TW304257B - - Google Patents

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A B 經濟部中央標隼局員工消費合作杜印製 五、發明説明U ) 本發明概言之係有關於顯示裝置之驅動電路，而詳言之 則係有關於用以施加亮度信號至一顯示裝置，例如液晶顯 示器（LCD)，之像素的系統。 顯示装置，例如液晶顯示器，係由成列水平排列及成行 垂直排列之像素矩陣或陣列所組成。所欲顯示之影像資訊 以亮度（灰階）信號之方式施加至與每一行像素各別相關之 資料線上。列像素則依序掃描，且在已啓動之列中的像素 電容値係根據施加至各別行之亮度信號位準而予以充電至 不同之亮度位準。 ‘ 在主動式矩陣顯示器中，每一像素元件皆含有一交換元 件可將影像信號施加至此像素。一般而言，該交換元件爲 薄膜電晶體（TFT)，其可接收來自固態電路的亮度資訊。 因爲TFT及固態電路皆由固態裝置所構成，所以最好利用 非晶矽或多晶矽技術來同時製造此TFT及驅動電路。 液晶顯示器係由夹於兩基質間之液晶材料所組成。至少 有一基質，通常而言爲兩基質，皆可透光，且基質與液晶 材料相鄰接之基質表面上含有透明導電電極之圖樣，此等 電極以一種可形成各別像素元件之方式排列。將驅動電路 製作於基質上並環繞顯示器與TFT之周圍是較好的方式。 非晶矽技術1直是製作液晶顯示器較好的技術，因爲非 晶矽材料可於低溫下製作。有低的製造溫度相當重要，因 爲低製造溫度允許使用標準的、市售及便宜的基材。然而 ，由於低遷移率、臨界電壓漂移及只能使用N-MDS增強型 電晶體之故，使得非晶矽薄膜電晶體（a-Si TFT)在整體周 一 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

A7 B7 五、發明説明（2 ) 邊像素驅動器之使用受到限制。

Plus等人的美國專利第5,170,155號，發明名稱爲「施加 亮度信號至顯示裝置之系統及其比較器」，揭示了一種 LCD之資料線或行驅動器。Plus等人的資料線驅動器係作 爲一截波斜坡放大器並且使用TFT。在Plus等人的資料線 驅動器中，含有影像資訊之類比信號在該驅動器之輸入取 樣電容中被取樣並儲存。產生於一基準斜坡產生器中的基 準斜坡信號經由一 TFT開關施加至該驅動器的輸入電容器 冬 中1 。 頁 在Plus等人所揭示之配置中，某一資料線驅動器之電晶 體開關將一資料斜坡電壓耦合至該矩陣之一資料線，以於 所選出之列的像素中建立一斜坡電壓。此電晶體開關由一 比較器所控制。電晶體開關打開時可將資料斜坡電壓耦合 至資料線，且電晶體開關係關閉於一由含有影像資訊之信 號所決定之可控制時段。 因此有需要以TFT來形成電晶體開關，並維持此TFT開 關導通且無明顯之閘過驅動。這是因爲過多之閘過驅動可 能導致TFT中臨限電壓漂移之增加。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本發明實施例之資料線驅動器建立一含有影像資訊之信 號，此影像資氰係以像素排列於顯示裝置之某一行中。資 料線驅動器含有一資料斜坡信號源。第一電晶體耦合至資 料斜坡信號源，用以將該資料斜坡信號施加至一與該行相 關之資料線。第二電晶體產生第一電晶體之一控制電壓的 第一部分，此控制電壓之第一部分依據第一及第二電晶體 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 經濟部中央標準局tK工消費合作社印製 304257 五、發明説明（3 ) 之一的臨限電壓變化而改變。第一電容將一脈衝電壓耦合 至控制端以產生該控制電壓的第二部分。以控制電壓調節 第一電晶體，使其操作於一第一切換狀態中。一影像信號 源及一基準斜坡信號源耦合至第二電晶體之一輸入端，用 以當建立於第二電晶體輸入端且來自影像及基準斜坡信號 之一信號超過第二電晶體之臨限電壓時，將該第一切換狀 態解除。 圖1所示爲一液晶顯示器配置方塊圖，其含有解多工器 及資料線驅動器，並構成本發明之一實施例； 圖2所示爲圖1中之解多工器及資料線驅動器之詳細圖説 :以及 圖3a-3h爲用於解釋圖2電路之作業的波形圖。 在圖1含有一解多工器與資料線驅動器100之本發明實施 例中，類比電路11自天線12接收一代表所欲顯示之影像資 訊的影像信號。類比電路11提供一影像信號於線路13上以 作爲類比至數位轉換器（A/D) 14之一輸入信號。 來自類比電路11之電視信號係將顯示於一液晶陣列16上 ，此一陣列由很多個像素元件所構成，例如係由多個水平 排列成m=560列及垂直排列成n=960行的液晶胞16a所構成 。液晶陣列16_(含有n=969行的資料線17，每一資料線17用 於該等液晶胞16a之每一垂直行，以及含有m=560之選擇線 1 8，每一選擇線18用於該等液晶胞16a之每一水平列。 A/D轉換器14含有一輸出匯流排19以提供亮度信號或灰 階碼至具有40組輸出線22之記憶體21。記憶體21之每一組 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21 OX 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) i裝- A7 五、發明説明（_4 ) 輸出線22施加所儲存之數位資訊至一相對應的數位至類比 (D/A)轉換器23。有40個D/A轉換器23分別對應至40組的輸 出線22。某一 D/A轉換器23之一輸出信號IN經由一相對應 的線路3 1耦合至一相對應的解多工器及可驅動相對應資料 線17的資料線驅動器100。選擇線掃描器60於線路18中產 生列選擇信號，以供利用一已知之方式來選擇出陣列16的 某一列。於960條資料線17中所建立的電壓於一 32毫秒的 線路時間内，施加至所選擇出之列的像素16a。 解多工器及資料線驅動器100使用截波斜坡放大器，在 圖1中並未詳細圖示，其具有例如低於1 pf之低輸入電容 以儲存相對應之信號IN，並將所儲存之輸入信號IN傳輸至 相對應之資料線17。每一資料線17施加至560列的像素胞 16a，此等像素胞16a形成一例如爲20 pf之電容負載。 圖2所示爲某一解多工器及資料線驅動器1 〇〇之詳細圖示 。圖3a-3h則爲解釋圖2之電路操作的波形圖。圖1，2，3a-3h中相同之符號及數字指示相同之項目或功能。圖2之解 多工器及線驅動器100之所有電晶體皆爲N-MOS型TFT。因 此，其具有可與圖1之陣列16—起形成爲積體電路之優點 〇 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在對圖2之植號線3 1中之影像信號取樣之前，須先將電 容C43之D端所建立的電壓予以初始化。爲初始化電容C43 之電壓，D/A轉換器23於線路3 1中建立一預定電壓，例如 是影像信號IN之最大或全階電壓。電晶體MN1於圖3a之控 制脈衝信號PRE-DCTRL建立於電晶體MN1之閘極時，將線

I 一 -7- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A7 B7 五、發明説明（_5 ) 路3 1中之初始化電壓施加至電容C43。依此方式，在每一 像素更新周期之前的電容C43電壓皆同。在脈衝PRE-DCTRL之後，信號IN改變以包含用於目前之像素更新周期 的影像資訊。 圖2之一解多工器32的解多工電晶體MN1對建立於含有 影像資訊之信號線3 1中的類比信號IN予以取樣。所取樣的 信號儲存於解多工器3 2之取樣電容C43中。對建立於線路 31中之圖1的一組40個信號IN之取樣係在一相對應之脈衝 信號DCTRL(i)之控制下同時發生。如圖3a所示，在t5a至 t20之期間内，有24個脈衝信號DCTRL(i)連續發生。圖2之 每一脈衝信號DCTRL(i)皆控制相對應之一組40個解多工器 32中的解多工操作。960個像素的整體解多工操作發生在 圖3a之t5a-t20之期間内。 爲提供有效時間利用，使用兩段式之管線周期。信號IN 受解多工並儲存於圖2之960個電容C43中，如前文所述， 此發生於t5a-t20之期間。在圖3d之t3-t4期間，圖3d之在任 何脈衝PRE-DCTRL以及24個脈衝信號DCTRL發生之前，當 圖3d之一脈衝信號DXFER出現時，圖2之每一電容C43便經 由電晶體MN7耦合至電容C2。因此，儲存於電容C43之信 號IN之一部分會傳送到圖2之電容C2且建立一電壓VC2。 在t5a-t20之期間，圖3a之脈衝信DCTRL出現時，圖2中在 電容C2之電壓VC2經由相應之資料線17而施加至陣列16， 此在下文中將有詳細描述。因此，信號IN係經由兩段管線 施加至陣列16。 _ —_-Jj_ 本紙張尺度適用中國國家標隼（CMS ) A4規格（21〇X297公釐） A7 B7 五、發明説明u ) 基準斜波產生器33於一輸出導體27上提供一基準斜坡信 號REF-RAMP。導體27係例如連接至每一解多工器及資料 線驅動器100之圖2的每一電容C2的端點E上。電容C2之端 點A形成比較器24之一輸入端。圖1之資料斜坡產生器34經 由輸出線28提供一資料斜坡電壓DATA-RAMP。在圖2之解 多工器及資料線驅動器100中，電晶體MN6施加電壓 DATA-RAMP至資料線17以建立一電壓VCOLUMN。電壓 VCOLUMN所施加處的列係依據在列選擇線18中所建立的 列選擇信號來決定。使用移位暫存器來產生建立於線路18 中之選擇信號的顯示裝置已揭示於美國專利第4,766,430及 4,742,346號中。電晶體MN6爲一具有閘電極之TFT，此閘 電極由導體29耦合至比較器24之輸出端C。比較器24之一 輸出電壓VC控制電晶體MN6之導通時段。 在每一像素更新期間内，於施加比較器24之電壓VC至 電晶體MN6以控制電晶體MN6之導通時段之前，比較器24 係自動校準或調整。在t0之時間（圖3b)，電晶體MN10由信 號PRE-AUT0Z予以調節而導通，而使電壓VPRAZ施加在 電晶體MN5之汲極與電晶體MN6之閘極上。此標爲VC之 電壓儲存於電晶體MN6之例如以虛線表示之源-閘極電容 C24之雜散電當上，使電晶體MN6導通。當電晶體MN10對 電容C24預充電時，電晶體MN5爲非導通。 在圖3b之tl時間，脈衝信號PRE-AUT0Z結束且電晶體 MN10關閉。在tl時間處，脈衝信號AUT0ZER0施加至耦 接於電晶體MN5之閘極與汲極端之間的電晶體MN3的閘極 _二_^9-_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " A7 B7 五、發明説明（_7 ) ，而使電晶體MN3開啓。在此同時，圖3g的脈衝信號AZ施 加至電晶體MN2之閘極而使電晶體MN2開啓。當電晶體 MN2開啓時，電壓Va經由電晶體MN2連接到耦合電容C1之 端點A。電晶體MN2以電壓Va之位準於端點A建立一電壓 VAA，以於A點建立比較器24之觸發位準。比較器24之此 一觸發位準等於Va。電容C1之第二端點B係耦合至電晶體 MN3以及電晶體MN5之閘極。 導通電晶體MN3於電晶體MN5之閘極與汲極間平衡端點 C處之電荷。並於端點B建立一閘電壓VG於電晶體MN5之 閘極上。開始時，電壓VG超過電晶體MN5之臨限位準 VTH，而使電晶體MN5導通。電晶體MN5之導通使端點B 及C之電壓在信號AUTOZERO之脈衝期間開始減少，直至 與電晶體MN5之臨限電壓VTH相等時爲止。當端點A之電 壓VAA等於電壓Va時，端點B處電晶體MN5之閘極電壓VG 係位於其臨限位準VTH。在圖3c及圖3f之時間t2處，圖2之 電晶體MN2及MN3爲關閉而比較器24受到標準或調整。因 此，圖2之比較器24的觸發位準對輸入端A而言等於電壓 Va。 如上所述，所建立的信號DXFER於時間t3時開始於電晶 體MN7之閘極'(，以信號經由端點A將解多工器32之電容 C43耦合至電容C2。結果，於電容C2所建立的電壓VC2與 電容43之取樣信號IN的位準成比例。信號IN的大小係使於 脈衝信號DXFER期間於端點A所建立的電壓VAA小於比較 器24之觸發位準Va。因此，比較器電晶體MN5於時間t3後 _二_-10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（.8 ) 立刻保持不導通。電壓VAA與比較器24之觸發位準Va之差 係由信號IN之大小來決定。 當端點A之電壓VAA超過電壓Va時，電晶體MN5開始導 通。第一方面，當端點A之電壓VAA未超過電壓Va時，電 晶體MN5不導通。比較器24之自動校準或調整補償了例如 是電晶體MN5之臨限電壓漂移。 圖2之脈衝RESET具有與圖3c之脈衝信號AUTOZERO相似 之波形及時序。脈衝電壓RESET係耦合至電晶體MN9之閘 極以開啓電晶體MN9，而電晶體MN9與電晶體MN6相並聯 。當電晶體MN9導通，會於線路17上，並於所選出之列在 圖1的像素胞16a中建立電壓VCOLUMN之一預定初始狀態 。於像素胞16a中建立初始狀態之優點在於可防止含於像 素胞16a之電容中先前所儲存之影像資訊影響到圖3b-3g之 目前更新期間的像素電壓VCOLUMN。 電晶體MN9在時間t6之前以信號DATA-RAMP之不作用位 準VIAD建立電壓VCOLUMN。於tO-tl之期間，在電晶體 MN10開啓之瞬間，與資料線17有關之電容C4經部分充/放 電至信號DATA-RAMP之不作用位準VIAD。在脈衝信號 AUTOZERO期間，電晶體MN6之閘電壓VC被降到電晶體 MN5之臨限電屢。因此，電晶體MN6事實上已關閉。當電 晶體MN9開啓時，電容C4之充/放電主要係於tl-t2之期間 内實施。此種利用電晶體MN9及電晶體MN6來建立電壓 VCOLUMN之初始狀態之方式其優點在於降低電晶體MN6 之臨限電壓漂移。電晶體MN6之臨限電壓漂移之所以降低 一 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） S04257五、發明説明（，9 ) A7 B7 係因電晶體MN6係以一比僅須建立電壓VCOLUMN之初始 狀態更短之期間來驅動。 電晶體MN6係設計成與電晶體MN5具有類似之參數、重 要性及相似之臨限電壓漂移者。因此，電晶體MN6之臨限 電壓漂移具有跟隨電晶體MN5之臨限電壓漂移之優點。 在下文所將討論之一或兩種操作模式中，電晶體MN5之 源極電壓Vss係爲0V。在t2-t4期間且等於信號DATA-RAMP 之不作用位準VIAD的電壓VCOLUMN則等於IV。在時間t5 之前，端點C處電晶體MN5之波極壓VC等於電晶體MN5之 臨限電壓VTH。由於有前述之跟隨之故，電晶體MN5之臨 限電壓VTH的變化使電晶體MN6之閘-源極電壓保持在比 電晶體MN6之臨限電壓小IV之位準。之所以有IV之電壓 差係因爲在電晶體MN5與電晶體MN6之源極間有1伏特之 電位差。 根據本發明之一觀點，圖3h之脈衝電壓C-BOOT經由圖2 之電容C5而電容耦合至電晶體MN6之閘極處的端點C。電 容C5及電容C24形成一分壓器。電壓C-BOOT之大小係經 選擇以使得閘電壓VC相對於在脈衝AUTOZERO期間由一 預定。小量之足可保持電晶體MN6導通之電壓所建立之位 準而言係呈增'<加。如前所述，電晶體MN5在圖3d之時間t3 之後呈非導通狀態。因此，電壓VC之預定增量，約爲5 V 大小，係由端點C處與電壓BOOT-C有關而形成之電容分壓 器所決定。電壓VC之增量與臨限電壓VTH無關。因此， 電晶體MN5或MN6在整個操作壽命上之臨限電壓漂移並不 _^_-12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A7 B7 五、發明説明（」〇 ) 會影響由電壓C-BOOT所產生之增量。也就是説，在整個 操作壽命上，當電壓VTH可能明顯增加時，電晶體MN6在 圖3f之時間t6之前只要以小量-的驅動力便可保持導通。 電晶體MN5之電壓VTH的任何臨限電壓漂移皆會在端點 C之電壓VC上產生相同的改變。假設電晶體MN6之臨限電 壓跟隨電晶體MN5之臨限電壓。因此，電壓C-BOOT無須 補償電晶體MN6之臨限電壓漂移。這表示不管電晶體MN5 及MN6之臨限電壓漂移爲何，電晶體MN6皆可由電壓C-BOOT來開啓。因此，電晶體MN5之臨限電壓改變可補償 電晶體MN6之臨限電壓改變。 電^ C-BOOT之電容耦合允許使用端點C之電晶體MN6之 閘電壓VC之位準稍大於電晶體MN6之臨限電壓，例如大 於電晶體MN6之臨限電壓達5V。因此，電晶體MN6並未受 到明顯之抑制。藉由避免施加明顯之驅動電壓至電晶體 MN6之閘極，電晶體MN6在其整個操作壽命所可能出現的 臨限電壓漂移實質上係比以大驅動電壓來驅動電晶體MN6 時爲小，這是本發明之優點之一。 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 依據本發明另一特徵，電壓C-BOOT係於圖3h之t5-t7期 間以一斜坡方式來建立。電壓C-BOOT之相當慢的上昇時 間有助於減少身電晶體MN6之抑制。使電晶體MN6之閘電 壓緩慢上昇可允許電晶體MN6之源極充電而使閘-源極電 位差能以較長之時間保持較小差異。t5-t7之時段具有4 v 秒之長度。藉由保持t5-t7之時段長度比2 μ秒更長，或約 爲圖3f之信號DATA-RAMP之t6-t8時段長度的20%，電晶體 一 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A7 B7 五、發明説明（.11 ) MN6中閘極與源極間之電壓差便可降低達相當長之期間。 因此，對TFT MN6中之抑制便降低。 在圖3e之t4時間時，基準斜坡信號REF-RAMP開始上昇 。REF-RAMP信號係耦合至圖2中遠離比較器24之輸入端A 的電容C2之端點E。因此，比較器24之輸入端A處的電壓 VAA等於斜坡信號REF-RAMP以及建立於電容器C2中之電 壓VC2的總合電壓。 在時間t6之後，耦合至電晶體MN6之汲極的資料斜坡信 號DATA-RAMP開始上昇。因有自電晶體MN6之雜散閘-源 極電容與閘-汲極電容所生之反饋耦合至端點C，端點C處 之電壓將足以對所有資料斜坡信號DATA-RAMP之値來調 節電晶體MN6使其導通。在時間t4之後，以及只要端點A 處之斜坡電壓VAA尚未達到與比較器24之電壓Va相等之觸 發位準，則電晶體MN5保持不導通而電晶體MN6則保持導 通狀態。只要電晶體MN6爲導通，上昇之電壓DATA-RAMP便經由電晶體MN6耦合至行資料線路17，用以增加 行資料線17之電位VCOLUMN，以及所施加至所選出列之 像素電容CPIXEL之電位。經由例如電容24之斜坡電壓 VCOLUMN的電容反饋可使電晶體ΜΝό保持導通，只要電 晶體ΜΝ5在端尨C呈高阻抗狀態即可，此點已述於前文中 〇 在圖3e之信號REF-RAMP之上昇部份500之期間内，端點 A的總合電壓VAA超過比較器24之觸發位準Va，而電晶體 MN5便導通。在上昇部分500期間内電晶體MN5導通之時

I 一 -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A7 五、發明説明（-12 刻係爲信號IN之大小之函數。 當電晶體MN5導通時，電晶體MN6之閘電壓VC減小而使 電晶體MN6關閉。因此，在電晶體MN6關閉前所出現之電 壓DATA-RAMP之最終値在次一更新周期出現以前皆可保 持不變，或儲存於像素電容CPIXEL中。依此方式，可完 成目前之更新周期。 爲防止圖1中液晶陣列16之極化，陣列之所謂背平面或 共平面，圖中未示，係保持在一固定電壓VBACKPLANE 。解多工器及資料線驅動器100於一個更新周期中產生極 性與電壓VBACKPLANE相同，而於另一更新周期中極性 相反但大小相同之電歷：VCOLUMN。爲達成交互之極性， 電壓DATA-RAMP在一更新周期中係產生於1〜8.8V之範圍 ，而於另一更新周期中則產生於9〜16.8V之範圍。然而， 電壓VBACKPLANE係以一介於上述兩種範圍間之中間位 準來建立。因爲無須以兩種不同的電壓範圍來產生電壓 DATA-RAMP，所以信號或電壓 AUTOZERO，PREAUTOZ， Vss及RESET有兩種不同之峰値位準，可依據所建立之電 壓DATA-RAMP之範圍在交互之更新周期中改變。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 一 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐〉

Claims (1)

1. 六、申請專利範圍 1. 一種資料線驅動器，用以建立一含有影像資訊之信號， 該影像資訊係以像素排列於一顯示裝置之某一行中，該資 料線驅動器包括： 一資料斜坡信號源； 一第一電晶體，耦合至該資料斜坡信號源，用以將該 資料斜坡信號施加至一與該行相關之資料線； 一第二電晶體，用以產生該第一電晶體之一控制電壓 的第一部分，該控制電壓的第一部分係依據第一及第二 電晶體之一的臨限電壓之變化而改變； 一脈衝電壓源； 一第一電容，用以將該脈衝電壓耦合至該控制端以產 生該控制電壓的第二部分，該控制電壓調節該第一電晶 體，使·其作業於第一切換狀態；以及 耦合至該第二電晶體之一輸入端的一影像信號源及一 基準斜坡信號源，用以於一建立於該第二電晶體之輸入 端且來自該影像及基準斜坡信號之信號超過該第二電晶 體之一臨限電壓時，將該第一切換狀態解除。 2. 根據申請專利範圍第1項之資料線驅動器，其中在該第 一電晶體之該控制端中建立一高阻抗，可使該第一電晶 體於第一切為:狀態作業。 3. 根據申請專利範圍第1項之資料線驅動器，其中於第一 切換狀態中，第一電晶體爲導通，而當第二電晶體之臨 限電壓被超過時，第一電晶體即呈不導通。 4. 根據申請專利範圍第1項之資料線驅動器，另包含一第 一 -16 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ABCD 々、申請專利範圍 三電晶體，用以將第二電晶體之一主電流導通端耦合至 第二電晶體之控制端，以依據第二電晶體之臨限電壓來 產生該控制電壓的第一部分。 5. 根據申請專利範圍第1項之資料線驅動器，另包含一第 一切換配置，用以預充電一相對於第一電晶體之控制端 而形成之電容。 6. 根據申請專利範圍第5項之資料線驅動器，另包含一第 三電晶體，用以改變該預充電電容中電荷，直至第二電 晶體之一控制電壓等於第二電晶體之臨限電壓爲止。 7. 根據申請專利範圍第1項之資料線驅動器，其中一第二 電容係相對於第一電晶體之控制端而形成，且其中該第 一及第二電容相對於該脈衝電壓而形成一分壓器。 8. 根據申請專利範圍第7項之資料線驅動器，其中第一電 晶體之控制端係耦接於一介於該第一及第二電容間之接 點。 9. 根據申請專利範圍第1項之資料線驅動器，其中該控制 電壓調節第一電晶體，使其以一依據第二電晶體之臨限 電壓之變化來決定的位準而操作於第一切換狀態中。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 10. 根據申請專利範圍第1項之資料線驅動器，其中第二電 晶體形成一I較器之增益級。 11. 一種資料線驅動器，用以建立一含有影像資訊之信號， 該影像資訊係以像素排列於一顯示裝置之某一行中，該 資料線驅動器包括： 一資料斜坡信號源； 一 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A8 B8 C8 D8 經 濟 部 中 標 準 局 員 工 消 f 合 杜 印 製 304257 ^、申請專利範圍 一耦合至資料斜坡信號源之第一電晶體，用以將資料 斜坡信號施加至一與該行有關之資料線； 一耦合至第一電晶體之一控制端，用以於第一電晶體 之控制端處產生一控制電壓之一第一部分，該控制電壓 之第一部分的大小係由第二電晶體之臨限電壓來建立； 一第一電容； 一經由第一電容而電容耦合至第一電晶體之控制端的 脈衝電壓源，用以產生該控制電壓的第二部分，使得控 制電壓的第一及第二部分可相結合以調節第一電晶體， 使其操作於第一導通狀態中； 一耦合至第二電晶體之控制端的影像信號源；以及 一耦合至第二電晶體之該控制端的基準斜坡信號源， 用以將一建立於第二電晶體之控制端的信號施加至第一 電晶體之控制端，以依據建立於第二電晶體之控制端的 信號與第二電晶體之臨限電壓間之差，將第一導通狀態 改變成第二導通狀態。 12. 根據申請專利範圍第11項之資料線驅動器，另包含一耦 合至第二電晶體及第二電晶體之主電流導通路端之第一 切換配置，用以建立第一電晶體之控制電壓的一部分。 13. 根據申請專範圍第11項之資料線驅動器，其中第二電 晶體之臨限電壓中的改變會在第一電晶體之控制電壓的 第一部分中產生相對應的改變，以補償第一電晶體之臨 限電壓中的改變。 14. 根據申請專利範圍第11項之資料線驅動器，其中第二電 -18- 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS〉A4規格（210 X 297公釐）