TW202340767A - 顯示面板及電子裝置 - Google Patents
顯示面板及電子裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202340767A TW202340767A TW111114563A TW111114563A TW202340767A TW 202340767 A TW202340767 A TW 202340767A TW 111114563 A TW111114563 A TW 111114563A TW 111114563 A TW111114563 A TW 111114563A TW 202340767 A TW202340767 A TW 202340767A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- light
- quantum dot
- red
- display panel
- green
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 131
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 97
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 48
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 105
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 14
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 12
- -1 polyoxometalates Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 3
- 150000001988 diarylethenes Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 claims 2
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- ADZWSOLPGZMUMY-UHFFFAOYSA-M silver bromide Chemical compound [Ag]Br ADZWSOLPGZMUMY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 241000761427 Boraras micros Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000002284 excitation--emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 238000007363 ring formation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007142 ring opening reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Electric Clocks (AREA)
Abstract
本申請實施例涉及顯示技術領域,旨在解決習知的採用量子點材料作為光轉換層的顯示面板存在的黑色純度不足的問題,並提供一種顯示面板及電子裝置。該顯示面板包括驅動基板、發光元件層、量子點層及濾光層。發光元件層包括間隔設置的複數發光元件,每個發光元件與驅動基板電性連接。量子點層用於將發光元件發出的第一光轉換為第二光,第二光的波長不同於第一光。濾光層能夠透過第二光。濾光層包括光致變色材料,光致變色材料的激發波長為紫外光或可見光;光致變色材料被激發時,濾光層呈非透明態;光致變色材料未被激發時,濾光層呈透明態。
Description
本申請涉及顯示技術領域,具體而言,涉及一種顯示面板及電子裝置。
習知的採用量子點材料作為光轉換層的顯示面板,容易受到環境光(如,太陽光)的影響。其中,環境光中的紫外光或可見光會激發量子點材料發光,而導致顯示面板的黑色純度不足,影響顯示效果。
本申請第一方面提供一種顯示面板。該顯示面板包括:
驅動基板;
發光元件層,位於所述驅動基板上,所述發光元件層包括間隔設置的複數發光元件,每個所述發光元件與所述驅動基板電性連接;
量子點層,位於所述發光元件層遠離所述驅動基板的一側,所述量子點層用於將所述發光元件發出的第一光轉換為第二光,所述第二光的波長不同於所述第一光;以及
濾光層,位於所述量子點層遠離所述驅動基板的一側,所述濾光層能夠透過所述第二光;
其中,所述濾光層包括基材及位於所述基材上的光致變色材料,所述光致變色材料的激發波長為紫外光或可見光;所述光致變色材料被激發時,所述濾光層呈非透明態;所述光致變色材料未被激發時,所述濾光層呈透明態。
該顯示面板的濾光層包括激發波長為紫外光的光致變色材料。當顯示面板應用於強環境光的場景時(如,太陽光照射的室外環境),環境光中的紫外光或可見光會被光致變色材料吸收,使光致變色材料呈非透明態。藉此,改善了環境光中的紫外光或可見光激發量子點層發光,導致的顯示面板的黑色純度不足的問題,提升了顯示面板的黑色純度和對比度。另,當顯示面板應用於無強環境光的場景時(如,無太陽光照射的室內環境),光致變色材料發生可逆的化學反應,而呈透明狀態。藉此,還可以提升顯示面板的出光強度,達到節能效果。
本申請第二方面提供一種電子裝置。該電子裝置,包括殼體以及安裝於所述殼體的顯示面板。其中,所述顯示面板為第一方面所述的顯示面板。
由於該電子裝置包括第一方面所述的顯示面板,是故,該電子裝置至少具有與上述顯示面板相同的優點,在此不再贅述。
本申請實施例提供一種顯示面板及應用該顯示面板的電子裝置。該顯示面板包括驅動基板、位於所述驅動基板上的發光元件層、位於所述發光元件層遠離所述驅動基板的一側的量子點層、以及位於所述量子點層遠離所述驅動基板的一側的濾光層。所述發光元件層與所述驅動基板電性連接。所述量子點層用於將所述發光元件發出的第一光轉換為第二光,所述第二光的波長不同於所述第一光。其中,所述濾光層包括光致變色材料,所述光致變色材料的激發波長為紫外光;所述光致變色材料被激發時,所述濾光層呈非透明態;所述光致變色材料未被激發時,所述濾光層呈透明態。
該顯示面板的濾光層包括激發波長為紫外光的光致變色材料。當顯示面板應用於強環境光的場景時(如,太陽光照射的室外環境),環境光中的紫外光會被光致變色材料吸收,使光致變色材料呈非透明態。藉此,改善了由於環境光中的紫外光激發量子點層發光而導致的顯示面板的黑色純度不足的問題,提升了顯示面板的黑色純度和對比度。另,當顯示面板應用於無強環境光的場景時(如,無太陽光照射的室內環境),光致變色材料發生可逆的化學反應,而呈透明狀態。藉此,還可以提升顯示面板的出光強度,達到節能效果。
下面將結合本申請實施例中的附圖,對本申請實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅是本申請一部分實施例,而不是全部的實施例。
如圖1所示,顯示面板100包括驅動基板10、位於驅動基板10上的發光元件層20、位於發光元件層20遠離驅動基板10的一側的量子點層30、位於量子點層30遠離驅動基板10的一側的濾光層50、以及位於濾光層50遠離量子點層30一側的蓋板60。
顯示面板100包括矩陣排佈的複數畫素P(圖1中示意出一個)。每個畫素P包括發不同顏色光的多個子畫素。每相鄰的兩個子畫素發光顏色不相同。
具體地,每個畫素P包括一個發紅光R的紅色子畫素SP1、一個發綠光G的綠色子畫素SP2以及一個發藍光B的藍色子畫素SP3。顯示面板100還包括擋牆40。擋牆40位於相鄰且發不同顏色光的子畫素之間,以防止相鄰且發不同顏色光的子畫素之間發生串擾,減少相鄰子畫素出光干涉,增加對比度。擋牆40的材料例如為黑矩陣。
驅動基板10為薄膜電晶體(Thin Film Transistor,TFT)基板。驅動基板10包括基板11以及位於基板11上的薄膜電晶體陣列層12。
基板11用於支撐位於其上的各個元件(如,薄膜電晶體陣列層12、發光元件層20等)。
一些實施例中,驅動基板10為柔性的,基板11為柔性的材料,如聚醯亞胺(polyimide,PI)或聚對苯二甲酸(Poly Ethylene Terephthalate,PET)等。
另一些實施例中,驅動基板10為剛性的,基板11為剛性的材料,如玻璃或石英。
如圖2所示,薄膜電晶體陣列層12包括沿第一方向D1延伸的複數掃描線121以及沿第二方向D2延伸的複數資料線122。第二方向D2與第一方向D1交叉。其中,複數掃描線121沿第二方向D2間隔設置。每一條掃描線121與複數資料線122交叉且絕緣設置。複數資料線122沿第一方向D1間隔設置。每一條資料線122與複數掃描線121交叉且絕緣設置。
發光元件層20包括間隔設置的複數發光元件21。每個發光元件21位於相鄰的兩條掃描線121和相鄰的兩條資料線122交叉形成的區域中。
該實施例中,所有的發光元件21均為發藍光B的微型無機發光二極體(micro LED)。Micro LED意指晶粒尺寸小於100微米的LED。其可藉由在晶圓200(如,矽片或藍寶石)上外延生長得到複數發藍光B的LED晶粒。然後藉由巨量移轉將複數發藍光B的LED晶粒轉移至驅動基板10的相應位置上。
具體地,薄膜電晶體陣列層12還包括複數TFT(圖未示)。每個TFT電性連接一條掃描線121以及一條資料線122。每個發光元件21對應電性連接一個TFT。當該顯示面板100進行顯示時,驅動基板10藉由TFT向發光元件21施加驅動訊號(如電壓),以使發光元件21發光。其中,發光元件21可藉由透光的導電層電性連接TFT。透光的導電層的材料例如為氧化銦錫、金屬網格(metal mesh)、碳奈米管、石墨烯或導電高分子等。當導電層為金屬網格時,由於金屬線路寬度極小(微米等級),其具有肉眼於光學干涉效應上不易看見的特性。
其他實施例中,發光元件21還可為傳統的無機發光二極體(light emitting diode,LED)、迷你無機發光二極體(mini LED)、或者有機發光二極體(organic light emitting diode,OLED)。其中,Mini LED又稱次毫米發光二極體,其尺寸介於傳統的LED和micro LED之間,習知意指晶粒尺寸大致在100微米到200微米的LED。
其他實施例中,每個畫素P中發不同顏色光的多個子畫素的發光顏色、發不同顏色光的多個子畫素的數量,以及發不同顏色光的多個子畫素的排佈,不限於圖2所示。
請繼續參閱圖1,量子點層30用於將發光元件21發出的第一光L1轉換為第二光L2。第二光L2的波長不同於第一光L1。該實施例中,第一光L1為藍光B,第二光L2包括紅光R和綠光G。
具體地,量子點層30包括間隔設置的紅色量子點部31和綠色量子點部32。紅色量子點部31位於發光元件層20上,並位於相鄰的兩個擋牆40之間。紅色量子點部31的材料例如為紅色量子點光阻,紅色量子點部31用於將發光元件21發出的藍光B轉換為紅光R。
綠色量子點部32位於發光元件層20上,並位於相鄰的兩個擋牆40之間。綠色量子點部32的材料例如為綠色量子點光阻,綠色量子點部32用於將發光元件21發出的藍光B轉換為綠光G。
濾光層50包括間隔設置的紅色濾光部51和綠色濾光部52。紅色濾光部51位於紅色量子點部31上,並位於相鄰的兩個擋牆40之間。紅色濾光部51能夠透過紅光R。
綠色濾光部52位於綠色量子點部32上,並位於相鄰的兩個擋牆40之間。綠色濾光部52能夠透過綠光G。
紅色子畫素SP1包括一個發藍光B的發光元件21、位於發光元件21上的紅色量子點部31以及位於紅色量子點部31上的紅色濾光部51。紅色子畫素SP1中,發光元件21出射的藍光B經紅色量子點部31後轉換為紅光R,該紅光R經紅色濾光部51後透射至蓋板60,然後經蓋板60出射至顯示面板100之外。
同理,綠色子畫素SP2包括一個發藍光B的發光元件21、位於發光元件21上的綠色量子點部32以及位於綠色量子點部32上的綠色濾光部52。綠色子畫素SP2中,發光元件21出射的藍光B經綠色量子點部32後轉換為綠光G,該綠光G經綠色濾光部52後透射至蓋板60,然後經蓋板60出射至顯示面板100之外。
另,藍色子畫素SP3包括一個發藍光B的發光元件21。顯示面板100包括對應藍色子畫素SP3設置的通孔33。通孔33的一個開口被發光元件層20封閉,另一個開口被蓋板60封閉。藍色子畫素SP3中,發光元件21出射的藍光B直接透過通孔33至蓋板60,然後經蓋板60出射至顯示面板100之外。藉此,藉由設置量子點層30實現顏色轉換(color conversion),以實現顯示面板100的全彩化顯示。
如圖3所示,量子點材料具有高能力的短波長吸光-發光效率、窄的半高寬(full width of half maximum,FWHM)、寬的吸收頻譜等特性。是故,採用圖案化的量子點層搭配藍光LED實現全彩效果的方案,具有高的色飽和度。具體地,量子點材料具有電致發光與光致放光的特性,量子點材料受激後可以發射螢光,發光顏色由材料和尺寸決定,可藉由調控量子點的粒徑大小來改變其不同發光的波長至可見光區。
需要說明的是,相關技術的顯示面板,使用發紅光的micro LED(也稱R晶粒)、發綠光的micro LED(也稱G晶粒)及發藍光的micro LED(也稱B晶粒)形成三原色出光。然而該種顯示面板,需要將磊晶好的R晶粒、G晶粒、B晶粒經由巨量轉移安裝在驅動基板的特定位置、但是每個晶粒的出光效率無法有效控制、且巨量轉移的完成率無法達到量產的效果。而本申請實施例中,量子點材料圖案化後與發光元件層做貼合。採用圖案化的、發光純度高的量子點當作光轉化層,並搭配出光穩定性最高的藍光micro LED實現全彩的效果。一方面,製程簡化,可達到量產。另一方面,出光穩定。
由於量子點材料具有光致放光的特性,是故,環境光(如太陽光)中的可見光或紫外光會激發量子點材料產生微弱的光(如激發紅色量子點材料產生紅光,或激發綠色量子點材料產生綠光),而影響顯示面板對比度。
本申請實施例中,濾光層50包括光致變色材料。光致變色材料對特定的光(如紫外光或可見光)有高度敏感性,在光的作用下能夠發生可逆的顏色變化。具體地,在一定的波長和強度的光照射下,光致變色材料的分子結構發生變化,從而導致其對光的吸收峰值即顏色相應改變,且這種改變是可逆的。
如圖4所示,當顯示面板100應用於強的環境光S的場景時(如,太陽光照射的室外環境),紅色濾光部51和綠色濾光部52中的光致變色材料被激發,使得紅色濾光部51和綠色濾光部52由圖1透明態轉變為非透明態。
一些實施例中,紅色濾光部51和綠色濾光部52中的光致變色材料的激發波長為紫外光。紅色濾光部51和綠色濾光部52中的光致變色材料照射紫外光時,其被激發而呈非透明態。光致變色材料未被紫外光照射時,其未被激發而呈透明態。
是故,當顯示面板100應用於強的環境光S的場景時(如,太陽光照射的室外環境),太陽光中的紫外光會被光致變色材料吸收,使光致變色材料呈非透明態。藉此,可避免紫外光入射至量子點層30,激發紅色量子點部31產生紅光散射的問題以及激發綠色量子點部32產生綠光散射的問題,使得顯示面板100可顯示純黑的狀況,而不會有偏紅或偏綠的外觀,改善了由於環境光中的紫外光激發量子點層發光而導致的顯示面板的黑色純度不足的問題,提升了顯示面板的黑色純度和對比度。
另,當顯示面板100應用於無強環境光的場景時(如,無太陽光照射的室內環境),光致變色材料發生可逆的化學反應,而呈透明狀態。藉此,還可以提升顯示面板100的出光強度,達到節能效果。
另一些實施例中,紅色濾光部51和綠色濾光部52中的光致變色材料的激發波長為可見光。光紅色濾光部51和綠色濾光部52中的光致變色材料照射可見光時,其被激發而呈非透明態。光致變色材料未被可見光照射時,其未被激發而呈透明態。當顯示面板100應用於強的環境光S的場景時(如,太陽光照射的室外環境),環境光S中的可見光會被光致變色材料吸收,使光致變色材料呈非透明態。藉此,可避免可見光入射至量子點層30,激發紅色量子點部31產生紅光散射的問題以及激發綠色量子點部32產生綠光散射的問題,使得顯示面板100可顯示純黑的狀況,而不會有偏紅或偏綠的外觀,進而改善了由於環境光S中的可見光激發量子點層30發光而導致的顯示面板100的黑色純度不足的問題,提升了顯示面板100的黑色純度和對比度。
另,當顯示面板100應用於無強環境光的場景時(如,無太陽光照射的室內環境),光致變色材料發生可逆的化學反應,而呈透明狀態。藉此,還可以提升顯示面板100的出光強度,達到節能效果。
需要說明的是,光致變色材料的激發波長為可見光的情況下,紅色濾光部51的激發波長為可見光中紅光之外的波段,紅光能夠透過紅色濾光部51而不會被紅色濾光部51吸收。同理,綠色濾光部52的激發波長為可見光中綠光之外的波段,綠光能夠透過綠色濾光部52而不會被綠色濾光部52吸收。
一些實施例中,光致變色材料為有機光致變色材料。有機光致變色材料包括二芳基乙烯類、俘精酸酐類、螺吡喃類、螺惡嗪類、偶氮苯類、席夫堿類中的至少一種。有機光致變色材料在照射特定光後分子結構改變,使得立體障礙增加,使光線不易藉由讓材料顏色產生變化。
具體地,有機光致變色材料具有兩種可逆的分子結構(定義為第一分子結構和第二分子結構)。在一定的波長的光(如紫外光)的照射下,第一分子結構的有機光致變色材料發生閉環反應,而成為第二分子結構的有機光致變色材料;如果在另一波長的光(如可見光)的照射下,第二分子結構的有機光致變色材料發生開環反應,而成為第一分子結構的有機光致變色材料。
其他實施例中,有機光致變色材料發生其他種類的反應也可以實現狀態的改變,例如,也可以為反式結構的有機光致變色材料經一定的波長的光照射後激發為順式結構的有機光致變色材料而發生狀態的變換。
另一些實施例中,光致變色材料為無機光致變色材料。無機光致變色材料包括稀土配合物、過渡金屬氧化物、多金屬氧酸鹽類、金屬鹵化物中的至少一種。
無機光致變色材料具有許多優於有機光致變色材料優點,比如變色速率快、變色持續時間長、熱穩定性高、耐疲勞性好、機械強度高、宏觀可控易成型等。無機光致變色材料的變色現象主要是藉由離子和電子的雙注入提取、電子躍遷、晶格中電子轉移而實現,大多數能被紫外光誘導,某些無機光致變色材料也可被其他波長的光啟動(如,紅外到X射線或γ射線)。
以無機光致變色材料的鹵化物來說,例如氯化銀(AgCl)、溴化銀(AgBr)等,當光射進此類物質時,紫外光會使氯化銀或溴化銀還原成銀金屬與鹵素陰離子,使光致變色材料吸收光由透明態變暗為非透明態;當光線受阻而不再照射光致變色材料時,便發生逆反應,光致變色材料即恢復透明態。
具體地,例如將奈米級氯化銀與氯化銅粒子同置於基材中,當受到陽光照射時,下列方程式(s、aq分別代表固體和溶液)向右進行,AgCl
(s)+Cu
+ (aq)+光→Ag
(s)+Cl
- (aq)+Cu2
+ (aq);基材中出現銀的微粒,濾光層會立即變成黑褐色。當從室外移入室內時,因光線減弱,反應向左,銀的微粒變成氯化銀,濾光層自動由黑褐色恢復透明態。
一些實施例中,紅色濾光部51被激發時,紅色濾光部51呈紅色;綠色濾光部52被激發時,綠色濾光部52呈綠色。藉此,可進一步提升顯示面板100的色純度。
其他實施例中,紅色濾光部51或綠色濾光部52被激發時,也可呈其他顏色,如灰色或褐色,具體地視其採用的光致變色材料而定。
具體地,濾光層50可採用三種技術獲得。以下分別結合圖5至圖7進行說明。
如圖5所示,一實施例中,濾光層50還包括基材50a,光致變色材料50b混合於基材50a中。該種濾光層50可採用基變(photo cast in)技術製備。
具體地,基材50a例如為透明的亞克力樹脂。基變技術藉由將光致變色材料50b與基材50a的原材料(樹脂單體)均勻混合,固化後得到濾光層50。
如圖6所示,另一實施例中,濾光層50還包括基材50a,光致變色材料50b塗覆於基材50a的表面上。該種濾光層50可採用膜變(photo‑coating/trans‑bonding)技術製備。
具體地,基材50a例如為透明的樹脂。膜變技術藉由在基材50a的表面上塗覆黏合層(primer),經過預烘乾之後,再均勻塗覆一層包含光致變色材料50b及交聯樹脂的變色層。其中,黏合層可與變色層整合,同時塗覆於基材50a的表面上。
如圖7所示,又一實施例中,濾光層50還包括基材50a,光致變色材料50b吸附於基材50a的表層中。該種濾光層50可採用埋入式變色(imbibing)技術製備。
具體地,基材50a例如為透明的樹脂。埋入式變色技術藉由在加熱的情況下,將光致變色材料50b吸附於基材50a的表層中形成濾光層50。
於一實施例中,量子點層30可藉由噴墨列印技術或黃光曝光顯影技術獲得。以下結合圖8至圖12說明黃光曝光顯影技術製備量子點層30的各個步驟。
如圖8所示,在基底300上形成(如,旋塗)黑矩陣材料形成間隔設置的複數擋牆40。
如圖9所示,在基底300的表面、相鄰擋牆40之間形成(如,旋塗)紅色量子點材料311(如,紅色量子點光阻)。由於後續步驟中還會在擋牆40之間、量子點層上形成濾光層。是故,紅色量子點材料311未完全填滿相鄰擋牆40之間的間隙。
如圖10所示,利用光罩400,對紅色量子點材料311進行曝光(如,紫外光照射)。
如圖11所示,去除光罩400並顯影後,紅色量子點材料311被圖案化,得到紅色量子點部31。
藉由類似圖9至圖11形成紅色量子點部31的方式,依次經過旋塗、曝光、顯影,形成如圖12所示的綠色量子點部32。由於發光元件21出射的藍光無需轉換,是故,部分擋牆40之間的間隙內無需形成量子點材料,而是通孔33的狀態。
另,圖12所示的量子點層30及擋牆40與基底300分離後,可與圖2所示的發光元件層20進行貼合。再依照圖5至圖7中任意一種技術於相應的位置,製備濾光層50。最後,於濾光層50及擋牆40上形成蓋板60,即可得到圖1所示的顯示面板100。其中,蓋板60用於保護顯示面板100並具有裝飾性。蓋板60例如為透明的玻璃或PET等。
本申請一些實施例中,還提供一種電子裝置(圖未示)。電子裝置包括殼體以及安裝於殼體的上述的顯示面板。電子裝置例如為手機、平板電腦和智慧手錶。由於該電子裝置包括上述的顯示面板,是故,其在室外強的太陽光環境下使用時,具有高的對比度,在室內弱的太陽光環境下使用時,具有節能效果。
以上實施方式僅用以說明本發明的技術方案而非限制,儘管參照較佳實施方式對本發明進行了詳細說明,本領域的普通技術人員應當理解,可以對本發明的技術方案進行修改或等同替換,而不脫離本發明技術方案的精神及範圍。
10:驅動基板 20:發光元件層
11:基板 21:發光元件
12:薄膜電晶體陣列層 30:量子點層
121:掃描線 31:紅色量子點部
122:資料線 311:紅色量子點材料
32:綠色量子點部 400:光罩
33:通孔 L1:第一光
40:擋牆 L2:第二光
50:濾光層 R:紅光
51:紅色濾光部 G:綠光
52:綠色濾光部 B:藍光
50a:基材 P:畫素
50b:光致變色材料 SP1:紅色子畫素
60:蓋板 SP2:綠色子畫素
100:顯示面板 SP3:藍色子畫素
200:晶圓 D1:第一方向
300:基底 D2:第二方向
S:環境光
圖1為本申請一實施例中顯示面板的結構示意圖。
圖2為製備圖1中發光元件層和量子點層的示意圖。
圖3為本申請一實施例中量子點材料的激發光譜和發射光譜的示意圖。
圖4為圖1所示的顯示面板中光致變色材料被激發時的示意圖。
圖5為本申請一實施例的濾光層的剖面示意圖。
圖6為本申請另一實施例的濾光層的剖面示意圖。
圖7為本申請又一實施例的濾光層的剖面示意圖。
圖8為本申請一實施例中,於基底上形成擋牆的示意圖。
圖9為於圖8的基底上形成紅色量子點材料的示意圖。
圖10為對圖9形成的紅色量子點材料進行曝光的示意圖。
圖11為對圖10所示的結構顯影得到紅色量子點部的示意圖。
圖12為對圖11所示的結構形成綠色量子點部的示意圖。
10:驅動基板
11:基板
12:薄膜電晶體陣列層
20:發光元件層
30:量子點層
31:紅色量子點部
32:綠色量子點部
33:通孔
40:擋牆
50:濾光層
51:紅色濾光部
52:綠色濾光部
60:蓋板
100:顯示面板
L1:第一光
L2:第二光
R:紅光
G:綠光
B:藍光
P:畫素
SP1:紅色子畫素
SP2:綠色子畫素
SP3:藍色子畫素
Claims (10)
- 一種顯示面板,包括: 驅動基板; 發光元件層,位於所述驅動基板上,所述發光元件層包括間隔設置的複數發光元件,每個所述發光元件與所述驅動基板電性連接; 量子點層,位於所述發光元件層遠離所述驅動基板的一側,所述量子點層用於將所述發光元件發出的第一光轉換為第二光,所述第二光的波長不同於所述第一光;以及 濾光層,位於所述量子點層遠離所述驅動基板的一側,所述濾光層能夠透過所述第二光; 其中,所述濾光層包括基材及位於所述基材上的光致變色材料,所述光致變色材料的激發波長為紫外光或可見光;所述光致變色材料被激發時,所述濾光層呈非透明態;所述光致變色材料未被激發時,所述濾光層呈透明態。
- 根據請求項1所述的顯示面板,其中,所述光致變色材料為有機光致變色材料或無機光致變色材料。
- 根據請求項2所述的顯示面板,其中,所述有機光致變色材料包括二芳基乙烯類、俘精酸酐類、螺吡喃類、螺惡嗪類、偶氮苯類、席夫堿類中的至少一種;所述無機光致變色材料包括稀土配合物、過渡金屬氧化物、多金屬氧酸鹽類、金屬氯化物中的至少一種。
- 根據請求項1至3中任意一項所述的顯示面板,其中,所述光致變色材料混合於所述基材中; 或者,所述光致變色材料塗覆於所述基材的表面上; 或者,所述光致變色材料吸附於所述基材的表層中。
- 根據請求項4所述的顯示面板,其中,所述第一光為藍光,所述第二光包括紅光和綠光; 所述量子點層包括紅色量子點部和綠色量子點部,所述紅色量子點部用於將所述發光元件發出的藍光轉換為紅光,所述綠色量子點部用於將所述發光元件發出的藍光轉換為綠光; 所述濾光層包括紅色濾光部和綠色濾光部,所述紅色濾光部位於所述紅色量子點部上,所述紅色濾光部能夠透過紅光;所述綠色濾光部位於所述綠色量子點部上,所述綠色濾光部能夠透過綠光。
- 根據請求項5所述的顯示面板,其中,所述紅色濾光部被激發時,所述紅色濾光部呈紅色;所述綠色濾光部被激發時,所述綠色濾光部呈綠色。
- 根據請求項6所述的顯示面板,其中,所述顯示面板包括複數畫素,每個所述畫素包括發不同顏色光的多個子畫素; 所述發不同顏色光的多個子畫素包括發紅光的紅色子畫素、發綠光的綠色子畫素以及發藍光的藍色子畫素; 所述紅色子畫素包括一個發藍光的所述發光元件、位於所述發光元件上的所述紅色量子點部以及位於所述紅色量子點部上的所述紅色濾光部; 所述綠色子畫素包括一個發藍光的所述發光元件、位於所述發光元件上的所述綠色量子點部以及位於所述綠色量子點部上的所述綠色濾光部; 所述藍色子畫素包括一個發藍光的所述發光元件; 所述顯示面板還包括擋牆,所述擋牆位於相鄰且發不同顏色光的所述子畫素之間,以防止相鄰且發不同顏色光的所述子畫素之間發生串擾。
- 根據請求項7所述的顯示面板,其中,所述發光元件為傳統的無機發光二極體、迷你無機發光二極體、微型無機發光二極體或有機發光二極體。
- 根據請求項8所述的顯示面板,其中,所述驅動基板為柔性的;或者,所述驅動基板為剛性的。
- 一種電子裝置,包括殼體以及安裝於所述殼體的顯示面板,其中,所述顯示面板為根據請求項1至9中任意一項所述的顯示面板。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210383209.5 | 2022-04-13 | ||
CN202210383209.5A CN114725177B (zh) | 2022-04-13 | 2022-04-13 | 显示面板及电子装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202340767A true TW202340767A (zh) | 2023-10-16 |
TWI823347B TWI823347B (zh) | 2023-11-21 |
Family
ID=82243864
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW111114563A TWI823347B (zh) | 2022-04-13 | 2022-04-15 | 顯示面板及電子裝置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114725177B (zh) |
TW (1) | TWI823347B (zh) |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3591728B2 (ja) * | 2002-02-20 | 2004-11-24 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 有機elディスプレイ |
JP2007220431A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 多色発光デバイス及びその製造方法 |
TW201107827A (en) * | 2009-08-19 | 2011-03-01 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Color filter substrate and manufacturing method thereof and liquid crystal display device using the same |
KR101361721B1 (ko) * | 2012-03-09 | 2014-02-13 | 주식회사 창강화학 | 광흡수 필터 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
KR102317904B1 (ko) * | 2017-07-11 | 2021-10-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 광필터링 기능을 구비한 조명장치 및 이를 이용한 자동차의 썬루프 |
CN107818732B (zh) * | 2017-11-21 | 2020-07-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示单元、显示面板及显示装置 |
CN108511390B (zh) * | 2018-05-09 | 2020-07-07 | 广东普加福光电科技有限公司 | 一种量子点全彩微显示器件的制备方法 |
CN111240078B (zh) * | 2020-03-06 | 2022-04-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示用基板及其制备方法、显示装置 |
CN111477618A (zh) * | 2020-04-23 | 2020-07-31 | 恩利克(浙江)智能装备有限公司 | 一种量子点全彩Micro/Mini-LED显示屏结构及其制造方法 |
KR20210134161A (ko) * | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 |
CN111509025A (zh) * | 2020-05-26 | 2020-08-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基于量子点的显示面板及其制备方法、显示装置 |
-
2022
- 2022-04-13 CN CN202210383209.5A patent/CN114725177B/zh active Active
- 2022-04-15 TW TW111114563A patent/TWI823347B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114725177B (zh) | 2024-03-29 |
CN114725177A (zh) | 2022-07-08 |
TWI823347B (zh) | 2023-11-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7986088B2 (en) | Fluorescence conversion medium and color light-emitting device including the same | |
JP5902212B2 (ja) | カラー・エレクトロルミネセンス表示装置 | |
US6897087B2 (en) | Method for producing organic EL display | |
TWI533039B (zh) | 顯示裝置 | |
TWI631395B (zh) | 光學構件與具有其之顯示裝置及其製造方法 | |
CN111509025A (zh) | 基于量子点的显示面板及其制备方法、显示装置 | |
US10692941B2 (en) | Organic light emitting diode display | |
KR102126350B1 (ko) | 유기발광다이오드 표시장치 | |
CN105339996A (zh) | 具有波长转换层的led显示器 | |
JP2004221081A (ja) | 有機発光ダイオード表示装置 | |
WO2020253418A1 (zh) | 透明显示面板及显示装置 | |
US20090162667A1 (en) | Lighting device having backlighting, illumination and display applications | |
CN108615740A (zh) | 柔性有源彩色半导体发光显示模块及柔性显示屏 | |
KR20070115995A (ko) | 색 변환 기판 및 그의 제조 방법, 및 발광 장치 | |
WO2017043245A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、照明装置、および表示装置 | |
WO2021166772A1 (ja) | 発光デバイス、および発光デバイスの製造方法 | |
KR20170036160A (ko) | 유기발광다이오드 표시장치 | |
KR20150054384A (ko) | 투명한 유기 발광 표시장치 | |
CN110120404A (zh) | 双面白光有机发光二极管显示装置及其制造方法 | |
CN106449704A (zh) | Oled显示装置 | |
KR100740309B1 (ko) | 휘어질 수 있는 풀 칼라 유기 발광 디스플레이 및 그제조방법 | |
KR101676291B1 (ko) | 광전환층을 포함하는 백색 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법 | |
US20050057176A1 (en) | Color tunable panel of organic electroluminscent display | |
TWI823347B (zh) | 顯示面板及電子裝置 | |
CN110048024A (zh) | 显示基板及其制造方法、显示装置 |