TW202417371A - 氮化硼粉末及樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

提供一種氮化硼粉末，含有具有細孔之氮化硼粒子，在藉由水銀孔隙計測定之微分細孔體積相對於細孔半徑的曲線中，在細孔半徑為1.2μm以下的範圍內，以直線連接微分細孔體積的曲線上升之點、與微分細孔體積成為極大值之點時，直線的斜率為0.8以下。

Description

氮化硼粉末及樹脂組成物

本發明關於氮化硼粉末及樹脂組成物。

氮化硼具有潤滑性、高導熱性、及絕緣性，而被利用於固體潤滑材料、脫模材料、化妝品的原料、散熱材料、以及具有耐熱性之絕緣性燒結體等各種用途。

例如，專利文獻1中揭示一種六方氮化硼粉末，可對填充於樹脂而得到之樹脂組成物賦予高導熱性與高介電強度，含有由六方氮化硼的一次粒子構成之凝聚粒子，BET比表面積為0.7~1.3m ²/g，且依據JIS K 5101-13-1測定之吸油量為80g/100g以下。 〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕

專利文獻1：日本特開2016-160134號公報

〔發明所欲解決之課題〕

本發明主要的目的在於提供新穎的氮化硼粉末。 〔解決課題之方式〕

本發明在一些態樣中提供以下[1]~[5]。 [1]一種氮化硼粉末，含有具有細孔之氮化硼粒子，在藉由水銀孔隙計測定之微分細孔體積相對於細孔半徑的曲線中，在細孔半徑為1.2μm以下的範圍內，以直線連接微分細孔體積的曲線上升之點、與微分細孔體積成為極大值之點時，直線的斜率為0.8以下。 [2]如[1]記載之氮化硼粉末，細孔半徑為1.2μm以下的範圍中之累計細孔體積為0.2ml/g以下。 [3]如[1]或[2]記載之氮化硼粉末，極大值為0.4ml/g以下。 [4]如[1]至[3]中任一項記載之氮化硼粉末，極大值為0.1ml/g以上。 [5]一種樹脂組成物，含有如[1]至[4]中任一項之記載氮化硼粉末、與樹脂。 〔發明之效果〕

根據本發明的一態樣，能夠提供新穎的氮化硼粉末。

以下，針對本發明的實施形態詳細地進行說明。

本實施形態之氮化硼粉末，含有具有細孔之氮化硼粒子，亦可為多個氮化硼粒子(具有細孔之氮化硼粒子)的聚集體。

多個氮化硼粒子的每一個，例如由多個氮化硼片構成。氮化硼粒子的細孔，可形成於多個氮化硼片間。氮化硼片，由氮化硼形成，可具有例如鱗片狀的形狀。

多個氮化硼片彼此，可物理性地接觸，亦可化學性地結合。多個氮化硼片彼此化學性地結合，能夠藉由使用SEM，在氮化硼片彼此的結合部分未觀察到氮化硼片間的邊界來確認。

氮化硼粒子，亦可具有有多個氮化硼片疊層之區域之剖面。多個氮化硼片疊層，能夠藉由使用SEM觀察氮化硼粒子的剖面，多個氮化硼片在氮化硼片的厚度方向上排列並配置來確認。

氮化硼片的平均厚度，可為0.5μm以上、1μm以上、或1.5μm以上，亦可為5μm以下。氮化硼片的長邊方向的平均長度，例如可為1μm以上，亦可為10μm以下。氮化硼片的平均厚度及長邊方向的平均長度，定義為：使用SEM，將以倍率1000倍觀察氮化硼粒子的剖面之SEM影像導入影像分析軟體(例如，Mountech股份有限公司製的「Mac-view」)，該SEM影像中測定之40個氮化硼片的厚度及長邊方向的長度的平均值。

氮化硼粒子，亦可實際上僅由氮化硼構成。氮化硼粒子實際上僅由氮化硼構成，能夠藉由在X射線繞射測定中，僅檢測出源自氮化硼之波峰來確認。

氮化硼粉末，在使用水銀孔隙計測定之微分細孔體積相對於細孔半徑的曲線(橫軸：細孔半徑，縱軸：微分細孔體積)中，在細孔半徑為1.2μm以下的範圍內，具有極大值(波峰)。該極大值為以直線連接微分細孔體積的曲線上升之點、與微分細孔體積成為極大值之點時直線的斜率成為0.8以下的極大值。

更具體而言，微分細孔體積相對於細孔半徑之曲線中，在細孔半徑為1.2μm以下的範圍內，將微分細孔體積的曲線上升之點的微分細孔體積設為V ₁(ml/g)，將微分細孔體積為V­ ₁時的細孔半徑設為R ₁(μm)，將微分細孔體積成為極大值之點的微分細孔體積設為V ₂(ml/g)，將微分細孔體積為極大值V ₂時的細孔半徑設為R ₂(μm)，下列式(1)表示之斜率a為0.8以下。 a=(V ₂-V ₁)/(R ₂-R ₁)．．．(1)

藉由氮化硼粉末具有在微分細孔體積相對於細孔半徑之曲線中，上述直線的斜率(上述式(1)表示之斜率a)成為0.8以下般的波峰，氮化硼粉末中的各氮化硼粒子，細孔半徑小的細孔少，因此存在於粒子內部之空隙的體積亦變小。從而，氮化硼粉末含有緻密的氮化硼粒子，這樣的氮化硼粉末，例如混合於樹脂並作為導熱材料(例如，散熱材料)使用時，與以往的氮化硼粉末相比，可展現較高的導熱率。

微分細孔體積相對於細孔半徑之曲線，使用水銀孔隙計，依據JIS R1655：2003依照水銀壓入法來進行。微分細孔體積的曲線，藉由下列程序而得。具體而言，首先，利用水銀孔隙計，在0.40~60000psia的範圍內測定相對於壓力之微分細孔體積。此時，在以壓力的對數為橫軸、以微分細孔體積為縱軸之對數圖表中，以測定微分細孔體積之壓力的值在橫軸上成為等間隔的130點的方式進行設定。然後，在將壓力轉換為細孔半徑的情況下，將相對於經轉換之細孔半徑的對數之經測定之微分氣孔體積作圖，以直線連接圖間，藉此可得到微分細孔體積相對於細孔半徑之曲線。

微分細孔體積的曲線上升之點，定義為：微分細孔體積成為0.02ml/g之點。即，式(1)中之微分細孔體積V ₁為0.02ml/g，細孔半徑R ₁為微分細孔體積成為0.02ml/g時的細孔半徑。微分細孔體積未達0.02ml/g的範圍中，測定上的雜訊的影響大，因此將微分細孔體積成為0.02ml/g之點定義為微分細孔體積的曲線上升之點。此外，細孔半徑為1.2μm以下的範圍內，存在多個微分細孔體積成為0.02ml/g之點時，將多個點之中，細孔半徑最小的點定義為微分細孔體積的曲線上升之點。

微分細孔體積的極大值(波峰)，定義為：在微分細孔體積相對於細孔半徑之曲線中，伴隨細孔半徑的增加之微分細孔體積的變化從正變為負之測定點。即，微分細孔體積的測定點之中，針對第m-1個測定點(細孔半徑：R _m-1(μm)，微分細孔體積：V _m-1(ml/g))、第m個測定點(細孔半徑：R _m(μm)，微分細孔體積：V _m(ml/g))、及第m+1個測定點(細孔半徑：R _m+1(μm)，微分細孔體積：V _m+1(ml/g))，將滿足R _m-1＜R _m＜R _m+1，且滿足V _m-V _m-1＞0及V _m+1-V _m＜0之第m個測定點，定義為微分細孔體積成為極大值之點。V _m+1=V _m時，針對第m+n個測定點(細孔半徑：R _m+n(μm)，微分細孔體積：V _m+n(ml/g)，n：為2以上，且滿足V _m≠V _m+n之最小的整數)，將滿足R _m-1­＜R _m＜R _m+n，且滿足V _m-V _m-1＞0及V _m+n-V _m＜0之第m個測定點，定義為微分細孔體積成為極大值之點。此外，在細孔半徑為1.2μm以下的範圍內，存在多個微分細孔體積成為極大值之點時，將多個點之中，細孔半徑最小的點定義為微分細孔體積成為極大值之點。

細孔半徑R ₁，可為0.01μm以上、0.02μm以上、0.04μm以上、0.05μm以上、或0.06μm以上，亦可為0.3μm以下、0.2μm以下、0.15μm以下、0.13μm以下、0.12μm以下、或0.11μm以下。

極大值V ₂，可為0.4ml/g以下、0.35ml/g以下、0.32ml/g以下、0.3ml/g以下、0.28ml/g以下、或0.26ml/g以下，亦可為0.1ml/g以上、0.15ml/g以上、0.19ml/g以上、或0.2ml/g以上。

細孔半徑R ₂，可為0.2μm以上、0.3μm以上、0.4μm以上、0.5μm以上、或0.6μm以上，亦可為1.1μm以下、1μm以下、0.9μm以下、0.8μm以下、或0.7μm以下。

上述直線的斜率(式(1)表示之斜率a)，可為0.7以下、0.6以下、或0.5以下，亦可為0.1以上、0.2以上、0.3以上、或0.35以上。

微分細孔體積相對於細孔半徑之曲線，在從微分細孔體積成為極大值V ₂之細孔半徑R ₂到細孔半徑1.2μm的範圍中，亦可為微分細孔體積的變化(減少)平緩的曲線。具體而言，將微分細孔體積成為極大值V ₂之細孔半徑R ₂到細孔半徑1.2μm的範圍中之微分細孔體積的最小值設為V ₃(ml/g)，將微分細孔體積成為最小值V ₃之細孔半徑設為R ₃(μm)時，連接極大值V ₂與最小值V ₃之直線的斜率b=(V ₂-V ₃)/(R ₂-R ₃)，可為-0.01以下、-0.04以下、或-0.05以下，亦可為-0.5以上、-0.4以上、-0.3以上、-0.2以上、或-0.1以上。

氮化硼粉末的藉由水銀孔隙計測定之細孔半徑為1.2μm以下的範圍中之累計細孔體積，可為0.2ml/g以下、0.19ml/g以下、或0.18ml/g以下。氮化硼粉末的細孔半徑為1.2μm以下的範圍中之累計細孔體積，能夠視為構成氮化硼粉末之各氮化硼粒子內的空隙的總量，因此細孔半徑為1.2μm以下的範圍中之累計細孔體積越小，氮化硼粒子越容易成為緻密的粒子。因此，將這樣的氮化硼粒子與樹脂混合來製作散熱材料時，即使不將氮化硼粒子粉碎，氮化硼粒子的填充率仍會變高，變得容易得到具有高導熱率之散熱材料。藉由水銀孔隙計測定之細孔半徑為1.2μm以下的範圍中之累計細孔體積，亦可為0.1ml/g以上、0.12ml/g以上、0.14ml/g以上、0.15ml/g以上、0.16ml/g以上、或0.17ml/g以上。

氮化硼粉末的藉由水銀孔隙計測定之細孔半徑為500μm以下的範圍中之累計細孔體積，可為1ml/g以下、0.95ml/g以下、或0.91ml/g以下。累計細孔體積，亦可為0.7ml/g以上、0.8ml/g以上、0.85ml/g以上、0.88ml/g以上、或0.9ml/g以上。

氮化硼粉末的總體密度，可為0.7g/ml以上、0.72g/ml以上、0.74g/ml以上、或0.75g/ml以上，亦可為0.9g/ml以下、0.8g/ml以下、或0.75g/ml以下。

氮化硼粉末的平均粒徑，例如可為10μm以上、20μm以上、或30μm以上，亦可為100μm以下、80μm以下、或60μm以下。氮化硼粉末的平均粒徑，意指體積累積分布成為50%之粒徑(D50)，能夠藉由雷射繞射散射法進行測定。

氮化硼粉末的BET比表面積，能夠依據JIS Z 8830：2013，使用氮氣，藉由BET多點法進行測定。氮化硼粉末的BET比表面積，可為1m ²/g以上、2m ²/g以上、或2.5m ²/g以上，亦可為5m ²/g以下、4m ²/g以下、或3.5m ²/g以下。

針對上述氮化硼粉末之製造方法，以下進行說明。上述氮化硼粉末，例如能夠藉由具備下述步驟之方法來製造：將碳化硼粒子一邊進行熱均壓加壓(亦稱為「熱等靜壓加壓」)一邊進行氮化，以得到碳氮化硼粒子之步驟(氮化步驟)、與將碳氮化硼粒子予以脫碳，以得到含有氮化硼粒子之氮化硼粉末之步驟(脫碳步驟)。即，本發明的另一實施形態，為這樣的氮化硼粉末之製造方法。上述氮化硼粒子之製造方法，並未限定於上述方法。

碳化硼粒子，例如能夠藉由周知的製造方法來製造。可列舉例如：將硼酸與乙炔黑混合後，在不活潑氣體環境中，在1800~2400℃，加熱1~10小時，得到塊狀的碳化硼粒子之方法。亦可對於藉由此方法而得到之塊狀的碳化硼粒子，適當進行粉碎、篩分、清洗、去除雜質、及乾燥等。碳化硼粒子的平均粒徑，例如可為5μm以上、10μm以上、或15μm以上，亦可為80μm以下、60μm以下、或40μm以下。碳化硼粒子的平均粒徑，意指體積累積粒度分布成為50%之粒徑(D50)，能夠藉由雷射繞射散射法進行測定。

氮化步驟中，藉由在使氮化反應進行之環境下，在將碳化硼粒子填充於容器之狀態下一邊進行熱均壓加壓一邊進行加熱，將碳化硼粒子予以氮化以得到碳氮化硼粒子。容器，例如可為碳坩堝。熱均壓加壓，例如能夠使用熱均壓加壓裝置(例如，神戶製鋼所製)來進行。

使氮化步驟中之氮化反應進行之環境，亦可為將碳化硼粒子予以氮化之氮化氣體環境。就氮化氣體而言，可為氮氣、氨氣等，考量容易將碳化硼粒子予以氮化之觀點及成本的觀點，可為氮氣。氮化氣體，可單獨使用1種或組合2種以上使用，氮化氣體中的氮氣的比例，可為95體積%以上、99體積%以上或99.9體積%以上。

氮化步驟中之壓力，可為50MPa以上、70MPa以上、或100MPa以上。氮化步驟中之壓力，亦可為200MPa以下或150MPa以下。

氮化步驟中之加熱溫度，考量使碳化硼粒子充分地氮化之觀點，可為1600℃以上或1700℃以上。氮化步驟中之加熱溫度，亦可為2200℃以下或2000℃以下。

進行氮化步驟中之加壓及加熱之時間，考量使碳化硼粒子充分地氮化之觀點，可為30分鐘、45分鐘以上、或1小時以上。進行氮化步驟中之加壓及加熱之時間，亦可為30小時以下、20小時以下、或10小時以下。

脫碳步驟中，藉由在將含有氮化步驟中得到之碳氮化硼粒子、與硼源之混合物填充於容器之狀態下進行加熱，將碳氮化硼粒子予以脫碳。容器，例如可為氮化硼坩堝。

就硼源而言，可列舉：硼酸、氧化硼、或其混合物。混合物，亦可因應需要，進一步含有該技術領域中使用之其他添加物。適當選定碳氮化硼粒子與硼源的混合比例。使用硼酸或氧化硼作為硼源時，硼酸或氧化硼的比例，相對於100質量份的碳氮化硼，例如可為50質量份以上或80質量份以上，亦可為300質量份以下或200質量份以下。

脫碳步驟中之環境，可為常壓(大氣壓)的環境或經加壓之環境。脫碳步驟中之壓力，例如可為0.5MPa以下或0.3MPa以下，亦可為0.01MPa以上或0.03MPa以上。

脫碳步驟中，例如，首先升溫至規定的溫度(可開始脫碳的溫度)後，在規定的溫度下進一步升溫至保持溫度。規定的溫度(可開始脫碳的溫度)，例如可為1000℃以上，亦可為1500℃以下或1200℃以下。從規定的溫度(可開始脫碳的溫度)升溫至保持溫度之速度，例如可為5℃/分鐘以下、4℃/分鐘以下、3℃/分鐘以下、或2℃/分鐘以下。

保持溫度，考量粒子成長容易良好地發生之觀點，可為1800℃以上或2000℃以上。保持溫度，亦可為2200℃以下或2100℃以下。

保持溫度中之保持時間，考量粒子成長容易良好地發生之觀點，例如可為0.5小時以上、1小時以上、3小時以上、或5小時以上。保持溫度中之保持時間，例如亦可為40小時以下、30小時以下、或20小時以下。

亦可對於如以上般進行而得到之氮化硼粒子(氮化硼粉末)，以藉由篩而得到具有期望的粒徑之氮化硼粉末的方式實施進行分級之步驟(分級步驟)。

以上說明之氮化硼粉末，例如適合使用於散熱構件。氮化硼粉末，使用於散熱構件時，例如作為與樹脂一起混合之樹脂組成物使用。即，本發明的另一實施形態，為含有樹脂、與上述氮化硼粉末之樹脂組成物。

上述氮化硼粉末的含量，以樹脂組成物的總體積作為基準，考量使樹脂組成物的導熱率提升，容易得到優異的散熱性能之觀點，可為50體積%以上、55體積%以上、60體積%以上、65體積%以上、或70體積%以上。氮化硼粉末的含量，以樹脂組成物的總體積作為基準，考量能夠抑制成形時空隙的產生、以及絕緣性及機械強度的降低之觀點，亦可為85體積%以下、80體積%以下、或75體積%以下。

就樹脂而言，可列舉例如：環氧樹脂、矽氧樹脂、矽氧橡膠、丙烯酸樹脂、酚醛樹脂、三聚氰胺樹脂、脲樹脂、不飽和聚酯、氟樹脂、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚對苯二甲酸丁二酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚伸苯基醚、聚苯硫醚、全芳香族聚酯、聚碸、液晶聚合物、聚醚碸、聚碳酸酯、馬來醯亞胺改性樹脂、ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)樹脂、AAS(丙烯腈-丙烯酸橡膠/苯乙烯)樹脂、及AES(丙烯腈/乙烯/丙烯/二烯橡膠-苯乙烯)樹脂。

樹脂的含量，以樹脂組成物的總體積作為基準，可為15體積%以上、20體積%以上、或25體積%以上，亦可為50體積%以下、45體積%以下、40體積%以下、35體積%以下、或30體積%以下。

樹脂組成物，亦可進一步含有使樹脂硬化之硬化劑。硬化劑，依樹脂的種類適當選擇。例如，樹脂為環氧樹脂時，就硬化劑而言，可列舉：酚酚醛清漆化合物、酸酐、胺基化合物、及咪唑化合物。硬化劑的含量，相對於100質量份的樹脂，例如可為0.5質量份以上或1.0質量份以上，亦可為15質量份以下或10質量份以下。

樹脂組成物，亦可進一步含有其他成分。其他成分，可為硬化促進劑(硬化觸媒)、偶聯劑、濕潤分散劑、表面調整劑等。

就硬化促進劑(硬化觸媒)而言，可列舉：四苯基硼酸四苯基鏻、磷酸三苯酯等磷系硬化促進劑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑等咪唑系硬化促進劑、三氟化硼單乙胺等胺系硬化促進劑等。

就偶聯劑而言，可列舉：矽烷系偶聯劑、鈦酸酯系偶聯劑、及鋁酸酯系偶聯劑等。就此等偶聯劑中含有之化學鍵結基而言，可列舉：乙烯基、環氧基、胺基、甲基丙烯酸基、巰基等。

就濕潤分散劑而言，可列舉：磷酸酯鹽、羧酸酯、聚酯、丙烯酸共聚物、嵌段共聚物等。

就表面調整劑而言，可列舉：丙烯酸系表面調整劑、矽氧系表面調整劑、乙烯基系調整劑、氟系表面調整劑等。 〔實施例〕

以下，藉由實施例具體地說明本發明。但是，本發明並未限定於下述實施例。

(實施例1) 將平均粒徑(D50)為26μm之碳化硼粒子填充於碳坩堝中，使用熱均壓加壓裝置(神戶製鋼所製)，在氮氣環境下，以1800℃、196MPa的條件，藉由1.5小時HIP法進行加熱及加壓，將碳化硼粒子予以氮化以得到碳氮化硼粒子(B ₄CN ₄)。使用亨舍爾混合機將100質量份的得到之碳氮化硼粒子、與150質量份(硼酸60質量%)的硼酸混合後，將混合物填充於氮化硼坩堝，使用電阻加熱爐，在常壓、氮氣環境下，以保持溫度2000℃、0.03MPa的條件，以保持時間5小時進行加熱，藉此得到粗大的粒子。利用研缽將粗大的粒子粉碎10分鐘後，以網目175μm的尼龍篩進行分級。藉此，得到粒子的聚集體(粉末)。

(實施例2) 除了變更為100質量份(硼酸50質量%)的硼酸以外，與實施例1相同地進行以得到粉末。

(實施例3) 除了變更為81.8質量份(硼酸45質量%)的硼酸以外，與實施例1相同地進行以得到粉末。

(比較例1) 使用電阻加熱爐，在氮氣環境下，以2000℃、0.85MPa的條件進行加熱及加壓25小時，將碳化硼粒子予以氮化以得到碳氮化硼粒子，除此以外，與實施例1相同地進行以得到氮化硼粉末。

[X射線繞射測定] 回收各實施例中得到之粉末的一部分，使用X射線繞射裝置(理學股份有限公司製，「ULTIMA-IV」)進行X射線繞射測定。將其X射線繞射測定結果、及作為比較對象的比較例1得到之氮化硼粉末的X射線繞射測定結果分別示於圖1。從圖1可明白，僅檢測出源自氮化硼之波峰，確認了各實施例中可得到氮化硼粉末。

[氮化硼粉末的微分細孔體積的測定] 對於得到之氮化硼粉末，使用水銀孔隙計，依照下列程序進行微分細孔體積相對於細孔半徑之測定。測定裝置使用島津製作所製的AutoPore IV9500，測定用槽使用粉體用的5cc×1.1cc者。首先，利用水銀孔隙計，在0.40~60000psia的範圍內測定相對於壓力之微分細孔體積。此時，在以壓力的對數為橫軸、以微分細孔體積為縱軸之對數圖表中，以測定微分細孔體積之壓力的值在橫軸上成為等間隔的130點的方式進行設定。然後，在將壓力轉換為細孔半徑的情況下，將相對於經轉換之細孔半徑的對數之經測定之微分氣孔體積作圖，以直線連接圖間，藉此得到微分細孔體積相對於細孔半徑之曲線。將實施例1~3得到之氮化硼粉末的微分細孔體積相對於細孔半徑之曲線分別示於圖2~4，將比較例1得到之氮化硼粉末的微分細孔體積相對於細孔半徑之曲線示於圖5。由得到之微分細孔體積的曲線，算出上述細孔半徑R ₁、R ₂及R ₃、微分細孔體積V ₂及V ₃、直線的斜率a及b、到細孔半徑1.2μm為止的累計細孔體積、到細孔半徑500μm為止的累計細孔體積。將結果示於表1。又，由氮化硼粒子的密度(2.26g/ml)與累計細孔體積算出氮化硼粉末的總體密度。

[氮化硼粉末的平均粒徑的測定] 氮化硼粉末的平均粒徑，依據ISO13320：2009，使用雷射繞射散射法粒度分布測定裝置(貝克曼庫爾特股份有限公司製，「LS-13 320」)進行測定。但是，測定處理之前在不對試樣使用均質機的情況下進行測定。粒度分布測定時，使氮化硼粉末分散之溶劑使用水，分散劑使用六偏磷酸。此時水的折射率使用1.33，又，針對氮化硼粒子的折射率使用1.7的數值。將測定結果示於表1。

[氮化硼粉末的BET比表面積的測定] 依據JIS Z 8830：2013，使用氮氣，藉由BET多點法測定氮化硼粉末的BET比表面積。將測定結果示於表1。

[表1]

[導熱率的測定] 將100質量份的萘型環氧樹脂(DIC公司製，HP4032)、與10質量份的作為硬化劑的咪唑化合物(四國化成公司製，2E4MZ-CN)混合，接著，以氮化硼粉末的填充率成為70體積%的方式混合實施例1及比較例1中得到之各個氮化硼粉末以得到樹脂組成物。將此樹脂組成物，進行500Pa的減壓脫泡10分鐘，以厚度成為1.0mm的方式塗布在PET製片材上。之後，以溫度150℃、壓力160kg/cm ²條件進行60分鐘的壓製加熱加壓，製作0.5mm的片狀的散熱材料。從製作之散熱材料切出10mm×10mm的大小的測定用試樣，藉由使用了氙閃光分析儀(NETZSCH公司製，LFA447NanoFlash)之雷射閃光法，測定測定用試樣的熱擴散率A(m ²/秒)。又，藉由阿基米德法測定測定用試樣的比重B(kg/m ³)。又，使用示差掃描熱量計(理學股份有限公司製，ThermoPlusEvoDSC8230)測定測定用試樣的比熱容量C(J/(kg．K))。使用此等各物性值，由H=A×B×C的式子求出導熱率H(W/(m．K))。使用實施例1中得到之氮化硼粉末製作之散熱材料的導熱率為22W/(m．K)，使用比較例1中得到之氮化硼粉末製作之散熱材料的導熱率為17W/(m．K)。

[圖1]實施例1得到之氮化硼粉末的X射線繞射測定結果的圖表。 [圖2]實施例1得到之氮化硼粉末的細孔徑分布。 [圖3]實施例2得到之氮化硼粉末的細孔徑分布。 [圖4]實施例3得到之氮化硼粉末的細孔徑分布。 [圖5]比較例1得到之氮化硼粉末的細孔徑分布。

Claims (5)

1. 一種氮化硼粉末，含有具有細孔之氮化硼粒子， 在藉由水銀孔隙計測定之微分細孔體積相對於細孔半徑的曲線中，在該細孔半徑為1.2μm以下的範圍內，以直線連接該微分細孔體積的曲線上升之點、與該微分細孔體積成為極大值之點時，該直線的斜率為0.8以下。
2. 如請求項1之氮化硼粉末，該細孔半徑為1.2μm以下的範圍中之累計細孔體積為0.2ml/g以下。
3. 如請求項1之氮化硼粉末，該極大值為0.4ml/g以下。
4. 如請求項1之氮化硼粉末，該極大值為0.1ml/g以上。
5. 一種樹脂組成物，含有如請求項1至4中任一項之氮化硼粉末、與樹脂。

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