TW202408694A

TW202408694A - 切削加工薄膜之製造方法及切削加工薄膜

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Publication number: TW202408694A
Application number: TW112123459A
Authority: TW
Inventors: 土屋裕
Original assignee: 日商日東電工股份有限公司
Priority date: 2022-08-05
Filing date: 2023-06-21
Publication date: 2024-03-01

Abstract

本發明課題在於提供一種切削加工薄膜之製造方法，其可製造具備具有優異真直度(直線性)之端面的切削加工薄膜。其解決手段為：本發明實施形態之切削加工薄膜之製造方法，包含藉由正面銑刀對薄膜之端面進行切削加工之步驟；且，進行切削加工之步驟中之正面銑刀的進給速度為800mm/分鐘以下。

Description

切削加工薄膜之製造方法及切削加工薄膜

本發明涉及切削加工薄膜之製造方法及切削加工薄膜。

在製造薄膜時，恐有於薄膜之端面產生毛刺等凹凸。因此，已知藉由端面切削加工裝置之切削加工來謀求提升薄膜端面之平滑性(例如，參照專利文獻1)。近年，對各種產業製品期望提升構件之位置精度，隨之而要求提升在製品中採用之薄膜之外緣形狀的精度。特別是，有時會要求薄膜端面具有優異之直線性(筆直性)，但在提升薄膜端面之直線性上仍殘留有改善的餘地。先前技術文獻專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2018-103276號公報

發明欲解決之課題本發明係為了解決上述以往之課題而成者，其主要目的在於提供一種切削加工薄膜之製造方法，該方法可製造具備具有優異真直度(直線性)之端面的切削加工薄膜。

用以解決課題之手段 [1]本發明實施形態之切削加工薄膜之製造方法，包含藉由正面銑刀對薄膜之端面進行切削加工之步驟；且，該進行切削加工之步驟中之正面銑刀的進給速度為800mm/分鐘以下。 [2]如上述[1]之切削加工薄膜之製造方法，其中上述薄膜係積層薄膜，該積層薄膜包含：第1薄膜；黏著劑層，其係積層於該第1薄膜上；及，第2薄膜，其係透過該黏著劑層貼附於該第1薄膜上；且，上述進行切削加工之步驟中之正面銑刀的進給速度可為400mm/分鐘以上。 [3]如上述[2]之切削加工薄膜之製造方法，其中上述第1薄膜可為偏光件，上述第2薄膜可為相位差層。 [4]如上述[1]至[3]中任一項之切削加工薄膜之製造方法，其中在上述進行切削加工之步驟中，可以使藉由下述真直度測定獲得之端面的真直度成為0.007mm以下之方式對上述端面進行切削加工；真直度測定：藉由電腦數值控制影像測定系統測定10點上述端面之座標，從該10點座標算出近似線，並將近似線與端面在與該近似線正交之方向上之間之間隔的最大值與最小值之差作為真直度。 [5]本發明另一面向之切削加工薄膜，具有藉由正面銑刀進行切削加工獲得之端面，且藉由上述真直度測定獲得之端面的真直度為0.007mm以下。

發明效果根據本發明實施形態，可謀求提升切削加工薄膜端面之真直度(直線性)。

以下，針對本發明實施形態進行說明，惟本發明不受該等實施形態所限。

(用語及符號之定義) 本說明書中之用語及符號之定義如下述。 (1)折射率(nx、ny、nz) 「nx」係面內之折射率成為最大之方向(即，慢軸方向)的折射率，「ny」係在面內與慢軸正交之方向(即，快軸方向)的折射率，「nz」係厚度方向的折射率。 (2)面內相位差(Re) 「Re(λ)」係在23℃下利用波長λnm之光測定之面內相位差。例如，「Re(550)」係在23℃下利用波長550nm之光測定之面內相位差。Re(λ)係在將層(薄膜)之厚度設為d(nm)時，利用式：Re(λ)=(nx-ny)×d求得。 (3)厚度方向之相位差(Rth) 「Rth(λ)」係在23℃下利用波長λnm之光測定之厚度方向的相位差。例如，「Rth(550)」係在23℃下利用波長550nm之光測定之厚度方向的相位差。Rth(λ)係在將層(薄膜)之厚度設為d(nm)時，利用式：Rth(λ)=(nx-nz)×d求得。 (4)Nz係數 Nz係數係利用Nz=Rth/Re求得。 (5)角度在本說明書中提及角度時，該角度包括相對於基準方向往順時針方向及往逆時針方向兩方向。因此，例如「45°」意指±45°。

A.切削加工薄膜之製造方法之概要圖1係本發明一實施形態之切削加工薄膜之製造方法所用之積層薄膜的俯視圖；圖2係圖1之積層薄膜的概略剖面圖。本發明實施形態之切削加工薄膜之製造方法包含有藉由正面銑刀對薄膜100之端面進行切削加工之步驟(切削加工步驟)。在切削加工步驟中，正面銑刀係對薄膜100之端面進行相對移動來對薄膜100之端面進行切削。藉此，製造具有經以正面銑刀進行切削加工之端面(切削加工面)的切削加工薄膜。切削加工步驟中之正面銑刀的進給速度(對薄膜之端面的相對移動速度)為800mm/分鐘以下，宜為750mm/分鐘以下，代表上為200mm/分鐘以上，宜為300mm/分鐘以上，較宜為400mm/分鐘以上。正面銑刀的進給速度若為上述上限以下，便可謀求提升切削加工薄膜之切削加工面的真直度。

真直度係直線性之指標，代表上係藉由下述真直度測定來測定。真直度測定：藉由電腦數值控制影像測定系統測定10點薄膜端面之座標，從其等10點座標算出近似線，並將近似線與薄膜端面在與該近似線正交之方向上之間之間隔的最大值與最小值之差作為真直度。更詳細而言，算出已先測定之10點座標各點與已算出之近似線在與近似線正交之方向上之間之間隔，並將其等間隔中之最大值與最小值之差作為真直度(=最大值-最小值)。電腦數值控制影像測定系統代表上為Nikon公司製之NEXIV(商品名)。切削加工薄膜之切削加工面的真直度代表上為0.0070mm以下，宜為0.0065mm以下，較宜為0.0060mm以下。切削加工面的真直度若為上述上限以下，在各種產業製品(代表上為影像顯示裝置)中採用切削加工薄膜時，可以切削加工面為基準將切削加工薄膜進行定位。因此，可謀求提升切削加工薄膜與其它構件之相對位置精度。切削加工面之真直度的下限代表上為0mm以上，又例如為0.0010mm以上。即，切削加工步驟中，係以使薄膜端面之真直度成為上述上限以下之方式對端面進行切削加工。

B.薄膜之詳細內容在一實施形態中，在切削加工步驟中被切削之薄膜係積層薄膜100，該積層薄膜100包含：第1薄膜11；黏著劑層41，其係積層於第1薄膜11上；及，第2薄膜2，其係透過黏著劑層41貼附於第1薄膜11上。即便為含黏著劑層之積層薄膜之端面藉由正面銑刀進行切削加工之情況下，當正面銑刀的進給速度為上述下限以上時，仍可穩定抑制黏著劑層在切削加工步驟中之缺損(缺膠)。

如圖2所示，一實施形態之積層薄膜100具備有：偏光板1，其包含作為第1薄膜之一例之偏光件11；第1黏著劑層41，其係積層於偏光件11上；第1相位差層2，其係作為第2薄膜之一例且透過第1黏著劑層41貼附於偏光件11上；第2相位差層3，其係透過接著劑層7貼附於第1相位差層2上；及，第2黏著劑層42，其係積層於第2相位差層3上。第2黏著劑層42之表面亦可以可剝離之方式暫時貼附有剝離襯材5。偏光板1之與第1相位差層2相反側之表面亦可貼附有表面保護薄膜6。即，圖式例之積層薄膜100係光學積層體，其依序具備有：表面保護薄膜6；偏光板1；第1黏著劑層41；第1相位差層2；接著劑層7；第2相位差層3；第2黏著劑層42；及，剝離襯材5。積層薄膜100之總厚度例如為10μm以上，宜為50μm以上，例如為200μm以下，宜為150μm以下。

積層薄膜100從薄膜之厚度方向(積層方向)觀看時若具有直線性延伸之端面，便可採用任意適切之形狀。積層薄膜之形狀代表上可舉多邊形，宜可舉四角形。圖1所示之積層薄膜100從薄膜之厚度方向(積層方向)觀看時具有長方形。在圖式例之積層薄膜中，長邊之尺寸代表上為50mm以上且500mm以下，短邊之尺寸代表上為10mm以上且200mm以下。

以下，針對積層薄膜100之構成要素更詳細地進行說明。

B-1.偏光板 B-1-1.偏光件偏光件11可採用任意適切之偏光件。例如，形成偏光件之樹脂薄膜可為單層樹脂薄膜，亦可為兩層以上之積層體。

由單層樹脂薄膜構成之偏光件的具體例可舉：利用碘或二色性染料等二色性物質對聚乙烯醇(PVA)系薄膜、部分縮甲醛化PVA系薄膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化薄膜等親水性高分子薄膜施行了染色處理及延伸處理而獲得之偏光件、PVA之脫水處理物或聚氯乙烯之脫鹽酸處理物等多烯系定向薄膜。因光學特性優異，故宜使用以碘對PVA系薄膜進行染色並進行單軸延伸而獲得之偏光件。

上述利用碘之染色例如係藉由將PVA系薄膜浸漬於碘水溶液來進行。上述單軸延伸之延伸倍率宜為3～7倍。延伸可在染色處理後進行，亦可一邊染色一邊進行。又，亦可在延伸後進行染色。視需要，對PVA系薄膜施行膨潤處理、交聯處理、洗淨處理、乾燥處理等。例如，藉由在染色前將PVA系薄膜浸漬於水中進行水洗，不僅可將PVA系薄膜表面之污垢或抗結塊劑洗淨，還可使PVA系薄膜膨潤而防止染色不均等。

使用積層體獲得之偏光件的具體例可舉使用樹脂基材與積層於該樹脂基材上之PVA系樹脂層(PVA系樹脂薄膜)的積層體、或使用樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材上之PVA系樹脂層的積層體而獲得之偏光件。使用樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材上之PVA系樹脂層的積層體而獲得之偏光件例如可藉由以下方式製作：將PVA系樹脂溶液塗佈於樹脂基材上，使其乾燥而於樹脂基材上形成PVA系樹脂層，從而獲得樹脂基材與PVA系樹脂層的積層體；以及，對該積層體進行延伸及染色而將PVA系樹脂層製成偏光件。在本發明一實施形態中，宜在樹脂基材之單側形成含鹵化物與聚乙烯醇系樹脂的聚乙烯醇系樹脂層。延伸代表上包含使積層體浸漬於硼酸水溶液中進行延伸之步驟。並且，延伸可視需要進一步包含在硼酸水溶液中進行延伸前在高溫(例如95℃以上)下對積層體進行空中延伸之步驟。並且，在本發明一實施形態中，宜將積層體供於乾燥收縮處理，該乾燥收縮處理係一邊往長邊方向輸送一邊進行加熱，使其在寬度方向上收縮2%以上。代表上，本實施形態之製造方法包含依序對積層體施行空中輔助延伸處理、染色處理、水中延伸處理及乾燥收縮處理。藉由導入輔助延伸，即便是在熱塑性樹脂上塗佈PVA時，也可提高PVA之結晶性，而可達成高光學特性。又，藉由同時事先提高PVA之定向性，可防止在之後的染色步驟或延伸步驟中浸漬於水中時PVA之定向性降低或溶解等問題，而可達成高光學特性。並且，在將PVA系樹脂層浸漬於液體中時，與PVA系樹脂層不含鹵化物時相比，可更抑制聚乙烯醇分子之定向紊亂及定向性降低。藉此，可提升經染色處理及水中延伸處理等將積層體浸漬於液體中進行之處理步驟而獲得之偏光件的光學特性。並且，利用乾燥收縮處理使積層體在寬度方向上收縮，藉此可提升光學特性。所得之樹脂基材/偏光件的積層體可直接使用(即，可將樹脂基材作為偏光件之保護層)，亦可從樹脂基材/偏光件的積層體剝離樹脂基材，並於該剝離面積層符合目的之任意適切的保護層來使用。上述偏光件之製造方法的詳細內容例如記載在日本專利特開2012-73580號公報、日本專利第6470455號中。本說明書中係援用該等公報整體記載作為參考。

偏光件之厚度例如為1μm～80μm，宜為1μm～15μm，較宜為1μm～12μm，更宜為3μm～12μm，尤宜為3μm～8μm。偏光件之厚度若在所述範圍內，便可良好地抑制加熱時之捲曲，並可獲得良好之加熱時的外觀耐久性。

偏光件宜在波長380nm～780nm中之任意波長下顯示吸收二色性。偏光件之單體透射率例如為41.5%～46.0%，宜為43.0%～46.0%，較宜為44.5%～46.0%。偏光件之偏光度宜為97.0%以上，較宜為99.0%以上，更宜為99.9%以上。

B-1-2.保護層如圖2所示，除了偏光件11外，偏光板1亦可具備有保護層12。保護層12係設置於偏光件11之至少一面。圖式例之保護層12係對偏光件11配置於與第1相位差層2相反側。代表上，保護層12係透過任意適切之接著劑層(未圖示)貼合於偏光件11上。

保護層係以可作為偏光件之保護層使用之任意適切之薄膜形成。作為該薄膜之主成分之材料的具體例可列舉：聚降𦯉烯系等環烯烴(COP)系、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)系等聚酯系、三醋酸纖維素(TAC)等纖維素系樹脂、聚碳酸酯(PC)系、(甲基)丙烯酸系、聚乙烯醇系、聚醯胺系、聚醯亞胺系、聚醚碸系、聚碸系、聚苯乙烯系、聚烯烴系、乙酸酯系等透明樹脂。又，亦可舉(甲基)丙烯酸系、胺甲酸酯系、(甲基)丙烯酸胺甲酸酯系、環氧系、聚矽氧系等熱硬化型樹脂或紫外線硬化型樹脂等。此外，「(甲基)丙烯酸系樹脂」係指丙烯酸系樹脂及/或甲基丙烯酸系樹脂。另外，例如又還可舉矽氧烷系聚合物等玻璃質系聚合物。又，亦可使用日本專利特開2001-343529號公報(WO01/37007)中記載之聚合物薄膜。關於該薄膜之材料，例如可使用含有於側鏈具有取代或非取代之醯亞胺基之熱塑性樹脂、與於側鏈具有取代或非取代之苯基以及腈基之熱塑性樹脂的樹脂組成物，可舉例如：具有由異丁烯與N-甲基馬來醯亞胺構成之交替共聚物、及丙烯腈-苯乙烯共聚物的樹脂組成物。該聚合物薄膜例如可為上述樹脂組成物之擠製成形物。樹脂薄膜之材料可單獨使用或組合使用。

又，視需要可對保護層12施行硬塗處理、抗反射處理、抗黏處理、防眩處理等表面處理。並且/或者，亦可視需要對保護層12施行改善透過偏光太陽眼鏡進行視辨時之視辨性的處理(代表上為賦予(橢)圓偏光功能之處理、賦予超高相位差之處理)。

保護層之厚度代表上為5mm以下，宜為1mm以下，較宜為1μm～500μm，更宜為5μm～150μm。

B-2.第1相位差層及第2相位差層第1相位差層2係透過第1黏著劑層41貼合於偏光板1(偏光件11)上。第2相位差層3係對第1相位差層2位於與偏光板1相反側，且透過接著劑層7貼合於第1相位差層2上。

第1相位差層2及第2相位差層3各自代表上為液晶化合物之定向固化層。藉由使用液晶化合物，因與非液晶材料相比可格外增大所得相位差層之nx與ny之差，故可格外縮小用以獲得所期望之面內相位差之相位差層的厚度。結果，可實現附相位差層之偏光板顯著之薄型化。本說明書中，「定向固化層」係指液晶化合物在層內於預定方向定向、且其定向狀態被固定的層。此外，「定向固化層」之概念包括如後述使液晶單體硬化而獲得之定向硬化層。代表上，在第1相位差層2及第2相位差層3中，棒狀液晶化合物係以在第1相位差層或第2相位差層之慢軸方向上排列之狀態進行定向(沿面定向)。

液晶化合物可舉例如液晶相為向列相的液晶化合物(向列型液晶)。上述液晶化合物例如可使用液晶聚合物或液晶單體。液晶化合物之液晶性的展現機制可為溶致性與熱致性中之任一種。液晶聚合物及液晶單體可分別單獨使用，亦可組合。

液晶化合物為液晶單體時，該液晶單體宜為聚合性單體及交聯性單體。其原因在於，藉由使液晶單體聚合或交聯(即硬化)，可將液晶單體之定向狀態固定。使液晶單體定向後，例如若使液晶單體彼此聚合或交聯，藉此便可將上述定向狀態固定。在此，係藉由聚合來形成聚合物，藉由交聯來形成三維網絡結構，惟該等為非液晶性。因此，所形成之相位差層不會發生例如液晶性化合物所特有之因溫度變化造成向液晶相、玻璃相、結晶相的轉移。結果，相位差層成為不受溫度變化所影響、穩定性極為優異之相位差層。

液晶單體顯示液晶性之溫度範圍因應其種類而不同。具體而言，該溫度範圍宜為40℃～120℃，更宜為50℃～100℃，最宜為60℃～90℃。

上述液晶單體可採用任意適切之液晶單體。例如，可使用日本專利特表2002-533742(WO00/37585)、EP358208(US5211877)、EP66137(US4388453)、WO93/22397、EP0261712、DE19504224、DE4408171、及GB2280445等中記載之聚合性液晶原化合物。上述聚合性液晶原化合物之具體例可舉例如BASF公司之商品名LC242、Merck公司之商品名E7、Wacker-Chem公司之商品名LC-Sillicon-CC3767。液晶單體例如宜為向列性液晶單體。

液晶定向固化層可藉由下述方式而形成：對預定之基材表面施行定向處理，並在該表面塗敷含液晶化合物之塗敷液使該液晶化合物於與上述定向處理對應之方向定向後，將該定向狀態固定。在一實施形態中，基材係任意適切之樹脂薄膜，而形成於該基材上之液晶定向固化層(第1相位差層2)可隔著第1黏著劑層41轉印至偏光板1之表面。同樣地，形成於基材上之液晶定向固化層(第2相位差層3)可隔著接著劑層7轉印至第1相位差層2之表面。

上述定向處理可採用任意適切之定向處理。具體而言，可舉機械定向處理、物理定向處理、化學定向處理。機械定向處理之具體例可舉摩擦處理、延伸處理。物理定向處理之具體例可舉磁場定向處理、電場定向處理。化學定向處理之具體例可舉斜向蒸鍍法、光定向處理。各種定向處理之處理條件可按目的採用任意適切之條件。

液晶化合物之定向係藉由因應液晶化合物之種類在顯示液晶相之溫度下進行處理來進行。藉由進行上述溫度處理，液晶化合物會採液晶狀態，而該液晶化合物會因應基材表面之定向處理方向定向。

在一實施形態中，定向狀態之固定係藉由對如上述方式定向之液晶化合物進行冷卻來進行。當液晶化合物為聚合性單體或交聯性單體時，定向狀態之固定係藉由對如上述方式定向之液晶化合物施行聚合處理或交聯處理來進行。

液晶化合物之具體例及定向固化層之形成方法的詳細內容記載於日本專利特開2006-163343號公報中。本說明書中係援用該公報之記載作為參考。

代表上，第1相位差層及第2相位差層各自之折射率特性顯示nx＞ny=nz之關係。此外，「ny=nz」不僅是ny與nz完全相等之情況，還包括實質上相等之情況。因此，在不損及本發明效果之範圍內，可有ny＞nz或ny＜nz之情況。

代表上，第1相位差層2或第2相位差層3中之任一者可作為λ/2板發揮功能，另一者可作為λ/4板發揮功能。在此，對第1相位差層2可作為λ/2板發揮功能、第2相位差層3可作為λ/4板發揮功能之情況進行說明，惟該等亦可相反。在第1相位差層2可作為λ/2板發揮功能、第2相位差層3可作為λ/4板發揮功能之情況下，第1相位差層2之面內相位差Re(550)宜為200nm～300nm，較宜為230nm～290nm，更宜為250nm～280nm。第1相位差層2之慢軸與偏光件11之吸收軸形成的角度宜為10°～20°，較宜為12°～18°，更宜為約15°。第2相位差層3之面內相位差Re(550)宜為100nm～190nm，較宜為110nm～170nm，更宜為130nm～160nm。第2相位差層3之慢軸與偏光件11之吸收軸形成的角度宜為70°～80°，較宜為72°～78°，更宜為約75°。若為所述構成，便可獲得接近理想之逆波長分散特性的特性，結果可實現非常優異之抗反射特性。

第1相位差層2之厚度可以可獲得λ/2板所期望之面內相位差之方式進行調整，例如可為1.5μm～2.5μm。第2相位差層3之厚度可以可獲得λ/4板所期望之面內相位差之方式進行調整，例如可為0.5μm～1.5μm。第1相位差層及第2相位差層各自之Nz係數宜為0.9～1.5，較宜為0.9～1.3。藉由滿足所述關係，在將所得之切削加工薄膜用於影像顯示裝置時，可達成非常優異之反射色相。

第1相位差層及第2相位差層分別可顯示相位差值隨測定光之波長而增大的逆分散波長特性，可顯示相位差值隨測定光之波長而縮小的正波長分散特性，亦可顯示相位差值幾乎不隨測定光之波長而變化的平坦波長分散特性。

B-3.接著劑層接著劑層7係將第1相位差層2與第2相位差層3貼合。構成接著劑層之接著劑可採用任意適切之接著劑。接著劑代表上可舉活性能量線硬化型接著劑。活性能量線硬化型接著劑可舉例如：紫外線硬化型接著劑、電子束硬化型接著劑。又，由硬化機制的觀點來看，活性能量線硬化型接著劑可舉例如自由基硬化型、陽離子硬化型、陰離子硬化型、自由基硬化型與陽離子硬化型之混合型。代表上，可使用自由基硬化型之紫外線硬化型接著劑。這是因為廣用性優異、及容易調整特性(構成)。接著劑層(接著劑硬化後)之厚度代表上為0.1μm～3.0μm。接著劑之詳細內容例如記載於日本專利特開2018-017996號公報中。本說明書中係援用該公報之記載作為參考。

B-4.黏著劑層第1黏著劑層41係位於偏光件11與第1相位差層2之間，並將其等貼合。第2黏著劑層42係設置於第2相位差層3之與第1相位差層2相反側之表面。

第1黏著劑層41及第2黏著劑層42各自在25℃下之儲存彈性模數宜為1.0×10 ⁴Pa～1.0×10 ⁶Pa，較宜為1.0×10 ⁴Pa～2.0×10 ⁵Pa。黏著劑層之儲存彈性模數若在所述範圍內，在切削加工步驟中，可穩定抑制黏著劑層發生缺損。

第1黏著劑層41及第2黏著劑層42分別係由黏著劑構成。黏著劑可採用任意適切之構成。構成黏著劑層之黏著劑的具體例可舉：丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、聚酯系黏著劑、胺甲酸酯系黏著劑、環氧系黏著劑、及聚醚系黏著劑。藉由調整形成黏著劑之基底樹脂之單體的種類、數量、組合及摻混比、以及交聯劑之摻混量、反應溫度、反應時間等，可調製具有符合目的之所期望之特性的黏著劑。黏著劑之基底樹脂可單獨使用，亦可組合兩種以上來使用。由透明性、加工性及耐久性等的觀點來看，宜為丙烯酸系黏著劑(丙烯酸系黏著劑組成物)。代表上，丙烯酸系黏著劑組成物包含(甲基)丙烯酸系聚合物作為主成分。(甲基)丙烯酸系聚合物在黏著劑組成物之固體成分中例如可以50質量%以上、宜以70質量%以上、較宜以90質量%以上之比率含有於黏著劑組成物中。(甲基)丙烯酸系聚合物其作為單體單元係含有(甲基)丙烯酸烷基酯作為主成分。此外，(甲基)丙烯酸酯係指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯。(甲基)丙烯酸烷基酯在形成(甲基)丙烯酸系聚合物之單體成分中宜可以80質量%以上、較宜以90質量%以上之比率含有。(甲基)丙烯酸烷基酯之烷基可舉例如具有1個～18個碳原子之直鏈狀或支鏈狀烷基。該烷基之平均碳數宜為3個～9個，較宜為3個～6個。理想之(甲基)丙烯酸烷基酯係丙烯酸丁酯。構成(甲基)丙烯酸系聚合物之單體(共聚單體)除了(甲基)丙烯酸烷基酯外，可舉含羧基單體、含羥基單體、含醯胺基單體、含芳香環(甲基)丙烯酸酯、含雜環乙烯系單體等。共聚單體之代表例可舉丙烯酸、丙烯酸4-羥丁酯、丙烯酸苯氧乙酯、N-乙烯基-2-吡咯啶酮。丙烯酸系黏著劑組成物宜可含有矽烷耦合劑及/或交聯劑。矽烷耦合劑可舉例如含環氧基矽烷耦合劑。交聯劑可舉例如異氰酸酯系交聯劑、過氧化物系交聯劑。並且，丙烯酸系黏著劑組成物亦可含有抗氧化劑及/或導電劑。黏著劑層或丙烯酸系黏著劑組成物之詳細內容例如記載於日本專利特開2006-183022號公報、日本專利特開2015-199942號公報、日本專利特開2018-053114號公報、日本專利特開2016-190996號公報、國際公開第2018/008712號中，本說明書中係援用該等公報之記載作為參考。

第1黏著劑層41之厚度例如為3μm～30μm，宜為5μm～20μm。第2黏著劑層42之厚度例如為5μm～40μm，宜為10μm～20μm。

B-5.表面保護薄膜在圖式例中，表面保護薄膜6係貼附於偏光板1之保護層12上。表面保護薄膜6代表上具備有基材61與黏著劑層62。基材61之材料可舉例如與構成保護層12之樹脂相同的樹脂。黏著劑層62係將表面保護薄膜6之基材61貼附於保護層12上。黏著劑層62係與上述黏著劑層41、42同樣方式進行說明。

B-6.剝離襯材剝離襯材5係暫時貼附於第2黏著劑層42之表面。剝離襯材5係以可作為剝離襯材使用之任意適切之樹脂薄膜來形成。作為該樹脂薄膜之主成分之材料的具體例可舉聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯。樹脂薄膜之材料可單獨使用或組合使用。亦可在剝離襯材5之與第2黏著劑層42之接觸面設置有脫模處理層。形成脫模處理層之脫模處理劑可舉例如：聚矽氧系脫模處理劑、氟系脫模處理劑、長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑。脫模處理劑可單獨使用或組合使用。

剝離襯材5之厚度例如為5μm～60μm，宜為20μm～45μm。此外，在施行有脫模處理層之情況下，剝離襯材之厚度係包含脫模處理層之厚度在內的厚度。

C.切削加工步驟之詳細內容在一實施形態中，在切削加工步驟中，係藉由正面銑刀對上述積層薄膜100之端面進行切削加工。所述切削加工步驟可藉由任意適切之端面切削加工裝置來實施。端面切削加工裝置可舉例如日本專利特開2018-103276號公報中記載之端面切削加工裝置。本說明書中係援用該公報之整體記載作為參考。

在切削加工步驟中，係使正面銑刀以上述進給速度對積層薄膜100之端面進行相對移動。可以積層薄膜100固定於端面切削加工裝置之狀態使正面銑刀移動，亦可以正面銑刀固定之狀態使積層薄膜100移動。代表上，正面銑刀係以上述進給速度在固定於端面切削加工裝置之狀態的薄膜100之周圍往一方向(宜為俯視時往順時針方向或往逆時針方向)移動，對積層薄膜100之端面整體進行切削。

在切削加工步驟中，正面銑刀係以朝與積層薄膜100之積層方向正交之方向延伸之軸線為中心進行旋轉。正面銑刀之旋轉速度代表上為3000rpm～6000rpm，宜為4000rpm～5000rpm。正面銑刀之刃數無特別限制，例如為1片～5片，宜為2片～4片。正面銑刀之斜角(徑向斜角)代表上為5°～35°，宜為10°～30°。正面銑刀之安裝角(軸向斜角)代表上為0°～20°，宜為5°～15°。正面銑刀之餘隙角代表上為1°～20°，宜為1°～10°。

若在上述條件下實施切削加工步驟，便可穩定提升經切削加工之端面(切削加工面)的真直度。藉此，可製造切削加工薄膜(切削加工積層薄膜)。切削加工薄膜(切削加工積層薄膜)所具備之切削加工面中之至少一面具有上述範圍的真直度。在圖式例之長方形切削加工薄膜(切削加工積層薄膜)中，以短邊側之切削加工面具有上述範圍的真直度為佳。長邊側之切削加工面的真直度可在上述範圍內，亦可在上述範圍外。又，切削加工面可具有由正面銑刀形成之切削痕跡。切削痕跡可往與薄膜之厚度方向相交之方向(代表上為圓弧狀)延伸。

D.影像顯示裝置上述A項至C項中記載之切削加工薄膜(代表上為切削加工積層薄膜)可應用於影像顯示裝置。因此，包含切削加工薄膜之影像顯示裝置也包括在本發明實施形態中。代表上，影像顯示裝置包含：影像顯示單元、與透過黏著劑層貼合於影像顯示單元之切削加工薄膜。切削加工薄膜之端面(特別是短邊側之切削加工面)的真直度優異，故可以切削加工薄膜之端面(特別是短邊側之切削加工面)為基準而貼附於影像顯示單元。因此，可謀求提升影像顯示單元與切削加工薄膜之相對位置精度。代表上，在切削加工薄膜為切削加工積層薄膜之情況下，切削加工積層薄膜在從第2黏著劑層剝離剝離襯材後，係藉由第2黏著劑層貼附於影像顯示單元。又，表面保護薄膜可在使用切削加工積層薄膜前剝離，亦可在貼在偏光板之表面之狀態下直接使用。影像顯示裝置之代表例可舉液晶顯示裝置、電致發光(EL)顯示裝置(例如，有機EL顯示裝置、無機EL顯示裝置)。

實施例以下，藉由實施例具體地說明本發明，惟本發明不受該等實施例所限。各特性之測定方法如下。此外，只要沒有特別標明，則實施例及比較例中之「份」及「%」為質量基準。 (1)厚度 10μm以下之厚度係使用干涉膜厚計(大塚電子公司製，製品名「MCPD-3000」)測定。大於10μm之厚度係使用數位測微計(Anritsu公司製，製品名「KC-351C」)測定。 (2)真直度對實施例及比較例之切削加工薄膜(光學積層體)中之20個試樣各自如下述方式算出真直度。藉由電腦數值控制影像測定系統(Nikon公司製，製品名「NEXIV」)對切削加工薄膜之短邊側之端面的座標測定10點，並從10點座標算出近似線。接著，將近似線與端面(具體上為已先測定之10點各點)在與該近似線正交之方向(長邊方向)上之間之間隔的最大值與最小值之差作為真直度。又，將各實施例(或比較例1)中之20個試樣的真直度供於利用Smirnov-Grubbs檢驗進行之排除檢驗，將真直度成為離群值(p＜0.05)之數據排除，算出真直度的平均值。實施例1及實施例2係算出去除成為離群值之2個試樣後之18個試樣的平均值。實施例3及實施例4係算出去除成為離群值之1個試樣後之19個試樣的平均值。比較例1因沒有離群值，故算出20個試樣的平均值。將其結果列示於表1。 (3)表面保護薄膜之浮起(SPV浮起) 藉由光學顯微鏡從表面保護薄膜側對實施例及比較例之切削加工薄膜(光學積層體)進行觀測，測定表面保護薄膜浮起的長度。〇(優)：SPV之浮起為50μm以下。 △(可)：SPV之浮起超過50μm。 (4)黏著劑層之缺損(缺膠) 藉由光學顯微鏡在將表面保護薄膜剝離後之狀態下觀察實施例及比較例之切削加工薄膜(光學積層體)，測定黏著劑層缺損的長度。〇(優)：缺膠為70μm以下。 △(可)：缺膠超過70μm。

[調製例1] 1.偏光板之製作使用長條狀且Tg約75℃之非晶質間苯二甲酸共聚聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(厚度：100μm)作為熱塑性樹脂基材，對樹脂基材之單面施行電暈處理。在以9：1混合有聚乙烯醇(聚合度4200，皂化度99.2莫耳%)及乙醯乙醯基改質PVA(日本合成化學工業公司製，製品名「GOHSEFIMER」)之PVA系樹脂100質量份中添加碘化鉀13質量份，並將所得者溶於水中而調製出PVA水溶液(塗佈液)。於樹脂基材之電暈處理面塗佈上述PVA水溶液並在60℃下進行乾燥，藉此形成厚度13μm之PVA系樹脂層而製作出積層體。將所得積層體在130℃之烘箱內往縱向(長邊方向)進行單軸延伸至2.4倍(空中輔助延伸處理)。接著，使積層體浸漬於液溫40℃之不溶解浴(相對於水100質量份，摻混4質量份之硼酸而獲得之硼酸水溶液)中30秒鐘(不溶解處理)。接著，於液溫30℃之染色浴(相對於水100質量份，以1:7之重量比摻混碘與碘化鉀而獲得之碘水溶液)中一邊調整濃度一邊使其浸漬60秒鐘，以使最後所得之偏光件的單體透射率(Ts)成為所期望之值(染色處理)。接著，使其浸漬於液溫40℃之交聯浴(相對於水100質量份，摻混3質量份之碘化鉀、並摻混5質量份之硼酸而獲得之硼酸水溶液)中30秒鐘(交聯處理)。之後，一邊使積層體浸漬於液溫70℃之硼酸水溶液(硼酸濃度4重量%，碘化鉀濃度為5重量%)中，一邊在周速不同之輥件間往縱向(長邊方向)進行單軸延伸以使總延伸倍率達5.5倍(水中延伸處理)。之後，使積層體浸漬於液溫20℃之洗淨浴(相對於水100質量份，摻混4質量份之碘化鉀而獲得之水溶液)中(洗淨處理)。之後，一邊在保持約90℃之烘箱中進行乾燥，一邊使其接觸表面溫度保持約75℃之SUS製加熱輥(乾燥收縮處理)。依上述方式，於樹脂基材上形成厚度約5μm之偏光件，而獲得具有樹脂基材/偏光件之構成的積層體。於所得積層體之偏光件表面(與樹脂基材相反側之面)貼合HC-TAC薄膜(厚度20μm)作為保護層。接著，將樹脂基材剝離，而獲得具有保護層/偏光件/之構成的偏光板。

2.第1相位差層及第2相位差層之製作將顯示向列型液晶相之聚合性液晶(BASF公司製：商品名「Paliocolor LC242」，以下述式表示)10g與對該聚合性液晶化合物之光聚合引發劑(BASF公司製：商品名「Irgacure907」)3g溶解於甲苯40g中，調製出液晶組成物(塗敷液)。 [化學式1] 使用摩擦布摩擦聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜(厚度38μm)表面，施行定向處理。定向處理之方向係設為在貼合於偏光板時，從視辨側觀察時對偏光件之吸收軸方向呈15°方向。利用棒塗機將上述液晶塗敷液塗敷於該定向處理表面，並在90℃下加熱乾燥2分鐘，藉此使液晶化合物定向。使用金屬鹵素燈對依上述方式形成之液晶層照射1mJ/cm ²之光，使該液晶層硬化，藉此於PET薄膜上形成液晶定向固化層A。液晶定向固化層A之厚度為2μm，面內相位差Re(550)為270nm。並且，液晶定向固化層A具有nx＞ny=nz之折射率分布。將液晶定向固化層A作為第1相位差層使用。變更塗敷厚度，以及，將定向處理方向設為從視辨側觀察時對偏光件之吸收軸方向呈75°方向，除此之外以與上述相同方式於PET薄膜上形成液晶定向固化層B。液晶定向固化層B之厚度為1μm，面內相位差Re(550)為140nm。並且，液晶定向固化層B具有nx＞ny=nz之折射率分布。將液晶定向固化層B作為第2相位差層使用。

3.積層體薄膜之製作依序將於上述2.所得之液晶定向固化層A(第1相位差層)及液晶定向固化層B(第2相位差層)轉印至上述1.所得之偏光板的偏光件表面。此時，以偏光件之吸收軸與定向固化層A之慢軸形成的角度為15°、偏光件之吸收軸與定向固化層B之慢軸形成的角度為75°之方式進行轉印(貼合)。此外，液晶定向固化層A(第1相位差層)係透過丙烯酸系黏著劑層(厚度5μm，在25℃下之儲存彈性模數1.4×10 ⁵Pa，第1黏著劑層)轉印(貼合)至偏光件。液晶定向固化層B(第2相位差層)係透過紫外線硬化型接著劑層(厚度1.0μm，接著劑層)轉印(貼合)至液晶定向固化層A。又，於液晶定向固化層B(第2相位差層)之表面配置丙烯酸系黏著劑層(厚度20μm，在25℃下之儲存彈性模數1.4×10 ⁵Pa，第2黏著劑層)。之後，於該丙烯酸系黏著劑層(第2黏著劑層)之表面貼附剝離襯材(設置有剝離處理層之聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜)。最後，將具備基材(聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂薄膜)、與積層於基材之丙烯酸系黏著劑層的表面保護薄膜貼附於偏光板之保護層上。藉由以上操作，獲得具有表面保護薄膜/偏光板/第1黏著劑層/第1相位差層/接著劑層/第2相位差層/第2黏著劑層/剝離襯材之構成的積層薄膜。積層薄膜從積層方向觀看時具有長方形。積層薄膜之長邊尺寸為200mm，積層薄膜之短邊尺寸為100mm。

[實施例1～4及比較例1] 將調製例1中獲得之積層薄膜設置於端面切削加工裝置。詳細而言，兩個保持部係以0.17MPa之鉗夾壓力將積層薄膜在厚度方向上夾持並保持。接著，以下述切削條件藉由正面銑刀對積層薄膜之端面進行切削加工。切削加工中，正面銑刀係以表1所示進給速度對積層薄膜之端面進行相對移動。藉此，獲得切削加工薄膜(光學積層體)。此外，在各進給速度下，準備20個試樣(切削加工薄膜)。＜切削條件＞刃數：3片斜角/安裝角/餘隙角：20°/10°/6° 旋轉速度：4500rpm 最大切削量：0.8+0.2mm(2次加工)

[表1]

[評估] 從表1明顯可知，根據本發明之實施例，藉由將正面銑刀之進給速度設為800mm/分鐘以下，可提升端面之真直度。且可知，若將正面銑刀之進給速度設為400mm/分鐘以上，則可抑制表面保護薄膜之浮起及黏著劑層之缺損。

產業上之可利用性本發明切削加工薄膜之製造方法可製造用於各種產業製品之切削加工薄膜、特別是切削加工積層薄膜。切削加工積層薄膜可適宜使用於液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置及無機EL顯示裝置等顯示裝置。

1:偏光板 11:第1薄膜(偏光件) 12:保護層 2:第2薄膜(第1相位差層) 3:第2相位差層 41:(第1)黏著劑層 42:第2黏著劑層 5:剝離襯材 6:表面保護薄膜 61:基材 62:黏著劑層 7:接著劑層 100:積層薄膜

圖1係本發明一實施形態之切削加工薄膜之製造方法所用之積層薄膜的俯視圖。圖2係圖1之積層薄膜的概略剖面圖。

100:積層薄膜

Claims

一種切削加工薄膜之製造方法，包含藉由正面銑刀對薄膜之端面進行切削加工之步驟；且前述進行切削加工之步驟中之前述正面銑刀的進給速度為800mm/分鐘以下。
如請求項1之切削加工薄膜之製造方法，其中前述薄膜係積層薄膜，該積層薄膜包含：第1薄膜；黏著劑層，其係積層於前述第1薄膜上；及，第2薄膜，其係透過前述黏著劑層貼附於前述第1薄膜上；且前述進行切削加工之步驟中之前述正面銑刀的進給速度為400mm/分鐘以上。
如請求項2之切削加工薄膜之製造方法，其中前述第1薄膜為偏光件，前述第2薄膜為相位差層。
如請求項1之切削加工薄膜之製造方法，其中在前述進行切削加工之步驟中，係以使藉由下述真直度測定獲得之前述端面的真直度成為0.007mm以下之方式對前述端面進行切削加工；真直度測定：藉由電腦數值控制影像測定系統測定10點前述端面之座標，從前述10點座標算出近似線，並將前述近似線與前述端面在與前述近似線正交之方向上之間之間隔的最大值與最小值之差作為真直度。
一種切削加工薄膜，具有藉由正面銑刀進行切削加工獲得之端面，且藉由下述真直度測定獲得之前述端面的真直度為0.007mm以下；真直度測定：藉由電腦數值控制影像測定系統測定10點前述端面之座標，從前述10點座標算出近似線，並將前述近似線與前述端面在與前述近似線正交之方向上之間之間隔的最大值與最小值之差作為真直度。