TW202405579A - 極紫外光源之視埠總成 - Google Patents

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格雷戈里 泰瑞奥
克里斯多福 劉
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Abstract

一種總成，其包括：一窗，其適用於光學接取一極紫外(EUV)光源容器之一內部，該窗具有一透射帶；及一保護器，其經組態以使該窗與該EUV光源容器之該內部屏蔽，該保護器包含一片材，該片材具有橫越一間隙面向該窗之一表面，該片材具有在10至2000 W/(m∙K)之範圍內之一熱導率。該片材可為一藍寶石片材，且可在面向該窗之該表面上具有一光學塗層，該塗層反射在該透射帶之外的至少一些輻射，且該片材之相對側可為裸藍寶石。

Description

極紫外光源之視埠總成
所揭示主題係關於一種用於極紫外(EUV)光源之視埠總成。
極紫外(「EUV」)光，例如具有約50奈米(nm)或更小之波長的電磁輻射(有時亦被稱作軟x射線)且包括約13 nm之波長的光，可用於光微影製程中以在基板(例如，矽晶圓)上產生極小特徵。
用以產生EUV光之方法包括但未必限於將具有在EUV範圍內之元素發射譜線之材料轉換成電漿狀態。合適材料包括例如氙、鋰及錫。在常常被稱為雷射產生電漿「LPP」或雷射誘發分解(LIB)之一種此類方法中，可藉由運用可被稱作驅動雷射之經放大光束來輻照例如呈材料之小滴、串流或叢集之形式的目標材料而產生所需電漿。對於此製程，在例如真空腔室之密封容器中產生電漿，且使用各種類型之度量衡設備來監測電漿。
在一個通用態樣中，一種總成包括：一窗，其經組態以允許光學接取一極紫外(EUV)光源容器之一內部，該窗具有經組態以面向該EUV光源容器之外部的一面向外部之表面及與該面向外部之表面相對的一面向內部之表面，該窗進一步具有涵蓋該窗可透射之輻射之波長的一透射帶；及一保護器，其經組態以使該窗與該EUV光源容器之該內部屏蔽，該保護器包含一片材，該片材具有一面向窗之表面及與該面向窗之表面相對的一面向內部之表面，該面向窗之表面橫越一間隙面向該窗之該面向內部之表面，該片材包含具有在10至2000 W/(m∙K)範圍內之一熱導率的一材料。
實施方案可包括以下特徵中之一或多者：該材料之該熱導率可在20至50 W/(m∙K)之範圍內。該透射帶可涵蓋或經定義為該窗可透射至少90%之輻射之波長的一波長帶。該保護器可包括該片材之該面向窗之表面上的一塗層，其中該塗層反射波長長於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射。舉例而言，該塗層可反射50%或更多，或甚至70%或更多的波長長於由該透射帶涵蓋之該等波長且高達8000 nm的輻射。該塗層可反射至少一些或甚至50%或更多的波長短於由該透射帶涵蓋之該等波長的低至150 nm的輻射。該塗層可反射50%或更多的波長在150至845 nm範圍內及在1090至8000 nm範圍內的輻射。
實施方案亦可包括以下特徵中之一或多者：(該片材之)該材料可透射可見光及近紅外光中之一或多者。該窗可經組態以耐受其面向內部之表面與其面向外部之表面之間的一壓力差，甚至耐受由於其面向內部之表面處之低壓及/或真空所引起的其面向內部之表面與其面向外部之表面之間的一壓力差，該壓力差在該窗之兩個表面之間為至少100 kPa。該片材之該面向窗之表面可相對於該窗之該面向內部之表面成角度。該片材可包括藍寶石或由藍寶石形成。該窗可包括一玻璃或由一玻璃形成。該玻璃可包括或可為硼矽酸鹽玻璃。該硼矽酸鹽玻璃可包括或可為肖特(Schott)N-BK7。該保護器可包括該片材之該面向窗之表面上的一塗層，其中該塗層反射波長長於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射。該塗層可反射波長短於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射。
實施方案亦可包括以下特徵中之一或多者：該片材之該面向內部之表面可為裸藍寶石。該窗可包括藍寶石或可由藍寶石形成。該片材可具有在2.2至3.2 mm之範圍內的一厚度。該片材亦可具有在2.39至2.59 mm範圍內的一厚度。該窗可具有在4.0至6.5 mm範圍內的一厚度。該窗亦可具有在5.9至6.1 mm範圍內的一厚度。該總成可安裝於經由一極紫外(EUV)光源之一真空腔室之一壁界定的一開口中，且該真空腔室可處於真空下。
在另一通用態樣中，一種用於一極紫外(EUV)光源容器之度量衡設備包括：一偵測模組，其經組態以偵測自該EUV光源容器內傳播之光；及/或一照亮模組，其經組態以將光提供至該EUV光源容器中；及一總成，其沿著該所偵測光或該所提供光的一光束路徑配置，該總成包括：(1)一窗，其經組態以允許光學接取該EUV光源容器之一內部，該窗具有經組態以面向該EUV光源容器之外部的一面向外部之表面及與該面向外部之表面相對的一面向內部之表面，該窗進一步具有涵蓋該窗可透射之輻射之波長的一透射帶；及 (2)一保護器，其經組態以使該窗與該EUV光源容器之該內部屏蔽，該保護器包括一片材，該片材具有一面向窗之表面及與該面向窗之表面相對的一面向內部之表面，該面向窗之表面橫越一間隙面向該窗之該面向內部之表面，該片材包括具有在10至2000 W/(m∙K)範圍內之一熱導率的一材料或由該材料形成。
實施方案可包括以下特徵中之一或多者：該偵測模組可包括或可為一目標偵測模組。該偵測模組可包括或可為一目標成像模組。該照亮模組可包括或可為經組態以探測在該EUV光源容器內朝向一照明區行進之一目標的一照明模組。該照亮模組可為經組態以探測該EUV光源容器內之一目標的一目標背光模組。該度量衡設備可包括該片材之該面向窗之表面上的一光學塗層，其中該光學塗層反射波長長於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射。該光學塗層可反射波長短於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射。該片材可包括藍寶石或可由藍寶石形成。該窗可包括玻璃或由玻璃形成。
在另一通用態樣中，一種極紫外(EUV)光源可包括：(1)一真空腔室，其包含一真空腔室壁，該壁界定至該腔室之一內部之一開口；(2)一窗，其耦接至該腔室，該窗經定位以便封閉該開口，該窗具有面向該腔室之該內部的一面向內部及與該面向內部之表面相對的一面向外部之表面，該窗進一步具有涵蓋該窗可透射之輻射之波長的一透射帶；及(3)一保護器，其經定位以使該窗與該腔室之該內部屏蔽，該保護器包含一片材，該片材具有一面向窗之表面及與該面向窗之表面相對的一面向內部之表面，該面向窗之表面橫越一間隙面向該窗之該面向內部之表面，該片材包含具有在10至2000 W/(m∙K)範圍內之一熱導率的一材料。
實施方案可包括以下特徵中之一或多者：一光學塗層可在該片材之該面向窗之表面上，且該光學塗層可反射波長長於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射。該光學塗層亦可反射波長短於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射。該片材可包括藍寶石或由藍寶石形成。該窗可包括玻璃或由玻璃形成。該窗可包括藍寶石或由藍寶石形成。該真空腔室可處於真空下。
以下隨附圖式及實施方式中闡述一或多個實施之細節。其他特徵將自實施方式及圖式及自申請專利範圍而顯而易見。
揭示一種用於減少或最小化極紫外(EUV)光源之視埠總成之熱透鏡化的總成。
參看圖1A及圖1B，展示EUV光源之實施100。視埠總成155 (圖1B)為相對於由容器160之壁161界定之開口164定位的觀測機構。視埠總成155包括窗180，容器160之內部170可經由該窗被檢視或光111可在容器160之外部171與內部170處的組件或系統之間行進。容器160可為經密封(且處於真空下)且具有環境受控內部170之腔室。視埠總成155可整合於展示為穿過容器160之壁161中之一者的元件或模組162、163、165中之任一者內。下文提供關於元件162、163、165之細節。
在EUV光源100之操作期間，用作窗180之材料的材料(諸如玻璃)可由由視埠總成155吸收之入射光111加熱，亦即，在容器160之外部171與內部170之間行進的光，或自容器160之內部170行進至外部171的光。舉例而言，窗材料可藉由吸收自容器160內部透射之光111來加熱。大多數光學材料之折射率依據溫度而變化。因此，窗材料之加熱可導致窗180經歷稱為熱透鏡化之不利效應，其係依據由窗透射之光波前中之溫度而改變。波前之可能改變包括：(1)在窗材料之溫度增加橫越表面係均勻的情況下的均一相移；(2)在橫越窗材料之表面產生均一熱梯度的情況下非均一、平滑變化之相移，其導致光功率增加；及(3)在跨越窗表面產生非均一熱梯度的情況下之不規則相移，其導致額外光功率及添加光學像差的組合。
保護器181可用以屏蔽窗180免受來自容器160內部之光111及容器160中之其他條件的影響，諸如來自化學及/或物理損壞及/或來自光衰減材料之沈積的影響。保護器181之材料亦可經受熱透鏡化，且隨著光衰減材料可沈積於保護器181上，此類熱透鏡化可隨著時間推移而增加。
EUV光源100操作以藉由將具有在EUV範圍內之發射譜線之目標材料(諸如，錫)轉換成「電漿狀態」或轉換成「電漿」106而產生EUV光146。在一種實例技術中，藉由在容器160之內部170中用經放大光束110輻照由目標材料製成之目標114 (在圖1A中清楚地展示)，而將目標材料轉換成電漿狀態。轉換成電漿狀態106會釋放目標114之材料之發射光譜中的輻射。除了所要EUV光146以外，發射光譜亦可包括深紫外(DUV)光、可見光、近紅外(NIR)光及中波長紅外(MWIR)光。具有在此等範圍內之波長的光可作為「入射」光朝向視埠總成155傳播並到達視埠總成155 (定位於壁161中)。另外，經放大光束110與目標材料114之間的相互作用可散射及反射經放大光束110。散射及反射放大光束中之一些亦可作為入射光到達視埠總成155。
一或多個視埠總成155可由各種度量衡及/或照亮模組(諸如，圖1A中所示之模組162、163及165)使用以添加光至容器160之內部170中及/或感測或偵測來自容器160之內部170的光以達成量測、偵測、製程監測及控制及其類似者之目的。熱透鏡化，或藉由熱效應對視埠總成155內之組件之光學屬性進行更改，可使透射至視埠總成155中或透射通過視埠總成155的光111及/或通過視埠總成155收集之影像或光失真。因為通過視埠總成發射之光及通過視埠總成接收之光用於系統診斷及系統控制，諸如用於操控目標114之串流，所以自光形成之失真光及/或失真影像可降低EUV光源100之效能且降低所產生之EUV光146的量或品質。
視埠總成155經組態以防止或減少熱透鏡化之效應。在本發明之一個態樣中，視埠總成155包括窗180，其經組態以允許光學接取EUV光源容器160之內部170。窗180具有面向外部之表面182及面向內部之表面184，以及涵蓋窗180可透射之輻射波長的透射帶。在一實施中，透射帶可被定義為窗180可透射90%或更多輻射之波長帶。視埠總成155進一步包括一保護器181，該保護器經組態以使窗180與EUV光源容器160之內部170屏蔽。保護器181包括具有面向窗之表面183及面向內部之表面185的片材186。面向窗之表面183橫越間隙187面向窗180之面向內部之表面184，且片材186包括具有相對較高熱導率的材料，亦即在10至2000 W/(m∙K)範圍內、在30至2000 W/(m∙K)範圍內或在30至50 W/(m∙K)範圍內之熱導率的材料。保護器材料之高熱導率藉由橫越保護器181之表面快速耗散熱梯度從而減少保護器181中之熱透鏡化效應。在一個實施中，保護器181包括片材186之面向窗之表面183上的塗層189。塗層189反射具有比窗180之透射帶涵蓋之波長更長的波長之至少一些輻射，諸如藉由反射具有比窗180之透射帶涵蓋之波長更長的波長之反射輻射的至少50%的入射強度。反射輻射減少了窗180上之熱負荷，熱負荷將另外由塗層189反射之輻射之至少部分吸收而產生，因此減少或消除了窗180處之熱透鏡化效應。在EUV源100之操作期間，視埠總成155中之熱透鏡化可藉由在用於操作控制之各種度量衡及/或照亮模組162、163、165之操作中引起光學干擾而降低源操作之效率。藉由減少熱透鏡化之效應，視埠總成155亦可允許EUV光源100產生更多EUV光146，諸如藉由以較高速率運行電漿轉換製程，同時亦減少由於將以其他方式發生之熱效應增加而發生系統故障或效能降級的機會。
EUV光源100之組件的描述最初在提供視埠總成155之更詳細描述之前進行描述。
如圖1A中所示，EUV光源100藉由運用經放大光束110輻照目標位置105處之目標114而產生EUV光146，該經放大光束沿著朝向目標位置105之光束路徑行進。亦被稱作輻照部位之目標位置105係在容器160之內部170內，該容器可為真空腔室160。圖1A展示目標114在頁面之平面中的路徑。然而，目標114之路徑可相對於頁面之平面以任何角度進入或離開頁面之平面。因此，舉例而言，目標114之路徑可諸如在包括經放大光束110之路徑且垂直於頁面之平面的平面中行進進入或離開頁面。當經放大光束110照在目標位置105中之目標114上時，目標114內之目標材料轉換成具有在EUV範圍內之發射譜線之元素的電漿狀態106。所產生電漿106具有取決於目標114內之目標材料之組成的某些特性。此等特性可包括由電漿106產生之EUV光之波長，以及自電漿106釋放之碎屑之類型及量。
EUV光源100亦包括目標材料遞送系統125，該目標材料遞送系統遞送、控制及引導目標114，其中每一目標114呈液滴、液體串流、固體粒子或叢集、液滴內所含有之固體粒子或液體串流內所含有之固體粒子之形式。EUV光源100進一步包括經定位以接收未使用的目標及/或使用過目標之一些剩餘部分的目標捕獲器126。目標114中之每一者包括目標材料，諸如(例如)水、錫、鋰、氙，或在經轉換成電漿狀態時具有在EUV範圍內之發射譜線的任何材料。舉例而言，元素錫可用作純錫(Sn)；用作錫化合物，例如SnBr 4、SnBr 2、SnH 4；用作錫合金，例如錫-鎵合金、錫-銦合金、錫-銦-鎵合金或此等合金之任何組合。一或多個目標114亦可包括諸如非目標粒子之雜質。因此，在不存在雜質之情形下，一或多個目標114係僅由目標材料構成。一或多個目標114係由目標材料遞送系統125遞送至容器160之內部170中且遞送至目標位置105。
EUV光源100包括驅動雷射系統115，該驅動雷射系統歸因於雷射系統115之一或多種增益介質內之居量反轉而產生經放大光束110。驅動雷射系統115包括光束遞送系統，該光束遞送系統包括光束輸送系統及聚焦總成122。光束輸送系統及聚焦總成122視需要轉向及修改經放大光束110且將經放大光束110聚焦至目標位置105。術語「經放大光束」涵蓋以下各者中之一或多者：來自雷射系統115之僅僅經放大但未必為相干雷射振盪的光，及來自雷射系統115之經放大且亦為相干雷射振盪的光。
雷射系統115中之光學放大器可包括包括CO 2之填充氣體作為增益介質，且可以大於或等於1000之增益放大處於約9100與約11000奈米(nm)之間且尤其處於約10600 nm的波長的光。用於雷射系統115中之合適放大器及雷射可包括脈衝式雷射裝置，例如運用在相對高功率(例如，10 kW或更高)及高脈衝重複率(例如，50 kHz或更大)下操作的DC或RF激發產生處於約9300 nm或約10600 nm之輻射的脈衝式氣體放電CO 2雷射裝置。雷射系統115中之光學放大器亦可包括在較高功率下操作雷射系統115時可使用的冷卻系統，諸如水。
EUV光源100包括收集器鏡面135，該收集器鏡面具有孔徑140以允許經放大光束110穿過且到達目標位置105。收集器鏡面135可為例如具有處於目標位置105之主焦點及處於中間位置145之次級焦點(亦被稱為中間焦點)之橢球形鏡面，其中EUV光146可自EUV光源100輸出且可經輸入至例如積體電路微影工具(圖1A中未繪示)。EUV光源100亦可包括開端式中空錐體149 (例如，氣體錐體)，該開端式中空錐體自收集器鏡面135朝向目標位置105漸狹以減少進入聚焦總成122之電漿產生之碎屑的量，同時允許經放大光束110到達目標位置105。出於此目的，可將氣流提供於錐體149中，該氣流經導向目標位置105。
EUV光源100可包括一或多個目標偵測及感測模組162及一或多個光源163，該一或多個光源用以提供照明以供目標偵測及感測模組162使用。目標偵測及感測模組162可提供指示目標114例如相對於目標位置105之位置及速度之輸出，以允許控制目標材料遞送系統125、驅動雷射系統115及聚焦總成122中之一或多者之操作，以調整經放大光束110之脈衝之時序及光束焦斑之位置及/或焦度，從而致使經放大光束110之經聚焦脈衝在目標位置105處與一或多個目標114會合以用於產生EUV光146。
另外，EUV光源100可包括一或多個光源偵測器165，該一或多個光源偵測器量測一或多個EUV光參數，包括但不限於脈衝能量、依據波長而變化的能量分佈、特定波長帶內之能量、特定波長帶之外之能量，及EUV強度之角度分佈及/或平均功率。來自光源偵測器165之資訊可用於例如控制及最佳化參數，諸如經放大光束110之脈衝之時序及焦點，以在適當地點及時間(在目標位置105內)恰當地截取目標114以用於有效及高效地產生EUV光146。
因此，概言之，EUV光源100產生經放大光束110，該經放大光束作為脈衝串沿著光束路徑經引導以輻照目標位置105處之目標114，從而將目標114內之目標材料轉換成發射在EUV範圍內之光(EUV光146)之電漿106。經放大光束110在基於驅動雷射系統115之設計及屬性而判定之特定波長(其亦被稱作源波長)下操作。
圖2A展示實例容器260 (其可為真空腔室260)之壁261的側視圖。容器260可類似於上文關於圖1A所論述之容器160。在使用期間，容器260經密封以使得容器260之內部空間270維持為受控環境，諸如真空。
容器260之內部270及/或其中之物件係運用度量衡設備250來照明、監測及/或觀測。度量衡設備250可採取光源或偵測設備之形式，諸如例如以下各者中之任一者：(1)一或多個光源偵測器165；(2)目標偵測及感測模組162；或(3)圖1A之一或多個光源163。度量衡設備250包括閥總成252、視埠總成255 (其為視埠總成155之實施)及度量衡或照明模組258。度量衡設備250安裝於開口264中，該開口穿過真空腔室260之壁261以形成自真空腔室260之外部271至內部270的通路。在使用期間，閥總成252與視埠總成255耦接在一起且與度量衡或照明模組258對準以允許度量衡或照明模組258在內部270中觀測或照明。閥總成252包括閘閥253，該閘閥在閉合時(圖2B)允許視埠總成255待自閥總成252移除以供替換、調整或清潔而不干擾內部270中之真空。
圖3展示呈視埠總成355之形式的圖2之視埠總成255之實施的圖解橫截面。視埠總成355包括經組態以允許光學接取(圖1A、圖1B、圖2A、圖2B之)極紫外(EUV)光源容器160之內部170的窗380。窗380具有經組態以面向EUV光源容器160之外部371的面向外部之表面382及與面向外部之表面382相對的面向內部之表面384。窗380具有涵蓋該窗380可透射之輻射波長的透射帶(下文關於圖4A所論述)。
視埠總成355進一步包括一保護器381，該保護器經組態以使窗380與EUV光源容器160之內部370屏蔽。保護器381包括片材386，該片材具有面向窗之表面383及與面向窗之表面383相對的面向內部之表面385。面向窗之表面383橫越間隙387面向窗380之面向內部之表面384。片材386係由具有在10至2000瓦特/(公尺∙克耳文) (W/(m∙K))或在20至50 W/(m∙K)之範圍內之熱導率的材料製成。如所展示，片材386之面向窗之表面383可相對於窗380之面向內部之表面384成角度，或可非垂直於視埠總成355之光軸OA，以減少或避免背向反射。
將高熱導率材料用於片材386會減少片材386中之熱透鏡化，且因此減少保護器381中之熱透鏡化。具有高熱導率及良好光學透射率之材料尤其包括藍寶石及金剛石。當前市售金剛石片材傾向於散射具有接近1000 nm之波長的光，且用於EUV光源100內之照明及/或感測的一些光之波長可處於或接近1000 nm。出於此原因，藍寶石可為此等EUV光源中之片材386中之較佳材料。
在實施中，窗380可藉由諸如O形環391a、391b之密封件密封在套管390之半部390a、390b之間。藉由O形環391a、391b或其他適當密封件，窗380經組態以耐受其面向內部之表面384與其面向外部之表面382之間的壓力差。舉例而言，窗380可經組態以耐受由於在其面向內部之表面處之低壓及/或真空所引起的其面向內部之表面384與其面向外部之表面382之間的至少100千帕斯卡(kPa)之壓力差。
窗380可由諸如硼矽酸鹽玻璃之玻璃製成或包括該玻璃。舉例而言，硼矽酸鹽玻璃可為肖特N BK7。
圖4A為透射曲線464之曲線圖401，其展示對於具有10 mm厚度之未經塗佈片材對於肖特N BK7或等效玻璃作為橫軸上以奈米(nm)為單位之波長之函數的豎軸上之透射輻射百分比。如透射曲線464中可見，玻璃可透射90%或更多的波長為約375 nm至約1800 nm之輻射。圖4A中所展示的(窗180、380之)透射帶402因此自約375 nm延伸至約1800 nm，該透射帶經定義為窗可透射90%或更多輻射之波長帶。
圖4B為用於10 mm未經塗佈片材之光學藍寶石之透射曲線465的曲線圖403，藍寶石為適用作保護器381之片材386的材料中之一種。該透射曲線465被展示為作為以奈米(nm)為單位之波長之函數的透射輻射之百分比。圖4A之玻璃透射曲線464及(窗180、380之)相關聯之透射帶402亦展示於圖4B中以用於比較。如自透射曲線464與465之比較可見，藍寶石相比於玻璃透射更寬的波長範圍。儘管保護器381之片材386由於其高熱導率而抵抗熱透鏡化，但若窗380由玻璃製成，則窗380不具有高熱導率，因此需要限制由窗380吸收之能量。
因此，在實施中，保護器381進一步包括在片材386之面向窗之表面383上的塗層389。塗層389反射具有比窗380之透射帶涵蓋之波長更長的波長之至少一些輻射。如圖4A及圖4B中可見，此實施之玻璃材料之透射率在約1800 nm下約90%減小至在約2750 nm及高於2750 nm處基本上為零。然而，如圖4B中所展示，藍寶石在2750 nm及甚至更長波長下仍具有相對較高透射率。因此，當窗由玻璃製成時，為了防止或減少窗380中之熱透鏡化，反射波長長於約1800 nm的至少一些輻射係重要的。舉例而言，塗層389可反射50%或更多，或甚至70%或更多的波長長於由窗380之透射帶涵蓋之波長且高達8000奈米(nm)的輻射。
在額外態樣中，塗層389亦可反射波長短於由透射帶涵蓋之波長的至少一些輻射。舉例而言，塗層可反射50%或更多的波長短於由透射帶涵蓋之波長的低至150 nm的輻射。
可能認為較佳的是具有定位於片材386之面向內部之表面385上而非定位於面向窗之表面383上的塗層389，此係由於塗層389可接著潛在地反射可由片材386至少部分吸收的一些輻射。但保護器381面臨真空腔室360之內部370中的熱、物理及化學上具有挑戰性的環境。舉例而言，氫氣流可用於真空腔室160 (360)中以冷卻內表面及/或保護腔室160 (360)之壁161 (361)之內表面免於目標材料之沈積。氣流中之氫氣可藉由在真空腔室160 (360)內部釋放之能量而變得活化或離子化，且此類經活化或離子化之氫氣可損壞面向真空腔室160 (360)之內部170 (370)的一些材料及/或表面。為了在EUV光源100之操作期間保護塗層389免受存在於腔室160 (360)之內部170 (370)上的環境影響，根據一個態樣，塗層389定位於片材386之面向窗之表面383上。面向內部之表面385可為裸藍寶石，其在EUV光源100之操作期間對真空腔室160 (360)之內部170 (370)中的環境具有良好化學、物理及耐熱性。
根據另一態樣，片材386之材料透射可見及近紅外光中之一或多者，及/或塗層389亦透射可見及近紅外光中之一或多者。舉例而言，片材386及塗層389透射具有用於真空腔室160 (360)內之照明及/或觀測之波長的光，諸如具有在圖4A及圖4B中所指示之「度量衡帶」466內之波長的光。度量衡帶466可例如自約800 nm延伸至約1000 nm。
在另一態樣中，片材386薄於窗380，厚度係沿著片材386及窗380之表面的法線量測。使片材386之厚度相對較小會減少由片材386吸收之輻射的量，從而藉由減少可用於產生熱梯度之所吸收能量來減少片材386之熱透鏡化。在具有給定熱梯度之片材或其他元件中之熱透鏡化效應通常與該元件中之厚度或光學路徑長度成比例，因此使片材386之厚度相對較小，且所得光學路徑長度相對較短亦出於此原因而減少熱透鏡化效應。使窗380之厚度相對大於片材386之厚度會允許窗380提供上文所提及之抗壓性。舉例而言，片材386可具有可在2.2至3.2毫米(mm)、2.2至2.8 mm或2.39至2.59 mm範圍內之厚度。與此對比，窗380可具有可在4.0至6.5 mm、5.5至6.5 mm或5.9至6.1 mm範圍內之厚度。
參考圖5A，在另一態樣中，供用於極紫外(EUV)光源(諸如EUV光源100)中之度量衡設備550包括經組態以偵測自EUV光源容器560內傳播之光的偵測模組558，及/或經組態以將光提供至EUV光源容器560中之照亮模組558。度量衡設備550亦包括沿著所偵測之光或所提供光之光束路徑配置的視埠總成555。參考圖3，視埠總成555經設計成類似於視埠總成355且因此包括經組態以允許光學接取EUV光源容器560之內部570的窗380。類似於視埠總成355，窗380具有經組態以面向EUV光源容器560之外部571的面向外部之表面382及與面向外部之表面382相對的面向內部之表面384。窗380進一步具有涵蓋該窗可透射之輻射之波長的透射帶。視埠總成555進一步包括一保護器381，該保護器經組態以使窗380與EUV光源容器560之內部570屏蔽。保護器381包括片材386，該片材具有面向窗之表面383及與面向窗之表面相對的面向內部之表面385。面向窗之表面383橫越間隙387面向窗380之面向內部之表面384。片材386由具有在10至2000 W/(m∙K)範圍內之熱導率的材料製成。在此態樣中，如圖5A中所示，當度量衡模組558自閥總成552拆卸時，視埠總成555保持與度量衡模組558附接或整合。如上文所提及，在移除視埠總成555及度量衡模組558a之前，閥總成552中之閘閥553可閉合以便保留容器560之內部570中的真空或低壓環境。
在各種實施中，度量衡設備550之度量衡模組558可充當目標偵測模組，或目標成像模組，或經組態以探測在EUV光源容器560內行進之目標的照明模組，或經組態以探測EUV光源容器560內之目標的目標背光模組。
在圖5B中所表示之另一態樣中，視埠總成555可自身劃分成含窗結構555a及含保護器結構555b，且該兩個結構555a及555b可分離，其中當度量衡模組自閥總成552被拆卸時，含保護器結構與閥總成552保持在一起且含窗結構與度量衡模組558保持在一起。
在參考圖1A、圖1B及圖3之另一態樣中，EUV光源100包括真空腔室160、360，該真空腔室包括真空腔室壁161、361，該壁界定至腔室之內部370中的開口364。窗380耦接至腔室360且經定位以便封閉開口364。窗380具有面向腔室360之內部370的面向內部之表面384及與面向內部之表面384相對的面向外部之表面382。窗380進一步具有涵蓋窗380可透射之輻射之波長的透射帶，諸如(例如)，高於90%的圖4A之透射曲線之部分。EUV光源100進一步包括一保護器381，該保護器經定位以使窗380與真空腔室360之內部370屏蔽。保護器381包括片材386，該片材具有面向窗之表面383及與面向窗之表面383相對的面向內部之表面385。面向窗之表面383橫越間隙387面向窗380之面向內部之表面384。片材386由具有在10至2000 W/(m∙K)範圍內之熱導率的材料製成。
在其他態樣中，片材386之面向窗之表面383在其上有一光學塗層389，且該光學塗層389反射波長長於由窗380之透射帶涵蓋之波長的至少一些輻射。該光學塗層389亦可反射波長短於由透射帶涵蓋之波長的至少一些輻射。片材386可包括藍寶石或由藍寶石製成。窗380可包括玻璃或由玻璃製成。
在另一態樣中，視需要，窗380可(亦)可包括藍寶石或由藍寶石製成。
圖6為展示EUV光源600之圖式，該EUV光源可為具有本文中所揭示之EUV光源容器160、260、360、560中之任一者的EUV光源。EUV光源600與EUV微影曝光設備690一起定位。微影曝光設備690接收由EUV光源600產生之EUV光646，且在一或多個照明鏡面672中反射EUV光以便照明反射圖案或倍縮光罩673。自圖案或倍縮光罩673反射之EUV光進一步由一或多個降低鏡面674反射且降低，且輻照於基板或晶圓675上(或基板或晶圓675上之一或多個感光性層上)以允許在基板或晶圓675上形成經圖案化結構。
為了檢閱且指出所揭示視埠總成155、355、555之一些優點，片材186、386之材料的高熱導率減少片材186、386之熱透鏡化。若在窗中使用藍寶石，則窗180、380之高熱導率減少窗之熱透鏡化。替代地或另外，即使玻璃用於窗中，片材186、386上之光學塗層189、389亦藉由反射否則將至少部分地由窗吸收之至少一些輻射來防止或減少窗180、380之熱透鏡化。
將光學塗層189、389定位於片材186、386之面向窗之表面383上在EUV光源100之操作期間保護光學塗層免受存在於真空腔室160、360之內部170、370中的一些化學、物理及熱效應影響。
將片材186、386保持相對較薄，從而減少由片材186、386吸收之輻射的量，從而進一步減小任何熱透鏡化效應。窗180、380可相對較厚，從而允許足夠強度以抵抗真空腔室160、360之內部170、370與外部之間的壓差。
在保護器181、381與窗180、380之間具有間隙187、387幫助使窗180、380與保護器181、381熱絕緣。在一些態樣中，且參考圖3，保護器381並未密封於套管390中，此允許間隙387具有類似於或等於在使用期間真空腔室360之內部370的真空(或極低壓)，從而促成窗380與保護器381之熱隔離，且允許片材386較薄，此係由於其無需耐受壓差。
可使用以下條項進一步描述實施例： 1.  一種總成，其包含： 一窗，其經組態以允許光學接取一極紫外(EUV)光源容器之一內部，該窗具有經組態以面向該EUV光源容器之外部的一面向外部之表面及與該面向外部之表面相對的一面向內部之表面，該窗進一步具有涵蓋該窗可透射之輻射之波長的一透射帶；及 一保護器，其經組態以使該窗與該EUV光源容器之該內部屏蔽，該保護器包含一片材，該片材具有一面向窗之表面及與該面向窗之表面相對的一面向內部之表面，該面向窗之表面橫越一間隙面向該窗之該面向內部之表面，該片材包含具有在10至2000 W/(m∙K)範圍內之一熱導率的一材料。 2.  如條項1之總成，其中該材料之該熱導率係在20至50 W/(m∙K)之範圍內。 3. 如條項1之總成，其中該透射帶為包含該窗可透射至少90%之輻射之波長的一波長帶。 4.  如條項1之總成，其中該保護器進一步包含該片材之該面向窗之表面上的一塗層，其中該塗層反射波長長於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射。 5.  如條項1之總成，其中該保護器進一步包含該片材之該面向窗之表面上的一塗層，且該塗層反射50%或更多的波長長於由該透射帶涵蓋之該等波長且高達8000 nm的輻射。 6.  如條項1之總成，其中該保護器進一步包含該片材之該面向窗之表面上的一塗層，且該塗層反射70%或更多的波長長於由該透射帶涵蓋之該等波長且高達8000 nm的輻射。 7.  如條項1之總成，其中該保護器進一步包含該片材之該面向窗之表面上的一塗層，且該塗層反射50%或更多的波長長於由該透射帶涵蓋之該等波長且高達8000 nm的輻射，且反射50%或更多的波長短於由該透射帶涵蓋之該等波長的低至150 nm的輻射。 8.  如條項1之總成，其中該保護器進一步包含該片材之該面向窗之表面上的一塗層，其中該塗層反射波長長於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射且該塗層進一步反射波長短於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射。 9.  如條項1之總成，其中該保護器進一步包含該片材之該面向窗之表面上的一塗層，其中該塗層反射波長長於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射且該塗層反射50%或更多的波長在150至845 nm範圍內及在1090至8000 nm範圍內的輻射。 10.  如條項1之總成，其中該材料透射可見光及近紅外光中之一或多者。 11.  如條項1之總成，其中該窗經組態以耐受其面向內部之表面與其面向外部之表面之間的一壓力差。 12.  如條項1之總成，其中該窗經組態以耐受由於其面向內部之表面處之低壓及/或真空所引起的其面向內部之表面與其面向外部之表面之間的一壓力差，該壓力差在該窗之兩個表面之間為至少100 kPa。 13.  如條項1之總成，其中該片材之該面向窗之表面相對於該窗之該面向內部之表面成角度。 14.  如條項1之總成，其中該片材包含藍寶石。 15.  如條項1之總成，其中該片材包含藍寶石且該窗包含一玻璃。 16.  如條項1之總成，其中該片材包含藍寶石且該玻璃包含一硼矽酸鹽玻璃。 17.  如條項1之總成，其中該片材包含藍寶石且其中該窗包含肖特N-BK7硼矽酸鹽玻璃。 18.  如條項1之總成，其中該片材包含藍寶石且該窗包含肖特N-BK7硼矽酸鹽玻璃，且該保護器進一步包含在該片材之該面向窗之表面上的一塗層，其中該塗層反射波長長於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射。 19.  如條項1之總成，其中該片材包含藍寶石且該窗包含肖特N-BK7硼矽酸鹽玻璃，該保護器進一步包含該片材之該面向窗之表面上的一塗層，該塗層反射波長長於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射，且該塗層進一步反射波長短於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射。 20.  如條項1之總成，其中該片材包含藍寶石且該窗包含肖特N-BK7硼矽酸鹽玻璃，該保護器進一步包含該片材之該面向窗之表面上的一塗層，該塗層反射波長長於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射，且其中該片材之該面向內部之表面為裸藍寶石。 21.  如條項1之總成，其中該片材包含藍寶石且該窗包含藍寶石。 22.  如條項1之總成，其中該片材具有在2.2至3.2 mm範圍內之一厚度。 23.  如條項1之總成，其中該片材具有在2.39至2.59 mm範圍內之一厚度。 24.  如條項1之總成，其中該窗具有在4.0至6.5 mm範圍內之一厚度。 25.  如條項1之總成，其中該窗具有在5.9至6.1 mm範圍內之一厚度。 26.  如條項1之總成，其中該總成安裝於經由一極紫外(EUV)光源之一真空腔室之一壁界定的一開口中，該真空腔室處於真空下。 27.  一種用於一極紫外(EUV)光源容器之度量衡設備，該度量衡設備包含： 一照亮模組，其經組態以將光提供至該EUV光源容器中及/或一偵測模組，其經組態以偵測自該EUV光源容器內傳播之光；及 一總成，其沿著該所偵測光或該所提供光的一光束路徑配置，該總成包含： 一窗，其經組態以允許光學接取該EUV光源容器之一內部，該窗具有經組態以面向該EUV光源容器之外部的一面向外部之表面及與該面向外部之表面相對的一面向內部之表面，該窗進一步具有涵蓋該窗可透射之輻射之波長的一透射帶；及 一保護器，其經組態以使該窗與該EUV光源容器之該內部屏蔽，該保護器包含一片材，該片材具有一面向窗之表面及與該面向窗之表面相對的一面向內部之表面，該面向窗之表面橫越一間隙面向該窗之該面向內部之表面，該片材包含具有在10至2000 W/(m∙K)範圍內之一熱導率的一材料。 28.  如條項27之度量衡設備，其中該偵測模組包含一目標偵測模組。 29.  如條項27之度量衡設備，其中該偵測模組包含一目標成像模組。 30.  如條項27之度量衡設備，其中該照亮模組包含經組態以探測在該EUV光源容器內朝向一照明區行進之一目標的一照明模組。 31.  如條項27之度量衡設備，其中該照亮模組包含經組態以探測該EUV光源容器內之一目標的一目標背光模組。 32.  如條項27之度量衡設備，其進一步包含該片材之該面向窗之表面上的一光學塗層，其中該光學塗層反射波長長於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射。 33.  如條項27之度量衡設備，其進一步包含該片材之該面向窗之表面上的一光學塗層，其中該光學塗層反射波長長於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射，且其中該光學塗層進一步反射波長短於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射。 34.  如條項27之度量衡設備，其中該片材包含藍寶石。 35.  如條項27之度量衡設備，其中該片材包含藍寶石且該窗包含一玻璃。 36.  如條項27之度量衡設備，其中該片材包含藍寶石且該窗包含藍寶石。 37.  一種極紫外(EUV)光源，該EUV源包含： 一真空腔室，其包含一真空腔室壁，該壁界定通過其之一開口； 一窗，其耦接至該腔室，該窗經定位以便封閉該開口，該窗具有面向該腔室之內部的一面向內部之表面及與該面向內部之表面相對的一面向外部之表面，該窗進一步具有涵蓋該窗可透射之輻射之波長的一透射帶；及 一保護器，其經定位以使該窗與該腔室之該內部屏蔽，該保護器包含一片材，該片材具有一面向窗之表面及與該面向窗之表面相對的一面向內部之表面，該面向窗之表面橫越一間隙面向該窗之該面向內部之表面，該片材包含具有在10至2000 W/(m∙K)範圍內之一熱導率的一材料。 38.  如條項37之EUV光源，其進一步包含該片材之該面向窗之表面上的一光學塗層，其中該光學塗層反射波長長於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射。 39.  如條項37之EUV光源，其進一步包含該片材之該面向窗之表面上的一光學塗層，其中該光學塗層反射波長長於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射，且其中該光學塗層進一步反射波長短於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射。 40.  如條項37之EUV光源，其中該片材包含藍寶石。 41.  如條項37之EUV光源，其中該片材包含藍寶石且該窗包含一玻璃。 42.  如條項37之EUV光源，其中該片材包含藍寶石且該窗包含藍寶石。 43.  如條項37之EUV光源，其中該真空腔室係處於真空下。
上述實施及其他實施係在以下申請專利範圍之範疇內。
100:EUV光源之實施/EUV光源 105:目標位置 106:電漿/電漿狀態 110:經放大光束 111:入射光 114:目標/目標材料 115:驅動雷射系統 122:聚焦總成 125:目標材料遞送系統 126:目標捕獲器 135:收集器鏡面 140:孔徑 145:中間位置 146:EUV光 149:開端式中空錐體 155:視埠總成 160:EUV光源容器/真空腔室 161:真空腔室壁 162:元件或模組/目標偵測及感測模組 163:元件或模組/光源 164:開口 165:元件或模組/光源偵測器 170:環境受控內部 171:外部 180:窗 181:保護器 182:面向外部之表面 183:面向窗之表面 184:面向內部之表面 185:面向內部之表面 186:片材 187:間隙 189:塗層 250:度量衡設備 252:閥總成 253:閘閥 255:視埠總成 258:度量衡或照明模組 260:EUV光源容器/真空腔室 261:壁 264:開口 270:內部空間/內部 271:外部 355:視埠總成 360:EUV光源容器 361:真空腔室壁 364:開口 370:內部 371:外部 380:窗 381:保護器 382:面向外部之表面 383:面向窗之表面 384:面向內部之表面 385:面向內部之表面 386:片材 387:間隙 389:光學塗層 390:套管 390a:半部 390b:半部 391a:O形環 391b:O形環 401:曲線圖 402:透射帶 403:曲線圖 464:透射曲線/玻璃透射曲線 465:透射曲線 466:度量衡帶 550:度量衡設備 552:閥總成 553:閘閥 555:視埠總成 555a:含窗結構 555b:含保護器結構 558:偵測模組/照亮模組/度量衡模組 560:EUV光源容器 570:內部 571:外部 600:EUV光源 646:EUV光 672:照明鏡面 673:倍縮光罩 674:降低鏡面 675:基板或晶圓 690:EUV微影曝光設備 OA:光軸
圖1A為展示界定有目標位置之容器(諸如真空腔室)之極紫外(EUV)光源的簡圖。
圖1B為圖1A之EUV光源之容器內之視埠總成的近距視圖。
圖2A及圖2B為圖1A及圖1B之光源之度量衡設備的橫截面圖。
圖3為視埠總成之橫截面簡圖。
圖4A及圖4B為用於視埠總成中之實例材料之透射的曲線圖。
圖5A及圖5B為度量衡設備之另外態樣的橫截面圖。
圖6為EUV光源連同微影設備之圖式。
355:視埠總成
360:EUV光源容器
361:真空腔室壁
364:開口
370:內部
371:外部
380:窗
381:保護器
382:面向外部之表面
383:面向窗之表面
384:面向內部之表面
385:面向內部之表面
386:片材
387:間隙
389:光學塗層
390:套管
390a:半部
390b:半部
391a:O形環
391b:O形環
OA:光軸

Claims (43)

  1. 一種總成，其包含： 一窗，其經組態以允許光學接取一極紫外(EUV)光源容器之一內部，該窗具有經組態以面向該EUV光源容器之外部的一面向外部之表面及與該面向外部之表面相對的一面向內部之表面，該窗進一步具有涵蓋該窗可透射之輻射之波長的一透射帶；及 一保護器，其經組態以使該窗與該EUV光源容器之該內部屏蔽，該保護器包含一片材，該片材具有一面向窗之表面及與該面向窗之表面相對的一面向內部之表面，該面向窗之表面橫越一間隙面向該窗之該面向內部之表面，該片材包含具有在10至2000 W/(m∙K)範圍內之一熱導率的一材料。
  2. 如請求項1之總成，其中該材料之該熱導率係在20至50 W/(m∙K)之範圍內。
  3. 如請求項1之總成，其中該透射帶為包含該窗可透射至少90%之輻射之波長的一波長帶。
  4. 如請求項1之總成，其中該保護器進一步包含該片材之該面向窗之表面上的一塗層，其中該塗層反射波長長於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射。
  5. 如請求項1之總成，其中該保護器進一步包含該片材之該面向窗之表面上的一塗層，且該塗層反射50%或更多的波長長於由該透射帶涵蓋之該等波長且高達8000 nm的輻射。
  6. 如請求項1之總成，其中該保護器進一步包含該片材之該面向窗之表面上的一塗層，且該塗層反射70%或更多的波長長於由該透射帶涵蓋之該等波長且高達8000 nm的輻射。
  7. 如請求項1之總成，其中該保護器進一步包含該片材之該面向窗之表面上的一塗層，且該塗層反射50%或更多的波長長於由該透射帶涵蓋之該等波長且高達8000 nm的輻射，且反射50%或更多的波長短於由該透射帶涵蓋之該等波長的低至150 nm的輻射。
  8. 如請求項1之總成，其中該保護器進一步包含該片材之該面向窗之表面上的一塗層，其中該塗層反射波長長於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射且該塗層進一步反射波長短於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射。
  9. 如請求項1之總成，其中該保護器進一步包含該片材之該面向窗之表面上的一塗層，其中該塗層反射波長長於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射且該塗層反射50%或更多的波長在150至845 nm範圍內及在1090至8000 nm範圍內的輻射。
  10. 如請求項1之總成，其中該材料透射可見光及近紅外光中之一或多者。
  11. 如請求項1之總成，其中該窗經組態以耐受其面向內部之表面與其面向外部之表面之間的一壓力差。
  12. 如請求項1之總成，其中該窗經組態以耐受由於其面向內部之表面處之低壓及/或真空所引起的其面向內部之表面與其面向外部之表面之間的一壓力差，該壓力差在該窗之兩個表面之間為至少100 kPa。
  13. 如請求項1之總成，其中該片材之該面向窗之表面相對於該窗之該面向內部之表面成角度。
  14. 如請求項1之總成，其中該片材包含藍寶石。
  15. 如請求項1之總成，其中該片材包含藍寶石且該窗包含一玻璃。
  16. 如請求項1之總成，其中該片材包含藍寶石且該玻璃包含一硼矽酸鹽玻璃。
  17. 如請求項1之總成，其中該片材包含藍寶石且其中該窗包含肖特N-BK7硼矽酸鹽玻璃。
  18. 如請求項1之總成，其中該片材包含藍寶石且該窗包含肖特N-BK7硼矽酸鹽玻璃，且該保護器進一步包含在該片材之該面向窗之表面上的一塗層，其中該塗層反射波長長於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射。
  19. 如請求項1之總成，其中該片材包含藍寶石且該窗包含肖特N-BK7硼矽酸鹽玻璃，該保護器進一步包含該片材之該面向窗之表面上的一塗層，該塗層反射波長長於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射，且該塗層進一步反射波長短於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射。
  20. 如請求項1之總成，其中該片材包含藍寶石且該窗包含肖特N-BK7硼矽酸鹽玻璃，該保護器進一步包含該片材之該面向窗之表面上的一塗層，該塗層反射波長長於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射，且其中該片材之該面向內部之表面為裸藍寶石。
  21. 如請求項1之總成，其中該片材包含藍寶石且該窗包含藍寶石。
  22. 如請求項1之總成，其中該片材具有在2.2至3.2 mm範圍內之一厚度。
  23. 如請求項1之總成，其中該片材具有在2.39至2.59 mm範圍內之一厚度。
  24. 如請求項1之總成，其中該窗具有在4.0至6.5 mm範圍內之一厚度。
  25. 如請求項1之總成，其中該窗具有在5.9至6.1 mm範圍內之一厚度。
  26. 如請求項1之總成，其中該總成安裝於經由一極紫外(EUV)光源之一真空腔室之一壁界定的一開口中，該真空腔室處於真空下。
  27. 一種用於一極紫外(EUV)光源容器之度量衡設備，該度量衡設備包含： 一照亮模組，其經組態以將光提供至該EUV光源容器中及/或一偵測模組，其經組態以偵測自該EUV光源容器內傳播之光；及 一總成，其沿著該所偵測光或該所提供光的一光束路徑配置，該總成包含： 一窗，其經組態以允許光學接取該EUV光源容器之一內部，該窗具有經組態以面向該EUV光源容器之外部的一面向外部之表面及與該面向外部之表面相對的一面向內部之表面，該窗進一步具有涵蓋該窗可透射之輻射之波長的一透射帶；及 一保護器，其經組態以使該窗與該EUV光源容器之該內部屏蔽，該保護器包含一片材，該片材具有一面向窗之表面及與該面向窗之表面相對的一面向內部之表面，該面向窗之表面橫越一間隙面向該窗之該面向內部之表面，該片材包含具有在10至2000 W/(m∙K)範圍內之一熱導率的一材料。
  28. 如請求項27之度量衡設備，其中該偵測模組包含一目標偵測模組。
  29. 如請求項27之度量衡設備，其中該偵測模組包含一目標成像模組。
  30. 如請求項27之度量衡設備，其中該照亮模組包含經組態以探測在該EUV光源容器內朝向一照明區行進之一目標的一照明模組。
  31. 如請求項27之度量衡設備，其中該照亮模組包含經組態以探測該EUV光源容器內之一目標的一目標背光模組。
  32. 如請求項27之度量衡設備，其進一步包含該片材之該面向窗之表面上的一光學塗層，其中該光學塗層反射波長長於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射。
  33. 如請求項27之度量衡設備，其進一步包含該片材之該面向窗之表面上的一光學塗層，其中該光學塗層反射波長長於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射，且其中該光學塗層進一步反射波長短於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射。
  34. 如請求項27之度量衡設備，其中該片材包含藍寶石。
  35. 如請求項27之度量衡設備，其中該片材包含藍寶石且該窗包含一玻璃。
  36. 如請求項27之度量衡設備，其中該片材包含藍寶石且該窗包含藍寶石。
  37. 一種極紫外(EUV)光源，該EUV光源包含： 一真空腔室，其包含一真空腔室壁，該壁界定通過其之一開口； 一窗，其耦接至該腔室，該窗經定位以便封閉該開口，該窗具有面向該腔室之內部的一面向內部之表面及與該面向內部之表面相對的一面向外部之表面，該窗進一步具有涵蓋該窗可透射之輻射之波長的一透射帶；及 一保護器，其經定位以使該窗與該腔室之該內部屏蔽，該保護器包含一片材，該片材具有一面向窗之表面及與該面向窗之表面相對的一面向內部之表面，該面向窗之表面橫越一間隙面向該窗之該面向內部之表面，該片材包含具有在10至2000 W/(m∙K)範圍內之一熱導率的一材料。
  38. 如請求項37之EUV光源，其進一步包含該片材之該面向窗之表面上的一光學塗層，其中該光學塗層反射波長長於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射。
  39. 如請求項37之EUV光源，其進一步包含該片材之該面向窗之表面上的一光學塗層，其中該光學塗層反射波長長於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射，且其中該光學塗層進一步反射波長短於由該透射帶涵蓋之該等波長的至少一些輻射。
  40. 如請求項37之EUV光源，其中該片材包含藍寶石。
  41. 如請求項37之EUV光源，其中該片材包含藍寶石且該窗包含一玻璃。
  42. 如請求項37之EUV光源，其中該片材包含藍寶石且該窗包含藍寶石。
  43. 如請求項37之EUV光源，其中該真空腔室係處於真空下。
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