TW202342578A - 三芳香胺高分子量化合物及有機電致發光元件 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的在於提供一種電洞之注入•輸送性能優越、具有電子阻止能力、薄膜狀態下之穩定性高的高分子量材料。又，本發明之目的在於提供一種具有由上述高分子量材料所形成之有機層(薄膜)、發光效率高、長壽命的有機EL元件。 本發明係著眼於分子主鏈中含有二苯基萘構造之三芳香胺構造單位、及含有二苯基萘構造單位之三芳香胺高分子量化合物，且發現除了電洞注入•輸送能力之外，亦為寬能隙之新穎構造的高分子量化合物。

Description

三芳香胺高分子量化合物及有機電致發光元件
本發明係關於屬於各種顯示裝置中適用之自發光元件的有機電致發光元件(有機EL元件)所適合的高分子量化合物與其元件。
有機EL元件由於為自發光性元件，因此相較於液晶元件其明亮而辨視性優越，可鮮明顯示，故已被積極研究。
有機EL元件係具有將有機化合物之薄膜(有機層)挾持於陽極與陰極的構成。作為薄膜之形成方法，大致區別為真空蒸鍍法與塗佈法。真空蒸鍍法主要使用低分子化合物，為於真空中在基板上形成薄膜的手法，屬於已實用化之技術。另一方面，塗佈法主要使用高分子化合物，為藉由噴墨或印刷等使用溶液於基板上形成薄膜的手法，其材料之使用效率高，適合於大面積化、高精細化，為今後之大面積有機EL顯示器所不可或缺的技術。
使用低分子材料之真空蒸鍍法係材料之使用效率極度地低，若進行大型化則蒸鍍罩之撓曲增大，難以對大型基板均勻蒸鍍。又，亦有製造成本變高之問題。
另一方面，高分子材料係藉由塗佈溶解於有機溶劑的溶液，即使是大型基板亦可形成均勻膜，利用此情形可使用以噴墨法或印刷法為代表的塗佈法。因此，可提高材料之使用效率，可大幅削減元件製作之製造成本。
迄今為止，對使用高分子材料之有機EL元件已進行各種檢討，但仍有發光效率或壽命等之元件特性未必充分的問題(例如參照專利文獻1~5)。
又，作為迄今為止已使用於高分子有機EL元件之代表性之電洞輸送材料，已知有所謂TFB之茀聚合物(參照專利文獻6~7)。然而，TFB由於電洞輸送性不足、且電子阻止性不足，故有電子之一部分穿透發光層、無法期待發光效率提升的問題。再者，由於與鄰接層間之膜密黏性低，故有亦無法期待元件之長壽命化的問題。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2005-272834號公報 專利文獻2：日本專利特開2007-119763號公報 專利文獻3：日本專利特開2007-162009號公報 專利文獻4：日本專利特開2007-177225號公報 專利文獻5：美國專利US7651746 B2 專利文獻6：國際專利公開第1999/054385號 專利文獻7：國際專利公開第2005/059951號
本發明之目的在於提供一種電洞之注入•輸送性能優越、具有電子阻止能力、薄膜狀態下之穩定性高的高分子材料。又，本發明之目的在於提供具有由上述高分子材料所形成之有機層(薄膜)、發光效率高、長壽命的有機EL元件。
本案發明人等著眼於於分子主鏈中含有萘構造單位及三芳香胺構造單位之三芳香胺高分子量化合物具有高電洞注入•輸送能力，進而亦可期待寬能隙化，而合成各種三芳香胺高分子量化合物並進行檢討，結果發現除了電洞注入•輸送能力之外，亦為寬能隙之新穎構造的高分子量化合物，遂完成本發明。
根據本發明，提供一種高分子量化合物，係含有：由下述一般式(1)所示三芳香胺構造單位及一般式(2)所示連結構造單位所構成的下述一般式(3)所示重複構造單位。
又，根據本發明，提供一種有機EL元件，係具備使用上述高分子量化合物所形成的有機層。
本發明之有機EL元件中，上述有機層較佳為電洞輸送層、電子阻止層、電洞注入層或發光層。
亦即，本發明係以下所記載者。
[1]一種高分子量化合物，係含有：由下述一般式(1)所示三芳香胺構造單位及下述一般式(2)所示連結構造單位所構成的下述一般式(3)所示重複構造單位；且，以聚苯乙烯換算計具有10,000以上且未滿1,000,000之重量平均分子量；
[化1]
[化2]
[化3]
上式中，R 1分別獨立表示氫原子、氘原子、氰基、硝基、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、碳數1~8之烷基或烷氧基、碳數5~10之環烷基或環烷氧基、碳數2~6之烯基、或者碳數6~10之芳氧基； R 2分別獨立表示碳數3~40之烷基、環烷基或烷氧基； X表示氫原子、胺基、1價之芳基、或1價之雜芳基； L表示2價之伸苯基、或伸萘基，n表示0~3之整數； a、b及c為R 1之數，且為以下之整數； a=0、1、2或3； b=0、1、2、3或4； c=0或1。
[2]如[1]之高分子量化合物，其中，上述一般式(1)、(2)及(3)中，a、b及c為0。
[3]如[1]或[2]之高分子量化合物，其中，上述一般式(1)及(3)中，R 2為碳數3~40之烷基。
[4]如[1]至[3]中任一項之高分子量化合物，其中，上述一般式(2)及(3)中，X為氫原子，或者亦可經取代之胺基、芳基或雜芳基。
[5]如[1]至[3]中任一項之高分子量化合物，其中，上述一般式(2)及(3)中，X為氫原子、二苯基胺基、苯基、萘基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、菲基、茀基、咔唑基、茚并咔唑基、或吖啶基。
[6]如[1]至[5]中任一項之高分子量化合物，其含有熱交聯性構造單位、或與上述一般式(1)所示三芳香胺構造單位不同之三芳香胺構造單位。
[7]如[6]之高分子量化合物，其中，上述熱交聯性構造單位為下述一般式(4-1)~(4-143)所示構造單位；
[化4]
[化5]
[化6]
[化7]
[化8]
[化9]
[化10]
[化11]
上式(4-1)~(4-143)中，虛線表示對鄰接構造單位的結合鍵，由環所延伸出之前端空缺的實線係表示其前端為甲基；
上式(4-1)~(4-143)中，R分別獨立表示氫原子、氘原子、氰基、硝基、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、或者碳數3~40之烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、烯基或芳氧基； a及b為R之數，且為以下之整數； a=0、1、2或3； b=0、1、2、3或4。
[8]一種有機電致發光元件，係具備使用[1]至[7]中任一項之高分子量化合物所形成的有機層。
[9]如[8]之有機電致發光元件，其中，上述有機層為電洞輸送層。
[10]如[8]之有機電致發光元件，其中，上述有機層為電子阻止層。
[11]如[8]之有機電致發光元件，其中，上述有機層為電洞注入層。
[12]如[8]之有機電致發光元件，其中，上述有機層為發光層。
本發明之高分子量化合物係具有由上述一般式(1)所示三芳香胺構造單位(2價基)及一般式(2)所示連結構造單位(2價基)所構成的上述一般式(3)所示重複構造單位的聚合物；較佳係以利用GPC(凝膠滲透層析法)所測定之聚苯乙烯換算計的重量平均分子量為10,000以上且未滿1,000,000之範圍。
本發明之高分子量化合物係具有下述特性： (1)電洞之注入特性良好； (2)電洞之移動度大； (3)寬能隙，且電子阻止能力優越； (4)薄膜狀態穩定。
由此種本發明之高分子量化合物所形成的有機層、例如電洞輸送層、電子阻止層、電洞注入層及發光層形成於一對電極間的有機EL元件，係具有下述優點： (1)發光效率及電力效率高； (2)實用驅動電壓低； (3)長壽命。
＜三芳香胺構造單位及連結構造單位＞ 本發明之高分子量化合物所具有之三芳香胺構造單位及連結構造單位均為2價基，分別由下述一般式(1)及(2)所示。
[化12]
[化13]
上述一般式(1)及(2)中，R 1分別獨立表示氫原子、氘原子、氰基、硝基、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、碳數1~8之烷基或烷氧基、碳數5~10之環烷基或環烷氧基、碳數2~6之烯基、或者碳數6~10之芳氧基。
上述R 1所示烷基、烷氧基、環烷基、環烷氧基、烯基及芳氧基的例子，可例示以下之基。
作為烷基(碳數1~8)之例子，可舉例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、正己基、異己基、新己基、正庚基、異庚基、新庚基、正辛基、異辛基、新辛基等。 作為烷氧基(碳數1~8)之例子，可舉例如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、第三丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基等。 作為環烷基(碳數5~10)之例子，可舉例如環戊基、環己基、1-金剛烷基、2-金剛烷基等。 作為環烷氧基(碳數5~10)之例子，可舉例如環戊氧基、環己氧基、環庚氧基、環辛氧基、1-金剛烷氧基、2-金剛烷氧基等。 作為烯基(碳數2~6)之例子，可舉例如乙烯基、丙烯基、異丙烯基、2-丁烯基等。 作為芳氧基(碳數6~10)之例子，可舉例如苯氧基、甲苯氧基等。
本發明之高分子量化合物中，在a、b及c不為0時，上述R 1較佳為氘原子。合成上，最佳係a、b及c為0。
一般式(1)中，R 2分別獨立表示碳數3~40之烷基、環烷基或烷氧基。
作為R 2所示烷基、環烷基及烷氧基之例子，可舉例如與R 1所示基相同的基。
本發明之高分子量化合物中，為了提高溶解性，上述R 2較佳為碳數3~40之烷基，最佳為正己基或正辛基。
上述一般式(1)及(2)中，a、b及c為R 1之數，且表示以下之整數。 a=0、1、2或3； b=0、1、2、3或4； c=0或1。
上述一般式(2)中，X表示氫原子、胺基、1價之芳基、或1價之雜芳基。
作為上述1價之芳基、及1價之雜芳基之例子，可例示以下之基。
作為芳基之例子，可舉例如苯基、萘基、蒽基、菲基、茀基、茚基、芘基、苝基、及丙二烯合茀基等。
作為雜芳基之例子，可舉例如吡啶基、嘧啶基、三𠯤基、呋喃基、吡咯基、噻吩基、喹啉基、異喹啉基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、咔唑基、茚并咔唑基、苯并㗁唑基、苯并噻唑基、喹㗁啉基、苯并咪唑基、吡唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、啶基、啡啉基、吖啶基、及咔啉基等。
又，上述胺基、芳基及雜芳基亦可具有取代基。作為取代基，除了氘原子、氰基及硝基等之外，尚可舉例如： 鹵原子，例如氟原子、氯原子、溴原子及碘原子； 烷基，尤其是碳數1~8者，例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、正己基、異己基、新己基、正庚基、異庚基、新庚基、正辛基、異辛基、及新辛基； 烷氧基、尤其是碳數1~8者，例如甲氧基、乙氧基、及丙氧基； 烯基，例如乙烯基、及烯丙基； 芳氧基，例如苯氧基、及甲苯氧基； 芳基，例如苯基、聯苯基、聯三苯基、萘基、蒽基、菲基、茀基、茚基、芘基、苝基、丙二烯合茀基、及聯伸三苯基； 雜芳基，例如吡啶基、嘧啶基、三𠯤基、噻吩基、呋喃基、吡咯基、喹啉基、異喹啉基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、咔唑基、茚并咔唑基、苯并㗁唑基、苯并噻唑基、喹㗁啉基、苯并咪唑基、吡唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、及咔啉基； 芳基乙烯基，例如苯乙烯基、及萘乙烯基； 醯基，例如乙烯基、及苯甲醯基等。
又，此等取代基亦可進一步具有上述例示之取代基。 再者，此等取代基較佳係分別獨立存在，此等取代基彼此亦可經由單鍵、亦可具有取代基之亞甲基、氧原子或硫原子相互鍵結形成環。
本發明中，X較佳為氫原子、二苯基胺基、苯基、萘基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、菲基、茀基、咔唑基、茚并咔唑基、或吖啶基，合成上，特佳為氫原子。
例如，上述芳基及雜芳基可具有苯基作為取代基，此苯基亦可進一步具有苯基作為取代基。亦即，若以芳基為例，此芳基可為聯苯基、聯三苯基、及聯伸三苯基。
上述一般式(1)中，L表示2價之伸苯基、或伸萘基，n表示0~3之整數。本發明中，較佳係n為0。
又，上述L亦可具有取代基。作為取代基，係與上述X亦可具有之取代基相同的基，此等取代基亦可進一步具有取代基。
本發明中，將上述一般式(2)所示連結構造單位之具體例依構造單位1~26之形式示於圖1及圖2。又，圖1及圖2所示化學式中，虛線表示對鄰接構造單位的結合鍵，由環所延伸之前端空缺的實線表示其游離前端為甲基。雖例示了作為連結構造單位的較佳具體例，但本發明所使用之連結構造單位並不限定於此等構造單位。
＜高分子量化合物＞ 含有由上述一般式(1)所示三芳香胺構造單位及一般式(2)所示連結構造單位所構成的一般式(3)所示重複單位的本發明之高分子量化合物，係如上所述，電洞之注入特性、電洞之移動度、電子阻止能力、薄膜穩定性、耐熱性等特性優越，由更加提高此等特性、且確保成膜性的觀點而言，以利用GPC所測定之聚苯乙烯換算計的重量平均分子量較佳為10,000以上且未滿1,000,000，更佳為10,000以上且未滿500,000，又更佳為10,000以上且未滿200,000之範圍。
又，本發明之高分子量化合物係例如在藉由塗佈而應用於有機EL元件中的有機層之形成時，為了確保塗佈性或與其他層之密黏性、耐久性，較佳係含有其他構造單位。作為此種其他構造單位，例如用於提高熱交聯性之構造單位(熱交聯性構造單位)、及與一般式(1)所示三芳香胺構造單位不同之三芳香胺構造單位。
作為上述熱交聯性構造單位之具體例，可舉例如上述一般式(4-1)~(4-143)所示構造單位。
尚且，上述一般式(4-1)~(4-143)中，虛線表示對鄰接構造單位的結合鏈，由環所延伸之前端空缺的實線表示其前端為甲基。 又，式中之a及b為R之數，且為以下之整數。 a=0、1、2或3； b=0、1、2、3或4。
上述一般式(4-1)~(4-143)中，R表示氫原子、氘原子、氰基、硝基、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、或者碳數3~40之烷基、烷氧基、環烷基、環烷氧基、烯基、或芳氧基。
上述R所示烷基、烷氧基、環烷基、環烷氧基、烯基、及芳氧基之例子，可舉例如與R 1所示之基相同的基。 作為熱交聯性構造單位雖例示了較佳具體例，但本發明所使用之熱交聯性構造單位並不限定於此等構造單位。
本發明之高分子量化合物中，在將一般式(1)所示三芳香胺構造單位表示為「構造單位A」、將一般式(2)所示連結構造單位表示為「構造單位B」、將熱交聯性構造單位表示為「構造單位C」、及將與一般式(1)所示三芳香胺構造單位不同之三芳香胺構造單位表示為「構造單位D」時，較佳係含有構造單位A：1莫耳%以上、尤其20莫耳%以上；作為依此種量含有構造單位A的條件，較佳係含有構造單位B：1莫耳%以上、尤其30~70莫耳%之量，進而含有構造單位C：1莫耳%以上、尤其5~20莫耳%之量；依滿足此種條件之方式含有構造單位A、B及C的3元共聚合體最適合於形成有機EL元件之有機層。
本發明之高分子量化合物係藉由鈴木聚合反應或哈特維希-布赫瓦爾德(HARTWIG-BUCHWALD)聚合反應，分別形成碳-碳鍵結或碳-氮鍵結而將各構造單位連鎖，藉此合成。具體而言，準備具有各構造單位之單位化合物，將此單位化合物適當進行硼酸酯化或鹵化，並使用適當觸媒進行聚縮合反應，藉此可合成本發明之高分子量化合物。
例如，作為用於導入上述一般式(1)所示三芳香胺構造單位的化合物，可使用下述一般式(1a)所示三芳香胺衍生物。
[化14]
上式(1a)中，Q為氫原子或鹵原子(特佳為Br)，R 1、R 2及L均與上述一般式(1)中所定義者相同。
亦即，上述一般式(1a)中，Q為氫原子者係用於導入一般式(1)所示三芳香胺構造單位的單位化合物，Q為鹵原子者係用於合成聚合物的鹵化物。
例如，含有一般式(1)所示構造單位A：45莫耳%、一般式(2)所示構造單位B：50莫耳%、熱交聯性構造單位C(熱交聯性構造單位之一般式(4-5))5莫耳%的共聚合體係下述一般式(5)所示。
[化15]
其中，必需是用於導入構造單位A與構造單位C之中間體為硼酸酯化物，相對於此，用於導入構造單位B之中間體為鹵化物；或者必需是用於導入構造單位A與構造單位C之中間體為鹵化物，相對於此，用於導入構造單位B之中間體為硼酸酯化物。亦即，鹵化物與硼酸酯化物之莫耳比率必需相等。
上述本發明之高分子量化合物係溶解於苯、甲苯、二甲苯及苯甲醚等芳香族系有機溶媒而調製塗佈液，將此塗佈液塗佈於既定基材上，並進行加熱乾燥，藉此可形成電洞注入性、電洞輸送性及電子阻止性等特性優越的薄膜。
例如，上述高分子量化合物可使用作為有機EL元件之電洞注入層及/或電洞輸送層之構成材料。由此種高分子量化合物所形成的電洞注入層及電洞輸送層，相較於由習知材料所形成者，前者之電洞注入性高、移動度大、電子阻止性高，可封閉發光層內所生成之激子，可進一步提升電洞與電子再結合之機率，可得到高發光效率，同時使驅動電壓降低，可實現提升有機EL元件之耐久性等優點。
又，具有如上述電氣特性之本發明之高分子量化合物係較習知材料為寬能隙，有效地封閉激子，故當然亦可適合於電子阻止層或發光層。
＜有機EL元件＞ 具備使用上述本發明之高分子量化合物所形成之有機層的有機EL元件，係具有例如圖3所示構造。亦即，於玻璃基板1(只要為透明樹脂基板等透明基板即可)上，設置透明陽極2、電洞注入層3、電洞輸送層4、發光層5、電子輸送層6及陰極7。
本發明之高分子量化合物所應用的有機EL元件並不限定於上述層構造，可於發光層5與電子輸送層6之間設置電洞阻止層，或如圖4所示構造般，於電洞輸送層11與發光層13之間設置電子阻止層12等。再者，亦可於陰極與電子輸送層之間設置電子注入層。再者，亦可省略數層。例如，亦可作成於基板上設置陽極、電洞輸送層、發光層、電子輸送層及陰極的簡單層構造。又，亦可作成將具有相同機能之層重疊的2層構造。
本發明之高分子量化合物係發揮其電洞注入性或電洞輸送性等特性，適合使用作為設置於上述陽極與陰極之間的有機層(例如電洞注入層、電洞輸送層、發光層及電子阻止層)之形成材料。
上述有機EL元件中，透明陽極可由其本身公知之電極材料所形成，藉由將ITO及如金般之功函數較大的電極材料蒸鍍於基板(玻璃基板等之透明基板)上而形成。
又，設置於透明陽極上之電洞注入層可使用將本發明之高分子量化合物溶解於例如甲苯、二甲苯及苯甲醚等芳香族系有機溶媒而成的塗佈液而形成。例如，將此塗佈液藉由旋塗、噴墨等塗佈於透明陽極上，藉此可形成電洞注入層。
又，具備使用本發明之高分子量化合物所形成之有機層的有機EL元件中，上述電洞注入層亦可不使用本發明之高分子量化合物，而使用習知公知之材料、例如以下之材料而形成。 以銅酞青為代表之卟啉化合物； 星爆型之三苯基胺衍生物； 具有由不含單鍵或雜原子之2價基所連結之構造的芳香胺(例如三苯基胺三聚物或四聚物)； 如六氮聯三伸苯般之受體性之雜環化合物； 塗佈型之高分子材料，例如聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)、聚(苯乙烯磺酸)(PSS)等。
使用此種材料之層(薄膜)的形成，可藉由蒸鍍法、旋塗及噴墨等塗佈法進行成膜。此等係在其他層方面亦相同，配合膜形成材料之種類，藉由蒸鍍法或塗佈法進行成膜。
設置於上述電洞注入層上之電洞輸送層，亦與電洞注入層同樣地使用本發明之高分子量化合物，可藉由旋塗及噴墨等塗佈法而形成。
又，具備使用本發明之高分子量化合物所形成之有機層的有機EL元件中，亦可使用習知公知之電洞輸送材料形成電洞輸送層。作為此種電洞輸送材料，代表性者如以下所示。 聯苯胺衍生物，例如： N,N'-二苯基-N,N'-二(間甲苯基)-聯苯胺(以下簡稱為TPD)； N,N'-二苯基-N,N'-二(α-萘基)-聯苯胺(以下簡稱為NPD)； N,N,N',N'-四聯苯基聯苯胺； 胺系衍生物，例如： 1,1-雙[4-(二-4-甲苯基胺基)苯基]環己烷(以下簡稱為TAPC)； 各種三苯基胺三聚物及四聚物； 亦使用作為電洞注入層用之塗佈型高分子材料。
上述電洞輸送層之化合物係含有本發明之高分子量化合物，可分別單獨成膜，亦可混合2種以上成膜。又，亦可使用上述化合物之1種或複數種形成複數層，並將此種層所積層之多層膜作為電洞輸送層。
又，具備使用本發明之高分子量化合物所形成之有機層的有機EL元件中，亦可作成兼為電洞注入層與電洞輸送層之層，此種電洞注入•輸送層可使用PEDOT等高分子材料，藉由塗佈法所形成。
尚且，電洞輸送層(電洞注入層亦相同)中，對於該層所通常使用之材料，可使用P摻雜了參(4-溴苯基)胺六氯銻或軸烯衍生物(例如參照WO2014/009310)等而成者。又，可使用具有TPD基本骨架之高分子化合物等形成電洞輸送層(及電洞注入層)。
再者，電子阻止層(如圖4般，可設置於電洞輸送層11與發光層13之間)亦可使用本發明之高分子量化合物，藉由旋塗及噴墨等塗佈法而形成。
又，具備使用本發明之高分子量化合物所形成之有機層的有機EL元件中，亦可使用具有電子阻止作用之公知之電子阻止性化合物、例如咔唑衍生物、或具有三苯基矽基且具有三芳香胺構造之化合物等形成電子阻止層。咔唑衍生物及具有三芳香胺構造之化合物的具體例係如以下所示。 咔唑衍生物，例如： 4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯基胺(以下簡稱為TCTA)； 9,9-雙[4-(咔唑-9-基)苯基]茀； 1,3-雙(咔唑-9-基)苯(以下簡稱為mCP)； 2,2-雙(4-咔唑-9-基苯基)金剛烷(以下簡稱為Ad-Cz)； 具有三芳香胺構造之化合物，例如： 9-[4-(咔唑-9-基)苯基]-9-[4-(三苯基矽烷基)苯基]-9H-茀。
電子阻止層亦含有本發明之高分子量化合物，可分別單獨成膜，亦可混合2種以上成膜。又，可使用上述化合物之1種或複數種形成複數層，並將此種層所積層之多層膜作為電子阻止層。
具備使用本發明之高分子量化合物所形成之有機層的有機EL元件中，發光層可使用以Alq 3為首的喹啉酚衍生物之金屬錯合物；鋅、鈹及鋁等各種金屬錯合物；蒽衍生物；雙苯乙烯基苯衍生物；芘衍生物；㗁唑衍生物；聚對伸苯基伸乙烯基衍生物等發光材料所形成。
又，發光層亦可由主體材料與摻雜劑材料構成。作為此時之主體材料，除了上述發光材料之外，可使用噻唑衍生物、苯并咪唑衍生物及聚二烷基茀衍生物等，進而亦可使用上述本發明之高分子量化合物。作為摻雜劑材料，可使用喹吖酮、香豆素、紅螢烯、苝及此等之衍生物；苯并吡喃衍生物；若丹明衍生物；胺基苯乙烯基衍生物等。
此種發光層可作成為使用各發光材料之1種或2種以上的單層構成，亦可作成為積層了複數層的多層構造。
再者，亦可使用磷光發光材料作為發光材料形成發光層。作為磷光發光材料，可使用銥及鉑等金屬錯合物之磷光發光體。可使用例如Ir(ppy) 3等綠色之磷光發光體；FIrpic及FIr6等藍色之磷光發光體；Btp 2Ir(acac)等紅色之磷光發光體等。此等磷光發光材料係摻雜於電洞注入•輸送性之主體材料或電子輸送性之主體材料中而使用。
尚且，磷光性之發光材料對於主體材料的摻雜係為了避免濃度淬滅，較佳係依相對於發光層整體為1~30重量%之範圍，藉由共蒸鍍進行。
再者，作為發光材料亦可使用PIC-TRZ、CC2TA、PXZ-TRZ及4CzIPN等CDCB衍生物等放射延遲螢光的材料(參照Appl. Phys. Let., 98, 083302(2011))。
藉由使本發明之高分子量化合物載持所謂摻雜劑之螢光發光體、磷光發光體或放射延遲螢光之材料而形成發光層，可實現驅動電壓降低、發光效率改善的有機EL元件。
具備使用本發明之高分子量化合物所形成之有機層的有機EL元件中，作為電洞注入•輸送性之主體材料，可使用本發明之高分子量化合物。其他亦可使用4,4’-二(N-咔唑基)聯苯(以下簡稱為CBP)、TCTA及mCP等咔唑衍生物等。
又，具備使用本發明之高分子量化合物所形成之有機層的有機EL元件中，作為電子輸送性之主體材料，可使用對雙(三苯基矽基)苯(以下簡稱為UGH2)及2,2’,2”-(1,3,5-伸苯基)-參(1-苯基-1H-苯并咪唑)(以下簡稱為TPBI)等。
具備使用本發明之高分子量化合物所形成之有機層的有機EL元件中，作為設置於發光層與電子輸送層之間的電洞阻止層(未圖示)，可使用其本身公知之具有電洞阻止作用的化合物形成。作為此種具有電洞阻止作用之公知化合物的例子，可列舉以下者。 浴銅靈(以下簡稱為BCP)等啡啉衍生物； 雙(2-甲基-8-喹啉基)-4-苯基酚鋁(III)(以下簡稱為BAlq)等喹啉酚衍生物之金屬錯合物； 各種稀土族錯合物； 三唑衍生物； 三𠯤衍生物； 㗁二唑衍生物。
此等材料亦可使用於以下所述電子輸送層之形成，進而亦可使用作為電洞阻止層兼電子輸送層。
此種電洞阻止層亦可作成單層或多層之積層構造，各層係使用上述具有電洞阻止作用之化合物的1種或2種以上而成膜。
具備使用本發明之高分子量化合物所形成之有機層的有機EL元件中，電子輸送層可使用其本身公知之電子輸送性的化合物、例如以Alq 3及BAlq為首之喹啉酚衍生物的金屬錯合物、各種金屬錯合物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、三唑衍生物、三𠯤衍生物、㗁二唑衍生物、噻二唑衍生物、碳化二亞胺衍生物、喹㗁啉衍生物、啡啉衍生物、矽咯衍生物及苯并咪唑衍生物等而形成。
此種電子輸送層亦可作成單層或多層之積層構造，各層係使用上述電子輸送性化合物的1種或2種以上而成膜。
再者，具備使用本發明之高分子量化合物所形成之有機層的有機EL元件中，視需要所設置之電子注入層(未圖示)，亦可使用其本身公知者、例如氟化鋰及氟化銫等鹼金屬鹽、氟化鎂等鹼土族金屬鹽、氧化鋁等金屬氧化物、及鋰喹啉等有機金屬錯合物等而形成。
作為具備使用本發明之高分子量化合物所形成之有機層的有機EL元件之陰極，可使用如鋁般之功函數低之電極材料、以及如鎂銀合金、鎂銦合金、或鋁鎂合金般之功函數更低的合金作為電極材料。
如以上所述，藉由使用本發明之高分子量化合物形成電洞注入層、電洞輸送層、發光層、及電子阻止層中之至少一層，可獲得發光效率及電力效率高、實用驅動電壓低、發光起始電壓亦低、具有極優越耐久性的有機EL元件。尤其，於此有機EL元件中，具有高發光效率，且驅動電壓降低、電流耐性改善，最大發光輝度提升。 [實施例]
藉由以下實驗例說明本發明。 尚且，以下說明中，將本發明之高分子量化合物所具有之一般式(1)所示構造單位表示為「構造單位A」、一般式(2)所示連結構造單位表示為「構造單位B」、熱交聯性構造單位表示為「構造單位C」、與一般式(1)不同之三芳香胺構造單位表示為「構造單位D」。
又，所合成之化合物的精製係藉由利用管柱層析之精製、及/或利用溶媒之晶析法進行。化合物之鑑定係藉由NMR分析進行。
為了製造本發明之高分子量化合物，合成以下之中間體1~3。
＜中間體1之合成＞
[化16]
將下述成分添加至經氮置換之反應容器中，並進行氮氣通氣30分鐘。 N,N-雙(4-溴苯基)-9,9-二正辛基-9H-茀-2-胺：16.7g 雙聯頻哪醇硼酸酯：11.9g 醋酸鉀：5.7g 1,4-二㗁烷：170ml 接著，加入{1,1'-雙(二苯基膦基)二茂鐵}二氯化鈀(II)之二氯甲烷加成物0.19g並加熱，以100℃攪拌7小時。冷卻至室溫後，加入水與甲苯進行分液操作，藉此採集有機層。將此有機層以無水硫酸鈉脫水後，於減壓下濃縮，藉此得到粗製物。將粗製物利用管柱層析法(醋酸乙酯/正己烷=1/20)進行精製，藉此得到中間體1之白色粉體7.6g(產率40%)。
＜中間體2之合成＞
[化17]
將下述成分添加至經氮置換之反應容器中，並進行氮氣通氣30分鐘。 N,N-雙(4-溴苯基)-N-(苯并環丁烯-4-基)-胺：8.0g 雙聯頻哪醇硼酸酯：9.9g 醋酸鉀：4.6g 1,4-二㗁烷：80ml 接著，加入{1,1'-雙(二苯基膦基)二茂鐵}二氯化鈀(II)之二氯甲烷加成物0.3g並加熱，以90℃攪拌11小時。冷卻至室溫後，加入水與甲苯進行分液操作，藉此採集有機層。將此有機層以無水硫酸鈉脫水後，於減壓下濃縮，藉此得到粗製物。將粗製物以甲苯/甲醇=1/2進行再結晶，藉此得到中間體2之白色粉體3.4g(產率35%)。
＜中間體3之合成＞
[化18]
將下述成分添加至經氮置換之反應容器中，並依-5℃攪拌0.5小時。 1-胺基-2,4-二溴萘：9.5g 乙醇：320mL 濃硫酸：8.5mL 滴下1.1M亞硝酸鈉水溶液52mL，以-5℃攪拌1小時。其後，加入銅粉：2g，滴下濃硫酸18.5mL，以室溫攪拌1小時後，加熱1小時使其回流。餾除乙醇，以氯仿進行萃取。將所得有機層以硫酸鈉乾燥後，進行乾固，將精製物進行以正己烷為洗提液之管柱層析。回收第1次餾份，對所得固體使用乙醇進行再結晶，得到中間體3之白色粉體5.8g(產率65%)。
＜中間體4之合成＞
[化19]
將下述成分添加至經氮置換之反應容器中，並進行氮氣通氣30分鐘。 N-(苯并環丁烯-4-基)-3,6-二溴咔唑：19.6g 雙聯頻哪醇硼酸酯：24.5g 醋酸鉀：13.5g 1,4-二㗁烷：120ml 接著，加入{1,1'-雙(二苯基膦基)二茂鐵}二氯化鈀(II)之二氯甲烷加成物0.4g並加熱，以97℃攪拌5小時。冷卻至室溫後，加入水與甲苯進行分液操作，藉此採集有機層。將此有機層以無水硫酸鈉脫水後，於減壓下濃縮，藉此得到粗製物。將粗製物以甲苯/甲醇=1/5進行再結晶，藉此得到中間體4之白色粉體14.5g(產率61%)。
＜實施例1＞ 高分子量化合物A之合成： 將下述成分添加至經氮置換之反應容器中，並進行氮氣通氣30分鐘。 中間體1：5.6g 中間體2：0.4g 中間體3：2.2g 磷酸三鉀：6.9g 甲苯：9ml 水：5ml 1,4-二㗁烷：27ml 接著，加入醋酸鈀(II)1.4mg及三鄰甲苯基膦11.5mg並加熱，以87℃攪拌14小時。其後，加入苯基硼酸17mg攪拌1小時，接著加入溴苯242mg攪拌1小時。加入甲苯50ml、5wt%之N,N-二乙基二硫代胺基甲酸鈉水溶液50ml並加熱，於回流下攪拌2小時。冷卻至室溫後，藉由進行分液操作採集有機層，以飽和食鹽水洗淨3次。將有機層以無水硫酸鈉脫水後，於減壓下濃縮，藉此得到粗製聚合物。將粗製聚合物溶解於甲苯中，加入矽膠進行吸附精製，進行過濾去除矽膠。將所得濾液於減壓下濃縮，於乾固物中添加甲苯100ml並使其溶解，滴下至正己烷300ml中，濾取所得沉澱物。將此操作重複3次，並進行乾燥，藉此得到高分子量化合物A：3.6g(產率71%)。
高分子量化合物A之利用GPC所測定的平均分子量、分散度係如以下所示。 數量平均分子量Mn(聚苯乙烯換算)：60,000 重量平均分子量Mw(聚苯乙烯換算)：108,000 分散度(Mw/Mn)：1.8
又，對高分子量化合物A進行NMR測定。 1H-NMR測定結果示於圖5。化學組成式係如以下所示。
[化20]
由上述化學組成可理解，此高分子量化合物A係含有45莫耳%構造單位A、50莫耳%構造單位B，且依5莫耳%的量含有構造單位C。
＜實施例2＞ 高分子量化合物B之合成： 將下述成分添加至經氮置換之反應容器中，並進行氮氣通氣30分鐘。 中間體1：5.4g 中間體3：2.2g 中間體4：0.5g 磷酸三鉀：7.4g 甲苯：9ml 水：5ml 1,4-二㗁烷：27ml 接著，加入醋酸鈀(II)1.5mg及三鄰甲苯基膦14.4mg並加熱，以87℃攪拌10小時。其後，加入苯基硼酸163mg攪拌1小時，接著加入溴苯2.1g攪拌1小時。加入甲苯50ml、5wt%之N,N-二乙基二硫代胺基甲酸鈉水溶液50ml並加熱，於回流下攪拌2小時。冷卻至室溫後，藉由進行分液操作採集有機層，以飽和食鹽水洗淨3次。將有機層以無水硫酸鈉脫水後，於減壓下濃縮，藉此得到粗製聚合物。將粗製聚合物溶解於甲苯，加入矽膠進行吸附精製，進行過濾去除矽膠。將所得濾液於減壓下濃縮，於乾固物中添加甲苯100ml並使其溶解，滴下至正己烷300ml中，濾取所得沉澱物。於所得沉澱物中添加甲苯100ml並使其溶解，滴下至正己烷200ml中，濾取所得沉澱物。將此操作再重複1次，並進行乾燥，藉此得到高分子量化合物B：3.2g(產率67%)。
高分子量化合物B之利用GPC所測定的平均分子量、分散度係如以下所示。 數量平均分子量Mn(聚苯乙烯換算)：73,000 重量平均分子量Mw(聚苯乙烯換算)：139,000 分散度(Mw/Mn)：1.9
又，對高分子量化合物B進行NMR測定。 1H-NMR測定結果示於圖6。化學組成式係如以下所示。
[化21]
由上述化學組成可理解，此高分子量化合物B係含有44莫耳%構造單位A、50莫耳%構造單位B，且依6莫耳%的量含有構造單位C。
＜實施例3＞ 使用實施例1及2所合成之高分子量化合物A及B，於ITO基板上製作膜厚80nm之塗佈膜，藉由離子化電位測定裝置(住友重機械工業股份有限公司製，PYS-202型)測定功函數。其結果係如以下所示。 高分子量化合物A：5.63eV 高分子量化合物B：5.61eV
相較於NPD、TPD等一般電洞輸送材料所具有之功函數5.4eV，本發明之高分子量化合物A係顯示較佳之能階，可知具有良好之電洞輸送能力。
＜實施例4＞ 有機EL元件之製作與評價： 依以下手法製作圖3所示之層構造的有機EL元件。 具體而言，將成膜了膜厚50nm之ITO的玻璃基板1以有機溶媒洗淨後，藉由UV/臭氧處理洗淨ITO表面。依被覆設置於此玻璃基板1之透明陽極2(ITO)的方式，藉由旋塗法依50nm之厚度成膜PEDOT/PSS(Ossila製)，於加熱板上以200℃進行乾燥10分鐘而形成電洞注入層3。
將實施例1所得高分子量化合物A依0.6wt%溶解於甲苯而調製塗佈液。將依上述方式形成電洞注入層3之基板移至經乾燥氮置換之手套箱內，於加熱板上以230℃乾燥10分鐘後，於電洞注入層3上，使用上述塗佈液並藉由旋塗法形成25nm之厚度塗佈層，進而於加熱板上，以220℃乾燥30分鐘而形成電洞輸送層4。
將依上述方式形成電洞輸送層4之基板安置於真空蒸鍍機內並減壓至0.001Pa以下。於電洞輸送層4上，藉由下述構造式之藍色發光材料(EMD-1)與主體材料(EMH-1)的二元蒸鍍，形成膜厚34nm之發光層5。又，二元蒸鍍係將蒸鍍速度比設為EMD-1：EMH-1=4：96。
[化22]
作為電子輸送材料，係準備下述構造式之化合物、ETM-1及ETM-2。
[化23]
於上述所形成之發光層5上，使用上述電子輸送材料ETM-1及ETM-2，藉由二元蒸鍍形成膜厚20nm之電子輸送層6。又，二元蒸鍍係將蒸鍍速度比設為ETM-1：ETM-2=50：50。
最後，將鋁蒸鍍成為膜厚100nm而形成陰極7。 如此，將形成有透明陽極2、電洞注入層3、電洞輸送層4、發光層5、電子輸送層6及陰極7之玻璃基板，移至經乾燥氮置換的手套箱內，使用UV硬化樹脂貼合密封用之其他玻璃基板，作成有機EL元件。 對所製作之有機EL元件，於大氣中、常溫下進行特性測定。又，測定對所製作之有機EL元件施加直流電壓時之發光特性。測定結果示於表1。
＜比較例1＞ 除了取代高分子量化合物A，使用將下述TFB(電洞輸送性聚合物)依0.6wt%溶解於甲苯而調製的塗佈液形成電洞輸送層4以外，與實施例4同樣地製作有機EL元件。
[化24]
TFB(電洞輸送性聚合物)係聚[(9,9-二辛基茀-2,7-二基)-co-(4,4'-(N-(4-第二丁基苯基))二苯基胺)](American Dye Source公司製，電洞輸送性聚合物ADS259BE)。針對此比較例1之有機EL元件，與實施例4同樣地評價各種特性，其結果示於表1。
尚且，各種特性之評價中，電壓、輝度、發光效率及電力效率係流通電流密度10mA/cm 2之電流時所測定者。又，元件壽命係將發光開始時之發光輝度(初期輝度)設為700cd/m 2進行恆定電流驅動時，測定發光輝度衰減至560cd/m 2(相當於將初期輝度設為100%時之80%：80%衰減)為止的時間。
[表1]
   電洞輸送層 電壓 [V] 輝度 [cd/m 2] 發光效率 [cd/A] 電力效率 [lm/W] 元件壽命 80%衰減
實施例4 高分子量化合物A 4.06 783 7.83 6.07 248小時
比較例1 TFB 4.08 552 5.52 4.26 6小時
如表1所示，關於流通電流密度10mA/cm 2之電流時的發光效率，相對於比較例1之有機EL元件之5.52cd/A，實施例4之有機EL元件為7.83cd/A之高效率。又，於元件壽命(80%衰減)方面，相對於比較例1之有機EL元件之6小時，於實施例4之有機EL元件為248小時之長壽命。
＜實施例5＞ 依以下手法製作圖4所示之層構造的有機EL元件。 具體而言，將成膜了膜厚50nm之ITO的玻璃基板8以有機溶媒洗淨後，藉由UV/臭氧處理洗淨ITO表面。依被覆設置於此玻璃基板8之透明陽極9(ITO)的方式，藉由旋塗法依50nm之厚度成膜PEDOT/PSS(Ossila製)，於加熱板上以200℃進行乾燥10分鐘而形成電洞注入層10。
將下述構造式之高分子量化合物HTM-1依0.4wt%溶解於甲苯而調製塗佈液。將依上述方式形成電洞注入層10之基板移至經乾燥氮置換之手套箱內，於加熱板上以230℃乾燥10分鐘後，於電洞注入層10上，使用上述塗佈液並藉由旋塗法形成15nm之厚度的塗佈層，進而於加熱板上，以220℃乾燥30分鐘而形成電洞輸送層11。
[化25]
將實施例1所得高分子量化合物A依0.4wt%溶解於甲苯而調製塗佈液。於電洞輸送層11上，使用上述塗佈液並藉由旋塗法形成15nm之厚度的塗佈層，進而於加熱板上，以220℃乾燥30分鐘而形成電子阻止層12。
將依上述方式形成電子阻止層12之基板安置於真空蒸鍍機內並減壓至0.001Pa以下。於電子阻止層12上，藉由藍色發光材料(EMD-1)與主體材料(EMH-1)的二元蒸鍍，形成膜厚34nm之發光層13。又，二元蒸鍍係將蒸鍍速度比設為EMD-1：EMH-1=4：96。
於上述所形成之發光層13上，使用電子輸送材料ETM-1及ETM-2，藉由二元蒸鍍形成膜厚20nm之電子輸送層14。又，二元蒸鍍係將蒸鍍速度比設為ETM-1：ETM-2=50：50。
最後，將鋁蒸鍍成為膜厚100nm而形成陰極15。 如此，將形成有透明陽極9、電洞注入層10、電洞輸送層11、電子阻止層12、發光層13、電子輸送層14及陰極15之玻璃基板，移至經乾燥氮置換的手套箱內，使用UV硬化樹脂貼合密封用之其他玻璃基板，作成有機EL元件。 對所製作之有機EL元件，於大氣中、常溫下進行特性測定。又，測定對所製作之有機EL元件施加直流電壓時之發光特性。測定結果示於表2。
＜實施例6＞ 除了取代高分子量化合物A，使用將實施例2所得高分子量化合物B依0.4wt%溶解於甲苯而調製的塗佈液形成電子阻止層12以外，與實施例5同樣地製作有機EL元件。對所製作之有機EL元件與實施例5同樣地評價各種特性，其結果示於表2。
＜比較例2＞ 依以下手法製作圖4所示之層構造的有機EL元件。 具體而言，將成膜了膜厚50nm之ITO的玻璃基板8以有機溶媒洗淨後，藉由UV/臭氧處理洗淨ITO表面。依被覆設於此玻璃基板8之透明陽極9(ITO)的方式，藉由旋塗法依50nm之厚度成膜PEDOT/PSS(Ossila製)，於加熱板上以200℃進行乾燥10分鐘而形成電洞注入層10。
將高分子量化合物HTM-1依0.6wt%溶解於甲苯而調製塗佈液。將依上述方式形成電洞注入層10之基板移至經乾燥氮置換之手套箱內，於電洞注入層10上，使用上述塗佈液並藉由旋塗法形成25nm之厚度的塗佈層，進而於加熱板上，以220℃乾燥30分鐘而形成電洞輸送層11。
將依上述方式形成電洞輸送層11之基板安置於真空蒸鍍機內並減壓至0.001Pa以下。於電洞輸送層11上，藉由藍色發光材料(EMD-1)與主體材料(EMH-1)的二元蒸鍍，形成膜厚34nm之發光層13。又，二元蒸鍍係將蒸鍍速度比設為EMD-1：EMH-1=4：96。
於上述所形成之發光層13上，使用電子輸送材料(ETM-1)及(ETM-2)，藉由二元蒸鍍形成膜厚20nm之電子輸送層14。又，二元蒸鍍係將蒸鍍速度比設為ETM-1：ETM-2=50：50。
最後，將鋁蒸鍍成為膜厚100nm而形成陰極15。 如此，將形成有透明陽極9、電洞注入層10、電洞輸送層11、發光層13、電子輸送層14及陰極15之玻璃基板，移至經乾燥氮置換的手套箱內，使用UV硬化樹脂貼合密封用之其他玻璃基板，作成有機EL元件。 對所製作之有機EL元件，於大氣中、常溫下進行特性測定。又，測定對所製作之有機EL元件施加直流電壓時之發光特性。測定結果示於表2。
尚且，各種特性之評價中，電壓、輝度、發光效率及電力效率係流通電流密度10mA/cm 2之電流時所測定者。又，元件壽命係將發光開始時之發光輝度(初期輝度)設為700cd/m 2進行恆定電流驅動時，測定發光輝度衰減至560cd/m 2(相當於將初期輝度設為100%時之80%：80%衰減)為止的時間。
[表2]
   電子阻止層 電壓 [V] 輝度 [cd/m 2] 發光效率 [cd/A] 電力效率 [lm/W] 元件壽命 80%衰減
實施例5 高分子量化合物A 3.95 868 8.68 6.91 408小時
實施例6 高分子量化合物B 4.03 608 6.08 4.74 558小時
比較例2 無 3.89 757 7.56 6.12 20小時
如表2所示，關於流通了電流密度10mA/cm 2之電流時的發光效率，相對於比較例2之有機EL元件之7.56cd/A，實施例5之有機EL元件為8.68cd/A之高效率。又，於元件壽命(80%衰減)方面，相對於比較例2之有機EL元件之20小時，於實施例5之有機EL元件為408小時、於實施例6之有機EL元件為558小時，均為長壽命。
如此可知，相較於習知的有機EL元件，具備使用本發明之高分子量化合物所形成之有機層的有機EL元件，可實現高發光效率、長壽命之有機EL元件。 (產業上之可利用性)
本發明之高分子量化合物係電洞輸送能力高、電子阻止能力優越、熱交聯性良好，故可作為優越之塗佈型有機EL元件用的化合物。藉由使用本發明之高分子量化合物製作塗佈型有機EL元件，可獲得高發光效率及電力效率，且可改善耐久性。藉此，可發展至例如家庭電化製品或照明等廣泛用途。
1,8:玻璃基板 2,9:透明陽極 3,10:電洞注入層 4,11:電洞輸送層 5,13:發光層 6,14:電子輸送層 7,15:陰極 12:電子阻止層
圖1係作為一般式(2)所示連結構造單位之較佳構造單位1~12的化學構造。 圖2係作為一般式(2)所示連結構造單位之較佳構造單位13~26的化學構造。 圖3係本發明之有機EL元件層構成的一例。 圖4係本發明之有機EL元件層構成的一例。 圖5係實施例1所合成之高分子量化合物A的 1H-NMR圖表。 圖6係實施例2所合成之高分子量化合物B的 1H-NMR圖表。

Claims (12)

  1. 一種高分子量化合物，係含有：由下述一般式(1)所示三芳香胺構造單位及下述一般式(2)所示連結構造單位所構成的下述一般式(3)所示重複構造單位；且，以聚苯乙烯換算計具有10,000以上且未滿1,000,000之重量平均分子量； [化1] [化2] [化3] 式中，R 1分別獨立表示氫原子、氘原子、氰基、硝基、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、碳數1~8之烷基或烷氧基、碳數5~10之環烷基或環烷氧基、碳數2~6之烯基、或者碳數6~10之芳氧基； R 2分別獨立表示碳數3~40之烷基、環烷基或烷氧基； X表示氫原子、胺基、1價之芳基、或1價之雜芳基； L表示2價之伸苯基、或伸萘基，n表示0~3之整數； a、b及c為R 1之數，且為以下之整數； a=0、1、2或3； b=0、1、2、3或4； c=0或1。
  2. 如請求項1之高分子量化合物，其中，上述一般式(1)、(2)及(3)中，a、b及c為0。
  3. 如請求項1之高分子量化合物，其中，上述一般式(1)及(3)中，R 2為碳數3~40之烷基。
  4. 如請求項1之高分子量化合物，其中，上述一般式(2)及(3)中，X為氫原子，或者亦可經取代之胺基、芳基或雜芳基。
  5. 如請求項1之高分子量化合物，其中，上述一般式(2)及(3)中，X為氫原子、二苯基胺基、苯基、萘基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、菲基、茀基、咔唑基、茚并咔唑基、或吖啶基。
  6. 如請求項1之高分子量化合物，其含有熱交聯性構造單位、或與上述一般式(1)所示三芳香胺構造單位不同之三芳香胺構造單位。
  7. 如請求項6之高分子量化合物，其中，上述熱交聯性構造單位為下述一般式(4-1)~(4-143)所示構造單位； [化4] [化5] [化6] [化7] [化8] [化9] [化10] [化11] 式中，R分別獨立表示氫原子、氘原子、氰基、硝基、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、或者碳數3~40之烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、烯基或芳氧基； a及b為R之數，且為以下之整數； a=0、1、2或3； b=0、1、2、3或4； 上式(4-1)~(4-143)中，虛線表示對鄰接構造單位的結合鍵，由環所延伸出之前端空缺的實線係表示其前端為甲基。
  8. 一種有機電致發光元件，係具備使用請求項1至7中任一項之高分子量化合物所形成的有機層。
  9. 如請求項8之有機電致發光元件，其中，上述有機層為電洞輸送層。
  10. 如請求項8之有機電致發光元件，其中，上述有機層為電子阻止層。
  11. 如請求項8之有機電致發光元件，其中，上述有機層為電洞注入層。
  12. 如請求項8之有機電致發光元件，其中，上述有機層為發光層。
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