TW202405214A - 高壓基板處理裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種高壓基板處理裝置，包括：內部腔室，形成為容納待處理的基板；外部腔室，具備中空型殼體及隔板，隔板配置成將殼體分隔成容納內部腔室的高溫區和溫度低於高溫區的低溫區；供氣模組，以高於大氣壓的第一壓力將用於處理基板的反應氣體供給至內部腔室，並以相對於第一壓力設定的第二壓力將保護氣體供給至外部腔室與內部腔室之間的空間；排氣模組，構成為與內部腔室相連通，並具備經過低溫區的排氣管，用於排放包含反應氣體和根據處理產生的副產物的混合氣體；及捕集模組，構成為以與排氣管相連通的狀態配置於低溫區，以捕集混合氣體中的副產物。
Description
本發明涉及一種在高壓環境處理基板的處理裝置。
一般，在執行半導體元件的製程中，在半導體基板上執行各種處理。作為所述處理的範例，有氧化、氮化、矽化、離子注入及沉積製程等。還有用於改善半導體元件的界面特性的氫或氘熱處理製程。
用於處理的氣體被供給到腔室中，並作用於半導體基板。在這樣的作用期間，半導體基板會放出顆粒等的副產物。
在處理製程的排氣階段，副產物以與製程中使用的氣體混合的狀態排放。副產物在高溫環境中呈氣態，但在離開處理設備的過程和離開之後的過程中會凝固。
被固化的副產物積聚在排氣管、排氣閥、其他洗滌器或真空泵的內壁。這些將封閉管道和各種裝置中的流路而造成問題。發生問題的範圍可能是沿著氣體和副產物的移動路徑相當長的區間。
對應此問題，正在使用用於捕集副產物的裝置，例如冷阱。冷阱通過冷卻廢氣來捕集副產物，冷卻性能決定副產物捕集效率。傳統上冷阱安裝在洗滌器的正前方，以解決洗滌器和真空泵的流路被封閉的問題。
《技術問題》
本發明的一目的在於，提供一種能夠從腔室中去除副產物，以防由副產物引起的不利影響延伸到腔室之外的高壓基板處理裝置。
《解決問題的手段》
為了實現所述課題，根據本發明的一態樣的高壓基板處理裝置，可以包括：內部腔室，形成為容納待處理的基板；外部腔室，具備中空型殼體及隔板，所述隔板配置成將所述殼體分隔成容納所述內部腔室的高溫區和溫度低於所述高溫區的低溫區；供氣模組，以高於大氣壓的第一壓力將用於處理所述基板的反應氣體供給至所述內部腔室，並以相對於所述第一壓力設定的第二壓力將保護氣體供給至所述外部腔室與所述內部腔室之間的空間；排氣模組，構成為與所述內部腔室相連通，並具備經過所述低溫區的排氣管，用於排放包含所述反應氣體和根據所述處理產生的副產物的混合氣體；以及捕集模組，構成為以與所述排氣管相連通的狀態配置於所述低溫區，以捕集所述混合氣體中的所述副產物。
此處，所述排氣模組還可以包括氣體排放器，所述氣體排放器形成為以位於所述外部腔室的外部的方式設置於所述排氣管，並調整所述混合氣體經過所述捕集模組排放至外部，所述捕集模組可以位於所述氣體排放器的前方。
此處，還可以包括具備冷卻水供給管的冷卻水供給模組，所述捕集模組可以構成為所述混合氣體被沿著所述冷卻水供給管流動的冷卻水冷卻，而使所述副產物成為粉末。
此處，所述捕集模組可以包括：一對排氣管連接部，可拆卸地連接於所述排氣管；以及一對冷卻水供給管連接部，可拆卸地連接於所述冷卻水供給管。
此處，所述一對排氣管連接部可以沿所述排氣管的延伸方向排列，所述一對冷卻水供給管連接部可以沿與所述延伸方向相交叉的交叉方向排列。
此處，所述冷卻水供給模組可以將冷卻水供給至所述殼體及所述隔板中的一個以冷卻所述低溫區。
此處，還可以包括：感測模組，具備用於測量所述排氣管的溫度的溫度感測器；以及控制模組，與所述溫度感測器和所述冷卻水供給模組相連接，所述控制模組根據從所述溫度感測器獲取的所述排氣管的溫度調整所述冷卻水的溫度。
此處，所述冷卻水供給模組還可以包括構成為冷卻所述冷卻水的冷卻器，所述控制模組可以操作所述冷卻器以降低所述冷卻水的溫度。
此處，還可以包括：感測模組，具備在所述捕集模組的後端測量所述排氣管的壓力的壓力感測器；以及控制模組，與所述壓力感測器相連接，所述控制模組可以根據從所述壓力感測器獲取的所述排氣管的壓力輸出所述捕集模組的更換時期。
根據本發明的另一態樣的高壓基板處理裝置可以包括：內部腔室，形成為容納待處理的基板；外部腔室，具備用於容納所述內部腔室的中空型殼體；供氣模組，構成為以高於大氣壓的第一壓力將用於處理所述基板的反應氣體供給至所述內部腔室，並以相對於所述第一壓力設定的第二壓力將保護氣體供給至所述外部腔室與所述內部腔室之間的空間；排氣模組，構成為具備與所述內部腔室相連通的排氣管，並將包含所述反應氣體和根據所述處理產生的副產物的混合氣體排放至所述外部腔室的外部；以及捕集模組，構成為以與所述排氣管相連通的狀態配置於所述外部腔室內，外部通過所述保護氣體暴露於所述第二壓力，內部通過所述反應氣體暴露於所述第一壓力，捕集所述混合氣體中的所述副產物。
此處，所述第一壓力與所述第二壓力之差可以為兩大氣壓（2 ATM）以下。
此處，所述排氣模組還可以包括氣體排放器，形成為設置在所述排氣管，用於調整所述混合氣體的排放，所述捕集模組可以位於所述氣體排放器的前方。
此處，還可以包括加熱模組，形成為用於加熱所述反應氣體以處理所述基板，所述外部腔室還可以包括隔板，所述隔板將所述殼體分隔成容納所述內部腔室和所述加熱模組的高溫區和溫度低於所述高溫區的低溫區，所述低溫區填充有冷氣。
此處，還可以包括冷卻水供給模組，所述捕集模組可以構成為所述混合氣體被由所述冷卻水供給模組供給的冷卻水冷卻，使所述副產物成為粉末，所述低溫區通過由所述冷卻水供給模組供給至所述殼體和所述隔板中的一個的冷卻水生成所述冷氣。
《發明的效果》
根據如上所述構成之本發明的高壓基板處理裝置，在向用於容納基板的內部腔室和圍繞內部腔室的外部腔室分別供給第一壓力或第二壓力的氣體的狀態下，排放內部腔室內的氣體時，由於捕集模組安裝在外部腔室的排氣管中進行動作，因此，由副產物引起的問題不會延伸到外部腔室之外。
由於捕集模組與內部腔室相連通而其內部暴露於第一壓力，外部則暴露於與第一壓力設定成預定關係的第二壓力，因此，即使對基板進行高壓處理，也不需要對捕集模組進行高水平的高壓設計。
通過捕集模組配置在外部腔室內與高溫區域區別的低溫區域中，因此，捕集模組可以更有效地冷卻從內部腔室排出的氣體，從而，可以更加有效地捕集副產物。
以下，參照附圖詳細說明根據本發明較佳實施例的高壓基板處理裝置。在本說明書中，即使在不同的實施例中，相同或相似的部件標註相同或相似的元件符號，並用第一描述來代替其描述。
圖1是根據本發明一實施例的高壓基板處理裝置100的概念圖。
參照圖1，高壓基板處理裝置100可以包括：內部腔室110；外部腔室120；供氣模組130；排氣模組140；以及捕集模組150。
內部腔室110形成用於容納待處理物體的反應空間。內部腔室110可以由非金屬材料製成，例如石英，以減少在高溫高壓工作環境中的污染。儘管圖中被簡化，在內部腔室110的下端具備用於打開所述反應空間的門。當所述門下降時，所述反應空間被打開，並且所述物體可以於安裝在保持器（省略圖示）的狀態下投入到內部腔室110中。所述物體可以為例如半導體基板。在這種情況下，所述保持器可以是能夠將所述半導體基板層疊多層的晶圓舟（wafer boat）。
外部腔室120配置成包圍整個內部腔室110。與內部腔室110不同，外部腔室120可以由金屬材料製成，因為其不受污染問題。外部腔室120具有中空型殼體121，中空型殼體121具有用於容納內部腔室110的內部空間。殼體121也在下部具備門，當內部腔室110的門被打開時，可以與其門一起打開。
供氣模組130是向內部腔室110和外部腔室120供給氣體的結構。供氣模組130具有為氣體源的氣體供給器131。氣體供給器131可以向內部腔室110選擇性地供給例如氫/氘、氟、氨、氯、氮等作為反應氣體。氣體供給器131可以向外部腔室120供給例如惰性氣體的氮氣作為保護氣體。這些反應氣體和保護氣體分別通過反應氣體管線133或保護氣體管線135供給至內部腔室110或外部腔室120。供給到外部腔室120的保護氣體，具體填充在外部腔室120與內部腔室110之間的空間。
所述反應氣體及所述保護氣體可以以高於大氣壓的高壓供給，以形成例如達數大氣壓至數十大氣壓的高壓。當所述反應氣體的壓力為第一壓力，且所述保護氣體的壓力為第二壓力時，這些可以保持在設定的關係（範圍）。例如，所述第二壓力可以設定為稍微高於所述第一壓力。該壓力差可以是例如兩個大氣壓（2 ATM）以下。所述壓力差提供反應氣體不會從內部腔室110洩漏的優點。
排氣模組140是用於排放所述反應氣體和所述保護氣體的結構。首先，為了從內部腔室110排出所述反應氣體，在內部腔室110連接排氣管141。排氣管141可以連接至內部腔室110的上部，並延伸到外部腔室120之外。在排氣管141可以設置氣體排放器143。所述氣體排放器143可以是用於調整所述反應氣體的排放的排氣閥。通過操作氣體排放器143，可以維持所述第一壓力或調整至低水平。所述反應氣體中會混合對基板進行處理時產生的副產物。由於所述反應氣體和所述副產物相混合，因此，可以統稱為混合氣體。
為了從外部腔室120排放保護氣體，類似地，可以設置與外部腔室120相連通的排氣管145和安裝在該排氣管的氣體排放器147。由於這些排氣管141和145相連接，因此，所述反應氣體在所述保護氣體中被稀釋，而其濃度降低。
捕集模組150是從沿著排氣管141流動的所述混合氣體中捕集所述副產物的結構。捕集模組150以與排氣管141相連通的狀態配置於外部腔室120內。而且，捕集模組150在排氣管141上沿排氣方向位於氣體排放器143的前方。
根據所述結構，由於捕集模組150位於外部腔室120中，由此，副產品被捕集在外部腔室120中。結果，所述副產物不會經過外部腔室120對排氣管141中捕集模組150的下一部分、氣體排放器143以及其他洗滌器等的相關裝置產生不利影響。
氣體排放器143是從內部腔室110排放所述反應氣體以調整、主要是降低第一壓力的結構。調整所述第一壓力伴隨與其具有設定關係的所述第二壓力的調整。由於在所述保護氣體中未混入所述副產物，因此，用於調整所述第二壓力的氣體排放器147的操作不會受到所述副產物的不利影響。因此，用於調整所述第一壓力的氣體排放器143必須在不受所述副產物的不利影響的狀態下正常運行。為此，捕集模組150位於氣體排放器143的前面。氣體排放器143在捕集模組150的影響下進行正常運行，不僅對於所述第一壓力的調整具有重要意義，而且對於與所述第一壓力相關的所述第二壓力的調整也具有重要意義。
由於捕集模組150通過排氣管141與內部腔室110相連通，因此，其內部暴露於所述第一壓力。捕集模組150的外部通過所述保護氣體暴露於所述第二壓力。由於所述第二壓力保持與所述第一壓力的設定關係，因此，兩者之間的壓力差並不大。即使所述第一壓力達到數十大氣壓，由於捕集模組150暴露於所述壓力差而不是所述第一壓力，因此，不需要具備對應於數十大氣壓的高壓設計。
圖2是顯示圖1的腔室110和120與捕集模組150之間的具體關係的局部截面圖。
參照圖2，外部腔室120的殼體121可以包括：主體部121a；以及蓋部121b。如果主體部121a具有大致圓柱形形狀，則蓋部121b可以具有與主體部121a的敞開頂部相對應的形狀。蓋部121b可以具有大致圓頂形狀。
由殼體121定義的空間，即所述內部空間可以被隔板125分成兩個區域。隔板125可以在被主體部121a支撐的狀態下設置在蓋部121b的下側。隔板125可以與主體部121a一起定義高溫區123，並與蓋部121b一起定義低溫區127。高溫區123和低溫區127通過形成在隔板125中的連通孔（省略圖示）相連通，相互間可以具有相同的壓力（所述第二壓力）。
除了內部腔室110之外，高溫區123中還設置有加熱模組160。加熱模組160可以包括：加熱器161；以及絕緣塊165。加熱器161可以具有圍繞內部腔室110的形狀。高溫區123中的所述保護氣體和內部腔室110中的所述反應氣體可以被加熱器161產生的熱量加熱。由於加熱器161的操作，所述反應氣體的溫度可以達到數百至一千攝氏度。絕緣塊165內置加熱器161，並防止來自加熱器161的熱量傳遞至主體部121a側。
對應於加熱器161，在隔板125的下部可以具備隔熱層125a。隔熱層125a可以設置在加熱模組160的上方以與加熱器161相面對。隔熱層125a用於阻止從加熱器161產生的熱量傳遞至低溫區127。
在隔板125的上部可以具備冷卻層125b。冷卻層125b可以具有用於容納冷卻介質例如冷卻水的空間。與冷卻層125b相對應，在蓋部121b也可以具備用於容納冷卻水的空間。蓋部121b可以容納比隔板125更多量的冷卻水。
容納在蓋部121b及/或冷卻層125b的冷卻水用冷氣填充低溫區127。由此，低溫區127的溫度可以保持遠低於高溫區125的溫度，例如高溫區123的溫度的十分之一以下。
捕集模組150可以以位於低溫區127的狀態下設置在經過低溫區127的排氣管141。捕集模組150以及所述反應氣體中停留在排氣管141和捕集模組150的氣體處於受到所述冷氣的影響的狀態。
根據上述結構，所述混合氣體從高溫區123流動至低溫區127，並經過捕集模組150。由此，所述混合氣體可以在比處理所述基板時的高溫大大冷卻的溫度下通過捕集模組150。低溫區127用於通過所述混合氣體的初步或搶先冷卻來提高捕集模組150的冷卻性能。結果，減少捕集模組150上的冷卻負載或者提高捕集模組150的冷卻效率。還可以提高捕集模組150的捕集效率。
以下，參照圖3說明捕集模組150與外圍部件之間的連接關係。圖3是顯示圖1的捕集模組150、冷卻水供給模組170及感測模組180之間的連接關係的概念圖。
參照圖3，如上所述，捕集模組150與排氣管141相連通。捕集模組150還與冷卻水供給模組170的冷卻水供給管171相連通。
冷卻水供給模組170通過冷卻水供給管171和其他供給管（省略圖示）將冷卻水供給至除了捕集模組150之外的結構。上述外部腔室120的蓋部121b或冷卻層125b（以上，參照圖2）也由冷卻水供給模組170供給冷卻水。
在冷卻水供給管171中流動的冷卻水對流動在捕集模組150中的混合氣體進行冷卻。所述副產物在高溫環境下以氣體形式存在，冷卻後固化成粉末。所述粉末積聚在捕集模組150中，並且不會逸出外部腔室120之外。
為了有效地操作捕集模組150並確定更換時間，可以引入用於獲取與捕集模組150相關的信息的感測模組180。作為感測模組180，可以採用溫度感測器181及壓力感測器185。
溫度感測器181用於測量排氣管141的溫度。由於溫度感測器181位於捕集模組150的上游側，因此，其可以測量流入排氣管141的所述混合氣體的溫度。
壓力感測器185用於測量排氣管141的壓力。由於壓力感測器185位於捕集模組150的下游（downstream），因此，可以測量由於所述粉末積聚的排氣管141的存在而產生的壓力（之變化）。
參照圖4說明根據從上述感測模組180獲得的信息進行控制。圖4是顯示對圖1的高壓基板處理裝置100的控制結構的方塊圖。
參照圖4，冷卻水供給模組170還可以包括冷卻器175。冷卻器175用於降低通過冷卻水供給管171等供給的所述冷卻水的溫度。
除了冷卻水供給模組170之外，處理裝置100還可以包括：控制模組190；以及儲存模組195。控制模組190與感測模組180和冷卻水供給模組170相連接。控制模組190是基於感測模組180的感測結果控制冷卻水供給模組170或輸出捕集模組150的更換時期的結構。儲存模組195是用於儲存控制模組190為了控制而可以參考的資料、程式等的結構。
控制模組190從與其相連接的溫度感測器181接收排氣管141前端的溫度。排氣管141前端的溫度可以是與內部腔室110的溫度相對應的數百至一千攝氏度。控制模組190可以根據排氣管141的溫度和低溫區127的溫度，調整所述冷卻水的溫度。當所述排氣管141的溫度高時，進一步降低所述冷卻水的溫度的方式。控制模組190可以操作冷卻器175以進一步降低所述冷卻水的溫度。冷卻器175的操作程度可以將由控制模組190參考儲存模組195來確定。
控制模組190還從壓力感測器185接收排氣管141後端的壓力。排氣管141的壓力可以根據捕集模組150的狀態而不同。與短時間使用捕集模組150時相比，當捕集模組150長時間使用時，排氣管141的壓力發生變化。這是因為隨著所述粉末積聚在捕集模組150中，捕集模組150中的流路變窄。基於所述壓力變化，控制模組190可以計算捕集模組150的更換時期。如果需要更換捕集模組150，則控制模組190可以通過蜂鳴器或顯示器發出警報或傳送至管理電腦。所述更換時間的具體程度（時間點）可以將由控制模組190參考儲存模組195來確定。
以下，參照圖5說明上述捕集模組150的具體結構。圖5是顯示圖1的捕集模組150的結構的立體圖。
參照圖5，捕集模組150，包括：主體151；一對排氣管連接部152、153；冷卻水盤管155；一對冷卻水供給管連接部156、157；以及過濾器158、159。
主體151是具有內部空間的中空體。主體151可以具有例如六面體形狀。主體151可以由金屬材料製成。
一對排氣管連接部152、153連接至主體151的兩側面。具體地，一對排氣管連接部152、153可以佈置成沿著所述混合氣體的流動方向F（排氣管141的延伸方向）形成一排。其中之一即入口排氣管連接部152可以連接至主體151的右側面，而另一個即出口排氣管連接部153可以連接至主體151的左側面。一對排氣管連接部152、153可拆卸地連接至排氣管141。一對排氣管連接部152、153還會使所述混合氣體與主體151的內部空間相連通。
冷卻水盤管155是配置在本體151的內部空間以冷卻所述混合氣體的結構。冷卻水盤管155以線圈形式纏繞，從而，最大限度地增加冷卻水停留在本體151中的時間。
一對冷卻水供給管連接部156、157是安裝在冷卻水盤管155的兩端部的結構。冷卻水供給管連接部156、157使冷卻水盤管155可拆卸地連接至冷卻水供給管171（參照圖2）。若冷卻水供給管連接部156、157中的一個用於接收來自所述冷卻水供給管171的所述冷卻水，則另一個用於將已經通過冷卻水盤管155的所述冷卻水返回至所述冷卻水供給管171。冷卻水供給管連接部156、157可以沿著與所述流動方向F交叉的交叉方向I排列。
過濾器158、159從本體151的內部空間濾除所述副產物或所述粉末。過濾器158、159中的一個可以佈置在入口排氣管連接部152與冷卻水盤管155之間，而另一個可以佈置在冷卻水盤管155與出口排氣管連接部153之間。
根據所述結構，通過在所述冷卻水盤管155中流動的所述冷卻水的冷卻作用，所述混合氣體中的副產物被固化而成為所述粉末。所述粉末積聚在主體151的內部空間。即使有一些漂浮的粉末，通過過濾器158、159也不會排出到本體151之外。由於所述副產物受到控制，因此，在捕集模組150後面的氣體流路上不會出現由於所述副產物而導致流路被封閉的問題。
由於所述粉末被積聚，因此，捕集模組150本身的壽命不是永久的。如上參照圖4所述，管理人員需要測量排氣管141的壓力來掌握捕集模組150的壽命並進行更換。當更換捕集模組150時，管理人員只需將排氣管連接部152、153以及冷卻水供給管連接部156、157等總共四個連接部分開即可。藉此，可以在排氣管141或冷卻水供給管171保持原來的狀態下，僅將捕集模組150更換為新產品。
如上所述的高壓基板處理裝置不限於上述實施例的結構和操作方式。上述實施例可以構成為藉由選擇性地組合每個實施例的全部或部分來進行各種變形。
100:高壓基板處理裝置
110:內部腔室
120:外部腔室
121:中空型殼體
121a:主體部
121b:蓋部
123:高溫區
125:隔板
125a:隔熱層
125b:冷卻層
127:低溫區
130:供氣模組
131:氣體供給器
133:反應氣體管線
135:保護氣體管線
140:排氣模組
141,145:排氣管
143,147:氣體排放器
150:捕集模組
151:主體
152:排氣管連接部、入口排氣管連接部
153:排氣管連接部、出口排氣管連接部
155:冷卻水盤管
156,157:冷卻水供給管連接部
158,159:過濾器
160:加熱模組
161:加熱器
165:絕緣塊
170:冷卻水供給模組
171:冷卻水供給管
175:冷卻器
180:感測模組
181:溫度感測器
185:壓力感測器
190:控制模組
195:儲存模組
F:流動方向
I:交叉方向
圖1是根據本發明一實施例的高壓基板處理裝置的概念圖；
圖2是顯示圖1的腔室與捕集模組之間的具體關係的局部截面圖；
圖3是顯示圖1的捕集模組、冷卻水供給模組及感測模組之間的連接關係的概念圖；
圖4是顯示對圖1的高壓基板處理裝置的控制結構的方塊圖；以及
圖5是顯示圖1的捕集模組的結構的立體圖。
100:高壓基板處理裝置
110:內部腔室
120:外部腔室
121:中空型殼體
130:供氣模組
131:氣體供給器
133:反應氣體管線
135:保護氣體管線
140:排氣模組
141,145:排氣管
143,147:氣體排放器
150:捕集模組
Claims (14)
- 一種高壓基板處理裝置，包括： 一內部腔室，形成為容納待處理的基板； 一外部腔室，具備一中空型殼體及一隔板，所述隔板配置成將所述殼體分隔成容納所述內部腔室的一高溫區和溫度低於所述高溫區的一低溫區； 一供氣模組，以高於大氣壓的一第一壓力將用於處理所述基板的一反應氣體供給至所述內部腔室，並以相對於所述第一壓力設定的一第二壓力將一保護氣體供給至所述外部腔室與所述內部腔室之間的空間； 一排氣模組，構成為與所述內部腔室相連通，並具備經過所述低溫區的一排氣管，用於排放包含所述反應氣體和根據所述處理產生的一副產物的一混合氣體；以及 一捕集模組，構成為以與所述排氣管相連通的狀態配置於所述低溫區，以捕集所述混合氣體中的所述副產物。
- 如請求項1所述之高壓基板處理裝置，其中，所述排氣模組進一步包括：一氣體排放器，形成為以位於所述外部腔室的外部的方式設置於所述排氣管，並調整所述混合氣體經過所述捕集模組排放至外部， 其中，所述捕集模組位於所述氣體排放器的前方。
- 如請求項1所述之高壓基板處理裝置，進一步包括： 一冷卻水供給模組，具備一冷卻水供給管， 其中，所述捕集模組構成為所述混合氣體被沿著所述冷卻水供給管流動的一冷卻水冷卻，而使所述副產物成為粉末。
- 如請求項3所述之高壓基板處理裝置，其中，所述捕集模組包括： 一對排氣管連接部，可拆卸地連接於所述排氣管；以及 一對冷卻水供給管連接部，可拆卸地連接於所述冷卻水供給管。
- 如請求項4所述之高壓基板處理裝置，其中， 所述一對排氣管連接部沿所述排氣管的延伸方向排列，以及 所述一對冷卻水供給管連接部沿與所述延伸方向相交叉的交叉方向排列。
- 如請求項3所述之高壓基板處理裝置，其中，所述冷卻水供給模組將所述冷卻水供給至所述殼體及所述隔板中的一個以冷卻所述低溫區。
- 如請求項3所述之高壓基板處理裝置，進一步包括： 一感測模組，具備用於測量所述排氣管的溫度的一溫度感測器；以及 一控制模組，與所述溫度感測器和所述冷卻水供給模組相連接， 其中，所述控制模組根據從所述溫度感測器獲取的所述排氣管的溫度調整所述冷卻水的溫度。
- 如請求項7所述之高壓基板處理裝置，其中，所述冷卻水供給模組進一步包括：一冷卻器，構成為冷卻所述冷卻水， 其中，所述控制模組用於操作所述冷卻器以降低所述冷卻水的溫度。
- 如請求項1所述之高壓基板處理裝置，進一步包括： 一感測模組，具備在所述捕集模組的後端測量所述排氣管的壓力的一壓力感測器；以及 一控制模組，與所述壓力感測器相連接， 其中，所述控制模組根據從所述壓力感測器獲取的所述排氣管的壓力輸出所述捕集模組的一更換時期。
- 一種高壓基板處理裝置，包括： 一內部腔室，形成為容納待處理的基板； 一外部腔室，具備用於容納所述內部腔室的一中空型殼體； 一供氣模組，構成為以高於大氣壓的一第一壓力將用於處理所述基板的一反應氣體供給至所述內部腔室，並以相對於所述第一壓力設定的一第二壓力將一保護氣體供給至所述外部腔室與所述內部腔室之間的空間； 一排氣模組，構成為具備與所述內部腔室相連通的一排氣管，並將包含所述反應氣體和根據所述處理產生的一副產物的一混合氣體排放至所述外部腔室的外部；以及 一捕集模組，構成為以與所述排氣管相連通的狀態配置於所述外部腔室內，外部通過所述保護氣體暴露於所述第二壓力，內部通過所述反應氣體暴露於所述第一壓力，捕集所述混合氣體中的所述副產物。
- 如請求項10所述之高壓基板處理裝置，其中，所述第一壓力與所述第二壓力之差為兩個大氣壓（2 ATM）以下。
- 如請求項10所述之高壓基板處理裝置，其中，所述排氣模組進一步包括：一氣體排放器，形成為設置在所述排氣管，用於調整所述混合氣體的排放， 其中，所述捕集模組位於所述氣體排放器的前方。
- 如請求項10所述之高壓基板處理裝置，進一步包括：一加熱模組，形成為用於加熱所述反應氣體以處理所述基板， 其中，所述外部腔室進一步包括一隔板，所述隔板將所述殼體分隔成容納所述內部腔室和所述加熱模組的一高溫區和溫度低於所述高溫區的一低溫區，以及 其中，所述低溫區填充有冷氣。
- 如請求項13所述之高壓基板處理裝置，進一步包括：一冷卻水供給模組， 其中，所述捕集模組構成為所述混合氣體被由所述冷卻水供給模組供給的一冷卻水冷卻，使所述副產物成為粉末，以及 其中，所述低溫區通過由所述冷卻水供給模組供給至所述殼體和所述隔板中的一個的所述冷卻水生成所述冷氣。
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