TW202410319A - 積層體、及無芯基板之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明之目的在於提供一種積層體，其係在分離核心樹脂層後可將第一金屬層容易地去除的同時，可形成良好之保護鍍層；及提供一種無芯基板之製造方法。 本發明之積層體10，係具有核心樹脂層11、設於核心樹脂層11之至少一面側且具備剝離機構之第一金屬層12、設於第一金屬層12之與核心樹脂層11相反側之面之擴散防止層13、及設於擴散防止層13之與第一金屬層12相反側之面之鍍阻劑14，進一步地，在擴散防止層13之與第一金屬層12相反側中未設有鍍阻劑14之區域，亦可具有保護鍍層15。

Description

積層體、及無芯基板之製造方法

本發明係關於一種具有設於核心樹脂層之至少一面側且具備剝離機構之第一金屬層之積層體、及使用積層體之無芯基板之製造方法。

近年來，廣泛用於電子設備、通訊設備以及個人電腦等之半導體封裝的高功能化及小型化日益加速。伴隨於此，要求半導體封裝中印刷配線板及半導體元件搭載用封裝基板的薄型化。作為已薄型化之印刷配線板及半導體元件搭載用封裝基板，例如已知一種所謂的無芯基板，其係在核心樹脂層積層具有剝離機構之第一金屬層、絕緣層、及配線導體形成配線基板後，從配線基板剝離核心樹脂層（例如參照專利文獻1）。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］

［專利文獻1］國際公開WO2020/121652號公報

［發明所欲解決之技術問題］

然而，如此無芯基板存在以下問題：分離核心樹脂層後，以蝕刻等去除殘存於配線基板之第一金屬層時，難以控制，有蝕刻過度或反而蝕刻不充分之情形。此外，在第一金屬層上形成保護鍍層，並在其上形成配線導體時，有第一金屬層及保護鍍層之構成元素會相互擴散並腐蝕保護鍍層之問題。

本發明係基於如此問題所成之發明，目的在於提供一種積層體，其係在分離核心樹脂層後可將第一金屬層容易地去除的同時，可形成良好之保護鍍層；及提供一種無芯基板之製造方法。 ［技術手段］

本發明係如下所述： ［1］ 一種積層體，其係具有： 核心樹脂層、 設於前述核心樹脂層之至少一面側且具備剝離機構之第一金屬層、及 設於前述第一金屬層之與前述核心樹脂層相反側之面之擴散防止層。 ［2］ 如［1］所記載之積層體，其中，在前述擴散防止層之與前述第一金屬層相反側之面，係具有鍍阻劑。 ［3］ 如［2］所記載之積層體，其中，在前述擴散防止層之前述第一金屬層之相反側中未設有前述鍍阻劑之區域，係具有保護鍍層。 ［4］ 如［1］所記載之積層體，其中，在前述第一金屬層之與前述核心樹脂層相反側之面，係同時具有前述擴散防止層及鍍阻劑。 ［5］ 如［4］所記載之積層體，其中，在前述擴散防止層之與前述第一金屬層相反側，係具有保護鍍層。 ［6］ 如［1］所記載之積層體，其中，前述擴散防止層，係含有選自鎳、鋁、鐵、鋅、錫、鉛、鉻、鈷、銀、及鈀所成群中至少一種。 ［7］ 如［1］所記載之積層體，其中，前述第一金屬層中從前述擴散防止層側之端面至前述剝離機構之厚度，係6μm以上。 ［8］ 一種無芯基板之製造方法，其係包含： 支撐體準備步驟，準備具有核心樹脂層及設於前述核心樹脂層之至少一面側且具備剝離機構之第一金屬層之支撐體；及 擴散防止層形成步驟，在前述第一金屬層之與前述核心樹脂層相反側之面，形成擴散防止層。 ［9］ 如［8］所記載之無芯基板之製造方法，其中，在前述擴散防止層形成步驟後，係包含鍍阻劑形成步驟：在前述擴散防止層之與前述第一金屬層相反側之面，形成鍍阻劑。 ［10］ 如［9］所記載之無芯基板之製造方法，其中，在形成前述鍍阻劑後，係包含保護鍍層形成步驟：在前述擴散防止層之前述第一金屬層之相反側中未設有前述鍍阻劑之區域，形成保護鍍層。 ［11］ 如［8］所記載之無芯基板之製造方法，其中，在前述擴散防止層形成步驟前，係包含鍍阻劑形成步驟：在前述第一金屬層之與前述核心樹脂層相反側之面，形成鍍阻劑；且 前述擴散防止層，係形成於在前述第一金屬層之與前述核心樹脂層相反側之面中未形成有鍍阻劑之區域。 ［12］ 如［11］所記載之無芯基板之製造方法，其中，在前述擴散防止層形成步驟後，係包含保護鍍層形成步驟：在前述擴散防止層之與前述第一金屬層相反側，形成保護鍍層。 ［13］ 如［8］所記載之無芯基板之製造方法，其中，前述擴散防止層，係含有選自鎳、鋁、鐵、鋅、錫、鉛、鉻、鈷、銀、及鈀所成群中至少一種。 ［14］ 如［8］所記載之無芯基板之製造方法，其中，前述第一金屬層中從前述擴散防止層側之端面至前述剝離機構之厚度，係設為6μm以上。 ［發明之效果］

根據本發明，在核心樹脂層之至少一面側設有具備剝離機構之第一金屬層、且在第一金屬層之與核心樹脂層相反側之面設有擴散防止層，故在剝離機構中分離去除核心樹脂層後，藉由蝕刻去除殘存之第一金屬層時，擴散防止層可作為蝕刻阻擋使用。因此，可將殘存之第一金屬層容易地去除。此外，因可抑制第一金屬層及在其上形成之保護鍍層之構成元素相互擴散，可形成良好之保護鍍層。

進一步地，只要將第一金屬層中從擴散防止層側之端面至剝離機構之厚度設為6μm以上，在第一金屬層上形成配線基板後，在剝離機構中分離去除核心樹脂層時，可補強配線基板並抑制破損。

以下將詳細說明用以實施本發明之型態（以下稱為「實施型態」），但本發明不受限於此，在不脫離其要旨之範圍內可進行各種變形。

[第一實施型態] 圖1，係表示本發明第一實施型態之積層體10的構成。此積層體10，係具有核心樹脂層11、設於核心樹脂層11之至少一面側且具備剝離機構之第一金屬層12、設於第一金屬層12之與核心樹脂層11相反側之面之擴散防止層13、及設於擴散防止層13之與第一金屬層12相反側之面之鍍阻劑14，進一步地，在擴散防止層13之與第一金屬層12相反側中未設有鍍阻劑14之區域，亦可具有保護鍍層15。此積層體10，例如可用於製造附支撐體之配線基板20（例如參照圖3、4）及無芯基板30（例如參照圖5）時。

附支撐體之配線基板20，係具備在核心樹脂層11之至少一面側設有第一金屬層12之支撐體10A、及設於第一金屬層12上之配線基板20A（例如參照圖3、4）。附支撐體之配線基板20，例如亦稱為附支撐體之印刷配線板或附支撐體之封裝基板，係具備印刷配線板或半導體元件搭載用封裝基板作為配線基板20A。印刷配線板或半導體元件搭載用封裝基板，例如係藉由安裝半導體元件等電子零件元件而構成電子零件安裝基板。配線基板20A，不限於搭載半導體元件，例如亦可搭載LED（Light Emitting Diode，發光二極體）元件、電容器、電阻器、線圈等表面安裝型電子零件元件等。無芯基板30，係從附支撐體之配線基板20分離去除支撐體10A（例如參照圖5）。

＜積層體之構成＞ （核心樹脂層） 核心樹脂層11，係在配線基板20A之製造製程或半導體元件之安裝製程中，用以提高配線基板20A的剛性、抑制翹曲的同時，提高處理性。又，圖1中，係表示在核心樹脂層11之一面側設有第一金屬層12之情形，惟第一金屬層12亦可設於核心樹脂層11之兩面。核心樹脂層11無特別限定，例如可藉由在玻璃布等基材中含浸熱硬化性樹脂等絕緣性的樹脂材料（絕緣材料）而成之預浸體、或絕緣性的薄膜材料等構成。核心樹脂層11之厚度，係視需要適宜設定，故無特別限定，理想為例如1μm以上。原因在於：若核心樹脂層11之厚度未滿1μm，則配線基板20A會有成形不良之情形。

「預浸體」係將樹脂組成物等絕緣材料含浸或塗布於基材而成。基材無特別限定，可適宜使用習知的基材。構成基材之材料，可列舉例如：E玻璃、D玻璃、S玻璃或Q玻璃等無機纖維；聚醯亞胺、聚酯或四氟乙烯等有機纖維；及其等混合物等。基材無特別限定，例如可適宜使用具有織布、不織布、粗紗、切股氈、表面氈等形狀之基材。基材的材質及形狀可視目標之成形物的用途及性能來選擇，並可視需要而單獨使用或使用兩種類以上的材質及形狀。

基材之厚度，只要核心樹脂層11之厚度在上述範圍則無特別限制。此外，基材，可使用以矽烷偶聯劑等進行過表面處理之基材或已施予機械式開纖處理之基材，此等基材在耐熱性及耐濕性、加工性方面皆合適。

絕緣材料無特別限定，可適宜選定使用被用作印刷配線板或半導體元件搭載用封裝基板的絕緣材料之習知的樹脂組成物。樹脂組成物，可使用耐熱性、耐藥品性良好的熱硬化性樹脂作為基底。熱硬化性樹脂無特別限定，可列舉例如：聚醯亞胺樹脂、酚樹脂、環氧樹脂、氰酸酯樹脂、馬來醯亞胺樹脂、改性聚苯醚、雙馬來醯亞胺三嗪樹脂、異氰酸酯樹脂、苯并環丁烯樹脂、及乙烯樹脂。此等熱硬化性樹脂可單獨使用一種類，亦可混合使用兩種類以上。

聚醯亞胺樹脂無特別限定，可適宜選定使用市售的產品。例如可使用藉由日本特開2005-15629號公報中記載之製造方法所合成之溶劑可溶性聚醯亞胺樹脂、或嵌段共聚聚醯亞胺樹脂。嵌段共聚物聚醯亞胺樹脂，可列舉例如國際公開WO2010-073952號公報中記載之嵌段共聚物聚醯亞胺樹脂。具體而言，嵌段共聚聚醯亞胺樹脂，只要係具有以下結構交替重複之結構的共聚聚醯亞胺樹脂，則無特別限定：在由第一結構單元所成之醯亞胺寡聚物的末端與由第二結構單元所成之醯亞胺寡聚物鍵結之結構A、及在由第二結構單元所成之醯亞胺寡聚物的末端與由第一結構單元所成之醯亞胺寡聚物鍵結之結構B。又，第二結構單元與第一結構單元不同。此等嵌段共聚聚醯亞胺樹脂，係可藉由使四羧酸二酐與二胺在極性溶劑中進行反應而形成醯亞胺寡聚物後，進一步加入四羧酸二酐與另一種二胺、或是另一種四羧酸二酐與二胺，再進行醯亞胺化之逐次聚合反應來合成。此等聚醯亞胺樹脂可單獨使用一種類，亦可混合使用兩種以上。

酚樹脂無特別限定，只要其為一分子中具有一個以上（理想為2～12，更理想為2～6，更加理想為2～4，再更理想為2或3，又更理想為2）酚性羥基之化合物或樹脂，則可使用一般習知的酚樹脂。可列舉例如：雙酚A型酚樹脂、雙酚E型酚樹脂、雙酚F型酚樹脂、雙酚S型酚樹脂、苯酚酚醛清漆樹脂、雙酚A酚醛清漆型酚樹脂、縮水甘油酯型酚樹脂、芳烷基酚醛清漆型酚樹脂、聯苯芳烷基型酚樹脂、甲酚酚醛清漆型酚樹脂、多官能酚樹脂、萘酚樹脂、萘酚酚醛清漆樹脂、多官能萘酚樹脂、蒽型酚樹脂、萘骨架改性酚醛清漆型酚樹脂、苯酚芳烷基型酚樹脂、萘酚芳烷基型酚樹脂、雙環戊二烯型酚樹脂、聯苯型酚樹脂、脂環式酚樹脂、多元醇型酚樹脂、含磷之酚樹脂、及含氫氧基之矽樹脂類。此等酚樹脂可單獨使用一種類，亦可混合使用兩種類以上。

熱硬化性樹脂中，環氧樹脂因其耐熱性、耐藥品性及電特性優異且相對低價之故，可適合用作絕緣材料。環氧樹脂，只要為一分子中具有一個以上（理想為2～12，更理想為2～6，更加理想為2～4，再更理想為2或3，又更理想為2）環氧基之化合物或樹脂，則無特別限定，可列舉例如：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、脂肪族鏈狀環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯酚的二環氧丙基醚化物、萘二酚的二環氧丙基醚化物、酚類的二環氧丙基醚化物、醇類的二環氧丙基醚化物、及此等烷基取代物、鹵化物、氫添加物。此等環氧樹脂可單獨使用一種類，亦可混合使用兩種類以上。此外，與此環氧樹脂一同使用之硬化劑只要可使環氧樹脂硬化，則可無限定地使用，可列舉例如：多官能酚類、多官能醇類、胺類、咪唑化合物、酸酐、有機磷化合物、及此等鹵化物。此等環氧樹脂硬化劑可單獨使用一種類，亦可混合使用兩種類以上。

氰酸酯樹脂係藉由加熱來生成以三嗪環為重複單元之硬化物的樹脂，且硬化物的介電特性優異。因此，在尤其要求高頻特性之情形等時係合適的。氰酸酯樹脂只要為在分子中具有經一分子中一個以上（理想為2～12，更理想為2～6，更加理想為2～4，再更理想為2或3，又更理想為2）氰氧基（氰酸酯基）取代的芳香族部分之化合物或樹脂，則無特別限定，可列舉例如：2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷、雙(4-氰氧基苯基)乙烷、2,2-雙(3,5二甲基-4-氰氧基苯基)甲烷、2,2-(4-氰氧基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、α,α’-雙(4-氰氧基苯基)-間二異丙苯、苯酚酚醛清漆及烷基苯酚酚醛清漆的氰酸酯化物等。其中，2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷因其硬化物的介電特性與硬化性間的平衡尤佳且成本亦低價之故而理想。此等氰酸酯化合物等之氰酸酯樹脂可單獨使用一種類，亦可混合使用兩種類以上。此外，前述氰酸酯化合物亦可先將一部分寡聚化成三聚體或五聚體。

而且，亦可對氰酸酯樹脂並用硬化觸媒或硬化促進劑。硬化觸媒例如可使用錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅等金屬類，具體而言可列舉：2-乙基己酸鹽、辛酸鹽等有機金屬鹽；及乙醯丙酮錯合物等有機金屬錯合物。硬化觸媒可單獨使用一種類，亦可混合使用兩種類以上。

此外，硬化促進劑理想係使用酚類，可使用：壬基酚、對枯基酚等單官能酚；雙酚A、雙酚F、雙酚S等雙官能酚；或苯酚酚醛清漆、甲酚酚醛清漆等多官能酚等。硬化促進劑可單獨使用一種類，亦可混合使用兩種類以上。

馬來醯亞胺樹脂只要為一分子中具有一個以上（理想為2～12，更理想為2～6，更加理想為2～4，再更理想為2或3，又更理想為2）馬來醯亞胺基之化合物或樹脂，則可使用一般習知的馬來醯亞胺樹脂。可列舉例如：4,4-二苯基甲烷雙馬來醯亞胺、苯基甲烷馬來醯亞胺、間伸苯基雙馬來醯亞胺、2,2-雙(4-(4-馬來醯亞胺苯氧基)-苯基)丙烷、3,3-二甲基-5,5-二乙基-4,4-二苯基甲烷雙馬來醯亞胺、4-甲基-1,3-伸苯基雙馬來醯亞胺、1,6-雙馬來醯亞胺-(2,2,4-三甲基)己烷、4,4-二苯醚雙馬來醯亞胺、4,4-二苯碸雙馬來醯亞胺、1,3-雙(3-馬來醯亞胺苯氧基)苯、1,3-雙(4-馬來醯亞胺苯氧基)苯、聚苯基甲烷馬來醯亞胺、酚醛清漆型馬來醯亞胺、聯苯芳烷基型馬來醯亞胺、及此等馬來醯亞胺化合物的預聚物、或是馬來醯亞胺化合物與胺化合物的預聚物，並無特別限制。此等馬來醯亞胺樹脂可單獨使用一種類，亦可混合使用兩種類以上。

改性聚苯醚從可提升硬化物的介電特性之觀點而言係有用的。改性聚苯醚可列舉例如：聚(2,6-二甲基-1,4-伸苯基)醚、聚(2,6-二甲基-1,4-伸苯基)醚與聚苯乙烯的合金化聚合物、聚(2,6二甲基-1,4-伸苯基)醚與苯乙烯-丁二烯共聚物的合金化聚合物、聚(2,6-二甲基-1,4-伸苯基)醚與苯乙烯-馬來酸酐共聚物的合金化聚合物、聚(3,6-二甲基-1,4-伸苯基)醚與聚醯胺的合金化聚合物、聚(2,6-二甲基-1,4-伸苯基)醚與苯乙烯-丁二烯-丙烯腈共聚物的合金化聚合物、寡聚伸苯基醚等。此外，為了賦予聚苯醚反應性及聚合性，可在聚合物鏈末端導入胺基、環氧基、羧基、苯乙烯基等官能基，或是可在聚合物鏈側鏈導入胺基、環氧基、羧基、苯乙烯基、甲基丙烯基等官能基。

異氰酸酯樹脂無特別限定，例如有藉由使酚類與鹵化氰進行脫鹵化氫反應而獲得之異氰酸酯樹脂。異氰酸酯樹脂可列舉例如：4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯MDI、聚亞甲基聚苯基聚異氰酸酯、甲伸苯基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯。此等異氰酸酯樹脂可單獨使用一種類，亦可混合使用兩種類以上。

苯并環丁烯樹脂只要為含有環丁烯骨架之樹脂，則無特別限定，例如可使用二乙烯基矽氧烷-雙苯并環丁烯（陶氏化學公司製）。此等苯并環丁烯樹脂可單獨使用一種類，亦可混合使用兩種類以上。

乙烯樹脂只要係乙烯基單體的聚合物或共聚物，則無特別限定。乙烯基單體無特別限制，可列舉例如：(甲基)丙烯酸酯衍生物、乙烯基酯衍生物、馬來酸二酯衍生物、(甲基)丙烯醯胺衍生物、苯乙烯衍生物、乙烯基醚衍生物、乙烯基酮衍生物、烯烴衍生物、馬來醯亞胺衍生物、(甲基)丙烯腈。此等乙烯樹脂可單獨使用一種類，亦可混合使用兩種類以上。

被用作絕緣材料之樹脂組成物，考量到介電特性、耐衝擊性及薄膜加工性等，亦可摻合熱可塑性樹脂。熱可塑性樹脂無特別限定，可列舉例如：氟樹脂、聚碳酸酯、聚醚醯亞胺、聚醚醚酮、聚丙烯酸酯、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚丁二烯等。熱可塑性樹脂可單獨使用一種類，亦可混合使用兩種類以上。此外，氟樹脂無特別限定，可列舉例如：聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚偏二氟乙烯、及聚氟乙烯。此等氟樹脂可單獨使用一種類，亦可混合使用兩種類以上。

熱可塑性樹脂中，從耐濕性優異且對金屬之接著劑更加良好之觀點而言，聚醯胺醯亞胺樹脂係有用的。聚醯胺醯亞胺樹脂的原料無特別限定，其酸性成分可列舉偏苯三酸酐、偏苯三酸酐一氯化物；其胺成分可列舉：間苯二胺、對苯二胺、4,4’-二胺基二苯醚、4,4’-二胺基二苯甲烷、雙[4-(胺基苯氧基)苯基]碸、2,2’-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷等。聚醯胺醯亞胺樹脂亦可為矽氧烷改性，以提升乾燥性，此種情形下，可使用矽氧烷二胺作為胺成分。若考量到薄膜加工性，理想係使用分子量在5萬以上的聚醯胺醯亞胺樹脂。

被用作絕緣材料之樹脂組成物中亦可混合填充材。填充材無特別限定，例如可列舉以下無機系填充材（無機填充材）：氧化鋁、白碳、鈦白、氧化鈦、氧化鋅、氧化鎂、氧化鋯等金屬氧化物（含水合物）；氫氧化鋁、水鋁石、氫氧化鎂等金屬氫氧化物；天然二氧化矽、熔融二氧化矽、合成二氧化矽、非晶形二氧化矽、氣相二氧化矽（Aerosil）、中空二氧化矽等二氧化矽類；黏土、髙嶺土、滑石、雲母、玻璃粉、石英粉、火山灰球（shirasu balloon）等，另外還可列舉以下有機系填充材（有機填充材）：苯乙烯型、丁二烯型、丙烯酸型等的橡膠粉；核殼型的橡膠粉；矽樹脂粉、矽橡膠粉、矽複合粉等。此等填充材可單獨使用一種類，亦可混合使用兩種類以上。

被用作絕緣材料之樹脂組成物亦可含有機溶劑。有機溶劑無特別限定，可視需要並用以下溶劑：如苯、甲苯、二甲苯、三甲苯之芳香族烴系溶劑；如丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮之酮系溶劑；如四氫呋喃之醚系溶劑；如異丙醇、丁醇之醇系溶劑；如2-甲氧基乙醇、2-丁氧基乙醇之醚醇溶劑；如N-甲基吡咯酮、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺之醯胺系溶劑等。又，相對於樹脂組成物整體，製作預浸體之情形時清漆中的溶劑量理想為40質量%～80質量%的範圍。此外，前述清漆的黏度理想為20cP～100cP（20mPa･s～100mPa･s）的範圍。

被用作絕緣材料之樹脂組成物亦可含有阻燃劑。阻燃劑無特別限定，例如可使用以下習知慣例的阻燃劑：十溴二苯基醚、四溴雙酚A、四溴鄰苯二甲酸酐、三溴苯酚等溴化合物；磷酸三苯酯、磷酸三(二甲苯)酯、磷酸甲苯二苯酯等磷化合物；紅磷及其改性物；三氧化二銻、五氧化二銻等銻化合物；三聚氰胺、三聚氰酸、三聚氰酸三聚氰胺等三嗪化合物等。

被用作絕緣材料之樹脂組成物中，可進一步視需要加入上述硬化劑、硬化促進劑、或其他如熱可塑性粒子、著色劑、紫外線不透射劑、抗氧化劑、還原劑等各種添加劑及填充材。

本實施型態中之預浸體，例如為使對上述基材之樹脂組成物的附著量以乾燥後的預浸體中樹脂含有率在20質量%以上90質量%以下，而在將樹脂組成物（含清漆）含浸或塗布於基材後，在100℃以上200℃以下的溫度下進行加熱乾燥1分鐘至30分鐘，藉此可獲得呈半硬化狀態（B階段狀態）之預浸體。如此預浸體例如可使用三菱瓦斯化學股份有限公司製的GHPL-830NS（產品名）、GHPL-830NSF（產品名）。

絕緣性的薄膜材料例如可由預浸體中所說明之絕緣材料的樹脂組成物構成，可藉由將此等樹脂組成物加工成薄膜狀來獲得。

（第一金屬層） 第一金屬層12，係與核心樹脂層11一同構成支撐體10A。第一金屬層12，例如可由附載體之金屬箔構成。附載體之金屬箔，例如係在載體12A經由作為剝離機構之剝離層（未圖示）積層金屬箔12B。附載體之金屬箔亦可使用市售品，例如可使用三井金屬礦業股份有限公司製的MT18SD-H-T5（產品名）。第一金屬層12之厚度可視需要來適宜設定，故無特別限定，例如可為0.5μm以上100μm以下。

載體12A，例如可由各種金屬箔構成，但從厚度的均一性及箔的耐蝕性等觀點而言，理想係由銅箔構成。載體12A之厚度，係較金屬箔12B之厚度更厚，例如可為3μm以上100μm以下，理想為5μm以上50μm以下，更加理想為6μm以上30μm以下。

剝離層係用以使載體12A及金屬箔12B可容易地剝離。剝離層的材料無特別限定，可適宜使用各種習知的材料。例如若是有機系材料，則可列舉：含氮之有機化合物、含硫之有機化合物、羧酸等。含氮之有機化合物的例示可列舉三唑化合物、咪唑化合物等，其中，三唑化合物以剝離性易穩定之特點而言較理想。三唑化合物的例示可列舉：1,2,3-苯并三唑、羧基苯并三唑、N‘,N’-雙(苯并三唑基甲基)脲、1H-1,2,4-三唑、及3-胺基-1H-1,2,4-三唑等。含硫之有機化合物的例示可列舉：巰基苯并噻唑、三聚硫氰酸、2-苯并咪唑硫醇等。羧酸的例示可列舉單羧酸、二羧酸等。此外，若是無機系材料，則可列舉由Ni、Mo、Co、Cr、Fe、Ti、W、P、Zn等中至少一種所成之金屬或合金、或是此等氧化物。剝離層之厚度例如可為1nm以上1μm以下，理想為5nm以上500nm以下。

金屬箔12B，例如可由各種金屬箔構成，但從厚度的均一性及箔的耐蝕性等觀點而言，理想係由銅箔構成。金屬箔12B之厚度可視需要來適宜設定，故無特別限定，例如可為0.5μm以上70μm以下，理想為1μm以上50μm以下，更加理想為6μm以上30μm以下。

第一金屬層12可設為使載體12A在核心樹脂層11之側、金屬箔12B在擴散防止層13之側，亦可設為使金屬箔12B在核心樹脂層11之側、載體12A在擴散防止層13之側。又，圖1中係表示使載體12A在核心樹脂層11之側、金屬箔12B在擴散防止層13之側之情形。第一金屬層12中從擴散防止層13側之端面至剝離機構之厚度（圖1所示之例中係金屬箔12B之厚度），理想為6μm以上，若為10μm以上則更理想，若為15μm以上則更加理想。原因在於：在第一金屬層12上形成配線基板20A後，在剝離機構中分離去除核心樹脂層11時，可補強配線基板20A並抑制破損。此外，第一金屬層12中從擴散防止層13側之端面至剝離機構之厚度，理想為70μm以下，若為50μm以下則更理想，若為30μm以下則更加理想。原因在於：若在擴散防止層13之側殘存之第一金屬層12之厚度太厚，要藉由蝕刻去除時較耗時。

此外，第一金屬層12，雖未圖示，亦可由具有作為剝離機構之剝型層之金屬箔構成。此情形下，會積層為剝型層在核心樹脂層11之側。剝型層，可列舉例如至少含有矽化合物之層，例如可藉由在金屬箔上賦予由單獨或複數矽烷化合物組合而成之矽化合物來形成。又，賦予矽化合物之手段無特別限定，例如可使用塗布等習知的手段。可對與金屬箔之剝型層的接著面施予防銹處理（形成防銹處理層）。防銹處理係可使用鎳、錫、鋅、鉻、鉬、鈷中任一種、或者其等合金來進行。剝型層之厚度無特別限定，從去除性及剝離性之觀點而言，理想為5nm以上100nm以下，更加理想為10nm以上80nm以下，尤其理想為20nm以上60nm以下。此外，從厚度的均一性及箔的耐蝕性等觀點而言，金屬箔理想為銅箔。此種情形下，第一金屬層12中從擴散防止層13側之端面至剝離機構之厚度，理想亦為如上所述。

（擴散防止層） 擴散防止層13，係在剝離機構中分離去除核心樹脂層11後，藉由蝕刻去除殘存之第一金屬層12時，作為蝕刻阻擋發揮功能的同時，在第一金屬層12上設有保護鍍層15之情形時，用以抑制第一金屬層12及保護鍍層15之構成元素相互擴散並腐蝕保護鍍層15。擴散防止層13，理想係含有選自鎳、鋁、鐵、鋅、錫、鉛、鉻、鈷、銀、及鈀所成群中至少一種。原因在於：可獲得上述功能。擴散防止層13，例如設為與第一金屬層12相接。擴散防止層13之厚度，例如可為0.5μm以上10μm以下。

（鍍阻劑） 鍍阻劑14，例如設為與擴散防止層13相接、並在對應於在第一金屬層12上形成之配線基板20A的端子位置設有開口。又，配線基板20A的端子位置，例如為將配線基板20A以焊接等方式搭載於電子設備時之外部連接端子的位置。鍍阻劑14，例如含有絕緣性的樹脂材料，並可由乾膜光阻、或核心樹脂層11中所說明之絕緣性的薄膜材料或預浸體等構成。鍍阻劑14，例如可在形成擴散防止層13及保護鍍層15後去除、亦可不去除而在其上形成配線基板20A。原因在於：從附支撐體之配線基板20在剝離機構中分離去除支撐體10A後可作為阻焊層發揮功能。

將鍍阻劑14作為阻焊層使用時，絕緣性的樹脂材料理想為玻璃轉移溫度150℃以上。原因在於：若玻璃轉移溫度低於150℃，有在加工步驟中會發生膨脹，配線基板20A破損之情形。鍍阻劑14中絕緣性的樹脂材料，理想係耐熱性優異之材料，例如含有選自聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂、氰酸酯樹脂、馬來醯亞胺樹脂、雙馬來醯亞胺三嗪樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂之尼龍樹脂、及氟系樹脂所成群中至少一種。其中，理想係含有選自聚醯亞胺樹脂、雙馬來醯亞胺三嗪樹脂、及氟系樹脂所成群中至少一種。

鍍阻劑14之厚度，係視需要適宜設定，例如可為1μm以上100μm以下、理想為1μm以上30μm以下、更理想為1μm以上9μm以下。目的在於：薄化配線基板20A之總厚度。

（保護鍍層） 保護鍍層15，係保護配線基板20A之外部連接端子的表面。保護鍍層15，例如理想係從擴散防止層13之側具有由金所成之鍍金層15A、及由鎳所成之鍍鎳層15B。鍍金層15A之厚度，例如可為0.05μm以上0.1μm以下，鍍鎳層15B之厚度，例如可為0.5μm以上10μm以下。

＜積層體之製造方法＞ 圖2，係表示積層體10之製造方法。首先，例如如圖2（A）所示，準備具有核心樹脂層11、及設於核心樹脂層11之至少一面側且具備剝離機構之第一金屬層12之支撐體10A（支撐體準備步驟）。具體而言，例如在核心樹脂層11之至少一面側配置附載體之金屬箔、或具有剝型層之金屬箔，並加熱及加壓形成支撐體10A。接著，例如如圖2（B）所示，在第一金屬層12之與核心樹脂層11相反側之面，藉由電鍍形成擴散防止層13（擴散防止層形成步驟）。

接著，例如如圖2（C）所示，在擴散防止層13之與第一金屬層12相反側之面，形成鍍阻劑14（鍍阻劑形成步驟）。具體而言，例如在擴散防止層13上層壓乾膜光阻後，藉由對乾膜光阻進行電路圖案之烘烤、顯影形成鍍阻劑14。此外，例如在擴散防止層13上以樹脂層在擴散防止層13之側之方式配置附有樹脂層之附載體之金屬箔，並加熱加壓，剝離載體後，在金屬箔上層壓乾膜光阻、並烘烤、顯影，形成光阻圖案，接著，蝕刻金屬箔形成遮罩並去除光阻圖案，接著，藉由雷射加工等去除樹脂層中未被遮罩覆蓋之部分，藉由去除遮罩形成鍍阻劑14。

然後，例如如圖2（D）所示，在擴散防止層13之與第一金屬層12相反側中未設有鍍阻劑14之區域，藉由電鍍形成保護鍍層15（保護鍍層形成步驟）。具體而言，例如藉由電鍍依序積層鍍金層15A、鍍鎳層15B。

＜附支撐體之配線基板及無芯基板之第一製造方法＞ 積層體10，係可用於製造附支撐體之配線基板20及無芯基板30時。圖3至圖5，係表示附支撐體之配線基板20及無芯基板30之第一製造方法的各步驟。首先，例如以上述之方式形成積層體10（支撐體準備步驟、擴散防止層形成步驟、鍍阻劑形成步驟、及保護鍍層形成步驟）。接著，例如如圖3（A）所示，在保護鍍層15之與擴散防止層13相反側中未設有鍍阻劑14之區域，藉由電鍍、例如電鍍銅形成第一配線導體21（第一配線導體形成步驟）。

接著，例如如圖3（B）所示，在第一配線導體21及鍍阻劑14上，形成第一絕緣層22，在其上形成第二配線導體23，作為具有2層配線導體之附支撐體之配線基板20（第一絕緣層形成步驟及第二配線導體形成步驟）。具體而言，首先，例如在第一配線導體21的表面，為了提高與第一絕緣層22之密著力而施予粗化處理。粗化處理無特別限定，可適宜使用習知手段，可列舉例如使用銅表面粗化液之手段。接著，例如在第一配線導體21及鍍阻劑14上，以樹脂層與第一配線導體21相接之方式配置附有樹脂層之附載體之金屬箔，並加熱加壓，剝離載體，藉此依序積層第一絕緣層22及第二金屬層。附有樹脂層之附載體之金屬箔，例如係在附載體之金屬箔之金屬箔側積層樹脂層，樹脂層成為第一絕緣層22，金屬箔成為第二金屬層。

接著，例如藉由使用二氧化碳雷射等之雷射加工，對第二金屬層及第一絕緣層22進行開孔，從而形成到達第一配線導體21之第一非貫通孔22A，進行除膠渣處理。然後，例如藉由減成法或半加成法等習知的方法形成第二配線導體23。在減成法之情形下，例如首先對已形成第一非貫通孔22A之表面施予無電鍍及電鍍中至少一種，在第一非貫通孔22A的內壁形成將第一配線導體21及第二金屬層連接之第一連接通孔22B的同時，增加第二金屬層之厚度，再視需要進行表面修整。接著，例如層壓乾膜光阻等，貼合負型遮罩，烘烤電路圖案並進行顯影，從而形成蝕刻阻劑。接著，例如以蝕刻阻劑為遮罩，對厚度已增加之第二金屬層進行蝕刻，形成第二配線導體23，再去除蝕刻阻劑。

在半加成法之情形下，例如首先在形成第一非貫通孔22A後，藉由蝕刻等來將第二金屬層全部去除，以使第一絕緣層22露出。接著，例如進行無電鍍，在第一非貫通孔22A的內壁形成第一連接通孔22B的同時，在第一絕緣層22上形成無電鍍層。接著，例如在無電鍍層上熱壓接乾膜並設置光阻層，進行曝光及顯影，從而形成光阻圖案，再去除殘渣（光阻殘渣）。接著，例如以光阻圖案作為鍍阻劑，在無電鍍銅層的表面藉由電鍍形成電鍍層，去除光阻圖案後，對已露出之無電鍍層進行蝕刻，形成由無電鍍層及電鍍層所成之第二配線導體23。

形成第二配線導體23後，例如如圖3（C）所示，亦可重複進行與第一絕緣層形成步驟及第二配線導體形成步驟相同之步驟 n次，從而形成具有(n+2)層的配線導體之增層構造（增層步驟）。又，圖3（C）中，係表示重覆進行與第一絕緣層形成步驟及第二配線導體形成步驟相同之步驟 4次，形成具有6層配線導體之增層構造的附支撐體之配線基板20之情形。具體而言，例如亦可依序進行以下步驟n次，以形成增層構造（增層步驟）：第(m+1)絕緣層形成步驟，在第(m)絕緣層22、24及第(m+1)配線導體23、25上形成第(m+1)絕緣層24；及第(m+2)配線導體形成步驟，在第(m+1)絕緣層24形成到達第(m+1)配線導體23、25之第(m+1)非貫通孔24A，並對形成有第(m+1)非貫通孔24A的表面施予電鍍及無電鍍中至少一種，以形成第(m+2)配線導體25。m及n為1以上的整數，惟m≦n。

形成第一絕緣層22及第二配線導體23後、或在形成第(n+1)絕緣層24及第(n+2)配線導體25後，例如如圖4（D）所示，於此等之上以第二配線導體23或第(n+2)配線導體25部分露出之方式形成阻焊層26（阻焊層形成步驟）。阻焊層26之形成方法無特別限定，可適宜採用習知的手段。

形成阻焊層26後，例如如圖4（E）所示，在從阻焊層26露出之第二配線導體23或第(n+2)配線導體25上藉由電鍍形成保護鍍層27（鍍加工步驟）。具體而言，例如從第二配線導體23或第(n+2)配線導體25之側，依序積層由鎳而成之鍍鎳層27A及由金而成之鍍金層27B。

形成保護鍍層27後，例如如圖5（F）所示，從附支撐體之配線基板20分離去除核心樹脂層11（核心樹脂層分離去除步驟）。核心樹脂層11之分離去除，例如係藉由在第一金屬層12之剝離機構（例如剝離層或剝型層）中剝離來進行。剝離，係可採用物理手段或化學手段中任一手段，惟理想係例如對剝離機構施加物理力並藉由物理手段來進行剝離。藉由此剝離，核心樹脂層11、及視情形之第一金屬層12的一部分被剝離。第一金屬層12的剝離機構的至少一部分，可至少與核心樹脂層11一同被剝離，此外，亦可不被剝離而殘存。

將核心樹脂層11分離去除後，例如如圖5（G）所示，去除殘存之第一金屬層12及擴散防止層13（第一金屬層及擴散防止層去除步驟）。去除第一金屬層12及擴散防止層13之手段無特別限定，例如可使用硫酸系或過氧化氫系蝕刻液來去除。硫酸系或過氧化氫系蝕刻液無特別限定，可使用該技術領域所使用之蝕刻液。此時，因在第一金屬層12與保護鍍層15之間設有擴散防止層13，可將擴散防止層13作為蝕刻阻擋，將殘存之第一金屬層12容易地去除。此外，可抑制第一金屬層12及保護鍍層15之構成元素相互擴散，可形成良好之保護鍍層。藉此獲得無芯基板30。又，此無芯基板30中，鍍阻劑14係作為阻焊層使用。

＜附支撐體之配線基板及無芯基板之第二製造方法＞ 圖6至圖8，係表示附支撐體之配線基板20及無芯基板30之第二製造方法之步驟 。第二製造方法，除了在第一配線導體形成步驟後、第一絕緣層形成步驟及第二配線導體形成步驟前，包含例如藉由阻劑剝離液去除鍍阻劑14之鍍阻劑去除步驟之外，係與第一製造方法相同。即，第二製造方法，例如係依序包含以下步驟：支撐體準備步驟（參照圖2（A））、擴散防止層形成步驟（參照圖2（B））、鍍阻劑形成步驟（參照圖2（C））、保護鍍層形成步驟（參照圖2（D））、第一配線導體形成步驟（參照圖3（A））、鍍阻劑去除步驟（參照圖6（A））、第一絕緣層形成步驟及第二配線導體形成步驟（參照圖6（B））、增層步驟（參照圖6（C））、阻焊層形成步驟（參照圖7（D））、鍍加工步驟（參照圖7（E））、核心樹脂層分離去除步驟（參照圖8（F））、第一金屬層及擴散防止層去除步驟（參照圖8（G））。因此，參照圖式，省略對同一步驟之詳細說明。又，藉由第二製造方法所獲得之無芯基板30中，第一絕緣層22係作為阻焊層使用。

＜附支撐體之配線基板及無芯基板之第三製造方法＞ 圖9及圖10，係表示附支撐體之配線基板20及無芯基板30之第三製造方法之步驟 。第三製造方法，除了在鍍加工步驟後包含積層支撐基板28之支撐基板積層步驟、及在第一金屬層及擴散防止層去除步驟後包含去除支撐基板28之支撐基板去除步驟之外，係與第一製造方法或第二製造方法相同。從支撐體準備步驟至鍍加工步驟係與第一製造方法或第二製造方法相同，故省略詳細說明。又，圖9及圖10中，係表示與第一製造方法同樣不去除鍍阻劑14而使用之情形。

第三製造方法中，進行鍍加工步驟後，例如如圖9（A）所示，在阻焊層26及保護鍍層27上積層具有熱可塑性樹脂層之支撐基板28（支撐基板積層步驟）。支撐基板28，係用以在後續之核心樹脂層分離去除步驟中，至少在分離去除核心樹脂層11時，補強配線基板20A並抑制破損。

支撐基板28，例如除了熱可塑性樹脂層之外亦可具有熱硬化性樹脂層，亦可僅由熱可塑性樹脂層構成。原因在於：相較於熱硬化性樹脂，熱可塑性樹脂的韌性更高，可獲得高強度。熱可塑性樹脂層之材料無特別限定，可列舉例如乾膜光阻。其中，理想係藉由由感光性熱可塑性樹脂所成之感光性樹脂層構成。原因在於：可在配線導體形成步驟中使用。感光性熱可塑性樹脂，可列舉例如使用於圖案化之乾膜光阻。此外，熱可塑性樹脂層，例如可藉由UV剝離性樹脂層或熱剝離性樹脂層構成，理想係構成為具有選自感光性樹脂層、UV剝離性樹脂層、及熱剝離性樹脂層所成群中至少一種。

支撐基板28，例如可在阻焊層26及保護鍍層27上配置薄膜狀或片材狀之支撐基板28，並藉由層壓來將之壓接及積層。此外，當藉由感光性樹脂層構成熱可塑性樹脂層時，作為積層感光性樹脂層之步驟，例如可包含以下步驟：在阻焊層26及保護鍍層27上配置感光性樹脂層並進行層壓後，對感光性樹脂層整面進行曝光並硬化。藉由對感光性樹脂層整面進行曝光、硬化，從而可提升對阻焊層26及保護鍍層27之密著力。當藉由UV剝離性樹脂層或熱剝離性樹脂層構成熱可塑性樹脂層時，作為積層UV剝離性樹脂層或熱剝離性樹脂層之步驟，例如可包含以下步驟：在阻焊層26及保護鍍層27上配置UV剝離性樹脂層或熱剝離性樹脂層，並進行層壓並積層。支撐基板28之厚度，係視需要適宜設定，故無特別限定，例如可為1μm以上，理想為1μm以上50μm以下，更加理想為1μm以上30μm以下。

在支撐基板積層步驟後，例如如圖9（B）所示，以與第一製造方法及第二製造方法同樣之方式，在剝離機構中至少分離去除核心樹脂層11（核心樹脂層分離去除步驟）。在核心樹脂層分離去除步驟後，例如如圖10（C）所示，以與第一製造方法及第二製造方法同樣之方式，去除殘存之第一金屬層12及擴散防止層13（第一金屬層及擴散防止層去除步驟）。

在第一金屬層及擴散防止層去除步驟後，例如如圖10（D）所示，去除支撐基板28，獲得無芯基板30（支撐基板去除步驟）。去除支撐基板28之手段無特別限定，可視支撐基板28之材料來適宜選擇。支撐基板28，例如可藉由氫氧化鈉水溶液等藥液來去除，亦可藉由雷射來去除，亦可藉由電漿處理來去除，例如在UV剝離性樹脂層之情形時可藉由照射紫外線區域的光線來使之剝離並去除，在熱剝離性樹脂層之情形時可藉由加熱處理來使之剝離並去除。

如此根據本實施型態，在核心樹脂層11之至少一面側設有具備剝離機構之第一金屬層12、且第一金屬層12之與核心樹脂層11相反側之面設有擴散防止層13，故在剝離機構中分離去除核心樹脂層11後，藉由蝕刻去除殘存之第一金屬層12時，擴散防止層13可作為蝕刻阻擋使用。因此，可將殘存之第一金屬層12容易地去除。此外，因可抑制第一金屬層12及在其上形成之保護鍍層15之構成元素相互擴散，可形成良好之保護鍍層15。

進一步地，只要將第一金屬層12中從擴散防止層13側之端面至剝離機構之厚度設為6μm以上，在第一金屬層12上形成配線基板20A後，在剝離機構中分離去除核心樹脂層11時，可補強配線基板20A並抑制破損。

[變形例] 第一實施型態中，已對在第一金屬層12之與核心樹脂層11相反側之面設有擴散防止層13、擴散防止層13之與第一金屬層12相反側之面設有鍍阻劑14之情形進行說明，惟例如如圖11所示，亦可在第一金屬層12之與核心樹脂層11相反側之面，與擴散防止層13一同設有鍍阻劑14。即，亦可具有設於核心樹脂層11之至少一面側且具備剝離機構之第一金屬層12、及設於第一金屬層12之與核心樹脂層11相反側之面之擴散防止層13及鍍阻劑14，並進一步地，在擴散防止層13之與第一金屬層12相反側具有保護鍍層15。即，擴散防止層13，係與第一金屬層12相接，並形成於未形成有鍍阻劑14之區域；保護鍍層15，係在未形成有鍍阻劑之區域中，形成於擴散防止層13之與第一金屬層12相反側。

此積層體10，例如係可以以下方式製造：首先，以與第一實施型態同樣之方式，準備支撐體10A後（支撐體準備步驟；參照圖2（A）），如圖12（A）所示，在第一金屬層12之與核心樹脂層11相反側之面，以與第一實施型態同樣之方式形成鍍阻劑14（鍍阻劑形成步驟）。接著，例如如圖12（B）所示，在第一金屬層12之與核心樹脂層11相反側之面上未形成有鍍阻劑14之區域，以與第一實施型態同樣之方式形成擴散防止層13（擴散防止層形成步驟）。接著，例如如圖12（C）所示，在擴散防止層13之與第一金屬層12相反側，以與第一實施型態同樣之方式形成保護鍍層15（保護鍍層形成步驟）。

變形例之積層體10，與第一實施型態同樣地可用於製造附支撐體之配線基板20及無芯基板30，可獲得與第一實施型態同樣之效果。 ［實施例］

以下，將藉由實施例來具體說明本實施型態及變形例，但本實施型態及變形例不受此等實施例任何限制。

［實施例1］ ＜支撐體準備步驟＞（參照圖2（A）） 將使雙馬來醯亞胺三嗪樹脂（BT樹脂）含浸於玻璃布（玻璃纖維）而成B階段之預浸體（厚度0.100mm：三菱瓦斯化學股份有限公司製，產品名：GHPL-830NS ST56）作為核心樹脂層11，將作為第一金屬層12之厚度18μm的附載體銅箔之銅箔（銅箔；厚度5μm：三井金屬礦業股份有限公司製，產品名：MT18SD-H-T5）以載體銅箔側與核心樹脂層11相接之方式配置於核心樹脂層11的兩面，在溫度220±2℃、壓力3±0.2MPa、保持時間60分鐘的條件下實施真空加壓，從而製作在核心樹脂層11的兩面設有第一金屬層12之支撐體10A。載體銅箔為載體12A、銅箔為金屬箔12B。

＜擴散防止層形成步驟＞（參照圖2（B）） 在第一金屬層12之與核心樹脂層11相反側之面，藉由電鍍形成鍍鎳層作為擴散防止層13。擴散防止層13之厚度，係3μm～10μm。

＜鍍阻劑形成步驟＞（參照圖2（C）） 在擴散防止層13之與第一金屬層12相反側之面，在溫度110±10℃、壓力0.50±0.02MPa的條件下，層壓厚度25μm之乾膜光阻RD-1225（昭和電工材料股份有限公司製，製品名）。用平行曝光機對乾膜光阻實施電路圖案之烘烤後，使用1%碳酸鈉水溶液對乾膜光阻進行顯影，從而形成鍍阻劑14。

＜保護鍍層形成步驟＞（參照圖2（D）） 在擴散防止層13之與第一金屬層12相反側中未設有鍍阻劑14之區域，藉由電鍍依序積層鍍金層15A及鍍鎳層15B，形成保護鍍層15。鍍金層15A之厚度，係0.05μm～0.1μm。鍍鎳層15B之厚度，係3μm～10μm。

＜第一配線導體形成步驟＞（參照圖3（A）） 在保護鍍層15之與擴散防止層13相反側中未設有鍍阻劑14之區域，以硫酸銅濃度60g/L～80g/L、硫酸濃度150g/L～200g/L的硫酸銅鍍線施予厚度5μm～15μm的圖案電鍍銅（電鍍銅），從而形成第一配線導體21。

＜鍍阻劑去除步驟＞（參照圖6（A）） 形成第一配線導體21後，使用胺系阻劑剝離液剝離去除鍍阻劑14。

＜第一絕緣層形成步驟及第二配線導體形成步驟＞（參照圖6（B）） 接著，在第一配線導體21的表面，為了提高與第一絕緣層22之密著力，使用銅表面粗化液CZ-8101（美格（MEC）股份有限公司製，製品名）施予粗化處理。接著，在第一配線導體21及擴散防止層13上，以樹脂層與第一配線導體21相接之方式配置附有樹脂層之附載體銅箔之銅箔（銅箔厚度2μm、載體銅箔厚度18μm、樹脂層厚度0.015mm：三菱瓦斯化學股份有限公司製，製品名：CRS381NSI），在壓力3±0.2MPa、溫度220±2℃、保持時間60分鐘的條件下實施真空加壓。之後，剝離載體銅箔，在第一配線導體21上積層第一絕緣層22及厚度2μm之第二金屬層。

然後，從第二金屬層的表面使用二氧化碳雷射加工機ML605GTWIII-5200U（三菱電機股份有限公司製，製品名）照射二氧化碳雷射，對第二金屬層及第一絕緣層22進行開孔，從而形成到達第一配線導體21之第一非貫通孔22A。接著，使用溫度80±5℃、濃度55±10g/L之過錳酸鈉水溶液施予除膠渣處理。接著，以無電鍍銅實施0.4μm～0.8μm厚度的鍍，再進一步以電鍍銅實施5μm～20μm厚度的鍍，在第一非貫通孔22A的內壁形成將第一配線導體21及第二金屬層連接之第一連接通孔22B的同時，增加第二金屬層之厚度並進行表面修整。

然後，在第二金屬層上，在溫度110±10℃、壓力0.50±0.02MPa的條件下層壓乾膜光阻LDF515F（日鑛材料（NIKKO MATERIALS）股份有限公司製，製品名）。之後，貼合負型遮罩，使用平行曝光機烘烤電路圖案，並使用1%碳酸鈉水溶液對乾膜光阻進行顯影，從而形成蝕刻阻劑。接著，對無蝕刻阻劑部分之第二金屬層用氯化銅(II)水溶液進行蝕刻去除之後，使用氫氧化鈉水溶液來將乾膜光阻去除，從而形成第二配線導體23。

＜增層步驟＞（參照圖6（C）） 形成第二配線導體23後，再次重複進行與第一絕緣層形成步驟及第二配線導體形成步驟相同之步驟，形成第二絕緣層24及第三配線導體25，從而形成具有3層配線導體之增層構造之附支撐體之配線基板20。

＜阻焊層形成步驟＞（參照圖7（D）） 形成第二絕緣層24及第三配線導體25後，在其上以第三配線導體25部分露出之方式形成阻焊層26。阻焊層26，係以從第三配線導體25之頂面至阻焊層26之頂面之厚度成為10μm之方式形成。

＜鍍加工步驟＞（參照圖7（E）） 在形成阻焊層26後，在從阻焊層26露出之第三配線導體25上藉由電鍍依序形成鍍鎳層27A及鍍金層27B作為保護鍍層27。鍍鎳層27A之厚度，係3μm～5μm。鍍金層27B之厚度，係0.05μm～0.1μm。藉此，獲得附支撐體之配線基板20。

＜核心樹脂層分離去除步驟、第一金屬層及擴散防止層去除步驟＞（參照圖8（F）（G）） 對所獲得之附支撐體之配線基板20，在第一金屬層12之金屬箔12B與載體12A之邊界部施加物理力，來至少將核心樹脂層11剝離去除。接著，使用氯化銅(II)水溶液去除殘存之第一金屬層12（具體而言，金屬箔12B）及擴散防止層13，從而獲得一組無芯基板30。

實施例1所獲得之無芯基板30中，保護鍍層15之鍍金層15A未觀察到腐蝕，可獲得良好之無芯基板30。

［實施例2］ 擴散防止層13，除了形成鍍錫層以外，進行與實施例1同樣之步驟，獲得一組無芯基板30。實施例2中保護鍍層15之鍍金層15A亦未觀察到腐蝕，可獲得良好之無芯基板30。

［實施例3］ 對實施例1中使用之厚度18μm的附載體銅箔之銅箔（銅箔；厚度5μm：三井金屬礦業股份有限公司製，製品名：MT18SD-H-T5）的銅箔表面進行電鍍，製作厚度增加為10μm之附有載體銅箔之銅箔。使用此附載體銅箔之銅箔，除了第一金屬層12中金屬箔12B之厚度為10μm以外，進行與實施例1同樣之步驟，獲得一組無芯基板30。即，第一金屬層12中從擴散防止層13側之端面至剝離機構之厚度為10μm。實施例3中保護鍍層15之鍍金層15A亦未觀察到腐蝕，可獲得良好之無芯基板30。此外，第一金屬層12中從擴散防止層13側之端面至剝離機構之厚度為6μm以上，故在核心樹脂層分離去除步驟可獲得高生產良率。

［比較例1］ 除了不形成擴散防止層以外，進行與實施例1同樣之步驟，獲得一組無芯基板，惟保護鍍層之鍍金層有觀察到腐蝕。

［比較例2］ 除了不形成擴散防止層，且使用實施例3所製作之附有載體銅箔之銅箔的第一金屬層中金屬箔之厚度為10μm以外，進行與實施例1同樣之步驟，獲得一組無芯基板，惟保護鍍層之鍍金層有觀察到腐蝕。

（特性評價） 藉由以下方法測定實施例1、2、3及比較例1、2之特性。

[保護鍍層之腐蝕性評價] 為了確認藉由擴散防止層13之保護鍍層15的腐蝕抑制效果，觀察所獲得之無芯基板30的保護鍍層15。觀察係使用掃描型電子顯微鏡（日本電子股份有限公司JSM-IT700HR）之元素分析功能，以倍率1,000倍進行。從作為阻焊層發揮功能之第一絕緣層22露出之保護鍍層15的面積設為100%，被源自保護鍍層之元素覆蓋之面積為90%以上為沒有腐蝕、未滿90%為有腐蝕。將所獲得之結果示於表1。

[核心樹脂層分離去除步驟之生產良率評價] 核心樹脂層分離去除步驟中，相對於配線基板總量，計算觀察到破損之數量，並藉由下述算式算出生產良率。將所獲得之結果示於表1。 ［總量―觀察到破損之數量］／總量×100%

［表1］

即，根據本實施例，可知藉由設有擴散防止層13，可抑制保護鍍層的腐蝕，獲得良好之無芯基板30。此外，可知只要將第一金屬層12中從擴散防止層13側之端面至剝離機構之厚度設為6μm以上，可抑制在核心樹脂層分離去除步驟中破損，獲得高生產良率。 ［產業利用性］

本發明係可利用於印刷配線板及半導體元件搭載用封裝基板。

10:積層體 10A:支撐體 11:核心樹脂層 12:第一金屬層 12A:載體 12B:金屬箔 13:擴散防止層 14:鍍阻劑 15:保護鍍層 15A:鍍金層 15B:鍍鎳層 20:附支撐體之配線基板 20A:配線基板 21:第一配線導體 22:第一絕緣層 22A:第一非貫通孔 22B:第一連接通孔 23:第二配線導體 24:第(m+1)絕緣層 24A:第(m+1)非貫通孔 24B:第(m+1)連接通孔 25:第(m+2)配線導體 26:阻焊層 27:保護鍍層 27A:鍍鎳層 27B:鍍金層 28:支撐基板 30:無芯基板

〔圖1〕係表示本發明第一實施型態之積層體的構成之圖。 〔圖2〕係表示圖1所示之積層體之製造方法之步驟之圖。 〔圖3〕係表示使用圖1所示之積層體的附支撐體之配線基板及無芯基板之第一製造方法之步驟 之圖。 〔圖4〕係表示接續圖3之步驟之圖。 〔圖5〕係表示接續圖4之步驟之圖。 〔圖6〕係表示使用圖1所示之積層體的附支撐體之配線基板及無芯基板之第二製造方法之步驟 之圖。 〔圖7〕係表示接續圖6之步驟之圖。 〔圖8〕係表示接續圖7之步驟之圖。 〔圖9〕係表示使用圖1所示之積層體的附支撐體之配線基板及無芯基板之第三製造方法之步驟 之圖。 〔圖10〕係表示接續圖9之步驟之圖。 〔圖11〕係表示本發明變形例之積層體的構成之圖。 〔圖12〕係表示圖11所示之積層體之製造方法之步驟 之圖。

10:積層體

10A:支撐體

11:核心樹脂層

12:第一金屬層

12A:載體

12B:金屬箔

13:擴散防止層

14:鍍阻劑

15:保護鍍層

15A:鍍金層

15B:鍍鎳層

Claims (14)

1. 一種積層體，其係具有： 核心樹脂層、 設於該核心樹脂層之至少一面側且具備剝離機構之第一金屬層、及 設於該第一金屬層之與該核心樹脂層相反側之面之擴散防止層。
2. 如請求項1所述之積層體，其中，在該擴散防止層之與該第一金屬層相反側之面，係具有鍍阻劑。
3. 如請求項2所述之積層體，其中，在該擴散防止層之該第一金屬層之相反側中未設有該鍍阻劑之區域，係具有保護鍍層。
4. 如請求項1所述之積層體，其中，在該第一金屬層之與該核心樹脂層相反側之面，係同時具有該擴散防止層及鍍阻劑。
5. 如請求項4所述之積層體，其中，在該擴散防止層之與該第一金屬層相反側，係具有保護鍍層。
6. 如請求項1所述之積層體，其中，該擴散防止層，係含有選自鎳、鋁、鐵、鋅、錫、鉛、鉻、鈷、銀、及鈀所成群中至少一種。
7. 如請求項1所述之積層體，其中，該第一金屬層中從該擴散防止層側之端面至該剝離機構之厚度，係6μm以上。
8. 一種無芯基板之製造方法，其係包含： 支撐體準備步驟，準備具有核心樹脂層及設於該核心樹脂層之至少一面側且具備剝離機構之第一金屬層之支撐體；及 擴散防止層形成步驟，在該第一金屬層之與該核心樹脂層相反側之面，形成擴散防止層。
9. 如請求項8所述之無芯基板之製造方法，其中，在該擴散防止層形成步驟後，係包含鍍阻劑形成步驟：在該擴散防止層之與該第一金屬層相反側之面，形成鍍阻劑。
10. 如請求項9所述之無芯基板之製造方法，其中，在形成該鍍阻劑後，係包含保護鍍層形成步驟：在該擴散防止層之該第一金屬層之相反側中未設有該鍍阻劑之區域，形成保護鍍層。
11. 如請求項8所述之無芯基板之製造方法，其中，在該擴散防止層形成步驟前，係包含鍍阻劑形成步驟：在該第一金屬層之與該核心樹脂層相反側之面，形成鍍阻劑；且 該擴散防止層，係形成於在該第一金屬層之與該核心樹脂層相反側之面中未形成有鍍阻劑之區域。
12. 如請求項11所述之無芯基板之製造方法，其中，在該擴散防止層形成步驟後，係包含保護鍍層形成步驟：在該擴散防止層之與該第一金屬層相反側，形成保護鍍層。
13. 如請求項8所述之無芯基板之製造方法，其中，該擴散防止層，係含有選自鎳、鋁、鐵、鋅、錫、鉛、鉻、鈷、銀、及鈀所成群中至少一種。
14. 如請求項8所述之無芯基板之製造方法，其中，該第一金屬層中從該擴散防止層側之端面至該剝離機構之厚度，係設為6μm以上。