻率> 及其易於製作成集成裝置结構·特別是Κ聚合形式使用時 〇 一些非嫌性光學聚合物已為本技藝所知。例如，美國専 利5,208,299號掲示許多由二羥基芳基腙衍生物的非嫌性 光學聚合物。此等聚合物可為聚碳酸ft、聚_磺__及聚 一 4 一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝_ 、·ιτ 線 Φ: 〇ΐΜ{8Ββ〇： — Τ7Τ0 號專利申請察 1.°· 8 絰濟部#央標準局員工消費合作社印製 -五V赘明説明（） (羥基謎）：在簧冽中·聚碳馥i旨被描述為1¾由二羥基苯 基腙反雙酚A之聚合作用而得。雖然這些物質在定向時都 具有NLO活性，且具相當高玻璃轉化溫度，但其光學透明 度則不如湏期。日本專利公告J-05 - 1 42, (500亦揭示NLO聚 合物，其包括含氟聚氨基宇自I乙詣、.聚藤亞胺、聚詣.聚 釀胺、聚碳酸酯及聚謎，這些物質據稱皆具有H L0活注， 且其折射率易於控制至配合石英一型導波器介質··公告歐 洲專利申請荼57 1 , 27 1號揭示二级非線性光學聚合物及其 Γ 製造方法/所提及的光學聚合物中 > 有聚矽氧垸、聚甲基 丙烯酸酯、聚g旨、聚氨基甲酸乙§旨、聚藤胺、聚菹亞胺、 聚丙铺酸詣、聚笨乙烯、聚碳酸詣及聚誔，以反其衍生物 及/或共聚物。非線性光學组份鍵结於聚合物主璉上： 吾人同在申請中的歐洲專利申請案9 4 2 0 2 7 3 3號掲示之非 線性光學聚碳酸酯包括D α A糸统，其包含鍵结於芳族基之 給予髏，該芳族基則藉由共轭鐽键结於芳族或共轭環基， 其再fe次键结於接受體基。這些物質都具有低信號損失， 良好極化丨生及高T g S ί玻璃轉化溫度）。由上述聚合物製 成之聚合導波器之主要缺陷為不能提供最適之性質組合： 更持定言之，此等聚合物質須具有高玻璃轉化溫度，良好 極化性，高穩定性之波凱爾係數及最小信號損失。雖然一 些前述聚合物在這些方面都有一或二項良好性質*但無一 物質提供最適之這些性質姐合： 圖式簡恵銳明 圖I 1係賞例1之單體之N M R -光譜： 圔2係簧冽2之單體之N HR -光譜·· 圖3 ί糸實洌3之單體之N M R -光譜： 本發明提供一種具低信號損失、良好極化性·高穩定性 波凱爾係數反高玻璃轉化溫度之N L 0聚碳酸詣： ----------——裝------,——訂---------線 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 本紙張又度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公蔆） 83.3.10,00 3ll99〇 A7 B7 五、發明説明（ 本發明之特黴在於NLO聚磺酸釀係由單Μ混合物製得 該單體混合物包含： 一符合化學式（I)之HLO二酵
Ri H0- H0- ®>
CN (I) 其中D為包含2-30個膳族、脂環族、芳族或鐮瓖磺原子之 二價電子給予基且其包括至少一《自直接或共輾鍵结於苯 環之烷氧基氧原子、硫原子、《原子及氰原子所選出之原 子；R為缠自鏟、（鹵化之）甲基及氰基；IU係蘧自鹵索 • -R2 ，-0R2 · -C0R2 · -CH 及-CF3 ;及 R2係邇自氬、由 索、Ct-Ce烷基及鹵素取代之Ci-Ce .嫁基，及 一化學式II之化合物： 0 — II 丨裝__ I 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0 - 0 — 化學式11 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 其中：P 代表-Cl ，0-R3，眯嶁· Q 代表-Cl ，0-Rs，咪唑， R3 代表（_化之）具卜6儀«原子之烷基 (rfl 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（4 ) 化之）苯基* A 代表 C = C… C :C C -C / : : : / \. / \ C C C C - 1 -C C \ 7 ' \ / \ / (X)a , (x)b (x)c Y 代表-S〇2- ·鹵化之具卜6個磺原子之烷基· 較佳為-cf2- · -c(cf3)2，-〇- ，-S- * 具 4-12儒碳屎子之瓔烷基•二無水己耱基， X 為鹵索· a 為0至4之轚數•而X-基為相同或相興， b 為0至4之整數•而X-基為相同或相興· c 為0至4之整數•而X-基為相同或相典· > 為0至5之整數•而A-基為相同或相興〇 璽要的是，為獲得低光損失之聚碳*化學式II之化 合物不得含有腰族C-H鍵。使用化學式I之單臞•即可獲 得可提供導波器良好槿化性及高穩定性波m爾係數之聚磺 酸r。波m爾係數之穩定性意指在電場«閉後被凱爾徕數 保持完整之程度。本發明之聚碳酸醮進一步顯示具有高玻 鶄轉化潘度》 本發明之聚覼酸酿係由化學式I之二酵•在鐮性溶繭如 含有第三胺之吡啶或四氫呋嚙中•輿化學式II之單«反應 -7- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 311990 A7 ____B7 五、發明説明（5 ) 而得。若欲獲得特定分子量*可在聚合作用畤使用一定量 之鐽终止麵。典型之鐽终止_為酚。有醑聚磺酸κ製備之 進一步詳情可査関 Co d . Pol. S c i . ? The Synthesis. Char»rtflri7：ation. Rftantions and AppI icat. ions of Po1 vers. Volume 5 (Pergaaon Press), Chapter 20, pages 345-356 。此外•聚磺__榭脂之製備方法亦已揭 示於美 _ 専利 3,248,414 ; 3,153,008 ; 3,215,668 ; 3,187,065 ； 3,028,365 ； 2,999,846 ； 2,964,974 ； 2,970,137 ; 1,991,273 ;及 2,999,835 。 此處所用"電子給予”指可給予共韆電子结構電子而搛供 槿化共振结構之任何取代基。電子給予能力水準之定量化 係以哈美特（Hauett )西格馬（σ)常數表示。此一热 知之常數巳說明於許多參考資料中，例如J. March之 Advanced Organic Cheaistry (McGraw-Hill Book Coapany, Hev York, 1977 Edition), Pages 251-259° σ值在霣子給予基畤為負數。 玆將本發明聚碳酸_所用較佳霣子給予基D (化學式I 者）列舉於下。 ^—裝 II n I I ! ^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 —8 — 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 五、發明説明（6 ) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印繁
2 Η y c X
Z
0H ---------t.------、玎------.^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^11990 A7 B7 五、發明説明（ H0 C ,〇Η
V
I;c \丨丨 C HO C OH HO C C 0Η Υy y\ /y D /C C\ C C /tI II , I II » IIc c c c c c ,\ /
V V (CH2)x (C,H2)y
CH2 R4 \ / N
CII N R4 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 其中OH代 ，R4代表 逋些當 給予基D 化學式 鱷可由二 二醇溶於 入_。製 澳«酚A 磧酸_。 氣甲酸鹽 Μ绲合物 能有爵要 、氰基_ 表化學 -Η或（ 中特佳 •芳族 II之遘 酵與磺 甲笨中 造化學 ，因為 例如· 或六氟 中有大 。因此 及 4,4， 式I之 鹵化之 者為包 取代羥 當化合 釀氯之 ，再於 式II用 埴些物 若欲搛 四澳雙 量澳化 •折射 -磺基 0Η-基* X * y及ζ代表0-4 β數 )具1-6«碳原子之烷基•笨基。 括至少二«芳族取代之羥基之*子 基意指直接附著於芳香瓖之羥基。 物為鹵化之《氣甲酸鹽。雙氣甲酸 鹼催化反應製得。一般而言•係將 0 ΐ級慢加入磺鼸氮，繼之級慢加 之最佳二酵為六氟雙酚Α及六氟四 質一般可提供具極低信號損失之聚 高折射率•可將4,4’-磺基二酚雙 酚A包括在犟讎混合物中。逭在單 或氰化雙酚A雙氰甲酸鹽存在畤可 率可藉由改變犟«混合物中的澳基 二酚含ft而精確調轚。 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ( 21〇><297公瘦 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 1、發明説明（8) 基P及Q可為任何基·衹要彼等為良好之雛去基。 除上述姐份外•本發明之聚碳酸ft尚可包括額外單钃· 其可用於使最终聚碳酸_可交職。此等單Η之實例為含可 交職基之二酵或雙氛甲酸鼸。此一可交聯基可為鴆基·如 烯丙基或乙烯基•環氧化物•異氣酸釀、（甲基> 丙烯酸 _或馬來釀亞胺基。亦可賻聚興氮酸_及聚瑁《化«加至 單體混合物中Μ獲得可交_聚碘酸_。可交聯物質較佳用 於一靥一雇饞轉塗覆聚磺酸ft靥所製成之等波器。因此· 本發明亦係有Η於由上述單黼混合物•包括可交賺基之單 髑或額外交馨_所得之可交_與已交_聚磺酸_阐種》 本發明之聚磺酸_亦可含有抗氧化繭。《當之抗氧化蘭 巳銳明於ΕΡ-Α2-0608493號第7頁•此一専利併於此Μ供 參考。 本發明之聚磺酸酸可製作成具有靨鑾结構之光學等波器 姐件；該曆鼸结構包含聚碳酸_夾於折射率較等波聚磺酸 醮靥為低之二僑轉材料靥中闢。界定聚磺酸_曆中導波通 道之方法之一為藉照射邇揮性改變折射率。 此一方法常稱之為溧白，一般會造成聚碳酸釀材料之折 射率降低。本發明之聚磺酸酶包含NLO基，其可輕易灤白 並可》極化而使其具NLO活性。等波通道亦可由其他技術 ，如反應性艨子蝕刻•棋塑及笛射切開加Κ界定。因此· 本發明之聚磺酸_竈合用於活性或純性《波器姐件Μ及热 一光等波姐件。 本發明聚碳酸醮之極化薄膜，由於其高玻瑱轉化溫度之 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ! I I —. I 裝 I I I —訂 I I ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（9) 故•而具有優興之热糖定性。此外•本發明聚磺酸酯薄膜 之非繚性光學行徑·Μ波K爾係數（733>测量者•輿其 他NLO聚合钧比較肖薷良好。特別是波η爾係數之穩定性 尚稱良好。最後，逋些NLO聚碳酸_在電通信窗（約 1300-1370及1500-1600毫米）具有最小信號損失。 將聚碳酸醮旛塗於基板之一種方法為旎轉塗覆法。為了 能旋轉塗覆聚碳酸Κ，先要將其溶解於可澜濕欲塗覆之基 板之溶爾中。供旋轉塗覆聚碳酸_之溶劑有•例如•四氬 呋喃、0-二甲苯、菜、珈瑪一丁基內_、乙二酵二_酸_ 、二甘酵二甲醚、_酸環己酯、四氯乙烷、環戊酮、2-甲 基環己嗣及2-甲氧基-乙基_酸_。將溶液塗覆於基本之 後，即將溶_蒸發而留下聚磺酸釀薄_。此一聚磺iltt薄 膜然後可藉所謂的DC-讁發波飙爾效應技術予K極化。此 一技術包括將A.C及D.C電懕兩者通入鬌本。D.C «臞使 分子定位Μ誘發波釩爾效應•而A.C.罨壓場則用於测量波 凱爾係數。典型D.C.IE懕場强度係在10-30 V/(/·之範圃 内。為獲得足抅厚度之薄膜Μ用於光學等波器，有需要將 聚碳酸# —靥一曆地旋轉塗覆若干曆。再者•須在NL0活 性靥上加上包覆靥。此等包覆曆可由本發明之可交聯聚磺 酸釀製造•因為當逭些物霣部份或全部交聯時即不再可溶 於溶Β(中。本發明亦係有ϋ於包含本發明聚磺酸_2NL0 等波器· Μ及包含本發明聚碳酸_之其他光子装置。本發 明現將參照Κ下實例進一步加Μ說明。 貢例 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 裝 訂 I I I —^線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 311990 A7 B7 五、發明説明（Ί()) 實例1:聚碳酸_1之合成 睪讎1 : 2-{4-[雙（2-羥基乙基>*基]苯基}-3-镇基-丁埔 二臃之合成 依下述方式製備化學式I (其中D基為列於本說明軎之 基圈DA ( x,y = l>之單II : 將4.5克（ 0.025莫耳）N-笨基二乙酵胺與3.4克（ 0.026其耳）四氰基乙烯於25毫升Η,Ν-二甲基甲釀胺中之 混合物，於2〇υ下播拌17小時。溶繭蒸發後，使用95Χ二 氣甲烷/5Χ甲酵绲合物為洗搮液•於200克矽凝膠上進行 管柱色蹰分析•得5.8克（823Κ)單釅1 。熔黏為164-167 t： ° 在四氫呋哺中•將單髑1與4,4’-(六氟亞興丙基）二酚 之雙氯甲酸鹽聚合Μ製造聚磺酸酸。所得聚礦酸_聚合杨 之玻_轉化《度為130° -135Ό、重董平均分子量為 14,000 〇 將聚碳酸_1之薄膜麽轉塗覆於矽基板上。_由此處所 述之DC-誘發波鼠爾故應技術將如此形成之薄膜予Μ極化 。此薄臢經校正之波釩爾係數（r 33>為0.51 ( Μ 841 η·波長_得者）·電場Η閉之波Κ爾係數與電場接β ( 之波瓤爾係數之比》测量為0.95。离η33顧示波凱 爾係數之穩定性樞佳。 實例2 :聚碳酸酸2之合成 犟艚2 : 2-[4-(3,4-二羥基吡咯啶-1-基）苯基]-3-氰基- 丁烯二_之合成。 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） ----------装------,訂------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 311990 A7 B7 1、發明説明（11 ) 依下述方式製備使用本銳明軎所示化學式DE (y = 〇)之基 為D基之化學式I犟Μ : 膊4.5克（ 0.025莫耳）Η-苯基二乙酵胺與3.4克（ 0.026莫耳）四氰基乙烯於25毫升Μ,Η-二甲基甲釀胺中之 港合物•於2〇υ下攫拌18小時。 溶繭蒸發後，使用9 4Χ二氣甲烷/8Χ甲酵混合物為洗提 液，藉管柱色曆分析於200克矽凝腰上將產物純化。竈量 為 5.5 克（78Χ)。熔點為 216-219 t：。 於四氫呋_枏_中·賻單豔2與4,4·-(六氟亞興丙基〉 二酚之雙氯甲酸鼸聚合，製造聚磧酸_聚合钧。所得聚合 物之玻親轉化溫度為184-194 C，簠最平均分子Λ為 8100 〇 將聚磺酸_2溶解於環戊酮中並旋轉塗覆於矽基板上。 藉由DC-誘發校正之波凱爾效應技術•將矽基板上之聚磺 酸酯2之薄膜予Μ極化。然後•使用波長8 41毫撖米之光 澜得校正之波釩爾係數為0.25。η 33测得為0.95。 實例3 :聚磺酸_3之合成 犟鱧3 甲基-雙（4羥基苯基）甲基-亞甲基肼基 ]苯基}-3-氰基-丁烯二騎之合成。 依下述方式製備化學式I [其中D基為銳明害所示之基 DK ( R4 = CH3> 〕之犟臞： 將10.7克（0.050舆耳）4,4*-二羥基-二苯甲酮· 6.1 克（ 0.050莫耳）卜甲基-1苯基肼及3滴濃硫酸於50毫升 乙酵中之混合物，於回流下加热64小時，然後趁热加入 一 14 _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 裝 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 311990 B7 五、發明説明（12 ) 150毫升之熱水。冷卻至20 υ時即產生結晶。藏抽圾邊濉 收集產物，並予以乾嫌而得11.2克（73Χ )黄色矗艚，培 點192-192.5 t：。將6.4克（0.020莫耳）之此腙及2.6 克（ 0.020荑耳）四氰基乙烯於25«升Ν,Ν’-二甲基甲釀 胺中之混合物，於20 t：下攪拌16小時。溶_蒸發後，使用 30Χ _酸乙釀與70Χ己烷之澀合物作為洙搛液•鞴管柱色 靥分析於200克矽凝鏐上將產物《化。得6.1克（73Χ)之 錄黑色晶钃。 將單«3與4,4·-(六氟亞興丙基卜二-(2,6-二溴酚之雙 氯甲酸鹽於四氫呋嚙中聚合，製造聚碳酸釀3 。所得聚合 物之玻瑱轉化灞度為198-205<0*重量平均分子量為 8,950 〇 實例4 :聚碳酸_4之合成 將單M3和4,4'-(六氟亞興丙基 > 二酚之雙氱甲酸鼸在 四氩呋_中聚合•製造聚碳酸_4 »所得聚合物之玻瑱轉 化灞度為179-186 1C、重量平均分子最為9900 » 踌聚磺酸酯4溶解於環戊鬭中並嫵轉塗覆於矽基板上。 然後使用DC-誘發波釩爾效懕技術，將旋塗之薄膜予Μ極 化。使用波長841毫微米之光侧得校正之波釩爾係數為 0.62。n S3㈣得為 0.90。藉由 OPTICS LETTERS, Vo 1 . 17 (1992>, pp. 1506-1508所述之楼鏑偁合技術（Pris· Coupling-in Technique )测得光學損失•在 1305¾ «米 時為0.42 dB/c·而在1565毫潋米時為0.63。 比較實例5 :聚碳酸馥5* — 15 — 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） I r I裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 修正 |補充 將化學 A聚合， 酸酷。所 均分子量 將聚碳 由DC-誘 酯薄膜予 波凱係數 合技術在 本發明聚 光學損失 d B / c m ) ° K上所 不得解釋 附申請專 式I (其中D 製造美國專利 得聚合物之坡 為 16,500。 酸酯5 w溶解於 發校正之波凱 以極化。然後 為 0 . 35 pm/V 1305毫微米及 碳酸酯之損失 為 3.6 dB/cin1 圼規本發明實 為Μ任何方式 利範圍所決定 δ1ίίθ8(|1〇5288號專利申請案 中文說明書修正頁（8 5年5月）Α7 Β7 五、發明説明（ 基為基團DK(R4 = H)之單體與雙酚 5,208,299號實例20中所述之聚碳 璃轉化溫度為180/211 ，重量平 四氫呋喃，並旋塗於矽基板上。藉 爾效應技術，將矽基板上之聚碳酸 ，使用波長841毫微米之光校正之 。η 33經測得為0.52。藉由稜鏡耦 1 5 6 5毫微米測得之光學損失顯示較 為高，特別是在1565毫微米時（其 而實例4之聚碳酸酯為0.63 例及說明僅係供例證及說明之用， 限制本發明。本發明之範圍祗由隨 I -裝 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐）

Claims (1)

  1. 第84105283號專利申請系 中文申請專利範圍修正本（86年2月）
    申請專利範圍 SI 酸 碳 聚 該 為 徵持 其， *. 酯.·: 酸得醇 碳而二 聚物 性合 活混 學體式 光單學 性下化 線Κ合 非合符 種聚| I 由 o L N之
    \--/ η ----. ---------裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 基之式學化下 M 自選.係 D中其 H0 2 CH X 、N 0Hy //X) 2 Η c o- H Ή c y λ—/ 2 Η -c. c-c 訂 OA H0 OH E o v,c—c C C 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 及 \c// — c // — c/ \ c \ c N-N · K o 本纸铁尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X：297公釐） 311990 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 其中Ο Η代表化學式I之Ο Η -基，x及y代表Ο - 4之整數 ，R4代表- Η或具卜6個碳原字之烷基； R係選自氫及甲基；且 ‘ R 1 ί糸選自氫、鹵素及-C Ν ;及 -化學式11之化合物： A - 化學式I I 其中：P 代表-C 1 ，0 - R 3，咪唑* Q 代表-C i ，Ο - R 3，眯唑， R3 代表（鹵化之）具1 - 6涸碳原子之烷基 鹵化之）苯基， A 代表 / \ / \ / C C -c -) -C \ / Λ / \ ^^^1 HBH nn ml tm m 1^^^ vm flBm utl m ^^^^1 TJ 为 、νδ (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (X)； / C(X)c 代表-S02-，鹵化之具卜6個碳原子之烷基 ，較佳為-CF2- ， -C(CF3)2， -0-或-S-， 為鹵素， 本紙伕尺度適用中國國家標準（CMS ) Α4規格（210 X 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 311990 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 a 為0至4之整數，而X -基為相同或相異* b 為0至4之整數，而X.-'基為相同或相異， c 為0至4之整數，而X-基為相同或相異> m 為0至5之整數，而A-基為相同或相異。 2 . 根據前述申請專利範圍第1項之非線性光學活性聚碳酸 酯，其特徵為化學式II之單體包含六氟雙酚A雙氯甲酸 v 鹽= 3 . 根據前述申請專利範圍第1或.2項之非線性光學活性聚 I 碳酸酯，其特徵為化學式II之單體包含六氟四溴雙酚A 雙氯甲酸鹽。 4 . 根據申請專利範圍第1項之非線性光學活性聚碳IS §旨， 其特徵為化學式I單體中之基D為化學式DK之基。 5 . 根據申請專利範圍第1項之非線性光學活性聚碳酸酯， 其特徵為聚碳酸酯為可交聯或已交聯。 6 . 根據申請專利範圍第1項之非線性光學活性聚碳酸gl > 其特徵為化學式I單體中之基D包括至少二個芳族取代 之羥基。 7. 根據申請專利範圍第1項之非線性光學活性聚碳酸酯· 涤用於製餚非線性光學活性導波器组件。 8 . 根據申請專利範圍第1項之非線性光學活性聚碳酸酯， 係用於製餚熱-光導波器組件。 9 . 根據申請專利範圍第1項之非線性光學活性聚碳酸詣， 係用於製備鈍性導波器组件。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------^------ir-------0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
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