TW202423268A - 電致發光顯示裝置 - Google Patents

Abstract

一種包含顯示部分的電致發光顯示裝置，該顯示部分包含主動區域和非主動區域。此外，該電致發光顯示裝置包括：封裝部分，設置在顯示部分上方；以及一個或多個撓性薄膜，附接到顯示部分的一側。此外，該電致發光顯示裝置包括：低電位電源線，由一個或多個撓性薄膜供應低電位電力。此外，該電致發光顯示裝置包括導電元件，其塗覆在靠近一個或多個撓性薄膜的封裝部分的側表面上，並連接到低電位電源線。

Description

電致發光顯示裝置

本發明涉及一種電致發光顯示裝置，更具體地，涉及一種能夠改善電磁干擾（EMI）的電致發光顯示裝置。

當前時代稱為資訊時代，因為用於視覺顯示電子訊號的顯示裝置領域正在迅速發展。因此，對顯示裝置進行諸如薄型化、輕量化以及低功耗等改進的工作仍在繼續。

顯示裝置的代表性示例包括：液晶顯示（LCD）裝置；電潤濕顯示（EWD）裝置；有機發光顯示（OLED）裝置；以及類似者。

電致發光顯示裝置可以指包含OLED裝置的各種顯示裝置，並且與需要單獨的背光單元的LCD裝置不同，電致發光顯示裝置是不需要單獨光源的自發光顯示裝置。因此，可以以輕且薄的形式製造電致發光顯示裝置。此外，電致發光顯示裝置不僅在低電壓驅動的功耗方面具有優勢，而且具有優異的色彩表現能力、響應速度、視角和對比度（CR）。因此，電致發光顯示裝置有望在未來幾年應用於各個領域。

本發明的一態樣在於提供一種具有增加剛性的顯示面板和改善散熱的電致發光顯示裝置。

本發明的另一態樣在於提供一種能夠改善電磁干擾（EMI）的電致發光顯示裝置。

因此，本發明的實施例旨在提供一種基本上消除由於現有技術的限制和缺點而導致的一個或多個問題的裝置。

附加的特徵和方面將在下面的描述中闡述，並且部分地將從說明書中顯而易見，或者可以透過實踐本文提供的發明構思來了解。本發明構思的其他特徵和方面可以透過在書面描述中特別指出的或可從其導出的結構、及其申請專利範圍以及附圖來實現和獲得。

根據本發明的一態樣，電致發光顯示裝置包括顯示部分，該顯示部分包含：主動區域；以及非主動區域。此外，電致發光顯示裝置包括：封裝部分，設置在顯示部分上方；以及撓性薄膜，附接到顯示部分的一側。此外，電致發光顯示裝置包括低電位電源線，其由撓性薄膜供應低電位電力。進一步地，該電致發光顯示裝置包括導電膠，其塗覆在該撓性薄膜之間的封裝部分的側表面上，並且該導電膠的一側連接到低電位電源線。

根據本發明，封裝結構具有包含相對厚的增強基板的多層結構。因此，能夠實現充分的剛性和散熱性。

根據本發明，導電膠施加到封裝部分的側表面並連接到源極墊片之間的低電位電源線（VSS）的接觸部。因此，可以改善EMI。

透過研究以下附圖和詳細描述，其他系統、方法、特徵和優點對於本領域通常知識者來說將是顯而易見的。旨在包括在本說明書內的所有這樣的附加系統、方法、特徵和優點都在本發明的範圍內，並且受到所附請求項的保護。本節中的任何內容均不應視為對這些請求項的限制。下面結合本發明的各方面討論另外的方面和優點。

應當理解，前面的一般描述和下面的詳細描述都是示例性和解釋性的，並且旨在提供對所要求保護的發明構思的進一步解釋。 【圖示簡單說明】

提供對本發明的進一步理解且併入本申請案中並構成本申請案的一部分之所包含的附圖示出了本發明的實施例並與說明書一起用於解釋本發明的各種原理。 圖1是示出根據本發明第一示例實施例的電致發光顯示裝置的方塊圖； 圖2是圖1的電致發光顯示裝置的子像素的電路圖； 圖3至圖5是示意性地示出圖1的電致發光顯示裝置的平面結構的視圖； 圖6是沿圖3的I-I’線所截取的剖面圖； 圖7是圖6的電致發光顯示裝置的子像素的剖面圖； 圖8是示意性示出根據本發明第二示例實施例的電致發光顯示裝置的剖面圖； 圖9是示意性示出根據本發明第三示例實施例的電致發光顯示裝置的剖面圖； 圖10是示意性示出根據本發明第四示例實施例的電致發光顯示裝置的剖面圖；以及 圖11和圖12是示意性示出根據本發明第五示例實施例的電致發光顯示裝置的平面圖。

在整個附圖和詳細描述中，除非另外描述，否則相同的附圖標記應當理解為指代相同的元件、特徵和結構。為了清楚、說明和方便起見，這些元件的相對尺寸和描述可能被誇大。

透過參考下面詳細描述的示例性實施例以及附圖，本發明的優點和特徵以及實現這些優點和特徵的方法將變得清楚。然而，本發明不限於這裡所揭露的示例實施例，而是可以以各種形式來實現。示出的實施例僅以示例的方式提供，以使本領域通常知識者能夠充分理解本發明的內容和本發明的範圍。

用於描述本發明的示例實施例的附圖中示出的形狀、尺寸、比例、角度、數量等僅是示例，本發明不限於此。在整個說明書中，相同的附圖標記通常表示相同的元件。此外，在本發明的以下描述中，可以省略已知相關技術的詳細解釋，以避免不必要地模糊本發明的主題。本文使用的術語諸如「包括、包含」、「具有」和「由......組成」通常旨在允許添加其他組件，除非這些術語與術語「僅」一起使用。除非另有明確說明，任何對單數的提及都可以包括複數。

即使沒有明確說明，組件也解釋為包括普通誤差範圍。

當使用「上」、「上方」、「下」和「旁邊」等術語描述兩個部件之間的位置關係時，一個或多個部件可以位於兩個部件之間，除非這些術語與術語一起使用「立即」或「直接」。

當一個元件或層設置在另一個元件或層「上」時，另一個層或另一個元件可以直接插入到另一個元件上或它們之間。

儘管術語「第一」、「第二」等用於描述各種組件，但是這些組件不限於這些術語。這些術語僅用於將一個組件與其他組件區分開。因此，下面要提到的第一組件可以是本發明的技術概念中的第二組件。

在整個說明書中，相同的附圖標記通常表示相同的元件。

為了便於描述而示出了說明書中描述的每一個元件的面積、長度或厚度，並且本發明不限制於示出的配置的面積和厚度。

本發明的各個實施例的特徵可以部分或全部地彼此附接或組合，並可以以技術上的各種方式聯動和操作，且實施例可以彼此獨立或關聯地實施。

在下文中，將參照附圖詳細描述根據本發明示例實施例的顯示裝置。

圖1是示出根據本發明第一示例性實施例的電致發光顯示裝置的方塊圖。

參照圖1，根據本發明第一示例實施例的電致發光顯示裝置100可以包括：影像處理器111；時序控制器112；以及資料驅動器113。此外，電致發光顯示裝置100包括：閘極驅動器114；以及顯示部分DP。

影像處理器111可以輸出從外部供應的資料訊號DATA和資料致能訊號DE。除了資料致能訊號DE之外，影像處理器111還可以輸出垂直同步訊號、水平同步訊號和時脈訊號中的一種或多種。 垂直和水平同步訊號可以用於界定每行和訊框的末端。

時序控制器112從影像處理器111接收資料訊號DATA和驅動訊號，驅動訊號包括資料致能訊號DE或垂直同步訊號、水平同步訊號、及時脈訊號。時序控制器112可以基於驅動訊號輸出用於控制閘極驅動器114的操作時序的閘極時序控制訊號GDC、及用於控制資料驅動器113的操作時序的資料時序控制訊號DDC。

此外，資料驅動器113可以採樣並鎖存從時序控制器112供應的資料訊號DATA，以響應從時序控制器112供應的資料時序控制訊號DDC。然後，資料驅動器113可以將採樣和鎖存的資料訊號DATA轉換為伽瑪參考電壓並輸出伽瑪參考電壓。資料驅動器113可以透過資料線DL1至DLn輸出資料訊號DATA。

閘極驅動器114可以輸出閘極訊號，同時改變閘極電壓的位準，以響應從時序控制器112供應的閘極時序控制訊號GDC。閘極驅動器114可以透過閘極線GL1至GLm輸出閘極訊號。

顯示部分DP可以在子像素P發光的同時顯示影像，以響應分別從資料驅動器113和閘極驅動器114接收到的資料訊號DATA和閘極訊號。將參照圖2和圖6描述每個子像素P的詳細結構。

圖2是圖1的電致發光顯示裝置的子像素的電路圖。

參照圖2，根據本發明第一示例實施例的電致發光顯示裝置的子像素可以包括：開關電晶體ST；以及驅動電晶體DT。此外，子像素可以包括：補償電路135；以及有機發光二極體150。

有機發光二極體150可以進行操作以發光，以響應由驅動電晶體DT形成的驅動電流。

開關電晶體ST可以執行開關操作，使得透過資料線117供應的資料訊號儲存在電容器Cst中作為資料電壓，以響應透過閘極線116供應的閘極訊號。

驅動電晶體DT可以進行操作，使得恆定的驅動電流在高電位電源線VDD與低電位電源線VSS之間流動，以響應儲存在電容器Cst中的資料電壓。

補償電路135是用於補償驅動電晶體DT的閾值電壓的電路。補償電路135可以包括：一個或多個薄膜電晶體；以及電容器。補償電路135的配置可以根據補償方法進行各種修改。

圖2所示的子像素具有2T（電晶體）-1C（電容器）結構，包括：開關電晶體ST；驅動電晶體DT；電容器Cst；以及有機發光二極體150。然而，當補償電路135添加到子像素時，子像素可以具有3T1C、4T2C、5T2C、6T1C、6T2C、7T1C、7T2C等各種結構。

圖3至圖5是示意性地示出圖1的電致發光顯示裝置的平面結構的視圖。

圖3示出電致發光顯示裝置100的平面結構，其中，封裝部分FSPM設置在顯示部分DP上。圖4和圖5示出其中去除封裝部分FSPM的電致發光顯示裝置100的平面結構。具體地，圖4示出其中設置有陰極153的電致發光顯示裝置100的平面結構。

參照圖3至圖5，根據本發明第一示例實施例的電致發光顯示裝置100可以包括：顯示部分DP；封裝部分FSPM；以及一個或多個撓性薄膜180。

顯示部分DP是用於向使用者顯示影像的面板。

例如，顯示部分DP可以包括：顯示元件，用於顯示影像；驅動元件，用於驅動顯示元件；以及線路，用於將各種訊號傳送到顯示元件和驅動元件。顯示元件可以根據顯示部分DP的類型以不同的方式界定。例如，如果顯示部分DP是有機發光顯示面板，則顯示元件可以是包含陽極、有機層、以及陰極的有機發光二極體。例如，如果顯示部分DP是液晶顯示面板，則顯示元件可以是液晶顯示元件。

在下文中，儘管顯示部分DP將描述為有機發光顯示面板，但是本發明的顯示部分DP不限於有機發光顯示面板。

顯示部分DP包括：主動區域AA；以及非主動區域NA。

主動區域AA是在顯示部分DP中顯示影像的區域。

形成複數個像素的複數個子像素和用於驅動複數個子像素的電路可以設置在主動區域AA中。主動區域AA至少包括複數個子像素，且顯示元件可以設置在複數個子像素的每一個上。複數個子像素可以形成像素。例如，由陽極、有機層和陰極組成或包含陽極、有機層和陰極的有機發光二極體可以設置在複數個子像素的每一個上。然而，本發明的實施例不限於此。此外，用於驅動複數個子像素的電路可以包括驅動元件和線路。例如，電路可以由薄膜電晶體、儲存電容器、閘極線、資料線等組成或者包括薄膜電晶體、儲存電容器、閘極線、資料線等，但不限於此。

非主動區域NA是不顯示影像的區域。

儘管圖3至圖5示出非主動區域NA包圍具有矩形形狀的主動區域AA，但是主動區域AA和非主動區域NA的形狀和佈置不限於在圖3至圖5中所示的示例。

例如，主動區域AA和非主動區域NA可以具有適合於配備有根據本發明示例實施例的電致發光顯示裝置100的電子裝置的設計的形狀。例如，主動區域AA可以具有五邊形形狀、六邊形形狀、圓形形狀、橢圓形形狀、及類似形狀。

在非主動區域NA中，可以佈置用於驅動主動區域AA中的有機發光二極體的各種線路和電路。例如，用於將訊號傳送到主動區域AA中的複數個子像素和電路的連接線、或者諸如閘極驅動器IC或資料驅動器IC的驅動器IC可以設置在非主動區域中。然而，本發明的實施例不限於此。

此外，電致發光顯示裝置100可以包括用於產生各種訊號或驅動主動區域AA中的像素的各種附加組件。例如，用於驅動像素的附加組件可以包括：反相器電路；多工器；靜電放電（ESD）電路；以及類似者。電致發光顯示裝置100還可以包括與驅動像素的功能之外的功能相關的組件。例如，電致發光顯示裝置100可以包括用於提供觸摸感測功能、使用者認證功能（例如，指紋掃描）、多級壓力感測功能、觸覺反饋功能等的附加組件。以上所述的附加組件可以位於非主動區域NA中和/或位於連接到連接介面的外部電路上。

撓性薄膜180可以是其中各種組件設置在具有延展性的基膜上的薄膜。具體地，撓性薄膜180用以向主動區域AA的複數個子像素和電路供應訊號，並可以電連接到顯示部分DP。撓性薄膜180可以設置在顯示部分DP的一端，以向主動區域AA的複數個子像素和電路供應電源電壓或資料電壓。儘管在圖3和圖4中示出了五個撓性薄膜180作為示例，但是撓性薄膜180的數量可以根據設計而變化並且不限於示出的示例。

同時，諸如閘極驅動器IC或資料驅動器IC的驅動IC可以設置在撓性薄膜180上。驅動IC可以是處理用於顯示影像的資料和用於處理資料的驅動訊號的組件。根據安裝方法，驅動IC可以以覆晶玻璃構裝（COG）、覆晶薄膜構裝（COF）或捲帶式封裝（TCP）方式設置。

此外，例如，印刷電路板可以設置在撓性薄膜180的一端並連接至撓性薄膜180。例如，印刷電路板可以是向驅動IC供應訊號的組件。此外，印刷電路板可以向驅動IC供應各種訊號，諸如驅動訊號或資料訊號。例如，用於產生資料訊號的資料驅動器可以安裝在印刷電路板上，並且產生的資料訊號可以透過撓性薄膜180供應給顯示部分DP上的子像素和電路。

同時，封裝部分FSPM可以設置在顯示部分DP上。

封裝部分FSPM可以由密封構件和增強基板組成或者包括密封構件和增強基板。

根據本發明，封裝結構具有包含相對厚的增強基板的多層結構。因此，能夠實現充分的剛性和散熱性。然而，如果將諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）的塑膠聚合物用於增強基板，則難以抑制電磁干擾（EMI）。例如，在電致發光顯示裝置100中，顯示部分DP和機構組件需要電連接以避免EMI。這裡，本發明的封裝部分FSPM採用由塑膠聚合物製成的增強基板，其間插設有絕緣黏合層。因此，無法像傳統方法那樣使用封裝部分FSPM上的導電帶來實現與顯示部分DP的電連接（接地）。此外，根據本發明，如果由諸如鋁（Al）箔的金屬材料製成或者包含諸如鋁（Al）箔的金屬材料的阻擋層不與陰極153形成共接地（common ground），則可以形成尺寸與顯示部分DP相當的大電容器。因此，當電壓施加到陰極153時，由於電荷的積累，電路中可能發生短路。

根據本發明，導電膠160可以施加到封裝部分FSPM的側表面，以與封裝部分FSPM的金屬阻擋層的側表面接觸。此外，連接到低電位電源線161的低電位電源線接觸部165可以暴露在撓性薄膜180或源極墊片之間，以便電連接到導電膠160。因此，可以改善EMI。阻擋層的暴露側表面藉由使用導電膠160來連接到低電位電源線161。這裡，低電位電源線161可以與資料驅動器IC共享低電位電源。在本發明的實施例中，複數個導電膠160可以設置在相鄰成對的複數個撓性薄膜180之間。

在本發明的實施例中，導電膠160的作用或功能可以由任何導電材料來執行，包括金屬條、導線、光學導電黏合劑、具有導電通道的樹脂、箔或其他可以導電的材料。在本發明的各種實施例中，導電膠160可以稱為導電通道或導電元件。

例如，撓性薄膜180可以附接到顯示部分DP的一側上的尖端末端，以覆蓋源極墊片和驅動IC。此外，可以透過連接線171將電源電壓和資料電壓供應給主動區域AA中的複數個子像素和電路。

例如，如果連接線171是高電位電源線，則其可以連接到設置成平行於顯示部分DP的寬度方向的第一短條172。然後，連接線171可以透過設置在主動區域AA中的複數條高電位電源線173連接到第二短條174。複數條高電位電源線173可以設置成平行於顯示部分DP的高度方向。

例如，連接線171可以形成為遮光層和閘極層上的兩層結構。此外，第一短條172和第二短條174可以形成在閘極層上，並且複數條高電位電源線173可以形成在遮光層上。然而，本發明的實施例不限於此。

第一短條172可以位於主動區域AA的上端，而第二短條174可以位於主動區域AA的下端。然而，本發明的實施例不限於此。

本發明的低電位電源線161可以設置在連接線171的外部或緊鄰連接線171並設置在撓性薄膜180之間或緊鄰撓性薄膜180。低電位電源線161可以形成為或包括遮光層和閘極層上的兩層結構。

低電位電源線接觸部165設置在低電位電源線161上，並且低電位電源線接觸部165可以與低電位電源線161接觸（或連接）。

低電位電源線接觸部165可以形成在陽極層上。

圖5（和圖4）示出低電位電源線接觸部165在每個撓性薄膜180之間具有倒三角形形狀的示例，但是本發明的實施例不限於此。低電位電源線接觸部165可以具有條形形狀，其平行於每個撓性薄膜180之間的第一短條172的寬度方向。或者，如果高電位電源線分別設置在左側和右側上的最外層撓性薄膜180的外部，則低電位電源線接觸部165可以設置為不與高電位電源線173重疊。這是因為如果低電位電源線接觸部165與高電位電源線173重疊，則可能發生短路。例如，低電位電源線接觸部165可以具有環形形狀，其不設置在顯示部分DP能分別設置高電位電源線所在的左上端和右上端中。具有環形形狀的低電位電源線接觸部165可以與封裝部分FSPM的邊緣接觸。

當去除平坦化層和/或堤部時，可以暴露出低電位電源線接觸部165的上表面的一部分。陰極153和導電膠160可以設置在低電位電源線接觸部165的上表面的暴露部分上，以與低電位電源線接觸部165接觸（或連接）。

下面，將參照圖6和圖7詳細描述包含接地結構之本發明的電致發光顯示裝置100的截面結構。

圖6是沿圖3的I-I’線的剖面圖；

圖7是圖6的電致發光顯示裝置的子像素的剖面圖。

為了便於描述，在圖6中未示出顯示部分DP的一些組件，並示意性地示出主動區域AA中的像素單元125。

圖7是示出根據本發明第一示例實施例的顯示部分DP的子像素的剖面圖。

參照圖6和圖7，驅動元件120可以設置在基板101上。

此外，平坦化層105可以設置驅動元件120上。

電連接到驅動元件120的有機發光二極體150設置在平坦化層105上，並且覆蓋層107可以設置在有機發光二極體150上。

密封構件130和增強基板140可以依序設置在覆蓋層107上。然而，也可以省略掉增強基板140或密封構件130，或者如果存在的話，增強基板140或密封構件130可以是可撓性的或可彎曲的，但本發明的實施例不限於此，並可以使用剛性或半剛性的增強基板140。

根據本發明第一示例實施例的電致發光顯示裝置100不限於這種層疊結構。

具體地，基板101可以為玻璃基板或塑膠基板。如果基板101是塑膠基板，則可以使用聚酰亞胺基或聚碳酸酯基的材料以具有可撓性。特別是，聚酰亞胺可以應用於高溫製程，並且由於其是可塗覆的材料而被廣泛地用於塑膠基板。

緩衝層102可以設置在基板101上。

緩衝層102用於保護各種電極/線路免受從基板101或下層流出之諸如鹼離子等的雜質的影響。緩衝層102可以具有包含第一緩衝層102a和第二緩衝層102b的多層結構，但不限於此。緩衝層102可以由氧化矽（SiOx）、氮化矽（SiNx）或其多層形成，或者包括氧化矽（SiOx）、氮化矽（SiNx）或其多層，但本發明的實施例不限於此，因為有機材料、其他無機材料、其他陶瓷或氧化物可以用作緩衝層。

例如，緩衝層102可以延遲滲透到基板101中的濕氣和氧氣的擴散。緩衝層102可以包括多緩衝層和/或主動緩衝層。主動緩衝層保護驅動元件120的主動層124，該主動層124由半導體製成或包括半導體，並可以用於阻擋從基板101引入的各種雜質。主動緩衝器可以由非晶矽（a-Si）等製成或者包括非晶矽（a-Si）等。

這裡，例如，驅動元件120可以由主動層124、閘極電極121、源極電極122和汲極電極123組成，或者包括主動層124、閘極電極121、源極電極122和汲極電極123。驅動元件120可以透過連接電極115電連接到有機發光二極體150，從而可以將電流或訊號傳送到有機發光二極體150。

主動層124可以設置在緩衝層102上。主動層124可以由多晶矽（p-Si）製成或者包括多晶矽（p-Si）。在該示例中，預定區域可以摻雜有雜質。主動層124還可以由非晶矽（a-Si）製成或者包括非晶矽（a-Si），或者可以由各種有機半導體材料製成或者包括各種有機半導體材料，該些有機半導體材料例如並五苯。可替換地，主動層124可以由氧化物半導體製成或者包括氧化物半導體。

閘極絕緣層103可以設置在主動層124上。

閘極絕緣層103可以由無機絕緣材料製成或者包括無機絕緣材料，該無機絕緣材料例如氧化矽（SiOx）或氮化矽（SiNx），或者可以由有機絕緣材料製成或者包括有機絕緣材料，但本發明的實施例不限於此。

閘極電極121可以設置在閘極電極絕緣層103上。

閘極電極121可以由各種導電材料製成或包括各種導電材料，該些導電材料例如鎳（Ni）、鉻（Cr）、鎂（Mg）、鋁（Al）、鉬（Mo）、鎢（W）、金（Au）或其合金，但本發明的實施例不限於此。

連接線171可以設置在與非主動區域NA中的閘極電極121相同的層上。連接線171可以延伸到主動區域AA。

低電位電源線161可以設置在與非主動區域NA中的閘極電極121相同的層上，但不限於此。低電位電源線161可以設置在與源極電極122和汲極電極123相同的層上。或者，低電位電源線161可以形成為或包括與閘極電極121、源極電極122和汲極電極123位於同一層上的兩層結構。低電位電源線161可以延伸到封裝部分FSPM的外部。換句話說，低電位電源線161可以延伸超出封裝部分FSPM的邊緣。

層間絕緣層104可以設置在閘極電極121上。

層間絕緣層104可以由無機絕緣材料製成或者包括無機絕緣材料，該無機絕緣材料例如氧化矽（SiOx）或氮化矽（SiNx），或者可以由有機絕緣材料製成或者包括有機絕緣材料，但本發明的實施例不限於此。

可以藉由選擇性地去除閘極絕緣層103和層間絕緣層104以暴露出主動層124的源極區域和汲極區域來形成接觸孔。例如，源極電極122和汲極電極123可以由層間絕緣層104上的單層結構或多層結構的電極材料製成或者包括層間絕緣層104上的單層結構或多層結構的電極材料。此外，源極電極122和汲極電極123可以分別連接到源區域和汲區域。

如必要或需要，鈍化層還可以形成以覆蓋源極電極122和汲極電極123，該鈍化層由無機絕緣材料製成或包含無機絕緣材料，但本發明的實施例不限於此。

平坦化層105可以設置在如上所述配置的驅動元件120上。

平坦化層105可以具有包含至少兩層的多層結構。例如，平坦化層105可以包括：第一平坦化層105a；以及第二平坦化層105b。第一平坦化層105a設置以覆蓋驅動元件120，並可以設置以暴露驅動元件120的源極電極122的一部分或汲極電極123的一部分。

例如，平坦化層105可以延伸到非主動區域NA以覆蓋連接線171的一部分和低電位電源線161的一部分。例如，平坦化層105可以延伸到封裝部分FSPM的外部。

平坦化層105可以覆蓋低電位電源線161的一部分。

第一開孔OH1可以藉由去除平坦化層105的一部分來形成，以暴露出低電位電源線161的上表面的一部分。

平坦化層105的厚度可以為約2μm，但不限於此。

平坦化層105可以是覆蓋層，但不限於此。

同時，連接電極115可以設置在第一平坦化層105a上，以電連接驅動元件120和有機發光二極體150。在圖7中，用作諸如資料線或訊號線的線路/電極的各種金屬層可以設置在第一平坦化層105a上。

此外，第二平坦化層105b可以設置在第一平坦化層105a和連接電極115上。

例如，在根據本發明第一示例實施例的顯示部分DP中，平坦化層105由兩層組成或包括兩層。這是因為隨著各種訊號線的數量增加而增加顯示部分DP的解析度。因此，難以將所有的線路設置在單層中以便彼此間隔開最小距離。因此，形成附加層。由於附加層，即第二平坦化層105b，線路可以依空間設置。換言之，由於附加層，線路可以設置得更緊湊。因此，可以更容易設計線路/電極的佈局。此外，如果介電材料用於具有多層結構的平坦化層105，則平坦化層105可以用於在金屬層之間形成電容。

第二平坦化層105b可以形成以暴露出連接電極115的一部分。驅動元件120的汲極電極123和有機發光二極體150的陽極151可以透過連接電極115彼此電連接。

有機發光二極體150可以具有其中依次設置陽極151、複數個有機層152和陰極153的結構。

例如，有機發光二極體150可以由形成在平坦化層105上的陽極151、形成在陽極151上的有機層152及形成在有機層152上的陰極153組成或者包括形成在平坦化層105上的陽極151、形成在陽極151上的有機層152、及形成在有機層152上的陰極153。

根據光發射的方向，電致發光顯示裝置100可以是頂部發射型或底部發射型。對於頂部發射型，從有機層152發射的光可以從陽極151向上方向（即，向其上方的陰極153）反射。為此，由具有高反射率的不透明導電材料製成或者包含高反射率的不透明導電材料的反射層還可以設置在陽極151下方，該不透明導電材料例如銀（Ag）、鋁（Al）、金（Au）、鉬（Mo）、鎢（ W）、鉻（Cr）或其合金，但本發明的實施例不限於此。對於底部發射型，陽極151可以由透明導電材料製成或者包括透明導電材料，該透明導電材料例如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化銦鎵鋅（IGZO）等，但本發明不限於此。在下文中，本發明的電致發光顯示裝置100將描述為底部發射型電致發光顯示裝置。

例如，低電位電源線接觸部165還可以設置在與非主動區域NA中的陽極151相同的層上。低電位電源線接觸部165可以通過第一開孔OH1連接到低電位電源線161。如上所述，低電位電源線接觸部165可以在每個撓性薄膜180之間具有倒三角形形狀。低電位電源線接觸部165可以具有條形形狀，其平行於每個撓性薄膜180之間的第一短條172的寬度方向。如果高電位電源線173分別設置在左側和右側上的最外層撓性薄膜的外部，則低電位電源線接觸部165可以設置為不與高電位電源線重疊。例如，低電位電源線接觸部165可以具有環形形狀，其不設置在顯示部分DP能分別設置高電位電源線所在的左上端和右上端中。

堤部106可以形成在平坦化層105上，除發射區域之外的地方。例如，堤部106可以具有堤部孔，通過該堤部孔暴露出與發射區域相對應的陽極151。堤部106可以由無機絕緣材料或有機絕緣材料製成或著包括無機絕緣材料或有機絕緣材料，該無機絕緣材料例如氮化矽（SiNx）或氧化矽（SiOx），而該有機絕緣材料例如BCB、丙烯酸樹脂或酰亞胺基樹脂，但本發明的實施例不限於此。

堤部106可以延伸到非主動區域NA。例如，堤部106延伸到封裝部分FSPM的外部，以完全覆蓋平坦化層105並抑制平坦化層105暴露於外部。換句話說，堤部106可以延伸超出封裝部分FSPM的邊緣，以完全覆蓋平坦化層105並抑制平坦化層105暴露於外部。

這樣，具有較低吸濕率的堤部106覆蓋具有較高吸濕率的平坦化層105。因此，當電致發光顯示裝置100暴露於濕氣時，可以使濕氣吸收最小化，從而可以提高相對於濕氣滲透的可靠性。此外，形成在平坦化層105中的第一開孔OH1被由透明導電材料製成的低電位電源線接觸部165覆蓋或者被包含透明導電材料的低電位電源線接觸部165覆蓋。該透明導電材料可以包括氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化銦鎵鋅（IGZO）等，但本發明的實施例不限於此。因此，可以抑制濕氣的滲透。

此處，堤部106可以設置以覆蓋低電位電源線接觸部165除了低電位電源線接觸部165的中央部以外的邊緣的一部分。因此，可以形成第二開孔OH2以暴露出低電位電源線接觸部165的中央部。例如，第一開孔OH1具有比第二開孔OH2更大的面積，而且低電位電源線接觸部165可以具有比第一開孔OH1更大的面積。

堤部106可以具有約1μm，但不限於此。

有機層152可以設置在由堤部106暴露的陽極151上。有機層152可以包括發射層、電子注入層、電子傳輸層、電洞傳輸層、電洞注入層等，但本發明的實施例不限於此。

有機層152可以延伸到非主動區域NA。

有機層152可以延伸到非主動區域NA的一部分，以與低電位電源線161間隔開一預定距離。該預定距離可以可選地取決於顯示面板尺寸。

在非主動區域NA中，有機層152可以設置在堤部106的一部分上。

陰極153可以設置在有機層152上。

對於頂部發射型，陰極153可以包含透明導電材料。例如，陰極153可以由氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化銦鎵鋅（IGZO）等製成或者包括氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化銦鎵鋅（IGZO）等，但本發明的實施例不限於此。對於底部發射型，陰極153可以包含由諸如金（Au）、銀（Ag）、鋁（Al）、鉬（Mo）、鎂（Mg）、鈀（Pd）和銅（Cu）的金屬材料組成的組群中的任意一種或其合金，但本發明的實施例不限於此。或者，陰極153可以具有層狀結構。該層狀結構可以包括由透明導電材料製成的層或者包含透明導電材料的層，該透明導電材料例如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）或氧化銦鎵鋅（IGZO）。此外，該層狀結構可以包括由金屬材料製成的層或者包含金屬材料的層，該金屬材料例如金（Au）、銀（Ag）、鋁（Al）、鉬（Mo）、鎂（Mg）、鈀（Pd）和銅 （Cu）或其合金。然而，本發明的實施例不限於此。

陰極153可以延伸到非主動區域NA。

陰極153可以延伸到非主動區域NA，從而通過第二開孔OH2與低電位電源線接觸部165的一部分接觸。

在非主動區域NA中，陰極153可以設置以覆蓋有機層152的側表面。在該示例中，有機層152可以設置成與陰極153的尖端末端間隔開一預定距離。換句話說，有機層152可以設置成與陰極153的側端間隔開一預定距離，可選地接觸導電膠260。然而，本發明的實施例不限於此。一尖端末端可以描述為一側端。

覆蓋層107可以設置在有機發光二極體150上，以減少外部光的漫反射，該覆蓋層107由具有高折射率和光吸收率的材料製成或者包括具有高折射率和光吸收率的材料。

覆蓋層107可以是由有機材料製成的有機層或者是包含有機材料的有機層，並且如有必要或需要則可以省略掉。

覆蓋層107可以延伸到非主動區域NA。在非主動區域NA中，覆蓋層107可以設置在陰極153上。

一封裝結構可以設置在陰極153上，該封裝結構具有由密封構件130和增強基板140組成的多層結構或者包含密封構件130和增強基板140的多層結構。然而，本發明的實施例不限於此。如有需要或期望，則可以省略掉增強基板140。如有需要，也可以省略掉密封構件130。

用於移動式和便攜式裝置的小尺寸顯示面板具有小面板面積。因此，熱量從裝置中快速消散，並且幾乎不存在黏附問題。然而，用於顯示器、平板電腦和電視機的大尺寸面板具有大面板面積。因此，需要封裝結構來實現最佳的散熱和黏合。

此外，為了補償剛性不足，電致發光顯示裝置可以進一步包括設置在封裝基板上的單獨內板。在該示例中，需要確保用於在其中容納單獨內板的空間。由於單獨內板的重量，電致發光顯示裝置的薄型化和輕量化受到限制。此外，由於透過設置以將封裝基板和單獨內板彼此附接的黏合帶的厚度在封裝基板與單獨內板之間產生的氣隙，產生了垂直分隔空間。因此，散熱會受到影響或減少。垂直分隔空間可以位於顯示面板的堆疊方向上。

因此，在本發明的第一示例實施例中，可以引入具有包含密封構件130的多層結構的封裝結構。在該封裝結構中，可以去除單獨內板並可以固定具有相對較大厚度的增強基板140。因此，該封裝結構可以抑制製程缺陷的發生。由於顯示器上的外部顆粒（例如污染物或灰塵）或顯示器製造時的對準問題等，可能會出現製程缺陷。

本發明的密封構件130可以包括：第一黏合層131，面向基板101；以及第二黏合層133，面向增強基板140。此外，密封構件130可以包括阻擋層132，設置在第一黏合層131與第二黏合層133之間。

第一黏合層131和第二黏合層133中的每一個可以由具有黏合性的聚合物材料製成或者包括具有黏合性的聚合物材料。例如，第一黏合層131可以由烯烴基、環氧基和丙烯酸酯基的聚合物中的一種的聚合物材料製成或者包括烯烴基、環氧基和丙烯酸酯基的聚合物中的一種的聚合物材料。此外，第二黏合層133可以由烯烴基、環氧基、丙烯酸酯基、胺基、苯酚基和酸酐基的聚合物中的一種的聚合物材料製成或者包括烯烴基、環氧基、丙烯酸酯基、胺基、苯酚基和酸酐基的聚合物中的一種的聚合物材料，這些聚合物不含有羧基。例如，第二黏合層133可以由不需含有羧基的聚合物材料製成或者包括不需含有羧基的聚合物材料，以實現薄膜的均勻性和阻擋層132的腐蝕抑制。

為了基板101的散熱，第一黏合層131和第二黏合層133之中的至少第一黏合層131可以由具有黏合性的聚合物材料和金屬顆粒的混合物製成或者包括具有黏合性的聚合物材料和金屬顆粒的混合物。例如，金屬顆粒可以是由鎳（Ni）製成或包含鎳（Ni）的鎳（Ni）粉末，但本發明的實施例不限於此。與基板101直接接觸的第一黏合層131由包含具有黏合性的聚合物材料和金屬顆粒的混合物製成或者包括包含具有黏合性的聚合物材料和金屬顆粒的混合物。因此，第一黏合層131可以比具有黏合性的聚合物材料具有更高的導熱率。

同樣地，第二黏合層133由包含具有黏合性的聚合物材料和金屬顆粒的混合物製成或者包括包含具有黏合性的聚合物材料和金屬顆粒的混合物。因此，第二黏合層133可以比具有黏合性的聚合物材料具有更高的導熱率。

這樣，可以提高從基板101產生的熱量透過密封構件130消散的速率。因此，能夠提高基板101的散熱性。

此外，為了抑制濕氣滲透到像素單元125中，第一黏合層131可以進一步由包含吸濕性無機填料的混合物製成或包括包含吸濕性無機填料的混合物。該吸濕性無機填料可以是氧化鋇（BaO）、氧化鈣（CaO）和氧化鎂（MgO）中的至少一種，但本發明的實施例不限於此，也可以使用其他氧化物、陶瓷或無機材料。

與第一黏合層131不同，第二黏合層133不與像素單元125直接接觸。因此，第二黏合層133不需要包括用於抑制濕氣滲透到像素單元125中的吸濕性無機填料。因此，第二黏合層133不需要包括吸濕性無機填料，而是可以只包括具有黏合性的聚合物材料和金屬顆粒。這樣，可以減少注入到密封構件130中相對昂貴的吸濕性無機填料的量。因此，可以降低製備密封構件130的成本。

此外，由於第二黏合層133不需要包括吸濕性無機填料，因此與包含在第一黏合層131中的聚合物材料的混合比相比，可以增加包含在第二黏合層133中的聚合物材料的混合比。因此，第二黏合層133的黏合性可以高於第一黏合層131的黏合性。因此，當增強基板140更牢固地固定到第二黏合層133時，可以進一步提高基板101與增強基板140之間黏合的可靠性。

由於密封構件130具有由第一黏合層131和第二黏合層133組成或包含第一黏合層131和第二黏合層133的多層結構，因此可以減少顯示面板彎曲的翹曲量。因此，也可以提高可靠性。

第一黏合層131和第二黏合層133中的每一個的厚度可以限制為等於或小於能抑制製程缺陷的閾值厚度。此外，第一黏合層131和第二黏合層133的厚度總和可以限制為等於或大於能確保固定增強基板140的可靠性的閾值厚度，但本發明的實施例不限於此。

例如，第一黏合層131和第二黏合層133中的每一個的厚度可以在10μm至 100μm的範圍內。

可替換地，阻擋層132可以由金屬材料製成或者包括金屬材料。例如，阻擋層132可以包括諸如鋁（Al）、銅（Cu）、錫（Sn）、銀（Ag）、鐵（Fe）或鋅（Zn）的金屬材料，但本發明的實施例不限於此。

可以引入阻擋層132以實現層狀結構，用於增強與第一個黏合層131和第二黏合層133的黏合力並減少翹曲。

例如，第一黏合層131和第二黏合層133中的每一個包括具有黏合性的聚合物材料。因此，由相對硬的材料製成或包含相對硬的材料的阻擋層132（當與第一黏合層131和第二黏合層133相比時）設置在第一黏合層131與第二黏合層133之間。因此，第一黏合層131和第二黏合層133分別附接到阻擋層132的一個表面和另一個表面。因此，可以提高黏合性，但本發明的實施例不限於此。

在這示例中，阻擋層132的厚度可以限制為小於第一黏合層131和第二黏合層133的厚度，以最小化阻擋層132所引起的密封構件130的厚度的增加。例如，阻擋層132的厚度可以大於10μm且小於第一黏合層131和第二黏合層133各自的厚度，但本發明的實施例不限於此。

根據本發明第一示例性實施例的密封構件130包括經由阻擋層132分開的第一黏合層131和第二黏合層133。因此，密封構件130可以具有單層黏合材料厚度約兩倍的厚度，同時抑制製程缺陷的出現。因此，由密封構件130固定的增強基板140可以具有更大的厚度。因此，可以增加剛性並可以輕鬆實現散熱。例如，當密封構件130的厚度在30μm至300μm範圍內時，增強基板140的厚度可以在0.1mm至1.5mm的範圍內，但本發明的實施例不限於此。

例如，增強基板140可以由選自玻璃和塑膠聚合物（例如PET）中的一種材料製成或者包括選自玻璃和塑膠聚合物（例如PET）中的一種材料，但本發明的實施例不限於此。

例如，密封構件130和增強基板140可以延伸到非主動區域NA，以覆蓋平坦化層105的一部分和堤部106的一部分。

例如，密封構件130的尖端末端和增強基板140的尖端末端可以位於第二開孔OH2內或與第二開孔OH2重疊。因此，第一黏合層131可以通過第二開孔OH2與低電位電源線接觸部165接觸。第一黏合層131可以只位於第二開孔OH2的一部分中，並可以暴露出第二開孔OH2的其他部分，但本發明的實施例不限於此。

如上所述，根據本發明，封裝結構具有包含相對厚的增強基板140的多層部分。因此，能夠實現充分的剛性和散熱性。然而，如果將諸如PET的塑膠聚合物用於增強基板140，則難以抑制EMI。本發明的封裝部分FSPM採用由塑膠聚合物製成或包含塑膠聚合物的增強基板140，其間插設有絕緣的第二黏合層133。因此，不能如傳統方法那樣使用封裝部分FSPM上的導電帶來實現到顯示部分DP的電性連接。

因此，根據本發明，導電膠160施加到封裝部分FSPM的側表面，以便與阻擋層132的側表面接觸（或連接）。此外，導電膠160通過另一部分暴露出的第二個開孔OH2與低電位電源線接觸部165接觸（或連接）。因此，可以改善EMI。例如，阻擋層132可以透過導電膠160連接到低電位電源線接觸部165。此外，低電位電源線接觸部165、導電膠160、阻擋層132和陰極153可以透過低電位電源線161共享低電位電源。

例如，導電膠160可以包括銀膠。

例如，導電膠160可以具有至少100μm的寬度。　

圖6示出導電膠160延伸到增強基板140的上表面以覆蓋增強基板140的上表面的一部分的示例。然而，本發明的實施例不限於此。

參考圖6，導電膠160的一端比導電膠160的主體薄，且該薄端設置在第二開孔OH2內。當在第二開孔OH2內時，第一黏合層131的薄部分可以壓在導電膠160的較薄端上並接觸低電位電源線接觸部165，但這不是必需的，並且導電膠160的較薄端可以直接接觸覆蓋層107和/或陰極153。此外，導電膠160的較薄端不需要直接接觸低電位電源線接觸部165，但可以在導電膠160的較薄端與低電位電源線接觸部165之間插設導電材料以提供電連接。在本實施例的各個實施例中，導電膠160的較細端也可以直接接觸低電位電源線161。在這樣的示例中，導電膠160可以接觸低電位電源線接觸部165和低電位電源線161兩者，或者由於低電位電源線接觸部165與低電位電源線161之間的直接或電接觸，導電膠160可以直接接觸低電位電源線161，且間接地（例如，電性地）接觸低電位電源線161。

儘管導電膠160示出為在朝增強基板140延伸時具有恆定的厚度，但本發明的實施例不限於此。例如，導電膠160的厚度可以在頂端較大，並且當接近第二開孔OH2時減小，或者導電膠160的厚度可以在靠近第二開孔OH2處較大，且在接近增強基板140時減少。在其他實施例中，導電膠160與阻擋層132接觸處的導電膠160的中部可以具有比末端處的厚度更大的厚度。在另一個示例中，接觸阻擋層132的導電膠160的厚度可以比末端薄。

在本發明的各個實施例中，導電膠160可以是層狀結構或積層體，其具有設置在接觸阻擋層132內側上的導電膠160和位於該層狀結構或該積層體外側上的樹脂或膠帶。在本實施例中，內側上的導電膠160可以從第二開孔OH2延伸到阻擋層132，而樹脂或膠帶可以從第二開孔OH2一直延伸到補強基板140的頂部。

在本發明的各個實施例中，參考圖3至圖6，設置在相鄰撓性薄膜180之間的導電膠160不需要是單一片材或結構，而可以是複數個帶材，或者可以是具有整體基底位於第二開孔OH2處的結構，但具有延伸的指狀物，當接近阻擋層132或增強基板140的頂部時，該延伸的指狀物分離。例如，該結構可以具有「E」形狀。相反的情況也是可能的，其中整體基底接觸阻擋層132，但該指狀物在接近第二開孔OH2時延伸。

同時，封裝部分FSPM的補強基板140可以用金屬板代替。這將參考圖8詳細描述。

圖8是示意性示出根據本發明第二示例實施例的電致發光顯示裝置的剖面圖。

如圖8所示，根據本發明第二示例實施例的電致發光顯示裝置200與圖6所示之根據本發明第一示例實施例的電致發光顯示裝置100基本相同，除了增強基板140由金屬板245代替之外。因此，將省略對其已經描述的元件的重複描述。

參考圖8，封裝部分FSPM可以以與依據上述第一示例實施例相同的方式設置在根據第二示例實施例的電致發光顯示裝置200中的顯示部分DP上。

例如，根據本發明第二示例實施例的封裝部分FSPM可以由密封構件130和金屬板245組成或者包括密封構件130和金屬板245。

例如，密封構件130可以包括：第一黏合層131，面向基板101；以及第二黏合層133，面向金屬板245。此外，密封構件130可以包括阻擋層132，設置在第一黏合層131與第二黏合層133之間。

第一黏合層131和第二黏合層133中的每一個可以由具有黏合性的聚合物材料製成或者包括具有黏合性的聚合物材料。例如，第一黏合層131可以由烯烴基、環氧基和丙烯酸酯基的聚合物中的一種的聚合物材料製成或者包括烯烴基、環氧基和丙烯酸酯基的聚合物中的一種的聚合物材料，但本發明的實施例不限於此。此外，第二黏合層133可以由烯烴基、環氧基、丙烯酸酯基、胺基、苯酚基和酸酐基的聚合物中的一種的聚合物材料製成或者包括烯烴基、環氧基、丙烯酸酯基、胺基、苯酚基和酸酐基的聚合物中的一種的聚合物材料，這些聚合物不含有羧基。例如，第二黏合層133可以由不需含有羧基的聚合物材料製成或包括不需含有羧基的聚合物材料，以實現薄膜的均勻性和阻擋層132的腐蝕抑制，但本發明的實施例不限於此。

為了基板101的散熱，第一黏合層131和第二黏合層133中的至少第一黏合層131可以由具有黏合性的聚合物材料和金屬顆粒的混合物製成或者包括具有黏合性的聚合物材料和金屬顆粒的混合物。例如，該些金屬顆粒可以是或由鎳（Ni）製成或包含鎳（Ni）的粉末。與基板101直接接觸的第一黏合層131由包含具有黏合性的聚合物材料和金屬顆粒的混合物製成或包括包含具有黏合性的聚合物材料和金屬顆粒的混合物。因此，第一黏合層131可以比具有黏合性的聚合物材料具有更高的導熱率。

同樣地，第二黏合層133由包含具有黏合性的聚合物材料和金屬顆粒的混合物製成或包括包含具有黏合性的聚合物材料和金屬顆粒的混合物。因此，第二黏合層133可以比具有黏合性的聚合物材料具有更高的導熱率。

此外，為了抑制濕氣滲透到像素單元125中，第一黏合層131可以進一步由包含吸濕性無機填料的混合物製成或包括包含吸濕性無機填料的混合物。該吸濕性無機填料可以是氧化鋇（BaO）、氧化鈣（CaO）和氧化鎂（MgO）中的至少一種，但本發明的實施例不限於此。

不同於第一黏合層131，第二黏合層133不直接接觸像素單元125。因此，第二黏合層133不需要包含用於抑制濕氣滲透到像素單元125中的吸濕性無機填料。因此，第二黏合層133不需要包含吸濕性無機填料，而是可以只包括具有黏合性的聚合物材料和金屬顆粒。

阻擋層132可以由金屬材料製成或者包括金屬材料。例如，阻擋層132可以包括諸如鋁（Al）、銅（Cu）、錫（Sn）、銀（Ag）、鐵（Fe）或鋅（Zn）的金屬材料，但本發明的實施例不限於此。

例如，金屬板245可以包括諸如鋁（Al）、銅（Cu）、錫（Sn）、銀（Ag）、鐵（Fe）或鋅（Zn）的金屬材料，但本發明的實施例不限於此。由於將由金屬材料製成或包含金屬材料的金屬板245添加到上述第一示例實施例中，因此能夠進一步改善散熱。

例如，密封構件130和金屬板245可以延伸到非主動區域NA以覆蓋平坦化層105的一部分和堤部106的一部分，但本發明的實施例不限於此。

例如，密封構件130的尖端末端和金屬板245的尖端末端可以位於第二開孔OH2內或與第二開孔OH2重疊。因此，第一黏合層131可以通過第二開孔OH2與低電位電源線接觸部165接觸。進一步地，第一黏合層131可以僅位於第二開孔OH2的一部分中，而其他部分可以暴露出來。

導電膠260可以施加到封裝部分FSPM的側表面，以與阻擋層132的側表面接觸。此外，導電膠260通過其他部分暴露出的第二開孔OH2與低電位電源線接觸部165接觸。

例如，阻擋層132可以透過導電膠260連接到低電位電源線接觸部165。此外，低電位電源線接觸部165、導電膠260、阻擋層132和陰極153可以透過低電位電源線161共享低電位電源。

例如，導電膠260可以包括銀膠。

例如，導電膠260可以具有至少100μm的寬度。　

圖8示出導電膠260延伸到金屬板245的側表面的一部分而不延伸到金屬板245的頂部的示例。然而，本發明的實施例不限於此。

同時，在封裝部分中，金屬板245可以進一步設置在增強基板上，其間插設有黏合層。這將參考圖9詳細描述。

圖9是示意性示出根據本發明第三示例性實施例的電致發光顯示裝置的剖面圖。

如圖9所示，根據本發明第三示例實施例的電致發光顯示裝置300與如圖6所示之根據本發明第一示例實施例的電致發光顯示裝置100基本相同，除了金屬板345 也設置在增強基板340上，其間插設有第三黏合層 341以外。因此，將省略對其已經描述的元件的重複描述。

參考圖9，封裝部分FSPM可以以與依據上述第一示例實施例和第二示例實施例中相同的方式設置在根據第三示例實施例的電致發光顯示裝置300中的顯示部分DP上。

例如，根據本發明第三示例實施例的封裝部分FSPM可以由密封構件130、增強基板340和金屬板345組成或者包括密封構件130、增強基板340和金屬板345。

例如，密封構件130可以包括：第一黏合層131，面向基板101；以及第二黏合層133，面向增強基板340。此外，密封構件130可以包括阻擋層132，設置在第一黏合層131與第二黏合層133之間。

例如，增強基板340可以由選自玻璃和塑膠聚合物（例如PET）中的一種材料製成或包括選自玻璃和塑膠聚合物（例如PET）中的一種材料，但本發明的實施例不限於此。

第三黏合層341可以設置在增強基板340上，並且金屬板345可以設置在第三黏合層341上。因此，封裝結構可以具有比上述第一示例實施例和第二示例實施例的厚度更大的厚度。因此，能夠進一步提高剛性。此外，由於添加了由金屬材料製成或包括金屬材料的金屬板345，因此可以進一步改善散熱。

第三黏合層341可以由具有黏合性的聚合物材料製成或包括具有黏合性的聚合物材料。例如，第三黏合層341可以由烯烴基、環氧基、丙烯酸酯基、胺基、苯酚基和酸酐基的聚合物中的一種的聚合物材料製成或包括烯烴基、環氧基、丙烯酸酯基、胺基、苯酚基和酸酐基的聚合物中的一種的聚合物材料，這些聚合物不含有羧基。然而，本發明的實施例不限於此。

第三黏合層341可以由具有黏合性的聚合物材料和金屬顆粒的混合物製成或包括具有黏合性的聚合物材料和金屬顆粒的混合物。

因此，第三黏合層341不需要包括吸濕性無機填料，而是可以只包括具有黏合性的聚合物材料和金屬顆粒。

例如，金屬板345可以包括諸如鋁（Al）、銅（Cu）、錫（Sn）、銀（Ag）、鐵（Fe）或鋅（Zn）的金屬材料，但本發明的實施例不限於此。

例如，密封構件130、第三黏合層341和金屬板345可以延伸到非主動區域NA，以覆蓋平坦化層105的一部分和堤部106的一部分。

例如，密封構件130的尖端末端、第三黏合層341的尖端末端和金屬板345的尖端末端可以位於第二開孔OH2內或與第二開孔OH2重疊。因此，第一黏合層131可以通過第二開孔OH2與低電位電源線接觸部165接觸。進一步地，如上所述，第一黏合層131可以僅位於第二開孔OH2的一部分中，而其他部分可以暴露出來。

導電膠360可以施加到封裝部分FSPM的側表面，以與阻擋層132的側表面接觸。此外，導電膠360通過其他部分暴露出的第二開孔OH2與低電位電源線接觸部165接觸。

例如，阻擋層132可以透過導電膠360連接到低電位電源線接觸部165。此外，低電位電源線接觸部165、導電膠360、阻擋層132和陰極153可以透過低電位電源線161共享低電位電源。

例如，導電膠360可以包括銀膠。

例如，導電膠360可以具有至少100μm的寬度。　

圖9示出導電膠360延伸到第三黏合層341側表面的一部分而不延伸到金屬板345頂部的示例。然而，本發明的實施例不限於此。

同時，本發明的封裝結構可以由黏合層和封裝基板組成或包括黏合層和封裝基板。這將參考圖10詳細描述。

圖10是示意性示出根據本發明第四示例性實施例的電致發光顯示裝置的剖面圖。

如圖10所示，根據本發明第四示例實施例的電致發光顯示裝置400具有與如圖6所示之根據本發明第一示例實施例的電致發光顯示裝置100相同的一些元件，除了該封裝結構由黏合層430和封裝基板440組成或者包括黏合層430和封裝基板440以外。因此，將省略對其已經描述的元件的重複描述。

參考圖10，封裝部分FSPM可以以與依據上述第一示例實施例、第二示例實施例和第三示例實施例中相同的方式設置在根據第四示例實施例的電致發光顯示裝置400中的顯示部分DP上。

例如，根據本發明第四示例實施例的封裝部分FSPM可以由黏合層430和封裝基板440組成或者包括黏合層430和封裝基板440。

例如，封裝基板440可以形成為或包括諸如鋁（Al）箔的薄金屬層，但不限於此。

黏合層430可以由光學透明黏合劑（OCA）或壓敏黏合劑（PAS）製成或者包括光學透明黏合劑（OCA）或壓敏黏合劑（PAS）。

例如，黏合層430和封裝基板440可以延伸到非主動區域NA，以覆蓋平坦化層105的一部分和堤部106的一部分。

例如，黏合層430的尖端末端和封裝基板440的尖端末端可以位於第二開孔OH2內或與第二開孔OH2重疊。因此，第一黏合層430可以通過第二開孔OH2與低電位電源線接觸部165接觸。此外，如上所述，黏合層430的一部分，例如尖端末端，可以僅位於第二開孔OH2的一部分中，而另一部分可以暴露出來。

例如，導電膠460可以設置在封裝部分FSPM的側表面上，以與封裝基板440的側表面接觸。此外，導電膠460通過其他部分暴露出的第二開孔OH2與低電位電源線接觸部165接觸。

例如，封裝基板440可以透過導電膠460連接到低電位電源線接觸部165。此外，低電位電源線接觸部165、導電膠460、阻擋層440和陰極153可以透過低電位電源線161共享低電位電源。

例如，導電膠460可以包括銀膠。

例如，導電膠460可以具有至少100μm的寬度。　

圖10示出導電膠460延伸到增強基板440的上表面以覆蓋增強基板440的上表面的一部分的示例。然而，本發明的實施例不限於此。

同時，如上所述，本發明的低電位電源線接觸部165可以具有與每個撓性薄膜之間的第一短條172的寬度方向平行的條形形狀。這將參考圖11詳細描述。

圖11和圖12是示意性示出根據本發明第五示例實施例的電致發光顯示裝置的平面圖。

除了低電位電源線接觸部565的形狀之外，如圖11和圖12所示，根據本發明第五示例實施例的電致發光顯示裝置500與如圖3至圖6所示之根據本發明第一示例實施例的電致發光顯示裝置100基本相同。因此，將省略對其已經描述的元件的重複描述。

圖11示出其中封裝部分FSPM設置在顯示部分DP上的電致發光顯示裝置500的平面結構。圖12示出其中去除封裝部分FSPM的電致發光顯示裝置500的平面結構。

參照圖11至圖12，根據本發明第五示例實施例的電致發光顯示裝置500可以包括：顯示部分DP；封裝部分FSPM；以及一個或多個撓性薄膜180。

封裝部分FSPM可以包括：密封構件；以及增強基板。

如上所述，根據本發明，導電膠560施加到封裝部分FSPM的側表面，以與封裝部分FSPM的金屬阻擋層的側表面接觸。此外，連接到低電位電源線161的低電位電源線接觸部565可以暴露在撓性薄膜180或源極墊片之間，以便接觸並電連接到導電膠560。阻擋層的暴露側表面藉由使用導電膠560來連接到低電位電源線161。此處，低電位電源線161可以與資料驅動器IC共享低電位電源

例如，撓性薄膜180可以附接到顯示部分DP的一側上的尖端，以覆蓋源極墊片和驅動IC。此外，可以透過連接線171將電源電壓和資料電壓供應給主動區域AA中的複數個子像素和電路。

如上所述，如果連接線171是高電位電源線，則其可以連接到設置成平行於顯示部分DP的寬度方向的第一短條172。然後，連接線171可以透過設置在主動區域AA中的複數條高電位電源線173連接到第二短條174。高電位電源線173可以設置成平行於顯示部分DP的高度方向。

第一短條172可以位於主動區域AA的上端，而第二短條174可以位於主動區域AA的下端。然而，本發明的實施例不限於此。

本發明的低電位電源線161可以設置在撓性薄膜180之間的連接線171的外部。換句話說，本發明的低電位電源線161可以設置以延伸超出撓性薄膜180之間的連接線171的邊緣。

低電位電源線接觸部565設置在低電位電源線161上，且低電位電源線接觸部565可以與低電位電源線161接觸（或連接）。

例如，低電位電源線接觸部565可以具有平行於撓性薄膜180與第一短條172之間的寬度方向的條形形狀。或者，如果高電位電源線分別設置在左側和右側上的最外層撓性薄膜180的外部，則低電位電源線接觸部565可以設置為不與高電位電源線重疊。這是因為如果低電位電源線接觸部565與高電位電源線173重疊，則可能發生短路。例如，低電位電源線接觸部565可以具有環形形狀，不包含顯示部分DP分別設置高電位電源線所在的左上端和右上端。具有環形形狀的低電位電源線接觸部565可以與封裝部分FSPM的邊緣接觸。

當去除平坦化層和/或堤部時，可以暴露出低電位電源線接觸部565的上表面的一部分。陰極153和導電膠560可以設置在低電位電源線接觸部565的上表面的暴露部分上，以與低電位電源線接觸部565接觸（或連接）。

如本發明的第五示例實施例中那樣，低電位電源線接觸部565可以具有條形形狀，其平行於每個撓性薄膜180之間的第一短條172的寬度方向。或者，如在本發明第五示例實施例中，低電位電源線接觸部565可以具有環形形狀，其不設置在顯示部分DP分別設置高電位電源線所在的左上端和右上端中。在這示例中，低電位電源線接觸部565可以更有效地接地。

本發明的示例實施例可以進一步描述如下。

根據本發明的一態樣，提供了一種電致發光顯示裝置。該電致發光顯示裝置包括：顯示部分，包含主動區域和非主動區域；封裝部分，設置在顯示部分上方；撓性薄膜，附接到顯示部分的一側；低電位電源線，由撓性薄膜和導電膠供應低電位電源，導電膠塗覆在撓性薄膜之間的封裝部分的側面上，導電膠的一側連接到低電位電源線。

封裝部分可以包括：密封構件，設置在顯示部分上方；以及增強基板，設置在密封構件上方。

密封構件可以包括：第一黏合層；第二黏合層；以及阻擋層，設置在第一黏合層與第二黏合層之間並由金屬材料製成。

增強基板可以由玻璃或塑膠聚合物中的一種製成或者包括玻璃或塑膠聚合物中的一種。

導電膠可以延伸到增強基板的上表面，以覆蓋增強基板的上表面的一部分。

電致發光顯示裝置可以進一步包括：連接線，由撓性薄膜供應電源電壓或資料電壓；第一短條，連接到連接線並設置在顯示部分的一個方向上；複數條高電位電源線，連接到第一短條並設置在主動區域中的另一方向上；以及第二短條，連接到高電位電源線並設置在顯示部分的一個方向上。

低電位電源線可以設置在連接到相鄰撓性薄膜的連接線之間。

電致發光顯示裝置還可以包括低電位電源線接觸部，其設置在低電位電源線上方並連接到低電位電源線。

電致發光顯示裝置還可以包括平坦化層，其延伸到封裝部分的外部以覆蓋低電位電源線的一部分。

平坦化層可以包括第一開孔，其藉由去除平坦化層的一部分來製備，以暴露出低電位電源線的上表面的一部分。

電致發光顯示裝置還可以包括堤部，其延伸到封裝部分的外部，以完全覆蓋平坦化層。

堤部設置以覆蓋低電位電源線接觸部除了低電位電源線接觸部的中央部以外的邊緣的一部分，並包括第二開孔，通過該第二開孔暴露出低電位電源線接觸部的中央部。

電致發光顯示裝置還可以包括陰極，其延伸到非主動區域並通過第二開孔與低電位電源線接觸部的一部分接觸。

封裝部分的尖端末端可以位於第二開孔內，以通過第二開孔與低電位電源線接觸部接觸，且封裝部分的尖端末端可以僅位於第二開孔的一部分中，並可以暴露出第二開孔的另一部分。

導電膠可以通過另一部分暴露出的第二開孔與低電位電源線接觸部接觸。

導電膠可以包括銀膠。但也可以使用其他導電材料，例如銅或錫等。

封裝部分可以包括：密封構件，設置在顯示部分上方；以及金屬板，設置在密封構件上方並由金屬材料製成或者包括金屬材料。

導電膠可以延伸到金屬板的側表面的一部分。

電致發光顯示裝置還可以包括金屬板，其設置在增強基板上方，其間插設有黏合層。

封裝部分可以包括：黏合層，設置在顯示部分上方；以及封裝基板，設置在黏合層上方。

導電膠可以延伸到封裝基板的上表面，以覆蓋封裝基板的上表面的一部分。

低電位電源線接觸部可以在撓性薄膜之間具有倒三角形形狀。

低電位電源線接觸部可以具有平行於撓性薄膜與主動區域之間的一個方向的條形形狀，並且不需與分別設置在左側和右側上的最外撓性薄膜外部的高電位電源線重疊。

低電位電源線接觸部可以具有環形形狀，不包括顯示部分分別設置高電位電源線所在的左上端和右上端，並與封裝部分的邊緣接觸。

根據本發明的另一態樣，提供了一種電致發光顯示裝置。該電致發光顯示裝置包括：顯示部分，包含主動區域和非主動區域；封裝部分，設置在顯示部分上；複數個撓性薄膜，設置在顯示部分的一側；低電位電源線，由複數個撓性薄膜中的至少一個供應低電位電源；以及導電膠，設置在複數個撓性薄膜中的每一個撓性薄膜之間的封裝部分的側表面上並連接到低電位電源線。

導電膠可以接觸封裝部的側表面。

電致發光顯示裝置可以進一步包括平坦化層。

平坦化層可以包括第一開孔，以暴露出低電位電源線的上表面的一部分。

電致發光顯示裝置可以進一步包括堤部，設置在基板上。

堤部設置以覆蓋低電位電源線接觸部的邊緣的一部分，並包括第二開孔，低電位電源線接觸部的中央部通過該第二開孔暴露出來。

封裝部分的尖端末端可以位於第二開孔內，以通過第二開孔與低電位電源線接觸部接觸。

封裝部分可以包括：密封構件；以及增強基板，設置在密封構件上。

增強基底可以包括塑膠聚合物。

增強基板可以是金屬板。

封裝部分還可以包括金屬板，其設置在增強基板上。

封裝部分還可以包括第三黏合層，其設置在增強基板與金屬板之間。

封裝部分還可以包括絕緣黏合層，其設置在密封構件與增強基板之間。

密封構件可以包括：第一黏合層；以及第二黏合層。

密封構件還可以包括阻擋層，其設置在第一黏合層與第二黏合層之間。

第一黏合層可以包括聚合物材料，而第二黏合層包括聚合物材料。

第一黏合層還可以包括吸濕性無機填料。

阻擋層可以透過導電膠連接到低電位電源線的低電位電源線接觸部。

導電膠可以延伸到增強基板的上表面，以覆蓋增強基板的上表面的一部分。

電致發光顯示裝置還可以包括高電位電源線，其中，低電位電源線的低電位電源線接觸部不與高電位電源線重疊。

電致發光顯示裝置還可以包括陰極，低電位電源線接觸部、導電膠、阻擋層、以及陰極可以透過低電位電源線共享低電位電源。

導電膠可以連接到每個撓性薄膜之間的低電位電源線接觸部。

密封構件的厚度可以為30μm至300μm，且增強基板的厚度可以為0.1mm至1.5mm。

對於所屬技術領域中具有通常知識者來說顯而易見的是，在不脫離本發明的技術思想或範圍的情況下，可以對本發明的顯示裝置進行各種修改和變型。因此，本發明旨在涵蓋落入所附請求項及其等同物的範圍內的本發明的修改和變更。

本申請案主張於2022年11月15日在韓國提交之韓國專利申請第10-2022-0152891號的優先權，該韓國申請的全部內容特此透過引用明確併入本申請案中。

100:電致發光顯示裝置 101:基板 102:緩衝層 102a:第一緩衝層 102b:第二緩衝層 103:閘極絕緣層 104:層間絕緣層 105:平坦化層 105a:第一平坦化層 105b:第二平坦化層 106:堤部 107:覆蓋層 111:影像處理器 112:時序控制器 113:資料驅動器 114:閘極驅動器 115:連接電極 116:閘極線 117:資料線 120:驅動元件 121:閘極電極 122:源極電極 123:汲極電極 124:主動層 125:像素單元 130:密封構件 131:第一黏合層 132:阻擋層 133:第二黏合層 135:補償電路 140:增強基板 150:有機發光二極體 151:陽極 152:有機層 153:陰極 160:導電膠 161:低電位電源線 165:低電位電源線接觸部 171:連接線 172:第一短條 173:高電位電源線 174:第二短條 180:撓性薄膜 200:電致發光顯示裝置 245:金屬板 260:導電膠 300:電致發光顯示裝置 340:增強基板 341:第三黏合層 345:金屬板 360:導電膠 400:電致發光顯示裝置 430:黏合層 440:封裝基板 460:導電膠 500:電致發光顯示裝置 560:導電膠 565:低電位電源線接觸部 AA:主動區域 Cst:電容器 DATA:資料訊號 DDC:資料時序控制訊號 DE:資料致能訊號 DL1〜DLn:資料線 DP:顯示部分 DT:驅動電晶體 FSPM:封裝部分 GDC:閘極時序控制訊號 GL1〜GLm:閘極線 NA:非主動區域 OH1:第一開孔 OH2:第二開孔 P:子像素 ST:開關電晶體 VDD:高電位電源線 VSS:低電位電源線

100:電致發光顯示裝置

160:導電膠

161:低電位電源線

171:連接線

180:撓性薄膜

DP:顯示部分

FSPM:封裝部分

NA:非主動區域

AA:主動區域

Claims (20)

1. 一種電致發光顯示裝置，包括： 一顯示部分，包含一主動區域和一非主動區域； 一封裝部分，設置在該顯示部分上方； 一個或多個撓性薄膜，附接到該顯示部分的一側； 一低電位電源線，由該一個或多個撓性薄膜供應一低電位電力；以及 一導電元件，位於與該一個或多個撓性薄膜相鄰的該封裝部分的一側表面上，並連接到該低電位電源線。
2. 如請求項1所述的電致發光顯示裝置，其中，該封裝部分包含：  一密封構件，設置在該顯示部分上方；以及 一增強基板和一金屬板中的至少一個，該增強基板設置在該密封構件上方，該金屬板設置在該密封構件上方並包含一第一金屬材料。
3. 如請求項2所述的電致發光顯示裝置，其中，該密封構件包括： 一第一黏合層； 一第二黏合層；以及 一阻擋層，設置在該第一黏合層與該第二黏合層之間，並包含一第二金屬材料。
4. 如請求項2所述的電致發光顯示裝置，其中，該增強基板包括玻璃或塑膠聚合物中的一種。
5. 如請求項2所述的電致發光顯示裝置，其中，該導電元件延伸到該增強基板的一上表面，以覆蓋該增強基板的該上表面的一部分，或者 其中，該導電元件延伸到該金屬板的一側面的一部分。
6. 如請求項2所述的電致發光顯示裝置，其中，該金屬板設置在該增強基板上方，該金屬板與該增強基板之間插設有一黏合層。
7. 如求項1所述的電致發光顯示裝置，進一部包括： 一連接線，由該一個或多個撓性薄膜供應一電源電壓或一資料電壓； 一第一短條，連接到該連接線並設置在該顯示部分的一個方向上； 複數條高電位電源線，連接到該第一短條，並設置在該主動區域中的另一方向上；以及 一第二短條，連接到該高電位電源線並設置在該顯示部分的該一個方向上。
8. 如請求項7所述的電致發光顯示裝置，其中，該低電位電源線設置在連接到相鄰成對的該一個或多個撓性薄膜的該些連接線之間。
9. 如請求項1所述的電致發光顯示裝置，還包括： 一低電位電源線接觸部，設置在該低電位電源線上方，並連接到該低電位電源線， 其中，該低電位電源線接觸部具有以下之一： 一倒三角形形狀，位於該一個或多個撓性薄膜的相鄰成對之間， 一條形形狀，平行於該相鄰成對的該一個或多個撓性薄膜與該主動區域之間的一個方向，並且不與分別設置在左側和右側上該一個或多個撓性薄膜的最外層撓性薄膜外部的高電位電源線重疊，或者 一環形形狀，不包含該顯示部分分別設置該些高電位電源線所在的一左上端和一右上端，並與該封裝部分的一邊緣接觸。
10. 如請求項9所述的電致發光顯示裝置，進一步包括： 一平坦化層，延伸到該封裝部分的外部，以覆蓋該低電位電源線的一部分。
11. 如請求項10所述的電致發光顯示裝置，其中，該平坦化層包括一第一開孔，其藉由去除該平坦化層的一部分來製備，以暴露出該低電位電源線的一上表面的一部分。
12. 如請求項11所述的電致發光顯示裝置，還包括： 一堤部，延伸到該封裝部分的該外部，以完全覆蓋該平坦化層。
13. 如請求項12所述的電致發光顯示裝置，其中，該堤部設置以覆蓋該低電位電源線接觸部除了該低電位電源線接觸部的一中央部以外的一邊緣的一部分，並包含一第二開孔，該低電位電源線接觸部的該中央部通過該第二開孔暴露出來。
14. 如請求項13所述的電致發光顯示裝置，還包括： 一陰極，延伸到該非主動區域，並通過該第二開孔與該低電位電源線接觸部的一部分接觸。
15. 如請求項13所述的電致發光顯示裝置，其中，該封裝部分的一尖端末端位於該第二開孔內，以通過該第二開孔與該低電位電源線接觸部接觸，以及 其中，該封裝部分的該尖端末端僅位於該第二開孔的一部分內，並暴露出該第二開孔的另一部分。
16. 如請求項15所述的電致發光顯示裝置，其中， 該導電元件通過暴露出該另一部分的該第二開孔與該低電位電源線接觸部接觸。
17. 如請求項1所述的電致發光顯示裝置，其中，該導電元件包含一銀膠。
18. 如請求項1所述的電致發光顯示裝置，其中，該封裝部分包括： 一黏合層，設置在該顯示部分上方；以及 一封裝基板，設置在該黏合層上方。
19. 如請求項18所述的電致發光顯示裝置，其中，該導電元件延伸到該封裝基板的一上表面，以覆蓋該封裝基板的該上表面的一部分。
20. 一種電致發光顯示裝置，包括： 一顯示部分； 一封裝部分，設置在該顯示部分上方； 複數個撓性薄膜，位於該顯示部分周邊； 一電源線，在相鄰成對的該些撓性薄膜之間延伸，並具有由至少一個孔界定的一暴露部分；以及 一導電元件，在該封裝部分的一外周上從該封裝部分朝該電源線延伸，並在該至少一個孔處將該電源線電性連接至該封裝部分。