TW202341654A - 電子零件 - Google Patents

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TW202341654A
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佐藤拓也
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Abstract

本發明之電子零件中，線圈包含複數個導體層與複數個連接導體。複數個導體層沿與線圈軸交叉且沿著絕緣體層之方向延伸。複數個連接導體分別與複數個導體層中對應之導體層連結並且沿積層方向延伸。複數個導體層中之在沿著線圈軸之方向上彼此相鄰之導體層中，與各導體層之延伸方向正交之方向上之寬度大於彼此相鄰之導體層之最短距離。各第一導體層之延伸方向與至少1個第二導體層之延伸方向從積層方向觀察時相互交叉，並且相對於與線圈軸正交且沿著絕緣體層之方向傾斜。

Description

電子零件
本發明係關於一種電子零件。
已知之電子零件具備坯體及線圈。坯體包含積層之複數個絕緣體層。線圈配置於坯體之內部。例如，線圈包含複數個導體層及複數個連接導體。例如，專利文獻1中，複數個導體層沿與線圈軸交叉且沿著絕緣體層之積層方向之方向延伸。複數個連接導體分別與複數個導體層中對應之導體層連結，並且沿積層方向延伸。複數個導體層包含複數個第一導體層及第二導體層。複數個第一導體層沿著線圈軸排列。第二導體層配置於在積層方向上與複數個第一導體層不同之位置，並且經由連接導體而與複數個第一導體層中對應之第一導體層連接。
對具有所需特性之線圈進行了研究。線圈之特性與電感有關。因此，為了確保所需之特性，要求設計出能夠獲得所需之電感之線圈。導體層之寬度越大，電感越小。然而，於在相同大小之坯體中配置導體層之情形時，導體層之寬度越大，彼此相鄰之導體層間之最短距離越縮小。若導體層間之距離過小，則例如可能會在導體層間產生雜散電容。若產生雜散電容，則難以獲得所需之特性。
本發明之一形態之目的在於提供一種能夠謀求同時實現緊湊化與所需特性之電子零件。
於本發明之一形態之電子零件中，具備坯體及線圈。坯體包含積層之複數個絕緣體層。線圈配置於坯體之內部。線圈形成沿著與複數個絕緣體層之積層方向正交之方向之線圈軸。線圈包含複數個導體層及複數個連接導體。複數個導體層沿與線圈軸交叉且沿著絕緣體層之方向延伸。複數個連接導體分別與複數個導體層中對應之導體層連結，並且沿積層方向延伸。複數個導體層包含複數個第一導體層與至少1個第二導體層。複數個第一導體層沿著線圈軸排列。至少1個第二導體層配置於在積層方向上與複數個第一導體層不同之位置。至少1個第二導體層經由連接導體與複數個第一導體層中對應之第一導體層連接。複數個導體層中之在沿著線圈軸之方向上彼此相鄰之導體層中，與各導體層之延伸方向正交之方向上之寬度大於彼此相鄰之導體層之最短距離。各第一導體層之延伸方向與至少1個第二導體層之延伸方向從積層方向觀察時相互交叉，並且相對於與線圈軸正交且沿著絕緣體層之方向傾斜。
於該電子零件中，複數個導體層中之在沿著線圈軸之方向上彼此相鄰之導體層中，與各導體層之延伸方向正交之方向上之寬度大於彼此相鄰之導體層之最短距離。各導體層之延伸方向與至少1個導體層之延伸方向從Z軸方向觀察時相互交叉，並且相對於與線圈軸正交且沿著絕緣體層之方向傾斜。根據該構成，以確保導體層之寬度相對較大之同時削減線圈中之電流路徑之長度之方式配置導體層。線圈中之電流路徑越短，越能夠進一步減小電感。因此，電子零件之線圈具備之導體層以減小電感之方式構成。因此，能夠兼顧電子零件之緊湊化與所需之特性。
於上述一形態中，複數個第一導體層亦可包含一對第一導體層。一對第一導體層亦可經由第二導體層而相互連接。於該情形時，能夠於更簡易之構成中削減線圈中之電流路徑之長度。
於上述一形態中，一對第一導體層亦可為複數個導體層中之在沿著線圈軸之方向上彼此相鄰之導體層。於該情形時，能夠於更簡易之構成中削減線圈中之電流路徑之長度。
於上述一形態中，亦可為，從積層方向觀察時，經由連接導體而相互連接之第一導體層與第二導體層呈線對稱地配置。於該情形時，電流容易分散流通，可減小電流之損耗。若電流分散流通，則電流密度降低，線圈之Q值亦提高。
於上述一形態中，各導體層亦可包含位於彼此相反側之一對端部。複數個連接導體亦可包含第一連接導體與第二連接導體。亦可於一對端部中之至少一者連結第一連接導體與第二連接導體。於該情形時，電流分散至第一連接導體與第二連接導體中流通，可進一步減小電流之損耗。於該情形時，線圈之Q值亦能夠進一步得到提高。
於上述一形態中，亦可為，複數個第一導體層與至少1個第二導體層中，相互對應之第一導體層與第二導體層經由第一連接導體與第二連接導體而連接。將第一連接導體與端部相互連結之第一連結部分和將第二連接導體與端部相互連結之第二連結部分亦可沿相對於與第一及第二連接導體連結之第一及第二導體層之延伸方向傾斜之方向排列。於該情形時，電流進一步平衡性良好地分散至第一連接導體與第二連接導體中流通，可進一步減小電流之損耗。於該情形時，線圈之Q值亦能夠進一步得到提高。
於上述一形態中，亦可為，第一導體層中之第一連結部分和第二連結部分之排列方向與第一導體層之延伸方向所成之角，與第二導體層中之第一連結部分和第二連結部分之排列方向與第二導體層之延伸方向所成之角相等。於該情形時，電流進一步平衡性良好地分散至第一連接導體與第二連接導體中流通，可進一步減小電流之損耗。於該情形時，線圈之Q值亦能夠進一步得到提高。
根據下文給出之詳細描述及附圖，能夠更充分地理解本發明，但該詳細描述與該等附圖係僅以說明之方式給出，不應被認為對本發明之限制。
關於本發明之進一步之適用範圍，將由下文給出之詳細描述而變得清晰。然而，應該理解，詳細描述與具體示例雖然指示了本發明之實施例，但僅以說明之方式給出，因為根據該詳細描述，本領域之技術人員將清楚地理解本發明之精神及範圍內之各種變化及修改。
以下，參照附圖，對本發明之實施方式進行詳細說明。於附圖之說明中，對相同或同等之要素使用相同符號，並省略重複說明。
首先，參照圖1～圖6，對本實施方式之電子零件進行說明。圖1及圖2係本實施方式之電子零件之立體圖。圖3及圖4係電子零件之局部剖視圖。圖5係電子零件之電路圖。圖6係安裝有電子零件之狀態下之俯視圖。
電子零件1例如係積層型濾波器。電子零件1包含複數個LC(Lnductance-Capacitance，電感電容)共振電路。各LC共振電路由複數個電感器及複數個電容器構成。電子零件1例如具備坯體2及電路3、4、5、7、9、11、15、17。於本實施方式中，Z軸方向相當於電子零件1之高度方向，X軸方向及Y軸方向相當於電子零件1之短邊方向及長邊方向。例如，電子零件1之高度方向之長度較電子零件1之短邊方向之長度短。
坯體2具有一對主面2a、一對端面2b以及一對側面2c作為其外表面。一對主面2a於Z軸方向上相互對向。一對端面2b於Y軸方向上相互對向。一對側面2c於X軸方向上相互對向。一對主面2a、一對端面2b及一對側面2c例如分別為平面。一對主面2a例如沿著X軸方向及Y軸方向。一對端面2b例如沿著X軸方向及Z軸方向。一對側面2c例如沿著Y軸方向及Z軸方向。一對主面2a中之一者例如在安裝於其他電子設備時，被規定為與其他電子設備對向之安裝面。其他電子設備例如包含電路基板或電子零件。
坯體2例如呈長方體形狀。長方體形狀包括角部及稜線部進行了倒角之長方體之形狀、以及角部及稜線部進行了圓角化之長方體之形狀。
如圖3及圖4所示，坯體2包含複數個絕緣體層10。複數個絕緣體層10沿Z軸方向積層。於電子零件1中，Z軸方向相當於複數個絕緣體層10之積層方向。以下，將複數個絕緣體層10之積層方向簡稱為「積層方向」。各絕緣體層10之層間被一體化至無法辨識之程度。各絕緣體層10例如由包含介電材料之陶瓷坯片之燒結體構成。介電材料例如包含選自BaTiO 3系材料、Ba(Ti，Zr)O 3系材料、(Ba，Ca)TiO 3系材料、玻璃材料或氧化鋁材料中之至少一種。
如圖5所示，電路3、4、5、7、9、11、15、17於坯體2之內部相互電性連接，構成1個濾波器電路。於本說明書中，「電性連接」包括不傳遞直流分量而僅傳遞交流分量之狀態。各電路3、4、5、7、9、11、15、17包含從坯體2露出之複數個端子電極TE1、TE2、TE3、G1、G2、G3、G4。複數個端子電極TE1、TE2、TE3、G1、G2、G3配置於作為安裝面之主面2a上。複數個端子電極TE1、TE2、TE3、G1、G2、G3、G4分別與其他電子設備電性連接。
例如，如圖6所示，電子零件1安裝於基板S。基板S具備配線W1、W2、W3、W5。各配線W1、W2、W3、W5與電子零件1之複數個端子電極中之對應之端子電極連接。配線W1與端子電極TE1連接。配線W2與端子電極TE2連接。配線W3與端子電極TE3連接。配線W5與端子電極G1、G2、G3、G4連接。配線W5相當於地線。
各電路3、4、7、11、15、17包含電感器。電路3包含端子電極G1，在與電路4及電路5之各者之間形成電容器。電路4包含端子電極TE1，在與電路3及電路5之各者之間形成電容器。電路5在與電路3、電路4、電路7及電路17之各者之間形成電容器。電路7包含端子電極G2，在與電路5及電路9之各者之間形成電容器。電路9包含端子電極G3，在與電路7之間形成電容器。電路11包含端子電極G4，在與電路15之間形成電容器。電路15包含端子電極TE2，在與電路11之間形成電容器。電路17包含端子電極TE3，在與電路5之間形成電容器。電路15與電路17電性連接且物理連接。
各電路3、4、5、7、9、11、15、17由複數個導體構成。構成各電路3、4、5、7、9、11、15、17之導體例如含有選自Ag及Pd中之至少一種。各電路3、4、5、7、9、11、15、17包含從坯體2露出之複數個端子電極。於各端子電極之表面形成有鍍覆層。鍍覆層例如藉由電鍍而形成。鍍覆層具有：包含鍍Cu層、鍍Ni層及鍍Sn層之層構造或包含鍍Ni層及鍍Sn層之層構造等。
各電路3、4、5、7、9、11、15、17係除了複數個端子電極TE1、TE2、TE3、G1、G2、G3、G4之外，配置於坯體2之內部。於本實施方式所示之例中，X軸方向上之坯體2之長度為2000 μm。Y軸方向上之坯體2之長度為2500 μm。Z軸方向上之坯體2之長度為750 μm。各電路3、4、5、7、9、11、15、17從安裝面以外之坯體2之外表面離開至少100 μm以上。
接下來，對電路3、4、7、15進行更詳細之說明。電路3、4、7、15包含上述相當於電感器之線圈21、23、25、27、29。
電路3包含線圈21。線圈21配置於坯體2之內部。線圈21形成線圈軸AX1。線圈軸AX1沿著與積層方向正交之方向。於本說明書中，「正交」包括在製造公差之範圍內偏移之構成。於本實施方式中，線圈軸AX1沿著與Z軸方向正交之X軸方向。於Z軸方向相當於第一方向之情形時，X軸方向相當於第二方向。
從X軸方向觀察時，線圈21劃定線圈軸AX1所在之區域R1。區域R1被線圈21包圍。區域R1相當於YZ軸平面上之線圈21之截面。
於本實施方式中，線圈21係捲繞一匝之線圈。線圈21例如包含至少1個導體層31、複數個連接導體32以及電極33。如圖1～圖3及圖6所示，線圈21例如包含1個導體層31、2個連接導體32以及1個電極33。
導體層31沿著絕緣體層10延伸。導體層31夾在一對絕緣體層10之間。導體層31例如呈線形形狀。導體層31包含位於彼此相反側之一對端部31a、31b。
導體層31例如包含L字形狀部39。從Z軸方向觀察時，L字形狀部39呈L字形狀。導體層31包含一對延伸部39a、39b。從Z軸方向觀察時，一對延伸部39a、39b沿相互交叉之方向延伸。一對延伸部39a、39b相互連結。一對延伸部39a、39b構成L字形狀部39。
複數個連接導體32分別與導體層31連結。各連接導體32沿Z軸方向延伸。各連接導體43由貫通絕緣體層10之通孔形成。複數個連接導體32包含：與端部31a連結之連接導體32、及與端部31b連結之連接導體32。
電極33與導體層31及複數個連接導體32電性連接。如圖3所示，電極33配置於坯體2之主面2a上。電極33相當於端子電極G1。
接下來，對電路4進行詳細說明。電路4包含線圈23。線圈23配置於坯體2之內部。線圈23形成線圈軸AX3。線圈軸AX3沿著積層方向。於本實施方式中，線圈軸AX3沿著Z軸方向。於線圈21相當於第一線圈之情形時，線圈23相當於第二線圈。
線圈23與線圈21隔開。本說明書中，於對電路使用「隔開」之情形時，「隔開」係指未藉由導體物理性地連接、且不傳遞直流分量之狀態。線圈23與線圈21電性連接。線圈23藉由AC(Alternating Current，交流)耦合而與線圈21連接。
本實施方式中，線圈23係捲繞一匝之線圈。線圈23例如包含至少1個導體層34、複數個連接導體35以及電極37。例如，如圖1～圖4及圖6所示，線圈23包含1個導體層34、2個連接導體35以及1個電極37。
導體層34沿著絕緣體層10延伸。導體層34夾在一對絕緣體層10之間。導體層34例如呈線形形狀。導體層34於線圈23之線圈軸AX3之周向上沿著絕緣體層10延伸。導體層34包含位於彼此相反側之一對端部34a、34b。
導體層34包含：沿著坯體2之端面2b延伸之延伸部36a、及沿著坯體2之側面2c延伸之延伸部36b。延伸部36a較導體層34之其他部分更靠近端面2b。延伸部36b較導體層34之其他部分更靠近側面2c。延伸部36a沿X軸方向延伸，延伸部36b沿Y軸方向延伸。
導體層34包含至少1個彎曲部38。彎曲部38以與線圈21之連接導體32隔開之方式彎曲。換言之，導體層34以與複數個連接導體32隔開之方式彎曲。於本實施方式所示之例中，導體層34與連接導體32之最短距離例如為100 μm。導體層34例如包含2個彎曲部38a、38b。從Z軸方向觀察時，彎曲部38a沿與端部31a連結之連接導體32之周向延伸。從Z軸方向觀察時，彎曲部38b沿與端部31b連結之連接導體32之周向延伸。彎曲部38b將延伸部36a與延伸部36b連接。
複數個連接導體35分別與導體層34連結。各連接導體35沿Z軸方向延伸。各連接導體35由貫通絕緣體層10之通孔形成。複數個連接導體35包含：與端部34a連結之連接導體35、及與端部34b連結之連接導體35。
電極37與導體層34及複數個連接導體35電性連接。如圖3所示，電極37配置於坯體2之主面2a上。電極37相當於端子電極TE1。
從X軸方向觀察時，線圈23之導體層34位於被線圈21包圍之區域R1中。於將區域R1中之Z軸方向上之區域R1之寬度T1設為100之情形時，線圈23之導體層34位於從線圈23之線圈軸AX3沿Z軸方向±30之範圍T2內。
如圖6所示，從Z軸方向觀察時，線圈23之導體層34與線圈21之導體層31重疊。於本說明書中，「重疊」係指至少一部分位於同一區域之狀態。從Z軸方向觀察時，線圈23之導體層34至少與導體層31之延伸部39a重疊。例如，從Z軸方向觀察時，至少導體層34之延伸部36b整體配置於導體層31之延伸部39a所在之區域內。
從Z軸方向觀察時，導體層34之延伸部36b中最靠近側面2c之邊緣與導體層31之延伸部39a中最靠近側面2c之邊緣一致。於本說明書中，「一致」包括在製造公差之範圍內偏移之構成。
從Z軸方向觀察時，線圈23之導體層34於線圈軸AX1之延伸方向上從線圈21僅向一側露出。例如，從Z軸方向觀察時，線圈23之導體層34從線圈21之延伸部39a僅向＋X軸方向露出，未從線圈21之延伸部39a向－X軸方向露出。換言之，從Z軸方向觀察時，線圈23之導體層34位於較線圈21之延伸部39a更靠＋X軸方向側之區域，不位於較線圈21之延伸部39a更靠－X軸方向側之區域。
從Z軸方向觀察時，線圈23之導體層34從線圈21之延伸部39b僅向－Y軸方向露出，未從線圈21之延伸部39b向＋Y軸方向露出。換言之，從Z軸方向觀察時，線圈23之導體層34位於較線圈21之延伸部39b更靠－Y軸方向側之區域，不位於較線圈21之延伸部39b更靠＋Y軸方向側之區域。
於本實施方式所示之例中，線圈21之導體層31與坯體2之端面2b之最短距離、以及線圈21之導體層31與坯體2之側面2c之最短距離例如為100 μm。於本實施方式所示之例中，線圈23之導體層34與坯體2之端面2b之最短距離、以及線圈23之導體層34與坯體2之側面2c之最短距離例如為100 μm。例如，於X軸方向上，線圈21之導體層31與坯體2之側面2c之最短距離和線圈23之導體層34與坯體2之側面2c之最短距離一致。於該情形時，製造公差之範圍內之偏移例如為±25 μm。
作為本實施方式之變化例，如圖7所示，從Z軸方向觀察時，線圈23之導體層34亦可與導體層31之一對延伸部39a、39b兩者重疊。於圖7所示之構成中，導體層34除了包含延伸部36a及延伸部36b之外，還包含延伸部36c。延伸部36c從延伸部36b沿X軸方向延伸。延伸部36c較導體層34之其他部分更靠近線圈29。
於圖7所示之構成中，從Z軸方向觀察時，導體層34之延伸部36b整體配置於導體層31之延伸部39a所在之區域內。從Z軸方向觀察時，導體層34之延伸部36b整體配置於導體層31之延伸部39a及延伸部39b所在之區域內。
於圖7所示之構成中，從Z軸方向觀察時，導體層34之延伸部36c中之最靠近線圈29之邊緣與導體層31之延伸部39a中之最靠近線圈29之邊緣一致。例如，於Y軸方向上，線圈21之導體層31與線圈29之最短距離和線圈23之導體層34與線圈29之最短距離一致。於該情形時，製造公差之範圍內之偏移例如為±25 μm。
接下來，對電路7進行詳細說明。電路7包含線圈25。線圈25配置於坯體2之內部。線圈25形成線圈軸AX5。線圈軸AX5沿著與Z軸方向正交之方向。於本實施方式中，線圈軸AX5沿著X軸方向。從X軸方向觀察時，線圈25劃定線圈軸AX5所在之區域R2。區域R2被線圈25包圍。區域R2相當於YZ軸平面上之線圈23之截面。例如，線圈25相當於第三線圈。
線圈25與線圈21、23隔開。線圈25與線圈21、23電性連接。線圈25藉由AC耦合而與線圈21、23連接。線圈21與線圈25被配置為在線圈21與線圈25之間產生互感。
如圖4所示，從X軸方向觀察時，線圈23之導體層34位於被線圈25包圍之區域R2中。於將區域R2中之Z軸方向上之區域R2之寬度T3設為100之情形時，線圈23之導體層34位於從線圈25之線圈軸AX5沿Z軸方向±30之範圍T5內。
於本實施方式中，線圈25係捲繞兩匝之線圈。線圈25例如包含至少1個導體層41、至少1個導體層42、複數個連接導體43以及電極45。於電子零件1中，線圈25包含複數個導體層41。例如，如圖1～圖2、圖4及圖6所示，線圈25包含2個導體層41、1個導體層42、8個連接導體43、以及1個電極45。於導體層41相當於第一導體層之情形時，導體層42相當於第二導體層。
於本實施方式中，從Z軸方向觀察時，線圈23之導體層34位於線圈25與線圈21之間。於圖6所示之構成中，從Z軸方向觀察時，線圈23之導體層34未與線圈25重疊。從Z軸方向觀察時，線圈23之導體層34與線圈25之導體層41所在之區域隔開。
作為本實施方式之變化例，如圖8所示，從Z軸方向觀察時，線圈23之導體層34亦可與線圈25之導體層41重疊。於圖8所示之構成中，導體層34除了包含延伸部36a及延伸部36b之外，還包含擴展部36d及擴展部36e。擴展部36d於導體層34中位於端部34a與延伸部36a之間。擴展部36e於導體層34中位於端部34b與延伸部36b之間。從Z軸方向觀察時，導體層34之擴展部36d及擴展部36e配置於導體層41所在之區域內。作為本變化例之進一步之變化例，導體層34亦可僅包含擴展部36d與擴展部36e中之任一者。導體層34亦可包含擴展部36d與擴展部36e中之至少一者及使用圖7所說明之延伸部36c。
於本實施方式中，導體層41及導體層42沿著絕緣體層10延伸。導體層41與導體層42配置於在Z軸方向上互不相同之位置。導體層41及導體層42沿與線圈軸AX5交叉且沿著絕緣體層10之方向延伸。例如，沿著絕緣體層之方向係與Z軸方向正交之方向。導體層41及導體層42分別夾在一對絕緣體層10之間。各導體層41及各導體層42例如呈線形形狀。各導體層41包含位於彼此相反側之一對端部41a、41b。各導體層42包含位於彼此相反側之一對端部42a、42b。
複數個導體層41沿著線圈軸AX5及主面2a排列。複數個導體層41沿X軸方向排列。圖9A係線圈25之概略俯視圖。如圖9A所示，各導體層41之延伸方向D1相對於與線圈軸AX5正交且沿著絕緣體層10之方向D4傾斜。於本說明書中，「傾斜」不包括正交之狀態。各導體層41之延伸方向D1亦相對於線圈軸AX5傾斜。從Z軸方向觀察時，各導體層41沿相對於X軸方向及Y軸方向傾斜之方向延伸。例如，複數個導體層41沿彼此相同之方向延伸。
導體層42經由連接導體43而與複數個導體層41中對應之導體層41連接。如圖9A所示，導體層42之延伸方向D2相對於與線圈軸AX5正交且沿著絕緣體層10之方向D4傾斜。各導體層42之延伸方向D2亦相對於線圈軸AX5傾斜。從Z軸方向觀察時，導體層42沿相對於X軸方向及Y軸方向傾斜之方向延伸。從Z軸方向觀察時，各導體層41之延伸方向D1與導體層42之延伸方向D2相互交叉。
複數個連接導體43相互隔開。複數個連接導體43分別與導體層41及導體層42中之至少一者連結。至少1個連接導體43將相互對應之導體層41與導體層42連接。各連接導體43沿Z軸方向延伸。各連接導體43由貫通絕緣體層10之通孔形成。
複數個連接導體43分別與複數個導體層41、42中對應之導體層41、42之端部41a、41b、42a、42b連結。例如，於一對端部41a、41b之各者連結有複數個連接導體43。例如，於一對端部42a、42b之各者連結有複數個連接導體43。
複數個連接導體43包含連接導體51、52、53、54。連接導體51、52與彼此相同之端部41a連結。複數個導體層41與至少1個導體層42中，相互對應之導體層41與導體層42經由連接導體51與連接導體52而連結。例如，連接導體51與連接導體52分別將導體層41之端部41a與導體層42之端部42a或端部42b連接。連接導體53、54與彼此相同之端部41b連結。連接導體53、54例如相當於線圈25之端部。例如，連接導體51、52、53、54分別相當於第一連接導體、第二連接導體、第三連接導體及第四連接導體。
連接導體51、52和連接導體53、54例如與同一導體層41連結。連接導體53、54與導體層41之端部41b連結，上述導體層41之端部41b與連接導體51、52連結。例如，於Z軸方向上，各連接導體53、54之長度大於各連接導體51、52之長度。
複數個導體層41包含：導體層42、以及經由複數個連接導體51、52而相互電性連接之一對導體層61、62。一對導體層61、62係複數個導體層41中在沿著線圈軸AX5之方向D3上彼此相鄰之導體層41。從Z軸方向觀察時，一對導體層61、62沿彼此沿著之方向延伸。
於X軸方向上，與導體層62連結之連接導體51和與導體層61連結之連接導體43之最短距離較與導體層62連結之連接導體52和與導體層61連結之連接導體43之最短距離小。X軸方向上之連接導體51和連接導體53之最短距離較X軸方向上之連接導體52和連接導體53之最短距離小。與導體層62連結之連接導體53和與導體層61連結之連接導體43之最短距離較與導體層62連結之連接導體54和與導體層61連結之連接導體43之最短距離小。X軸方向上之連接導體53和連接導體51之最短距離較X軸方向上之連接導體54和連接導體51之最短距離小。
複數個導體層41中在沿著線圈軸AX5之方向D3上彼此相鄰之導體層41中，各導體層41之寬度L1大於彼此相鄰之導體層41之最短距離L2。導體層41之寬度L1相當於與延伸方向D1正交且沿著絕緣體層10之方向上之導體層41之長度。例如，與彼此相鄰之導體層61、62各自之延伸方向D1正交之方向上之寬度L1大於在沿著線圈軸AX5之方向D3上導體層61和導體層62之最短距離L2。最短距離L2例如係在彼此相鄰之導體層61與導體層62之間產生之雜散電容成為考慮了電子零件1之整體構成而容許之值之距離。最短距離L2例如亦可為考慮了製造誤差而在製造工序中能夠抑制導體層61與導體層62之連接之距離。最短距離L2例如為20 μm以上。於本實施方式所示之例中，最短距離L2為60 μm。
連接導體51與導體層41之端部41a在連結部分C11相互連結。連接導體52與導體層41之端部41a在連結部分C12相互連結。例如，於沿著線圈軸AX5之X軸方向上，連結部分C11較與該連結部分C11相鄰之連結部分C12更靠近導體層42之端部42b。從Z軸方向觀察時，導體層61中之連結部分C11和導體層62之最短距離較導體層61中之連結部分C12和導體層62之最短距離小。X軸方向上之連結部分C11和連結部分C13之最短距離較X軸方向上之連結部分C12和連結部分C13之最短距離小。
例如，於導體層41中，連結部分C11與連結部分C12沿相對於導體層41之延伸方向D1傾斜之方向D3排列。換言之，連結部分C11和連結部分C12之排列方向與導體層41之延伸方向D1相對於彼此傾斜。進而，連結部分C11和連結部分C12之排列方向與導體層42之延伸方向D1相對於彼此傾斜。例如，連結部分C11與連結部分C12沿X軸方向排列。
連接導體53與導體層41之端部41b在連結部分C13相互連結。連接導體54與導體層41之端部41b在連結部分C14相互連結。例如，於沿著線圈軸AX5之X軸方向上，連結部分C23較與該連結部分C23相鄰之連結部分C24更靠近導體層42之端部42b。從Z軸方向觀察時，導體層62中之連結部分C13和導體層61之最短距離較導體層62中之連結部分C14和導體層61之最短距離小。X軸方向上之連結部分C13和連結部分C11之最短距離較X軸方向上之連結部分C14和連結部分C11之最短距離小。
例如，於導體層41中，連結部分C13與連結部分C14沿相對於導體層41之延伸方向D1傾斜之方向D3排列。換言之，連結部分C13和連結部分C14之排列方向與導體層41之延伸方向D1相對於彼此傾斜。例如，連結部分C13與連結部分C14沿X軸方向排列。連結部分C11和連結部分C12之排列方向與連結部分C13和連結部分C14之排列方向例如相互平行。於本說明書中，「平行」包括在製造公差之範圍內偏移之構成。
於導體層41中，該導體層41之延伸方向D1與連結部分C11、C12之排列方向以所成之角θ1交叉。與連接導體51、52連結之導體層42之延伸方向D2和連結部分C11、C12之排列方向以所成之角θ2交叉。
如圖9A所示，所成之角θ1與所成之角θ2互不相同。作為本實施方式之變化例，如圖9B所示，所成之角θ1與所成之角θ2亦可彼此相等。於本說明書中，「相等」包括在製造公差之範圍內偏移之構成。圖9B係本實施方式之變化例之線圈25之概略俯視圖。
作為本實施方式之變化例，如圖9B所示，從Z軸方向觀察時，經由連接導體51、52而相互連結之導體層41與導體層42亦可呈線對稱地配置。線圈25亦可為捲繞三匝以上之線圈。於本變化例中，線圈25係捲繞三匝之線圈。
電極45與複數個導體層41、42及複數個連接導體35電性連接。如圖4所示，電極45配置於坯體2之主面2a上。電極45相當於端子電極G2。
接下來，對電路15進行詳細說明。電路15包含線圈27及線圈29。線圈27及線圈29配置於坯體2之內部。從Z軸方向觀察時，線圈27與線圈21、25、29中之線圈25及線圈29相鄰。從Z軸方向觀察時，線圈29與線圈21、25、27中之線圈21及線圈27相鄰。
線圈27及線圈29形成沿著與積層方向正交之方向之線圈軸AX7、AX9。從Z軸方向觀察時，線圈25之線圈軸AX5與線圈27之線圈軸AX7相互交叉。從Z軸方向觀察時，線圈27之線圈軸AX7與線圈29之線圈軸AX9相互交叉。例如，線圈27之線圈軸AX7沿著Y軸方向。線圈29之線圈軸AX9沿著X軸方向。
線圈27與線圈21、23、25隔開。線圈27與線圈21、23、25電性連接。線圈27藉由AC耦合而與線圈21、23、25連接。於本實施方式中，線圈27係捲繞三匝之線圈。線圈27例如包含至少1個導體層71、至少1個導體層72、複數個連接導體73、以及電極。於電子零件1中，線圈27包含複數個導體層71及複數個導體層72。例如，如圖1、圖2及圖6所示，線圈27包含3個導體層71、2個導體層72、12個連接導體73、以及1個電極。該電極與複數個導體層71、72及複數個連接導體73電性連接，且配置於坯體2之主面2a上。該電極相當於端子電極G3。
線圈29與線圈21、23、25隔開。線圈29與線圈21、23、25電性連接。線圈29藉由AC耦合而與線圈21、23、25連接。於本實施方式中，線圈29係捲繞一匝之線圈。線圈29例如包含至少1個導體層101、複數個連接導體103以及電極。該電極與導體層101及複數個連接導體103電性連接，且配置於坯體2之主面2a上。該電極相當於端子電極TE3。
線圈27中，導體層71及導體層72沿著絕緣體層10延伸。導體層71與導體層72配置於在Z軸方向上互不相同之位置。導體層71及導體層72沿與線圈軸AX7交叉且沿著絕緣體層10之方向延伸。導體層71及導體層72分別夾在一對絕緣體層10之間。各導體層71及各導體層72例如呈線形形狀。各導體層71包含位於彼此相反側之一對端部71a、71b。各導體層72包含位於彼此相反側之一對端部72a、72b。
複數個導體層71沿著線圈軸AX7及主面2a排列。複數個導體層71沿Y軸方向排列。圖10A係線圈27之概略俯視圖。如圖10A所示，從Z軸方向觀察時，各導體層71之延伸方向D11沿著與線圈軸AX7正交之方向。換言之，各導體層71沿著X軸方向。
複數個導體層72沿著線圈軸AX7及主面2a排列。複數個導體層72沿Y軸方向排列。如圖10A所示，各導體層72沿相對於導體層71之延伸方向D11傾斜且沿著絕緣體層之方向延伸。從Z軸方向觀察時，各導體層71之延伸方向D11與各導體層72之延伸方向D12相互交叉。從Z軸方向觀察時，各導體層72沿相對於X軸方向及Y軸方向傾斜之方向延伸。各導體層72之延伸方向D12相對於與線圈軸AX7正交且沿著絕緣體層10之方向D11傾斜。例如，複數個導體層72沿彼此相同之方向延伸。
複數個連接導體73相互隔開。複數個連接導體73分別與導體層71及導體層72中之至少一者連結。至少1個連接導體73將相互對應之導體層71與導體層72連接。各連接導體73沿Z軸方向延伸。各連接導體73由貫通絕緣體層10之通孔形成。
複數個連接導體73分別與複數個導體層71、72中對應之導體層71、72之端部71a、71b、72a、72b連結。例如，於一對端部71a、71b之各者連結有複數個連接導體73。例如，於一對端部72a、72b之各者連結有複數個連接導體73。
複數個連接導體73包含連接導體81、82、83、84、85、86。連接導體81、82與彼此相同之端部71a連結。複數個導體層71與複數個導體層72中，相互對應之導體層71與導體層72經由連接導體81及連接導體82而連結。例如，連接導體81與連接導體82分別將導體層71之端部71a與導體層72之端部72a連接。例如，於Z軸方向上，各連接導體83、84之長度大於各連接導體81、82、85、86之長度。例如，於Z軸方向上，各連接導體81、82之長度與各連接導體85、86之長度相等。
連接導體83、84與導體層71連結，該導體層71與連接導體81、82連結。連接導體83、84與彼此相同之端部71b連結。連接導體83、84例如相當於線圈27之端部。
連接導體85、86與彼此相同之端部71a、71b連結。複數個導體層71與複數個導體層72中，相互對應之導體層71與導體層72經由連接導體85及連接導體86而連結。例如，連接導體85與連接導體86分別將導體層71之端部71a或端部71b與導體層72之端部72b連接。
連接導體81、82及連接導體83、84例如與同一導體層71連結。連接導體83、84與導體層71之端部71b連結，該導體層71之端部71b與連接導體81、82連結。連接導體81、82及連接導體85、86例如與同一導體層72連結。連接導體85、86與導體層72之端部72b連結，該導體層72之端部72b與連接導體81、82連結。
複數個導體層71包含：至少1個導體層72；以及經由連接導體81、82及連接導體85、86而相互電性連接之一對導體層91、92。一對導體層91、92係複數個導體層71中在沿著線圈軸AX7之方向D13上彼此相隔最遠之導體層71。一對導體層91、92係於Y軸方向上之複數個導體層71中位於兩端之導體層71。導體層91係複數個導體層71中之最靠近端面2b之導體層71。導體層91係複數個導體層71中之距電路7最遠之導體層71。導體層92係複數個導體層71中距端面2b最遠之導體層71。導體層92係複數個導體層71中之最靠近電路7之導體層71。於Y軸方向上，其他導體層71位於導體層91與導體層92之間。從Z軸方向觀察時，一對導體層91、92沿彼此沿著之方向延伸。
於Y軸方向上，與導體層91連結之連接導體81和與導體層92連結之連接導體73之最短距離較與導體層91連結之連接導體82和與導體層92連結之連接導體73之最短距離小。Y軸方向上之連接導體81與連接導體83之最短距離較Y軸方向上之連接導體82與連接導體83之最短距離小。於Y軸方向上，與導體層91連結之連接導體83和與導體層92連結之連接導體73之最短距離較與導體層91連結之連接導體84和與導體層92連結之連接導體73之最短距離小。Y軸方向上之連接導體83與連接導體81之最短距離較Y軸方向上之連接導體84與連接導體81之最短距離小。
連接導體81、82例如與一對導體層91、92各自之端部71a連結。連接導體83、84例如與一對導體層91、92各自之端部71b連結。導體層91中之連結部分C21和連結部分C22在沿著導體層92中之連結部分C21和連結部分C22之排列方向之方向D14上排列。導體層91中之連結部分C21和連結部分C22之排列方向與導體層92中之連結部分C21和連結部分C22之排列方向例如相互平行。導體層91中之連結部分C21和連結部分C22之排列方向與導體層91中之連結部分C23和連結部分C24之排列方向相互交叉。
導體層91中之連結部分C23和連結部分C24在沿著導體層92中之連結部分C23和連結部分C24之排列方向之方向D15上排列。導體層91中之連結部分C23和連結部分C24之排列方向與導體層92中之連結部分C23和連結部分C24之排列方向例如相互平行。於該情形時，從Z軸方向觀察時，由將複數個導體層71中之連結部分C21、C22、C23、C24、C25、C26相連之線劃定橄欖球形狀之區域。
連接導體81與導體層71之端部71a在連結部分C21相互連結。連接導體82與導體層71之端部71a在連結部分C22相互連結。例如，於沿著線圈軸AX7之Y軸方向上，連結部分C21較與該連結部分C21相鄰之連結部分C22更靠近導體層72之端部72b。從Z軸方向觀察時，導體層91中之連結部分C21和導體層92之最短距離較導體層91中之連結部分C22和導體層92之最短距離小。Y軸方向上之連結部分C21和連結部分C25之最短距離較Y軸方向上之連結部分C22和連結部分C25之最短距離小。
例如，於導體層71中，連結部分C21與連結部分C22沿相對於導體層71之延伸方向D11傾斜之方向D14排列。換言之，連結部分C21和連結部分C22之排列方向與導體層71之延伸方向D11相對於彼此傾斜。連結部分C21與連結部分C22之排列方向和與連接導體81、82連結之導體層71之延伸方向D11所成之角θ7例如為80度以下。
進而，連結部分C21和連結部分C22之排列方向與導體層72之延伸方向D12相對於彼此交叉。例如，連結部分C21和連結部分C22之排列方向與導體層72之延伸方向D12相互正交。於導體層71中，連結部分C22較與該連結部分C22相鄰之連結部分C21更靠近該導體層71之端部71b。換言之，於導體層71之延伸方向D11上，連結部分C21較連結部分C22更遠離端部71b。
連接導體83與導體層71之端部71b在連結部分C23相互連結。連接導體84與導體層71之端部71b在連結部分C24相互連結。例如，於沿著線圈軸AX7之Y軸方向上，連結部分C23較與該連結部分C23相鄰之連結部分C24更靠近導體層72之端部72b。從Z軸方向觀察時，導體層91中之連結部分C23與導體層92之最短距離較導體層91中之連結部分C24與導體層92之最短距離小。Y軸方向上之連結部分C23與連結部分C25之最短距離較Y軸方向上之連結部分C24與連結部分C25之最短距離小。
例如，於導體層71中，連結部分C23與連結部分C24沿相對於導體層71之延伸方向D11傾斜之方向D15排列。換言之，連結部分C23和連結部分C24之排列方向與導體層71之延伸方向D11相對於彼此傾斜。連結部分C23與連結部分C24之排列方向和與連接導體81、82連結之導體層71之延伸方向D11所成之角θ8例如為80度以下。
連結部分C21和連結部分C22之排列方向與連結部分C23和連結部分C24之排列方向相互交叉。從沿著線圈軸AX7之方向觀察時，連結部分C21和連結部分C22之排列方向與連結部分C23和連結部分C24之排列方向相互交叉之位置位於該導體層71中之連結部分C21與連結部分C23之間。於導體層92中，連結部分C21和連結部分C22之排列方向與連結部分C23和連結部分C24之排列方向相互交叉之位置位於與導體層91相反側。於導體層71中，連結部分C24較連結部分C23更靠近該導體層71之端部71a。換言之，於導體層71之延伸方向D11上，連結部分C24較與該連結部分C24相鄰之連結部分C23更遠離端部71a。
連接導體85與導體層71之端部71b在連結部分C25相互連結。連接導體86與導體層71之端部71b在連結部分C26相互連結。從Z軸方向觀察時，導體層91中之連結部分C25與導體層92之最短距離較導體層91中之連結部分C26與導體層92之最短距離小。Y軸方向上之連結部分C25與連結部分C21之最短距離較Y軸方向上之連結部分C26與連結部分C21之最短距離小。例如，於導體層72中，連結部分C25與連結部分C26沿相對於導體層72之延伸方向D12傾斜之方向D13排列。連結部分C25與連結部分C26例如沿Y軸方向排列。換言之，連結部分C25和連結部分C26之排列方向與導體層72之延伸方向D12相對於彼此傾斜。連結部分C25和連結部分C26之排列方向例如與導體層71之延伸方向D11正交。連結部分C25和連結部分C26之排列方向與連結部分C21和連結部分C22之排列方向相互交叉。連結部分C25和連結部分C26之排列方向與連結部分C23和連結部分C24之排列方向相互交叉。
作為本實施方式之變化例，如圖10B所示，導體層91中之連結部分C21和連結部分C22之排列方向與導體層92中之連結部分C21和連結部分C22之排列方向亦可相互交叉。導體層91中之連結部分C23和連結部分C24之排列方向與導體層92中之連結部分C21和連結部分C22之排列方向亦可相互交叉。例如，於圖10B所示之構成中，導體層92中之連結部分C21和連結部分C22之排列方向、以及導體層92中之連結部分C23和連結部分C24之排列方向亦可沿著Y軸方向。
作為本實施方式之又一變化例，如圖11A所示，線圈27亦可為捲繞兩匝之線圈。於該情形時，線圈27不包含除導體層91、92以外之導體層71。線圈27不包含連接導體85、86。導體層91與導體層92於Y軸方向上彼此相鄰。作為本實施方式之又一變化例，如圖11B所示，線圈27亦可為捲繞三匝以上之線圈。於該情形時，線圈27包含在Y軸方向上配置於導體層91與導體層92之間之複數個導體層71。
作為本實施方式之又一變化例，如圖12A及圖12B所示，線圈27亦可為捲繞一匝之線圈。如圖12B所示，亦可為，於導體層71中，連結部分C22較連結部分C21更靠近該導體層71之端部71b，連結部分C23較連結部分C24更靠近該導體層71之端部71a。換言之，亦可為，於導體層71之延伸方向D11上，連結部分C21較連結部分C22更遠離端部71b，連結部分C23較連結部分C24更靠近端部71a。
圖12B所示之連結部分C83及連結部分C84之配置亦可應用於上述圖10A、圖10B、圖11A及圖11B之構成。於圖12B所示之構成中，例如，在導體層71中，連結部分C21和連結部分C23之最短距離與連結部分C22和連結部分C24之最短距離相等。於圖12B所示之構成中，連結部分C21與連結部分C22在沿著連結部分C23與連結部分C24之排列方向之方向上排列。連結部分C21和連結部分C22之排列方向與連結部分C23和連結部分C24之排列方向例如相互平行。
嚴格地說，圖12B所示之例亦包含連結部分C21和連結部分C22之排列方向與連結部分C23和連結部分C24之排列方向相互交叉之構成。該構成中，從沿著線圈軸AX7之方向觀察時，連結部分C21和連結部分C22之排列方向與連結部分C23和連結部分C24之排列方向相互交叉之位置位於該導體層71中之夾在連結部分C21與連結部分C23之間之區域的外側。該構成中，從沿著線圈軸AX7之方向觀察時，連結部分C21和連結部分C22之排列方向與連結部分C23和連結部分C24之排列方向相互交叉之位置較該導體層71中之連結部分C21更遠離連結部分C23。
接下來，對本實施方式及變化例之電子零件1之作用效果進行說明。於電子零件1中，從X軸方向觀察時，線圈23位於被線圈21包圍之區域R1中。從積層方向觀察時，線圈23與線圈21重疊，並且從線圈21僅向一側露出。於該情形時，線圈21及線圈23之配置所需之空間縮小，並且在線圈23中產生之磁場難以影響線圈21。因此，能夠謀求同時實現電子零件1之緊湊化及所需特性。
線圈21包含導體層31及連接導體32。導體層31沿著絕緣體層10延伸。連接導體32與導體層31連結，並且沿積層方向延伸。因此，能夠容易地構成Q值經提高之線圈21。
線圈23以與連接導體32隔開之方式彎曲。因此，確保了線圈21與線圈23之距離。其結果，能夠減小線圈21與線圈23之間之雜散電容。進而，於製造工序中，能夠抑制線圈21與線圈23之連接。因此，根據該電子零件1之構造，亦能夠抑制生產產量。
線圈23包含彎曲部38。從積層方向觀察時，彎曲部38沿連接導體32之周向延伸。以下，「線圈之截面面積」係指於藉由與線圈軸正交之面切斷線圈之情形時，從沿著線圈軸之方向觀察被線圈包圍之區域之面積。例如，於線圈21中，區域R1之面積相當於線圈21之截面面積。該構成中，能夠確保線圈23之截面面積相對較大。在提高線圈23之電感之同時，亦能夠確保線圈21與線圈23之距離。
導體層31包含一對延伸部39a、39b。從積層方向觀察時，一對延伸部39a、39b沿相互交叉之方向延伸，並且相互連結。於該情形時，能夠確保線圈21之截面面積相對較大。相對於供配置線圈21之空間之大小而言，能夠確保線圈21之導體層31之長度較長。該構成中，能夠提高線圈21之電感。
於圖7所示之變化例中，從積層方向觀察時，線圈23與一對延伸部39a、39b兩者重疊。於該情形時，能夠確保線圈23之截面面積相對較大。相對於供配置線圈23之空間之大小而言，能夠確保線圈23之導體層34之長度較長。該構成中，能夠進一步提高線圈23之電感。
線圈23之導體層34於線圈23之線圈軸AX3之周向上沿著絕緣體層10延伸。於將區域R1中之積層方向上之區域R1之寬度T1設為100之情形時，線圈23之導體層34位於從線圈21之線圈軸AX1沿積層方向±30之範圍T2內。於該情形時，能夠兼顧阻抗之降低之抑制及雜散電容之減小。若線圈23脫離範圍T2，則雜散電容可能會增加。於線圈23位於較範圍T2更靠近安裝面側之情形時，線圈23整體上位於相對較接近地線之位置，因此，阻抗可能會降低。
線圈21與線圈23藉由AC耦合而連接。於該情形時，電子零件1整體上可獲得所需之特性。
線圈25以與線圈21隔開之方式配置於坯體2之內部。線圈25形成沿著X軸方向之線圈軸AX5。從X軸方向觀察時，線圈23位於被線圈25包圍之區域R2中。於圖8所示之變化例中，從積層方向觀察時，線圈23與線圈25重疊。於該情形時，線圈23中產生之磁場亦難以影響線圈25。進而，能夠確保線圈23之截面面積相對較大。能夠確保線圈23之導體層34之長度更長。因此，能夠進一步提高線圈23之電感。因此，能夠謀求同時實現電子零件1之緊湊化及所需特性。
線圈21與線圈25被配置為在線圈21與線圈25之間產生互感。此種構成中，利用產生互感之線圈21與線圈25之間之空間，來配置線圈23。其結果，能夠謀求同時實現電子零件1之緊湊化及所需特性。
導體層之寬度越大，電感越小。然而，於在相同大小之坯體上配置導體層之情形時，如圖13A及圖13B所示，導體層之寬度越大，彼此相鄰之導體層間之最短距離越縮小。圖13A及圖13B表示從積層方向觀察到之線圈之概略俯視圖之比較例。於圖13A及圖13B中，積層方向相當於Z軸方向。
圖13A中，一對導體層111經由導體層112而連接。一對導體層111與導體層112位於在Z軸方向上互不相同之位置。圖13B中，一對導體層121經由導體層122而連接。一對導體層121與導體層122位於在Z軸方向上互不相同之位置。一對導體層111及一對導體層121例如與電子零件1中之導體層41對應。導體層112及導體層122例如與電子零件1中之導體層42對應。
在圖13A所示之構成與圖13B所示之構成中，設置有導體層之區域之長度L10於Y軸方向上相等。圖13B中之導體層121之寬度L21大於圖13A中之導體層111之寬度L11。導體層121之寬度L21相當於Y軸方向上之導體層121之長度。導體層111之寬度L11相當於Y軸方向上之導體層111之長度。於該情形時，一對導體層121之間之最短距離L22小於一對導體層111之間之最短距離L12。如此，導體層之寬度越大，彼此相鄰之導體層之間之最短距離越縮小。若一對導體層121之間之最短距離L22過於小，則會在一對導體層121之間產生雜散電容。
電子零件1中，於複數個導體層41、42中在沿著線圈軸AX5之方向上彼此相鄰之導體層41、42中，與各導體層41、42之延伸方向D1、D2正交之方向上之寬度L1大於彼此相鄰之導體層41之最短距離L2。各導體層41之延伸方向D1與至少1個導體層42之延伸方向D2從Z軸方向觀察時相互交叉，並且相對於與線圈軸AX5正交且沿著絕緣體層10之方向D4傾斜。根據該構成，導體層41、42被配置成為：既能夠確保導體層41、42之寬度相對較大，又能夠削減線圈25中之電流路徑之長度。線圈25中之電流路徑越短，越能夠進一步減小電感。如此，電子零件1於線圈25中具備以電感減小之方式構成之導體層41、42。其結果，能夠同時實現電子零件之緊湊化及所需特性。
圖14A、圖14B、圖15A、圖15B及圖16係用以對本實施方式之電子零件之例與比較例之電流路徑之不同進行說明之圖。圖14A係比較例之線圈125之概略立體圖。圖14B係電子零件1中之線圈25之概略立體圖。圖15A係比較例之線圈125之概略展開圖。圖15B係電子零件1中之線圈25之概略展開圖。圖16係表示比較例之線圈125與電子零件1之線圈25之長度之不同的圖。
線圈125包含一對導體層141、導體層142以及複數個連接導體143。一對導體層141與線圈25中彼此相鄰之導體層41對應。導體層142與線圈25之導體層42對應。複數個連接導體143與線圈25之複數個連接導體43對應。
如圖14A所示，線圈125中，各導體層141之延伸方向與導體層142之延伸方向沿著與線圈軸AX25正交且沿著絕緣體層之X軸方向。即，從Z軸方向觀察時，各導體層141沿著X軸方向延伸。因此，若展開線圈125，則如圖15A所示，導體層141與連接導體143於同一直線上延伸，僅導體層142相對於導體層141與連接導體143傾斜。
與此相對，如圖14B所示，線圈25中，各導體層41之延伸方向與導體層142之延伸方向相對於與線圈軸AX25正交且沿著絕緣體層10之X軸方向傾斜。因此，若展開線圈25，則如圖15B所示，除導體層42相對於連接導體43傾斜之外，一對導體層41亦相對於連接導體43傾斜。於該情形時，如圖16所示，線圈25之長度較線圈125之長度短，線圈25之電流路徑較線圈125之電流路徑短。圖16係將一對導體層41和連接導體43之組合之長度與一對導體層141和連接導體143之組合之長度進行比較之圖。
電子零件1中，線圈25中之電流路徑較線圈125中之電流路徑短，能夠使線圈25之電感較線圈125之電感小。根據此種構成，例如，即使電感由於其他要素而增加了與藉由導體層41、42之寬度之確保及導體層41、42之配置而使電感減小之量，亦能夠確保所需之電感。例如，能夠在不改變線圈125及電感之情況下，相較於線圈125之截面面積而言擴大線圈25之截面面積。線圈25之截面面積例如相當於區域R2之面積。若線圈25之截面面積擴大，則可擴大由線圈25產生之磁通。
複數個導體層41包含一對導體層61、62。一對導體層61、62經由導體層42而相互連接。於該情形時，能夠在更簡易之構成中削減線圈25中之電流路徑之長度。
一對導體層61、62係複數個導體層41中之在沿著線圈軸AX5之方向上彼此相鄰之導體層41。於該情形時，能夠在更簡易之構成中削減線圈中之電流路徑之長度。
從積層方向觀察時，經由連接導體43而相互連接之導體層41與導體層42係呈線對稱地配置。於該情形時，電流容易分散流通，能夠減小電流之損耗。若電流分散流通，則電流密度降低，線圈25之Q值亦得到提高。
各導體層41包含位於彼此相反側之一對端部41a、41b。複數個連接導體43包含連接導體51與連接導體52。於端部41a連結有連接導體51與連接導體52。於該情形時，電流分散至連接導體51與連接導體52中流通，能夠進一步減小電流之損耗。於該情形時，線圈之Q值亦進一步得到提高。
複數個導體層41與複數個導體層42中，相互對應之導體層41與導體層42經由連接導體51與連接導體52而連接。將連接導體51與端部41a相互連結之連結部分C11和將連接導體52與端部41a相互連結之連結部分C12沿相對於與連接導體51及52連結之導體層41、42之延伸方向D1、D2傾斜之方向D3排列。於該情形時，電流進一步平衡性良好地分散至連接導體51與連接導體52中流通，能夠進一步減小電流之損耗。於該情形時，線圈之Q值亦能夠進一步得到提高。
角θ1與θ2亦可相等，其中，角θ1係導體層41中之連結部分C11和連結部分C12之排列方向與導體層41之延伸方向D1所成之角，角θ2係導體層41中之連結部分C11和連結部分C12之排列方向與導體層41之延伸方向D2所成之角。於該情形時，電流平衡性更加良好地分散至連接導體51與連接導體52中流通，能夠進一步減小電流之損耗。於該情形時，線圈之Q值亦能夠進一步得到提高。
於複數個連接導體73與導體層71之一端部71a連接之構成中，需要在導體層71中確保供配置複數個連接導體73之空間。例如，從積層方向觀察時，要求在彼此相鄰之連接導體73之間確保規定之距離，並且要求從積層方向觀察時在導體層71之邊緣與連接導體73之間亦確保規定之距離。例如，要求在彼此相鄰之連接導體73之間確保20 μm以上300 μm以下之距離。於彼此相鄰之連接導體73之間之距離未達20 μm之情形時，有可能在坯體2產生裂紋。於本實施方式所示之例中，彼此相鄰之連接導體73之間之距離為60 μm。例如，要求在導體層71之邊緣與連接導體73之間確保0 μm以上100 μm以下之距離。於從積層方向觀察時在導體層71之邊緣與連接導體73之間確保了規定之距離之情形時，即使在製造時導體層71與連接導體73之連接位置發生了偏移，亦能夠抑制線圈27之特性偏差。從積層方向觀察時，導體層71之邊緣與連接導體73之間之距離越小，越能夠縮小導體層71之寬度。因此，從積層方向觀察時，導體層71之邊緣與連接導體73之間之距離越小，越能夠提高線圈27之特性。
於電子零件1之線圈27中，連結部分C21與連結部分C22沿相對於導體層71之延伸方向D11傾斜之方向D14排列。於該情形時，電流可分散至連接導體81與連接導體82中流通。因此，導體層71中之電流密度降低，線圈之Q值得到提高。進而，在與導體層71之延伸方向D11正交且沿著絕緣體層10之方向D13上，能夠削減導體層71之寬度。因此，根據該電子零件1，能夠謀求同時實現所需特性及電子零件1之緊湊化。
線圈27包含至少1個導體層72。導體層72配置於在積層方向上與至少1個導體層71不同之位置。導體層72沿相對於至少1個導體層71之延伸方向D11傾斜且沿著絕緣體層之方向D12延伸。導體層72包含位於彼此相反側之端部72a、72b。端部71a與端部72a藉由連接導體81、82之各者而連接。於該情形時，在包含導體層72之線圈27中，電流亦能夠分散流通。
連結部分C21和連結部分C22之排列方向與導體層72之延伸方向D12相對於彼此交叉。於該情形時，在導體層72中，電流可進一步分散流通。
於沿著線圈軸AX7之方向上，連結部分C21較連結部分C22更靠近端部72b。於導體層71之延伸方向D11上，連結部分C21較連結部分C22更遠離端部71b。於該情形時，在導體層72中，電流可進一步分散流通。
於導體層71中，連結部分C21和連結部分C22之排列方向與導體層71之延伸方向D11所成之角θ7為80度以下。於該情形時，在與導體層71之延伸方向D11正交且沿著絕緣體層10之方向D13上，能夠進一步削減導體層71之寬度。
複數個連接導體73進而包含連接導體83、84。連接導體83、84和與連接導體81、82連結之導體層71中彼此相同之端部71a連結。連接導體83與導體層71在連結部分C23相互連結。連接導體84與導體層71在連結部分C24相互連結。導體層71中，連結部分C23與連結部分C24沿相對於導體層71之延伸方向D11傾斜之方向D15排列。於該情形時，電流亦可分散至連接導體83與連接導體83中流通。此種構成中，在與導體層71之延伸方向D11正交且沿著絕緣體層10之方向D13上，亦能夠削減導體層71之寬度。
連結部分C21和連結部分C22之排列方向與連結部分C23和連結部分C24之排列方向相對於彼此交叉。從沿著線圈軸AX7之方向觀察時，連結部分C21和連結部分C22之排列方向與連結部分C23和連結部分C24之排列方向相互交叉之位置位於連結部分C21與連結部分C23之間。於該情形時，能夠確保線圈27之截面面積。
連結部分C23與連結部分C24在沿著連結部分C21與連結部分C22之排列方向之方向D14上排列。於該情形時，電流可進一步分散流通。
至少1個導體層71包含一對導體層91、92。一對導體層91、92經由複數個連接導體73及至少1個導體層72而相互電性連接。從積層方向觀察時，一對導體層91、92沿彼此沿著之方向延伸。連接導體81、82與一對導體層91、92各自之端部71a連結。連接導體83、84與一對導體層91、92中之至少一者之端部71b連結。於該情形時，在與導體層71之延伸方向D11正交且沿著絕緣體層10之方向D13上，能夠削減一對導體層91、92各自之寬度。
一對導體層91、92中之一者中之連結部分C21與連結部分C22在沿著一對導體層91、92中之另一者中之連結部分C21與連結部分C22之排列方向之方向D14上排列。於該情形時，能夠確保線圈27之截面面積更大。
連接導體83、84與一對導體層91、92各自之端部71b連結。一對導體層91、92中之一者中之連結部分C21和連結部分C22之排列方向與一對導體層91、92中之一者中之連結部分C23和連結部分C24之排列方向相互交叉。一對導體層91、92中之一者中之連結部分C23與連結部分C24在沿著一對導體層71中之另一者中之連結部分C23與連結部分C24之排列方向之方向D15上排列。於該情形時，能夠確保線圈27之截面面積更大。
以上，對本發明之實施方式及變化例進行了說明，但本發明不一定限定於上述實施方式及變化例，在不脫離其主旨之範圍內能夠進行各種變更。
例如，於上述實施方式及變化例中，線圈21、23亦可為以線圈軸為中心捲繞複數匝之線圈。例如，於線圈21相對於線圈軸AX1捲繞複數匝之情形時，複數個導體層31亦可沿著線圈軸AX1排列。於該情形時，線圈21亦可進而包含以下至少1個導體層，即，配置於在積層方向上與複數個導體層31不同之位置且經由連接導體32而與各導體層31連接。例如，於線圈23相對於線圈軸AX3捲繞複數匝之情形時，複數個導體層34亦可沿著線圈軸AX3排列。於該情形時，彼此相鄰之導體層34亦可藉由沿積層方向延伸之連接導體而連接。
於上述實施方式及變化例中，對在同一端部41a、41b連結2個連接導體43之情形進行了說明。然而，亦可將3個以上之連接導體43與同一端部41a、41b連結。
於上述實施方式及變化例中，對在同一端部71a、71b連結2個連接導體73之情形進行了說明。然而，亦可將3個以上之連接導體73與同一端部71a、71b連結。
導體層41與導體層42之位置亦可於Z軸方向上切換。換言之，亦可將導體層41配置於較導體層42更靠近安裝面之位置。同樣地，導體層71與導體層72之位置亦可於Z軸方向上切換。換言之，亦可將導體層71配置於較導體層72更靠近安裝面之位置。
於本實施方式及變化例中，對線圈21、23、線圈25以及線圈27配置於1個坯體2之內部之構成進行了說明。然而，設置於電子零件1之線圈之組合不限於此。電子零件1亦可僅具備線圈21及線圈23作為線圈。電子零件1亦可僅具備線圈25作為線圈。電子零件1亦可僅具備線圈27作為線圈。於電子零件1中，亦可將線圈21、23、25、27、29適當地組合而構成。
於使用圖8進行說明之例中，亦可在線圈25之位置配置線圈27或其以外之線圈。於該情形時，配置於線圈25之位置之線圈較佳為形成沿著與線圈23之線圈軸AX3交叉之方向之線圈軸。進而，配置於線圈25之位置之線圈更佳為形成沿著與線圈23之線圈軸AX3正交之方向之線圈軸。於該等情形時，磁場難以在該線圈與線圈23之間產生影響。
1:電子零件 2:坯體 2a:主面 2b:端面 2c:側面 3:電路 4:電路 5:電路 7:電路 9:電路 10:絕緣體層 11:電路 15:電路 17:電路 21:線圈 23:線圈 25:線圈 27:線圈 29:線圈 31:導體層 31a:端部 31b:端部 32:連接導體 33:電極 34:導體層 34a:端部 34b:端部 35:連接導體 36a:延伸部 36b:延伸部 36c:延伸部 36d:擴展部 36e:擴展部 37:電極 38:彎曲部 38a:彎曲部 38b:彎曲部 39:L字形狀部 39a:延伸部 39b:延伸部 41:導體層 41a:端部 41b:端部 42:導體層 42a:端部 42b:端部 43:連接導體 45:電極 51:連接導體 52:連接導體 53:連接導體 54:連接導體 61:導體層 62:導體層 71:導體層 71a:端部 71b:端部 72:導體層 72a:端部 72b:端部 73:連接導體 81:連接導體 82:連接導體 83:連接導體 84:連接導體 85:連接導體 86:連接導體 91:導體層 92:導體層 101:導體層 103:連接導體 111:導體層 112:導體層 121:導體層 122:導體層 125:線圈 141:導體層 142:導體層 143:連接導體 AX1:線圈軸 AX3:線圈軸 AX5:線圈軸 AX7:線圈軸 AX9:線圈軸 AX25:線圈軸 C11:連結部分 C12:連結部分 C13:連結部分 C14:連結部分 C21:連結部分 C22:連結部分 C23:連結部分 C24:連結部分 C25:連結部分 C26:連結部分 D1:延伸方向 D2:延伸方向 D3:方向 D4:方向 D11:延伸方向 D12:延伸方向 D13:方向 D14:方向 L1:寬度 L2:最短距離 L10:長度 L11:寬度 L12:最短距離 L21:寬度 L22:最短距離 R1:區域 R2:區域 T1:寬度 T2:範圍 T3:寬度 T5:範圍 TE1:端子電極 TE2:端子電極 TE3:端子電極 G1:端子電極 G2:端子電極 G3:端子電極 G4:端子電極 W1:配線 W2:配線 W3:配線 W5:配線 X:軸 Y:軸 Z:軸 θ1:角 θ2:角 θ7:角 θ8:角
圖1係本實施方式之電子零件之立體圖。 圖2係電子零件之立體圖。 圖3係電子零件之局部剖視圖。 圖4係電子零件之局部剖視圖。 圖5係電子零件之電路圖。 圖6係安裝有電子零件之狀態下之俯視圖。 圖7係安裝有本實施方式之變化例之電子零件之狀態下之俯視圖。 圖8係安裝有本實施方式之另一變化例之電子零件之狀態下之俯視圖。 圖9A係本實施方式之電子零件中之線圈之概略俯視圖。 圖9B係本實施方式之變化例之電子零件中之線圈之概略俯視圖。 圖10A係本實施方式之電子零件中之線圈之概略俯視圖。 圖10B係本實施方式之變化例之電子零件中之線圈之概略俯視圖。 圖11A及圖11B係本實施方式之變化例之電子零件中之線圈之概略俯視圖。 圖12A及圖12B係本實施方式之變化例之電子零件中之線圈之概略俯視圖。 圖13A及圖13B表示線圈之概略俯視圖之比較例。 圖14A係比較例之線圈之概略立體圖。 圖14B係電子零件中之線圈之概略立體圖。 圖15A係比較例之線圈之概略展開圖。 圖15B係電子零件中之線圈之概略展開圖。 圖16係表示比較例之線圈與電子零件之線圈之長度之不同的圖。
1:電子零件
2:坯體
2a:主面
2b:端面
2c:側面
3:電路
4:電路
5:電路
7:電路
9:電路
11:電路
15:電路
21:線圈
23:線圈
25:線圈
27:線圈
29:線圈
31:導體層
32:連接導體
34:導體層
35:連接導體
36a:延伸部
36b:延伸部
38:彎曲部
41:導體層
42:導體層
43:連接導體
71:導體層
73:連接導體
101:導體層
103:連接導體
X:軸
Y:軸
Z:軸

Claims (7)

  1. 一種電子零件，其具備： 坯體，其包含積層之複數個絕緣體層； 線圈，其配置於上述坯體之內部，並且形成沿著與上述複數個絕緣體層之積層方向正交之方向的線圈軸； 上述線圈包含：複數個導體層，其等沿與上述線圈軸交叉且沿著上述絕緣體層之方向延伸；及複數個連接導體，其等分別與上述複數個導體層中對應之導體層連結並且沿上述積層方向延伸； 上述複數個導體層包含：複數個第一導體層，其等沿著上述線圈軸排列；及至少1個第二導體層，其配置於在上述積層方向上與上述複數個第一導體層不同之位置，並且經由上述連接導體而與上述複數個第一導體層中對應之第一導體層連接； 上述複數個導體層中之在沿著上述線圈軸之方向上彼此相鄰之導體層中，與各上述導體層之延伸方向正交之方向上之寬度大於上述彼此相鄰之導體層之最短距離， 各上述第一導體層之延伸方向與上述至少1個第二導體層之延伸方向從上述積層方向觀察時相互交叉，並且相對於與上述線圈軸正交且沿著上述絕緣體層之方向傾斜。
  2. 如請求項1之電子零件，其中上述複數個第一導體層包含經由上述第二導體層而相互連接之一對第一導體層。
  3. 如請求項2之電子零件，其中上述一對第一導體層係上述複數個導體層中之於沿著上述線圈軸之方向上彼此相鄰之導體層。
  4. 如請求項1至3中任一項之電子零件，其中從上述積層方向觀察時，經由上述連接導體而相互連接之上述第一導體層與上述第二導體層呈線對稱地配置。
  5. 如請求項1至4中任一項之電子零件，其中各上述導體層包含位於彼此相反側之一對端部， 上述複數個連接導體包含第一連接導體與第二連接導體， 於上述一對端部中之至少一者連結有上述第一連接導體與上述第二連接導體。
  6. 如請求項5之電子零件，其中上述複數個第一導體層與上述至少1個第二導體層中相互對應之上述第一導體層與上述第二導體層係經由上述第一連接導體與上述第二連接導體而連接， 將上述第一連接導體與上述端部相互連結之第一連結部分和將上述第二連接導體與上述端部相互連結之第二連結部分沿相對於與上述第一及第二連接導體連結之上述第一及第二導體層之延伸方向傾斜之方向排列。
  7. 如請求項6之電子零件，其中上述第一導體層中之上述第一連結部分和上述第二連結部分之排列方向與上述第一導體層之延伸方向所成之角，與上述第二導體層中之上述第一連結部分和上述第二連結部分之排列方向與上述第二導體層之延伸方向所成之角相等。
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