TW202431961A - 有機電致發光元件之製造方法、及有機電致發光元件 - Google Patents

Abstract

本發明之課題在於，於藉由濕式成膜來形成構成有機電致發光元件之功能性膜之情形時，改善由堤部包圍之區域內之膜厚之均一性。本發明係關於一種有機電致發光元件之製造方法，其依序包括以下步驟：藉由規定之方法設置複數個微小區域之開口部；將規定之功能性油墨藉由印刷法塗佈於開口部；及藉由減壓乾燥使功能性油墨中所含之有機溶劑揮發；且將功能性油墨中所含之全部有機溶劑中沸點最高之溶劑相對於用以測定接觸角之膜的接觸角設為θ1，將由撥液抗蝕劑以包圍開口部之方式所形成之堤部之錐角設為θ2時，滿足規定之關係，該用以測定接觸角之膜係藉由外部能量將使撥液抗蝕劑硬化所獲得之撥液抗蝕膜之表面剝離而獲得。

Description

有機電致發光元件之製造方法、及有機電致發光元件

本發明係關於一種有機電致發光元件之製造方法、及使用該製造方法所製造之有機電致發光元件。

作為有機電致發光元件之製造方法，普遍使用的是藉由真空蒸鍍法使有機材料成膜，並進行積層之製造方法。近年來，作為材料使用效率更優異之製造方法，一種基於濕式成膜之製造方法之研究日益盛行，上述濕式成膜係藉由噴墨法等使溶液化之有機材料成膜，並進行積層。

於藉由濕式成膜來製造有機電致發光元件、尤其是有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示器時，研究了如下方法：用被稱為堤部(bank)之間隔壁將各像素進行劃分，藉由噴墨法將用以形成構成有機電致發光元件之功能性膜之有機電致發光元件形成用組合物即油墨噴出至堤部內之微小區域，進行成膜。此時，提出了如下技術：藉由於油墨中混合各種表面改質劑，而於由堤部包圍之區域內獲得更平坦之膜(專利文獻1及2)。

但是，先前方法中，由堤部包圍之區域內之膜之平坦性不足。

專利文獻3中揭示了如下技術：為了於乾燥、固化後形成截面形狀幾乎平坦之功能層，而使用沸點不同之兩種以上之溶劑。

尤其於使用噴墨裝置等在由堤部(間隔壁)劃分之區域內塗佈油墨並進行成膜之情形時，使間隔壁本身具有撥液性而使油墨不溢出至間隔壁之外側後，以劃分區域全域完全潤濕之方式塗佈足夠量之油墨後，使用減壓乾燥等各種乾燥方法使溶劑成分揮發，從而獲得功能性膜。於劃分區域內油墨乾燥時，油墨之端部在堤部側面慢慢後退，濃度慢慢變高，最終成為功能性膜。然而，由於因堤部側面之潤濕性之不同、或堤部側面之形狀變化而在堤部側面之中途停止之自固定(self-pinning)現象，可能導致油墨端部無法在堤部側面充分後退。若如此在堤部側面之中途進行自固定，則所形成之功能性膜會形成如沿著堤部側面潤濕起來之形狀，因此膜厚難以變得均勻。

自固定現象可藉由測定油墨對堤部側面之後退接觸角而進行確認。然而，問題在於難以在具有複雜構造及表面物性之堤部側面測定後退接觸角，且難以進行控制。又，乾燥中之油墨亦具有以下問題，即，隨著乾燥過程中之濃度上升，黏度亦上升，因此失去作為油墨之流動性，而發生自固定。

又，關於乾燥過程中之液滴內部之流動之主要原因，存在源自不均勻蒸發速度分佈之流動、源自接觸角變化之流動、源自表面張力分佈之流動，對於控制功能性膜之形狀具有重要作用(H.Ishizuka, J.Fukai, Experiments in Fluids, 59, 4, 1-11, 2018)(J.Fukai, T.Harada, H. Ishizuka, Journal of Chemical Engineering of Japan, 52, 6, 484-492, 2019)(J.Fukai, J.Jpn.Colour Mater., 94, 4, 112-116, 2021)。液滴表面之乾燥速度分佈具有與接觸角對應之分佈，於沸點及表面張力不同之複數種混合溶劑之系統中，會引起液滴內部之流動。滴加至如接觸角成為90°之固液界面之液滴之蒸發速度分佈均勻，若自接觸角90°進行增減，則產生乾燥速度分佈之不均一性，產生源自不均勻蒸發速度分佈之流動。 先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：國際公開第2010/104183號 專利文獻2：日本專利2002-056980號公報 專利文獻3：日本專利2015-185640號公報

[發明所欲解決之問題]

本發明之課題在於，於藉由濕式成膜來形成構成有機電致發光元件之功能性膜之情形時，改善由堤部包圍之區域內之膜厚之均一性。 [解決問題之技術手段]

本發明人發現了，藉由外部能量對堤部最表面進行處理，將最表面之撥液成分剝離後之表面之接觸角與撥液堤部之錐角之差，與功能層之膜形狀有關聯。即，發現了藉由使用包含如該接觸角與錐角之差處於一定範圍內之溶劑的油墨與堤部之組合來形成功能性膜，而適當地抑制自固定與源自不均勻蒸發速度分佈之流動，獲得均勻之膜。

即，本發明具有以下構成。

本發明之態樣1係一種有機電致發光元件之製造方法，其依序包括以下步驟： 於具有導電性電極圖案之基板上塗佈撥液抗蝕劑，藉由光微影法設置複數個微小區域之開口部； 將包含至少一種功能性材料及至少一種有機溶劑之功能性油墨藉由印刷法塗佈於上述開口部；及 藉由減壓乾燥使上述功能性油墨中所含之上述有機溶劑揮發；且 將上述功能性油墨中所含之全部有機溶劑中沸點最高之溶劑相對於用以測定接觸角之膜的接觸角設為θ1，將由上述撥液抗蝕劑以包圍開口部之方式所形成之堤部之錐角設為θ2時，滿足下述關係，該用以測定接觸角之膜係藉由外部能量將使上述撥液抗蝕劑硬化所獲得之撥液抗蝕膜之表面剝離而獲得。 -8°＜θ2－θ1＜45°

本發明之態樣2係如態樣1之有機電致發光元件之製造方法，其中 上述功能性油墨包含至少兩種有機溶劑。

本發明之態樣3係如態樣1或2之有機電致發光元件之製造方法，其中 上述錐角θ2大於30°且未達70°，上述堤部之高度為1.9 μm以下。

本發明之態樣4係如態樣1至3中任一項之有機電致發光元件之製造方法，其中 上述接觸角θ1大於0°且未達78°。

本發明之態樣5係如態樣1至4中任一項之有機電致發光元件之製造方法，其中 上述藉由外部能量所進行之撥液抗蝕膜之表面之剝離係藉由UV(ultraviolet，紫外線)/臭氧處理、或電漿處理而進行。

本發明之態樣6係如態樣1至5中任一項之有機電致發光元件之製造方法，其中 具有上述接觸角θ1之有機溶劑之含量相對於上述功能性油墨中所含之全部有機溶劑之總重量為5重量%以上。

本發明之態樣7係如態樣1至6中任一項之有機電致發光元件之製造方法，其中 具有上述接觸角θ1之有機溶劑之含量相對於上述功能性油墨中所含之全部有機溶劑之總重量未達50重量%。

本發明之態樣8係如態樣1至7中任一項之有機電致發光元件之製造方法，其中 上述功能性油墨中所含之全部有機溶劑中沸點最低之溶劑之沸點為200℃以上。

本發明之態樣9係如態樣1～8中任一項之有機電致發光元件之製造方法，其中 具有上述接觸角θ1之有機溶劑之沸點、與上述功能性油墨中所含之全部有機溶劑中沸點最低之有機溶劑之沸點的差為20℃以上。

本發明之態樣10係如態樣1至9中任一項之有機電致發光元件之製造方法，其中 上述功能性材料包含至少一種電洞傳輸性化合物及至少一種電子接受性化合物。

本發明之態樣11係如態樣1至10中任一項之有機電致發光元件之製造方法，其中 對上述功能性油墨中所含之上述有機溶劑進行減壓乾燥之時間為1分鐘以上且未達15分鐘。

本發明之態樣12係如態樣1至11中任一項之有機電致發光元件之製造方法，其中 上述撥液抗蝕劑含有含氟原子樹脂。

本發明之態樣13係如態樣1至12中任一項之有機電致發光元件之製造方法，其中 藉由上述外部能量對上述撥液抗蝕膜進行處理之時間為30秒以上300秒以下。

本發明之態樣14係如態樣1至13中任一項之有機電致發光元件之製造方法，其中 上述接觸角θ1為10°以上且未達50°。

本發明之態樣15係如態樣1至14中任一項之有機電致發光元件之製造方法，其中 將上述功能性油墨相對於上述撥液抗蝕膜之表面之接觸角設為θ4時，上述接觸角θ4與上述接觸角θ1之差為40°以上。

本發明之態樣16係如態樣1至15中任一項之有機電致發光元件之製造方法，其中 上述功能性油墨中所含之上述有機溶劑包含選自由苯甲酸酯系、萘衍生物、二苯基甲烷衍生物、芳香族醚系溶劑、苯衍生物、芳香族醚系溶劑及聯苯衍生物所組成之群中之兩種以上。

本發明之態樣17係如態樣1至16中任一項之有機電致發光元件之製造方法，其中 上述撥液抗蝕劑含有著色劑。

本發明之態樣18係一種有機電致發光元件，其係使用如態樣1至17中任一項之製造方法而製造。

本發明之態樣19係一種有機電致發光元件，其係於由堤部劃分之微小區域之開口部具備功能性膜者，上述堤部係使撥液抗蝕劑硬化而成者，且 將選自由Barrel Process Oil B-03、苯甲酸2-乙基己酯及苯甲酸苄酯所組成之群中之一種溶劑相對於藉由外部能量將上述堤部之上部表面剝離後之表面的接觸角設為θ3，將上述堤部之錐角設為θ2時，上述溶劑之至少一者滿足下述關係。 -8°＜θ2－θ3＜45° [發明之效果]

根據本發明之製造方法，可使由堤部包圍之區域內之功能性膜之膜厚之均一性變得良好。

以下，參照圖等對用以實施本發明之方式進行說明。以下所說明之實施方式係用以說明本發明之一實施方式，並不意圖限定本發明進行解釋，又，各實施方式中所說明之所有構成未必是解決本發明之問題之必要構成。

又，本說明書中，於將本發明之組合物用作自噴墨等噴嘴中噴出之油墨之情形時，有時將其稱為功能性油墨或簡稱為油墨。於將本發明之組合物用作自噴墨等噴嘴中噴出之油墨，且自噴嘴中噴出並塗佈於由堤部包圍之區域內之情形時，有時將由堤部包圍之區域內之油墨稱為液體、或液膜，有時將自噴嘴中噴出之油墨稱為液滴。

使由堤部包圍之區域內之液體乾燥，並使溶劑揮發，藉此使液膜之溶劑組成比發生變化所得者亦有時稱為液體或液膜。對本發明之組合物進行塗佈成膜，並使有機溶劑揮發而進行乾燥，從而獲得包含功能性材料之膜，將該膜稱為功能性膜或功能層。又，將包含有機化合物，且不包含溶劑或者使溶劑實質性地揮發而進行了乾燥之膜稱為有機膜。功能性膜係有機膜之一種。

本說明書中，堤部係指藉由一般之光微影法將使用感光性組合物所製膜之膜進行圖案化，成型為具有所劃分之微小區域(亦稱為像素)之膜而成之構造體。本構造體之所劃分之微小區域內由具有一定高度之堤部之壁面包圍，將該壁面全域稱呼為堤部側面。又，有時將以如上所述之目的所製造之感光性組合物簡稱為抗蝕劑。

於藉由濕式法來製造有機EL顯示器之大多數情形時，該堤部具有撥液性，具有防止所塗佈之功能性油墨溢出之功能。有時將用以製造此種具有撥液性之堤部之抗蝕劑稱為撥液抗蝕劑。又，將使用本撥液抗蝕劑進行製膜，且尤其不使用圖案化用光罩而進行曝光或顯影所製造之膜稱為撥液抗蝕膜。

本說明書中，芳香族雜基與芳香族雜環基同義，芳香族烴結構與芳香族烴環結構同義。

[有機電致發光元件之製造方法] 本發明係關於一種有機電致發光元件之製造方法，其依序包含以下步驟：於具有導電性電極圖案之基板上塗佈撥液抗蝕劑，藉由光微影法設置複數個微小區域之開口部；將包含至少一種功能性材料及至少一種有機溶劑之功能性油墨藉由印刷法塗佈於上述開口部；及藉由減壓乾燥使上述功能性油墨中所含之上述有機溶劑揮發；將上述功能性油墨中所含之全部有機溶劑中沸點最高之溶劑相對於用以測定接觸角之膜的接觸角設為θ1，將由上述撥液抗蝕劑以包圍開口部之方式所形成之堤部之錐角設為θ2時，滿足下述關係，該用以測定接觸角之膜係藉由外部能量將使上述撥液抗蝕劑硬化所獲得之撥液抗蝕膜之表面剝離而獲得。又，本發明亦關於一種有機電致發光元件，其係使用上述製造方法而製造。 -8°＜θ2－θ1＜45° 本說明書中，有時將功能性油墨中所含之全部有機溶劑中沸點最高之溶劑相對於用以測定接觸角之膜的接觸角稱為「接觸角θ1」，該用以測定接觸角之膜係藉由外部能量將使撥液抗蝕劑硬化所獲得之撥液抗蝕膜之表面剝離而獲得。同樣地，有時將堤部之錐角稱為「錐角θ2」。

＜接觸角θ1與錐角θ2之關係＞ 本發明人為了抑制堤部側面之自固定，而著眼於接觸角θ1與錐角θ2之關係。

實際而言，直接測定溶劑在堤部側面之接觸角較為困難，因此使用了藉由形成模擬之堤部側面來測定溶劑之接觸角之方法。 堤部側面係藉由對撥液抗蝕膜進行蝕刻而形成，故堤部側面之撥液成分因蝕刻而變少。因此，藉由外部能量將撥液抗蝕膜之表面剝離，將撥液抗蝕膜之最表面之撥液成分剝離，藉此再現出模擬之堤部側面。然後，將功能性油墨中所含之全部有機溶劑中沸點最高之溶劑相對於模擬之堤部側面之接觸角設為接觸角θ1進行評價。

錐角θ2係指藉由對撥液抗蝕膜進行蝕刻而形成為錐形之堤部中之堤部側面與基板所成之角。錐角θ2例如可藉由如下方式求出，如根據元件剖面之SEM圖像進行測定，或者根據利用光學干涉儀所獲得之膜厚測定值進行計算等。

結果發現了，藉由使用接觸角θ1與錐角θ2滿足下述關係之功能性油墨與堤部之組合，可提昇膜之均一性。 -8°＜θ2－θ1＜45°

根據堤部之形狀，有時於一個像素中存在複數個錐角θ2。於此種情形時，接觸角θ1與錐角θ2之上述關係較佳為在上述像素中之相對於堤部壁面整體而言出現比率最大之錐角中得到滿足。

＜接觸角θ1與接觸角θ4之關係＞ 就有將功能性油墨塗佈於微小區域時，油墨不溢出至相鄰之微小區域，而可將油墨塗佈於目標微小區域內之傾向之方面而言，即就功能性油墨之塗佈性之觀點而言，將功能性油墨相對於撥液抗蝕膜之表面之接觸角設為θ4時，接觸角θ4與接觸角θ1之差較佳為40°以上。 本說明書中，有時將功能性油墨相對於撥液抗蝕膜之表面之接觸角稱為「接觸角θ4」。

＜接觸角θ1與接觸角θ5之關係＞ 就功能性油墨之塗佈性之觀點而言，將功能性油墨中所含之全部溶劑相對於撥液抗蝕膜之表面之接觸角設為θ5時，接觸角θ5與接觸角θ1之差較佳為40°以上。 本說明書中，有時將功能性油墨中所含之全部溶劑相對於撥液抗蝕膜之表面之接觸角稱為「接觸角θ5」。

(平坦性U) 作為表示膜之均一性之指標，平坦度U由下述式(X)定義。 U(%)＝LF/LB×100 (X)

基於圖1對式(X)中之LB及LF進行說明。 LB表示開口部之長度(單位：μm)。即，LB係指將開口部之端部、即堤部101與基板102相接之部分彼此連結，且通過開口部之重心104之直線的長度。於存在複數個LB之情形時，將上述直線中最短之直線之長度設為LB。例如於開口部之形狀為長方形之情形時，LB與長方形之短邊之長度一致。

LF表示未厚至較下述50%LB下之平均膜厚超出15 nm之部分之長度(單位：μm)。以下，對LF之求出方法之例進行詳細敍述。再者，下述方法係LF之求出方法之一例，該方法並無限定，只要能夠求出相同主旨之LF即可。 (i)沿著用於定義LB之上述直線，製作功能性膜103之膜厚之輪廓。再者，輪廓可利用觸針式輪廓儀等來製作。 (ii)根據上述輪廓，求出用於定義LB之上述直線中具有LB之一半長度(圖1中之50%LB)且以開口部之重心104為中心之直線之範圍內的平均膜厚。 (iii)繼而，求出用於定義LB之上述直線之範圍中功能性膜103之膜厚未厚至相對於(ii)中所求出之平均膜厚超出15 nm之範圍的直線之長度作為LF。

(機制) 藉由使用接觸角θ1與錐角θ2滿足上述關係之功能性油墨與堤部之組合，可提昇膜之均一性的原因不一定明確。本發明人等基於下述機制，推測功能性膜既不為凸形狀亦不為凹形狀之功能性油墨中之溶劑之揮發係在上述接觸角θ1與錐角θ2之關係之範圍內達成。

堤部中之功能性油墨之乾燥方式根據錐角θ2而有所不同。錐角θ2越大，則在壁面附近油墨越容易乾燥，而發生自固定，因此，由於咖啡漬現象(coffee stain phenomenon)使得形狀容易成為凸形狀。 於對錐角θ2較大之堤部使用接觸角θ1較大之溶劑之情形時，在乾燥之最終階段殘存於堤部側面之油墨中之溶劑緩慢揮發，不易發生自固定。因此，不會發生咖啡漬現象，功能性膜不易成為凸形狀。 反之，若為錐角θ2較小之堤部，則不論是接觸角θ1較大之溶劑還是較小之溶劑，均不易發生在乾燥之最終階段殘存於堤部側面之油墨中之溶劑急遽揮發所導致之自固定，因此，不會發生咖啡漬現象，但由於與堤部相接之部分容易乾燥，故而功能性膜有成為凹形狀之傾向。若接觸角過大，則彎液面有變大之傾向，因此有利的是接觸角θ1較小。

＜撥液抗蝕劑＞ 本發明中之撥液抗蝕劑可使用正型或負型之任一種，但就撥液性之觀點而言，較佳為負型。負型撥液抗蝕劑中，較佳為含有(A)光聚合起始劑、(B)鹼可溶性樹脂、(C)光聚合性化合物、及(D)撥液劑之感光性組合物。

(A)光聚合起始劑 (A)光聚合起始劑係為了吸收紫外線，促進(C)光聚合性化合物之聚合反應而含有。本案中所使用之光聚合起始劑並無特別限定，但就適度地吸收曝光機之光源之波長350～400 nm之紫外線(I-光線)，促進聚合反應，提昇撥液性之理由而已，較佳為肟酯系光聚合起始劑。 例如可使用日本專利第4454067號公報、國際公開第2002/100903號、國際公開第2012/45736號、國際公開第2015/36910號、國際公開第2006/18973號、國際公開第2008/78678號、日本專利第4818458號公報、國際公開第2005/80338號、國際公開第2008/75564號、國際公開第2009/131189號、國際公開第2009/131189號、國際公開第2010/133077號、國際公開第2010/102502號、國際公開第2012/68879號中所記載之光聚合起始劑。

又，該光聚合起始劑之含有比率並無特別限定，於撥液抗蝕劑之總固形物成分中，通常為0.1重量%以上，較佳為1重量%以上，更佳為2重量%以上，進而較佳為3重量%以上，且通常為15重量%以下，較佳為10重量%以下，更佳為8重量%以下，進而較佳為5重量%以下。藉由設為上述下限值以上，有產生充分撥液性之傾向，又，藉由設為上述上限值以下，有顯影性變得良好之傾向。

(B)鹼可溶性樹脂 作為(B)鹼可溶性樹脂，只要為能夠利用鹼性顯影液進行顯影者，便無特別限定。作為鹼可溶性樹脂，可例舉具有羧基或羥基之各種樹脂，就顯影性優異之觀點而言，較佳為具有羧基者。又，就堤部側面之垂直性變得良好，抑制堤部之熱熔所導致之撥液劑之流出而容易保持撥液性等理由而已，較佳為具有乙烯性不飽和基之鹼可溶性樹脂。

(B)鹼可溶性樹脂之具體結構並無特別限定，較佳為環氧(甲基)丙烯酸酯樹脂(B1)及/或丙烯酸系共聚樹脂(B2)。 此處，環氧(甲基)丙烯酸酯樹脂(B1)係對主鏈具有芳香環之環氧樹脂加成具有乙烯性不飽和鍵(乙烯性雙鍵)之酸或酯化合物，進而加成多元酸或其無水物而成之樹脂。又進而，使上述反應中所獲得之樹脂之羧基進而與具有能夠反應之官能基之化合物進行反應而獲得之樹脂，亦包含於環氧(甲基)丙烯酸酯樹脂(B1)中。 例如可使用國際公開第2004/81621號、國際公開第2008/129986號、國際公開第2008/153000號、國際公開第2018/43746號、國際公開第2018/101314號、國際公開第2021/90836號中所記載之鹼可溶性樹脂。

本發明中可使用之撥液抗蝕劑中之(B)鹼可溶性樹脂之含有比率並無特別限定，相對於總固形物成分，通常為5重量%以上，較佳為10重量%以上，更佳為20重量%以上，進而較佳為30重量%以上，進而更佳為40重量%以上，尤佳為50重量%以上，又，通常為90重量%以下，較佳為80重量%以下，更佳為70重量%以下。藉由設為上述下限值以上，間隔壁之形狀變得良好，又，藉由設為上述上限值以下，有撥液性提昇之傾向。

(C)光聚合性化合物 認為(C)光聚合性化合物會提昇抗蝕膜之硬化性，且提昇撥液性。作為此處所使用之光聚合性化合物，並不特別限定於以下，意指於分子內具有1個以上乙烯性不飽和鍵之化合物，但就聚合性、交聯性、及可擴大伴隨其之曝光部與非曝光部之顯影液溶解性之差異等方面而言，較佳為於分子內具有2個以上乙烯性不飽和鍵之化合物，又，進而較佳為該不飽和鍵源自(甲基)丙烯醯氧基者、即(甲基)丙烯酸酯化合物。

作為光聚合性化合物，例如可例舉脂肪族聚羥基化合物與不飽和羧酸之酯；芳香族聚羥基化合物與不飽和羧酸之酯；藉由脂肪族聚羥基化合物、芳香族聚羥基化合物等多元羥基化合物、與不飽和羧酸及多元羧酸之酯化反應而獲得之酯；就撥液性之觀點而言，較佳為脂肪族聚羥基化合物與不飽和羧酸之酯。例如更佳為：二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、2-三(甲基)丙烯醯氧基甲基乙基鄰苯二甲酸、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯等。

本發明中可使用之撥液抗蝕劑中之(C)光聚合性化合物之含有比率並無特別限定，在總固形物成分中通常為1重量%以上，較佳為5重量%以上，更佳為10重量%以上，進而較佳為15重量%以上，且通常為80重量%以下，較佳為60重量%以下，更佳為40重量%以下，進而較佳為30重量%以下。藉由設為上述下限值以上，而有曝光時之間隔壁側面之垂直性變得良好之傾向，藉由設為上述上限值以下，而有顯影性變得良好之傾向。

(D)撥液劑 (D)撥液劑較佳為含有含氟原子樹脂，更佳為含有具有交聯基之含氟原子樹脂。藉由使用此種撥液劑，使得撥液抗蝕劑含有含氟原子樹脂或具有交聯基之含氟原子樹脂、較佳為含氟原子樹脂，其結果為，可對堤部之表面賦予撥液性。藉此，可防止在塗佈功能性油墨時相鄰之微小區域之油墨彼此發生混合。

作為交聯基，可例舉環氧基或乙烯性不飽和基，就抑制顯影液之撥液成分之流出之觀點而言，較佳為乙烯性不飽和基。藉由使用具有交聯基之撥液劑，可於對所形成之抗蝕膜進行曝光時使其表面之交聯反應加速，撥液劑不易因顯影處理而流出。其結果為，亦可使所獲得之堤部成為表現較高之撥液性者。又，藉由為含氟原子樹脂，該含氟原子樹脂在間隔壁之表面配向，有發揮防止功能性油墨之滲出或混合之作用之傾向。

氟原子例如可含有於氟烷基、氟烯基、氟伸烷基等中。其中，就撥液性、防止功能性油墨之滲出或混合之觀點而言，較佳為氟烷基、氟伸烷基，更佳為氟烷基。

又，撥液劑較理想為丙烯酸系共聚物。藉由為丙烯酸系共聚物，而有防止功能性油墨之滲出或混合之傾向。

(D)撥液劑之含有比率並無特別限定，相對於總固形物成分，通常為0.01重量%以上，較佳為0.1重量%以上，更佳為0.5重量%以上，又，通常為5重量%以下，較佳為3重量%以下，更佳為2重量%以下。藉由設為上述下限值以上，而有表示較高之撥液性之傾向，又，藉由設為上述上限值以下，而有可抑制向微小區域流出之傾向。

(E)著色劑 本發明中可使用之撥液抗蝕劑可含有(E)著色劑。藉由含有(E)著色劑，可獲得適度之光吸收性，尤其於在形成間隔壁等遮光構件之用途中使用時可獲得適度之遮光性。

本發明之撥液抗蝕劑中可使用之(E)著色劑之種類並無特別限定，可使用顏料，亦可使用染料。就耐久性、耐熱性之觀點而言，較佳為使用顏料。

可用作(E)著色劑之顏料之種類並無特別限定，就高介電常數、低介電常數之觀點而言，較佳為有機顏料。 作為有機顏料，可例舉有機著色顏料、有機黑色顏料。有機著色顏料意指呈現黑色以外之顏色之有機顏料，例如可例舉：紅色顏料、橙色顏料、藍色顏料、紫色顏料、綠色顏料、黃色顏料。作為有機黑色顏料，例如可例舉：苝系黑色顏料、苯胺系黑色顏料、苯并二呋喃酮系黑色顏料。 就抑制紫外線之吸收，硬化性較高，容易控制硬化物之形狀之觀點而言，較佳為使用有機著色顏料。就遮光性之觀點而言，較佳為使用有機黑色顏料。 (E)著色劑可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。

本發明中可使用之撥液抗蝕劑中之(E)著色劑之含有比率並無特別限定，相對於總固形物成分，較佳為5重量%以上，更佳為10重量%以上，進而較佳為15重量%以上，又，通常為40重量%以下，較佳為30重量%以下，更佳為25重量%以下。藉由設為上述下限值以上，而有間隔壁之遮光性變得良好之傾向，又，藉由設為上述上限值以下，而有撥液性提昇之傾向。

(其他添加劑) 除上述(A)成分之乙烯性不飽和化合物、(B)成分之光聚合起始劑、(C)成分之鹼可溶性黏合劑、(D)成分之撥液劑以外，可適當地調配界面活性劑、紫外線吸收劑、聚合抑制劑、抗氧化劑、顯影改良劑、矽烷偶合劑、環氧化合物、其他樹脂等。

又，撥液抗蝕劑可適當地在將各成分溶解或分散於溶劑中之狀態下使用。作為該溶劑，並無特別限制，例如可例舉以下所記載之有機溶劑。 如丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚之二醇單烷基醚類； 如二乙二醇乙基甲基醚、二乙二醇二乙醚之二醇二烷基醚類； 如丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、乙酸3-甲氧基丁酯之二醇烷基醚乙酸酯類； 1,3-丁二醇二乙酸酯、1,4-丁二醇二乙酸酯、1,6-己醇二乙酸酯等二醇二乙酸酯類； 乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、3-乙氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯等烷氧基羧酸類。 其等中，較佳為丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、乙酸3-甲氧基-1-丁酯。

＜撥液抗蝕膜之製膜＞ 通常，若製作撥液抗蝕膜，則(D)撥液劑分佈於膜之最表面，撥液成分幾乎不分佈於主體區域。因此，於藉由光微影法等對微小之開口部進行圖案化時之堤部側面，不存在撥液成分。另一方面，具有與通常之撥液堤部表面不同之性質之堤部側面係非常狹小之區域，難以在堤部側面上評價接觸角等各種物性。

本發明中，為了對如此幾乎未分佈有撥液成分之堤部側面上之接觸角進行評價，可將撥液抗蝕膜之最表面之撥液成分剝離，在抗蝕膜之最表面再現堤部側面之狀態，在該表面上測定接觸角，藉此模擬地進行測定困難之堤部側面上之物性評價。本說明書中，有時亦將此種用以測定接觸角之膜稱為「模擬堤部側面膜」。

＜錐角之測定＞ 經圖案化之撥液抗蝕膜之圖案部之錐角、即錐角θ2可藉由利用掃描式電子顯微鏡(SEM)進行測定而算出。此處，如圖2所示，錐角意指銳角部分之角度，該銳角部分係對利用SEM所拍攝之圖像上夾在描繪堤部之上表面之直線與描繪下表面之直線之間的斜面進行線性擬合所得之直線、與描繪堤部下表面之直線交叉而形成。本說明書中，將如此所獲得之錐角設為θ2。

作為本發明之一態樣，較佳為錐角θ2大於30°，且堤部之高度為1.9 μm以下。堤部緣邊之長度係由下述式(Y)而唯一地決定。 堤部緣邊之長度(μm)＝堤部之高度(μm)/tanθ2 (Y)

於表1中示出根據上述式(Y)所計算之對應於堤部之高度(μm)與錐角θ2(°)之組合的堤部緣邊之長度(μm)之值。 若高清則像素之寬度變小，因此堤部緣邊之長度較佳為3 μm以下。為了使堤部緣邊之長度落入3 μm以下，而容許堤部之高度達到1.7 μm，因此錐角θ2較佳為30°以上。同樣地，為了使堤部緣邊之長度落入3 μm以下，而容許錐角θ2達到40°，因此堤部之高度較佳為1.9 μm以下。

[表1]

表1
	錐角θ2/°
5	10	15	20	30	40
堤部之高度/μm	1.9	21.7	10.8	7.1	5.2	3.3	2.3
1.7	19.4	9.6	6.3	4.7	2.9	2.0
1.5	17.1	8.5	5.6	4.1	2.6	1.8
1.2	13.7	6.8	4.5	3.3	2.1	1.4

又，作為本發明之一態樣，錐角θ2較佳為未達70°。若θ2為70°以上，則平坦性極度降低，製成元件時可能發生斷線。因此，θ2更佳為60°以下。

作為本發明之一態樣，較佳為錐角θ2大於30°且未達70°，且堤部之高度為1.9 μm以下。上述θ2之範圍內之堤部之高度更佳為1.7 μm以下，進而較佳為1.5 μm以下。

＜撥液抗蝕膜之表面剝離＞ 關於撥液抗蝕膜之製膜，可使用旋轉塗佈法或模嘴塗佈法、棒式塗佈法、噴塗法、噴墨法等，較佳可使用旋轉塗佈法或模嘴塗佈法、噴墨法，進而較佳可使用旋轉塗佈法或模嘴塗佈法。又，撥液抗蝕膜之表面較佳為使用外部能量進行剝離。作為提供外部能量之方法，可例舉：UV/臭氧清洗法等UV/臭氧處理、或電漿蝕刻法等電漿處理、準分子UV法等準分子UV處理等。藉由外部能量進行之撥液抗蝕膜之表面之剝離較佳為藉由UV/臭氧處理、或電漿處理進行，更佳為藉由電漿蝕刻法進行。 較佳為藉由外部能量將撥液抗蝕膜之最表面剝離。本說明書中，撥液抗蝕膜之「表面」意指膜表面之包含分佈有撥液劑之區域及未分佈有撥液劑之區域兩者的區域，「最表面」僅意指分佈有撥液劑之區域。

本發明中，在撥液抗蝕膜表面、與藉由外部能量進行處理而將分佈有撥液劑之區域剝離後之撥液抗蝕膜表面，撥液性會產生差異，因此上述接觸角θ1與下述接觸角θ4、θ5之差有變大之傾向。

為了去除表面之撥液劑而接近側面之狀態，藉由外部能量對撥液抗蝕膜進行處理之時間較佳為30秒以上，進而較佳為45秒以上，最佳為60秒以上。另一方面，若實施長時間之表面處理，則表面之粗糙度增大，成為與堤部側面之狀態不同之狀態，因此藉由外部能量對撥液抗蝕膜進行處理之時間較佳為300秒以下，進而較佳為250秒以下，最佳為200秒以下。 於將藉由外部能量對撥液抗蝕膜進行處理之時間設為30秒以上300秒以下之情形時，接觸角測定之結果非常穩定，故較佳。

作為藉由外部能量對撥液抗蝕膜進行處理之一態樣，可例舉以下態樣：藉由外部能量將使撥液抗蝕劑硬化而成之堤部之上部表面剝離。

作為本發明之一態樣，較佳為將選自由Barrel Process Oil B-03(松村石油股份有限公司製造)、苯甲酸2-乙基己酯及苯甲酸苄酯所組成之群中之一種溶劑相對於藉由外部能量將堤部之上部表面剝離後之表面的接觸角設為θ3，將堤部之錐角設為θ2時，上述溶劑之至少一者滿足下述關係。 -8°＜θ2－θ3＜45° 本說明書中，有時將選自由Barrel Process Oil B-03、苯甲酸2-乙基己酯及苯甲酸苄酯所組成之群中之一種溶劑相對於藉由外部能量將堤部之上部表面剝離後之表面的接觸角稱為「接觸角θ3」。

作為本發明之一態樣，θ2與θ3之差未達45°，為了提昇均一性，較佳為40°以下，更佳為35°以下，且大於-8°，較佳為0°以上，更佳為5°以上，進而較佳為10°以上。

作為本發明之一態樣，接觸角θ3較佳為大於0°且未達78°，更佳為10°以上且未達50°，進而較佳為10°以上且未達30°。若接觸角θ3未達78°，則堤部側面部與開口部之中央部不易產生乾燥速度分佈差，不會產生較大之對流，平坦性變高，故較佳。

又，作為本發明之一態樣，可製作一種有機電致發光元件，其係於由堤部劃分之微小區域之開口部具備功能性膜者，上述堤部係使撥液抗蝕劑硬化而成者，將選自由Barrel Process Oil B-03、苯甲酸2-乙基己酯及苯甲酸苄酯所組成之群中之一種溶劑相對於藉由外部能量將堤部之上部表面剝離後之表面的接觸角設為θ3，將堤部之錐角設為θ2時，上述溶劑之至少一者滿足下述關係。 -8°＜θ2－θ3＜45°

上述有機電致發光元件中之θ2與θ3之差之較佳範圍如上所述。

＜接觸角＞ 本發明中之接觸角係指自正側面觀察於某一基板之上滴加液滴而成之圖像時，液滴之最表面與基板相接之點之液滴最表面之切線、與基板表面之角度。 只要無特別說明，接觸角之值係指於設定為23℃之環境下所測得之值，係指將滴加起0.1秒後之接觸角測定3次所得之平均值。

[功能性油墨] 根據本發明，本發明中所使用之功能性油墨包含至少一種功能性材料、及至少一種有機溶劑。功能性油墨較佳為包含至少兩種有機溶劑。 藉由包含至少兩種有機溶劑，可抑制自固定，可使彎液面變小，因此有膜厚之均一性提昇之傾向。又，能夠控制功能性材料之溶解性及油墨之乾燥速度，有如下傾向：於藉由減壓乾燥使有機溶劑揮發之步驟中，不易形成僅表面固化而形成之表層。

作為本發明之一態樣，將功能性油墨相對於撥液抗蝕膜之表面之接觸角設為θ4時，接觸角θ4與接觸角θ1之差較佳為40°以上，更佳為41°以上，進而較佳為43°以上，且較佳為80°以下，更佳為70°以下，進而較佳為60°以下。

作為本發明之一態樣，接觸角θ4較佳為45°以上，更佳為50°以上，進而較佳為60°以上。若接觸角θ4為45°以上，則有塗佈油墨向相鄰之微小區域之溢出降低之傾向，故較佳。

作為本發明之一態樣，將功能性油墨中所含之全部溶劑相對於撥液抗蝕膜之表面之接觸角設為θ5時，接觸角θ5與接觸角θ1之差較佳為40°以上，更佳為41°以上，進而較佳為43°以上，且較佳為80°以下，更佳為70°以下，進而較佳為60°以下。

作為本發明之一態樣，接觸角θ5較佳為45°以上，更佳為50°以上，進而較佳為60°以上。若接觸角θ5為45°以上，則功能性油墨之塗佈性提昇，故較佳。

＜有機溶劑＞ 以下，示出示例對可用於本發明之有機溶劑進行說明。

(有機溶劑之種類) 本發明中可使用之有機溶劑並無特別限制，為了使功能性材料有效地溶解，較佳為芳香族有機溶劑、鏈狀脂肪族有機溶劑、環狀脂肪族有機溶劑，更佳為芳香族有機溶劑、環狀脂肪族有機溶劑，進而較佳為芳香族有機溶劑。

作為本發明中可使用之芳香族有機溶劑，並無特別限定，較佳可例舉芳香族烴系溶劑、芳香族酯系溶劑、芳香族醚系溶劑、芳香族酮系溶劑等非水溶性芳香族系溶劑。

又，作為本發明之一態樣，將上述用以測定接觸角之膜之表面上功能性油墨中所含之全部有機溶劑中沸點最高之溶劑之接觸角設為θ1，將上述堤部之錐角設為θ2時，θ2與θ1之差未達45°，為了提昇均一性，較佳為40°以下，更佳為35°以下，且大於-8°，較佳為0°以上，更佳為5°以上，進而較佳為10°以上。

作為本發明之一態樣，θ2之較佳範圍大於30°且未達70°，因此θ1較佳為大於0°且未達78°，更佳為10°以上且未達50°，進而較佳為10°以上且未達30°。若θ1小於78°，則堤部與像素中央部不易產生乾燥速度分佈差，不會產生較大之對流，平坦性變高，故較佳。

作為芳香族烴系溶劑，較佳為：苯衍生物、萘衍生物、氫化萘衍生物、聯苯衍生物、二苯基甲烷衍生物。

作為苯衍生物，並無特別限定，較佳為取代基之總碳數為2以上12以下且具有直鏈或支鏈或環狀烷基作為取代之苯衍生物，可例舉：正乙基苯、1,3,5-三甲基苯、正丙基苯、異丙基苯、1,3-二異丙基苯、1,3,5-三異丙基苯、正丁基苯、第二丁基苯、第三丁基苯、正戊基苯、正己基苯、正庚基苯、正辛基苯、正壬基苯、正癸基苯、十二烷基苯、環己基苯等。

作為萘衍生物，並無特別限定，較佳為取代基之總碳數為2以上6以下且具有直鏈或支鏈或環狀烷基作為取代之萘衍生物，可例舉：1-甲基萘、2-甲基萘、1-乙基萘、2-乙基萘、2-異丙基萘、2,6-二甲基萘、2,7-二異丙基萘、1-丁基萘、2-環己基萘、1-苯基萘等。或者，亦可為1-萘甲醛等。

作為氫化萘衍生物，並無特別限定，例如可例舉萘滿、1,2-二氫萘、1,4-二氫萘等，其等亦可經碳數1～6之烷基取代。

作為聯苯衍生物，並無特別限定，較佳為經碳數1～6之烷基取代之聯苯衍生物，例如可例舉：3-乙基聯苯、4-異丙基聯苯、4-丁基聯苯等。

作為二苯基甲烷衍生物，並無特別限定，較佳為經碳數1～6之烷基取代之二苯基甲烷衍生物，例如可例舉：1,1-二苯基乙烷、1,1-二苯基戊烷、1,1-二苯基己烷、1,1-雙(3,4-二甲基苯基)乙烷、苄基甲苯等。

作為芳香族酯系溶劑，可例舉：苯甲酸酯系溶劑、苯基乙酸酯系溶劑、苯二甲酸酯系溶劑。

苯甲酸酯系溶劑係指具有苯甲酸與酯鍵之化合物，可使用可具有取代基之苯甲酸、與碳數1以上12以下之醇進行酯鍵結而成之化合物。作為可具有之取代基，較佳為碳數1以上12以下之直鏈或支鏈或環狀之烷基、碳數1以上12以下之直鏈或支鏈或環狀之烷氧基、碳數6以上12以下之芳香族系取代基，並無特別限定。該等取代基亦可為複數個，於複數個之情形時，較佳為作為取代基之總碳數2以上12以下。作為苯甲酸酯系溶劑，例如可例舉：苯甲酸乙酯、苯甲酸正丁酯、苯甲酸正戊酯、苯甲酸異戊酯、苯甲酸正己酯、苯甲酸2-乙基己酯、苯甲酸苄酯、4-甲基苯甲酸甲酯、3-甲基苯甲酸甲酯、2-甲基苯甲酸甲酯、4-甲基苯甲酸乙酯、3-甲基苯甲酸乙酯、2-甲基苯甲酸乙酯、4-甲氧基苯甲酸乙酯等。

作為苯基乙酸酯系溶劑，並無特別限定，可例舉苯基乙酸乙酯等。

作為苯二甲酸酯系溶劑，並無特別限定，可例舉：鄰苯二甲酸二甲酯、鄰苯二甲酸二乙酯、鄰苯二甲酸二丁酯。

作為其他較佳之芳香族酯系溶劑，可例舉：乙酸2-苯氧基乙酯、異丁酸2-苯氧基乙酯、等。

芳香族醚系溶劑係指具有芳香環與醚鍵之化合物，並無特別限定，可例舉如下所述者。 作為具有1個與碳數1以上12以下之直鏈或支鏈或環狀之烷基之醚鍵的苯衍生物，例如為苯甲醚、4-甲基苯甲醚、丁基苯基醚、己基苯基醚、二苯醚、苄基苯基醚、二苄醚； 作為經碳數1以上6以下之直鏈或支鏈之烷基取代之二苯醚衍生物，例如為2-苯氧基甲苯、3-苯氧基甲苯、4-苯氧基甲苯； 作為具有2個與碳數1以上6以下之直鏈或支鏈之烷基之醚鍵的苯衍生物，例如為1,4-二乙氧基苯、1-乙氧基-4-己氧基苯； 作為其他芳香族醚系溶劑，為2-苯氧基乙醇、苯氧基乙氧基乙醇：

芳香族酮系溶劑係指具有芳香環與酮結構之化合物，例如可例舉：1-乙醯基萘、苯丙酮、4'-乙基苯丙酮等。

功能性油墨中所含之有機溶劑較佳為包含選自由苯甲酸酯系、萘衍生物、二苯基甲烷衍生物、芳香族醚系溶劑、苯衍生物、芳香族醚系溶劑及聯苯衍生物所組成之群中之兩種以上。

再者，有機溶劑中可包含表面改質劑，以控制表面張力。藉由將表面改質劑少量添加至液體中，可於塗佈該液體後對液體表面、或塗佈而獲得之固體表面賦予功能性。作為此處所賦予之功能，可例舉：撥液性、非黏著性、潤濕性、平滑性、分散性、消泡性等。

作為可用作表面改質劑之材料，較佳為容易偏析至液體表面之材料，具體而言，可例舉含有矽或氟之材料(聚合物、低聚物、低分子)、石蠟或界面活性劑等。 此處所述之界面活性劑係指具有兩親媒性化學結構之物質，該兩親媒性化學結構具備具有親水性之部分(基)與具有疏水性之部分(基)，可用於分散劑或發泡劑、消泡劑、乳化劑、食品添加物、保濕劑、抗靜電劑、潤濕性提昇劑、潤滑劑、防銹劑等範圍廣泛之用途。 此種界面活性劑大致分為親水性部分為陽離子性、陰離子性、兩性者、與為非離子性者，本發明中，為了不妨礙有機電致發光元件內之通電，較佳為非離子性界面活性劑。

(沸點) 本發明中所使用之有機溶劑並無特別限定，較佳為沸點200℃以上之有機溶劑，更佳為沸點230℃以上之有機溶劑，進而較佳為沸點250℃以上之有機溶劑，最佳為沸點270℃以上之有機溶劑。又，較佳為沸點350℃以下，更佳為沸點340℃以下，進而較佳為沸點330℃以下。將本發明之功能性油墨中所含之全部有機溶劑中沸點最低之溶劑作為第1溶劑，將沸點最高之溶劑作為第2溶劑。

例如填充至噴墨頭中之油墨自噴嘴之前端開始乾燥，因此固形物成分濃度容易於噴嘴前端變高。若維持該狀態，則可能對噴墨裝置造成致命性損害，如固形物成分於噴嘴前端析出，最終導致噴嘴堵塞等。為了避免噴嘴堵塞所帶來之困擾，沸點最低之溶劑(第1溶劑)較佳為沸點200℃以上之有機溶劑，更佳為沸點230℃以上之有機溶劑，進而較佳為沸點250℃以上之有機溶劑，最佳為沸點270℃以上之有機溶劑。

另一方面，就製造有機電致發光元件之觀點而言，若不使有機溶劑揮發而獲得功能性膜，則無法製作元件，因此需要處於能夠利用減壓乾燥設備進行乾燥之沸點之範圍內。就此種觀點而言，第2溶劑之沸點較佳為350℃以下，進而較佳為340℃以下，進而較佳為330℃以下。

(蒸氣壓) 蒸氣壓係指溶劑之液相與氣相達到層平衡狀態之氣相之壓力，溶劑之沸點係溶劑之蒸氣壓之分壓與蒸氣壓相等之溫度。蒸氣壓能夠藉由靜止法、沸點法、等蒸汽壓儀(isoteniscope)、氣體流通法等實驗性方法而求出，本發明中之蒸氣壓意指25℃下之利用高級化學發展(ACD/實驗室)軟體V11.02(Advanced Chemistry Development(ACD/Labs) Software V11.02)(版權1994-2021 ACD/Labs)所計算出之蒸氣壓。

(所含有之有機溶劑之種類與數量) 本發明中所使用之有機溶劑可為一種之單一溶劑，更佳為使用兩種以上之混合溶劑。

於使用兩種以上之混合溶劑之情形時，為了在如上所述抑制噴墨頭之噴嘴前端之乾燥之同時兼顧成膜時之乾燥容易性，可使用沸點不同之兩種有機溶劑。為了不於噴墨頭噴嘴之前端乾燥，而發生噴嘴堵塞，較佳為包含沸點270℃以上之有機溶劑。又，沸點270℃以上之有機溶劑可為一種，亦可為兩種以上。為了使油墨不於噴嘴前端乾燥而發生噴嘴堵塞，沸點270℃以上之有機溶劑較佳為相對於組合物整體包含10重量%以上，更佳為包含15重量%以上，進而較佳為包含25重量%以上。

另一方面，可利用沸點較高之溶劑來抑制噴嘴前端之乾燥，因此為了確保油墨之乾燥性，可於剩餘之溶劑中包含沸點較低之有機溶劑。關於沸點較低之有機溶劑，較佳為沸點265℃以下，進而較佳為250℃以下。關於沸點較低之有機溶劑，可為一種，亦可為兩種以上，就輔助組合物之乾燥性之目的而言，較佳為相對於組合物整體包含30重量%以上，更佳為包含40重量%以上，進而較佳為包含50重量%以上。

又，於功能性油墨中所含之全部有機溶劑中沸點最高之有機溶劑之沸點、與除此以外之有機溶劑之沸點相對接近之情形時，可能導致乾燥過程中各個有機溶劑進行共沸，無法充分地發揮上述沸點最高之有機溶劑之功能。為了防止此種情況，功能性油墨中之具有最高沸點之有機溶劑之沸點、與上述功能性油墨中所含之全部有機溶劑中沸點最低之有機溶劑之沸點之差較佳為10℃以上，更佳為20℃以上，進而較佳為30℃以上。

上述具有θ1之接觸角之有機溶劑之含量相對於功能性油墨中所含之全部有機溶劑之總重量，較佳為1重量%以上，更佳為2重量%以上，最佳為5重量%以上。又，具有θ1之接觸角之有機溶劑之含量相對於功能性油墨中所含之全部有機溶劑之總重量，較佳為未達50重量%，更佳為未達40重量%，進而較佳為未達30重量%。 進而，具有θ1之接觸角之有機溶劑之含量相對於功能性油墨中所含之全部有機溶劑之總重量，較佳為1重量%以上且未達95重量%，更佳為2重量%以上且未達80重量%，進而較佳為5重量%以上且未達50重量%，最佳為5重量%以上且未達30重量%。藉由處於上述範圍內，而具有僅充分決定膜之平坦性之功能，又，可考慮溶解性等而適度地包含其他溶劑。

又，若混合溶劑中之有機溶劑之沸點相互接近，則該等有機溶劑會共沸，從而無法發揮高沸點溶劑之功能，因此具有接觸角θ1之有機溶劑之沸點、與上述功能性油墨中所含之全部有機溶劑中沸點最低之有機溶劑之沸點之差較佳為10℃以上，更佳為20℃以上，進而較佳為30℃以上。

再者，本發明中，溶劑之沸點係於大氣壓下所測得之值。

(有機溶劑之組合) 作為沸點較高之有機溶劑與沸點較低之有機溶劑之組合，分別較佳為可具有取代基之苯、可具有取代基之萘、可具有取代基之二苯基甲烷、可具有取代基之聯苯、苯甲酸酯、芳香族醚、芳香族酮中之任一種，但並無特別限定。

較佳為作為沸點較高之有機溶劑，可例舉：辛基苯、壬基苯、癸基苯、十二烷基苯、苯甲酸己酯、苯甲酸2-乙基己酯、苯甲酸苄酯、乙醯基萘、萘乙酸甲酯、萘乙酸乙酯、異丙基萘、二異丙基萘、丁基萘、戊基萘、甲氧基萘、鄰苯二甲酸二甲酯、鄰苯二甲酸二乙酯、乙基聯苯、異丙基聯苯、二異丙基聯苯、三異丙基聯苯、丁基聯苯、1,1-二苯基乙烷、1,1-二苯基丙烷、1,1-二苯基丁烷、1,1-二苯基戊烷、1,1-二苯基己烷、異丁酸2-苯氧基乙酯中之一種或兩種以上。

又，較佳為作為沸點較低之有機溶劑，可例舉：甲基萘、乙基萘、異丙基萘、苯甲酸乙酯、苯甲酸丙酯、苯甲酸丁酯、苯甲酸異丁酯、苯甲酸戊酯、苯甲酸異戊酯、甲苯甲酸甲酯、甲苯甲酸乙酯中之一種或兩種以上。

＜黏度＞ 關於本發明之功能性油墨，例如於考慮如填充至噴墨頭中而噴出之塗佈方式之情形時，23℃下之黏度較佳為1 mPa・s以上20 mPa・s以下。 一般而言，利用壓電元件之噴墨頭係將填充至頭內之油墨室中之組合物，以壓電元件之變形壓力進行擠出，因此若成為黏度超過20 mPa・s之組合物，則壓電元件之壓力變得不足，無法噴出。另一方面，就製作容易將油墨保持於頭內之組合物以使不自噴嘴進行滴液之觀點而言，組合物之黏度較佳為1 mPa・s以上。 本發明中，有機溶劑之黏度可使用E型黏度計RE85L(東機產業股份有限公司製造)，於23℃環境下，以錐板轉速20 rpm～100 rpm進行測定。

＜表面張力＞ 本發明之功能性油墨之表面張力較佳為25 mN/m以上，且較佳為45 mN/m以下。認為藉由使功能性油墨之表面張力處於該範圍內，能夠實現噴墨裝置之穩定噴出、或穩定成膜。於表面張力較低之功能性油墨之情形時，會相對於噴墨頭之噴嘴板非常良好地進行潤濕擴散，容易導致噴出不穩定或飛行偏移。又，於表面張力較低之情形時，所噴出之組合物未在適當之部位脫液，而容易伸長，亦容易成為衛星點等之主要原因。另一方面，若表面張力過高，則於塗佈至基板之像素部後之乾燥中容易發生由拉普拉斯壓力所引起之對流，膜形狀容易變得不穩定。

於混合兩種以上之有機溶劑之情形時，有機溶劑之表面張力之差較佳為20 mN/m以下，更佳為10 mN/m以下，進而較佳為5 mN/m以下。

本發明中之有機溶劑或功能性油墨之表面張力可於23.0℃之環境下，藉由使用鉑板之板提拉法、或使用接觸角儀DMо-501(協和界面科學股份有限公司製造)之懸滴法進行測定。

[其他成分] 本發明中，功能性油墨可包含除功能性材料與有機溶劑以外之成分，例如可包含抗氧化劑、或改變功能性油墨之物性之添加劑等。該等成分對於功能性油墨而言亦可能為決定保存穩定性、或自噴墨頭之噴出穩定性等之重要要素，但對功能性油墨原本之性能產生較大影響不妥，因此相對於功能性油墨整體，較佳為1重量%以下，更佳為0.1重量%以下，進而較佳為0.05重量%以下。

[功能性材料] 功能性材料係指具有電荷傳輸、電荷注入等功能、或提昇該等功能之材料。作為電荷傳輸，較佳為電洞傳輸性，作為電荷注入之功能，較佳為電洞注入性。具有提昇電荷傳輸性之功能之材料，係指具有使具有電荷傳輸性之其他材料之電荷傳輸性提昇之功能的材料。具有提昇電荷注入性之功能之材料，係指具有使具有電荷注入性之其他材料之電荷注入性提昇之功能的材料。例如藉由向電洞傳輸性材料中摻雜電子接受性材料，使得電子接受性材料使電洞傳輸性材料氧化而生成陽離子自由基，電洞傳輸性材料之電洞傳輸性及、或電洞注入性提昇。於該情形時，電子接受性材料係提昇電洞傳輸性材料之電洞傳輸性及、或電洞注入性之材料。

又，作為本發明中之功能性材料，較佳可使用下述電洞注入層用材料、或電洞傳輸層用材料，尤佳為電洞注入層用材料。 以下，例示具體例對本發明中可使用之功能性材料之詳情進行說明，但本發明之範圍並不限定於以下所說明之功能性材料。

＜電荷傳輸性化合物之分子量＞ 本發明中之電荷傳輸性化合物可為高分子化合物，亦可為低分子化合物，較佳為高分子化合物。

電荷傳輸性高分子化合物一般於高分子化合物之主鏈方向具有較大之電荷傳輸性能，因此越使平均分子量變大，越可實現穩定之電荷傳輸。為了確保傳輸電荷之功能，重量平均分子量通常為10,000以上，較佳為12,000以上，更佳為15,000以上。另一方面，重量平均分子量較大之高分子化合物具有製作油墨時之黏度變高之特徵，為了處於如上所述之較佳之黏度範圍內，重量平均分子量較佳為在一定程度上較小。具體而言，高分子化合物之重量平均分子量通常為1,000,000以下，較佳為500,000以下，更佳為100,000以下，進而較佳為70,000以下，尤佳為50,000以下。

關於電荷傳輸性低分子化合物，一般而言分子量為5,000以下，較佳為4,000以下，更佳為3,000以下，進而較佳為2,500以下，尤佳為2,000以下。另一方面，於成膜成一般之功能性膜時，藉由在一定溫度下進行烘烤使殘留之溶劑揮發，製作無雜質之功能性膜，而可作為有機電致發光元件充分地發揮功能。此時，若使用耐熱性較低之材料，則有產生膜之收縮或膜脫落等現象，而無法獲得平坦之膜之顧慮。就確保膜之耐熱性之觀點而言，電荷傳輸性低分子化合物之分子量較佳為500以上，更佳為650以上，進而較佳為800以上。

又，本發明之功能性油墨較佳為包含電子接受性化合物以提昇電荷傳輸性能。進而，本發明之功能性油墨較佳為包含至少一種電洞傳輸性化合物及至少一種電子接受性化合物作為功能性材料。

再者，本發明中之電荷傳輸性高分子化合物之重量平均分子量及數量平均分子量係藉由SEC(尺寸排除層析法)測定而確定。SEC測定中，越為高分子量成分，溶出時間越短，越為低分子量成分，溶出時間越長，藉由使用根據分子量已知之聚苯乙烯(標準試樣)之溶出時間所算出之校正曲線，將樣品之溶出時間換算成分子量，而算出重量平均分子量及數量平均分子量。

＜交聯基＞ 本發明中，為了避免電荷傳輸性低分子化合物溶出至進而塗佈於功能性膜之上層之組合物之溶劑中，較佳為該電荷傳輸性低分子化合物具有交聯基。於該情形時，為了僅使電荷傳輸性材料連鎖交聯而不溶出，1分子電荷傳輸性低分子化合物中所含之交聯基之數量較佳為2個以上。又，電荷傳輸性高分子化合物亦同樣地，1個重複單元中所含之交聯基之數量較佳為2個以上。進而，為了更確實地抑制電荷傳輸性高分子化合物之溶出，較佳為相對於分子量每10,000具有2個以上交聯基。

交聯基較佳為藉由光或熱等外力進行化學反應之取代基，交聯基之較佳例並不限定於以下，較佳為藉由熱進行交聯反應之熱交聯基。例如可例舉：源自苯并環丁烯環、萘并環丁烯環或氧雜環丁烷環之基、乙烯基、丙烯醯基、苯乙烯基等。再者，任意交聯基均可具有取代基，較佳為甲基、甲氧基等。 如上所述，本發明之功能性油墨較佳為包含具有交聯基之功能性材料。更佳為本發明之功能性油墨中所含之功能性材料全部具有交聯基。

[有機溶劑與功能性材料之含量] 本發明之功能性油墨中之功能性材料之含量並無特別限制，但為了實現對有機電致發光元件有利之功能性膜之膜厚，較佳為0.1重量%以上，更佳為0.5重量%以上，進而較佳為1.0重量%以上。又，就抑制在功能性油墨中之析出之觀點而言，較佳為20重量%以下，更佳為15重量%以下，進而較佳為10重量%以下。 因此，本發明之功能性油墨中之有機溶劑之含量較佳為99.9重量%以下，更佳為99.5重量%以下，進而較佳為99.0重量%以下，且較佳為80重量%以上，更佳為85重量%以上，進而較佳為90重量%以上。

本發明中，電荷傳輸性低分子化合物係為了使由堤部劃分之區域內之功能性膜之膜厚均一性變得良好而使用之材料，相對於全部功能性材料，較佳為10重量%以上，更佳為15重量%以上，進而較佳為20重量%以上。另一方面，若電荷傳輸性低分子化合物之含有率增多，則如上所述就耐熱性之觀點而言存在問題，故相對於全部功能性材料，較佳為75重量%以下，更佳為60重量%以下，進而較佳為50重量%以下。 又，本發明中，電荷傳輸性高分子化合物係主要用於電荷傳輸之材料，相對於全部功能性材料，較佳為20重量%以上，更佳為25重量%以上，進而較佳為30重量%以上。另一方面，若電荷傳輸性高分子化合物之含有率增多，則由於乾燥過程之增黏之影響而難以製膜出平坦之膜，因此相對於全部功能性材料，較佳為90重量%以下，更佳為85重量%以下，進而較佳為80重量%以下。 又，綜合考慮上述內容，低分子化合物與高分子化合物之含量比較佳為以重量比計為低分子化合物：高分子化合物＝1：0.3～3、尤其為1：1～2。

於本發明之功能性油墨含有電子接受性化合物之情形時，就使電荷傳輸性化合物產生載子，提昇導電性之觀點而言，電子接受性化合物相對於全部功能性材料，較佳為1重量%以上，更佳為3重量%以上，進而較佳為5重量%以上。另一方面，若過量地包含含有氟之電子接受性化合物，則功能性膜之表面能降低，難以進行積層塗佈，因此電子接受性化合物相對於全部功能性材料，較佳為50重量%以下，更佳為30重量%以下，進而較佳為20重量%以下。

又，至於電荷傳輸性化合物(較佳為電荷傳輸性高分子化合物與電荷傳輸性低分子化合物之合計)與電子接受性化合物之含量比，就上述觀點而言，較佳為以重量比計為電荷傳輸性化合物：電子接受性化合物＝1：0.01～1、尤其為1：0.05～0.2。

[功能性油墨之製備] 本發明中之功能性油墨可藉由以下方式製備：使功能性材料與有機溶劑混合，加溫一定時間使之溶解或分散。為了使功能性材料均勻地溶解或分散於溶劑內，加溫溫度較佳為80℃以上，更佳為90℃以上，進而較佳為100℃以上、例如100～115℃。又，加溫時間較佳為30分鐘以上，更佳為45分鐘以上，進而較佳為60分鐘以上、例如60～180分鐘。

加溫後之功能性油墨係使用膜濾器或深度過濾器等進行過濾，去除粗大粒子後使用。考慮到自噴墨頭之噴嘴中噴出並塗佈功能性油墨，過濾器之孔徑較佳為0.5 μm以下，更佳為0.2 μm以下，進而較佳為0.1 μm以下。

[藉由濕式成膜法進行之成膜] 本發明之組合物可於有機電致發光元件之製造中，良好地用於形成功能性膜。有機電致發光元件之構成如下所述。

本發明中之有機電致發光元件通常於設置有電極之基板上，在由具有撥液性之被稱為間隔壁層(堤部)之間隔壁劃分之微小區域內具有發光像素。向由該間隔壁層劃分之微小區域內噴出本發明之功能性油墨，並進行乾燥，進行適當加熱，藉此形成功能性膜。

噴出方法係自微小之噴嘴中噴出較由間隔壁層劃分之微小區域更小之液滴之方法，較佳為藉由噴出複數個液滴，而使由間隔壁層劃分之微小區域中充滿本發明之功能性油墨。作為噴出方法，較佳為噴墨法。

濕式成膜法中，使由堤部劃分之微小區域中充滿功能性油墨後，藉由適當之方法使溶劑揮發、乾燥，而獲得功能性膜。揮發、乾燥之方法並不限定於以下，有加熱乾燥或減壓乾燥。例如減壓乾燥係於能夠開啟及關閉之金屬製或玻璃製之真空腔室內配置塗佈有組合物之基板，利用真空泵等對腔室內之環境進行減壓，藉此使溶劑揮發。真空泵通常可使用旋轉油泵或機械增壓泵、乾式渦旋泵、乾式羅茨泵(dry roots pump)、渦輪分子泵、低溫泵等。

至於對功能性油墨中所含之有機溶劑進行減壓乾燥之時間，為了適度地歷時一定時間降低功能性油墨之接腳位置，且使有機溶劑不會太長時間持續觸碰堤部，較佳為1分鐘以上且未達15分鐘，更佳為2分鐘以上且未達12分鐘，進而較佳為3分鐘以上且未達10分鐘。

若本發明中之有機溶劑之沸點處於較佳範圍內，則能夠使用上述泵使其充分揮發，但有時會繼而進行加熱乾燥，以便進一步使微量之殘留溶劑充分乾燥。進而，有時亦進行加熱，以使電荷傳輸性高分子化合物、低分子化合物、及電子接受性化合物(存在時)等功能性材料所具有之交聯基彼此交聯。加熱步驟(以下，亦稱為焙燒步驟)能夠兼作乾燥、及用以交聯之加熱。就節省步驟數之觀點而言，亦較佳為加熱乾燥兼作用以交聯之加熱、即藉由加熱來進行乾燥及交聯。加熱溫度較佳為設為功能性膜不會結晶化或凝集之溫度及時間。

功能性材料之加熱溫度通常為80℃以上，較佳為100℃以上，進而較佳為150℃以上，更佳為200℃以上，且通常為300℃以下，較佳為270℃以下，進而較佳為240℃以下。加熱時間通常為1分鐘以上，較佳為3分鐘以上，更佳為5分鐘以上，且通常為120分鐘以下，較佳為90分鐘以下，更佳為60分鐘以下。

加熱可藉由加熱板、烘箱、紅外線照射等實施。關於直接賦予分子振動之紅外線照射時之加熱時間，接近上述下限之時間便足以，於基板與熱源直接相接或熱源與基板被配置成極其接近之加熱板加熱之情形時，則需要較紅外線照射更長之時間。於烘箱加熱之情形時，即於利用烘箱內之氣體、通常為空氣或氮氣或者氬氣等惰性氣體進行加熱之情形時，由於溫度上升需要時間，故而較佳為接近上述加熱時間之上限之加熱時間。根據加熱方法而適當調整加熱時間。

該加熱步驟重要的是如使電荷傳輸性高分子化合物及低分子化合物等功能性材料所具有之交聯基彼此進行交聯反應之條件，因此，加熱溫度較佳為本發明之電荷傳輸性高分子化合物、低分子化合物、及電子接受性化合物(存在時)等所具有之交聯基之交聯起始溫度以上。

通常，於使功能性油墨中之溶劑揮發而進行乾燥之過程中，堤部側面之功能性油墨之接腳位置下降。然而，若乾燥過早，則不存在充分時間來使接腳位置降低，可能無法充分地發揮本發明之效果。因此，直至供進行減壓乾燥之真空腔室內環境之壓力低於本發明之功能性油墨中所含之有機溶劑中蒸氣壓最低之有機溶劑之蒸氣壓為止的時間較佳為60秒以上。另一方面，若功能性油墨與堤部側面持續接觸，則產生形成堤部之材料自堤部向該功能性油墨之有機溶劑中緩慢溶出之問題。因此，直至供進行減壓乾燥之真空腔室內環境之壓力達到低於本發明之功能性油墨中所含之有機溶劑中蒸氣壓最低之有機溶劑之蒸氣壓之壓力為止的時間較佳為900秒以下。

[功能性膜] 由本發明之功能性油墨所形成之功能性膜較佳為由作為功能性材料之電荷傳輸性高分子化合物及低分子化合物所具有之交聯基彼此進行交聯而成之膜。 功能性膜中所含之功能性材料通常為70重量%以上，較佳為80重量%以上，進而較佳為90重量%以上，尤佳為95重量%以上，最佳為實質上為100重量%，上限為100重量%。實質上為100重量%係有時在功能性膜中包含微量之添加劑、殘留溶劑及雜質。藉由功能性膜中之功能性材料之含量處於該範圍內，可更有效地表現功能性材料之功能。

[有機電致發光元件之層構成及形成方法] 參照圖3對使用本發明之製造方法所製造之有機電致發光元件(以下，有時稱為「本發明之有機電致發光元件」)之層構成及其形成方法之實施方式之較佳例進行說明。

圖3係表示本發明之有機電致發光元件10之構造例之剖面模式圖。圖3中，1表示基板，2表示陽極，3表示電洞注入層，4表示電洞傳輸層，5表示發光層，6表示電洞阻擋層，7表示電子傳輸層，8表示電子注入層，9表示陰極。

本發明之有機電致發光元件係以陽極、發光層及陰極作為必須構成層，但視需要，如圖3所示，亦可於陽極2與發光層5及陰極9與發光層5之間具有其他功能層。

[基板] 基板1係成為有機電致發光元件之支持體者。作為基板1，可使用石英或玻璃之板、金屬板或金屬箔、塑膠膜或片材等。尤佳為玻璃板；聚酯、聚甲基丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚碸等透明合成樹脂之板。於使用合成樹脂基板之情形時，較佳為注意阻氣性。由於不易因通過基板之外部氣體而發生有機電致發光元件之劣化，故而基板之阻氣性較佳為較大。因此，於合成樹脂基板之至少單面設置緻密之氧化矽膜等而確保阻氣性之方法亦為較佳方法之一。

[陽極] 陽極2係發揮向發光層5側之層注入電洞之作用之電極。 陽極2通常包含鋁、金、銀、鎳、鈀、鉑等金屬；或該等金屬與銦、銅、碲、鈀、或鋁組合而成之合金；銦及/或錫之氧化物等金屬氧化物；碘化銅等鹵化金屬；碳黑；或者聚(3-甲基噻吩)、聚吡咯、聚苯胺等導電性高分子等。

一般而言，陽極2之形成在大多數情況下藉由濺鍍法、真空蒸鍍法等方法而進行。 於使用銀等金屬微粒子、碘化銅等之微粒子、碳黑、導電性金屬氧化物微粒子、導電性高分子微粉末等來形成陽極2之情形時，使該等微粒子等分散於適當之黏合劑樹脂溶液中，並塗佈於基板1上，藉此亦可形成陽極2。 於導電性高分子之情形時，亦可藉由電解聚合於直接基板1上形成薄膜。 亦可於基板1上塗佈導電性高分子而形成陽極2(Appl. Phys. Lett., 60卷, 2711頁, 1992年)。

陽極2通常為單層構造，亦可視需要製作包含複數種材料之積層構造。

陽極2之厚度只要根據所需透明性等適當選擇即可。於需要透明性之情形時，較佳為將可見光之透過率設為通常為60%以上、較佳為80%以上。於該情形時，陽極2之厚度通常為5 nm以上，較佳為10 nm以上，且通常為1000 nm以下，較佳為500 nm以下左右。於可不透明之情形時，陽極2之厚度並無限制。亦可使用兼具陽極2之功能之基板1。亦能夠於上述陽極2之上積層不同之導電材料。

為了去除附著於陽極2之雜質，調整游離電位，提高電洞注入性，較佳為對陽極2表面進行紫外線(UV)/臭氧處理，或進行氧電漿、氬電漿處理。

[像素分隔層(間隔壁層)] 本發明包括以下步驟：於具有導電性電極圖案之基板上塗佈撥液抗蝕劑，藉由光微影法設置複數個微小區域之開口部。 作為塗佈撥液抗蝕劑之方法，可例舉於該基板上，使用輥式塗佈機、反向塗佈機、棒式塗佈機、旋轉塗佈機(旋轉式塗佈裝置)、模嘴塗佈機、噴墨等之塗佈裝置之方法。視需要藉由乾燥而去除溶劑，從而形成具有撥液性之抗蝕劑層。

繼而，於曝光步驟中，利用光罩，對撥液抗蝕劑照射紫外線、準分子雷射光等活性能量線，根據像素分隔層之圖案局部地對撥液抗蝕劑進行曝光。作為藉由紫外線照射進行之曝光，可使用高壓水銀燈、超高壓水銀燈、氙氣燈、碳弧燈等發出紫外線之光源。曝光量亦根據感光性樹脂組合物之組成而有所不同，例如較佳為10～400 mJ/cm ²左右。 於負型撥液抗蝕劑之情形時，該光罩藉由使用將10～500 μm之遮光部配置成線狀、或長方形狀之光罩，可設置具有複數個10～500 μm之微小區域之開口的圖案。 繼而，於顯影步驟中，藉由對根據像素分隔層之圖案而曝光之撥液抗蝕劑進行顯影，而形成圖案。顯影方法並無特別限定，可使用浸漬法、噴霧法等。作為顯影液之具體例，可例舉：二甲基苄胺、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺等有機系者、或氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、氨、四級銨鹽等之水溶液。又，亦可於顯影液中添加消泡劑或界面活性劑。

然後，對顯影後之撥液抗蝕劑實施後烘烤而進行加熱硬化，藉此獲得像素分隔層。後烘烤較佳為於150～250℃下進行15～60分鐘。

對於圖案形成後之基板表面，為了去除抗蝕劑之塗佈或光微影法所產生之殘渣等，而使用外部能量進行處理。作為外部能量，較佳為紫外線(UV)/臭氧、氧電漿、電漿等。

就膜厚之均一性之觀點而言，介隔微小區域之開口部而相鄰之間隔壁層(堤部)各自之錐角較佳為大致相同角度。此處，大致相同角度係指各個錐角之差為5°以下，較佳為3°以下，更佳為1°以下，進而較佳為0°。

[電洞注入層] 電洞注入層3係自陽極2向發光層5傳輸電洞之層。於設置電洞注入層3之情形時，電洞注入層3通常形成於陽極2上。

電洞注入層3之形成方法可為真空蒸鍍法，亦可為濕式成膜法，並無特別限制。電洞注入層3就減少暗點之觀點而言，較佳為藉由濕式成膜法而形成。 電洞注入層3之膜厚處於通常為5 nm以上、較佳為10 nm以上、且通常為1000 nm以下、較佳為500 nm以下之範圍內。

＜電洞傳輸性材料＞ 電洞注入層形成用組合物通常含有電洞傳輸性材料及溶劑作為電洞注入層3之構成材料。

電洞傳輸性材料通常只要為用於有機電致發光元件之電洞注入層3之具有電洞傳輸性之化合物即可，既可為聚合物等高分子化合物，又可為單體等低分子化合物，較佳為高分子化合物。再者，於將本發明之應用範圍應用於電洞注入層3之情形時，組合物之特徵在於包含至少一種重量平均分子量10,000以上之具有交聯基之電洞傳輸性高分子材料、至少一種分子量5,000以下之具有交聯基之電洞傳輸性低分子材料、及至少一種芳香族有機溶劑。

作為電洞傳輸性材料，就自陽極2向電洞注入層3之電荷注入障壁之觀點而言，較佳為具有4.5 eV～6.0 eV之游離電位之化合物。作為電洞傳輸性材料之例，可例舉：芳香族胺衍生物、酞菁衍生物、卟啉衍生物、寡聚噻吩衍生物、聚噻吩衍生物、苄基苯基衍生物、以茀基連結三級胺所得之化合物、腙衍生物、矽氮烷衍生物、矽烷胺衍生物、磷胺衍生物、喹吖酮衍生物、聚苯胺衍生物、聚吡咯衍生物、聚苯乙炔衍生物、聚噻吩乙炔衍生物、聚喹啉衍生物、聚喹㗁啉衍生物、碳等。

本發明中，關於衍生物，例如以芳香族胺衍生物為例，衍生物係指包含芳香族胺本身及以芳香族胺作為主骨架之化合物者，可為聚合物，亦可為單體。

用作電洞注入層3之材料之電洞傳輸性材料可單獨含有此種化合物中之任一種，亦可含有兩種以上。於含有兩種以上電洞傳輸性材料之情形時，其組合並無限制，較佳為併用芳香族三級胺高分子化合物一種或兩種以上、與其他電洞傳輸性材料一種或兩種以上。

作為電洞傳輸性材料，上述例示中，就非晶質性、可見光之透過率之方面而言，較佳為芳香族胺化合物，尤佳為芳香族三級胺化合物。芳香族三級胺化合物係指具有芳香族三級胺構造之化合物，亦包含具有源自芳香族三級胺之基之化合物。

芳香族三級胺化合物之種類並無特別限制，就表面平滑化效果所帶來之均勻之發光之方面而言，進而較佳為重量平均分子量為1000以上1000000以下之高分子化合物(重複單元相連之聚合型化合物)。作為芳香族三級胺高分子化合物之較佳例，可例舉具有下述式(1)或下述式(11)所表示之重複單元之高分子化合物。

[化1]

(式(1)中，Ar ³表示可具有取代基之芳香族烴基或芳香族雜環基，Ar ⁴表示可具有取代基之二價芳香族烴基或二價芳香族雜環基、或者該芳香族烴基及芳香族雜環基直接或經由連結基連結複數個而成之二價基)

上述式(1)中，芳香族烴基及芳香族雜環基經由連結基連結複數個而成者之情形時之連結基係二價連結基，例如可例舉將選自-O-基、-C(=O)-基及(可具有取代基之)-CH ₂-基中之基以任意順序連結1～30個、較佳為1～5個、進而較佳為1～3個而成之基。 連結基中，就向發光層注入電洞之方面優異而言，式(1)中之Ar ⁴較佳為經由下述式(2)所表示之連結基連結複數個而成之芳香族烴基或芳香族雜環基。

[化2]

(式(2)中， y1表示1～10之整數， R ⁸及R ⁹分別獨立地表示氫原子或可具有取代基之烷基、芳香族烴基、或芳香族雜環基， 於存在複數個R ⁸、R ⁹之情形時，可相同亦可不同)

[化3]

上述式(11)中，x1、x2、x3、x4、x5、x6分別獨立地表示0以上之整數。其中，x3＋x4≧1。Ar ¹¹、Ar ¹²、Ar ¹⁴分別獨立地表示可具有取代基之碳數30以下之二價芳香環基。Ar ¹³表示可具有取代基之碳數30以下之二價芳香環基或下述式(12)所表示之二價基，Q ¹¹、Q ¹²分別獨立地表示氧原子、硫原子、可具有取代基之碳數6以下之烴鏈，S ¹～S ⁴分別獨立地由下述式(13)所表示之基表示。 再者，此處所述之芳香環基意指芳香族烴基及芳香族雜環基。

作為Ar ¹¹、Ar ¹²、Ar ¹⁴之芳香環基之例，可例舉單環、2～6縮合環或該等芳香環連結2個以上而成之基。作為單環或2～6縮合環之芳香環基之具體例，可例舉源自苯環、萘環、蒽環、菲環、苝環、稠四苯環、芘環、苯并芘環、環、聯三伸苯環、苊環、螢蒽環、茀環、聯苯基、聯三苯基、聯四苯基、呋喃環、苯并呋喃環、噻吩環、苯并噻吩環、吡咯環、吡唑環、咪唑環、㗁二唑環、吲哚環、咔唑環、吡咯并咪唑環、吡咯并吡唑環、吡咯并吡咯環、噻吩并吡咯環、噻吩并噻吩環、呋喃并吡咯環、呋喃并呋喃環、噻吩并呋喃環、苯并異㗁唑環、苯并異噻唑環、苯并咪唑環、吡啶環、吡𠯤環、嗒𠯤環、嘧啶環、三𠯤環、喹啉環、異喹啉環、㖕啉環、喹㗁啉環、啡啶環、苯并咪唑環、呸啶環、喹唑啉環、喹唑啉酮環或薁環之二價基。其中，就效率良好地使負電荷非定域化之方面，及穩定性、耐熱性優異之方面而言，較佳為源自苯環、萘環、茀環、吡啶環或咔唑環之二價基或者聯苯基。 作為Ar ¹³之芳香環基之例，與Ar ¹¹、Ar ¹²、Ar ¹⁴之情形相同。

[化4]

上述式(12)中，R ¹¹表示烷基、芳香環基或包含碳數40以下之烷基與芳香環基之三價基，其等可具有取代基。R ¹²表示烷基、芳香環基或包含碳數40以下之烷基與芳香環基之二價基，其等可具有取代基。Ar ³¹表示一價芳香環基、或一價交聯基，該等基可具有取代基。x7表示1～4。於x7為2以上之情形時，複數個R ¹²可相同亦可不同，複數個Ar ³¹可相同亦可不同。星號(＊)表示與式(11)之氮原子之鍵結鍵。

作為R ¹¹之芳香環基，較佳為作為碳數3以上30以下之單環或縮合環之1個芳香環基、或其等連結2～6個而成之基，作為具體例，可例舉源自苯環、茀環、萘環、咔唑環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環及其等連結2～6個而成之基之三價基。 作為R ¹¹之烷基，較佳為碳數1以上12以下之包含直鏈、支鏈、或環之烷基，作為具體例，可例舉源自甲烷、乙烷、丙烷、異丙烷、丁烷、異丁烷、戊烷、己烷、辛烷之基等。 作為R ¹¹之包含碳數40以下之烷基與芳香環基之基，較佳可例舉由碳數1以上12以下之包含直鏈、支鏈、或環之烷基、與作為碳數3以上30以下之單環或縮合環之芳香環基連結1個或2～6個而成之基。

作為R ¹²之芳香環基之具體例，可例舉源自苯環、茀環、萘環、咔唑環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環及其等連結而成之碳數30以下之連結環的二價基。 作為R ¹²之烷基之具體例，可例舉源自甲烷、乙烷、丙烷、異丙烷、丁烷、異丁烷、戊烷、己烷、辛烷之二價基等。

作為Ar ³¹之芳香環基之具體例，可例舉源自苯環、茀環、萘環、咔唑環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環及其等連結而成之碳數30以下之連結環的一價基。

作為式(12)之較佳結構之例，可例舉以下結構，作為R ¹¹之部分結構之下述結構中之主鏈之苯環或茀環可進而具有取代基。

[化5]

作為Ar ³¹之交聯基之例，可例舉：源自苯并環丁烯環、萘并環丁烯環或氧雜環丁烷環之基、乙烯基、丙烯醯基等。就化合物之穩定性方面而言，較佳為源自苯并環丁烯環或萘并環丁烯環之基。

[化6]

上述式(13)中，x、y表示0以上之整數。Ar ²¹、Ar ²³分別獨立地表示二價芳香環基，該等基可具有取代基。Ar ²²表示可具有取代基之一價芳香環基，R ¹³表示烷基、芳香環基、或包含烷基與芳香環基之二價基，其等可具有取代基。Ar ³²表示一價芳香環基或一價交聯基，該等基可具有取代基。星號(＊)表示與式(11)之氮原子之鍵結鍵。

作為Ar ²¹、Ar ²³之芳香環基之例，與Ar ¹¹、Ar ¹²、Ar ¹⁴之情形相同。

作為Ar ²²、Ar ³²之芳香環基之例，可例舉單環、2～6縮合環或該等芳香環連結2個以上而成之基。作為具體例，可例舉源自苯環、萘環、蒽環、菲環、苝環、稠四苯環、芘環、苯并芘環、環、聯三伸苯環、苊環、螢蒽環、茀環、聯苯基、聯三苯基、聯四苯基、呋喃環、苯并呋喃環、噻吩環、苯并噻吩環、吡咯環、吡唑環、咪唑環、㗁二唑環、吲哚環、咔唑環、吡咯并咪唑環、吡咯并吡唑環、吡咯并吡咯環、噻吩并吡咯環、噻吩并噻吩環、呋喃并吡咯環、呋喃并呋喃環、噻吩并呋喃環、苯并異㗁唑環、苯并異噻唑環、苯并咪唑環、吡啶環、吡𠯤環、嗒𠯤環、嘧啶環、三𠯤環、喹啉環、異喹啉環、㖕啉環、喹㗁啉環、啡啶環、苯并咪唑環、呸啶環、喹唑啉環、喹唑啉酮環或薁環之一價基。其中，就效率良好地使負電荷非定域化之方面，及穩定性、耐熱性優異之方面而言，較佳為源自苯環、萘環、茀環、吡啶環或咔唑環之一價基或者聯苯基。

作為R ¹³之烷基或芳香環基之例，與R ¹²相同。

Ar ³²之交聯基並無特別限定，作為較佳例，可例舉：源自苯并環丁烯環、萘并環丁烯環或氧雜環丁烷環之基、乙烯基、丙烯醯基等。

上述Ar ¹¹～Ar ¹⁴、R ¹¹～R ¹³、Ar ²¹～Ar ²³、Ar ³¹～Ar ³²、Q ¹¹、Q ¹²均只要不違反本發明之主旨，便可進而具有取代基。作為取代基之分子量，較佳為400以下，其中，更佳為250以下。取代基之種類並無特別限制，例如可例舉選自下述取代基群W中之一種或兩種以上。

[取代基群W] 甲基、乙基等碳數為1以上、且較佳為10以下、進而較佳為8以下之烷基；乙烯基等碳數為2以上、且較佳為11以下、進而較佳為5以下之烯基；乙炔基等碳數為2以上、且較佳為11以下、進而較佳為5以下之炔基；甲氧基、乙氧基等碳數為1以上、且較佳為10以下、進而較佳為6以下之烷氧基；苯氧基、萘氧基、吡啶氧基等碳數為4以上、較佳為5以上、且較佳為25以下、進而較佳為14以下之芳氧基；甲氧基羰基、乙氧基羰基等碳數為2以上、且較佳為11以下、進而較佳為7以下之烷氧基羰基；二甲胺基、二乙胺基等碳數為2以上、且較佳為20以下、進而較佳為12以下之二烷基胺基；二苯基胺基、二甲苯基胺基、N-咔唑基等碳數為10以上、較佳為12以上、且較佳為30以下、進而較佳為22以下之二芳基胺基；苯甲基胺基等碳數為6以上、進而較佳為7以上、且較佳為25以下、進而較佳為17以下之芳烷基胺基；乙醯基、苯甲醯基等碳數為2以上、且較佳為10以下、進而較佳為7以下之醯基；氟原子、氯原子等鹵素原子；三氟甲基等碳數為1以上、且較佳為8以下、進而較佳為4以下之鹵烷基；甲硫基、乙硫基等碳數為1以上、且較佳為10以下、進而較佳為6以下之烷硫基；苯硫基、萘硫基、吡啶硫基等碳數為4以上、較佳為5以上、且較佳為25以下、進而較佳為14以下之芳硫基；三甲基矽烷基、三苯基矽烷基等碳數為2以上、較佳為3以上、且較佳為33以下、進而較佳為26以下之矽烷基；三甲基矽烷氧基、三苯基矽烷氧基等碳數為2以上、較佳為3以上、且較佳為33以下、進而較佳為26以下之矽烷氧基；氰基；苯基、萘基等碳數為6以上、且較佳為30以下、進而較佳為18以下之芳香族烴基；噻吩基、吡啶基等碳數為3以上、較佳為4以上、且較佳為28以下、進而較佳為17以下之芳香族雜環基。

上述取代基群W中，就提昇溶解性之觀點而言，較佳為烷基或烷氧基，就電荷傳輸性及穩定性之觀點而言，較佳為芳香族烴基或芳香族雜環基。

尤其是具有式(11)所表示之重複單元之高分子化合物中，具有下述式(14)所表示之重複單元之高分子化合物會使電洞注入、傳輸性變得非常高，故較佳。

[化7]

上述式(14)中，R ²¹～R ²⁵分別獨立地表示任意取代基。R ²¹～R ²⁵之取代基之具體例與上述[取代基群W]中所記載之取代基相同。 s、t分別獨立地表示0以上5以下之整數。 u、v、w分別獨立地表示0以上4以下之整數。

作為芳香族三級胺高分子化合物之較佳例，可例舉包含下述式(15)及/或式(16)所表示之重複單元之高分子化合物。

[化8]

上述式(15)、式(16)中，Ar ⁴⁵、Ar ⁴⁷及Ar ⁴⁸分別獨立地表示可具有取代基之一價芳香族烴基或可具有取代基之一價芳香族雜環基。Ar ⁴⁴及Ar ⁴⁶分別獨立地表示可具有取代基之二價芳香族烴基、或可具有取代基之二價芳香族雜環基。R ⁴¹～R ⁴³分別獨立地表示氫原子或任意取代基。

Ar ⁴⁵、Ar ⁴⁷及Ar ⁴⁸之具體例、較佳例、可具有之取代基之例及較佳之取代基之例與Ar ²²相同，Ar ⁴⁴及Ar ⁴⁶之具體例、較佳例、可具有之取代基之例及較佳之取代基之例與Ar ¹¹、Ar ¹²及Ar ¹⁴相同。作為R ⁴¹～R ⁴³，較佳為氫原子或上述[取代基群W]中所記載之取代基，進而較佳為氫原子、烷基、烷氧基、胺基、芳香族烴基或芳香族雜環基。

以下，例舉能夠應用於本發明中之式(15)、式(16)所表示之重複單元之較佳之具體例，但本發明並不限定於其等。

[化9]

＜電子接受性化合物＞ 電洞注入層形成用組合物較佳為含有電子接受性化合物作為電洞注入層3之構成材料。

電子接受性化合物較佳為具有氧化能力，且具有自上述電洞傳輸性材料接受1個電子之能力的化合物。具體而言，作為電子接受性化合物，較佳為電子親和力為4.0 eV以上之化合物，進而較佳為5.0 eV以上之化合物。

作為此種電子接受性化合物，例如可例舉選自由三芳基硼化合物、鹵化金屬、路易斯酸、有機酸、鎓鹽、芳基胺與鹵化金屬之鹽、芳基胺與路易斯酸之鹽所組成之群中之一種或兩種以上之化合物等。更具體而言，作為電子接受性化合物，可例舉：4-異丙基-4'-甲基二苯基錪四(五氟苯基)硼酸鹽、三苯基鋶鎓四氟硼酸鹽等經有機基取代之鎓鹽(國際公開第2005/089024號、國際公開第2017/164268號)；氯化鐵(III)(日本專利特開平11-251067號公報)、過氧二硫酸銨等高原子價之無機化合物；四氰乙烯等氰基化合物、三(五氟苯基)硼烷(日本專利2003-31365號公報)等芳香族硼化合物；富勒烯衍生物；碘；聚苯乙烯磺酸離子、烷基苯磺酸離子、樟腦磺酸離子等磺酸離子等。

電子接受性化合物可藉由使電洞傳輸性材料氧化，而提昇電洞注入層3之導電率。

＜其他構成材料＞ 作為電洞注入層3之材料，只要不明顯損害本發明之效果，便除上述電洞傳輸性材料或電子接受性化合物以外，可進而含有其他成分。

＜溶劑＞ 濕式成膜法中所使用之電洞注入層形成用組合物之溶劑中之至少一種較佳為能夠溶解上述電洞注入層3之構成材料之化合物。

作為溶劑，例如可例舉：醚系溶劑、酯系溶劑、芳香族烴系溶劑、醯胺系溶劑等。

作為醚系溶劑，例如可例舉：乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、丙二醇-1-單甲醚乙酸酯(PGMEA)等脂肪族醚；1,2-二甲氧基苯、1,3-二甲氧基苯、苯甲醚、苯乙醚、2-甲氧基甲苯、3-甲氧基甲苯、4-甲氧基甲苯、2,3-二甲基苯甲醚、2,4-二甲基苯甲醚、3-苯氧基甲苯、二苯醚、二苄醚等芳香族醚等。

作為酯系溶劑，例如可例舉：乙酸苯酯、丙酸苯酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸丙酯、苯甲酸正丁酯、苯甲酸異丁酯、苯甲酸戊酯、苯甲酸異戊酯、甲苯甲酸甲酯、甲苯甲酸乙酯、大茴香酸甲酯、大茴香酸乙酯、鄰苯二甲酸二甲酯、鄰苯二甲酸二乙酯、乙酸苯氧基乙酯、丁酸苯氧基乙酯等芳香族酯等。

作為芳香族烴系溶劑，例如可例舉：甲苯、二甲苯、環己基苯、三甲基苯、四甲基苯、二異丙基苯、三異丙基苯、甲基萘、乙基萘、異丙基萘、二異丙基萘、乙基聯苯、異丙基聯苯、丁基聯苯、二異丙基聯苯、三異丙基聯苯、萘滿、1,1-二苯基乙烷、1,1-二苯基丙烷、1,1-二苯基丁烷、1,1-二苯基戊烷、1,1-二苯基己烷等。

作為醯胺系溶劑，例如可例舉：N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等。 此外，亦可使用二甲基亞碸等。 其中，較佳為芳香族酯、芳香族醚。

該等溶劑可單獨使用一種，又，亦可以任意組合、及比率使用兩種以上。

電洞注入層形成用組合物中之電洞傳輸性材料之濃度只要不明顯損害本發明之效果，便無限定。就膜厚之均一性之方面而言，電洞注入層形成用組合物中之電洞傳輸性材料之濃度較佳為0.01重量%以上，更佳為0.1重量%以上，進而較佳為0.5重量%以上。電洞注入層形成用組合物中之電洞傳輸性材料之濃度較佳為70重量%以下，更佳為60重量%以下，進而較佳為50重量%以下。就不易產生膜厚不均之方面而言，該濃度較佳為較小。又，就所成膜之電洞注入層不易產生缺陷之方面而言，該濃度較佳為較大。

＜藉由濕式成膜法進行之電洞注入層之形成＞ 於藉由濕式成膜法來形成電洞注入層3之情形時，通常可藉由如下方式形成：將構成電洞注入層3之材料與適當之溶劑(電洞注入層用溶劑)進行混合而製備成膜用組合物(電洞注入層形成用組合物)，藉由適當之方法將該電洞注入層3形成用組合物塗佈於相當於電洞注入層之下層之層(通常為陽極2)上進行成膜，並進行乾燥，藉此形成電洞注入層3。

[電洞傳輸層] 電洞傳輸層4係自陽極2向發光層5傳輸之層。電洞傳輸層4並非本發明之有機電致發光元件之必須層，於設置電洞傳輸層4之情形時，通常將電洞傳輸層4在具有電洞注入層3時形成於電洞注入層3之上，在無電洞注入層3時形成於陽極2之上。

電洞傳輸層4之形成方法可為真空蒸鍍法，亦可為濕式成膜法，並無特別限制。就減少暗點之觀點而言，電洞傳輸層4較佳為藉由濕式成膜法而形成。

作為形成電洞傳輸層4之材料，較佳為電洞傳輸性較高、且可效率良好地傳輸所注入之電洞之材料。因此，形成電洞傳輸層4之材料較佳為游離電位較小、對於可見光之光而言透明性較高、電洞遷移率較大、穩定性優異、且在製造時或使用時不易產生成為阱之雜質。於多數情形時，電洞傳輸層4由於與發光層5相接，故而較佳為不會對來自發光層5之發光進行消光，或者不會與發光層5之間形成激發錯合體而降低效率。

作為電洞傳輸層4之材料，只要為一直以來用作電洞傳輸層4之構成材料之材料即可。作為電洞傳輸層4之材料，例如可例舉：芳基胺衍生物、茀衍生物、螺環衍生物、咔唑衍生物、吡啶衍生物、吡𠯤衍生物、嘧啶衍生物、三𠯤衍生物、喹啉衍生物、啡啉衍生物、酞菁衍生物、卟啉衍生物、噻咯衍生物、寡聚噻吩衍生物、縮合多環芳香族衍生物、金屬錯合物等。

作為電洞傳輸層4之材料，例如可例舉：聚乙烯基咔唑衍生物、聚芳基胺衍生物、聚乙烯基三苯胺衍生物、聚茀衍生物、聚伸芳基衍生物、含有四苯基聯苯胺之聚伸芳基醚碸衍生物、聚伸芳基伸乙烯(polyarylene vinylene)衍生物、聚矽氧烷衍生物、聚噻吩衍生物、聚(對苯乙炔)衍生物等。其等可為交替共聚物、無規聚合物、嵌段聚合物或接枝共聚物之任一種。又，亦可為主鏈具有分枝且具有3個以上末端部之高分子、或所謂之樹枝狀聚合物。

其中，作為電洞傳輸層4之材料，較佳為聚芳基胺衍生物或聚伸芳基衍生物。 聚芳基胺衍生物及聚伸芳基衍生物之具體例等可例舉日本專利2008-98619號公報中所記載者等。 作為聚芳基胺衍生物，較佳為使用上述芳香族三級胺高分子化合物。

於藉由濕式成膜法來形成電洞傳輸層4之情形時，與上述電洞注入層3之形成同樣地，在製備電洞傳輸層形成用組合物後，進行濕式成膜，然後使其乾燥。 於電洞傳輸層形成用組合物中，除上述電洞傳輸性材料以外含有溶劑。所使用之溶劑與上述電洞注入層形成用組合物中所使用者相同。又，成膜條件、乾燥條件等亦與電洞注入層3之形成之情形相同。 於電洞傳輸層形成用組合物為本發明之組合物之情形時，溶劑為本發明之上述第1溶劑與上述第2溶劑。 於藉由真空蒸鍍法來形成電洞傳輸層4之情形時，其成膜條件等亦與上述電洞注入層3之形成之情形相同。

至於電洞傳輸層4之膜厚，考慮到發光層中之低分子材料之滲入或電洞傳輸性材料之膨潤等要素，通常為5 nm以上，較佳為10 nm以上，且通常為300 nm以下，較佳為200 nm以下。

[發光層] 發光層5係於被施加了電場之電極間，藉由自陽極2注入之電洞、與自陰極9注入之電子之再結合而被激發，成為主要發光源之層。發光層5通常於存在電洞傳輸層4時形成於電洞傳輸層4之上，於不存在電洞傳輸層4而存在電洞注入層3時形成於電洞注入層3之上，於既不存在電洞傳輸層4亦不存在電洞注入層3時形成於陽極2之上。

＜發光層用材料＞ 發光層用材料通常包含發光材料及成為主體之電荷傳輸性材料。

＜發光材料＞ 作為發光材料，通常可應用作為有機電致發光元件之發光材料而使用之任意公知之材料，並無特別限制，只要使用以所需發光波長進行發光且發光效率良好之物質即可。發光材料可為螢光發光材料，亦可為磷光發光材料，但就內部量子效率之觀點而言，較佳為磷光發光材料。進而較佳為紅色發光材料與綠色發光材料為磷光發光材料，藍色發光材料為螢光發光材料。

於本發明之組合物為發光層形成用組合物之情形時，較佳為使用以下之磷光發光材料、螢光發光材料及電荷傳輸性材料。

＜磷光發光材料＞ 磷光發光材料係指由激發三重態顯現出發光之材料。例如具有Ir、Pt、Eu等之金屬錯合物化合物係其代表例，較佳為包含金屬錯合物作為材料之結構者。

金屬錯合物中，作為經由三重態發光之磷光發光性有機金屬錯合物，可例舉包含選自長週期型週期表(以下，只要無特別說明，則稱為「週期表」時，係指長週期型週期表)第7～11族中之金屬作為中心金屬之維爾納型錯合物或有機金屬錯合物化合物。作為此種磷光發光材料，例如可例舉國際公開第2014/024889號、國際公開第2015/087961號、國際公開第2016/194784號、日本專利特開2014-074000號公報中所記載之磷光發光材料。較佳為下述式(201)所表示之化合物、或下述式(205)所表示之化合物，更佳為下述式(201)所表示之化合物。

[化10]

式(201)中，環A1表示可具有取代基之芳香族烴環結構或可具有取代基之芳香族雜環結構。 環A2表示可具有取代基之芳香族雜環結構。 R ¹⁰¹、R ¹⁰²分別獨立地為式(202)所表示之結構，「＊」表示與環A1或環A2之鍵結位置。R ¹⁰¹、R ¹⁰²可相同亦可不同，於R ¹⁰¹、R ¹⁰²分別存在複數個之情形時，其等可相同亦可不同。

Ar ²⁰¹、Ar ²⁰³分別獨立地表示可具有取代基之芳香族烴環結構、或可具有取代基之芳香族雜環結構。 Ar ²⁰²表示可具有取代基之芳香族烴環結構、可具有取代基之芳香族雜環結構、或可具有取代基之脂肪族烴結構。 鍵結於環A1之取代基彼此、鍵結於環A2之取代基彼此、或鍵結於環A1之取代基與鍵結於環A2之取代基彼此可相互鍵結而形成環。

B ²⁰¹-L ²⁰⁰-B ²⁰²表示陰離子性雙牙配位基。B ²⁰¹及B ²⁰²分別獨立地表示碳原子、氧原子或氮原子，該等原子亦可為構成環之原子。L ²⁰⁰表示單鍵、或與B ²⁰¹及B ²⁰²共同構成雙牙配位基之原子團。於B ²⁰¹-L ²⁰⁰-B ²⁰²存在複數個之情形時，其等可相同亦可不同。

再者，式(201)、(202)中， i1、i2分別獨立地表示0以上12以下之整數， i3表示以能夠取代至Ar ²⁰²之數作為上限之0以上之整數， i4表示以能夠取代至Ar ²⁰¹之數作為上限之0以上之整數， k1及k2分別獨立地表示以能夠取代至環A1、環A2之數作為上限之0以上之整數， z表示1～3之整數。

(取代基) 於無特別說明之情形時，作為取代基，較佳為選自下述取代基群S之基。

＜取代基群S＞ ・烷基、較佳為碳數1～20之烷基、更佳為碳數1～12之烷基、進而較佳為碳數1～8之烷基、尤佳為碳數1～6之烷基。 ・烷氧基、較佳為碳數1～20之烷氧基、更佳為碳數1～12之烷氧基、進而較佳為碳數1～6之烷氧基。 ・芳氧基、較佳為碳數6～20之芳氧基、更佳為碳數6～14之芳氧基、進而較佳為碳數6～12之芳氧基、尤佳為碳數6之芳氧基。 ・雜芳氧基、較佳為碳數3～20之雜芳氧基、更佳為碳數3～12之雜芳氧基。 ・烷胺基、較佳為碳數1～20之烷胺基、更佳為碳數1～12之烷胺基。 ・芳胺基、較佳為碳數6～36之芳胺基、更佳為碳數6～24之芳胺基。 ・芳烷基、較佳為碳數7～40之芳烷基、更佳為碳數7～18之芳烷基、進而較佳為碳數7～12之芳烷基。 ・雜芳烷基、較佳為碳數7～40之雜芳烷基、更佳為碳數7～18之雜芳烷基。 ・烯基、較佳為碳數2～20之烯基、更佳為碳數2～12之烯基、進而較佳為碳數2～8之烯基、尤佳為碳數2～6之烯基。 ・炔基、較佳為碳數2～20之炔基、更佳為碳數2～12之炔基。 ・芳基、較佳為碳數6～30之芳基、更佳為碳數6～24之芳基、進而較佳為碳數6～18之芳基、尤佳為碳數6～14之芳基。 ・雜芳基、較佳為碳數3～30之雜芳基、更佳為碳數3～24之雜芳基、進而較佳為碳數3～18之雜芳基、尤佳為碳數3～14之雜芳基。 ・烷基矽烷基、較佳為烷基之碳數為1～20之烷基矽烷基、更佳為烷基之碳數為1～12之烷基矽烷基。 ・芳基矽烷基、較佳為芳基之碳數為6～20之芳基矽烷基、更佳為芳基之碳數為6～14之芳基矽烷基。 ・烷羰基、較佳為碳數2～20之烷羰基。 ・芳羰基、較佳為碳數7～20之芳羰基。

以上之基可將1個以上之氫原子取代為氟原子，或者將1個以上之氫原子取代為氘原子。 只要無特別說明，則芳基為芳香族烴環，雜芳基為芳香族雜環。 ・氫原子、氘原子、氟原子、氰基、或、-SF ₅。

上述取代基群S中，較佳為烷基、烷氧基、芳氧基、芳胺基、芳烷基、烯基、芳基、雜芳基、烷基矽烷基、芳基矽烷基、及該等基之1個以上之氫原子被取代為氟原子之基、氟原子、氰基、或-SF ₅， 更佳為烷基、芳胺基、芳烷基、烯基、芳基、雜芳基，及該等基之1個以上之氫原子被取代為氟原子之基、氟原子、氰基、或-SF ₅， 進而較佳為烷基、烷氧基、芳氧基、芳胺基、芳烷基、烯基、芳基、雜芳基、烷基矽烷基、芳基矽烷基， 尤佳為烷基、芳胺基、芳烷基、烯基、芳基、雜芳基， 最佳為烷基、芳胺基、芳烷基、芳基、雜芳基。

該等取代基群S中亦可進而具有選自取代基群S中之取代基作為取代基。亦可具有之取代基之較佳基、更佳基、進而較佳基、尤佳基、最佳基，與取代基群S中之較佳基相同。

(環A1) 環A1表示可具有取代基之芳香族烴環結構或可具有取代基之芳香族雜環結構。

作為芳香族烴環，較佳為碳數6～30之芳香族烴環。具體而言，較佳為苯環、萘環、蒽環、三苯基(triphenylyl)環、苊環、螢蒽環、茀環。

作為芳香族雜環，較佳為包含氮原子、氧原子、或硫原子之任一者作為雜原子之碳數3～30之芳香族雜環。進而較佳為呋喃環、苯并呋喃環、噻吩環、苯并噻吩環。 作為環A1，更佳為苯環、萘環、茀環，尤佳為苯環或茀環，最佳為苯環。

(環A2) 環A2表示可具有取代基之芳香族雜環結構。 作為芳香族雜環，較佳為包含氮原子、氧原子、或硫原子之任一者作為雜原子之碳數3～30之芳香族雜環。具體而言，可例舉吡啶環、嘧啶環、吡𠯤環、三𠯤環、咪唑環、㗁唑環、噻唑環、苯并噻唑環、苯并㗁唑環、苯并咪唑環、喹啉環、異喹啉環、喹㗁啉環、喹唑啉環、㖠啶環、啡啶環，較佳為吡啶環、吡𠯤環、嘧啶環、咪唑環、苯并噻唑環、苯并㗁唑環、喹啉環、異喹啉環、喹㗁啉環、喹唑啉環，更佳為吡啶環、咪唑環、苯并噻唑環、喹啉環、異喹啉環、喹㗁啉環、喹唑啉環，最佳為吡啶環、咪唑環、苯并噻唑環、喹啉環、喹㗁啉環、喹唑啉環。

(環A1與環A2之組合) 作為環A1與環A2之較佳之組合，若記載為(環A1-環A2)，則為(苯環-吡啶環)、(苯環-喹啉環)、(苯環-喹㗁啉環)、(苯環-喹唑啉環)、(苯環-苯并噻唑環)、(苯環-咪唑環)、(苯環-吡咯環)、(苯環-二唑環)、及(苯環-噻吩環)。

(環A1、環A2之取代基) 關於環A1、環A2可具有之取代基，可任意選擇，較佳為選自上述取代基群S中之一種或複數種取代基。

(Ar ²⁰¹、Ar ²⁰²、Ar ²⁰³) Ar ²⁰¹、Ar ²⁰³分別獨立地表示可具有取代基之芳香族烴環結構、或可具有取代基之芳香族雜環結構。 Ar ²⁰²表示可具有取代基之芳香族烴環結構、可具有取代基之芳香族雜環結構、或可具有取代基之脂肪族烴結構。

於Ar ²⁰¹、Ar ²⁰²、Ar ²⁰³之任一者為可具有取代基之芳香族烴環結構之情形時，作為該芳香族烴環結構，較佳為碳數6～30之芳香族烴環。具體而言，較佳為苯環、萘環、蒽環、三苯基環、苊環、螢蒽環、茀環，更佳為苯環、萘環、茀環，最佳為苯環。

於Ar ²⁰¹、Ar ²⁰²之任一者為可具有取代基之苯環之情形時，較佳為至少1個苯環以鄰位或間位與相鄰之結構鍵結，更佳為至少1個苯環以間位與相鄰之結構鍵結。

於Ar ²⁰¹、Ar ²⁰²、Ar ²⁰³之任一者為可具有取代基之茀環之情形時，較佳為茀環之9位及9'位具有取代基或與相鄰之結構鍵結。

於Ar ²⁰¹、Ar ²⁰²、Ar ²⁰³之任一者為可具有取代基之芳香族雜環結構之情形時，作為芳香族雜環結構，較佳為包含氮原子、氧原子、或硫原子之任一者作為雜原子之碳數3～30之芳香族雜環，具體而言，可例舉吡啶環、嘧啶環、吡𠯤環、三𠯤環、咪唑環、㗁唑環、噻唑環、苯并噻唑環、苯并㗁唑環、苯并咪唑環、喹啉環、異喹啉環、喹㗁啉環、喹唑啉環、㖠啶環、啡啶環、咔唑環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環，較佳為吡啶環、嘧啶環、三𠯤環、咔唑環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環。

於Ar ²⁰¹、Ar ²⁰²、Ar ²⁰³之任一者為可具有取代基之咔唑環之情形時，咔唑環之N位較佳為具有取代基或與相鄰之結構鍵結。

於Ar ²⁰²為可具有取代基之脂肪族烴結構之情形時，為具有直鏈、支鏈、或環結構之脂肪族烴結構，較佳為碳數為1以上24以下，進而較佳為碳數為1以上12以下，更佳為碳數為1以上8以下。

(i1、i2、i3、i4、k1、k2) i1、i2分別獨立地表示0～12之整數，較佳為1～12，進而較佳為1～8，更佳為1～6。藉由處於該範圍內，可預見溶解性提昇或電荷傳輸性提昇。 i3較佳為表示0～5之整數，進而較佳為0～2，更佳為0或1。 i4較佳為表示0～2之整數，進而較佳為0或1。 k1、k2分別獨立地表示較佳為0～3之整數，進而較佳為1～3，更佳為1或2，尤佳為1。

(Ar ²⁰¹、Ar ²⁰²、Ar ²⁰³之較佳之取代基) 關於Ar ²⁰¹、Ar ²⁰²、Ar ²⁰³可具有之取代基，可任意選擇，較佳為選自上述取代基群S中之一種或複數種取代基，較佳基亦如上述取代基群S所示，更佳為未經取代(氫原子)、烷基、芳基，尤佳為未經取代(氫原子)、烷基，最佳為未經取代(氫原子)或第三丁基，第三丁基較佳為於存在Ar ²⁰³時取代至Ar ²⁰³，於不存在Ar ²⁰³時取代至Ar ²⁰²，於不存在Ar ²⁰²及Ar ²⁰³時取代至Ar ²⁰¹。

(式(201)所表示之化合物之較佳態樣) 上述式(201)所表示之化合物較佳為滿足下述(I)～(IV)中之任1個以上之化合物。

(I)伸苯基連結式 式(202)所表示之結構較佳為具有連結有苯環之基之結構，即苯環結構、i1為1～6且至少1個上述苯環以鄰位或間位與相鄰之結構鍵結。 藉由為此種結構，可期待溶解性提昇，且電荷傳輸性提昇。

(II)(伸苯基)-芳烷基(烷基) 其係環A1或環A2上具有鍵結有烷基或芳烷基之芳香族烴基或芳香族雜環基的結構，即Ar ²⁰¹為芳香族烴結構或芳香族雜環結構且i1為1～6、Ar ²⁰²為脂肪族烴結構且i2為1～12、較佳為3～8、Ar ²⁰³為苯環結構且i3為0或1的結構，較佳為Ar ²⁰¹為上述芳香族烴結構，進而較佳為1～5個苯環連結而成之結構，更佳為1個苯環。 藉由為此種結構，可期待溶解性提昇，且電荷傳輸性提昇。

(III)樹突(dendron) 在環A1或環A2上鍵結有樹突之結構，例如Ar ²⁰¹、Ar ²⁰²為苯環結構，Ar ²⁰³為聯苯或聯三苯結構，i1、i2為1～6，i3為2，j為2。 藉由為此種結構，可期待溶解性提昇，且電荷傳輸性提昇。

(IV)B ²⁰¹-L ²⁰⁰-B ²⁰²B ²⁰¹-L ²⁰⁰-B ²⁰²所表示之結構較佳為下述式(203)或下述式(204)所表示之結構。

[化11]

式(203)中，R ²¹¹、R ²¹²、R ²¹³分別獨立地表示取代基。 式(204)中，環B3表示可具有取代基之包含氮原子之芳香族雜環結構。環B3較佳為吡啶環。

(較佳之磷光發光材料) 作為上述式(201)所表示之磷光發光材料，並無特別限定，可列舉以下者作為較佳者。

[化12]

[化13]

又，亦較佳為下述式(205)所表示之磷光發光材料。

[化14]

[式(205)中，M ²表示金屬，T表示碳原子或氮原子；R ⁹²～R ⁹⁵分別獨立地表示取代基；其中，於T為氮原子之情形時，無R ⁹⁴及R ⁹⁵]

式(205)中，作為M ²之具體例，可例舉選自週期表第7～11族中之金屬。其中，較佳可例舉釕、銠、鈀、銀、錸、鋨、銥、鉑或金，尤佳可例舉鉑、鈀等二價金屬。

又，式(205)中，R ⁹²及R ⁹³分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、烷基、芳烷基、烯基、氰基、胺基、醯基、烷氧基羰基、羧基、烷氧基、烷胺基、芳烷基胺基、鹵烷基、羥基、芳氧基、芳香族烴基或芳香族雜環基。

進而，於T為碳原子之情形時，R ⁹⁴及R ⁹⁵分別獨立地表示與R ⁹²及R ⁹³相同之例示物所表示之取代基。又，於T為氮原子之情形時，不存在直接鍵結於該T之R ⁹⁴或R ⁹⁵。又，R ⁹²～R ⁹⁵可進而具有取代基。作為取代基，可設為上述取代基。進而，R ⁹²～R ⁹⁵中之任意2個以上之基可相互連結而形成環。

(分子量) 磷光發光材料之分子量較佳為5000以下，進而較佳為4000以下，尤佳為3000以下。又，磷光發光材料之分子量較佳為800以上，更佳為1000以上，進而較佳為1200以上。認為藉由處於該分子量範圍內，而使磷光發光材料彼此不凝集而與電荷傳輸性材料均勻地混合，可獲得發光效率較高之發光層。

至於磷光發光材料之分子量，就Tg、熔點、或分解溫度等較高、磷光發光材料及所形成之發光層之耐熱性優異之方面，及不易發生由氣體產生、再結晶化及分子之遷移等所引起之膜質之降低或伴隨材料之熱分解而發生之雜質濃度之上升等之方面而言，較佳為較大。另一方面，就有機化合物容易精製之方面而言，磷光發光材料之分子量較佳為較小。

＜電荷傳輸性材料＞ 發光層中所使用之電荷傳輸性材料係具有電荷傳輸性優異之骨架之材料，較佳為選自電子傳輸性材料、電洞傳輸性材料及能夠傳輸電子與電洞兩者之雙極性材料。

作為電荷傳輸性優異之骨架，具體而言，可例舉：芳香族結構、芳香族胺構造、三芳胺結構、二苯并呋喃結構、萘結構、菲結構、酞菁結構、卟啉結構、噻吩結構、苄基苯基結構、茀結構、喹吖酮結構、聯三伸苯結構、咔唑結構、芘結構、蒽結構、啡啉結構、喹啉結構、吡啶結構、嘧啶結構、三𠯤結構、㗁二唑結構或咪唑結構等。

作為電子傳輸性材料，就為電子傳輸性優異且結構相對穩定之材料之觀點而言，更佳為具有吡啶結構、嘧啶結構、三𠯤結構之化合物，進而較佳為具有嘧啶結構、三𠯤結構之化合物。

電洞傳輸性材料係具有電洞傳輸性優異之結構之化合物，上述電荷傳輸性優異之中心骨架中，作為電洞傳輸性優異之結構，較佳為咔唑結構、二苯并呋喃結構、三芳胺結構、萘結構、菲結構或芘結構，進而較佳為咔唑結構、二苯并呋喃結構或三芳胺結構。

發光層中所使用之電荷傳輸性材料較佳為具有3環以上之縮合環結構，進而較佳為具有2個以上之3環以上之縮合環結構之化合物或具有至少1個5環以上之縮合環之化合物。藉由為該等化合物，而使分子之剛性增強，容易獲得抑制熱響應下之分子運動之程度的效果。進而，就電荷傳輸性及材料之耐久性之方面而言，3環以上之縮合環及5環以上之縮合環較佳為具有芳香族烴環或芳香族雜環。

作為3環以上之縮合環結構，具體而言，可例舉：蒽結構、菲結構、芘結構、結構、稠四苯結構、聯三伸苯結構、茀結構、苯并茀結構、茚并茀結構、吲哚并茀結構、咔唑結構、茚并咔唑結構、吲哚并咔唑結構、二苯并呋喃結構、二苯并噻吩結構等。就電荷傳輸性以及溶解性之觀點而言，較佳為選自由菲結構、茀結構、茚并茀結構、咔唑結構、茚并咔唑結構、吲哚并咔唑結構、二苯并呋喃結構及二苯并噻吩結構所組成之群中之至少一者，就對電荷之耐久性之觀點而言，進而較佳為咔唑結構或吲哚并咔唑結構。

本發明中，就有機電致發光元件對電荷之耐久性之觀點而言，較佳為發光層之電荷傳輸性材料內之至少一種為具有嘧啶骨架或三𠯤骨架之材料。

關於發光層之電荷傳輸性材料，就可撓性優異之觀點而言，較佳為高分子材料。使用可撓性優異之材料所形成之發光層作為形成於軟性基板上之有機電致發光元件之發光層較佳。於發光層中所含之電荷傳輸性材料為高分子材料之情形時，分子量較佳為5,000以上1,000,000以下，更佳為10,000以上500,000以下，進而較佳為10,000以上100,000以下。

又，關於發光層之電荷傳輸性材料，就合成及精製之容易性、電子傳輸性能及電洞傳輸性能之設計之容易性、溶解於溶劑中時之黏度調整之容易性之觀點而言，較佳為低分子。於發光層中所含之電荷傳輸性材料為低分子材料之情形時，分子量較佳為5,000以下，進而較佳為4,000以下，尤佳為3,000以下，最佳為2,000以下，且較佳為300以上，更佳為350以上，進而較佳為400以上。

＜螢光發光材料＞ 作為螢光發光材料，並無特別限定，較佳為下述式(211)所表示之化合物。

[化15]

上述式(211)中，Ar ²⁴¹表示可具有取代基之芳香族烴縮合環結構，Ar ²⁴²、Ar ²⁴³分別獨立地表示可具有取代基之烷基、芳香族烴基、芳香族雜基或其等鍵結而成之基。n41為1～4之整數。

Ar ²⁴¹較佳為表示碳數10～30之芳香族烴縮合環結構，作為具體之環結構，可例舉：萘、苊、茀、蒽、菲、螢蒽、芘、稠四苯、、苝等。 Ar ²⁴¹更佳為碳數12～20之芳香族烴縮合環結構，作為具體之環結構，可例舉：苊、茀、蒽、菲、螢蒽、芘、稠四苯、、苝。 Ar ²⁴¹進而較佳為碳數16～18之芳香族烴縮合環結構，作為具體之環結構，可例舉：螢蒽、芘、。

n41為1～4，較佳為1～3，進而較佳為1～2，最佳為2。

作為Ar ²⁴²、Ar ²⁴³之烷基，較佳為碳數1～12之烷基，更佳為碳數1～6之烷基。 作為Ar ²⁴²、Ar ²⁴³之芳香族烴基，較佳為碳數6～30之芳香族烴基，更佳為碳數6～24之芳香族烴基，最佳為苯基、萘基。 作為Ar ²⁴²、Ar ²⁴³之芳香族雜基，較佳為碳數3～30之芳香族雜基，更佳為碳數5～24之芳香族烴基，具體而言，較佳為咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基，更佳為二苯并呋喃基。

關於Ar ²⁴¹、Ar ²⁴²、Ar ²⁴³可具有之取代基，較佳為選自上述取代基群S中之基，更佳為取代基群S中所含之烴基，進而較佳為作為取代基群S較佳之基中之烴基。

作為與上述螢光發光材料一起使用之電荷傳輸性材料，並無特別限定，較佳為下述式(212)所表示者。

[化16]

上述式(212)中，R ²⁵¹、R ²⁵²分別獨立地為式(213)所表示之結構，R ²⁵³表示取代基，於R ²⁵³存在複數個之情形時，可相同亦可不同，n43為0～8之整數。

[化17]

上述式(213)中，＊表示與式(212)之蒽環之鍵結鍵，Ar ²⁵⁴、Ar ²⁵⁵分別獨立地表示可具有取代基之芳香族烴結構、或可具有取代基之雜芳環結構，於Ar ²⁵⁴、Ar ²⁵⁵分別存在複數個之情形時，可相同亦可不同，n44為1～5之整數，n45為0～5之整數。

Ar ²⁵⁴較佳為可具有取代基之作為碳數6～30之單環或縮合環的芳香族烴結構，更佳為可具有取代基之作為碳數6～12之單環或縮合環的芳香族烴結構。

Ar ²⁵⁵較佳為可具有取代基之作為碳數6～30之單環或縮合環的芳香族烴結構、或可具有取代基之作為碳數6～30之縮合環的芳香族雜環結構。Ar ²⁵⁵更佳為可具有取代基之作為碳數6～12之單環或縮合環的芳香族烴結構、或可具有取代基之作為碳數12之縮合環的芳香族雜環結構。

n44較佳為1～3之整數，更佳為1或2。 n45較佳為0～3之整數，更佳為0～2。

關於作為取代基之R ²⁵³、Ar ²⁵⁴及Ar ²⁵⁵可具有之取代基，較佳為選自上述取代基群S中之基。更佳為取代基群S中所含之烴基，進而較佳為作為取代基群S較佳之基中之烴基。

螢光發光材料及電荷傳輸性材料之分子量較佳為5,000以下，進而較佳為4,000以下，尤佳為3,000以下，最佳為2,000以下。又，較佳為300以上，更佳為350以上，進而較佳為400以上。

[電洞阻擋層] 亦可於發光層5與下述電子注入層8之間設置電洞阻擋層6。電洞阻擋層6係電子傳輸層中亦擔任以下作用之層，即，進而阻止自陽極2遷移過來之電洞到達陰極9。電洞阻擋層6係於發光層5之上以與發光層5之陰極9側之界面相接之方式積層之層。

電洞阻擋層6具有阻止自陽極2遷移過來之電洞到達陰極9之作用、及將自陰極9注入之電子向發光層5之方向效率良好地傳輸之作用。

作為對構成電洞阻擋層6之材料所要求之物性，可例舉：電子遷移率較高且電洞遷移率較低、能隙(HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital，最高佔有分子軌道)、LUMO(Lower Unoccupied Molecular Orbital，最低未占分子軌道)之差)較大、激發三重態能階(T1)較高等。作為滿足此種條件之電洞阻擋層6之材料，例如可例舉：雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(苯酚)鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(三苯基矽烷醇)鋁等混合配位基錯合物、雙(2-甲基-8-喹啉基)鋁-μ-側氧基-雙-(2-甲基-8-羥基喹啉)鋁雙核金屬錯合物等金屬錯合物、二苯乙烯基聯苯衍生物等苯乙烯基化合物(日本專利特開平11-242996號公報)、3-(4-聯苯基)-4-苯基-5(4-第三丁基苯基)-1,2,4-三唑等三唑衍生物(日本專利特開平7-41759號公報)、2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-啡啉等啡啉衍生物(日本專利特開平10-79297號公報)等。進而，國際公開第2005/022962號中所記載之具有至少1個2,4,6位經取代之吡啶環之化合物亦作為電洞阻擋層6之材料較佳。

電洞阻擋層6之形成方法並無限制。電洞阻擋層6可藉由濕式成膜法、蒸鍍法、或其他方法而形成。 電洞阻擋層6之膜厚只要不明顯損害本發明之效果，便無限制。電洞阻擋層6之膜厚通常為0.3 nm以上，較佳為0.5 nm以上，且通常為100 nm以下，較佳為50 nm以下。

[電子傳輸層] 電子傳輸層7係設置於發光層5與陰極9之間之用以傳輸電子之層。

作為電子傳輸層7之電子傳輸性材料，通常使用來自陰極9或陰極9側之相鄰層之電子注入效率較高，且具有較高之電子遷移率，能夠效率良好地傳輸所注入之電子的化合物。作為滿足此種條件之化合物，例如可例舉：8-羥基喹啉之鋁錯合物或鋰錯合物等金屬錯合物(日本專利特開昭59-194393號公報)、10-羥基苯并[h]喹啉之金屬錯合物、㗁二唑衍生物、二苯乙烯基聯苯衍生物、噻咯衍生物、3-羥基黃酮金屬錯合物、5-羥基黃酮金屬錯合物、苯并㗁唑金屬錯合物、苯并噻唑金屬錯合物、三苯并咪唑基苯(美國專利第5645948號說明書)、喹㗁啉化合物(日本專利特開平6-207169號公報)、啡啉衍生物(日本專利特開平5-331459號公報)、2-第三丁基-9,10-N,N'-二氰基蒽醌二亞胺、三𠯤化合物衍生物、n型氫化非晶質碳化矽、n型硫化鋅、n型硒化鋅等。

作為用於電子傳輸層7之電子傳輸性材料，由於藉由向以4,7-二苯基-1,10-啡啉等含氮雜環化合物或8-羥基喹啉之鋁錯合物等金屬錯合物為代表之電子傳輸性有機化合物中摻雜鈉、鉀、銫、鋰、銣等鹼金屬(於日本專利特開平10-270171號公報、日本專利2002-100478號公報、日本專利2002-100482號公報等中記載)，能夠兼顧電子注入傳輸性與優異之膜質，故而較佳。又，向上述電子傳輸性有機化合物中摻雜如氟化鋰或碳酸銫等之無機鹽亦有效。

電子傳輸層7之形成方法並無限制。電子傳輸層7可藉由濕式成膜法、蒸鍍法、或其他方法而形成。

電子傳輸層7之膜厚只要不明顯損害本發明之效果，便無限制。電子傳輸層7之膜厚通常為1 nm以上，較佳為5 nm以上，且通常為300 nm以下，較佳為100 nm以下。

[電子注入層] 可於電子傳輸層7與下述陰極9之間設置電子注入層8，以便將自陰極9注入之電子效率良好地注入至發光層5。電子注入層8包含無機鹽等。

作為電子注入層8之材料，例如可例舉氟化鋰(LiF)、氟化鎂(MgF ₂)、氧化鋰(Li ₂O)、碳酸銫(II)(CsCO ₃)等(參照Applied Physics Letters, 1997年, Vol.70、pp.152；日本專利特開平10-74586號公報；IEEE Transactions on Electron Devices, 1997年, Vol.44, pp.1245；SID 04 Digest, pp.154等)。

電子注入層8多數情況下不伴隨有電荷傳輸性，因此為了效率良好地進行電子注入，較佳為以超薄膜之形式使用，其膜厚通常為0.1 nm以上，較佳為5 nm以下。

[陰極] 陰極9係發揮向發光層5側之層注入電子之作用之電極。

作為陰極9之材料，通常可例舉：鋁、金、銀、鎳、鈀、鉑等金屬、銦及/或錫之氧化物等金屬氧化物、碘化銅等鹵化金屬、碳黑、或者聚(3-甲基噻吩)、聚吡咯、聚苯胺等導電性高分子等。其等中，為了效率良好地進行電子注入，較佳為功函數較低之金屬，例如可使用錫、鎂、銦、鈣、鋁、銀等適當之金屬或其等之合金等。作為具體例，可例舉：鎂-銀合金、鎂-銦合金、鋁-鋰合金等低功函數之合金電極等。

陰極9之材料可僅使用一種，亦可以任意之組合及比率併用兩種以上。

陰極9之膜厚根據所需之透明性而有所不同。於需要透明性之情形時，較佳為將可見光之透過率設為通常為60%以上、較佳為80%以上。於該情形時，陰極9之厚度通常為5 nm以上，較佳為10 nm以上，且通常為1000 nm以下，較佳為500 nm以下左右。於可不透明之情形時，陰極9之厚度無限制，陰極可與基板相同。

亦能夠於陰極9之上積層不同之導電材料。 例如若為了保護包含由鈉或銫等鹼金屬、鋇或鈣等鹼土類金屬等所構成之低功函數金屬之陰極，而於其上進而積層功函數較高且對於大氣穩定之金屬層，則元件之穩定性增強，故較佳。為了該目的，例如使用鋁、銀、銅、鎳、鉻、金、鉑等金屬。該等材料可僅使用一種，亦可以任意之組合及比率併用兩種以上。

[其他層] 本發明之有機電致發光元件可於不脫離其主旨之範圍內具有其他構成。例如只要無損其性能，便可於陽極2與陰極9之間，除上述說明中之層以外具有任意層，又，上述說明中之層中之非必須層可省略。

又，亦可於陰極9之上層具有1層、或2層以上之多層之其他有機層作為陰極之保護層。

以上所說明之層構成中，亦可將除基板以外之構成元件以相反之順序積層。例如若為圖3之層構成，則亦可於基板1上以陰極9、電子注入層8、電子傳輸層7、電洞阻擋層6、發光層5、電洞傳輸層4、電洞注入層3、陽極2之順序設置其他構成元件。

本發明之有機電致發光元件可構成為單一之有機電致發光元件，亦可應用於複數個有機電致發光元件以陣列狀配置而成之構成，還可應用於陽極與陰極以X-Y矩陣狀配置而成之構成。

於上述各層中，只要不明顯損害本發明之效果，則亦可包含除作為材料所說明者以外之成分。

[有機電致發光裝置] 可將相互發出不同顏色之光之有機電致發光元件設置2個以上，而製成有機EL顯示裝置或有機EL照明等有機電致發光裝置。藉由在該有機電致發光裝置中將至少1個、較佳為全部有機電致發光元件設為本發明之有機電致發光元件，可提供高品質之有機電致發光裝置。

[有機EL顯示裝置] 關於使用本發明之有機電致發光元件之有機EL顯示裝置之型式或構造，並無特別限制，可使用本發明之有機電致發光元件，按照常規方法進行組裝。 例如可藉由如「有機EL顯示器」(Ohmsha，2004年8月20日發行，時任靜士、安達千波矢、村田英幸著)中所記載之方法來形成有機EL顯示裝置。

[有機EL照明] 關於使用本發明之有機電致發光元件之有機EL照明之型式或構造，並無特別限制，可使用本發明之有機電致發光元件並依據常規方法進行組裝。 [實施例]

以下，例示實施例來更具體地說明本發明。但是，本發明並不限定於以下之實施例，只要不脫離本發明之主旨，便可任意地變更而實施。

[接觸角之測定] ＜撥液抗蝕劑之製備＞ 以下，舉出具體之實施例對本發明之感光性樹脂組合物進行說明，但只要不超出本發明之主旨，則不限定於以下之實施例。

以表2中所記載之調配比率使用各成分，且以總固形物成分之含有比率成為19重量%之方式，使用丙二醇單甲醚乙酸酯與丙二醇單甲醚以7：3混合而成之溶劑將各成分攪拌至均勻，製備實施例及比較例用感光性撥液抗蝕劑。再者，表2中之各成分之調配比率(重量%)意指總固形物成分中之各成分之固形物成分之值。 [表2]

表2
	撥液抗蝕劑
調配比率(重量%)	(A)光聚合起始劑	a-1	4.5
(B)鹼可溶性樹脂	b-1	11.6
b-2	27.1
(C)光聚合性化合物	c-1	55.4
(D)撥液劑	d-1	0.25
(E)添加劑	e-1	0.5
(F)添加劑	f-1	0.6

光聚合起始劑a-1：具有以下化學結構之化合物。

[化18]

鹼可溶性樹脂b1：ZCR-8029(日本化藥股份有限公司製造，重量平均分子量Mw＝6640，酸值＝62 mgKOH/g)。再者，樹脂b1相當於環氧(甲基)丙烯酸酯樹脂(B1)。 樹脂b-1具有下述式所表示之部分結構。

[化19]

鹼可溶性樹脂b-2：ZAR-1872(日本化藥股份有限公司製造，重量平均分子量Mw＝8000，酸值＝80 mgKOH/g)。再者，樹脂b-2相當於環氧(甲基)丙烯酸酯樹脂(B1)。 樹脂b-2具有下述式所表示之部分結構。

[化20]

上述式中之＊表示下述式所表示之一價基或與氫原子之鍵結鍵。

[化21]

光聚合性化合物c-1：共榮社化學股份有限公司製造，季戊四醇四丙烯酸酯。 撥液劑d-1：具備具有全氟烷基之結構單元、具有乙烯性雙鍵之結構單元、及具有羧基之結構單元之丙烯酸系共聚樹脂。Mw90000，氟原子之含有比率20重量%。 添加劑e-1：日本化藥股份有限公司製造，KAYAMER PM-21。 添加劑f-1：下述式所表示之甲氫醌。

[化22]

＜撥液抗蝕膜之製膜＞ 於0.7 mm厚之玻璃板上，使用濺鍍法積層10 nm之銦錫氧化物(ITO)、100 nm之銀鈀銅(APC)合金、進而為10 nm之ITO，而製造附帶反射膜之玻璃基板。將該基板切成100 mm×100 mm之尺寸，於反射膜側使用旋轉塗佈機以硬化後之膜厚成為1.4 μm之方式塗佈上述撥液抗蝕劑。然後，利用真空乾燥機實施60秒乾燥處理。繼而，於升溫至125℃之加熱板上進行120秒加熱乾燥。不使用光罩而對所獲得之膜進行曝光。使用鏡面投影型之曝光機(佳能股份有限公司製造，MPA-600FA)，以曝光量成為120 mJ/cm ²之方式進行30秒之曝光。照度為500 mW/cm ²。 繼而，利用24℃之2.38重量%TMAH(Tetramethylammonium hydroxide，氫氧化四甲基銨)水溶液進行80秒噴射顯影後，利用純水清洗20秒。然後，於加熱至230℃之烘箱中焙燒30分鐘，製膜出撥液抗蝕膜。

＜接觸角之測定＞ 於該撥液抗蝕膜之上，測定功能性油墨及功能性油墨中所含之全部溶劑之接觸角。於測定接觸角時，使用接觸角儀(協和界面科學股份有限公司製造，DMо-501)進行測定，液量設定為1.0 μL。關於各種溶劑之自滴加起0.1秒後之接觸角θ4及θ5，如彙總於表6與表7中所示。

＜表面撥液成分之剝離＞ 使用電漿表面處理裝置對該撥液抗蝕膜之最表面進行表面處理，去除存在於最表面之撥液劑，而於基板上製作模擬之堤部側面。電漿處理係使用小型電漿清洗機(Harrick Plasma公司製造，PDC-32G)而進行。 上述電漿處理之真空度為140～160 Pa，大氣導入約為40 sccm，RF(radio frequency，射頻)功率為18 W，處理時間為30秒。此處，將自撥液抗蝕膜之表面去除撥液劑所得之膜稱呼為模擬堤部側面膜。

＜接觸角之測定＞ 於該模擬堤部側面膜之上，測定各種溶劑之接觸角。於測定接觸角時，使用接觸角儀(協和界面科學股份有限公司製造，DMо-501)進行測定，液量設定為1.0 μL。關於各種溶劑之自滴加起0.1秒後之接觸角θ1，如彙總於表3中所示。

[表3]

表3
溶劑名	接觸角θ1(°)
Barrel Process Oil B-03	15.8
苯甲酸2-乙基己酯	20.8
苯甲酸苄酯	25.8

[功能性膜之平坦度之評價] 其次，基於實施例對將油墨塗佈於由堤部劃分之區域並使其乾燥時之平坦度進行說明。

[實施例1～6、比較例1～3] ＜功能性油墨之製備＞ 利用電子天平來稱量下述結構式所示之高分子化合物(P-1)，作為電洞注入材料1。繼而，將表4之低沸點溶劑I與高沸點溶劑II以75：25(體積比)進行混合，製成混合溶劑1。將電洞注入材料1以相對於所獲得之組合物整體為2.3重量%之方式，於螺旋口瓶中與混合溶劑1混合，其後連同螺旋口瓶一起設置於真空腔室內，將抽真空及氮氣沖洗反覆進行3次而將螺旋口瓶中之氣體部分置換為氮氣。其後，一面使用磁攪拌器以420 rpm進行攪拌，一面於110℃之加熱板溫度下加熱3小時，藉此獲得組合物。將所獲得之組合物冷卻至室溫左右後，使用孔徑0.2 μm之膜濾器進行過濾，獲得表4之功能性油墨1～3。

[化23] 高分子化合物(P-1)

[表4]

表4
功能性油墨	低沸點溶劑I	低沸點溶劑沸點(℃)	表面張力mN/m(23℃)	高沸點溶劑II	高沸點溶劑沸點(℃)	表面張力mN/m(23℃)
1	2-乙基萘	254	36.4	Barrel Process Oil(B-03)	291	37.2
2	苯甲酸異丁酯	241	31.2	苯甲酸2-乙基己酯(2EHB)	297	31.3
3	苯甲酸異丁酯	241	31.2	苯甲酸苄酯(BNB)	324	42.3

＜基板之準備＞ 於膜厚0.7 mm之玻璃基板，藉由濺鍍法依序成膜氧化銦錫(ITO)膜、銀銦化合物膜、氧化銦錫膜，藉由一般之光微影法來形成電極之圖案。將製作模擬堤部側面膜時所使用之撥液抗蝕劑以成為0.7 μm至2.1 μm之膜厚之方式塗佈於該基板上。其後，利用真空乾燥機實施60秒乾燥處理。繼而，於升溫至125℃之加熱板上進行120秒加熱乾燥。使用光罩對所獲得之塗膜進行曝光。使用鏡面投影型曝光機(佳能股份有限公司製造，MPA-600FA)，以曝光量成為140 mJ/cm ²之方式進行35秒之曝光。照度為500 mW/cm ²。光罩之開口部之尺寸為長軸242 μm、短軸57 μm且角部R為26.5 μm，在短軸方向上排列61個開口部，在長軸方向上排列31個開口部，共排列1891個開口部。繼而，利用24℃之2.38重量%TMAH(氫氧化四甲基銨)水溶液進行80秒噴射顯影後，利用純水清洗20秒。藉由該等操作，去除無用部分，形成圖案，將形成有圖案之基板於烘箱中在230℃下加熱硬化30分鐘，獲得具有圖案之表5之撥液堤部1～5。

＜撥液堤部之錐角測定＞ 利用掃描式電子顯微鏡(SEM)以10000倍觀察具有圖案之撥液抗蝕膜之圖案部之截面形狀，測定基板與堤部之角度作為錐角θ2。將結果示於表5。

[表5]

表5
撥液堤部	錐角θ2(°)
1	15.7
2	31.3
3	60.3
4	67.7
5	70.8

將所獲得之基板放入至超純水內，實施5分鐘超音波清洗後，於預先加熱至210℃之潔淨烘箱內使其乾燥30分鐘。

＜功能性油墨之塗佈＞ 使用微量吸管將功能性油墨1填充至噴墨印表機用匣(FUJIFILM股份有限公司製造之DMCLCP-11610)中，使用噴墨印表機(FUJIFILM股份有限公司製造，DMP-2831)塗佈於基板之開口部。此時，以自噴墨頭之噴嘴噴出之功能性油墨之一滴之量成為10之pL之方式，調整噴墨印表機之噴出電壓，以對1個開口部滴入8滴之方式塗佈。又，功能性油墨係對短軸方向上54個、長軸方向上21個之合計1,134個之開口部進行塗佈，然後進行以下之乾燥、焙燒步驟。

＜乾燥、焙燒＞ 將所獲得之塗佈膜設置於具有開啟及關閉式蓋之密閉之腔室內，使用由機械增壓泵與旋轉泵油組合而成之多段式泵(ULVAC股份有限公司製造，VMR-050)進行減壓乾燥直至成為0.1 Pa以下之壓力，而製作功能性膜。

減壓乾燥係暫時自大氣壓歷時240秒減壓至1～10 Pa，然後，歷時180秒以上設為0.1 Pa以下，藉此使功能性油墨中之溶劑成分揮發，形成功能性膜。

將該功能性膜配置於加熱至230℃之加熱板上，焙燒30分鐘，製作功能性膜1。

＜功能性膜之評價＞ 對於所獲得之功能性膜，使用觸針式輪廓儀(小阪研究所股份有限公司製造，ET-100)，對開口部之短軸方向測定膜厚輪廓。將結果示於圖4～12。 又，對於所測得之膜厚之輪廓，使用下述式(X)計算出平坦度U，評價功能性膜1之平坦度。將結果示於表6～7。進而，將對θ2－θ1與平坦度U之關係進行繪圖所得之圖表示於圖13。圖13中，將實施例中之關係以「●」進行繪圖，將比較例中之關係以「○」進行繪圖。 U(%)＝LF/LB×100 (X) 此處，LB表示堤部之開口部之長度(單位：μm)，LF表示未厚至較50%LB下之平均膜厚超出15 nm之部分之長度(單位：μm)。

[表6]

表6
	功能性油墨No.	高沸點溶劑	接觸角θ1(°)	撥液堤部No.	錐角θ2(°)	θ 2－θ 1(°)	錐角θ4(°)	錐角θ5(°)	平坦度U
實施例1	2	2EHB	20.8	1	15.7	-5.1	64.3	64.7	97.2%
實施例2	2	2EHB	20.8	2	31.3	10.5	64.3	64.7	98.7%
實施例3	1	B-03	15.8	2	31.3	15.5	70.0	71.0	88.6%
實施例4	3	BNB	25.8	3	60.3	34.5	67.9	67.6	90.0%
實施例5	2	2EHB	20.8	3	60.3	39.5	64.3	64.7	97.1%
實施例6	1	B-03	15.8	3	60.3	44.5	70.0	71.0	91.9%

[表7]

表7
	功能性油墨No.	高沸點溶劑	接觸角θ1(°)	撥液堤部No.	錐角θ2(°)	θ 2－θ 1(°)	錐角θ4(°)	錐角θ5(°)	平坦度U
比較例1	3	BNB	25.8	1	15.7	-10.1	70.0	71.0	27.9%
比較例2	2	2EHB	20.8	4	67.7	46.9	64.3	64.7	59.2%
比較例3	1	B-03	15.8	5	70.8	55.0	67.9	67.6	15.0%

自表6及表7、以及圖13中所示之θ2－θ1與平坦度U之關係可知，包含有機溶劑之功能性油墨與撥液堤部之組合中，平坦度U為80%以上，上述有機溶劑顯現出與模擬堤部側面基板之接觸角θ1和堤部之錐角θ2之差大於-8°且小於45°的角度。 -8°＜θ2－θ1＜45°

認為其原因在於，由於功能性油墨對於堤部側面具有適度之接觸角，故而能夠適度地不自固定而潤濕下來，從而平坦度U變高。

已使用特定之態樣對本發明進行了詳細說明，但從業者明白能夠在不脫離本發明之意圖與範圍之情況下進行各種變更。

＜藉由蒸鍍元件形成之錐角θ2及斷線之確認＞ 對市售之撥液堤部基板進行電漿處理，製作錐角θ2不同之撥液堤部基板。 於膜厚0.5 mm之玻璃基板形成AlCu合金100 nm，於其上形成氧化銦錫(ITO)膜13 nm之陽極電極，於其上以開口尺寸為長軸180 μm、短軸60 μm且角部R為30 μm形成撥液抗蝕劑1.5 μm，在短軸方向上排列7個，在長軸方向上排列22個，共排列154個開口部，獲取表8中所示之錐角θ2不同之基板。

[表8]

表8
	錐角θ2
參考例1(○)	61°
參考例2(▲)	72°
參考例3( ×)	80°

藉由真空蒸鍍法以如下方式依序進行積層，即，積層膜厚10 nm之氧化鉬作為電洞注入層，積層膜厚60 nm之9H-茀-2-胺-N-[1,1'-聯苯]-4-基-9,9-二甲基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基](HT-211)作為電洞傳輸層，積層膜厚60 nm之三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)作為發光層，積層膜厚1 nm之8-羥基喹啉鋰(Liq)作為電子注入層，以Ag：Mg＝9：1積層膜厚13 nm之共蒸鍍作為陰極，於其上積層30 nm之HT-211作為覆蓋層，而製作有機電致發光元件。 繼而，向中央具有凹部之密封玻璃之該凹部貼附乾燥劑，對凹部之周圍之框部分塗佈UV硬化樹脂。以密封玻璃之凹部將間隔壁基板上之有機電致發光元件及線狀圖案全部覆蓋之方式進行配置，將密封玻璃貼附於間隔壁基板，對UV硬化樹脂照射UV而使其硬化，對中空構造進行密封，藉此製作有機電致發光元件評價用裝置。

＜有機電致發光元件之電特性測定＞ 將藉由以上方式所製作之有機電致發光元件之元件特性彙總於圖14中所示之圖表中。圖14中，以「○」對參考例1之元件特性進行繪圖，以「▲」對參考例2之元件特性進行繪圖，以「×」對參考例3之元件特性進行繪圖。橫軸表示電壓(V)，縱軸表示電流密度(mA/cm ²)。

於藉由蒸鍍所得之陰極電極薄至13 nm之元件時，若錐角θ2為70°以上，則電流難以流動，所測定之電流密度有變小之傾向(參考例2、3)。認為其原因在於，若錐角θ2變大，則在堤部之邊緣部分電極變薄，因此電阻變高。因此，於蒸鍍陰極電極為13 nm以下時，錐角θ2較佳為未達70°。

以上，已對各種實施方式進行說明，但本發明當然並不限定於該例。從業者顯然可於申請專利範圍中所記載之範疇內想到各種變更例或修正例，當然明瞭其等亦屬於本發明之技術範圍。又，亦可於不脫離發明之主旨之範圍內將上述實施方式中之各構成元件進行任意組合。

再者，本申請案係基於2023年1月27日提出申請之日本專利申請案(特願2023-011241)者，其內容係以參照之形式援引至本申請案中。 [產業上之可利用性]

本發明之製造方法可使由堤部包圍之區域內之功能性膜之膜厚之均一性變得良好，因此可用作有機電致發光元件之製造方法。

1:基板 2:陽極 3:電洞注入層 4:電洞傳輸層 5:發光層 6:電洞阻擋層 7:電子傳輸層 8:電子注入層 9:陰極 10:有機電致發光元件 101:堤部 102:基板 103:功能性膜 104:開口部之重心 LB:開口部之長度 LF:未厚至較50%LB下之平均膜厚超出15 nm之部分之長度

圖1係用以對平坦度U之定義進行說明之設置於基板上之功能性膜之剖面之模式圖。 圖2係用以對錐角θ2、堤部之高度等進行說明之利用SEM(scanning electron microscop，掃描式電子顯微鏡)所拍攝之堤部之模式圖。 圖3係表示本發明之有機電致發光元件之構造例之剖面模式圖。 圖4係表示實施例1中所獲得之功能性膜之膜厚輪廓之圖。 圖5係表示實施例2中所獲得之功能性膜之膜厚輪廓之圖。 圖6係表示實施例3中所獲得之功能性膜之膜厚輪廓之圖。 圖7係表示實施例4中所獲得之功能性膜之膜厚輪廓之圖。 圖8係表示實施例5中所獲得之功能性膜之膜厚輪廓之圖。 圖9係表示實施例6中所獲得之功能性膜之膜厚輪廓之圖。 圖10係表示比較例1中所獲得之功能性膜之膜厚輪廓之圖。 圖11係表示比較例2中所獲得之功能性膜之膜厚輪廓之圖。 圖12係表示比較例3中所獲得之功能性膜之膜厚輪廓之圖。 圖13係相對於θ2-θ1對平坦度U進行繪圖所得之圖表。 圖14係表示有機電致發光元件之元件特性之圖表。

1:基板

2:陽極

3:電洞注入層

4:電洞傳輸層

5:發光層

6:電洞阻擋層

7:電子傳輸層

8:電子注入層

9:陰極

10:有機電致發光元件

Claims (19)

1. 一種有機電致發光元件之製造方法，其依序包括以下步驟： 於具有導電性電極圖案之基板上塗佈撥液抗蝕劑，藉由光微影法設置複數個微小區域之開口部； 將包含至少一種功能性材料及至少一種有機溶劑之功能性油墨藉由印刷法塗佈於上述開口部；及 藉由減壓乾燥使上述功能性油墨中所含之上述有機溶劑揮發；且 將上述功能性油墨中所含之全部有機溶劑中沸點最高之溶劑相對於用以測定接觸角之膜的接觸角設為θ1，將由上述撥液抗蝕劑以包圍開口部之方式所形成之堤部之錐角設為θ2時，滿足下述關係，該用以測定接觸角之膜係藉由外部能量將使上述撥液抗蝕劑硬化所獲得之撥液抗蝕膜之表面剝離而獲得， -8°＜θ2－θ1＜45°。
2. 如請求項1之有機電致發光元件之製造方法，其中上述功能性油墨包含至少兩種有機溶劑。
3. 如請求項1或2之有機電致發光元件之製造方法，其中上述錐角θ2大於30°且未達70°，上述堤部之高度為1.9 μm以下。
4. 如請求項1或2之有機電致發光元件之製造方法，其中上述接觸角θ1大於0°且未達78°。
5. 如請求項1或2之有機電致發光元件之製造方法，其中上述藉由外部能量所進行之撥液抗蝕膜之表面之剝離係藉由UV/臭氧處理、或電漿處理而進行。
6. 如請求項1或2之有機電致發光元件之製造方法，其中具有上述接觸角θ1之有機溶劑之含量相對於上述功能性油墨中所含之全部有機溶劑之總重量為5重量%以上。
7. 如請求項1或2之有機電致發光元件之製造方法，其中具有上述接觸角θ1之有機溶劑之含量相對於上述功能性油墨中所含之全部有機溶劑之總重量未達50重量%。
8. 如請求項1或2之有機電致發光元件之製造方法，其中上述功能性油墨中所含之全部有機溶劑中沸點最低之溶劑之沸點為200℃以上。
9. 如請求項1或2之有機電致發光元件之製造方法，其中具有上述接觸角θ1之有機溶劑之沸點、與上述功能性油墨中所含之全部有機溶劑中沸點最低之有機溶劑之沸點的差為20℃以上。
10. 如請求項1或2之有機電致發光元件之製造方法，其中上述功能性材料包含至少一種電洞傳輸性化合物及至少一種電子接受性化合物。
11. 如請求項1或2之有機電致發光元件之製造方法，其中對上述功能性油墨中所含之上述有機溶劑進行減壓乾燥之時間為1分鐘以上且未達15分鐘。
12. 如請求項1或2之有機電致發光元件之製造方法，其中上述撥液抗蝕劑含有含氟原子樹脂。
13. 如請求項1或2之有機電致發光元件之製造方法，其中藉由上述外部能量對上述撥液抗蝕膜進行處理之時間為30秒以上300秒以下。
14. 如請求項1或2之有機電致發光元件之製造方法，其中上述接觸角θ1為10°以上且未達50°。
15. 如請求項1或2之有機電致發光元件之製造方法，其中將上述功能性油墨相對於上述撥液抗蝕膜之表面之接觸角設為θ4時，上述接觸角θ4與上述接觸角θ1之差為40°以上。
16. 如請求項1或2之有機電致發光元件之製造方法，其中上述功能性油墨中所含之上述有機溶劑包含選自由苯甲酸酯系、萘衍生物、二苯基甲烷衍生物、芳香族醚系溶劑、苯衍生物、芳香族醚系溶劑及聯苯衍生物所組成之群中之兩種以上。
17. 如請求項1或2之有機電致發光元件之製造方法，其中上述撥液抗蝕劑含有著色劑。
18. 一種有機電致發光元件，其係使用如請求項1或2之製造方法而製造。
19. 一種有機電致發光元件，其係於由堤部劃分之微小區域之開口部具備功能性膜者，上述堤部係使撥液抗蝕劑硬化而成者，且 將選自由Barrel Process Oil B-03、苯甲酸2-乙基己酯及苯甲酸苄酯所組成之群中之一種溶劑相對於藉由外部能量將上述堤部之上部表面剝離後之表面的接觸角設為θ3，將上述堤部之錐角設為θ2時，上述溶劑之至少一者滿足下述關係， -8°＜θ2－θ3＜45°。