TW202402664A - 於具有溝之基板上製造氮化矽質膜的方法 - Google Patents

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Abstract

一種在具有溝之基板上製造氮化矽質膜的方法，其係包含以下步驟：(a)於具有溝的基板上應用氮化矽質組成物，形成組成物層；(b)對該組成物層照射波長200~229nm之光；及(c)在非氧化環境中加熱該基板；其中該氮化矽質膜對波長633nm的光之折射率為1.70~2.40。

Description

於具有溝之基板上製造氮化矽質膜的方法
本發明係關於在具有溝之基板上製造氮化矽質膜的方法。
氮化矽膜於電子裝置，特別是半導體裝置之製造中，通常被使用作為電介質膜或犠牲膜。歷來氮化矽質膜係藉由CVD(化學氣相沉積)法或ALD(原子層沉積)法形成。 於電子裝置的領域中，裝置規格正逐漸細微化，而需要在更細微的溝結構上形成氮化矽膜。隨著細微化的推進，於形成膜時發生的缺陷變多，而產生電子裝置製造效率降低之問題。特別是成膜時發生的接縫缺陷(以下稱為隙縫)與空洞缺陷成為問題。
因此，提案使用含有矽的聚合物之液體組成物來形成氮化矽膜。例如提案有一種形成氮化矽應力層之方法，其係使用含有聚矽氮烷的液體組成物來填補溝，再藉由在氮環境下以高溫加熱來形成(專利文獻1)。 [先前技術文獻] 專利文獻
專利文獻1　US 2009/0289284 A1
[本發明所欲解決之課題]
本發明人對於在具有溝的基板上氮化矽質膜之製造方法，認為還存在1個以上需要改進之課題。它們例如可舉出以下例子： 於形成氮化矽質膜時發生隙縫與空洞等缺陷；於溝的底部之氮化矽質膜的緻密性低；氮化矽質膜的耐化學性低；無法有效率地填補深寬比高的溝；氮化矽質膜的膜質尚有改善空間；裝置的製造效率低。 [用於解決課題之手段]
本發明的於具有溝的基板上氮化矽質膜之製造方法係包含以下步驟： (a)於具有溝的基板上應用氮化矽質組成物，形成組成物層； (b)對該組成物層照射波長200~229nm之光；及 (c)在非氧化環境中加熱該基板， 其中，該氮化矽質膜對波長633nm的光之折射率為1.70~2.40。
本發明之電子裝置之製造方法係包含上述方法。 [發明效果]
依據本發明，能有以下1種或複數種效果。 能在形成氮化矽質膜時抑制缺陷發生；氮化矽質膜即使在溝的底部也有高緻密性；氮化矽質膜的耐化學性高；能有效率地填補深寬比高的溝；使氮化矽質膜的膜質變好；裝置的製造效率高。
[用於實施發明之形態]
[定義] 本說明書中只要沒有特別限定說明，則皆遵循本段落記載之定義與範例。 單數形係包含複數形，「1個」或「那個」係意指「至少1個」。一個概念的要素能用複數個種類來表現，於記載其量(例如質量%或莫耳%)之情形，其量係意指那些複數個種類的和。 「及/或」係包含要素的全部組合，也包含單獨使用。 於使用「~」或「-」來表示數值範圍之情形，其係包含兩邊端點，單位為共通的。例如：5~25莫耳%係意指5莫耳%以上25莫耳%以下。 烷基係意指從直鏈狀、分支鏈狀或環狀飽和烴去除任意一個氫而成的基，包含直鏈狀烷基、分支鏈狀烷基及環狀烷基，視需要於環狀結構上包含直鏈狀或分支鏈狀烷基作為側鏈。芳基係意指從芳香族烴去除任意一個氫而成之基。 「C x -y」、「C x~C y」及「C x」等描述，係意指分子或取代基中的碳的數量。例如：C 1-6烷基係意指具有1個以上6個以下碳之烷基鏈(甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等)。 於聚合物具有複數種重複單元之情形，這些重複單元係共聚合。這些共聚合為交替共聚合、隨機共聚合、嵌段共聚合、接枝共聚合、或其混合中的哪一種都可以。在以結構式來表示聚合物或樹脂時，一起寫在括弧內的n與m等係表示重複數。 溫度的單位係使用攝氏(Celsius)。例如20度係意指攝氏20度。 波長係意指光的發光強度最大之峰值波長。 添加劑係指具有該功能的化合物本身(例如若是氯產生劑，即是產生氯的化合物本身)。該化合物係溶解或分散於溶劑中，也可以是添加於組成物中之形態。作為本發明一形態，此種溶劑較佳係作為溶劑或其它成分包含在本發明之組成物中。
以下，對本發明之實施形態作詳細說明。
＜氮化矽質膜之製造方法＞ 本發明的於具有溝的基板上製造氮化矽質膜之方法係包含以下步驟。 (a)於具有溝的基板上應用氮化矽質組成物，形成組成物層； (b)對該組成物層照射波長200~229nm之光；及 (c)在非氧化環境中加熱該基板。
步驟(a) 步驟(a)係於具有溝的基板上應用氮化矽質組成物，形成組成物層之步驟。 本發明中之基板可為單一層，也可為積層體。溝的形狀沒有特別限定，本發明因有即使是在狹窄的溝部等也容易浸透，在溝的内部也能形成均勻的氮化矽質膜之特徵，所以較佳為具有深寬比高的溝部或孔之基板。此處溝的形狀沒有特別限定，橫截面為長方形、正錐形、倒錐形、曲面形等任何一種形狀均可。又，溝的兩端部分為開放或封閉均可。 溝的深度較佳為150~500nm，更佳為180~500nm。於本發明一形態中，藉由對於比500nm還深的溝進行過一次步驟(a)~(c)後，再次進行步驟(a)~(c)，也能形成氮化矽質膜。 溝的深度相對於溝的寬度之比，也就是深寬比，較佳為10~100，更佳為15~50。
作為具有溝的基板，可舉出例如：具備電晶體元件、位元線、電容等之電子裝置用基材。此種電子裝置之製作，係在被稱為PMD的電晶體元件與位元線之間、電晶體元件與電容器之間、位元線與電容器之間、或電容器與金屬配線之間形成絕緣膜，或在被稱為IMD的複數個金屬配線間形成絕緣膜，或填封隔離溝等步驟後，有包含將細微溝的填封材料形成上下貫通的孔之通孔形成步驟之情形。
氮化矽質組成物係被應用於基板的溝，而應用方法沒有特別限制，可舉出一般的塗布方法，例如：旋塗法、浸漬法、噴霧法、轉印法、狹縫塗布法等。 關於較佳的氮化矽質組成物容後詳述。 應用氮化矽質組成物並形成組成物層，此時，視需要能進行透過旋轉乾燥、減壓、預烤等來進行之乾燥步驟。 於一較佳形態中，係在步驟(b)前，進一步包含將形成有組成物層之基板以70~300℃，較佳以75~250℃加熱之步驟(預烤)。
步驟(b) 步驟(b)係對組成物層照射波長200~229nm的光之步驟。 照射光的波長較佳為200~226nm。本發明之較佳形態中，光的照射係使用發射出峰值波長222nm的紫外線之KrCl準分子燈。照度沒有特別限定，較佳為2~80mW/cm 2，更佳為4~50mW/cm 2。照射量較佳為4~100J/cm 2，更佳為7~80J/cm 2。 照射光時基板也可被加熱，較佳為200℃以下，更佳為100℃以下，再佳為沒有被加熱。 照射光時的環境沒有特別限定，較佳為非氧化環境。 藉由此步驟之光照射，產生聚合物彼此之縮合，被認為發生聚合物之高分子量化。
步驟(c) 步驟(c)係在非氧化環境中將經過光照射的基板加熱之步驟。 此步驟之加熱溫度較佳為400~1,200℃，更佳為400~1,100℃。加熱時間較佳為1分鐘~10小時，更佳為1~180分鐘。 加熱的環境為非氧化環境。非氧化環境係指氧濃度1%以下，且露點在-20℃以下之環境。較佳為N 2、Ar、He、Ne、H 2、或這些之中的2種以上之混合氣體環境，更佳為N 2環境。
於步驟(c)後組成物層變成氮化矽質膜。氮化矽質膜係指氮原子數相對於矽原子數的比(N/Si)在0.68~1.1，較佳為在0.70~1.0之包含氮原子及矽原子之膜，可包含碳、氫及氧等其它原子，也包含碳氮化矽質膜(siliconcarbonitrogenous film)。
氮化矽質膜對於波長633nm的光之折射率係在1.70~2.40，較佳為1.76~2.20，更佳為1.78~2.20。
依據本發明之方法，於溝上具有氮化矽質膜之基板係在溝整體上形成有均勻且緻密的氮化矽質膜。特別是即使在溝的底部也達成均勻且緻密的膜質。藉此，對藥劑的耐性提高，特別是對氫氟酸的耐性高。
本發明之電子裝置之製造方法係包含上述方法。電子裝置較佳為半導體裝置、太陽電池晶片、有機發光二極體、無機發光二極體，更佳為半導體裝置。
[氮化矽質組成物] 本發明中所使用的氮化矽質組成物(以下也稱為組成物)只要包含能形成氮化矽質膜之成分即沒有特別限定。 於25℃以毛細管黏度計測定氮化矽質組成物之黏度的情形，較佳為0.55~1.80mPa･s，更佳為0.55~1.70mPa･s，再佳為0.57~1.60mPa･s。
(含矽之聚合物) 本發明之組成物較佳為包含從聚矽氮烷、聚碳矽氮烷及它們的混合物中所選出的含矽之聚合物。
含矽之聚合物的質量平均分子量較佳為1,000~30,000，更佳為2,000~30,000，再佳為3,000~30,000。本發明中，質量平均分子量係以聚苯乙烯換算之重量平均分子量，能以聚苯乙烯為基準，藉由凝膠滲透層析法測定。對於其它聚合物也一樣。
為了防止低分子量成分之氣化、抑制填充細微的溝時之體積變化，含矽之聚合物的含量以越多越好，另一方面，為了優良的塗布性、即便是高深寬比的溝槽也能填好，因此較佳為低黏度。由於這些原因，以組成物的總質量為基準，含矽之聚合物的含量較佳為0.1~40質量%，更佳為0.2~30質量%。不受理論束縛，藉由在上述含矽之聚合物的含量範圍，能抑制形成於溝上的塗膜因加熱時收縮而造成溝底部的低密度化，且對於溝底部的氮化矽質膜之高緻密性為有效的。
(聚矽氮烷) 本發明中所使用的聚矽氮烷其結構沒有特別限定，係依照目的任意選擇。聚矽氮烷係具有Si-N鍵作為主要骨架，其為無機化合物或有機化合物中的任一種均可，可為直鏈狀、分支鏈狀、或部分具有環狀結構。
較佳為聚矽氮烷係包含20個以上，較佳為20~350個從包含以下式(1-i)~(1-vi)之群組中所選出的重複單元。此時，各重複單元較佳為不透過(1-i)~(1-vi)以外的重複單元，而是直接鍵結。 (式中，R 1a~R 1i係各自獨立，為氫、或C 1-4烷基)
再佳為本發明中所使用的聚矽氮烷係全氫聚矽氮烷(以下稱為PHPS)。PHPS係包含以Si-N鍵作為重複單元，且僅由Si、N、及H所構成的含矽之聚合物。此PHPS除了Si-N鍵，鍵結於Si及N上的元素全都是H，實質上不含其它元素，例如碳或氧。全氫聚矽氮烷的最簡單結構係具有下述重複單元之鏈狀結構。
PHPS只要是包含Si-N鍵作為重複單元，且僅由Si、N、及H所構成的含矽之聚合物，則其結構不限，可採用上述例示以外的各種結構。PHPS較佳為具有環狀結構或交聯結構，特別是交聯結構。
聚矽氮烷之質量平均分子量，從對溶劑的溶解性及反應性之觀點來看，較佳為1,000~30,000，更佳為2,000~25,000，再佳為3,000~20,000。
(聚碳矽氮烷) 本發明中所使用的聚碳矽氮烷，其結構沒有特別限制，能依照目的任意選擇。聚碳矽氮烷係具有C-Si-N結構作為主要骨架，較佳為包含以下式(2-i)所表示之重複單元及以式(2-ii)所表示之重複單元。 其中， R 2a、R 2b及R 2c係各自獨立，為單鍵、氫、或C 1-4烷基，較佳為單鍵或氫。 R 2d、R 2e及R 2f係各自獨立，為單鍵或氫。 其中，在R 2a、R 2b、R 2d及R 2e為單鍵之情形，其係鍵結至其它重複單元中所含的N上，在R 2c及R 2f為單鍵之情形，其係鍵結至其它重複單元中所含的Si上。 n及m係各自獨立，為1~3，較佳為1或2，更佳為1。 聚碳矽氮烷較佳為聚全氫碳矽氮烷。聚全氫碳矽氮烷係R 2a、R 2b及R 2c為單鍵或氫，且除了式(2-i)的(CH 2) n及(CH 2) m以外沒有烴基之聚合物。 聚碳矽氮烷的末端基較佳為-SiH 3。
本發明之聚碳矽氮烷較佳係實質上由以式(2-i)所表示之重複單元及以式(2-ii)所表示之重複單元所構成。本發明中，「實質上」係指聚碳矽氮烷中所包含的全部組成單元之中的95質量%以上係以式(2-i)所表示之重複單元及以式(2-ii)所表示之重複單元。再佳為聚碳矽氮烷係不含以式(2-i)所表示的重複單元及以式(2-ii)所表示的重複單元以外之重複單元。
本發明之聚碳矽氮烷的質量平均分子量較佳為1,000~25,000，更佳為2,000~20,000。
(溶劑) 本發明中所使用的組成物可包含溶劑。此溶劑係從使組成物中所包含的各成分均勻地溶解或分散之溶劑中所選出。具體來說，作為溶劑，可舉出例如：乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單丁醚等乙二醇單烷基醚類、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇二丙醚、二乙二醇二丁醚等二乙二醇二烷基醚類、乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯等乙二醇烷基醚乙酸酯類、丙二醇單甲醚(PGME)、丙二醇單乙醚等丙二醇單烷基醚類、丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丙醚乙酸酯等丙二醇烷基醚乙酸酯類、苯、甲苯、二甲苯、1,3,5-三甲苯等芳香族烴類、丙二醇二甲醚、二丙基醚、二丁基醚、苯甲醚等醚類、甲乙酮、丙酮、甲基戊基酮、甲基異丁基酮、環己酮等酮類、異丙醇、丙二醇等醇類、環辛烷、十氫化萘等脂環式烴類等。較佳為二甲苯、二丁基醚、丙二醇二甲醚。 這些溶劑可各自單獨的使用，或者也可將2種以上組合使用。以組成物的總質量為基準，溶劑的含量較佳為60~99.9質量%，更佳為70.0~99.8質量%。
本發明中所使用之組成物視需要可進一步組合任意成分。作為任意成分可舉出例如界面活性劑。在整個組成物中，除了溶劑以外之任意成分的含量，相對與整體的質量，較佳係在10質量%以下，更佳係在5質量%以下，再佳係在1質量%以下。於本發明一形態中，本發明中所使用之組成物係不含有含矽的聚合物及溶劑以外之成分。
[實施例] 以下，透過實施例說明本發明。這些實施例係用於說明，無意限制本案發明之範圍。
[合成例1：聚矽氮烷1之合成] 以乾燥氮氣對配備有冷凝管、機械攪拌器與溫度控制裝置之10L反應容器内部作取代後，將7,500ml的乾燥吡啶加入反應容器，冷卻至0℃。接下來，加入500g的二氯矽烷，產生白色固體狀的加成物(SiH 2Cl 2･2C 5H 5N))。確認反應混合物已降至0℃以下，一邊攪拌一邊對其慢慢地吹入350g的氨。接下來持續攪拌30分鐘後，對液層吹入乾燥氮氣30分鐘，去除過量的氨。在乾燥氮氣環境下，用Teflon(註冊商標)製的0.2μm濾紙對所得到的漿液狀產物進行加壓過濾，得到6,000ml的濾液。使用蒸發器將吡啶蒸餾去除，加入二丁基醚得到20.4質量%之聚矽氮烷1的二丁基醚溶液。使用Teflon製的0.05μm濾紙進行過濾，得到氮化矽質組成物。以凝膠滲透層析法(GPC)對所得到之聚矽氮烷1進行質量平均分子量(以下稱為Mw)測定，以聚苯乙烯換算為1,580。
GPC係使用allianceTM e2695型高速GPC系統(Nihon Waters K.K.製)及Super Multipore HZ-N型GPC管柱(Tosoh Corporation製)進行測定。測定係以單分散聚苯乙烯作為標準試樣，以氯仿作為展開劑，在流量0.6毫升/分鐘、管柱溫度40℃之測定條件下進行後，算出質量平均分子量作為相對於標準試樣之相對分子量。 對以下的Mw也施用相同測定方法。
[中間體(A)之合成] 以乾燥氮氣對配備有冷凝管、機械攪拌器與溫度控制裝置之10L反應容器内部作取代後，將7,500ml的乾燥吡啶加入反應容器，冷卻至-3℃。接下來，加入500g的二氯矽烷，產生白色固體狀的加成物(SiH 2Cl 2･2C 5H 5N))。確認反應混合物已降至-3℃以下，一邊攪拌一邊對其慢慢地吹入350g的氨。接下來持續攪拌30分鐘後，對液層吹入乾燥氮氣30分鐘，去除過量的氨。在乾燥氮氣環境下，用Teflon製的0.2μm濾紙對所得到的漿液狀產物進行加壓過濾，得到6,000ml的濾液。使用蒸發器將吡啶蒸餾去除，加入二甲苯得到39.8質量%之聚矽氮烷的二甲苯溶液。所得到的聚矽氮烷之Mw為1,220。以下，將用此配方所得到之聚矽氮烷稱為中間體(A)。
[合成例2：聚矽氮烷2之合成] 以乾燥氮氣對配備有冷凝管、機械攪拌器與溫度控制裝置之10L反應容器内部作取代後，將4700g的乾燥吡啶、150g的乾燥二甲苯與1650g的上述得到之39.8質量%的中間體(A)加入反應容器，一邊以氮氣0.5NL/min進行鼓泡，一邊均勻攪拌。接下來以100℃進行10.5小時改質反應，得到聚矽氮烷2。聚矽氮烷2的Mw為3,200。將二甲苯蒸餾去除後，加入二丁基醚得到19.8質量%的聚矽氮烷2之二丁基醚溶液。用Teflon製的0.05μm濾紙進行過濾，得到氮化矽質組成物。以二甲苯的芳香族環氫為基準，SiH 2及SiH 1的合計量之相對值(R(SiH 1,2))為0.245，以二甲苯的芳香族環氫為基準，NH的量的相對值(R(NH))為0.058。
[合成例3：聚矽氮烷3之合成] 相對於合成例2，將改質反應的條件變更為110℃、10.5小時，進行合成，得到19.2質量%之聚矽氮烷3的二丁基醚溶液。用Teflon製的0.05μm濾紙進行過濾，得到氮化矽質組成物。聚矽氮烷3的Mw為8,600，R(SiH 1,2)為0.198，R(NH)為0.043。
[合成例4：聚碳矽氮烷之合成] 以乾燥氮氣對配備有冷凝管、機械攪拌器與溫度控制裝置之1L反應容器内部作取代後，將500ml的乾燥吡啶加入反應容器，冷卻至-3℃。接下來，加入12.3g的二氯矽烷與2.75g的1,1,3,3-四氯-1,3-二矽代環丁烷。確認反應混合物已降至0℃以下，一邊攪拌一邊對其緩緩吹入11.3g的氨。接下來持續30分鐘後，對液層吹入乾燥氮氣30分鐘，去除過量的氨。用Teflon製的0.2μm濾紙對所得到的漿液狀產物進行加壓過濾，得到400ml的濾液。將濾液的吡啶蒸餾去除後，加入二甲苯得到19.2質量%之聚碳矽氮烷的二甲苯溶液。用Teflon製的0.05μm濾紙進行過濾，得到氮化矽質組成物。聚碳矽氮烷的Mw為5,400。
[實施例1] 將在合成例1所得到之聚矽氮烷1的氮化矽質組成物滴在形成有圖案(寬度20nm、長度2mm及深度500nm的溝)之矽晶圓(8吋)上，以1000rpm的旋轉速度旋塗，形成塗膜。以80℃/N 2/3分鐘之條件用加熱板預烤，使塗膜乾燥。使用準分子222nm照射元件MEUTA-1-200-222-M(M.D.COM inc)，照射30分鐘222nm、照度50mW/cm 2之光。以450℃/N 2/60分鐘之條件對照射膜進行退火，得到氮化矽質膜。由在傅立葉轉換紅外光譜在820cm -1辨識到峰值、從拉賽福後散射分析得到N/Si比為0.78、以及折射率為1.78，可知所得到的膜為氮化矽質膜。 在溝底部對氫氟酸的耐性評量中，沒辨識出隙縫或空洞。
[實施例2-6及比較例1、2] 除了如表1-1及1-2之記載變更所使用之氮化矽質組成物、照射光之波長、及退火條件以外，進行與實施例1相同的操作，得到氮化矽質膜。評量結果彙整於表1-1及1-2。 表1-1
表1-1 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4
氮化矽質組成物 聚矽氮烷1 含有氮化矽質組成物 聚矽氮烷2 含有氮化矽質組成物 聚矽氮烷3 含有氮化矽質組成物 聚矽氮烷3 含有氮化矽質組成物
照射光(nm) 222 222 222 207
退火 (溫度/環境/時間) 450℃/N 2/60分鐘 450℃/N 2/60分鐘 450℃/N 2/60分鐘 600℃/N 2/60分鐘
折射率 1.78 1.86 1.89 2.14
氫氟酸耐性 A A A A
表1-2
表1-2 實施例5 實施例6 比較例1 比較例2
氮化矽質組成物 聚碳矽氮烷 含有氮化矽質組成物 聚矽氮烷3 含有氮化矽質組成物 聚矽氮烷3 含有氮化矽質組成物 聚矽氮烷3 含有氮化矽質組成物
照射光(nm) 222 222 190 230
退火 (溫度/環境/時間) 450℃/N 2/60分鐘 1000℃/N 2/60分鐘 450℃/N 2/60分鐘 450℃/N 2/60分鐘
折射率 1.96 2.18 1.75 1.65
氫氟酸耐性 A A C B
[折射率] 折射率係使用橢圓偏光光譜分析儀M-2000V(J.A. Woollam Co., Inc製)，於室溫、大氣中進行在波長633nm的值之測定。
[傅立葉轉換紅外光分析] 使用傅立葉轉換紅外分光光度計FTIR-6600FV(JASCO Corporation製)，於室溫以透射法進行測定。
[拉賽福後散射分析] 使用Pelletron 3SDH(National Electrostatics Corporation製)，藉由以拉賽福後散射光譜法進行元素分析，測定N/Si比。
[溝底部對氫氟酸之耐性] 將退火後的圖案基板相對於溝方向垂直分割後，浸漬在含有0.05質量%的氫氟酸之水溶液中30秒鐘，以純水洗淨再使其乾燥後，用掃描式電子顯微鏡Regulus8230(Hitachi High-Tech Fielding Corporation製)進行觀察，依照以下標準進行評量。實施例3與比較例1所觀察的溝之電子顯微鏡相片分別為圖1及圖2。圖1中沒有辨識出隙縫或空洞，可知係在溝形成有緻密的膜之狀態。圖2可知溝部沒有相對於氫氟酸之耐性，形成有空洞。 A：於溝底部沒辨識出隙縫或空洞。 B：於溝底部辨識出隙縫或空洞。 C：於溝底部明顯辨識到隙縫或空洞。
無
圖1為實施例3之施用氫氟酸後的電子顯微鏡相片。 圖2為比較例1之施用氫氟酸後的電子顯微鏡相片。

Claims (11)

  1. 一種於具有溝之基板上製造氮化矽質膜的方法，其係包含以下步驟： (a)於具有溝的基板上應用氮化矽質組成物，形成組成物層； (b)對該組成物層照射波長200至229nm之光；及 (c)在非氧化環境中加熱該基板， 其中該氮化矽質膜對波長633nm之光的折射率為1.70~2.40。
  2. 如請求項1之方法，其中該溝的深度為150~500nm。
  3. 如請求項1或2之方法，其中該氮化矽質組成物係包含從聚矽氮烷、聚碳矽氮烷及它們的混合物所選出之含矽的聚合物。
  4. 如請求項3之方法，其中該含矽的聚合物之質量平均分子量為1,000~30,000。
  5. 如請求項1至4中任一項之方法，其中該氮化矽質組成物係進一步包含溶劑。
  6. 如請求項5之方法，其中以該氮化矽質組成物的總量為基準，該含矽的聚合物之含量為0.1~40質量%。
  7. 如請求項1至6中任一項之方法，其中該氮化矽質組成物於25℃以毛細管黏度計所測定出之黏度為0.55~1.80mPa･s。
  8. 如請求項1至7中任一項之方法，其中在步驟(b)前，進一步包含以70~300℃加熱形成有組成物層之基板之步驟。
  9. 如請求項1至8中任一項之方法，其中在步驟(c)之加熱係以400~1,200℃進行。
  10. 一種在溝上具有氮化矽質膜之基板，其係透過如請求項1~9中任一項之方法得到。
  11. 一種電子裝置之製造方法，其係包含如請求項1至9中任一項之方法。
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