TW202404149A - 晶圓級全彩顯示裝置及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明公開一種晶圓級全彩顯示裝置及其製造方法，本發明的製造方法是先在晶圓基底的正面上形成多個排成陣列的發光二極體結構及圍繞多個發光二極體結構的外圍電極層，再利用一或多個絕緣層來消除發光二極體結構自身的結構段差以及發光二極體結構與底部晶圓基底之間的高低差，然後在絕緣層上布設線路，使得多個發光二極體結構與外圍電極層之間形成可靠的電性連接。
Description
本發明涉及一種全彩顯示裝置及其製造方法，特別是涉及一種無需轉移LED的晶圓級全彩顯示裝置及其製造方法。
發光二極體(Light-Emitting Diode，LED)因具備光質佳以及發光效率高等特性而得到廣泛的應用。一般來說，為了使得採用發光二極體做為發光元件的顯示裝置能具有較佳的色彩表現能力，現有技術是利用紅、綠、藍三種顏色的發光二極體晶片的相互搭配而組成一全彩發光二極體顯示裝置，此全彩發光二極體顯示裝置可利用紅、綠、藍三種顏色的發光二極體晶片分別發出的紅、綠、藍三種的顏色光，然後再透過混光後形成一全彩色光，以進行相關資訊的顯示。
然而，全彩發光二極體顯示裝置的製作方法仍有改善空間，舉例來說，發光二極體元件的基本結構包含P型及N型的半導體元素化合物磊晶層(epitaxial layer)，以及其間的主動層(active layer)(或稱為發光層)，若直接在晶圓上製作線路，線路會沿著Sapphire基板與P型及N型的半導體元素化合物磊晶層的表面爬上爬下，爬坡的高度有數um的落差，線路製作不易且容易斷裂，導致整排LED開路。因此，有不少業者針對此技術問題投入研究、改善，以期增加全彩發光二極體顯示裝置之商用性。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種晶圓級全彩顯示裝置的製造方法，其不僅具有可以實現不同線路配置的高製程靈活度，而且還可以提高產品的良率和可靠度。並且，提供一種利用此製造方法製成的晶圓級全彩顯示裝置。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是提供一種晶圓級全彩顯示裝置的製造方法，其包括：提供一晶圓基底，所述晶圓基底具有一正面及一背面；在所述晶圓基底的所述正面上形成一發光二極體陣列，所述發光二極體陣列包括多個發光二極體結構，其中位於同一行的多個所述發光二極體結構與多個第一溝槽在所述晶圓基底上交替排列，且位於同一列的多個所述發光二極體結構與多個第二溝槽在所述晶圓基底上交替排列，其中每一所述發光二極體結構由下往上包括一第一導電結構、一發光層及一第二導電結構；在多個所述第一溝槽與多個所述第二溝槽內填入一第一絕緣層，使得多個所述發光二極體結構的所述第一導電結構與所述第一絕緣層在所述晶圓基底上構成一第一整平層；在所述第一整平層上形成一第一線路層，所述第一線路層與多個所述發光二極體結構的所述第一導電結構電性連接；在所述第一線路層上覆蓋一第二絕緣層，使得多個所述發光二極體結構的所述第二導電結構與所述第二絕緣層在所述晶圓基底上構成一第二整平層；以及在所述第二整平層上形成一第二線路層，所述第二線路層與多個所述發光二極體結構的所述第二導電結構電性連接。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是提供一種晶圓級全彩顯示裝置，其包括一晶圓基底、一發光二極體陣列、一第一絕緣層、一第一線路層、一第二絕緣層以及一第二線路層。所述晶圓基底具有一正面及一背面，所述發光二極體陣列設置於所述晶圓基底的所述正面上。所述發光二極體陣列包括多個發光二極體結構，其中位於同一行的多個所述發光二極體結構與多個所述第一溝槽在所述晶圓基底上交替排列，且位於同一列的多個所述發光二極體結構與多個所述第二溝槽在所述晶圓基底上交替排列，其中每一所述發光二極體結構由下往上包括一第一導電結構、一發光層及一第二導電結構。所述第一絕緣層填入於多個所述第一溝槽與多個所述第二溝槽內，其中所述第一絕緣層與多個所述發光二極體結構的所述第一導電結構在所述晶圓基底上構成一第一整平層；所述第一線路層設置於所述第一整平層上，以與多個所述發光二極體結構的所述第一導電結構電性連接。所述第二絕緣層覆蓋於所述第一線路層上，其中所述第二絕緣層與所述發光二極體結構的所述第二導電結構在所述晶圓基底上構成一第二整平層；所述第二線路層設置於所述第二整平層上，以與多個所述發光二極體結構的所述第二導電結構電性連接。
本發明的其中一有益效果在於，憑藉“先形成一第一絕緣層填入於多個發光二極體結構之間的多個溝槽（如橫向及縱向溝槽）內，以在晶圓基底上構成一第一整平層，再於第一整平層上布設形成一第一線路層”以及“先形成一第二絕緣層覆蓋於第一線路層上，以在晶圓基底上構成一第二整平層，再於第二整平層上布設形成一第二線路層”的技術特徵，本發明的晶圓級全彩顯示裝置的製造方法可以消除發光二極體結構自身的結構段差以及發光二極體結構與底部晶圓基底之間的高低差，避免因為爬坡問題造成的線路斷線，從而提高產品（所製成的晶圓級全彩顯示裝置）的良率和可靠度。
更進一步來說，本發明的晶圓級全彩顯示裝置的製造方法可以選擇第一線路層或第二線路層的線路（連接第一導電結構或第二導電結構的線路）來作為訊號線，因此在線路的設計配置上更加靈活。另外，本發明的晶圓級全彩顯示裝置的製造方法省略了多個發光二極體結構的轉移步驟，而這有利於降低生產成本和提高生產效率。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“晶圓級全彩顯示裝置及其製造方法”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不背離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
請參閱圖1，顯示根據本發明實施例的晶圓級全彩顯示裝置的製造方法的流程步驟。如圖1所示，本發明的晶圓級全彩顯示裝置的製造方法至少包括下列幾個步驟：步驟S100，提供一晶圓基底；步驟S101，在晶圓基底的正面上形成排成陣列的多個發光二極體結構；步驟S102，形成一第一絕緣層填入於多個發光二極體結構之間的多個溝槽內，以在晶圓基底上構成一第一整平層；步驟S103，在第一整平層上布設形成一第一線路層；步驟S104，形成一第二絕緣層覆蓋於第一線路層上，以在晶圓基底上構成一第二整平層；步驟S105，在第二整平層上布設形成一第二線路層。
請配合參閱圖2所示，在步驟S100中，晶圓基底1可採用藍寶石晶圓基底、矽晶圓基底、碳化矽晶圓基底或氮化鎵系晶圓基底，以作為磊晶基底，但本發明不受限於上述所舉例子。晶圓基底1可具有一顯示區域及一外圍區域（除了顯示區域以外的區域），顯示區域可以是像素元件的設置區域，外圍區域可以是驅動部件的設置區域，且外圍區域可圍繞顯示區域。
在步驟S101中，是先在晶圓基底1的正面101上成長一磊晶結構，再將磊晶結構圖案化而形成一發光二極體陣列2；磊晶結構可通過有機金屬氣相沉積法（metal organic chemical vapor deposition, MOCVD）或分子束磊晶法（molecular beam epitaxy, MBE）來形成，而磊晶結構的圖案化可通過曝光、顯影、蝕刻等步驟來實現，但本發明不受限於上述所舉例子。
進一步地說，發光二極體陣列2包括多個發光二極體結構21，每一發光二極體結構21由下往上可包括一第一導電結構211、一發光層212及一第二導電結構213。在發光二極體陣列2中，位於同一行的多個發光二極體結構21與多個第一溝槽T1（如橫向溝槽）在晶圓基底1上呈交替排列，且位於同一列的多個發光二極體結構21與多個第二溝槽T2（如縱向溝槽）在晶圓基底1上呈交替排列；也就是說，任兩個相鄰的發光二極體結構21通過第一溝槽T1或第二溝槽T2相分隔。
請配合參閱圖3及圖4所示，實際應用時，第一導電結構211可以是一第一導電型半導體層如基於氮化鎵的N型半導體層；或者，除了第一導電型半導體層2111之外，第一導電結構211還可包括一形成於第一導電型半導體層2111上的第一電極2112。發光層212可以是基於量子井結構的發光層。第二導電結構213可包括一第二導電型半導體層2131（如基於氮化鎵的P型半導體層）及一形成於第二導電型半導體層2131上的透明導電層2132（如銦錫氧化物透明導電層）；或者，除了第二導電型半導體層2131與透明導電層2132之外，第二導電結構213還可包括一形成於透明導電層2132上的第二電極2133。然而，本發明不受限於上述所舉例子。根據實際需要，在進行成長磊晶結構之前，可以先在晶圓基底1的正面101上形成一基於氮化鋁或氮化鎵的緩衝層，以增加晶格匹配的程度。
請配合參閱圖5及圖7所示，在步驟S102中，第一絕緣層3可被填入於第一溝槽T1與第二溝槽T2內直到其高度與多個發光二極體結構21的第一導電結構211基本上等高，即第一絕緣層3的表面與多個發光二極體結構21的第一導電結構211的表面平齊共面或大致平齊，但本發明不受限於此。根據不同的製程能力，第一絕緣層3也可被填入於第一溝槽T1與第二溝槽T2內直到其高度超出多個發光二極體結構21的第一導電結構211的高度，然後再將超出的部分移除。
值得一提的是，第一絕緣層3既可以使多個發光二極體結構21之間保持良好的隔離，又可以將多個發光二極體結構21與底部晶圓基底1之間的高低差彌平。也就是說，多個發光二極體結構21的第一導電結構211與第一絕緣層3可以在晶圓基底1上共同構成一基本上平坦（表面幾乎沒有高低差或表面的高低差很小）的第一整平層L1，如圖7所示，以免去線路的爬坡，使線路斷線的機率大幅降低。實際應用時，第一絕緣層3可採用光阻或其他高分子材料（如氧化矽或氮化矽）形成，且較佳為光阻，但本發明不受限於上述所舉例子。
在一些實施例中，多個發光二極體結構21的第一導電結構211不包括第一電極2112，而第一絕緣層3的高度與第一導電結構211的第一導電型半導體層2111基本上等高，即第一絕緣層3的表面與第一導電結構211的第一導電型半導體層2111的表面平齊共面或大致平齊。在一些實施例中，多個發光二極體結構21的第一導電結構211包括有第一電極2112，而第一絕緣層3的高度與第一導電結構211的第一電極2112基本上等高，即第一絕緣層3的表面與第一導電結構211的第一電極2112的表面平齊共面或大致平齊。
請配合參閱圖6及圖7所示，在步驟S103中，第一線路層4包括多個第一導線41，且在發光二極體陣列2中，每一行或每一列的多個發光二極體結構21的第一導電結構211可與其中一個第一導線41電性連接。值得一提的是，本發明的製造方法可以在進行成長磊晶結構形成發光二極體陣列2之前，先形成一外圍電極層8於晶圓基底1的正面101上且位於外圍區域內，然後再於形成第一線路層4時，使發光二極體陣列2通過第一線路層4與外圍電極層8電性連接，即將多個第一導線41連接至外圍電極層8，其中多個第一導線41可經配置以作為掃描線或訊號線，具體說明如后。
請再配合參閱圖11至圖13所示，在本發明中，第一線路層4可形成為以共陰或共陽的連線方式來驅動發光二極體陣列2，其中多個第一導線41在晶圓基底1上的正投影與多個發光二極體結構21在晶圓基底1上的正投影，可以有部分重疊或互不重疊。在一些實施例中，如圖6及圖12所示，每一第一導線41可以走在對應的其中一行的多個發光二極體結構21的第一導電結構211上方並與其電性連接。在另一些實施例中，如圖11及圖13所示，第一線路層4還包括多個第一引線42連接於多個發光二極體結構21與多個第一導線41之間，其中多個第一導線41可以走在第一絕緣層3上方並與多個第二溝槽T2的位置上下相對應，且每一發光二極體結構21的第一導電結構211通過對應的一個第一引線42與對應的一個第一導線41電性連接。然而，以上所述只是可行的實施方式，而非用以限制本發明。
請配合參閱圖8及圖9所示，在步驟S104中，第二絕緣層5可被覆蓋於第一線路層4上直到其高度與多個發光二極體結構21的第二導電結構213基本上等高，即第二絕緣層5的表面與多個發光二極體結構21的第二導電結構213的表面平齊共面或大致平齊，但本發明不受限於此。根據不同的製程能力，第二絕緣層5也可被覆蓋於第一線路層4上直到其高度超出多個發光二極體結構21的第二導電結構213的高度，然後再將超出的部分移除。
值得一提的是，第二絕緣層5可以將發光二極體結構21自身的結構段差（第一導電結構211與第二導電結構213之間的段差）彌平。也就是說，多個發光二極體結構21的第二導電結構213與第二絕緣層5可以在晶圓基底1上共同構成一基本上平坦（表面幾乎沒有高低差或表面的高低差很小）的第二整平層L2，如圖9所示，以免去線路的爬坡，使線路斷線的機率大幅降低。實際應用時，第二絕緣層5可採用光阻或其他高分子材料（如氧化矽或氮化矽）形成，且較佳為光阻，但本發明不受限於上述所舉例子。
在一些實施例中，多個發光二極體結構21的第二導電結構213不包括第二電極2133，而第二絕緣層5的高度與第二導電結構213的透明導電層2132基本上等高，即第二絕緣層5的表面與第二導電結構213的透明導電層2132的表面平齊共面或大致平齊。在一些實施例中，多個發光二極體結構21的第二導電結構213包括有第二電極2133，而第二絕緣層5的高度與第二導電結構213的第二電極2133基本上等高，即第二絕緣層5的表面與第二導電結構213的第二電極2133的表面平齊共面或大致平齊。
在步驟S105中，第二線路層6包括多個第二導線61，且在發光二極體陣列2中，每一行或每一列的多個發光二極體結構21的第二導電結構213可與其中一個第二導線61電性連接。值得一提的是，在形成第二線路層6時，可使發光二極體陣列2通過第二線路層6與外圍電極層8電性連接，即將多個第二導線61連接至外圍電極層8，其中多個第二導線61可經配置以作為掃描線或訊號線，具體說明如后。
請再配合參閱圖11至圖13所示，在本發明中，第二線路層6可形成為以共陰或共陽的連線方式來驅動發光二極體陣列2，其中多個第二導線61在晶圓基底1上的正投影與多個發光二極體結構21在晶圓基底1上的正投影，可以有部分重疊或互不重疊。進一步地說，當每一第一導線41皆走在排成一行的多個發光二極體結構21的第一導電結構211上方時，多個第二導線61可採用以下分布方式：每一第二導線61走在對應的其中一列的多個發光二極體結構21的第二導電結構213上方並與其電性連接，如圖8所示；或者，第二線路層6還可包括多個第二引線62，而多個第二導線61走在第二絕緣層5上方並與多個第二溝槽T2的位置上下相對應，且每一發光二極體結構21的第二導電結構213通過對應的一個第二引線62與對應的一個第二導線61電性連接，如圖12所示。
另外，當多個第一導線41走在第一絕緣層3上方並與多個第二溝槽T2的位置上下相對應時，多個第二導線61可採用以下分布方式：每一第二導線61走在對應的其中一行的多個發光二極體結構21的第二導電結構213上方並與其電性連接，如圖11所示；或者，第二線路層6還可包括多個第二引線62，而多個第二導線61走在第二絕緣層5上方並與多個第一溝槽T1的位置上下相對應，且每一發光二極體結構21的第二導電結構213通過對應的一個第二引線62與對應的一個第二導線61電性連接，如圖13所示。然而，以上所述只是可行的實施方式，而非用以限制本發明。
請參閱圖14及圖15所示，值得一提的是，本發明的製造方法可以將外圍電極層8形成於晶圓基底1的背面102上且位於顯示區域內，並形成多個貫穿晶圓基底1的正面101與背面102的導通孔11，然後再於形成第一線路層4時，使發光二極體陣列2通過多個第一導線41以及其中一部分的導通孔11與外圍電極層8電性連接，以及於形成第二線路層6時，使發光二極體陣列2通過多個第二導線61以及另外一部分的導通孔11與外圍電極層8電性連接。這樣一來，可以大幅縮小甚至消除顯示屏間的拼接縫，達到大尺寸無接縫的顯示效果。實際應用時，導通孔11可進一步貫穿第一絕緣層3，或貫穿第一絕緣層3與第二絕緣層5。然而，以上所述只是可行的實施方式，而非用以限制本發明。
請復參閱圖1，並配合圖10所示，本發明的晶圓級全彩顯示裝置的製造方法還可以包括步驟S106，在第二整平層上形成一顏色轉換層，以覆蓋多個發光二極體結構。進一步地說，顏色轉換層7可包括多個顏色轉換器件7a，且每一顏色轉換器件7a包括一紅色轉換片71、一綠色轉換片72及一無色透光片73。另外，在發光二極體陣列2中，可由位於同一行或同一列的三個相鄰的發光二極體結構21組成一像素單元P；顏色轉換層7的多個顏色轉換器件7a與多個像素單元P上下相對應設置，其中每一顏色轉換器件7a的紅色轉換片71、綠色轉換片72與無色透光片73分別覆蓋在對應的像素單元P的三個發光二極體結構21上。實際應用時，發光二極體結構21可發出藍光；紅色轉換片71可包含紅色螢光粉、紅色量子點或其他可將藍光轉換成紅光的波長轉換物質，綠色轉換片72可包含綠色螢光粉、綠色量子點或其他可將藍光轉換成綠光的波長轉換物質。然而，本發明不受限於上述所舉例子。
本發明的製造方法所製成的晶圓級全彩顯示裝置，可包括一晶圓基底1、一發光二極體陣列2、一第一絕緣層3、一第一線路層4、一第二絕緣層5及一第二線路層6。如圖7、圖9及圖10所示，晶圓基底1具有一正面101及一背面102，發光二極體陣列2設置於晶圓基底1的正面101上。發光二極體陣列2包括多個發光二極體結構21，每一發光二極體結構21由下往上包括一第一導電結構211、一發光層212及一第二導電結構213；另外，位於同一行的多個發光二極體結構21與多個第一溝槽T1在晶圓基底1上呈交替排列，且位於同一列的多個發光二極體結構21與多個第二溝槽T2在晶圓基底1上呈交替排列。第一絕緣層3填入於多個第一溝槽T1與多個第二溝槽T2內，其中第一絕緣層3與多個發光二極體結構21的第一導電結構211在晶圓基底1上構成一第一整平層L1；第一線路層4設置於第一整平層L1上，以與多個發光二極體結構21的第一導電結構211電性連接。第二絕緣層覆5蓋於第一線路層4上，其中第二絕緣層5與發光二極體結構21的第二導電結構213在晶圓基底1上構成一第二整平層L2；第二線路層6設置於第二整平層L2上，以與多個發光二極體結構21的第二導電結構213電性連接。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於，憑藉“先形成一第一絕緣層填入於多個發光二極體結構之間的多個溝槽（如橫向及縱向溝槽）內，以在晶圓基底上構成一第一整平層，再於第一整平層上布設形成一第一線路層”以及“先形成一第二絕緣層覆蓋於第一線路層上，以在晶圓基底上構成一第二整平層，再於第二整平層上布設形成一第二線路層”的技術特徵，本發明的晶圓級全彩顯示裝置的製造方法可以消除發光二極體結構自身的結構段差以及發光二極體結構與底部晶圓基底之間的高低差，避免因為爬坡問題造成的線路斷線，從而提高產品（所製成的晶圓級全彩顯示裝置）的良率和可靠度。
更進一步來說，本發明的晶圓級全彩顯示裝置的製造方法可以選擇第一線路層或第二線路層的線路（連接第一導電結構或第二導電結構的線路）來作為訊號線，因此在線路的設計配置上更加靈活。另外，本發明的晶圓級全彩顯示裝置的製造方法省略了多個發光二極體結構的轉移步驟，而這有利於降低生產成本和提高生產效率。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。
1:晶圓基底
11:導通孔
101:正面
102:背面
2:發光二極體陣列
21:發光二極體結構
211:第一導電結構
2111:第一導電型半導體層
2112:第一電極
212:發光層
213:第二導電結構
2131:第二導電型半導體層
2132:透明導電層
2133:第二電極
3:第一絕緣層
4:第一線路層
41:第一導線
42:第一引線
5:第二絕緣層
6:第二線路層
61:第二導線
62:第二引線
7:顏色轉換層
7a:顏色轉換器件
71:紅色轉換片
72:綠色轉換片
73:無色透光片
8:外圍電極層
L1:第一整平層
L2:第二整平層
T1:第一溝槽
T2:第二溝槽
P:像素單元
S100、S101、S102、S103、S104、S105、S106:製程步驟
圖1為本發明的晶圓級全彩顯示裝置的製造方法的流程圖。
圖2為對應本發明的晶圓級全彩顯示裝置的製造方法的步驟S100及步驟S101的製程示意圖。
圖3為本發明的晶圓級全彩顯示裝置的製造方法的步驟S101中形成的發光二極體結構的其中一示意圖。
圖4為本發明的晶圓級全彩顯示裝置的製造方法的步驟S101中形成的發光二極體結構的另外一示意圖。
圖5為對應本發明的晶圓級全彩顯示裝置的製造方法的步驟S102的製程示意圖。
圖6為對應本發明的晶圓級全彩顯示裝置的製造方法的步驟S103的製程示意圖。
圖7為根據圖6的線VII-VII剖面的剖面示意圖。
圖8為對應本發明的晶圓級全彩顯示裝置的製造方法的步驟S104及步驟S105的製程示意圖。
圖9為根據圖8的線IX-IX的剖面示意圖。
圖10為對應本發明的晶圓級全彩顯示裝置的製造方法的步驟S106的製程示意圖。
圖11至圖14為根據本發明的晶圓級全彩顯示裝置的製造方法的發光二極體陣列的連線方式示意圖。
圖15為根據圖14的線XV-XV的剖面示意圖。
S100、S101、S102、S103、S104、S105、S106:製程步驟
Claims (20)
- 一種晶圓級全彩顯示裝置的製造方法，其包括： 提供一晶圓基底，所述晶圓基底具有一正面及一背面； 在所述晶圓基底的所述正面上形成一發光二極體陣列，所述發光二極體陣列包括多個發光二極體結構，其中位於同一行的多個所述發光二極體結構與多個第一溝槽在所述晶圓基底上交替排列，且位於同一列的多個所述發光二極體結構與多個第二溝槽在所述晶圓基底上交替排列，其中每一所述發光二極體結構由下往上包括一第一導電結構、一發光層及一第二導電結構； 在多個所述第一溝槽與多個所述第二溝槽內填入一第一絕緣層，使得多個所述發光二極體結構的所述第一導電結構與所述第一絕緣層在所述晶圓基底上構成一第一整平層； 在所述第一整平層上形成一第一線路層，所述第一線路層與多個所述發光二極體結構的所述第一導電結構第一導電結構電性連接； 在所述第一線路層上覆蓋一第二絕緣層，使得多個所述發光二極體結構的所述第二導電結構第二導電結構與所述第二絕緣層在所述晶圓基底上構成一第二整平層；以及 在所述第二整平層上形成一第二線路層，所述第二線路層與多個所述發光二極體結構的所述第二導電結構第二導電結構電性連接。
- 如請求項1所述的晶圓級全彩顯示裝置的製造方法，其中，所述第一線路層包括多個第一導線，且每一所述第一導線走在對應的其中一行的多個所述發光二極體結構的所述第一導電結構上方；所述第二線路層包括多個第二導線，且每一所述第二導線走在對應的其中一列的多個所述發光二極體結構的所述第二導電結構上方。
- 如請求項1所述的晶圓級全彩顯示裝置的製造方法，其中，所述第一線路層包括多個第一導線及多個第一引線，多個所述第一導線與多個所述第二溝槽的位置上下相對應，且每一所述發光二極體結構的所述第一導電結構通過對應的一個所述第一引線與對應的一個所述第一導線電性連接；所述第二線路層包括多個第二導線，且每一所述第二導線走在對應的其中一行的多個所述發光二極體結構的所述第二導電結構上方。
- 如請求項1所述的晶圓級全彩顯示裝置的製造方法，其中，所述第一線路層包括多個第一導線，且每一所述第一導線走在對應的其中一行的多個所述發光二極體結構的所述第一導電結構上方；所述第二線路層包括多個第二導線及多個第二引線，多個所述第二導線與多個所述第二溝槽的位置上下相對應，且每一所述發光二極體結構的所述第二導電結構通過對應的一個所述第二引線與對應的一個所述第二導線電性連接。
- 如請求項1所述的晶圓級全彩顯示裝置的製造方法，其中，所述第一線路層包括多個第一導線及多個第一引線，多個所述第一導線與多個所述第二溝槽的位置上下相對應，且每一所述發光二極體結構的所述第一導電結構通過對應的一個所述第一引線與對應的一個所述第一導線電性連接；所述第二線路層包括多個第二導線及多個第二引線，多個所述第二導線與多個所述第一溝槽的位置上下相對應，且每一所述發光二極體結構的所述第二導電結構通過對應的一個所述第二引線與對應的一個所述第二導線電性連接。
- 如請求項2至5中任一項所述的晶圓級全彩顯示裝置的製造方法，其中，在提供所述晶圓基底的步驟中，還包括：在所述晶圓基底的所述正面上形成一外圍電極層；所述晶圓基底具有一顯示區域及一圍繞所述顯示區域的外圍區域，所述發光二極體陣列形成於所述顯示區域內，所述外圍電極層形成於所述外圍區域內，且通過所述第一線路層及所述第二線路層與所述發光二極體陣列電性連接。
- 如請求項6所述的晶圓級全彩顯示裝置的製造方法，其中，在所述第一整平層上形成所述第一線路層的步驟中，多個所述第一導線連接至所述外圍電極層；在所述第二整平層上形成所述第二線路層的步驟中，多個所述第二導線連接至所述外圍電極層。
- 如請求項2至5中任一項所述的晶圓級全彩顯示裝置的製造方法，其中，在提供所述晶圓基底的步驟中，還包括：在所述晶圓基底上形成多個貫穿所述正面與所述背面的導通孔，並在所述晶圓基底的所述背面上形成一外圍電極層；在所述第一整平層上形成所述第一線路層的步驟中，多個所述第一導線通過多個所述導通孔的其中一部分與所述外圍電極層電性連接；在所述第二整平層上形成所述第二線路層的步驟中，多個所述第二導線通過多個所述導通孔的另外一部分與所述外圍電極層電性連接。
- 如請求項1中任一項所述的晶圓級全彩顯示裝置的製造方法，還包括：在所述第二整平層上形成一顏色轉換層，以覆蓋多個所述發光二極體結構的所述第二導電結構。
- 如請求項9所述的晶圓級全彩顯示裝置的製造方法，其中，位於同一行或同一列的三個相鄰的所述發光二極體結構組成一像素單元，且所述顏色轉換層的多個顏色轉換器件中的每一個內具有一紅色轉換片、一綠色轉換片及一無色透光片，它們分別覆蓋在對應的所述像素單元的三個所述發光二極體結構上。
- 一種晶圓級全彩顯示裝置，其包括： 一晶圓基底，所述晶圓基底具有一正面及一背面； 一發光二極體陣列，設置於所述晶圓基底的所述正面上，所述發光二極體陣列包括多個發光二極體結構，其中位於同一行的多個所述發光二極體結構與多個所述第一溝槽在所述晶圓基底上交替排列，且位於同一列的多個所述發光二極體結構與多個所述第二溝槽在所述晶圓基底上交替排列，其中每一所述發光二極體結構由下往上包括一第一導電結構、一發光層及一第二導電結構； 一第一絕緣層，填入於多個所述第一溝槽與多個所述第二溝槽內，其中所述第一絕緣層與多個所述發光二極體結構的所述第一導電結構在所述晶圓基底上構成一第一整平層； 一第一線路層，設置於所述第一整平層上，以與多個所述發光二極體結構的所述第一導電結構電性連接； 一第二絕緣層，覆蓋於所述第一線路層上，其中所述第二絕緣層與所述發光二極體結構的所述第二導電結構在所述晶圓基底上構成一第二整平層；以及 一第二線路層，設置於所述第二整平層上，以與多個所述發光二極體結構的所述第二導電結構電性連接。
- 如請求項11所述的晶圓級全彩顯示裝置，其中，所述第一線路層包括多個第一導線，且每一所述第一導線走在對應的其中一行的多個所述發光二極體結構的所述第一導電結構上方；所述第二線路層包括多個第二導線，且每一所述第二導線走在對應的其中一列的多個所述發光二極體結構的所述第二導電結構上方。
- 如請求項11所述的晶圓級全彩顯示裝置，其中，所述第一線路層包括多個第一導線及多個第一引線，多個所述第一導線與多個所述第二溝槽的位置相對應，且每一所述發光二極體結構的所述第一導電結構通過對應的一個所述第一引線與對應的一個所述第一導線電性連接；所述第二線路層包括多個第二導線，且每一所述第二導線走在對應的其中一行的多個所述發光二極體結構的所述第二導電結構上方。
- 如請求項11所述的晶圓級全彩顯示裝置，其中，所述第一線路層包括多個第一導線，且每一所述第一導線走在對應的其中一行的多個所述發光二極體結構的所述第一導電結構上方；所述第二線路層包括多個第二導線及多個第二引線，多個所述第二導線與多個所述第二溝槽的位置相對應，且每一所述發光二極體結構的所述第二導電結構通過對應的一個所述第二引線與對應的一個所述第二導線電性連接。
- 如請求項11所述的晶圓級全彩顯示裝置，其中，所述第一線路層包括多個第一導線及多個第一引線，多個所述第一導線與多個所述第二溝槽的位置相對應，且每一所述發光二極體結構的所述第一導電結構通過對應的一個所述第一引線與對應的一個所述第一導線電性連接；所述第二線路層包括多個第二導線及多個第二引線，多個所述第二導線與多個所述第一溝槽的位置相對應，且每一所述發光二極體結構的所述第二導電結構通過對應的一個所述第二引線與對應的一個所述第二導線電性連接。
- 如請求項12至15中任一項所述的晶圓級全彩顯示裝置，還包括一外圍電極層，所述外圍電極層設置於所述晶圓基底的所述正面上；所述晶圓基底具有一顯示區域及一圍繞所述顯示區域的外圍區域，所述發光二極體陣列設置於所述顯示區域內，所述外圍電極層設置於所述外圍區域內，且通過所述第一線路層及所述第二線路層與所述發光二極體陣列電性連接。
- 如請求項16所述的晶圓級全彩顯示裝置，其中，多個所述第一導線與多個所述第二導線連接至所述外圍電極層。
- 如請求項12至15中任一項所述的晶圓級全彩顯示裝置，還包括一外圍電極層，所述外圍電極層設置於所述晶圓基底的所述背面上，且所述晶圓基底具有多個貫穿所述正面與所述背面的導通孔；多個所述第一導線通過多個所述導通孔的其中一部分與所述外圍電極層電性連接，且多個所述第二導線通過多個所述導通孔的另外一部分與所述外圍電極層電性連接。
- 如請求項11中任一項所述的晶圓級全彩顯示裝置，還包括一顏色轉換層，所述顏色轉換層設置於所述第二整平層上，以覆蓋多個所述發光二極體結構的所述第二導電結構。
- 如請求項19所述的晶圓級全彩顯示裝置，其中，位於同一行或同一列的三個相鄰的所述發光二極體結構組成一像素單元，且所述顏色轉換層的多個顏色轉換器件中的每一個內具有一紅色轉換片、一綠色轉換片及一無色透光片，它們分別覆蓋在對應的所述像素單元的三個所述發光二極體結構上。
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