TW285763B - - Google Patents
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30504694A JP3384896B2 (ja) | 1994-12-08 | 1994-12-08 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW285763B true TW285763B (xx) | 1996-09-11 |
Family
ID=17940466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW084100059A TW285763B (xx) | 1994-12-08 | 1995-01-06 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3384896B2 (xx) |
TW (1) | TW285763B (xx) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103633007A (zh) * | 2012-08-17 | 2014-03-12 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 防止浅沟槽隔离边缘硅接触孔漏电的方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3941133B2 (ja) | 1996-07-18 | 2007-07-04 | 富士通株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
KR100236067B1 (ko) * | 1996-09-02 | 1999-12-15 | 김영환 | 반도체 메모리 소자 제조방법 |
JP2000058782A (ja) | 1998-08-06 | 2000-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2000077520A (ja) | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
KR100451759B1 (ko) * | 1998-11-10 | 2004-11-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자제조방법 |
JP3205306B2 (ja) | 1998-12-08 | 2001-09-04 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4602818B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2010-12-22 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5003743B2 (ja) * | 2009-10-20 | 2012-08-15 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
-
1994
- 1994-12-08 JP JP30504694A patent/JP3384896B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-01-06 TW TW084100059A patent/TW285763B/zh active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103633007A (zh) * | 2012-08-17 | 2014-03-12 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 防止浅沟槽隔离边缘硅接触孔漏电的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3384896B2 (ja) | 2003-03-10 |
JPH08162635A (ja) | 1996-06-21 |