TW202347468A - 基板處理裝置及監視方法 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 320
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 222
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title claims abstract description 175
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 252
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 140
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 54
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 claims description 26
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 claims description 25
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 17
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract description 23
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 abstract 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 52
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 49
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 49
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 26
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 21
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 20
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 16
- 230000001012 protector Effects 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 11
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 9
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 6
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 6
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 3
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 238000003708 edge detection Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000013135 deep learning Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000010801 machine learning Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本發明之目的在於提供一種可抑制液滴之影響,以更高之精度對監視對象物進行監視之技術。
本發明之基板處理裝置具備腔室10、基板保持部20、噴嘴30、相機70及控制部9。基板保持部20於腔室10內保持基板W。噴嘴30朝向由基板保持部20保持之基板W噴出處理液。相機70拍攝包含腔室10內之監視對象物之攝像區域,產生拍攝圖像資料。控制部9於拍攝圖像資料包含有液滴時,使用拍攝圖像資料中去除表示液滴之液滴區域之至少一部分之區域,對監視對象物進行監視。
Description
本揭示關於一種基板處理裝置及監視方法。
先前以來,於半導體器件等之製造步驟中,對基板供給純水、光阻液及蝕刻液等之各種處理液,進行洗淨處理及抗蝕劑塗佈處理等之各種基板處理。作為進行使用該等處理液之基板處理之裝置,廣泛使用基板保持部使基板以水平姿勢旋轉,且自噴嘴向該基板之表面噴出處理液之基板處理裝置。
於此種基板處理裝置中,進行噴嘴之位置是否適當之監視。例如於專利文獻1中,設置相機等之攝像機構,監視噴嘴之位置。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2015-173148號公報
[發明所欲解決之問題]
為了適當地進行對基板之處理,期望不僅噴嘴,亦監視更多之監視對象。
例如,於基板處理裝置設置用於接收自基板之周緣飛散之處理液之防護件。防護件具有筒狀之形狀,包圍基板之周緣。防護件設為可升降,於基板之搬入搬出時,防護件下降。藉此,可避免用於將基板搬入搬出基板處理裝置之搬送機器人與防護件之衝撞。於將處理液供給至基板之表面時,防護件上升。藉由防護件之上升,防護件之上端周緣部位於較基板更上方。因此,自基板之周緣飛散之處理液由防護件之內周面接收。
若產生異常而防護件無法移動至適當位置,則無法適當地避免防護件與搬送機器人之衝撞,或無法由防護件適當地接住處理液。
因此,考慮由相機拍攝包含防護件之攝像位置,產生拍攝圖像資料,由圖像處理部基於拍攝圖像資料,監視防護件之位置。然而,若處理液之液滴附著於防護件之外周面等,則有使用拍攝圖像資料之監視精度降低之虞。
另,液滴附著於噴嘴,亦有使用拍攝圖像資料之噴嘴之位置監視之精度降低之虞。
因此,本揭示之目的在於提供一種可抑制液滴之影響,以更高之精度對監視對象進行監視之技術。
[解決問題之技術手段]
第1態樣為一種基板處理裝置,其具備:腔室;基板保持部,其於上述腔室內保持基板;噴嘴,其朝向由上述基板保持部保持之上述基板噴出處理液;相機,其拍攝包含上述腔室內之監視對象物之攝像區域,產生拍攝圖像資料;及控制部,其於上述拍攝圖像資料包含有液滴時,使用上述拍攝圖像資料中去除表示上述液滴之液滴區域之至少一部分之區域,監視上述監視對象物。
第2態樣係如第1態樣之基板處理裝置,其進而具備:記憶部,其記憶表示上述拍攝圖像資料中與互不相同之物體之表面對應之第1區域及第2區域之區域資料;且上述控制部於上述第1區域內包含有上述液滴時,使用上述拍攝圖像資料中去除上述液滴區域之輪廓區域之區域,監視上述監視對象物,於上述第2區域內包含有上述液滴時,使用上述拍攝圖像資料中去除上述液滴區域全體之區域,監視上述監視對象物。
第3態樣係如第1態樣之基板處理裝置,其中上述控制部對於附著於親水面之上述液滴,使用上述拍攝圖像資料中去除上述液滴區域之輪廓區域之區域、且對於附著於濡濕性低於上述親水面之疏水面之上述液滴,使用上述拍攝圖像資料中去除上述液滴區域全體之區域,監視上述監視對象物。
第4態樣係如第3態樣之基板處理裝置,其進而具備:記憶部,其記憶表示上述拍攝圖像資料中分別與上述親水面及上述疏水面對應之第1區域及第2區域之區域資料;且上述控制部基於上述區域資料,判定上述液滴附著之表面是上述親水面還是上述疏水面。
第5態樣係如第4態樣之基板處理裝置,其中上述控制部基於上述基板處理裝置之運轉時間、表示上述基板之處理片數或經過時間之經時關聯值,更新上述區域資料。
第6態樣係如第3態樣之基板處理裝置,其中上述控制部基於上述拍攝圖像資料,判定上述液滴所附著之表面是上述親水面還是上述疏水面。
第7態樣係如第6態樣之基板處理裝置,其中上述控制部基於上述拍攝圖像資料算出上述液滴區域之尺寸,於上述液滴區域之尺寸為閾值以上時,判定為上述表面是親水面,於上述液滴區域之尺寸未達上述閾值時,判定為上述表面是疏水面。
第8態樣係如第6或第7態樣之基板處理裝置,其中上述控制部使用已學習模型,判定上述表面是上述親水面還是上述疏水面。
第9態樣係如第1至第8中任一態樣之基板處理裝置,其進而具備:親水性且透明之相機防護件,其設置於上述相機與上述攝像區域之間;且上述控制部基於上述拍攝圖像資料,判定上述相機防護件上是否附著有上述液滴,於上述相機防護件上附著有上述液滴時,使用自上述拍攝圖像資料去除表示附著於上述相機防護件之上述液滴之上述液滴區域之輪廓區域的區域,監視上述監視對象物。
第10態樣係如第1至第8中任一態樣之基板處理裝置,其進而具備:疏水性且透明之相機防護件,其設置於上述相機與上述攝像區域之間;且上述控制部基於上述拍攝圖像資料,判定上述相機防護件上是否附著有上述液滴,於上述相機防護件上附著有上述液滴時,使用自上述拍攝圖像資料去除表示附著於上述相機防護件之上述液滴之上述液滴區域全體的區域,監視上述監視對象物。
第11態樣係如第1至第8中任一態樣之基板處理裝置,其進而具備:透明相機防護件,其設置於上述相機與上述攝像區域之間;及液滴除去部,其進行除去附著於上述相機防護件之上述液滴之至少一部分之除去動作;且於上述拍攝圖像資料包含有上述液滴時,上述液滴除去部進行上述除去動作,上述控制部基於上述除去動作後由上述相機拍攝之上述拍攝圖像資料,監視上述監視對象物。
第12態樣係一種監視方法,其具備:拍攝步驟,其由相機拍攝攝像區域而產生拍攝圖像資料,且該攝像區域包含收容保持基板之基板保持部及向由上述基板保持部保持之上述基板噴出處理液之噴嘴的腔室內之監視對象物;液滴判定步驟,其判定上述拍攝圖像資料中是否包含有液滴;及監視步驟,其於上述拍攝圖像資料包含有上述液滴時,使用上述拍攝圖像資料中去除表示上述液滴之液滴區域之至少一部分的區域,監視上述監視對象物。
[發明之效果]
根據第1態樣、第2態樣及第12態樣,因不使用液滴區域之至少一部分,故可以更高之精度對監視對象物進行監視。
根據第3態樣,因濡濕性較低之疏水面上之液滴以隆起之狀態定位,故作為透鏡發揮功能。因此,於通過液滴之疏水面之像產生視覺性失真。於第3態樣中,因液滴區域全部被刪除,故可避免因失真引起之監視精度降低。
另一方面,濡濕性較高之親水面上之液滴以較薄擴展之狀態定位。於俯視時較液滴之輪廓部分更內側之內側部分,因其液面平坦,故幾乎不作為透鏡發揮功能,通過液滴之內側部分之親水面之像幾乎不產生視覺性失真。於第3態樣中,因去除液滴區域之輪廓區域並使用其內側區域,故可基於更多之像素值進行監視。
根據第4態樣,可以簡易之處理判定表面之濡濕性。
根據第5態樣,可與經時變化對應而適當決定液滴區域之刪除範圍。
根據第6態樣,因基於拍攝圖像資料判定表面之濡濕性,故使用者無需事先設置與濡濕性相關之資料。
根據第7態樣,可以較輕之處理負荷判定濡濕性。
根據第8態樣,可以高精度判定濡濕性。
根據第9態樣,於親水性之相機防護件上附著有液滴時,液滴以較薄擴展之狀態定位。藉由使用液滴區域之內側區域,可使用更多之像素數,因而可以更高之精度對監視對象物進行監視。
根據第10態樣,於疏水性之相機防護件上附著有液滴時,液滴以較厚隆起之狀態定位。藉由使用拍攝圖像資料中去除液滴區域全體之區域,可避免因液滴區域引起之視覺性失真之影響,因而可以更高之精度對監視對象物進行監視。
根據第11態樣,於相機防護件上附著有液滴時,因除去液滴,故可減少液滴之影響而對監視對象物進行監視。
以下,一面參照隨附圖式,一面對實施形態進行說明。另,圖式係概略性顯示者,為便於說明起見,適當省略構成或簡化構成。又,圖式所示之構成之大小及位置之相互關係未必正確記載者,可適當變更。
又,於以下所示之說明中,對同樣之構成要件附註相同符號而圖示,關於其等之名稱與功能亦設為同樣者。因此,有為了避免重複而省略其等之詳細說明之情形。
又,於以下記載之說明中,即使有使用「第1」或「第2」等之序號之情形,該等用語亦係為容易理解實施形態之內容,出於方便起見而使用者,並非限定於可藉由該等序號產生之順序者。
於使用表示相對或絕對位置關係之表現(例如「於一方向」「沿一方向」、「平行」、「正交」、「中心」、「同心」、「同軸」等)之情形時,該表現只要未特別說明,則不僅嚴格地表示其位置關係,亦表示於公差或可獲得同程度之功能之範圍內,角度或距離相對移位之狀態。於使用表示相等狀態之表現(例如「同一」、「相等」、「均質」等)之情形時,該表現只要未特別說明,則不僅表示定量性嚴格相等之狀態,亦表示存在公差或可獲得同程度之功能之差之狀態。於使用表示形狀之表現(例如「四邊形狀」或「圓筒形狀」等)之情形時,該表現只要未特別說明,則不僅於幾何學上嚴格表示其形狀,亦表示於可獲得同程度之效果之範圍內,例如具有凹凸或倒角等之形狀。於使用「備置」、「配備」、「俱備」「包含」或「具有」一構成要件之表現之情形時,該表現並非排除其他構成要件之存在之排他性表現。於使用「A、B及C之至少任一者」之表現之情形時,該表現包含僅A、僅B、僅C、A、B及C中之任意2者、及A、B及C之全部。
<第1實施形態>
<基板處理裝置之全體構成>
圖1係概略性顯示基板處理裝置100之構成之一例之俯視圖。基板處理裝置100係逐片處理處理對象即基板W之單片式處理裝置。基板處理裝置100對基板W使用藥液與純水等之清洗液進行液體處理,之後進行乾燥處理。基板W例如為半導體基板,且具有圓板形狀。作為上述藥液,例如可使用氨與過氧化氫水之混合液(SC1)、鹽酸與過氧化氫水之混合水溶液(SC2)、或DHF液(稀釋氫氟酸)等。於以下之說明中,將藥液、清洗液及有機溶劑等統稱為「處理液」。另,不僅洗淨處理,用於除去無用之膜之藥液、或用於蝕刻之藥液等亦包含於「處理液」中。
基板處理裝置100包含複數個處理單元1、裝載埠LP、傳載機器人102、主搬送機器人103及控制部9。
裝載埠LP係用以於基板處理裝置100與外部之間進行基板W之搬入搬出之介面部。於裝載埠LP,自外部搬入收容有未處理之複數塊基板W之收容器(亦稱為載體)。裝載埠LP可保持複數個載體。各基板W如後述般,由基板處理裝置100自載體取出而進行處理,並再次收容於載體。收容有已處理之複數塊基板W之載體自裝載埠LP搬出至外部。
傳載機器人102在保持於裝載埠LP之各載體、與主搬送機器人103之間搬送基板W。主搬送機器人103於各處理單元1與傳載機器人102之間搬送基板W。
處理單元1對1片基板W進行液體處理及乾燥處理。於與本實施形態相關之基板處理裝置100,配置有同樣構成之12個處理單元1。具體而言,各自包含於鉛直方向積層之3個處理單元1之4個塔以包圍主搬送機器人103之周圍之方式配置。於圖1中,概略性顯示1個疊加成3段之處理單元1。另,基板處理裝置100中之處理單元1之數量並非限定於12個者,亦可適當變更。
主搬送機器人103設置於積層有處理單元1之4個塔之中央。主搬送機器人103將自傳載機器人102收取之處理對象之基板W搬入至各個處理單元1內。又,主搬送機器人103自各個處理單元1搬出已處理之基板W並將其交接給傳載機器人102。控制部9控制基板處理裝置100之各個構成要件之動作。
以下,對搭載於基板處理裝置100之12個處理單元1中之1個進行說明。
<處理單元>
圖2係概略性顯示第1實施形態之處理單元1之構成之一例之俯視圖。圖3係概略性顯示第1實施形態之處理單元1之構成之一例之縱剖視圖。
於圖2及圖3之例中,處理單元1包含基板保持部20、第1噴嘴30、第2噴嘴60、第3噴嘴65、防護部40及相機70。
於圖2及圖3之例中,處理單元1亦可包含有腔室10。腔室10包含沿鉛直方向之側壁11、將由側壁11包圍之空間之上側封閉之頂壁12及將下側封閉之底壁13。於由側壁11、頂壁12及底壁13包圍之空間形成處理空間。於腔室10之側壁11之一部分設置主搬送機器人103用於搬入搬出基板W之搬入搬出口及將該搬入搬出口開閉之擋板(皆省略圖示)。腔室10收容基板保持部20、第1噴嘴30、第2噴嘴60、第3噴嘴65及防護部40。
於圖3之例中,於腔室10之頂壁12安裝風扇過濾單元(FFU:Fan Filter Unit)14,該風扇過濾單元14用於將設置有基板處理裝置100之無塵室內之空氣進一步淨化,並供給至腔室10內之處理空間。風扇過濾單元14包含用於吸入無塵室內之空氣並送出至腔室10內之風扇及過濾器(例如,HEPA(High Efficiency Particulate Air:高效微粒空氣)過濾器),於腔室10內之處理空間形成清潔空氣之降流。為了使自風扇過濾單元14供給之清潔空氣均一分散,亦可於頂壁12之正下方設置穿設有複數個吹出孔之沖孔板。
基板保持部20將基板W以水平姿勢(法線沿鉛直方向之姿勢)保持,使基板W繞旋轉軸線CX旋轉(參照圖3)。旋轉軸線CX係沿鉛直方向且通過基板W之中心部之軸。基板保持部20亦稱為旋轉夾盤。另,於圖2中顯示未保持基板W之狀態下之基板保持部20。
於圖2及圖3之例中,基板保持部20包含以水平姿勢設置之圓板形狀之旋轉基座21。圓板形狀之旋轉基座21之外徑稍大於保持於基板保持部20之圓形基板W之徑(參照圖3)。因此,旋轉基座21具有於鉛直方向上與應保持之基板W之下表面全面對向之上表面21a。此處,作為一例,旋轉基座21之上表面21a之濡濕性較高。換言之,上表面21a為親水面。此處言及之親水面之接觸角例如未達45度左右。
於圖2及圖3之例中,於旋轉基座21之上表面21a之周緣部立設有複數根(於本實施形態中為4根)夾盤銷26。複數根夾盤銷26沿與圓形基板W之周緣對應之圓周上等間隔配置。各夾盤銷26設置成可於抵接於基板W之周緣之保持位置、與離開基板W之周緣之開放位置之間驅動。複數根夾盤銷26藉由收容於旋轉基座21內之省略圖示之連桿機構連動而驅動。基板保持部20可藉由使複數根夾盤銷26停在各個保持位置,而於旋轉基座21之上方以接近上表面21a之水平姿勢保持基板W(參照圖3),且可藉由使複數根夾盤銷26停在各個開放位置,而解除基板W之保持。
於圖3之例中,沿旋轉軸線CX延伸之旋轉軸24之上端連結於旋轉基座21之下表面。於旋轉基座21之下方設置使旋轉軸24旋轉之旋轉馬達22。旋轉馬達22藉由使旋轉軸24繞旋轉軸線CX旋轉,而使旋轉基座21於水平面內旋轉。藉此,由夾盤銷26保持之基板W亦繞旋轉軸線CX旋轉。
於圖3之例中,以包圍旋轉馬達22及旋轉軸24之周圍之方式設置筒狀之蓋構件23。蓋構件23之下端固定於腔室10之底壁13,上端到達旋轉基座21之正下方。於圖3之例中,於蓋構件23之上端部設置有自蓋構件23向外側大致水平伸出,進而向下方彎曲延伸之鍔狀構件25。
第1噴嘴30朝向基板W噴出處理液,向基板W供給處理液。於圖2之例中,第1噴嘴30安裝於噴嘴臂32之前端。噴嘴臂32水平延伸,其基端連結於噴嘴支持柱33。噴嘴支持柱33沿鉛直方向延伸,設置為可藉由省略圖示之臂驅動用之馬達繞沿鉛直方向之軸旋動。藉由噴嘴支持柱33旋動,如圖2中之箭頭AR34所示,第1噴嘴30於較基板保持部20更靠鉛直上方之空間內,於噴嘴處理位置與噴嘴待機位置之間作圓弧狀移動。噴嘴處理位置係第1噴嘴30向基板W噴出處理液時之位置,例如為於鉛直方向上與基板W之中央部對向之位置。噴嘴待機位置係第1噴嘴30未向基板W噴出處理液時之位置,例如為較基板W之周緣更靠徑向外側之位置。此處言及之徑向係關於旋轉軸線CX之徑向。於圖2中,顯示位於噴嘴待機位置之第1噴嘴30,於圖3中,顯示位於噴嘴處理位置之第1噴嘴30。
如圖3所例示,第1噴嘴30經由供給管34連接於處理液供給源36。處理液供給源36包含貯存處理液之槽罐。於供給管34設置有閥35。藉由閥35打開,處理液自處理液供給源36通過供給管34供給至第1噴嘴30,自形成於第1噴嘴30之下端面之噴出口噴出。另,第1噴嘴30亦可構成為供給複數種處理液(至少包含純水)。
第2噴嘴60安裝於噴嘴臂62之前端,噴嘴臂62之基端連結於噴嘴支持柱63。藉由未圖示之臂驅動用之馬達使噴嘴支持柱63旋動,第2噴嘴60如箭頭AR64所示,於較基板保持部20更靠鉛直上方之空間作圓弧狀移動。同樣,第3噴嘴65安裝於噴嘴臂67之前端,噴嘴臂67之基端連結於噴嘴支持柱68。藉由未圖示之臂驅動用之馬達使噴嘴支持柱68旋動,第3噴嘴65如箭頭AR69所示,於較基板保持部20更靠鉛直上方之空間作圓弧狀移動。
第2噴嘴60及第3噴嘴65各者亦與第1噴嘴30同樣,皆經由供給管(省略圖示)連接於處理液供給源(省略圖示)。於各供給管設置閥,藉由閥開閉而切換處理液之供給/停止。另,設置於處理單元1之噴嘴之數量並非限定於3個者,亦可為1個以上。
處理單元1於液體處理中,藉由基板保持部20使基板W旋轉,且例如自第1噴嘴30朝向基板W之上表面噴出處理液。附著於基板W之上表面之處理液受到伴隨旋轉之離心力而於基板W之上表面擴展,自基板W之周緣飛散。藉由該液體處理,可對基板W之上表面進行與處理液之類別相應之處理。
防護部40係用於接收自基板W之周緣飛散之處理液之構件。防護部40具有包圍基板保持部20之筒狀形狀,例如包含可相互獨立升降之複數個防護件。防護件亦可稱為處理杯。於圖3之例中,作為複數個防護件,顯示內防護件41、中防護件42及外防護件43。各防護件41~43包圍基板保持部20之周圍,具有相對於旋轉軸線CX大致旋轉對稱之形狀。
於圖3之例中,內防護件41一體包含底部44、內壁部45、外壁部46、第1引導部47及中壁部48。底部44具有俯視時圓環狀之形狀。內壁部45及外壁部46具有圓筒形狀,分別立設於底部44之內周緣及外周緣。第1引導部47具有:圓筒狀之筒狀部47a,其於內壁部45與外壁部46之間立設於底部44;及傾斜部47b,其隨著自筒狀部47a之上端朝向鉛直上方而接近旋轉軸線CX。中壁部48具有圓筒形狀,於第1引導部47與外壁部46之間立設於底部44。
於防護件41~43上升之狀態(參照圖3之假想線)下,自基板W之周緣飛散之處理液由第1引導部47之內周面接住,沿該內周面流下而由廢棄槽49接住。廢棄槽49係由內壁部45、第1引導部47及底部44形成之圓環狀之槽。於廢棄槽49連接用於排出處理液,且將廢棄槽49內強制排氣之省略圖示之排氣液機構。
中防護件42一體包含第2引導部52、與連結於第2引導部52之圓筒狀之處理液分離壁53。第2引導部52具有圓筒狀之筒狀部52a、及隨著自筒狀部52a之上端朝向鉛直上方而接近旋轉軸線CX之傾斜部52b。傾斜部52b位於較內防護件41之傾斜部47b更靠鉛直上方之位置,以於鉛直方向上與傾斜部47b重疊之方式設置。筒狀部52a收容於圓環狀之內側回收槽50。內側回收槽50係由第1引導部47、中壁部48及底部44形成之槽。
於僅防護件42、43上升之狀態下,自基板W之周緣之處理液由第2引導部52之內周面接住,並沿該內周面流下而由內側回收槽50接住。
處理液分離壁53具有圓筒形狀,其上端連結於第2引導部52。處理液分離壁53收容於圓環狀之外側回收槽51內。外側回收槽51係由中壁部48、外壁部46及底部44形成之槽。
外防護件43位於較中防護件42更外側,具有作為將處理液引導至外側回收槽51之第3引導部之功能。外防護件43一體包含圓筒狀之筒狀部43a、與隨著自筒狀部43a之上端朝向鉛直上方而接近旋轉軸線CX之傾斜部43b。筒狀部43a收容於外側回收槽51內,傾斜部43b位於較傾斜部52b更靠鉛直上方,以於上下方向上與傾斜部52b重疊之方式設置。
於僅外防護件43上升之狀態下,自基板W之周緣之處理液由外防護件43之內周面接住,並沿該內周面流下而由外側回收槽51接住。
於內側回收槽50及外側回收槽51連接用於將處理液回收至設置於處理單元1之外部之回收槽罐的回收機構(皆省略圖示)。
內防護件41、中防護件42及外防護件43例如由氟系樹脂等之樹脂形成。此處作為一例,內防護件41、中防護件42及外防護件43之表面之濡濕性低於旋轉基座21之上表面21a之濡濕性。換言之,各防護件41~43之表面為疏水面。此處言及之疏水面係其接觸角例如大於45度左右之面。另,區分疏水面及親水面之接觸角之值未必限於45度,使用者適當決定即可。
防護件41~43可藉由防護件升降機構55而升降。防護件升降機構55以防護件41~43不相互衝撞之方式,使防護件41~43於各個防護件處理位置與防護件待機位置之間升降。防護件處理位置係升降對象之對象防護件之上端周緣部成為較基板W之上表面更上方之位置,防護件待機位置係對象防護件之上端周緣部成為較旋轉基座21之上表面21a更下方之位置。此處言及之上端周緣部意指對象防護件之形成上端開口之環狀之部分。於圖3之例中,防護件41~43位於防護件待機位置。防護件升降機構55例如具有滾珠螺桿機構及馬達或氣缸。
分隔板15設置成於防護部40之周圍將腔室10之內側空間分隔成上下。亦可於分隔板15形成於厚度方向貫通之未圖示之貫通孔及缺口,於本實施形態中,形成用於分別供噴嘴支持柱33、噴嘴支持柱63及噴嘴支持柱68通過之貫通孔。分隔板15之外周端連結於腔室10之側壁11。又,分隔板15之包圍防護部40之內周緣形成為較外防護件43之外徑大之徑之圓形形狀。因此,分隔板15不會阻礙外防護件43之升降。
於圖3之例中,於腔室10之側壁11之一部分且底壁13之附近,設置排氣導管18。排氣導管18連通連接於省略圖示之排氣機構。於腔室10內流下之清潔空氣中通過防護部40與分隔板15之間之空氣自排氣導管18排出至裝置外。
相機70用於監視腔室10內之監視對象物之狀態。監視對象物例如包含基板保持部20、第1噴嘴30、第2噴嘴60、第3噴嘴65及防護部40之至少任一者。相機70拍攝包含監視對象物之攝像區域,產生拍攝圖像資料(以下簡稱為拍攝圖像),並將該拍攝圖像輸出至控制部9。控制部9如後詳述般,基於拍攝圖像對監視對象物之狀態進行監視。
相機70包含CCD(Charge Coupled Device:電荷耦合器件)或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor:互補金屬氧化物半導體)等之固體攝像元件、與透鏡等之光學系統。於圖3之例中,相機70設置於較由基板保持部20保持之基板W更靠鉛直上方之攝像位置。於圖3之例中,攝像位置設定於較分隔板15更靠鉛直上方,且相對於防護部40更靠徑向外側。此處言及之徑向為關於旋轉軸線CX之徑向。
於圖3之例中,於腔室10之側壁11形成有用於收容相機70之凹狀部(以下稱為凹狀壁部111)。凹狀壁部111具有相對於側壁11中之其他部分向外側凹陷之形狀。相機70收容於凹狀壁部111之內部。於圖3之例中,於攝像方向上之相機70之前方,設置有透明之相機防護件72。相機防護件72係對相機70檢測之光之波長具有較高之透光性之透明構件。因此,相機70可通過相機防護件72拍攝處理空間內之攝像區域。換言之,相機防護件設置於相機70與攝像區域之間。相機70之檢測波長範圍內之相機防護件72之透過率例如為60%以上,較佳為80%以上。相機防護件72例如由石英玻璃等之透明材料形成。於圖3之例中,相機防護件72具有板狀之形狀,與側壁11之凹狀壁部111一起形成相機70之收容空間。藉由設置相機防護件72,可保護相機70免受處理空間內之處理液及處理液之揮發成分之影響。
於相機70之攝像區域,例如包含基板保持部20及防護部40之一部分。於圖3之例中,相機70自攝像位置向斜下方拍攝攝像區域。換言之,相機70之攝像方向自水平方向朝鉛直下方傾斜。
於圖3之例中,於較分隔板15更靠鉛直上方之位置設置有照明部71。作為具體之一例,照明部71亦設置於凹狀壁部111之內部。於腔室10內為暗室之情形時,控制部9可以於相機70進行攝像時,照明部71照射攝像區域之方式,控制照明部71。來自照明部71之照明光透過相機防護件72,照射至處理空間內。
作為控制部9之硬體之構成與一般電腦相同。即,控制部9構成為具備:進行各種運算處理之CPU等之資料處理部;記憶基本程式之讀出專用之記憶體即ROM(Read Only Memory:唯讀記憶體)等之非暫時性記憶部;及記憶各種資訊之讀寫自由之記憶體即RAM(Random Access Memory:隨機存取記憶體)等之暫時性記憶部。藉由控制部9之CPU執行指定處理程式,基板處理裝置100之各動作機構由控制部9控制,進行基板處理裝置100中之處理。另,控制部9亦可藉由無需軟體實現該功能之專用硬體電路實現。
圖4係概略性顯示控制部9內部構成之一例之功能方塊圖。如圖4所示,控制部9包含處理控制部91與監視處理部92。
處理控制部91控制處理單元1之各構成。更具體而言,處理控制部91控制旋轉馬達22、閥35等之各種閥、使噴嘴支持柱33、63、68各者旋動之臂驅動用之馬達、防護件升降機構55、風扇過濾單元14及相機70。藉由處理控制部91依照指定程序控制該等構成,處理單元1可進行對基板W之處理。
<基板處理之流程之一例>
此處,簡單敘述對基板W之處理之具體流程之一例。圖5係顯示基板處理之流程之一例之流程圖。初期,防護件41~43分別停在防護件待機位置,噴嘴30、60、65分別停在噴嘴待機位置。另,控制部9控制各構成並執行後述之指定動作,但以下,作為動作之主體採用各構成本身進行說明。
首先,主搬送機器人103將未處理之基板W搬入處理單元1,基板保持部20保持基板W(步序S1:搬入保持步驟)。因防護部40於初期停在防護件待機位置,故於搬入基板W時,可避免主搬送機器人103之手與防護部40之衝撞。當基板W交接至基板保持部20時,藉由複數根夾盤銷26移動至各個保持位置,而由複數根夾盤銷26保持基板W。
接著,旋轉馬達22開始基板W之旋轉(步序S2:旋轉開始步驟)。具體而言,旋轉馬達22藉由使旋轉基座21旋轉,使保持於基板保持部20之基板W旋轉。
接著,處理單元1對基板W進行各種液體處理(步序S3:液體處理步驟)。例如,處理單元1進行藥液體處理。首先,防護件升降機構55使防護件41~43中與藥液相應之防護件上升至防護件處理位置。藥液用之防護件無特別限制,例如可為外防護件43。於該情形時,防護件升降機構55使內防護件41及中防護件42停在各自之防護件待機位置,使外防護件43上升至防護件處理位置。
接著,處理單元1向基板W供給藥液。此處,設為由第1噴嘴30供給處理液。具體而言,臂驅動用之馬達使第1噴嘴30移動至噴嘴處理位置,閥35打開使藥液自第1嘴30朝向基板W噴出。藉此,藥液於旋轉中之基板W之上表面擴展,自基板W之周緣飛散。此時,藥液作用於基板W之上表面,對基板W進行與藥液相應之處理(例如洗淨處理)。自基板W之周緣飛散之藥液由防護部40(例如外防護件43)之內周面接住。於充分進行藥液體處理後,處理單元1停止藥液之供給。
接著,處理單元1對基板W進行清洗處理。防護件升降機構55根據需要調整防護部40之升降狀態。即,於清洗液用之防護件與藥液用之防護件不同之情形時,防護件升降機構55使防護件41~43中與清洗液相應之防護件移動至防護件處理位置。清洗液用之防護件無特別限制,可為內防護件41。於該情形時,防護件升降機構55使防護件41~43上升至各自之防護件處理位置。
接著,第1噴嘴30朝向基板W之上表面噴出清洗液。清洗液例如為純水。清洗液於旋轉中之基板W之上表面擴展而沖走基板W上之藥液,且自基板W之周緣飛散。自基板W之周緣飛散之處理液(主要為清洗液)由防護部40(例如內防護件41)之內周面接住。於充分進行清洗處理後,處理單元1停止清洗液之供給。
處理單元1亦可根據需要,對基板W供給具有高揮發性之異丙醇等之揮發性之清洗液。另,於揮發性之清洗液用之防護件與上述清洗液用之防護件不同之情形時,防護件升降機構55可使防護件41~43中與揮發性之清洗液相應之防護件移動至防護件處理位置。於清洗處理結束後,第1噴嘴30移動至噴嘴待機位置。
接著,處理單元1對基板W進行乾燥處理(步序S4:乾燥步驟)。例如,旋轉馬達22使基板W之旋轉速度增加,使基板W乾燥(所謂旋轉乾燥)。於乾燥處理中,自基板W之周緣飛散之處理液亦由防護部40之內周面接住。於充分進行乾燥處理後,旋轉馬達22使基板W之旋轉停止。
接著,防護件升降機構55使防護部40下降至防護件待機位置(步序S5:防護件下降步驟)。即,防護件升降機構55使防護件41~43下降至各自之防護件待機位置。
接著,基板保持部20解除基板W之保持,主搬送機器人103自處理單元1取出已處理之基板W(步序S6:保持解除搬出步驟)。於基板W之搬出時,因防護部40於防護件待機位置停止,故可避免主搬送機器人103之手部與防護部40之衝撞。
如以上,藉由處理單元1內之各種構成要件適當作動,進行對基板W之處理。例如基板保持部20保持基板W,或解除保持。又,第1噴嘴30於噴嘴處理位置與噴嘴待機位置之間移動,於噴嘴處理位置朝向基板W噴出處理液。防護部40之各防護件41~43移動至與各步驟相應之高度位置。
<監視處理>
藉由上述構成要件適當作動,進行對基板W之處理。反言之,若上述構成要件中之至少一者無法適當作動,則對基板W之處理可能會受損。因此,處理單元1將上述構成要件之至少一者設為監視對象物,監視該監視對象物之狀態。
且,自上述基板處理之動作可明瞭,於液體處理步驟中,朝向旋轉中之基板W噴出處理液。因此,處理液於基板W飛散。該處理液雖大致由防護部40接住,但有處理液於防護部40回彈而附著於其他構成要件之可能性,又,亦有處理液於基板W之上表面回彈而附著於其他構成要件(例如外防護件43之外周面)之可能性。若液滴附著,則於拍攝圖像亦包含液滴,該液滴有使監視對象物之監視精度降低之虞。
以下,作為監視對象物之一例,採用外防護件43進行說明。圖6係概略性顯示相機70拍攝攝像區域而產生之拍攝圖像之一例之圖。於圖6之拍攝圖像包含由基板保持部20保持之基板W之上表面全面。換言之,相機70設置於基板W全體包含於攝像區域之位置。於圖6之例中,基板保持部20保持基板W,且外防護件43停在防護件待機位置。因相機70向斜下方拍攝攝像區域,故俯視時圓形狀之基板W於攝像畫面中具有橢圓形狀,同樣,俯視時圓形狀之外防護件43之上端周緣於拍攝圖像中具有依循橢圓之形狀。於圖6之例中,亦顯示出外護件43之上端周緣依循之假想橢圓E1。
此種拍攝圖像例如藉由於防護件下降步驟(步序S5)中,外防護件43下降至防護件待機位置之狀態下,由相機70拍攝攝像區域而得。於防護件下降步驟中,只要外防護件43可適當下降至防護件待機位置,則於接下來之保持解除搬出步驟(步序S6)中,可適當避免主搬送機器人103之手與防護部40之衝撞。另一方面,若外防護件43因異常而無法下降至防護件待機位置,則於保持解除搬出步驟中,主搬送機器人103之手與防護部40可能會衝撞。因此,監視處理部92基於拍攝圖像監視外防護件43之位置。
然而,於圖6之拍攝圖像中,於旋轉基座21之上表面21a及外防護件43之外周面附著有液滴L1。例如,因於防護件下降步驟之前之液體處理步驟(步序S3)中,處理液附著於旋轉基座21之上表面21a及外防護件43之外周面,故即使於防護件下降步驟中,液滴L1亦殘留於旋轉基座21之上表面21a及外防護件43之外周面。此處,因旋轉基座21之上表面21a為濡濕性較高之面,故液滴L1於旋轉基座21之上表面21a中以較薄擴展之狀態定位。又,此處,因外防護件43之外周面係濡濕性較上表面21a低之面,故液滴L1於外防護件43之外周面中以較厚地隆起之狀態定位。
若於監視對象物即外防護件43自身或其周圍存在液滴L1,則基於包含該液滴L1之拍攝圖像之監視精度可能會降低。
因此,監視處理部92如後詳述般,於拍攝圖像包含有液滴L1時,自拍攝圖像中刪除表示液滴L1之液滴區域RL1之至少一部分,產生除去圖像資料,並基於該除去圖像資料對監視對象物之狀態進行監視。即,監視處理部92如後詳述般,使用拍攝圖像中去除液滴區域RL1之至少一部分之區域,監視對象物之狀態。
於說明該監視處理時,首先對無液滴L1之狀態之外防護件43之監視算法之一例進行概述。於圖6之例中,於拍攝圖像設定有防護件判定區域R1。防護件判定區域R1係用於監視外防護件43之區域,包含外防護件43之至少一部分。於圖6之例中,防護件判定區域R1設定為包含正常位於防護件待機位置之外防護件43之上端周緣之一部分之區域。於圖6之例中,作為防護件判定區域R1,設定有複數個(圖中為2個)防護件判定區域R11、R12。防護件判定區域R11、R12各者以於攝像區域中包含外防護件43之上端周緣中較橢圓E1之長軸LA1更下側之一部分之方式設定。又,防護件判定區域R11、R12相對於橢圓E1之短軸SA1設定於相互相反側。
於各防護件判定區域R11、R12內之上側區域,包含旋轉基座21之上表面21a之一部分,於各防護件判定區域R11、R12內之下側區域,包含外防護件43之外周面之一部分。於圖6之例中,於防護件判定區域R11不包含液滴L1,而於防護件判定區域R12包含有液滴L1。
此處,防護件位置判定用之參考圖像M1預先記憶於記憶部94。參考圖像M1係液滴L1未附著、且外防護件43正常位於防護件待機位置之圖像。此種參考圖像M1例如基於在液滴L1未附著而外防護件43正常位於防護件待機位置時由相機70拍攝之拍攝圖像而產生。於圖6中,作為參考圖像M1,顯示分別與防護件判定區域R11、R12對應之參考圖像M11、M12。參考圖像M11係與防護件判定區域R11相同區域之圖像,參考圖像M12係與防護件判定區域R12相同區域之圖像。
此處,著眼於未包含液滴L1之防護件判定區域R11,概述無液滴L1時之外防護件43之監視算法之一例。於外防護件43正常位於防護件待機位置之情形時,防護件判定區域R11與參考圖像M11之類似度變高(參照圖6)。另一方面,於拍攝圖像中外防護件43位於較防護件待機位置高之位置之情形時,防護件判定區域R11與參考圖像M11之類似度降低。反言之,於該類似度較高之情形時,可判定為外防護件43正常位於防護件待機位置,於該類似度較低之情形時,可判定為於外防護件43產生了異常。
因此,監視處理部92於拍攝圖像不包含液滴L1時,如後所述,算出防護件判定區域R11與參考圖像M11之類似度、及防護件判定區域R12與參考圖像M12之類似度。且,監視處理部92於兩個類似度為指定防護件閾值以上時,判定為外防護件43正常位於防護件待機位置,於類似度之至少任一者未達防護件閾值時,判定為產生了與外防護件43相關之異常。
另一方面,於拍攝圖像包含有液滴L1之情形時,例如即使外防護件43正常停在防護件待機位置,亦有類似度降低之情形。例如,於圖6之防護件判定區域R12包含有液滴L1。於該情形下,即使外防護件43正常位於防護件待機位置,防護件判定區域R12與參考圖像M12之類似度亦降低。其原因在於,於防護件判定區域R12包含液滴L1,而參考圖像M12不包含液滴L1。即,該差異招致類似度降低。
因此,於本實施形態中,監視處理部92於拍攝圖像包含液滴L1時,如後述,使用拍攝圖像資料中去除表示該液滴L1之液滴區域RL1之至少一部分之區域,對監視對象物之狀態進行監視。
圖7係顯示處理單元1之監視處理之一例之流程圖。如圖7所例示,相機70拍攝包含監視對象物之一例即外防護件43之攝像區域,產生拍攝圖像,並將該拍攝圖像輸出至控制部9(步序S11:攝像步驟)。此處,攝像步驟於防護件下降步驟(步序S5)結束後進行。即,於控制部9向防護件升降機構55輸出控制信號後,相機70拍攝攝像區域。若防護件升降機構55可使防護件41~43正常移動至各自之防護件待機位置,則於拍攝圖像包含正常位於防護件待機位置之外防護件43(參照圖6)。
接著,監視處理部92判定於攝像步驟獲得之拍攝圖像是否包含有液滴L1(步序S12:液滴判定步驟)。此處,因監視處理部92基於防護件判定區域R11、R12監視外防護件43之狀態,故亦可判定於防護件判定區域R11、R12是否包含液滴L1。以下,監視處理部92判定防護件判定區域R11、R12中之液滴L1之有無。監視處理部92例如亦可藉由對拍攝圖像進行以下說明之圖像處理,判定液滴L1之有無。
首先,監視處理部92對拍攝圖像進行坎尼(Canny)法等之邊緣檢測處理,產生邊緣圖像。該邊緣圖像例如為二值圖像,例如,表示邊緣之像素之像素值具有較大之值,不表示邊緣之像素之像素值具有較小之值。於拍攝圖像不包含液滴L1之情形時,於邊緣圖像不包含液滴L1之邊緣,而包含基板W等之物體之邊緣(以下稱為背景邊緣)。另一方面,於拍攝圖像包含液滴L1之情形時,於邊緣圖像包含液滴L1之邊緣及背景邊緣該等兩者。
接著,監視處理部92求出邊緣圖像與邊緣背景圖像之差量圖像。邊緣背景圖像係不包含液滴L1之邊緣,而包含背景邊緣之邊緣圖像。邊緣背景圖像預先設定,例如記憶於記憶部94。此種邊緣背景圖像例如藉由對由相機70於不包含液滴L1,基板保持部20保持基板W、且外防護件43正常位於防護件待機位置之狀態下拍攝之拍攝圖像進行邊緣檢測而得。於邊緣圖像與邊緣背景圖像之差量圖像中,背景邊緣大致消除,而保留液滴L1之邊緣。
因液滴L1之邊緣形成封閉曲線,故此處,根據差量圖像中有無封閉曲線狀之邊緣,而判定液滴L1之有無。即,監視處理部92判定於差量圖像中是否存在形成封閉曲線之邊緣。具體而言,監視處理部92對差量圖像進行輪廓追蹤,對各邊緣進行標記,且求出邊緣之曲線形狀。監視處理部92判定是否存在封閉曲線狀之邊緣,於存在封閉曲線狀之邊緣時,判定為包含有液滴L1,於不存在封閉曲線狀之邊緣時,判定為不包含液滴L1。即,被封閉曲線狀之邊緣包圍之區域為液滴區域RL1。監視處理部92於檢測到複數個封閉曲線狀之邊緣時,將由各個邊緣包圍之區域設為液滴區域RL1。
接著,監視處理部92判定液滴區域RL1之至少一部分是否包含於防護件判定區域R11、R12之至少任一者。監視處理部92於防護件判定區域R11、R12之任一者包含有液滴區域RL1之至少一部分時,判定為於防護件判定區域R1包含有液滴L1。
另,監視處理部92亦可藉由上述算法以外之算法,判定拍攝圖像中有無液滴L1。例如,監視處理部92亦可使用已學習模型,判定拍攝圖像是否包含有液滴L1。此種已學習模型例如藉由深度學習等之機械學習產生。已學習模型將拍攝圖像分類為包含液滴L1之類別、與不包含液滴L1之類別。該已學習模型藉由學習模型以含有包含液滴L1之複數個學習圖像資料、不包含液滴L1之複數個學習圖像資料、及對於該學習圖像資料之正確之類別(標籤)之複數個教師資料,進行機械學習而產生。
接著,監視處理部92以與液滴L1之有無之判定結果相應之算法,基於拍攝圖像監視外防護件43之狀態(步序S13:監視步驟)。
圖8係顯示監視步驟之具體一例之流程圖。監視處理部92如上述般,判定拍攝圖像(此處為防護件判定區域R1)是否包含有液滴L1(步序S131)。於不包含液滴L1時,監視處理部92藉由拍攝圖像之防護件判定區域R1與參考圖像M1之比較,監視外防護件43(步序S132)。
具體而言,監視處理部92算出防護件判定區域R11與參考圖像M11之類似度、及防護件判定區域R12與參考圖像M12之類似度,將各類似度與指定防護件閾值進行比較。類似度雖非特別限定者,但例如可為像素值之差量之平方和(Sum of Squared Difference)、像素值之差量之絕對值之和(Sum of Absolute Difference)、歸一化交相關及零平均歸一化交相關等周知之類似度。藉由實驗或模擬預先設定防護件閾值,例如記憶於記憶部94。
監視處理部92於類似度兩者為防護件閾值以上時,判定為外防護件43正常位於防護件待機位置,於類似度之至少任一者未達防護件閾值時,判定為就外防護件43產生異常。於判定為產生異常時,處理控制部91可適當中斷對基板W之處理。例如亦可中斷主搬送機器人103之基板W之搬出。藉此,可避免主搬送機器人103與外防護件43之衝撞。又,處理控制部91亦可使未圖示之顯示器等之報知部報知異常。藉此,作業員可辨識異常。
另一方面,於步序S131判定為包含有液滴L1時,監視處理部92使用拍攝圖像中去除表示液滴L1之液滴區域RL1之至少一部分之區域,監視外防護件43之狀態。作為具體之一例,監視處理部92自拍攝圖像刪除液滴區域RL1,產生除去圖像資料(以下稱為除去圖像)(步序S133:液滴刪除步驟)。此處言及之區域之刪除包含將該區域內之各像素之像素值設為規定值。例如,監視處理部92將拍攝圖像中屬於液滴區域RL1之像素之像素值全部設為零(zero)。
圖9係概略性顯示進行對拍攝圖像及參考圖像之液滴刪除步驟之狀況之一例之圖。於圖6之例中,因於防護件判定區域R11不包含液滴L1、而於防護件判定區域R12包含有液滴L1,故於圖9之例中,作為液滴刪除之對象,顯示防護件判定區域R12及參考圖像M12。
監視處理部92刪除防護件判定區域R12內之液滴區域RL1,產生除去圖像DR12。於圖9之例中,於除去圖像DR12中,以塗黑顯示已刪除之區域。又,監視處理部92亦自參考圖像M12刪除與液滴區域RL1相同之區域,產生除去參考圖像資料(以下稱為除去參考圖像)DM12。於該除去參考圖像DM12中,與液滴區域RL1相同區域之像素之像素值亦成為上述規定值(例如零)。
於圖6之例中,因於防護件判定區域R11不包含液滴L1,故不對防護件判定區域R11及參考圖像M11進行液滴區域之刪除。
接著,監視處理部92基於刪除後之拍攝圖像,監視外防護件43之位置(步序S134)。更具體而言,監視處理部92基於防護件判定區域R11與參考圖像M11之比較、及除去圖像DR12與除去參考圖像DM12之比較,監視外防護件43之位置。例如,首先,監視處理部92算出防護件判定區域R11與參考圖像M11之類似度及除去圖像DR12與除去參考圖像DM12之類似度。接著,監視處理部92判定兩個類似度是否為指定防護件閾值以上。監視處理部92於兩個類似度為防護件閾值以上時,判定為外防護件43正常位於防護件待機位置,於類似度之至少一者未達防護件閾值時,判定為與外防護件43相關且產生異常。
如以上,監視處理部92於拍攝圖像包含有液滴L1時,使用拍攝圖像中去除液滴區域RL1之區域,對監視對象物之狀態進行監視。於上述之例中,監視處理部92基於自防護件判定區域R12刪除液滴區域RL1之除去圖像DR12、與自參考圖像M12刪除液滴區域RL1之除去參考圖像DM12之比較,監視外防護件43。因於去除圖像DR12與去除參考圖像DM12之比較中不使用液滴區域RL1內之像素值,故液滴L1不易影響比較結果即類似度。即,監視處理部92可抑制液滴之影響,以更高之精度對監視對象物之狀態進行監視。
<第2實施形態>
第2實施形態之基板處理裝置100之構成之一例與第1實施形態同樣。但,於第2實施形態中,控制部9根據液滴L1所附著之表面之濡濕性,變更液滴區域RL1之刪除範圍。此處,旋轉基座21之上表面21a為濡濕性較高之親水面,外防護件43之外周面為濡濕性低於上表面21a之疏水面。
圖10係概略性顯示旋轉基座21之上表面21a及外防護件43之外周面上之液滴L1之一例之剖視圖。因外防護件43之外周面之濡濕性較低,故液滴L1藉由表面張力,以較厚隆起之狀態位於外防護件43之外周面。此處,液滴L1無色透明。於該情形時,較厚隆起之狀態之液滴L1作為透鏡發揮功能。因此,於通過液滴L1視認到之外防護件43之外周面之像產生失真。因此,若將表示附著於濡濕性較低之表面之液滴L1之液滴區域RL1用於外防護件43之監視,則其監視精度可能會降低。因此,關於相當於濡濕性較低之表面之液滴區域RL1,較佳為將其全體刪除。
相對於此,因旋轉基座21之上表面21a之濡濕性高於外防護件43之外周面之濡濕性,故如圖10所示,液滴L1於上表面21a較薄地擴展。此種液滴L1之俯視時之輪廓部分L1a可作為透鏡發揮功能,但因輪廓部分L1a之內側之內側部分L1b之液面相對較平坦,故內側部分L1b不易作為透鏡發揮功能。因此,雖通過輪廓部分L1a視認到之旋轉基座21之上表面21a之像可能會產生失真,但通過內側部分L1b視認到之旋轉基座21之上表面21a之像幾乎不會產生失真。因此,關於表示附著於濡濕性較高之表面之液滴L1之液滴區域RL1,較佳為僅刪除其輪廓區域RL1a(亦參照圖12)。
因此,於第2實施形態中,控制部9根據液滴L1所附著之表面之濡濕性,使液滴區域RL1之刪除範圍不同。
此處作為一例,於記憶部94預先記錄區域資料。區域資料係顯示拍攝圖像中與互不相同之物體之表面對應之第1區域及第2區域之資料。第1區域係與濡濕性較高之親水面對應之區域,第2區域係與濡濕性較低之疏水面對應之區域。作為更具體之一例,第1區域包含旋轉基座21之上表面21a,第2區域包含外防護件43之外周面。區域資料亦可由顯示屬於第1區域之像素群之資料及顯示屬於第2區域之像素群之資料構成。此種區域資料亦可由操作員預先設定。以下,亦將第1區域稱為親水區域,將第2區域稱為疏水區域。
第2實施形態之監視處理之一例與圖7及圖8之流程同樣。但,步序S133之液滴刪除步驟之具體一例與第1實施形態不同。圖11係顯示第2實施形態之液滴刪除步驟之具體一例之流程圖。
首先,監視處理部92判定某液滴區域RL1是包含於親水區域、還是包含於疏水區域(步序S21)。換言之,監視處理部92判定液滴L1所附著之表面是親水面還是疏水面。作為更具體之一例,監視處理部92自記憶部94讀出區域資料,將該區域資料所示之親水區域及疏水區域各者與液滴區域RL1進行比較並進行判定。監視處理部92於該液滴區域RL1包含於親水區域時,將該液滴區域RL1之輪廓區域RL1a決定為刪除範圍(步序S22)。此處作為一例,於將旋轉基座21之上表面21a所含之液滴區域RL1之刪除範圍決定為輪廓區域RL1a(亦參照圖12)。另,輪廓區域RLa之寬度例如可藉由模擬或實驗預先規定而得。另一方面,監視處理部92於該液滴區域RL1包含於疏水區域時,將該液滴區域RL1全體決定為刪除範圍(步序S23)。此處作為一例,將外防護件43之外周面所含之液滴區域RL1之刪除範圍決定為該液滴區域RL1全體(亦參照圖12)。
接著,監視處理部92判定是否已對拍攝圖像中包含於防護件判定區域R1之所有液滴區域RL1決定刪除範圍(步序S24)。
若未決定所有液滴區域RL1之刪除範圍,則監視處理部92對下一液滴區域RL1進行步序S21~S24。
於已決定所有液滴區域RL1之刪除範圍時,監視處理部92自拍攝圖像刪除所有液滴區域RL1之刪除範圍,產生除去圖像資料(步序S25)。又,監視處理部92自參考圖像M1刪除與所有液滴區域RL1之刪除範圍相同之區域。
圖12係概略性顯示進行對拍攝圖像及參考圖像之液滴刪除步驟之狀況之一例之圖。於圖6之例中,因於防護件判定區域R11不包含液滴L1,而於防護件判定區域R12包含有液滴L1,故於圖12之例中,作為液滴刪除之對象,顯示防護件判定區域R12與參考圖像M12。
因防護件判定區域R12中旋轉基座21之上表面21a相當於濡濕性較高之親水區域,故於除去圖像DR12之親水區域中刪除液滴區域RL1之輪廓區域RL1a。另一方面,液滴區域RL1之內側區域RL1b未被刪除而保留。雖於該內側區域RL1b包含有液滴L1,但因內側區域RL1b之液滴L1幾乎不作為透鏡發揮功能,故於通過液滴L1視認到之旋轉基座21之上表面21a之像幾乎不產生失真,直接映射上表面21a。
因防護件判定區域R12中之外防護件43之外周面相當於濡濕性較低之疏水區域,故於除去圖像DR12之疏水區域中刪除液滴區域RL1全體。
關於除去參考圖像DM12,於親水區域中刪除與液滴區域RL1之輪廓區域RL1a相同之區域,於疏水區域中刪除與液滴區域RL1全體相同之區域。
接著,與第1實施形態同樣,監視處理部92基於除去後之拍攝圖像,監視外防護件43之位置(步序S134)。具體而言,監視處理部92藉由防護件判定區域R11與參考圖像M11之比較、及除去圖像DR12與除去參考圖像DM12之比較,監視外防護件43之位置。
如以上,監視處理部92對於表示附著於親水面之液滴L1之液滴區域RL1,使用拍攝圖像(更具體而言為防護件判定區域R1)中去除輪廓區域RL1a後之區域,監視外防護件43。反言之,監視處理部92亦使用液滴區域RL1之內側區域RL1b,監視外防護件43之位置。即,於無色透明之液滴L1之液面平坦之內側區域RL1b中,因外防護件43之外周面幾乎直接映射,故監視處理部92亦使用內側區域RL1b監視外防護件43之位置。因此,可基於防護件判定區域R1內之更多適當之像素值,監視外防護件43之位置,可以更高之精度監視外防護件43之位置。更具體而言,因可藉由更多適當之像素值之比較,算出除去圖像DR12與除去參考圖像DM12之類似度,故可以更高之精度算出類似度,進而可以更高之精度監視外防護件43之位置。
另一方面,監視處理部92對於表示附著於濡濕性較低之疏水面之液滴L1之液滴區域RL1,使用拍攝圖像(更具體而言為防護件判定區域R1)中去除液滴區域RL1全體之區域,監視外防護件43之位置。藉此,可避免因外防護件43之外周面之像失真之液滴區域RL1引起之類似度之降低,可以更高之精度算出類似度。因此,可以更高之精度監視外防護件43之位置。
且,於上述之例中,監視處理部92基於區域資料判定表面之濡濕性。藉此,監視處理部92可以更簡單之處理判定表面之濡濕性。
<經時變化>
有旋轉基座21之上表面21a之濡濕性及外防護件43之外周面之濡濕性隨著時間之經過而變化之情形。例如,因處理液附著於旋轉基座21之上表面21a及外防護件43之外周面,濡濕性可能會逐漸變化。濡濕性根據處理液之類別、旋轉基座21之上表面21a之材質及外防護件43之外周面之材質提高或降低。
此種濡濕性之經時性變化可藉由實驗或模擬預先測定。因此,監視處理部92亦可根據經時性變化更新區域資料。
圖13係顯示區域資料之更新之一例之流程圖。首先,監視處理部92取得基板處理裝置100之運轉時間等之經時關聯值(步序S31)。此處言及之運轉時間係基板處理裝置100進行動作之累積時間。此種累積時間例如基於周知之計時器電路測定。經時關聯值除基板處理裝置100之運轉時間外,亦可包含經過時間及基板W之處理片數之至少任一者。此處言及之經過時間無關於基板處理裝置100是否進行動作,而係經過之時間。基板W之處理片數係基板處理裝置100完成處理之基板W之片數。例如控制部9每當於傳載機器人102取出基板W時,將處理片數遞增,藉此可測定處理片數。
接著,監視處理部92基於經時關聯值更新區域資料。具體而言,監視處理部92判定經時關聯值是否為指定經時閾值以上(步序S32)。經時閾值例如藉由模擬或實驗預先設定並記憶於記憶部94。於經時關聯值未達經時閾值時,監視處理部92再次執行步序S31。
於經時關聯值為指定經時閾值以上時,監視處理部92更新區域資料(步序S33)。作為更具體之一例,於外防護件43之外周面之濡濕性隨著時間之經過而提高之情形時,監視處理部92以如下般更新區域資料之方式規定動作。即,監視處理部92於經時關聯值為經時閾值以上時,於區域資料中,將表示外防護件43之外周面之區域自疏水區域變更為親水區域。另一方面,於旋轉基座21之上表面21a之濡濕性隨著時間之經過而降低之情形時,監視處理部92以如下般更新區域資料之方式規定動作。即,監視處理部92於經時關聯值為經時閾值以上時,於區域資料中,將表示旋轉基座21之上表面21a之區域自親水區域變更為疏水區域。另,作為經時閾值,亦可根據拍攝圖像中之各物體之表面採用不同之值。
如以上,監視處理部92根據包含於攝像區域之物體表面之濡濕性之經時變化,更新區域資料。藉此,監視處理部92可與經時變化對應而適當決定液滴區域RL1之刪除範圍。
<濡濕性判定>
於上述之例中,預先設定表示攝像區域內之物體表面之濡濕性之區域資料,並記憶於記憶部94。然而,未必限於此。監視處理部92亦可如以下所述,基於拍攝圖像判定濡濕性之高低。
且,如自圖10可理解般,濡濕性較低之表面上之液滴L1以較厚隆起之狀態定位。於濡濕性較低之表面,球狀之液滴L1幾乎不擴展,於供給至該表面之液之量較多之情形時,複數個液滴L1細微地分離存在。即,濡濕性較低之表面中之液滴L1之俯視下之尺寸相對較小。另一方面,因濡濕性較高之表面上之液滴L1薄且大地擴展,故其俯視時之尺寸相對較大。
因此,監視處理部92亦可基於拍攝圖像求出液滴L1之尺寸,根據該尺寸判定液滴L1所附著之表面之濡濕性。換言之,監視處理部92亦可基於液滴L1之尺寸,決定液滴區域RL1之刪除範圍。
圖14係顯示基於尺寸之刪除範圍之決定方法之一例之流程圖。首先,監視處理部92基於拍攝圖像求出液滴區域RL1之尺寸(步序S41)。具體而言,監視處理部92求出構成液滴區域RL1之像素之像素數作為液滴區域RL1之尺寸。
接著,監視處理部92判定液滴區域RL1之尺寸是否為指定濡濕性閾值(相當於第1閾值)以上(步序S42)。濡濕性閾值例如預先設定並記憶於記憶部94。
另一方面,於液滴區域RL1之尺寸為濡濕性閾值以上時,監視處理部92將液滴區域RL1之刪除範圍決定為輪廓區域RL1a(步序S43)。即,因於尺寸為濡濕性閾值以上時,認為液滴區域RL1為濡濕性較高之親水區域內,故將刪除範圍決定為輪廓區域RL1a。
於液滴區域RL1之尺寸未達濡濕性閾值時,監視處理部92將液滴區域RL1之刪除範圍決定為液滴區域RL1全體(步序S44)。即,因於尺寸為濡濕性閾值下上時,認為液滴區域RL1為濡濕性較低之疏水區域內,故將刪除範圍決定為液滴區域RL1全體。
藉此,監視處理部92可基於拍攝圖像,自動決定液滴區域PL1之刪除範圍。因操作員無需預先設定表面之濡濕性,故可使事前之區域資料之設定更簡單。
另,因可事先一定程度上決定拍攝圖像中之各物體之位置,故亦可預先設定表示拍攝圖像內之各物體之區域之區域資料。於該區域資料中,雖設定拍攝圖像中之各物體之區域,但不包含該區域中之濡濕性之資訊。若參照圖6之例進行說明,則區域資料包含表示旋轉基座21之上表面21a之區域、與表示外防護件43之外周面之區域。但,區域資料不包含該等區域之濡濕性相關之資訊。
監視處理部92亦可於區域資料中所示之某物體之表面(例如旋轉基座21之上表面21a)上之複數個液滴區域RL1之至少任一者之尺寸為濡濕性閾值以上時,將該表面上之複數個液滴區域RL1之刪除範圍決定為輪廓區域RL1a。監視處理部92亦可於區域資料中所示之另外之物體之表面(例如外防護件43之外周面)上之複數個液滴區域RL1之所有尺寸未達濡濕性閾值時,將各液滴區域RL1全體決定為該表面之複數個液滴區域RL1之刪除範圍。
於上述之例中,因監視處理部92基於液滴區域RL1之尺寸判定濡濕性,故監視處理部92可以相對較輕之處理負荷判定濡濕性。
然而,刪除範圍之決定方法未必限於上述例。例如,監視處理部92亦可使用已學習模型,基於拍攝圖像判定各物體之表面之濡濕性。已學習模型例如藉由學習模型使用具有於旋轉基座21之上表面21a包含液滴L1之複數個拍攝圖像(學習圖像資料)與其標籤(濡濕性相關之正解類別)之複數個教師資料、及具有於外防護件43之外周面包含液滴L1之複數個拍攝圖像及標籤之複數個教師資料,進行學習而產生。藉由使用已學習模型,可以高精度判定濡濕性。
圖15係顯示使用已學習模型之刪除範圍之決定方法之一例之流程圖。監視處理部92進行使用已學習模型之分類處理(步序S51)。例如,監視處理部92按攝像圖案中之每個物體之表面進行分類處理。例如,監視處理部92於相當於旋轉基座21之上表面21a之區域包含液滴區域RL1時,使用已學習模型將該區域分類為親水類別及疏水類別之一者。同樣,監視處理部92於相當於外防護件43之外周面之區域包含液滴區域RL1時,使用已學習模型將該區域分類為親水類別及疏水類別之一者。即,作為分類之類別,對複數個表面(此處為旋轉基座21之上表面21a及外防護件43之外周面)各者準備表示親水及疏水之類別。
監視處理部92判定類別,根據類別決定液滴區域RL1之刪除範圍(步序S52)。具體而言,監視處理部92對於附著於親水面之液滴L1,將該液滴區域RL1之輪廓區域RL1a決定為刪除範圍,對於附著於疏水面之液滴L1,將該液滴區域RL1全體決定為刪除範圍。
<第3實施形態>
於處理單元1中,有液滴L1附著於相機防護件72之表面之情形。例如,腔室10內之處理液之揮發成分於相機防護件72之表面(具體而言為處理空間側之表面)冷卻並凝結,而有液滴L1附著於相機防護部72之表面之情形。因此,於第3實施形態中,抑制因相機防護件72之液滴L1引起之監視處理之精度降低。
圖16係概略性顯示第3實施形態之處理單元1之構成之一例之縱剖視圖。以下,將第3實施形態之處理單元1稱為處理單元1A。處理單元1A與第1及第2實施形態之處理單元1相比,進而包含有相機移位部73。
相機移位部73例如包含馬達,使相機70於第1相機位置與第2相機位置之間移位。例如,相機移位部73亦可使相機70旋轉。於該情形時,第1相機位置及第2相機位置由以相機70之旋轉軸線為中心之角度表示。相機70之可動角度範圍例如設定為數度至數十度左右。此處作為一例,相機移位部73使相機70繞水平之旋動軸線旋轉。藉由相機移位部73使相機70旋轉,相機70之攝像方向繞相機70之旋轉軸線於指定角度範圍內迴旋。
相機70於第1相機位置拍攝攝像區域後,於第2相機位置亦拍攝攝像區域。因第1相機位置及第2相機位置互不相同,故第1相機位置之攝像區域與第2相機位置之攝像區域互不相同。
圖17係概略性顯示相機70於第1相機位置拍攝時之拍攝圖像之一例之圖,圖18係概略性顯示相機70於第2相機位置拍攝時之拍攝圖像之一例之圖。於圖17及圖18中,顯示液滴L1附著於相機防護件72之表面時之拍攝圖像。
相機70之旋轉軸線水平延伸,此處,第2相機位置處之攝像方向較第1相機位置處之攝像方向朝向更下方。因此,圖18之拍攝圖像內之各物體成為相對於圖17之拍攝圖像之各物體向上側平行移動者。但,其平行移動量依存於相機70與物體之間之距離。具體而言,該距離越大,物體之平行移動量越大。即,與相機70之距離越遠,平行移動量越大。如圖16所示,因相機70與相機防護件72之間之距離相較於相機70與處理空間內之其他物體之間之距離最短,故附著於相機防護件72之液滴L1之平行移動量最小。具體而言,基板W、基板保持部20及外防護件43之拍攝圖像內之位置雖於圖17之拍攝圖像與圖18之拍攝圖像之間大幅變化,但液滴區域RL1之拍攝圖像內之位置變化小於其等。
反言之,若第1相機位置及第2相機位置中之拍攝圖像之液滴L1之位置彼此之差相對較小,則可認為液滴L1附著於相機防護件72。另一方面,若第1相機位置及第2相機位置中之拍攝圖像之液滴L1之位置彼此之差相對較大,則可認為液滴L1附著於與相機防護件72不同之物體。
第3實施形態之監視處理之一例與圖7及圖8之流程同樣。但,於步序S11之攝像步驟中,於第1相機位置及第2相機位置各者,相機70拍攝攝像區域並產生拍攝圖像。又,步序S132之液滴刪除步驟之具體一例與第1實施形態不同。圖19係顯示第3實施形態之液滴刪除步驟之具體一例之流程圖。
首先,監視處理部92基於拍攝圖像,判定於相機防護件72是否附著有液滴L1(步序S61)。具體而言,監視處理部92基於第1相機位置處之拍攝圖像中之液滴區域RL1、與第2相機位置處之拍攝圖像中之液滴區域RL1之位置之差,判定液滴L1是否附著於相機防護件72。此處,因相機移位部73使相機70繞水平旋轉軸線旋轉,故拍攝圖像內之物體於縱向移動。因此,監視處理部92求出兩拍攝圖像中與相同液滴L1對應之液滴區域RL1彼此之縱向之位置差。兩拍攝圖像中相當於相同液滴L1之液滴區域RL1例如可藉由匹配處理特定。作為匹配處理,例如可採用模板匹配。
監視處理部92將該位置之差與指定位置閾值進行比較,當該差未達位置閾值時,判定為液滴L1附著於相機防護件72。位置閾值例如藉由模擬或實驗預先設定並記憶於記憶部94。
於相機防護件72附著有液滴L1時,監視處理部92判定相機防護件72之表面是親水面還是疏水面(步序S62)。此處作為一例,將表示相機防護件72之表面之濡濕性之防護件資料預先記憶於記憶部94。防護件資料包含表示相機防護件72之表面之濡濕性是高還是低之資料,即表示相機防護件72之表面是親水面還是疏水表面之資料。監視處理部92自記憶部94讀出防護件資料,判定相機防護部72之表面之濡濕性之高低。
於相機防護件72之表面為親水面時,監視處理部92將液滴區域RL1之輪廓區域RL1a決定為刪除範圍(步序S63),於相機防護件72之表面為疏水面時,監視處理部92將液滴區域RL1之全體決定為刪除範圍(步序S64)。
於步序S61中,於相機防護件72中未附著液滴L1時,監視處理部92與第2實施形態同樣,亦可根據區域資料決定液滴區域RL1之刪除範圍。
接著,監視處理部92與第2實施形態同樣,基於刪除液滴區域RL1之刪除範圍後之除去圖像及參考圖像之比較,監視外防護件43之位置(步序S134)。另,於監視步驟中,可使用第1相機位置之拍攝圖像、第2相機位置之拍攝圖像之任一者。作為參考圖像,準備與拍攝圖像相應之圖像即可。
如以上,於第3實施形態中,於相機防護件72附著有液滴L1時,根據相機防護件72之濡濕性決定液滴區域RL1之刪除範圍。因此,可根據相機防護件72之濡濕性,以更適當之精度監視外防護件43。
另,監視處理部92亦可與第2實施形態之區域資料同樣,經時性更新防護件資料。但,於相機防護件72之濡濕性幾乎未經時性變化之情形時,未必需要防護件資料。例如,於相機防護件72為親水性之情形時,監視處理部92自拍攝圖像刪除表示附著於相機防護件72之液滴L1之液滴區域RL1之輪廓區域RL1a即可。於該情形時,當然不進行防護件資料之讀出。同樣,於相機防護件72為疏水性之情形時,監視處理部92只要自拍攝圖像刪除表示附著於相機防護件72之液滴L1之液滴區域RL1全體即可。於該情形時,當然不進行防護件資料之讀出。
<第4實施形態>
圖20係概略性顯示第4實施形態之處理單元1之構成之一例之縱剖視圖。於以下,亦將第4實施形態之處理單元1稱為處理單元1B。處理單元1B相較於處理單元1A,進而包含液滴除去部74。
液滴除去部74進行除去附著於相機防護件72之表面之液滴L1之除去動作。另,此處言及之「除去」意指去除相機防護件72之液滴L1之至少一部分即可,未必去除所有液滴L1。
於圖20之例中,液滴除去部74包含噴嘴741、氣體供給管742及閥743。噴嘴741設置於腔室10之處理空間內,朝向相機防護件72之表面噴出氣體。噴嘴741通過氣體供給管742連接於氣體供給源744。氣體供給源744具有貯存氣體之槽,向氣體供給管742供給氣體。作為氣體,可採用包含氬氣等稀有氣體及氮氣之至少一者之惰性氣體。於氣體供給管742設置有閥743。當閥743打開時,氣體自氣體供給源744通過氣體供給管742供給至噴嘴741,自噴嘴741之噴出口朝向相機防護件72之表面噴出。藉由將氣體吹送至相機防護件72之表面,附著於相機防護件72之液滴L1被吹飛,而自相機防護件72除去。氣體之流量例如設定為50 cc/min以上且150 cc/min以下左右。
控制部9於判定為拍攝圖像包含有液滴L1時,使液滴除去部74進行除去動作,自相機防護件72除去液滴L1。
圖21係顯示第4實施形態之處理單元1B之動作之一例之流程圖。首先,相機70拍攝攝像區域,產生拍攝圖像(步序S71)。與第3實施形態同樣,相機70可於第1相機位置及第2相機位置各者拍攝攝像區域。
接著,控制部9判定拍攝圖像是否包含有液滴L1(步序S72)。控制部9與第1實施形態同樣判定液滴L1之有無。
於判定為拍攝圖像包含有液滴L1時,液滴除去部74進行除去動作(步序S73)。即,閥743打開,氣體吹送至相機防護件72之表面。藉此,將可能附著於相機防護件72之液滴L1吹飛。總之,拍攝圖像包含有液滴L1時,因於相機防護部72可能會附著有液滴L1,故使液滴除去部74作動。
接著,控制部9判定步序S71、S72是否已執行指定次數(步序S74)。若尚未執行指定次數,則控制部9再次進行步序S71。指定次數例如藉由模擬或實驗預先設定並記憶於記憶部94。指定次數亦可為1。於該情形時,無需步序S74。
於藉由液滴除去部74之作動除去液滴L1之情形時,拍攝圖像中不包含液滴L1。因此,於步序S72中判定為拍攝圖像中不包含液滴L1。此時,監視處理部92不使液滴除去部74進一步作動,而基於拍攝圖像監視外防護件43之位置(步序S75)。即,監視處理部92基於除去動作後之拍攝圖像,監視外防護件43之位置。此處,因不包含液滴L1,故監視處理部92藉由防護件判定區域R11與參考圖像M11之比較、及防護件判定區域R12與參考圖像M12之比較,監視外防護件43之位置。
另一方面,於步序S71、S72已執行指定次數時,有除去動作後之最新之拍攝圖像仍包含有液滴L1之可能性。但,因藉由液滴除去部74之作動,自相機防護件72之表面除去液滴L1之可能性較高,故液滴L1附著於相機防護件72以外之物體,例如旋轉基座21之上表面21a或外防護件43之外周面之可能性較高。因此,監視處理部92與第1或第2實施形態同樣,基於除去動作後之拍攝圖像監視外防護件43(步序S75)。
當然,因附著於相機防護件72之可能性亦不為零,故監視處理部92於步序S75中,亦可與第3實施形態同樣,基於除去動作後之拍攝圖像監視外防護件43之位置。
如以上,於相機防護件72附著有液滴L1之可能性較高時,可藉由液滴除去部74除去相機防護件72之液滴L1。因此,於隨後之監視步驟中,可抑制相機防護件72之液滴L1之影響,以更高之精度監視外防護件43。
另,亦可為,於步序S71中,相機70於第1相機位置及第2相機位置中拍攝攝像區域,於步序S72中,控制部9基於兩拍攝圖像判定於相機防護件72是否附著有液滴L1。於該情形時,因於相機防護件72附著有液滴L1時使液滴除去部74作動,故可避免液滴除去部74之無用之除去動作。
又,於上述具體例中,雖液滴除去部74以氣體吹飛液滴L1,但並不限於此。例如,液滴除去部74亦可包含:除液器本體,其沿相機防護件72之表面延伸;除液器驅動部,其使除液器本體以其基端為中心旋轉,使除液器本體沿相機防護件72之表面迴旋。除液器驅動部例如包含馬達。藉此,可更確實地除去附著於相機防護件72之液滴。
如以上,雖已詳細地說明基板處理裝置100及監視方法,但上述之說明於所有態樣中為例示,其等並非限定於此者。未例示之無數變化例應理解為可不脫離本揭示之範圍而想到者。上述各實施形態及各變化例所説明之各構成只要不相互矛盾即可適當組合,或省略。
例如,作為監視對象物,可採用基板保持部20、第1噴嘴30、第2噴嘴60、第3噴嘴65、內防護件41及中防護件42之至少任一者。總之,可採用腔室10內之任意物體作為監視對象物。
1:處理單元
1A:處理單元
1B:處理單元
9:控制部
10:腔室
11:側壁
12:頂壁
13:底壁
14:風扇過濾單元
15:分隔板
18:排氣導管
20:基板保持部(旋轉夾盤)
21:旋轉基座
21a:上表面
22:旋轉馬達
23:蓋構件
24:旋轉軸
25:凸緣狀構件
26:夾盤銷
30:噴嘴(第1噴嘴)
32:噴嘴臂
33:噴嘴支持柱
34:供給管
35:閥
36:處理液供給源
40:防護部
41:內防護件
42:中防護件
43:監視對象物(外防護件)
43a:筒狀部
43b:傾斜部
44:底部
45:內壁部
46:外壁部
47:第1引導部
47a:筒狀部
47b:傾斜部
48:中壁部
49:廢棄槽
50:內側回收槽
51:外側回收槽
52:第2引導部
52a:筒狀部
52b:傾斜部
53:處理液分離壁
55:防護件升降機構
60:噴嘴(第2噴嘴)
62:噴嘴臂
63:噴嘴支持柱
65:噴嘴(第3噴嘴)
67:噴嘴臂
68:噴嘴支持柱
70:相機
71:照明部
72:相機防護件
73:相機移位部
74:液滴除去部
91:處理控制部
92:監視處理部
94:記憶部
100:基板處理裝置
102:傳載機器人
103:主搬送機器人
111:凹狀壁部
741:噴嘴
742:氣體供給管
743:閥
744:氣體供給源
AR34:箭頭
AR64:箭頭
AR69:箭頭
CX:旋轉軸線
DM12:除去參考圖像資料(除去參考圖像)
DR12:除去圖像
E1:橢圓
L1:液滴
L1a:輪廓部分
L1b:內側部分
LA1:長軸
LP:裝載埠
M1,M11,M12:參考圖像
R1,R11,R12:防護件判定區域
RL1:液滴區域
RL1a:輪廓區域
RL1b:內側區域
S1~S6,S21~S25,S31~S33,S41~S44,S51,S52,S61~S64,S71~S75,S131~S134:步序
S11:攝像步驟(步序)
S12:液滴判定步驟(步序)
S11:監視步驟(步序)
SA1:短軸
W:基板
圖1係概略性顯示基板處理裝置之構成之一例之俯視圖。
圖2係概略性顯示第1實施形態之處理單元之構成之一例之俯視圖。
圖3係概略性顯示第1實施形態之處理單元之構成之一例之縱剖視圖。
圖4係概略性顯示控制部之內部構成之一例之功能方塊圖。
圖5係顯示基板處理之流程之一例之流程圖。
圖6係概略性顯示相機拍攝攝像區域而產生之拍攝圖像之一例之圖。
圖7係顯示處理單元之監視處理之一例之流程圖。
圖8係顯示監視步驟之具體一例之流程圖。
圖9係概略性顯示進行對拍攝圖像及參考圖像之液滴刪除步驟之狀況之一例之圖。
圖10係概略性顯示旋轉基座之上表面及外防護件之外周面上之液滴之一例之剖視圖。
圖11係概略性顯示第2實施形態之液滴刪除步驟之具體一例之流程圖。
圖12係概略性顯示進行對拍攝圖像及參考圖像之液滴刪除步驟之狀況之一例之圖。
圖13係顯示區域資料之更新之一例之流程圖。
圖14係顯示基於尺寸之刪除範圍之決定方法之一例之流程圖。
圖15係顯示使用已學習模型之刪除範圍之決定方法之一例之流程圖。
圖16係概略性顯示第3實施形態之處理單元之構成之一例之縱剖視圖。
圖17係概略性顯示相機於第1相機位置拍攝時之拍攝圖像之一例之圖。
圖18係概略性顯示相機於第2相機位置拍攝時之拍攝圖像之一例之圖。
圖19係概略性顯示第3實施形態之液滴刪除步驟之具體一例之流程圖。
圖20係概略性顯示第4實施形態之處理單元之構成之一例之縱剖視圖。
圖21係顯示第4實施形態之處理單元之動作之一例之流程圖。
1:處理單元
9:控制部
10:腔室
11:側壁
12:頂壁
13:底壁
14:風扇過濾單元
15:分隔板
18:排氣導管
20:基板保持部(旋轉夾盤)
21:旋轉基座
21a:上表面
22:旋轉馬達
23:蓋構件
24:旋轉軸
25:凸緣狀構件
26:夾盤銷
30:噴嘴(第1噴嘴)
34:供給管
35:閥
36:處理液供給源
40:防護部
41:內防護件
42:中防護件
43:監視對象物(外防護件)
43a:筒狀部
43b:傾斜部
44:底部
45:內壁部
46:外壁部
47:第1引導部
47a:筒狀部
47b:傾斜部
48:中壁部
49:廢棄槽
50:內側回收槽
51:外側回收槽
52:第2引導部
52a:筒狀部
52b:傾斜部
53:處理液分離壁
55:防護件升降機構
70:相機
71:照明部
72:相機防護件
111:凹狀壁部
CX:旋轉軸線
W:基板
Claims (12)
- 一種基板處理裝置,其具備: 腔室; 基板保持部,其於上述腔室內保持基板; 噴嘴,其朝向由上述基板保持部保持之上述基板噴出處理液; 相機,其拍攝包含上述腔室內之監視對象物之攝像區域,產生拍攝圖像資料;及 控制部,其於上述拍攝圖像資料包含有液滴時,使用上述拍攝圖像資料中去除表示上述液滴之液滴區域之至少一部分之區域,監視上述監視對象物。
- 如請求項1之基板處理裝置,其進而具備: 記憶部,其記憶表示上述拍攝圖像資料中與互不相同之物體之表面對應之第1區域及第2區域之區域資料;且 上述控制部於上述第1區域內包含有上述液滴時,使用上述拍攝圖像資料中去除上述液滴區域之輪廓區域後之區域,監視上述監視對象物,於上述第2區域內包含有上述液滴時,使用上述拍攝圖像資料中去除上述液滴區域全體後之區域,監視上述監視對象物。
- 如請求項1之基板處理裝置,其中 上述控制部對於附著於親水面之上述液滴,使用上述拍攝圖像資料中去除上述液滴區域之輪廓區域之區域、且對於附著於濡濕性低於上述親水面之疏水面之上述液滴,使用上述拍攝圖像資料中去除上述液滴區域全體之區域,監視上述監視對象物。
- 如請求項3之基板處理裝置,其進而具備: 記憶部,其記憶表示上述拍攝圖像資料中分別與上述親水面及上述疏水面對應之第1區域及第2區域之區域資料;且 上述控制部基於上述區域資料,判定上述液滴所附著之表面是上述親水面還是上述疏水面。
- 如請求項4之基板處理裝置,其中 上述控制部基於上述基板處理裝置之運轉時間、表示上述基板之處理片數或經過時間之經時關聯值,更新上述區域資料。
- 如請求項3之基板處理裝置,其中 上述控制部基於上述拍攝圖像資料,判定上述液滴所附著之表面是上述親水面還是上述疏水面。
- 如請求項6之基板處理裝置,其中 上述控制部基於上述拍攝圖像資料算出上述液滴區域之尺寸,於上述液滴區域之尺寸為閾值以上時,判定為上述表面是親水面,於上述液滴之尺寸未達上述閾值時,判定為上述表面是疏水面。
- 如請求項6或7之基板處理裝置,其中 上述控制部使用已學習模型,判定上述表面是上述親水面還是上述疏水面。
- 如請求項1至7中任一項之基板處理裝置,其進而具備: 親水性且透明之相機防護件,其設置於上述相機與上述攝像區域之間;且 上述控制部基於上述拍攝圖像資料,判定於上述相機防護件是否附著有上述液滴,於上述相機防護件附著有上述液滴時,使用自上述拍攝圖像資料去除表示附著於上述相機防護件之上述液滴之上述液滴區域之輪廓區域的區域,監視上述監視對象物。
- 如請求項1至7中任一項之基板處理裝置,其進而具備: 疏水性且透明之相機防護件,其設置於上述相機與上述攝像區域之間;且 上述控制部基於上述拍攝圖像資料,判定於上述相機防護件是否附著有上述液滴,於上述相機防護件附著有上述液滴時,使用自上述拍攝圖像資料去除表示附著於上述相機防護件之上述液滴之上述液滴區域全體的區域,監視上述監視對象物。
- 如請求項1至7中任一項之基板處理裝置,其進而具備: 透明相機防護件,其設置於上述相機與上述攝像區域之間;及 液滴除去部,其進行除去附著於上述相機防護件之上述液滴之至少一部分之除去動作;且 於上述拍攝圖像資料包含有上述液滴時,上述液滴除去部進行上述除去動作,上述控制部基於上述除去動作後由上述相機拍攝之上述拍攝圖像資料,監視上述監視對象物。
- 一種監視方法,其具備: 拍攝步驟,其由相機拍攝攝像區域而產生拍攝圖像資料,且該攝像區域包含收容保持基板之基板保持部及向由上述基板保持部保持之上述基板噴出處理液之噴嘴的腔室內之監視對象物; 液滴判定步驟,其判定上述拍攝圖像資料是否包含有液滴;及 監視步驟,其於上述拍攝圖像資料包含有上述液滴時,使用上述拍攝圖像資料中去除表示上述液滴之液滴區域之至少一部分之區域,監視上述監視對象物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022-043753 | 2022-03-18 | ||
JP2022043753A JP2023137510A (ja) | 2022-03-18 | 2022-03-18 | 基板処理装置および監視方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202347468A true TW202347468A (zh) | 2023-12-01 |
Family
ID=88022783
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW112106627A TW202347468A (zh) | 2022-03-18 | 2023-02-23 | 基板處理裝置及監視方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2023137510A (zh) |
TW (1) | TW202347468A (zh) |
WO (1) | WO2023176176A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117241483B (zh) * | 2023-10-25 | 2024-04-12 | 广东达源设备科技有限公司 | 用于电路板生产的喷淋装置和方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009032830A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板検出装置および基板処理装置 |
JP2011146683A (ja) * | 2009-12-14 | 2011-07-28 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置、塗布、現像装置、塗布、現像方法、及び記憶媒体 |
JP6251086B2 (ja) * | 2014-03-12 | 2017-12-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
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JP7072415B2 (ja) * | 2018-03-26 | 2022-05-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP7179568B2 (ja) * | 2018-10-05 | 2022-11-29 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP7384748B2 (ja) * | 2020-06-08 | 2023-11-21 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
-
2022
- 2022-03-18 JP JP2022043753A patent/JP2023137510A/ja active Pending
-
2023
- 2023-01-31 WO PCT/JP2023/003049 patent/WO2023176176A1/ja unknown
- 2023-02-23 TW TW112106627A patent/TW202347468A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2023176176A1 (ja) | 2023-09-21 |
JP2023137510A (ja) | 2023-09-29 |
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