TW202418690A

TW202418690A - 半導體雷射裝置

Info

Publication number: TW202418690A
Application number: TW112132450A
Authority: TW
Inventors: 北村政治
Original assignee: 日商牛尾電機股份有限公司
Priority date: 2022-10-27
Filing date: 2023-08-29
Publication date: 2024-05-01

Abstract

本發明的課題是提供減低了高溫中之閾值電流的不均的半導體雷射裝置。解決手段的半導體雷射裝置(100)具有在室溫中相對地振盪波長較短之端面發光型的半導體雷射元件(200)，和在室溫中相對地振盪波長較長之端面發光型的半導體雷射元件(200)。波長較短的半導體雷射元件(200)與波長較長的半導體雷射元件(200)之在室溫的振盪波長的差為20nm以下。波長較短的半導體雷射元件(200)與波長較長的半導體雷射元件(200)之出射端側的反射膜在膜厚、折射率、層數中至少之一不同。波長較短的半導體雷射元件(200)之使用溫度上限的出射端側反射率，比波長較長的半導體雷射元件(200)之使用溫度上限的出射端側反射率還高。

Description

半導體雷射裝置

本發明涉及半導體雷射裝置。

近年來，在使用半導體雷射的裝置中，被強烈要求在廣溫度範圍中可穩定使用。一般來說，半導體雷射元件具有伴隨工作溫度上升而閾值電流增加的特性。閾值電流的增加起因於成為高能量狀態的電子溢出至被覆層的現象(載子溢流)。(專利文獻1)

閾值電流的溫度依存性使用特性溫度T ₀以以下數學式表示。波長640的紅色雷射的特性溫度T ₀為80K程度，波長780nm的雷射的特性溫度為150K程度。

高溫中之閾值電流的增加幾乎依存於活性層和被覆層的能帶隙差ΔEc，尤其在640nm的紅色雷射中，由於結構材料的限制而ΔEc小，伴隨溫度上升之閾值電流的增加變得明顯，其結果，導致工作電流的增大，有發熱的增加、殘存壽命變短的問題。

又，閾值電流的溫度依存性在安裝複數半導體雷射元件的裝置中會導致以下的問題。在此種裝置中，複數半導體雷射元件的振盪波長每個個體具有製造公差的時候，振盪波長較短的個體伴隨溫度上升的閾值電流的增加較大，振盪波長較長的個體相較於短的個體，伴隨溫度上升的閾值電流的增加較小。因此，以相同電流量驅動複數個體的話，各個體的光輸出差會變大。

再者，高溫時的工作電流相較於室溫、低溫，以接近閾值電流的電流使其動作為佳。此係由於高溫時即使增大工作電流，光輸出也會飽和，隨工作電流的增大而殘存壽命變短。因此，減低閾值電流的不均比減低斜率效率的不均，對於減低光輸出的不均更加有效果。

作為減低高溫動作時的閾值電流的手法，公知提高雷射出射端面的反射率(稱為出射端反射率)。依據該手法，雷射內部的光密度會提升，可降低高溫時的閾值電流。另一方面，提高雷射出射端反射率的話，在低溫～室溫附近的動作中，被要求高光輸出，故出射端面附近的光密度變高，有容易引起端面損傷(COD：Catastrophic Optical Damage)之類的問題。

為了解決該問題，提案有讓出射端反射率具有波長依存性，隨成為長波長而提升出射端反射率的手法(專利文獻2)。一般來說，半導體雷射具有溫度上升的話，振盪波長會往長波長偏移的特性。利用該特性，透過伴隨成為長波長(=高溫動作時)而提高出射端反射率，可增大高溫中的光限制(light confinement)，減低高溫中之閾值電流的增加。

另一方面，低溫～室溫附近的動作時的振盪波長相較於高溫動作時為短波長，故可抑制出射端反射率，獲得高COD耐性。 [先前技術] [專利文獻]

[專利文獻1] 日本特開2006-049420號公報 [專利文獻2] 日本特開平7-74427號公報 [專利文獻3] 日本特開2004-111622號公報

[發明所欲解決之課題]

本案發明者們辨識出對安裝複數半導體雷射元件的裝置，適用專利文獻2所記載之技術時，會發生以下的問題。

比較振盪波長較短的個體與振盪波長較長的個體時，從室溫到高溫動作時之振盪波長的長波長偏移幅度為平行移動，故高溫時的閾值電流之增加率的差不會變小，結果無法解決光輸出差的問題。

本公開是有鑑於相關狀況所發明者，其例示的目的之一是提供減低了高溫中之閾值電流的不均的半導體雷射裝置。 [用以解決課題之手段]

本公開之某樣態的半導體雷射裝置具有在室溫中相對地振盪波長較短之端面發光型的第1半導體雷射元件，和在室溫中相對地振盪波長較長之端面發光型的第2半導體雷射元件。第1半導體雷射元件與第2半導體雷射元件之在前述室溫的振盪波長的差為20nm以下，第1半導體雷射元件之出射端側的反射膜及第2半導體雷射元件之出射端側的反射膜在膜厚、折射率、層數中的至少之一不同。第1半導體雷射元件之使用溫度上限的出射端側反射率，比第2半導體雷射元件之使用溫度上限的出射端側反射率還高。

本公開的其他樣態也是半導體雷射裝置。該半導體雷射裝置具備在室溫中振盪波長不同的複數半導體雷射元件。複數半導體雷射元件的出射端側的反射膜在膜厚、折射率、層數中至少之一不同。統計性地觀察時，在室溫中振盪波長較短的半導體雷射元件之使用溫度上限的出射端側反射率，比在室溫中振盪波長較長的半導體雷射元件之使用溫度上限的出射端側反射率還高。

再者，任意組合以上之結構要素者、將結構要素及表現，在方法、裝置、系統等之間相互置換者也可有效作為本發明的樣態。進而，在此項目(用以解決課題之手段)的記載並不是說明本發明不可欠缺的所有特徵者，所以，所記載之該等特徵的次組合也可為本發明。 [發明的效果]

依據本公開的某樣態，減低了高溫中之閾值電流的不均。

(實施方式的概要)

說明本公開之幾種例示的實施形態的概要。此概要係作為後述之詳細說明的前提，目的為實施形態的基本理解，將1或複數實施形態的幾種概念簡略化來進行說明者，並不是限定發明或公開的範圍者。又，此概要並不是可思及之所有實施形態的包括性概要，不是限定實施形態不可或缺的結構要素者。為了便利說明，「一實施形態」有作為指本說明書所揭示之一實施形態(實施例及變形例)或複數實施形態(實施例及變形例)使用之狀況。

一實施形態的半導體雷射裝置具有在室溫中相對地振盪波長較短之端面發光型的第1半導體雷射元件，和在室溫中相對地振盪波長較長之端面發光型的第2半導體雷射元件。第1半導體雷射元件與第2半導體雷射元件之在室溫的振盪波長的差為20nm以下。第1半導體雷射元件之出射端側的反射膜及第2半導體雷射元件之出射端側的反射膜在膜厚、折射率、層數中的至少之一不同，第1半導體雷射元件之使用溫度上限的出射端側反射率，比第2半導體雷射元件之使用溫度上限的出射端側反射率還高。

依據此結構，可減少第1半導體雷射元件與第2半導體雷射元件之在高溫的閾值電流的差。

在一實施形態中，複數半導體雷射元件，係從同一晶圓切割亦可。此狀況中，複數半導體雷射元件因為製程不均，在室溫的振盪波長具有不均。複數半導體雷射元件的振盪波長因應切割前之晶圓上的位置，所以，在位於表示振盪波長變短之傾向的晶圓上的區域的元件，形成高溫狀態中的出射端側反射率相對高的反射膜，在位於表示振盪波長變長之傾向的晶圓上的區域的元件，形成高溫狀態中的出射端側反射率相對低的反射膜。

一實施形態的半導體雷射裝置具備3個以上的半導體雷射元件亦可。第1半導體雷射元件是複數半導體雷射元件中在室溫的振盪波長最短的1個，第2半導體雷射元件是複數半導體雷射元件中在室溫的振盪波長最長的1個亦可。

在一實施形態中，振盪波長為600nm～700nm亦可。活性層由AlGaInP系的材料所形成的半導體雷射元件尤其溫度不佳。所以，藉由對具有該振盪波長的半導體雷射元件適用本公開的技術，其效果會變得明顯。

在一實施形態中，第1半導體雷射元件的出射端側反射率是波長越長則越高亦可。換言之，在一實施形態中，第1半導體雷射元件之室溫的出射端側反射率，比使用溫度上限的出射端側反射率還低亦可。通常，光輸出在室溫比較高，故在室溫的COD耐性高很重要。另一方面，在高溫狀態中，為了抑制光輸出的降低，可說閥值電流的減低比較重要。考慮該等的均衡，透過降低室溫中的出射端側反射率，提升高溫中的出射側反射率，可一邊提升COD耐性，一邊降低高溫中的閾值電流。

在一實施形態中，第1半導體雷射元件之在室溫的出射端側反射率與第2半導體雷射元件之在室溫的出射端側反射率的差，比第1半導體雷射元件之使用溫度上限的出射端側反射率與第2半導體雷射元件之使用溫度上限的出射端側反射率的差還小亦可。室溫中的出射端側反射率的差會影響COD耐性的差，故波長較短的個體與較長的個體之室溫中的出射端側反射率的差盡可能小為佳。又，比較波長較短的個體與較長的個體的話，由於室溫中的閾值電流的不均比高溫中的閾值電流的不均還小，波長較短的個體與較長的個體之高溫中的出射端側反射率的差較大亦可。

在一實施形態中，在將橫軸設為振盪波長，將縱軸設為出射端側反射率而進行繪圖的圖表中，第1半導體雷射元件的圖表的斜率比第2半導體雷射元件的圖表的斜率還大亦可。波長較短的個體相對於波長較長的個體，相對於溫度變化之波長的增加率大。因此，透過將波長較長的個體的斜率增大到大於波長較短的個體的斜率，在廣泛的溫度範圍中，可減低波長較短的個體與波長較長的個體之閾值電流的不均。

一實施形態的半導體雷射裝置具備在室溫中振盪波長不同的複數半導體雷射元件。複數半導體雷射元件的出射端側的反射膜在膜厚、折射率、層數中至少之一不同，統計性地觀察時，在室溫中振盪波長較短的半導體雷射元件之使用溫度上限的出射端側反射率，比在室溫中振盪波長較長的半導體雷射元件之使用溫度上限的出射端側反射率還高。

(實施形態) 以下，參考理想的實施形態，一邊參照圖式一邊說明本發明。對各圖式所示的相同或同等的結構要素、構件、處理附加相同符號，適切省略重複的說明。又，實施形態並不是限定公開者，僅為例示，實施形態所記述之所有特徵及其組合並不一定是公開的實質者。

圖式所記載之各構件的尺寸(厚度、長度、寬度等)有為了容易理解而適當放大縮小之狀況。進而，複數構件的尺寸並不一定表示該等的大小關係，在圖式上，即使某構件A描繪的比其他構件B還厚，也可能有構件A比構件B薄之狀況。

(實施形態1) 圖1是揭示實施形態1的半導體雷射裝置100的圖。半導體雷射裝置100具備複數半導體雷射元件200_1～200_N、放熱板102、複數次底座104_1～104_N。在本實施形態中，N=3。

半導體雷射元件200_1～200_N是端面發光型雷射，鄰接地安裝在放熱板102上。半導體雷射元件200的發光色並未特別限定，例如可為波長600nm～700nm的紅色雷射。

半導體雷射元件200分別安裝在次底座104，次底座104安裝在放熱板102。也將次底座104稱為中介層。

半導體雷射元件200包含形成在半導體基板的雷射共振器。雷射共振器的種類、構造並未特別限定，可採用各種公知技術、或未來可利用的構造。

在半導體雷射元件200_i(i=1～N)的出射端面，為了從共振器內取出光，形成反射率低於100%的反射膜(出射端側反射膜)202_i。

複數半導體雷射元件200_1～200_N雖然是以相同製造製造之同色的雷射，但因為製造公差，在室溫的振盪波長λ ₁～λ _N不同。由於製造公差，振盪波長λ ₁～λ ₃的長度的順序可說是隨機決定。

現在，從半導體雷射元件200_1～200_N中選擇2個，將其中在室溫的振盪波長λ較短之一方稱為短波長元件200S，將其中在室溫的振盪波長λ較長之另一方稱為長波長元件200L。

在具備N=3個以上的半導體雷射元件的半導體雷射裝置100中，例如短波長元件200S是3個以上的半導體雷射元件中在室溫的振盪波長最短的1個，長波長元件200L是3個以上的半導體雷射元件中在室溫的振盪波長最長的1個亦可。

如上所述，複數半導體雷射元件200_1～200_N是以相同製造製作，故該等振盪波長λ的不均可說是收斂於20nm以內。所以，從半導體雷射元件200_1～200_N中選擇的短波長元件200S與長波長元件200L之在室溫的振盪波長λ _S、λ _L的差也為20nm以下。又，作為產品的規格，振盪波長有以±10nm規定的狀況。再者，在此相同製程並不是僅指相同晶圓，即使是不同的晶圓彼此，只要是相同的雷射元件，也作為相同製程。統計上，波長之晶圓的面內不均大多可收斂於10nm以下。

短波長元件200S之出射端側的反射膜202及長波長元件200L之出射端側的反射膜202在膜厚、折射率、層數中的至少之一不同，短波長元件200S之出射端側的反射膜202的反射率(出射端反射率)RS與長波長元件200L之出射端側反射膜202的反射率RL具有不同的波長依存性。

在說明半導體雷射裝置100的具體特徵之前，針對幾個比較技術進行說明。

(比較技術1) 圖2是揭示比較技術1的短波長元件200S及長波長元件200L的出射端側反射率R的波長依存性的圖。

在比較技術1中，短波長元件200S之出射端側的反射膜202及長波長元件200L之出射端側的反射膜202是膜厚、折射率、層數相同，該等的反射率R具有相同的波長依存性。在此範例中，以波長依存性變小之方式設計反射膜。

反射膜的材質可使用Zr、Si、Nb、Pb、Ti、Ce、Hf、Al、Bi、Cr、In、Nd、Sb、Ta、Y、V等的氧化物或氮化物，其他有AlF ₃、BaF ₂、CeF ₂、CaF ₂、MgF ₂、NdF ₃、PbF ₂、SrF ₂、ZnS、ZnSe等。又，反射膜的材質使用SiO ₂、SiN、SiON、AlN、Al ₂O ₃、AlON、ZrO ₂、TiO ₂、Nb ₂O ₅、Ta ₂O ₅亦可。

室溫例如25℃。短波長元件200S之室溫中的振盪波長λ _S(25)為641nm，長波長元件200L之室溫(25℃)中的振盪波長λ _L(25)為643nm。

高溫是假設半導體雷射裝置100的使用之溫度範圍的上限(使用溫度上限)，例如85℃。又，短波長元件200S之高溫狀態(85℃)中的振盪波長λ _S(85)為653nm，長波長元件200L之高溫狀態(85℃)中的振盪波長λ _L(85)為655nm。再者，在通常的紅色雷射中，因為產品的設計，溫度範圍的上限一般為40℃～90℃。該使用溫度上限是根據光輸出和壽命的關係所訂定的，通常作為工作溫度範圍而記載於產品的規格書等。又，未明確記載時，在本說明書中作為以90℃驅動時之出射端側的反射率來進行評鑑。同溫度通常是在管座等的封裝側面測定的溫度，以配置在半導體雷射晶片的附近之次底座或放熱板、又或管座等的封裝之溫度代用。

圖3是揭示具有圖2之反射率R的半導體雷射裝置100的I-L(電流-光輸出)特性的圖。比較技術1中，在25℃中，短波長元件200S和長波長元件200L的I-L特性一致，短波長元件200S的閾值電流為55mA，長波長元件200L的閾值電流為56mA。

短波長元件200S的閾值電流在高溫狀態(85℃)中，會增加至164mA。長波長元件200L的閾值電流在高溫狀態(85℃)中，會增加至143mA。

如此，振盪波長較短的個體伴隨溫度上升的閾值電流的增加較大，振盪波長較長的個體相較於短的個體，閾值電流的增加較小。因此，在高溫狀態中，2個雷射元件的閾值電流的差變大(在圖3的範例中為21mA)，以相同電流量驅動複數個體的話，各個體的光輸出差會變大。

(比較技術2) 圖4是揭示比較技術2的短波長元件200S及長波長元件200L的出射端側反射率R的波長依存性的圖。

在比較技術2中，與比較技術1同樣地，短波長元件200S與長波長元件200L的反射率R具有相同的波長依存性。在此範例中，以波長越長則反射率越高之方式設計反射膜。

圖5是揭示具有圖4之反射率R的半導體雷射裝置100的I-L特性的圖。

在比較技術2中，短波長元件200S之高溫狀態中的閾值電流為151mA，長波長元件200L之高溫狀態中的閾值電流為131mA，可將伴隨溫度上升之閾值電流的增加幅度降低至比比較技術1小。然而，比較85℃的短波長元件200S和長波長元件200L的閾值電流的話，該等的差為151mA-131mA=20mA，與比較技術1的21mA並無太大差別。所以，在比較技術2中，高溫狀態下以同量的電流使短波長元件200S與長波長元件200L動作的話，各個體的光輸出的差較大。

實施形態的半導體雷射裝置100的優點藉由與比較技術1、2的對比而更為明確。

圖6是揭示實施形態1的短波長元件200S的出射端反射率RS與長波長元件200L的出射端側反射率RL的波長依存性的圖。

在本實施形態中，短波長元件200S的出射端反射率RS與長波長元件200L的出射端側反射率RL具有幾種特徵。

(第1特徵) 在本實施形態中，以短波長元件200S之使用溫度上限(85℃)的出射端側反射率RS ₍₈₅₎，長波長元件200L之使用溫度上限的出射端側反射率RL ₍₈₅₎還高之方式，設計出射端側反射膜202。

圖7是揭示具有圖6之反射率特性的半導體雷射元件200的I-L特性的圖。

藉由第1特徵，可減少短波長元件200S之在高溫(85℃)的閾值電流和長波長元件200L之在高溫的閾值電流的差。具體而言，短波長元件200S之在高溫(85℃)的閾值電流為151mA，長波長元件200L之在高溫(85℃)的閾值電流為143mA，該等的閾值電流的差變小到8mA。因此，以同量的電流使短波長元件200S與長波長元件200L動作的狀況下，可抑制光輸出的不均。

(第2特徵) 參照圖6的話，可知長波長元件200L的出射端側反射率RL是波長依存性小，相對於此，短波長元件200S的出射端側反射率RS是波長越長則變越高。換言之，短波長元件200S之室溫的出射端側反射率RS ₍₂₅₎，比使用溫度上限的出射端側反射率RS ₍₈₅₎還低。此為第2特徵。

通常，光輸出在室溫比高溫狀態還高，故在室溫的COD耐性高很重要。另一方面，在高溫狀態中，為了抑制光輸出的降低，可說閥值電流的減低比較重要。考慮該等的均衡，透過降低室溫中的出射端側反射率RS ₍₂₅₎，提升高溫中的出射側反射率RS ₍₈₅₎，可一邊提升COD耐性，一邊降低高溫中的閾值電流。

(第3特徵) 參照圖6的話，可知短波長元件200S之室溫的出射端側反射率RS ₍₂₅₎與長波長元件200L之室溫的出射端側反射率RL ₍₂₅₎的差ΔR ₍₂₅₎(=|RS ₍₂₅₎−RL ₍₂₅₎|)，比短波長元件200S之使用溫度上限的出射端側反射率RS ₍₈₅₎與長波長元件200L之使用溫度上限的出射端側反射率RL ₍₈₅₎的差ΔR ₍₈₅₎(=|RS ₍₈₅₎−RL ₍₈₅₎|)還小。

室溫中的出射端側反射率的差ΔR ₍₂₅₎會影響COD耐性的差，故波長較短的個體與較長的個體之室溫中的出射端側反射率的差ΔR ₍₂₅₎盡可能小為佳。又，波長較長的個體的閾值電流與波長較短的個體的閾值電流在室溫中的差比在高溫中的閾值電流的差還小。因此，波長較短的個體與較長的個體之高溫中的出射端側反射率的差ΔR ₍₈₅₎大於ΔR ₍₂₅₎亦可。

(第4特徵) 參照圖6的話，可知短波長元件200S之圖表的斜率比長波長元件200L之圖表的斜率還大。

波長較短的個體相對於波長較長的個體，相對於溫度變化之波長的增加率大。因此，透過將波長較長的個體(長波長元件200L)的斜率增大到大於波長較短的個體(短波長元件200S)的斜率，在廣泛的溫度範圍中，可減低波長較短的個體與波長較長的個體之閾值電流的不均。

圖8是揭示晶圓300的圖。從晶圓300切出多數的半導體雷射元件200。半導體雷射元件200的振盪波長具有因應切出前之晶圓300的面內位置的不均。此範例中，有在距晶圓300的中央近的部分中波長較短，在距外周近的部分中波長較長的傾向。該狀況下，基於振盪波長的分布的傾向，可將晶圓300在面內分成幾個區域RGN1、RGN2…。在圖8的範例中，分成2個區域RGN1、RGN2，在從區域RGN1切出的半導體雷射元件200形成短波長元件200S用的反射膜，在從區域RGN2切出的半導體雷射元件200形成長波長元件200L用的反射膜即可。

晶圓面內的區域RGN1、RGN2…之振盪波長的分布及每個晶圓的振盪波長可透過被稱為光致發光(photoluminescence)的手法，在端面的反射膜形成前預測振盪波長，在本公開中，對於晶圓內的區域、針對各晶圓預測的振盪波長，可適切選擇形成短波長元件200S用的反射膜，或形成長波長元件200L用的反射膜。半導體雷射裝置100從複數晶圓或不同晶圓選擇半導體雷射元件200亦可。

上述的說明中，在具備N=3個以上的半導體雷射元件的半導體雷射裝置100中，短波長元件200S是在室溫的振盪波長最短的1個，長波長元件200L是在室溫的振盪波長最長的1個，但本發明並不限定於其。

用另一種觀點，半導體雷射裝置100也可說是複數半導體雷射元件200中任一或2個半導體雷射元件200之間，上述之短波長元件200S與長波長元件200L的關係成立。

(實施形態2) 半導體雷射裝置100之短波長元件200S及長波長元件200L的反射率的波長依存性並不被限定於圖6所示者。

圖9是揭示實施形態2的短波長元件200S的出射端反射率RS與長波長元件200L的出射端側反射率RL的波長依存性的圖。在實施形態2中，短波長元件200S的出射端反射率RS與長波長元件200L的出射端側反射率RL的波長依存性在實施形態1所說明之第1特徵～第3特徵中僅滿足第1特徵。

依據實施形態2，可獲得第1特徵的效果。亦即，可縮小短波長元件200S與長波長元件200L之高溫狀態中的閾值電流的差，以同量的電流動作時，可抑制光輸出的不均。

(變形例) 半導體雷射裝置100的構造及封裝的形態並未特別限定。

圖10是揭示變形例的半導體雷射裝置100A的圖。半導體雷射裝置100A具備放熱板102、安裝在放熱板102的複數半導體雷射封裝400_1～400_N。

圖11是半導體雷射封裝400的立體圖。半導體雷射封裝400是CAN封裝，具備半導體雷射元件200。在半導體雷射元件200的出射側端面形成出射端側反射膜202。

在此種半導體雷射裝置100A中也可適用本公開的技術。

又，實施形態僅揭示本發明的原理、應用，於實施形態，在不脫離申請專利範圍所規定之本發明的技術思想的範圍中，可有多數變形例及配置的變更。

100:半導體雷射裝置 100A:半導體雷射裝置 102:放熱板 104:次底座 104_1~104_N:次底座 200:半導體雷射元件 200_1~200_N:半導體雷射元件 200S:短波長元件 200L:長波長元件 202:反射膜(出射端側反射膜) 200_1~200_N:反射膜(出射端側反射膜) 300:晶圓 400:半導體雷射封裝 400_1~400_N:半導體雷射封裝 402:次底座 RGN1:區域 RGN2:區域

[圖1]揭示實施形態1的半導體雷射裝置的圖。 [圖2]揭示比較技術1的短波長元件及長波長元件的出射端側反射率R的波長依存性的圖。 [圖3]揭示具有圖2之反射率R的半導體雷射裝置的I-L(電流-光輸出)特性的圖。 [圖4]揭示比較技術2的短波長元件及長波長元件的出射端側反射率R的波長依存性的圖。 [圖5]揭示具有圖4之反射率R的半導體雷射裝置的I-L特性的圖。 [圖6]揭示實施形態1的短波長元件的出射端反射率RS與長波長元件的出射端側反射率RL的波長依存性的圖。 [圖7]揭示具有圖6之反射率特性的半導體雷射裝置的I-L特性的圖。 [圖8]揭示晶圓的圖。 [圖9]揭示實施形態2的短波長元件的出射端反射率RS與長波長元件的出射端側反射率RL的波長依存性的圖。 [圖10]揭示變形例的半導體雷射裝置的圖。 [圖11]半導體雷射封裝的立體圖。

100:半導體雷射裝置

102:放熱板

104_1~104_3:次底座

200_1~200_3:半導體雷射元件

202_1~202_3:反射膜

Claims

一種半導體雷射裝置，其特徵為具備：端面發光型的第1半導體雷射元件，係在室溫中相對地振盪波長較短；及端面發光型的第2半導體雷射元件，係在前述室溫中相對地振盪波長較長，前述第1半導體雷射元件與前述第2半導體雷射元件之在前述室溫的振盪波長的差為20nm以下，前述第1半導體雷射元件之出射端側的反射膜及前述第2半導體雷射元件之出射端側的反射膜在膜厚、折射率、層數中的至少之一不同，前述第1半導體雷射元件之使用溫度上限的出射端側反射率，比前述第2半導體雷射元件之前述使用溫度上限的出射端側反射率還高。
如請求項1所記載之半導體雷射裝置，其中，具備3個以上的半導體雷射元件，前述第1半導體雷射元件是前述3個以上的半導體雷射元件中在室溫的振盪波長最短的1個，前述第2半導體雷射元件是前述3個以上的半導體雷射元件中在室溫的振盪波長最長的1個。
如請求項1或2所記載之半導體雷射裝置，其中，前述振盪波長為600nm～700nm。
如請求項1或2所記載之半導體雷射裝置，其中，前述第1半導體雷射元件的前述出射端側反射率是波長越長則越高。
如請求項1或2所記載之半導體雷射裝置，其中，前述第1半導體雷射元件之在前述室溫的前述出射端側反射率與前述第2半導體雷射元件之在前述室溫的前述出射端側反射率的差，比前述第1半導體雷射元件之使用溫度上限的出射端側反射率與前述第2半導體雷射元件之前述使用溫度上限的出射端側反射率的差還小。
如請求項1或2所記載之半導體雷射裝置，其中，在將橫軸設為振盪波長，將縱軸設為出射端側反射率而進行繪圖的圖表中，前述第1半導體雷射元件的圖表的斜率比前述第2半導體雷射元件的圖表的斜率還大。
一種半導體雷射裝置，其特徵為具備：複數半導體雷射元件，係在室溫中振盪波長不同，前述複數半導體雷射元件的出射端側的反射膜在膜厚、折射率、層數中至少之一不同，統計性地觀察時，在前述室溫中振盪波長較短的半導體雷射元件之使用溫度上限的出射端側反射率，比在前述室溫中振盪波長較長的半導體雷射元件之前述使用溫度上限的出射端側反射率還高。