TW202339356A - 具有吸收材料的卡緣連接器 - Google Patents

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傑佛瑞 多倫
荷西 里卡多 潘尼阿瓜
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Abstract

本發明揭示一種用於改良使用高速記憶體之電腦之效能同時保持僅安裝電腦可支援之記憶體之一子集之靈活性之組件。該組件可具有經構形用於插入在該電腦中形成記憶體插槽之連接器之配合介面中之一刀片部分。該刀片部分可包含選擇性地放置為鄰近於該連接器內之傳導元件之吸收材料以在未填充記憶體之記憶體插槽內抑制或防止非所要電磁特性，諸如殘段諧振。該組件可具有耦合至未填充卡緣連接器之信號及接地傳導元件之吸收材料且可具有在該吸收材料與電力傳導元件之間提供隔離之絕緣區域。該組件可經成形用於容易地插入及保持且稍後自該連接器移除以允許一記憶卡稍後添加至該電腦。

Description

具有吸收材料的卡緣連接器
本申請案大體上係關於卡緣連接器，且特定言之，本申請案係關於一種用於電腦中以接收一記憶卡之卡緣連接器。
卡緣連接器廣泛用於電氣系統。通常，在若干印刷電路板(PCB)上製造一電氣系統之組件且使用卡緣連接器將PCB連接至電氣系統之其他組件比將電氣系統製造為一單一組件更容易且更具成本效益。有時，一個PCB可用作為一主板或母板，而系統中之其他PCB可指稱藉由卡緣連接器連接至母板以互連此等PCB之子板或子卡。在一電腦中，可在一母板上使用卡緣連接器來接收一記憶卡、一圖形卡或提供其他功能性之其他PCB。
一種類型之一卡緣連接器係用於接收一記憶卡之一記憶體插槽。記憶體插槽可用於(例如)將一記憶體子卡與一母板互連。DDR5 (雙倍資料速率產生器5)係當今電腦中廣泛使用之一記憶體規範。使用DDR5之一子卡可透過一卡緣連接器與一電腦之母板互連。卡緣連接器固定在母板上，且卡緣連接器上之傳導元件與母板上之電路互連。子卡插入卡緣連接器之卡槽中，使得子卡上之焊墊與卡緣連接器上之對應傳導元件電連接以透過卡緣連接器與母板上之電路系統提供電互連。
一已知卡緣連接器包含具有由兩個相對側壁界定之一狹槽用於接收一子卡之一外殼。相對側壁之各者可包含暴露複數個傳導元件之一列開口。一傳導元件之一配合接觸部分可透過側壁中之一對應開口延伸至狹槽中，使得當一子卡插入狹槽中時，傳導元件可經由接觸部分與子卡上之一對應傳導墊電連接。卡緣連接器亦可包含用於頂出子卡之一頂出器及用於將子卡鎖定在狹槽中之一鎖。
電腦可使用多個卡緣連接器來製造以接收多個記憶卡。可製造一些電腦，其中所有該等連接器中均具有記憶卡。為了成本原因，相同設計之其他電腦可製造成僅在一些連接器中具有記憶卡。接著，該等電腦之使用者可選擇在期望電腦效能更高之處添加記憶卡。
一些實施例係關於一種用於插入包括一配合介面之一未填充電連接器之組件。該組件包括經構形用於插入該配合介面中之一刀片部分。該刀片部分包括一有損本體。
此一組件可包含以下特徵之一或多者：該有損本體可包括一黏結劑及安置於該黏結劑內之肥粒鐵填料。該有損本體可包括一黏結劑及安置於該黏結劑內之傳導填料。該有損本體可具有在1 GHz之一頻率下量測之介於50西門子/米與1,000西門子/米之間的體電導率。該黏結劑可包括一熱塑性材料。在一些實施例中，該黏結劑可為尼龍。該組件可進一步包括機械地耦合至該刀片部分之一蓋。在一些實施例中，該組件係一防塵蓋。該組件可為一取放蓋。該刀片部分可包括相對邊緣及經構形以接收該電連接器之一接合特徵之該等邊緣之各者中之至少一個凹口。
在一些實施例中，該刀片部分可具有根據一DDR5規範之實體尺寸。該有損本體可包括經構形以與該電連接器之電力傳導元件對準之複數個絕緣凹槽。
一些實施例係關於一種電連接器，其包括：一絕緣外殼；複數個傳導元件，其安置於該絕緣外殼中；及一嵌件，其具有安置成鄰近於該複數個傳導元件之至少一個傳導元件之至少一部分。該部分包括一吸收材料。
在一些實施例中，該嵌件可移除。在一些實施例中，該吸收材料包括一電有損材料。在一些實施例中，該吸收材料包括一磁有損材料。
在一些實施例中，該部分鄰近於該複數個傳導元件之至少兩個傳導元件，且該吸收材料經構形以電橋接該至少兩個傳導元件。在一些實施例中，該至少兩個傳導元件包括一接地導體。在一些實施例中，該至少兩個傳導元件包括一信號導體。在一些實施例中，該吸收材料與該接地導體直接實體接觸。在一些實施例中，該吸收材料與該信號導體直接實體接觸。在一些實施例中，該吸收材料電容耦合至該信號導體。在一些實施例中，該嵌件之該部分包括該吸收材料與該信號導體之間的一絕緣層。在一些實施例中，該吸收材料不與該複數個傳導元件之一電力導體直接實體接觸。在一些實施例中，該電連接器係經構形以與一子卡配合之一卡緣連接器，該絕緣外殼包括經構形以接收該子卡之一狹槽，且該嵌件之該部分安置於該狹槽中。一些實施例係關於一種包括此一卡緣連接器之電腦系統。在此等實施例中，該卡緣連接器係一第一卡緣連接器，且該電腦系統進一步包括與一記憶卡配合之一第二卡緣連接器。
在一些實施例中，該嵌件進一步包括覆蓋該狹槽外部之該絕緣外殼之至少一表面之一蓋。在一些實施例中，該子卡係一記憶卡。
一些實施例係關於一種經構形以插入一卡緣連接器之一狹槽中之可移除嵌件。該卡緣連接器包括複數個傳導元件。該可移除嵌件包括經構形以安置於該狹槽中且鄰近於該複數個傳導元件之至少一個傳導元件之至少一部分，該部分包括一吸收材料。
在一些實施例中，該可移除嵌件包括一防塵蓋。在一些實施例中，該吸收材料包括一電有損材料。在一些實施例中，該吸收材料包括一磁有損材料。
在一些實施例中，該部分經構形以鄰近於該複數個傳導元件之至少兩個傳導元件，且該吸收材料經構形以電橋接該至少兩個傳導元件。在一些實施例中，該吸收材料經構形以與該卡緣連接器中之一接地導體直接實體接觸。在一些實施例中，該吸收材料經構形以與該卡緣連接器中之一信號導體直接實體接觸。在一些實施例中，該吸收材料經構形以與該卡緣連接器中之一信號導體電容耦合。在一些實施例中，該嵌件之該部分包括安置於該吸收材料上且經構形以使該吸收材料與該信號導體分離之一絕緣層。在一些實施例中，該卡緣連接器經構形以在移除該嵌件之後與一記憶卡配合。
一些實施例係關於一種電腦系統，其包括一記憶體匯流排；複數個卡緣連接器，該複數個卡緣連接器之各者耦合至該記憶體匯流排且包括一各自配合介面；一記憶卡；及一吸收刀片。該複數個卡緣連接器包括一第一卡緣連接器及一第二卡緣連接器；該記憶卡插入該第一卡緣連接器之該配合介面中；且該吸收刀片插入該第二卡緣連接器之該配合介面中。
此一電腦系統可包含以下特徵之一或多者：該記憶體匯流排包括複數個信號導體；該電腦系統包括至少一個電力導體及至少一個接地導體；該複數個卡緣連接器之各者包括：複數個信號傳導元件，該複數個信號傳導元件之各者焊接至該複數個信號導體之一各自信號導體；複數個電力傳導元件，該複數個電力傳導元件之各者焊接至該至少一個電力導體之一各自電力導體；複數個接地傳導元件，該複數個接地傳導元件之各者焊接至該至少一個接地導體之一各自接地導體；且該第二卡緣連接器之該複數個接地傳導元件電耦合至該吸收刀片。
在一些實施例中，該吸收刀片包括一有損本體且該第二卡緣連接器之該複數個接地傳導元件經由一歐姆連接電耦合至該吸收刀片。在一些實施例中，該吸收刀片包括一有損本體且該第二卡緣連接器之該複數個信號傳導元件電耦合至該吸收刀片。
在一些實施例中，該第二卡緣連接器之該複數個信號傳導元件經由一電容耦合件電耦合至該有損本體且具有如在1 GHz之一頻率下量測之0.01微微法拉至1.00微微法拉之間之電容的一電容。在一些實施例中，該吸收刀片包括一有損本體且該第二卡緣連接器之該複數個電力傳導元件藉由大於1 MOhm之一DC電阻與該有損本體電隔離。
本案發明人已認識到且瞭解用於使用高速記憶體來改良電腦之效能同時保持僅安裝電腦可支援之記憶體之一子集之靈活性之設計及方法。此等設計及方法可廉價地實施且在用於製造、分佈及使用電腦之既有程序存在較少或不存在破壞。
本申請案之態樣係關於一種包括可移除地插入一卡緣連接器中之吸收材料之組件。該組件可選擇性地將該吸收材料放置為鄰近於或與該連接器內之傳導元件分離。該吸收材料可(例如)與該連接器之電源端子絕緣，但可耦合至接地端子及/或信號端子。該吸收材料可經定位成衰減或消除與無端殘段(否則可存在於無卡安裝於其中之一卡緣連接器)相關聯之非期望電磁特性，即使該連接器附接至電腦母板上之一匯流排且經構形用於將高速記憶體(諸如DDR5或更快記憶體)連接至一電腦母板。可實現阻尼或消除非期望電磁特性之有益效應而不會非期望地影響連接器安裝於其中之電腦系統之效能。
使用此一組件，一電腦系統製造商可在一母板上預安裝若干卡緣連接器且將電腦系統運送給一客戶而所有連接器中均未安裝記憶卡。例如，卡緣連接器中之傳導元件可焊接至一母板上之對應焊墊上。一電腦系統可具有與一子卡配合之一些而非所有卡緣連接器使得電腦系統僅部分地填充子卡。例如，卡緣連接器可提供若干記憶體插槽且一些而非所有記憶體插槽可安裝有記憶卡。未填充卡緣連接器為一客戶提供靈活性以基於(除其他考量之外)客戶之獨特計算能力及成本要求來判定是否將更多記憶卡添加至電腦系統。因此，有時一電腦系統可使用一或多個未填充卡緣連接器操作。
互連至母板上之一信號路徑之一未填充卡緣連接器中之一傳導元件可充當一無端殘段。一無端殘段可影響電腦系統之信號完整性(SI)及電磁干擾(EMI)效能。在一些情況中，無端殘段引起信號反射或通過配合觸點之一信號之其他失真以使信號完整性降級。例如，來自一無端殘段之此等反射可導致殘段諧振，其可降低母板中承載之信號之品質。當長度係透過配合觸點傳播之信號之波長之一顯著部分時，一無端殘段可引起顯著干擾。隨著信號之頻率增加，波長減小使得對於一高頻信號，可出現之一相對短殘段可引起顯著信號破壞。再者，一無端殘段可可充當一天線且殘段諧振可產生可導致與相鄰傳導元件之串擾或在某些條件下可超過一電腦系統之一規定EMI要求之高發射位準之電磁輻射。由於此等問題係頻率相依，因此連接至經設計以連接至高速記憶體之一電腦中之信號線之一未填充卡緣連接器可特別容易受此等負面影響。例如，具有經設計以接收一DDR5記憶卡之一未填充插槽之一電腦具有長度延伸數毫米(例如6 mm)之一配合接觸部分且可在該插槽連接至其之記憶體匯流排上之高速信號之頻率範圍內引起殘段諧振。記憶體匯流排之操作頻率範圍內之此等非期望電磁特性可產生干擾記憶體匯流排之操作之一特定高風險。
根據本發明之一些態樣，一種未填充卡緣連接器可具有含安置於鄰近於該卡緣連接器中之傳導元件之狹槽中之吸收材料之一嵌件。該吸收材料可抑制或消除充當無端殘段之傳導元件中之殘段諧振，使得可改良具有未配合卡緣連接器之電腦系統之SI及EMI效能。
在一些實施例中，該吸收材料可包括一有損材料，諸如一電有損材料、磁有損材料或其等之組合。
嵌件中之吸收材料可選擇性地放置成鄰近於一些或所有傳導元件以在傳導元件之間提供橋接。橋接可由傳導元件與吸收材料之間的直接實體接觸、由電容耦合或其等之一組合提供，因為本發明之態樣不受限於此。例如，一吸收材料可藉由與兩個傳導元件直接實體接觸而橋接兩個傳導元件；藉由與兩個傳導元件電容耦合，或藉由與一個傳導元件直接實體接觸，同時電容耦合至另一傳導元件。電容耦合可由傳導材料與吸收材料之間經由一相對小間隙分離來提供。該間隙可填充一介電質，其可為(例如)空氣或一層介電材料。
在一些實施例中，吸收材料可在所有傳導元件或一些傳導元件之間提供橋接。可在一嵌件內提供一種以上吸收材料。在一些實施例中，一卡緣連接器內之傳導元件組可由一吸收材料在各群組內橋接在一起，但以其他方式與其他群組電隔離。
當連接器填充一記憶體時，由吸收材料橋接或與吸收材料隔離之傳導元件可取決於連接器中之傳導元件之功能。例如，一卡緣連接器可具有經構形以承載電力之一些傳導元件，一些經構形以連接至接地而其他經構形以承載高速信號。此等構形可源自連接器如何連接至母板，因為具有一記憶體匯流排之一母板將具有用於承載電力、信號及接地之傳導結構。在一些實施例中，卡緣連接器中之傳導元件可基於待與該連接器配合之子卡之規範而構形為一電力導體、接地導體或信號導體。
例如，可選擇性地定位吸收材料以在一接地導體與一或多個信號導體之間提供橋接。在一些實施例中，吸收材料可成形或圖案化以具有朝向選擇傳導元件之突出。突出可增強至該等傳導元件之耦合。替代地或另外，吸收材料可含有經定位以與某些連續元件對準之凹槽。凹槽可提供吸收材料與該等傳導元件之間的分離。
在一些實施例中，可選擇性地定位吸收材料以橋接一卡緣連接器中之一些或所有信號及接地導體，同時避免與一電力導體直接實體接觸以降低在一電力導體與一接地或信號導體之間產生一電短路之風險。
嵌件可經成形以促進放置於卡緣連接器之狹槽內使得吸收材料定位為鄰近於卡緣連接器之傳導元件。嵌件可移除且可替換為一子卡。
在一些實施例中，嵌件可包括經構形以插入卡緣連接器之狹槽中之一刀片。該刀片可具有與經設計用於插入連接器中之一卡之邊緣之尺寸及特徵鏡像之尺寸及特徵。刀片可包括(例如)經構形以接合一卡緣連接器上之一鎖定機構以在插入之後將刀片維持在適當位置之定位元件(諸如一或多個凹口)且接合卡緣連接器上之一頂出器機構以促進自狹槽移除刀片(例如，當將嵌件替換為子卡時)。
在一些實施例中，嵌件可具有實質上相同於一子卡(諸如經構形以與卡緣連接器配合之一DDR5記憶卡)之尺寸。然而，在一些實施例中，嵌件可簡單地製造且成本低。
此外，在一些實施例中，嵌件可併入否則可連同一連接器一起使用之一組件中。一嵌件可(例如)另外或替代地整合至卡緣連接器之一保護蓋中。該組件可實質上密封卡緣連接器中之傳導元件之接觸部分以阻擋灰塵、濕氣及氣體之其他、焊接熔劑或其他污染物進入，且可替代地或另外對環境密封卡緣連接器之其他部分。作為另一實例，嵌件可整合至一取放蓋中以為一取放機器提供表面區域以在連接器安裝至母板進行表面安裝焊接時抓緊連接器。
下文將進一步描述上述態樣及實施例以及額外態樣及實施例。此等態樣及/或實施例可單獨使用、一起使用或以兩者或更多者之任何組合使用，因為本發明不受限於此方面。
圖1係根據一些實施例之一卡緣連接器及具有吸收材料之一嵌件之一立體圖。圖1展示包含一絕緣外殼300之一卡緣連接器100。絕緣外殼300具有彼此相對之一第一側壁310及一第二側壁320。第一側壁310及第二側壁320在圖1中指定為Y之一方向上伸長。第一側壁310及第二側壁320在圖1中指定為Z方向之一方向上分離。外殼300在第一側壁310與第二側壁320之間具有在Y方向上類似地伸長之一狹槽330。
複數個傳導元件400安置於絕緣外殼300中且以兩個相對列配置。在圖1之實例中，各列傳導元件400由側壁310、320之一各自側壁支撐，其中傳導元件400之配合接觸部分延伸穿過側壁至狹槽330中。在每列內，傳導元件400沿Y方向隔開。
各傳導元件400附接至PCB 800。傳導元件通常在圖1中標記為X方向之一方向上自一印刷電路板(PCB) 800垂直延伸。各傳導元件400具有用於與PCB 800中之一對應傳導焊墊互連之一接觸尾部420使得連接器100實體地固定至PCB 800且與PCB 800之組件電互連。例如，接觸尾部420可為經由一表面安裝焊接接頭焊接至PCB 800上之表面焊墊之一表面安裝尾部，儘管可使用接觸尾部420與PCB 800之間的其他類型之互連，諸如(但不限於)壓縮配合或一針眼型壓入配合。
仍參考圖1，嵌件900展示為自卡緣連接器100移除。嵌件900具有經成形以插入連接器100之狹槽330中之一刀片部分920。刀片部分920可全部或部分由一吸收材料形成。在此實例中，展示吸收材料910之一區域。此處，當刀片部分920完全插入狹槽330中時，吸收材料之區域定位為鄰近於一些或所有傳導元件400。圖2係圖1中之卡緣連接器100之一立體圖，其中嵌件900完全插入狹槽中。
在一些實施例中，圖1中之卡緣連接器100可為一記憶卡之一連接器，諸如一DDR5記憶卡。嵌件900可具有與連接器100經設計以接收之一記憶卡之厚度及其他尺寸及特徵匹配之一厚度及其他尺寸及特徵。例如，嵌件900可視情況具有經成形以沿連接器100之兩個側邊緣與鎖定機構370接合之凹口930。鎖定機構370可在嵌件900完全插入狹槽330之後移動至凹口930中以防止嵌件900被意外移除。連接器100可視情況包括可經操作以推壓嵌件900之一部分以促進將嵌件900自狹槽330移除之一頂出器。
凹口930可根據現已知或稍後開發之一記憶卡規範成形及定位使得用於鎖定一記憶卡之卡緣連接器上之相同鎖定機構可用於固定嵌件900。
應瞭解，圖1僅繪示經構形以與一卡緣連接器配合之一嵌件之一個非限制性實例。當刀片部分920內之吸收材料910定位為鄰近於與一些或所有傳導元件400時，無論吸收材料910之區域外部之嵌件900之形狀、尺寸或成分如何，均可實現殘段諧振之一阻尼效應。
下文參考圖3及圖4描述具有吸收材料之一嵌件之一實例結構。
圖3係根據一些實施例之具有沿X-Z平面具有吸收材料之一嵌件之一卡緣連接器100之一橫截面圖。圖3展示完全插入一卡緣連接器100之狹槽330中之圖嵌件之一刀片部分920。
圖3展示安置於狹槽330之相對側上之連接器100之兩個傳導元件4010及4020。取決於卡緣連接器之規範及連接器內之位置，各傳導元件可為一電力導體、一信號導體或一接地導體。
傳導元件4010具有一尾部4210(諸如)藉由表面安裝焊接連接至PCB 800之一頂面上之對應傳導特徵(諸如一焊墊810)。傳導元件4010亦具有含面向狹槽330之一接觸表面使得當一子卡與卡緣連接器100配合時子卡之一卡緣上之一對應焊墊放置成與配合接觸部分4010之接觸表面電接觸及實體接觸之一配合接觸部分4110。傳導元件4010沿X方向自接觸尾部4210垂直延伸至配合接觸部分且可延伸超過配合接觸部分4110。在一些實施例中，傳導元件與PCB 800上之焊墊810之距離可為若干毫米，諸如在1 mm與10 mm之間、在2 mm與8 mm之間或在3 mm與7 mm之間。
當卡緣連接器100未填充且無嵌件900時，傳導元件4010在PCB 800之焊墊810上形成一無端殘段。根據本發明之一態樣，刀片部分920可抑制或消除歸因於此一無端殘段之非期望殘段諧振效應，且因此，改良SI及EMI效能。
傳導元件4020亦包含尾部4220及配合接觸部分4120。傳導元件4010、4020之各者可形成一順應彈簧使得配合接觸部分4110、4120可沿Z方向橫向移動。在插入嵌件900之前，配合接觸部分4110、4120可沿Z方向彼此間隔得比狹槽330之一寬度近。在一些實施例中，配合接觸部分4110、4120可在一嵌件或一子卡插入狹槽330中之前在一靜止位置延伸至狹槽330中。刀片部分920沿Z方向之一厚度T可經設計以比配合接觸部分4110、4120之間的靜止位置距離更寬，使得當刀片部分920插入至狹槽330中時，刀片部分之一第一表面9110接觸配合接觸部分4110且沿Z方向橫向推動配合接觸部分4110遠離狹槽330且更靠近側壁310。例如，厚度T可在1 mm與5 mm之間、1 mm與2 mm之間或1 mm與1.5 mm之間，或可實質上係經構形以與卡緣連接器100配合之一子卡之厚度。例如，厚度T可為1.2 mm +/- 10%。
在插入之後，刀片部分920之一第二表面9120接觸配合接觸部分4120且沿Z方向橫向推動配合接觸部分4120遠離狹槽330且靠近側壁320。配合接觸部分4110與第一表面9110之間及/或配合接觸部分4120與第二表面9120之間的Z方向接觸力可幫助將刀片部分920保持在狹槽330中之適當位置以防止藉由摩擦而沿X方向意外移除。此一保持機構可替代或除機械鎖定特徵(諸如凹口930及鎖定機構370)之外使用。
另外，Z方向接觸力維持配合接觸部分4110與配合接觸部分4120與第二表面9120之間的第一表面9110之間的實體直接接觸。在其中第一表面9110及第二表面9120本身由吸收材料製成之實施例中，此一接觸力有助於維持配合接觸部分4110與第一表面9110處之吸收材料之間的直接電接觸。若第一表面9110及第二表面9120經形成具有使刀片部分920內之吸收材料與配合接觸部分4110及/或4120分離之一或多個介電層，則刀片部分920與配合接觸部分4110及/或4120之間的接觸力可幫助維持配合接觸部分4120及/或4120與吸收材料之間的一恆定間距。該間距(例如)可等於介電層之厚度。一恆定間距(例如)可基於中間介電層之厚度而提供一恆定電容耦合，且因此，可精確地維持安裝有一刀片部分920之連接器之電磁特性。
本發明之一些態樣係針對在刀片部分920內放置鄰近於第一表面9110及/或第二表面9120之吸收材料以抑制一些或所有傳導元件(諸如傳導元件4010及/或4020)中之殘段諧振。本發明者已認識到且瞭解，在鄰近於充當無端殘段之傳導元件處選擇性地放置吸收材料可改良含有一或多個未填充連接器之一電腦系統之總效能。
吸收材料之一實例係有損材料。通常在2004年9月7日發佈之名稱為「INTERCONNECTION SYSTEM WITH IMPROVED HIGH FREQUENCY PERFORMANCE」之美國專利第6,786,771號、2008年5月13日發佈之名稱為「HIGH SPEED, HIGH DENSITY ELECTRICAL CONNECTOR」之美國專利第7,371,117號、2013年2月12日發佈之名稱為「HIGH SPEED, HIGH DENSITY ELECTRICAL CONNECTOR」之美國專利第8,371,875號、2014年10月21日發佈之名稱為「HIGH FREQUENCY ELECTRICAL CONNECTOR」之美國專利第8,864,521號及2017年7月11日發佈之名稱為「HIGH FREQUENCY ELECTRICAL CONNECTOR」之美國專利第9,705,255號中描述本文所揭示之實施例中可用作為吸收材料之有損材料之實例，該等專利之各者之全部內容以引用的方式併入本文中。
作為一個實例，充當黏結劑之一熱塑性材料可填充傳導顆粒。填料使熱塑性材料「有損」。填料可併入一黏結劑中以形成一電有損材料及/或一磁有損材料。
在所關注之頻率範圍內傳導但具有一些損耗之材料在本文中通常指稱「電有損」材料。電有損材料可由有損介電質及/或有損傳導材料形成。所關注之頻率範圍取決於使用此一連接器之系統之指令參數，但通常將在約1 GHz與約30 GHz之間，儘管在一些應用中可關注較高頻率或較低頻率。在其中嵌件經構形用於插入一高速記憶體插槽之實施例中，所關注之頻率範圍可涵蓋至少30 GHz之頻率使得在一些實施例中一記憶體匯流排能夠以超過26 GB/s或30 GB/s或35 GB/s之資料傳送速率操作，即使在一未填充連接器附接至匯流排之情況下亦如此。例如，可啟用38.4 GB/s、43.2 GB/s或51.2 GB/s之資料傳送速率。
電有損材料可由傳統上被視為介電材料之材料形成，諸如在所關注之頻率範圍內具有大於約0.01之一電損耗角正切之材料。「電損耗角正切」係材料之複合介電常數之虛部與實部之比。可使用之材料之實例係在所關注之頻率範圍內具有大於約0.003之一電損耗角正切之材料。
電有損材料亦可由通常被視為導體但係所關注之頻率範圍內之相對較差導體之材料形成，含有足夠分散之顆粒或區域，其等不提供高傳導性或具否則準備導致所關注之頻率範圍內之一相對較弱傳導性之性質。
電有損材料可為部分傳導材料，諸如具有1 Ω/平方與10 6Ω/平方之間的一表面電阻率之材料。在一些實施例中，電有損材料具有1 Ω/平方與10 3Ω/平方之間的一表面電阻率。在一些實施例中，電有損材料具有10 Ω/平方與100 Ω/平方之間的一表面電阻率。作為一具體實例，材料可具有約20 Ω/平方與約40 Ω/平方之間的一表面電阻率。
電有損材料可具有約1西門子/米至約1 × 10 5西門子/米(諸如約1西門子/米至約30,000西門子/米之間)之一電導率。在一些實施例中，可使用具有約25西門子/米與約500西門子/米或50至200西門子/米之間的一體電導率之材料。作為一具體實例，可使用具有約50西門子/米之一電導率之材料。
在一些實施例中，體電阻率係經選擇以提供一些傳導但具有一些損耗之一電有損材料。本文所使用之一電有損結構之體電阻率可在約0.01 Ω-cm與約1 Ω-cm之間。在一些實施例中，體電阻率在約0.05 Ω-cm與約0.5 Ω-cm之間。在一些實施例中，體電阻率在約0.1 Ω-cm與約0.2 Ω-cm之間。
在一些實施例中，藉由將含有傳導顆粒之一填料添加至一黏結劑來形成電有損材料。可用作為一填料以形成一電有損材料之傳導顆粒之實例包含形成為纖維、薄片或其他顆粒之碳或石墨。呈粉末、薄片、纖維或其他顆粒之形式之金屬亦可用於提供適合電有損性質。替代地，可使用填料之組合。例如，可使用鍍金屬碳顆粒。銀及鎳係適合於纖維之金屬電鍍。塗佈顆粒可單獨使用或與其他填料(諸如碳薄片)組合使用。在一些實施例中，安置於一填料元件中之傳導顆粒可大體上均勻地安置於整個填充元件中以使填料元件之一傳導性大體上恆定。在其他實施例中，填充元件之一第一區域可比填料元件之一第二區域更具傳導性使得傳導性及因此填充元件內之損耗量可在空間上變動。
在一些實施例中，一有損材料可替代地或另外包括一磁性有損材料。一磁有損材料可由填充為該層提供磁有損特性之顆粒之一黏結劑或基質材料形成。磁有損顆粒可呈任何方便形式，諸如薄片或纖維。肥粒鐵可用作為磁有損材料。例如，可使用諸如鐵酸鎂、鐵酸鎳、鐵酸鋰、釔石榴石或鋁石榴石之材料。
「磁損耗角正切」係材料之複合磁導率之虛部與實部之比值。具有較高損耗角正切之材料可用作為一磁有損材料。肥粒鐵在所關注之頻率範圍內通常具有大於0.1之一損耗角正切。在1 GHz至3 GHz之頻率範圍內，肥粒鐵材料可具有近似0.1至近似1.0之間的一損耗角正切且更較佳地在此頻率範圍內具有高於0.5之一磁損耗角正切。
一材料可同時係一有損介電質或一有損導體及一磁有損材料。此等材料可(例如)藉由使用部分傳導之磁有損填料或藉由使用磁有損及電有損填料之一組合形成。
黏結劑或基質可為將凝固、固化或可以其他方式用於定位填料之材料。在一些實施例中，黏結劑可為一熱塑性材料，諸如傳統上用於電連接器之製造以促進將電有損材料模製成所要形狀及位置作為電連接器之製造之部分。此等材料之實例包含LCP及尼龍。然而，亦可使用其他黏結劑材料。可固化材料(諸如環氧樹脂)可充當一黏結劑。替代地，可使用諸如熱固性樹脂或黏著劑之材料。另外，儘管上述黏結劑材料可用於藉由在顆粒填料周圍形成黏結劑來產生一有損材料，但亦可使用其他技術。例如，顆粒可浸漬至一形成之基質材料中或可塗佈成一形成之基體材料，諸如藉由將一傳導塗層施加於一塑膠外殼。如本文所使用，術語「黏結劑」涵蓋囊封填料、浸漬填料或否則充當保持填料之一基板之一材料。
較佳地，填料將以一足夠體積百分比存在以允許產生自顆粒至顆粒之傳導路徑。例如，當使用金屬纖維時，纖維可以約3體積%至約40體積%存在。填料之量可會影響材料之傳導性質。
填充材料可市售，諸如由Ticona以商品名Celestran®出售之材料。亦可使用一有損材料，諸如有損傳導碳填充黏著劑預製件，諸如由Techfilm of Billerica, Massachusetts, US銷售之材料。此預製件可包含填充碳顆粒之一環氧黏結劑。黏結劑包圍碳顆粒，充當預製件之一加強物。此一預製件可插入一晶圓中以形成外殼之全部或部分。在一些實施例中，預製件可透過可在一熱處理程序中固化之預製件中之黏著劑黏合。可使用呈編織或非編織形式、塗佈或非塗佈之各種形式之強化纖維。非編織碳纖維係一種適合材料。可使用其他適合材料，諸如由RTP公司銷售之客製混合物，因為本發明不限於此方面。
一吸收材料可在傳導元件之間提供「橋接」。橋接在所關注之頻率範圍內提供傳導元件之間的一有損路徑。橋接可藉由與經橋接之傳導元件之一實體連接提供。另外，在所關注之頻率範圍內，信號可電容性地或以其他方式耦合在結構之間而結構之間無直接實體接觸。例如，一傳導結構可與一有損結構分離一足夠小距離使得在15 GHz之一頻率下量測之結構之間的電容約為0.01 μF或0.1 μF。因此，「橋接」可不需要結構之間的直接實體接觸。
無論如何實現橋接，在橋接至適當位置之情況下，傳導元件之各者不太可能產生殘段諧振。因為存在較少諧振，因此可在無端殘段處產生顯著較少之EMI發射及信號反射。替代地或另外，所產生之任何殘段諧振之能量隨EMI及/或其他不非所要電特性之降低而消散。
在一些實施例中，刀片920可包括在充當一信號導體之一傳導元件400與接地之間提供一有損路徑之一有損材料。
嵌件可經成形以在一卡緣連接器內之選擇傳導元件之間提供橋接而不對其他傳導元件造成電影響。圖4A係具有嵌件900之卡緣連接器100之一俯視平面圖，其中連接器100及嵌件沿圖2中所展示之線4-4部分切除。圖4A展示Y-Z平面中之連接器外殼之頂部及嵌件900之刀片部分之一橫截面。
如圖中所展示，刀片部分1920具有可取決於最接近不同區域之傳導元件之構形而具有不同形狀及/或組合物之區域9201、9203、9205。例如，藉由模制由一填充黏結劑形成之有損材料，可以此構形形成一刀片部分。作為一具體實例，若黏結劑係尼龍或其他熱固性塑膠，則可使用射出成型。在圖中所展示之實例中，傳導元件4113係電力導體，傳導元件4111係接地導體，而剩餘傳導元件(諸如傳導元件4115)係信號導體。在此實例中，所有可見信號導體4115均為高速信號導體且橋接至接地導體。
區域9201可包括與接地導體4111直接實體接觸之有損材料，而區域9205可由信號導體4115接觸。如圖中所展示，經由刀片部分920內之有損材料在接地導體4111與信號導體4115之間形成一有損路徑，使得可抑制或消除殘段諧振。
在圖4A之實例中，信號傳導元件與接地之間的有損路徑經由有損材料與接地傳導元件之間的直接實體接觸形成。在其中有損材料直接連接至接地傳導元件之實施例中，較佳的可為一電力導體與有損材料電隔離以降低母板中之一匯流排上之一電力導體與接地之間的電短路之一風險。可由(例如)使電力導體與有損材料分離之一氣隙或其他介電材料提供隔離使得不形成DC連接。在圖4A之實例中，區域9203具有一切口以避免電有損材料與電力導體4113之直接實體接觸。切口亦可經成形使得在電力導體4113與有損材料之間均存在足夠DC隔離。隔離可提供(例如)超過1 MΩ。替代地或另外，電力導體4113與有損材料之間的分離可提供可忽略電容耦合量，諸如小於1毫微微法拉。然而，在一些系統中，電容耦合可不具有影響或可期望，且可提供較大量之電容耦合。
圖4B繪示標記為刀片部分1920B之刀片部分1920之一替代構形。在刀片部分1920B中，透過將材料併入絕緣區域9203B中來為電力導體提供隔離。例如，絕緣區域9203B可由塑膠、尼龍或可用作為一連接器外殼中之一絕緣體之其他材料形成。作為一具體實例，絕緣區域9203B可由相同於用於形成刀片部分1920之一有損本體420B之一黏結劑之材料形成。使用形成為具有填料之黏結劑之有損材料能夠僅在一二次射出成型操作中形成刀片部分1920。例如，有損本體420B可在其中模製一通道。接著，在一第二模製操作中，該通道可填充一絕緣材料。
在圖4A及圖4B中所繪示之實施例中，電有損材料暴露在一有損本體(諸如有損本體420A及420B)之表面。在該構形中，一信號傳導元件與一接地傳導元件之間的一有損路徑由傳導元件之配合接觸部分與有損材料之間的直接實體接觸及直接電耦合形成。
在其他實施例中，電有損材料可與傳導元件靜態隔離，且有損路徑可包括一傳導元件之配合接觸部分與有損材料之間的電容耦合。在此等實施例中，一絕緣間隙在所關注之一頻率範圍內提供電容橋接，同時在直流(DC)條件下絕緣。
圖4C繪示標記為刀片部分1920C之刀片部分1920之一替代構形，其中存在電容耦合。在刀片部分1920C中，表面9110C及9120C各在其上分別具有一絕緣層430C及432C。
對於高信號頻率(諸如10 GHz或更高範圍內之信號頻率)，可由足夠電容耦合提供橋接。在一些實施例中，電容耦合可源自在一有損材料與一傳導元件400之間的1 GHz之一頻率下量測之約0.01微微法拉至約1.00微微法拉之間的電容。傳導元件(其可為一信號導體、一接地導體或一電力導體)且可單獨或與其他傳導元件一起作為一諧振電殘段導體。使用諧振導體與有損材料之間的足夠電容耦合，可降低諧振殘段之品質因數，且可減輕諧振殘段對電效能之負面影響，包含串擾、傳輸、輻射發射等。
分離一傳導元件及一有損材料之一間隙可為一氣隙。在圖3之實例中，可使用刀片920上之與具有一凹槽或比狹槽330之寬度T小之厚度之一配合接觸部分4110相對之一區域來提供一氣隙，使得配合接觸部分4110在此一區域中不與第一表面9110直接實體接觸。
在圖4C之實施例中，絕緣層430C及432C在信號傳導元件及接地傳導元件附近產生一介電間隙以導致該等傳導元件與有損本體420C之間的電容橋接。在此等實施例中，由於間隙距離基本上係絕緣層之厚度，因此可存在比使用一氣隙時更精確之電容耦合控制。
在刀片1920C上之有損材料之一表面上具有一絕緣塗層可提供額外優點。例如，一絕緣塗層可藉由抵抗磨損來作為對有損材料之實體保護。當塗層比用於形成刀片1920C之黏結劑材料更硬時，可產生此保護。替代地或另外，一絕緣塗層可充當對否則將接觸刀片部分1920C之一傳導元件之金屬配合接觸表面之實體保護。例如，配合接觸部分4110上之鍍金在滑過由一黏結劑中之顆粒形成之一有損材料之一表面之後可容易剝落/移除。複合材料可提供一研磨表面。絕緣層430C及432C可提供不太研磨之更平滑表面以降低損壞鍍金之風險。
例如，可使用一商用材料在有損材料上形成一絕緣塗層以用作為保形塗層來絕緣及保護電子電路板總成及此等總成上之組件及互連免受環境暴露及劣化影響。此等塗層包含諸如聚對二甲苯塗層、丙烯酸聚合物保形塗層、聚胺酯聚合物保形塗料、單件及雙件環氧樹脂聚合物塗層、聚矽氧塗層、苯乙烯塗層及其他之各種配方之材料。可使用任何適合製造方法來以一控制厚度施加及固化此等塗層。作為一非限制性實例，聚對二甲苯塗層可以自0.1微米至大於50微米之範圍內之厚度施加。一絕緣塗層之厚度可在0.1微米至500微米之間、1微米至500微米之間、25微米至200微米之間、50微米至200微米之間、75微米至200毫米之間或其他值。替代地或另外，一絕緣層可作為一膜施加，諸如聚醯亞胺膜。此一膜可使用黏著劑施加且可施加為一帶，例如，包含一黏著層。
圖4D繪示標記為刀片部分1920D之刀片部分1920之一替代構形，其中在接地傳導元件與一有損本體420D之間存在一直接連接，且在信號傳導元件及一有損本體420D之間存在電容耦合。在圖4D之實例中，絕緣層430D及432C形成於其中信號傳導元件接觸刀片部分1920D之有損本體420D之表面上。因此，可如上文所描述連同圖4C提供電容耦合。
在圖4D之實例中，與圖4C中之層相反，絕緣層430D及432D在其中接地傳導元件接觸刀片部分1920D之位置處中斷。該中斷可由絕緣層中之一間隙提供。替代地，如圖4D之實例中所繪示，中斷可由至少部分延伸穿過絕緣層之一結構提供。該延伸結構可為有損本體420D之一突出部或可為一添加結構，諸如一金屬焊墊，諸如焊墊440D。例如，金屬焊墊可藉由插入模製併入刀片部分1920D中，或可在施加層430D及432D之前附接至絕緣本體之表面。
在圖4D之實例中，鄰近於電力傳導元件之區域9203D由填充絕緣材料之切口區域形成，如上文連同圖4B所描述。然而，區域9203D內之絕緣材料可經形成具有相同於層430D及432D之材料。區域9203D可在形成層430D及432D同時完全或部分填充。在一些實施例中，區域9203D可部分填充絕緣材料至接近層430D及432D之厚度之一深度。區域9203D之剩餘部分可填充其他絕緣材料，諸如空氣。
圖4D繪示其中不同類型之傳導元件(電力、信號及接地)不同地耦合至一有損本體之一實施例。接地傳導元件最緊密耦合。相反，電力傳導元件與有損本體最高度絕緣。信號傳導元件耦合至有損本體，但具有比接地傳導元件更少之耦合。對於高速記憶體系統，理論化基於類型之相對耦合之該型樣以提供與連接器中之無端殘段相關聯之問題之強烈減少，及與將一有損組件插入附接至系統中之一母板之一連接器中相關聯之系統效能之一低干擾風險。
圖4E繪示標記為刀片部分1920E之刀片部分1920之一替代構形。在此實例中，刀片部分1920E具有多個部分，此處展示為由一背脊450E分離之兩個部分420D1及420D2。部分420D1及420D2之各者可充當連同圖4A描述之刀片部分1920之一個側，其中信號及接地傳導元件之表面用於直接接觸有損材料及凹槽用於防止電力傳導元件接觸。
例如，背脊450E可為一金屬片且有損材料可模製於片上以形成部分420D1及420D2。此一構形可加強刀片部分1920E及/或可增加信號傳導元件與接地傳導元件之間的耦合。替代地，背脊450E可由一絕緣材料形成。例如，一絕緣背脊可在接觸部分420D1或420D2之一者之傳導元件與接觸部分420D2或420D1之另一部分之傳導元件之間提供隔離。在其中背脊450E係絕緣之實施例中，背脊450E可在一模製操作中形成，在此期間區域9203E亦可填充絕緣材料。
應瞭解，圖4A至圖4C繪示用於在不同類型之傳導元件及有損材料之間提供不同程度之耦合之技術之組合，同時亦至少在DC處在電力傳導元件與接地傳導元件之間提供隔離。此等技術可用於任何適合組合中。
在一些實施例中，具有一有損部分之一刀片可整合至否則可與一受保護之邊緣連接器一起使用(諸如一防塵蓋或一取放蓋)之另一結構中。圖4A繪示一防塵蓋可如何保護傳導元件免受環境因素影響之一實例。圖4A繪示，除透過狹槽330暴露之外，傳導元件暴露在外殼300之一頂面312上之開口314內。開口314在圖3之橫截面圖中亦可見。嵌件900可包括覆蓋開口314之狹槽330外部之額外特徵，使得當從狹槽330暴露時且當嵌件900完全插入狹槽330時開口314被密封。
在一些實施例中，一刀片部分5920 (圖5A)可形成為一防塵蓋500之部分。刀片部分5920可構形為本文所描述之刀片部分之任何者或呈在本文所描述之一連接器中之傳導元件中之選定元件之間提供有損耦合之其他適當配置。防塵蓋500具有沿Z方向延伸超過狹槽330之一橫向範圍之一蓋部分510，使得蓋部分充當覆蓋狹槽330外部之側壁310、320之頂面之至少一部分(圖4A)之一防塵蓋。一未填充卡緣連接器內之傳導元件可暴露於一電腦系統內之灰塵、塵垢、濕氣或其他環境因素。當稍後用一子卡填充連接器時，一傳導元件之一接觸表面上之表面污染物使傳導元件與子卡上之對應焊墊之間的電接觸電阻降級。藉由使用一防塵蓋來限制或防止一連接器中之組件之環境暴露，可減少或消除此等風險。
如上文所描述，蓋部分510可在一二次注射成型操作中由絕緣材料模制，其中有損材料形成第二次注射。當刀片部分5920具有一背脊或其他絕緣材料區域時，蓋部分510可以相同於該等絕緣區域之操作模製。替代地，蓋部分510可由模製於刀片部分5920上或以其他方式附接至刀片部分592之一密封材料形成，諸如聚矽氧橡膠。
蓋部分510可經成形及構造為現已知或以後開發之一卡緣連接器之任何防塵蓋，使得相同組件可提供防塵保護以及抑制未填充連接器中之無端殘段諧振。
替代地或另外，一有損嵌件之一刀片部分可與可用作為一取放蓋之具有一平坦表面之一蓋整合。圖5B係根據一些實施例之一卡緣連接器之一部分立體圖，其中連接器外殼以虛線展示以揭示具有一蓋部分及一刀片部分之一嵌件。在圖5中，嵌件2900之刀片部分2920完全插入卡緣連接器100之狹槽330中，使得刀片部分2920內之吸收材料可抑制鄰近於吸收材料之傳導元件中之殘段諧振。另外，嵌件2900亦包括安置於狹槽330外部且沿Z方向橫向延伸之蓋部分2930以保護絕緣外殼300之頂面不暴露於環境。
在一些實施例中，複數個卡緣連接器可安裝於一母板上，且嵌件2900之蓋部分2930沿Z方向之一最大寬度T cap可被限制為不大於相鄰卡緣連接器之一中心至中心節距以避免在實體上干擾一嵌件或一子卡在一相鄰卡緣連接器中之插入及提出。
圖6A係透過電磁模型化導出之插入一DDR記憶卡之一連接器之S參數之作圖。在圖6A中，曲線602A展示在9.28 GHz處，傳導元件Diff3與Diff1之間的端子間S參數係–45.30 dB。圖6B係透過電磁模型化導出之用於產生圖6A之作圖之相同連接器之S參數之一作圖，但連接器未填充。如由圖6B中之曲線602B所展示，在9.28 GHz處，相同傳導元件Diff3與Diff1之間的端子間S參數急劇增加至-17.81 dB以表明源自浮動傳導元件之高頻殘段諧振。圖6C係透過電磁模型化導出之用於產生圖6B之作圖之相同連接器之S參數之一作圖，其中一嵌件具有吸收材料以抑制殘段諧振。在此實例中，類似於圖4中所展示之實施例，一傳導塑膠用於使連接器內之一接地傳導元件及一信號傳導元件短路，同時避免與任何電力傳導元件接觸。如由圖6C中之曲線602C所展示，在9.28 GHz處，由於諧振電磁能量在傳導塑膠內消散，因此殘段諧振已降低至-34.05dB。
已描述本發明之至少一個實施例之若干態樣，應瞭解熟習技術者將容易想起各種替代、修改及改良。
例如，描述一種用於經構形以接收一記憶卡之一卡緣連接器之具有吸收材料之組件。本文所描述之技術及組件可用於接收其他種類之卡(諸如處理器卡、共處理器卡、圖形卡、加速器卡等)之卡緣連接器中。再者，具有吸收材料之一組件可插入其他式樣之連接器中。例如，具有吸收材料之一組件可插入一內部I/O連接器或可安裝於一電腦或其他電子裝置中且最初未填充之其他連接器之配合介面中。
如上文所描述，可藉由電容耦合兩個導體之間的一電有損材料來提供橋接。因為不需要提供直接傳導路徑，因此電有損材料亦可能不連續，電有損材料之片段之間具有電絕緣材料。
一些實施例可使用非電傳導之磁有損材料作為吸收材料。在此等實施例中，磁有損材料可與包含電力導體、信號導體及接地導體之一些或所有傳導元件直接實體接觸，而無電力與接地之間的一電短路之風險。
作為另一實例，描述一種具有指定為電力、接地及信號之傳導元件之卡緣連接器。不要求一導體具有全部或僅此等類型之傳導元件。例如，一連接器可僅具有信號及接地導體。替代地，一連接器可具有低速信號導體及高速信號導體。對於此一連接器，吸收材料可耦合至高速信號導體且可視情況耦合至低速信號導體。
作為另一變體之又一實例，吸收材料被描述為藉由將顆粒分散至黏結劑中而形成。不要求吸收材料具有一均勻組成物。替代地或另外，吸收材料可包括一或多個離散組件，諸如由一傳導層(諸如金屬跡線)互連之電阻器。
此外，可使用刀片920內之一吸收材料之任何適合厚度、空間分佈及配置，因為本發明之態樣不受限於吸收材料之一均勻或平面層。例如，吸收材料可為提供於一非有損材料芯之一表面上之一有損材料，且當嵌件900完全插入狹槽330中時，可僅沿靠近傳導元件400之區域圖案化。使用一芯可減少形成刀片920所需之有損材料之量，且提供成本節約。芯可為任何適合材料。例如，基板芯可為用於製造一子卡之一PCB。在其他實例中，基板芯可為用於一卡緣連接器之一防塵蓋中之一材料，且有損材料可(例如)藉由一模製或塗佈程序施加於防塵蓋。
在一些實施例中，有損材料可僅施加於透過一有損路徑耦合至接地之一傳導元件之配合接觸部分附近。然而，有損材料可施加於刀片920上之區域之任何組合。在一些實施例中，塗層之厚度、放置及範圍可根據經驗判定至可選擇有損材料以將殘段諧振降低至一可接受位準之程度。
可以任何適合方式施加有損塗層。例如，可將有損填料併入一塗料、環氧樹脂或其他適合黏結劑中且在期望損塗層之區域中作為一薄膜施加於刀片部分920之表面上。作為另一實例，一有損塗層可形成為一帶或膜且接著施加於刀片部分920之表面9110、9120。
一些實施例包含可充當一吸收材料之一複合電阻結構。複合電阻結構可包含施加於刀片部分920之選擇區域之一金屬塗層。一金屬塗層可包括相對低傳導性之金屬或金屬合金之一薄層，使得該層可具有足夠電阻以在放置為鄰近於一傳導元件時抑制殘段諧振。替代地或另外，一傳導材料可施加於具有足夠電阻以抑制殘段諧振之一充分稀釋之層中。在一些實施例中，一金屬塗層可施加於刀片部分920之一或兩個側表面。作為非限制性實例，金屬塗層可包括不銹鋼、Ti、Ni、Cr、NiCr合金或非常薄之Cu層。在一些其他實例中，一複合電阻結構可包含其他適合電阻材料，諸如(但不限於)一鎳磷塗層。
作為又一變體，一有損本體上之一絕緣層可用於減少耦合至有損本體之一傳導元件之一配合接觸部分之磨損。替代地或另外，一傳導潤滑劑可施加至有損本體之表面及/或有損本體可填充可產生具有較少磨損之一複合材料之材料(諸如石墨)。
此等替代、修改及改量意欲為本發明之部分且意欲在本發明之範疇內。此外，儘管指示本發明之優點，但應瞭解，並非本文所描述之技術之每個實施例均將包含每個描述優點。一些實施例可不實施本文中描述為有利之任何特徵且在一些例項中，可實施所描述之特徵之一或多者以實現進一步實施例。因此，前述描述及圖式僅作為實例。
本發明之各種態樣可單獨使用、組合使用或以在前述中所描述之實施例中未具體討論之多種配置使用且因此其應用不受限於前述描述中所闡述或圖式中所繪示之組件之細節及配置。例如，一個實施例中描述之態樣可以任何方式與其他實施例中所描述之態樣組合。
另外，本發明可體現為一種方法，其中已提供一實例。作為方法之部分執行之動作可以任何適合方式排序。因此，可構造實施例，其中以不同於圖中所繪示之順序之一順序執行動作，其可包含同時執行一些動作，即使在繪示性實施例中展示為循序動作。
在申請專利範圍中使用序數項(諸如「第一」、「第二」、「第三」等)來修改一所主張元件本身不隱含一個所主張元件相對於另一所主張元件之任何優先權、優先性或順序或其中執行一方法之動作之時間順序，但僅用作為標籤以區分具有一特定名稱之一個所主張元件與具有一相同名稱之另一元件(但使用序數項)。
另外，本文所使用之片語及術語僅為了描述之目的而不應視為限制。本文中使用「包含」、「包括」或「具有」、「含有」、「涉及」及其變體意謂涵蓋其後列出之項目及其等效物以及額外項目。
100:卡緣連接器 300:絕緣外殼 310:第一側壁 312:頂面 314:開口 320:第二側壁 330:狹槽 370:鎖定機構 400:傳導元件 420:接觸尾部 420A:有損本體 420B:有損本體 420C:有損本體 420D:有損本體 420D1:部分 420D2:部分 430C:絕緣層 430D:絕緣層 432C:絕緣層 432D:絕緣層 440D:焊墊 450E:背脊 500:防塵蓋 510:蓋部分 602A:曲線 602B:曲線 602C:曲線 800:印刷電路板(PCB) 810:焊墊 900:嵌件 910:吸收材料 920:刀片部分 930:凹口 1920:刀片部分 1920C:刀片部分 1920D:刀片部分 1920E:刀片部分 2900:嵌件 2920:刀片部分 2930:蓋部分 4010:傳導元件 4020:傳導元件 4110:配合接觸部分 4111:傳導元件/接地導體 4113:傳導元件/電力導體 4115:傳導元件/可見信號導體 4120:配合接觸部分 4210:尾部 4220:尾部 5920:刀片部分 9110:第一表面 9110C:表面 9120:第二表面 9120C:表面 9201:區域 9203:區域 9203B:絕緣區域 9203D:區域 9203E:區域 T:厚度 T cap:最大寬度
將參考下圖描述各種態樣及實施例。應瞭解，圖不一定按比例繪製。在圖式中，各種圖中所繪示之各相同或幾乎相同之組件由一相同數字表示。為清晰起見，並非每個組件均會標記於每個圖式中。
圖1係根據一些實施例之具有含吸收材料之一嵌件之一卡緣連接器之一立體圖；
圖2係根據一些實施例之其中嵌件完全插入狹槽中之圖1中之卡緣連接器之一立體圖；
圖3係根據一些實施例之一卡緣連接器之一橫截面圖；
圖4A係根據一些實施例之具有部分切除及安裝之一吸收嵌件之一例示性卡緣連接器之一俯視平面圖；
圖4B至圖4E係根據一些實施例之可插入圖4A之卡緣連接器中之一吸收嵌件之替代實施例之片段之橫截面圖；
圖5A係根據一些實施例之用於具有一吸收刀片部分之一連接器(諸如圖1中之卡緣連接器)之一防塵蓋之立體圖；
圖5B係根據一些實施例之一連接器(諸如圖1中之卡緣連接器)之一部分之立體圖，且具有以虛線展示之外殼及具有插入連接器之配合介面中之一吸收刀片部分之取放蓋；
圖6A係透過電磁模型化導出之插入一DDR記憶卡之一連接器之S參數之作圖；
圖6B係透過用於產生圖6A之相同連接器之S參數之電磁模型化而導出之一作圖，但其中連接器未填充；及
圖6C係透過用於產生圖6B之相同連接器之S參數之電磁模型化而導出之一作圖，其中一嵌件具有吸收材料以抑制殘段諧振。
100:卡緣連接器1
300:絕緣外殼
310:第一側壁
320:第二側壁
330:狹槽
370:鎖定機構
400:傳導元件
420:接觸尾部
800:印刷電路板(PCB)
900:嵌件
910:吸收材料
920:刀片部分
930:凹口

Claims (44)

  1. 一種用於插入包括一配合介面之一未填充電連接器之組件，該組件包括： 一刀片部分，其經構形用於插入該配合介面中，該刀片部分包括一有損本體。
  2. 如請求項1之組件，其中該有損本體包括一黏結劑及安置於該黏結劑內之肥粒鐵填料。
  3. 如請求項1之組件，其中該有損本體包括一黏結劑及安置於該黏結劑內之傳導填料。
  4. 如請求項3之組件，其中該有損本體具有在1 GHz之一頻率下量測之介於50西門子/米與1,000西門子/米之間的體電導率。
  5. 如請求項2至4中任一項之組件，其中該黏結劑包括一熱塑性材料。
  6. 如請求項2至5中任一項之組件，其中該黏結劑係尼龍。
  7. 如請求項1之組件，其中該組件進一步包括機械地耦合至該刀片部分之一蓋。
  8. 如前述請求項中任一項之組件，其中該組件係一防塵蓋。
  9. 如請求項1至7中任一項之組件，其中該組件係一取放蓋。
  10. 如前述請求項中任一項之組件，其中該刀片部分包括相對邊緣及經構形以接收該電連接器之一接合特徵之該等邊緣之各者中之至少一個凹口。
  11. 如前述請求項中任一項之組件，其中該刀片部分具有根據一DDR5規範之實體尺寸。
  12. 如前述請求項中任一項之組件，其中該有損本體包括經構形以與該電連接器之電力傳導元件對準之複數個絕緣凹槽。
  13. 一種電連接器，其包括： 一絕緣外殼； 複數個傳導元件，其安置於該絕緣外殼中；及 一嵌件，其具有安置成鄰近於該複數個傳導元件之至少一個傳導元件之至少一部分，該部分包括一吸收材料。
  14. 如請求項13之電連接器，其中 該嵌件可移除。
  15. 如請求項13之電連接器，其中 該吸收材料包括一電有損材料。
  16. 如請求項15之電連接器，其中 該吸收材料包括一磁有損材料。
  17. 如請求項13之電連接器，其中 該部分鄰近於該複數個傳導元件之至少兩個傳導元件，且 該吸收材料經構形以電橋接該至少兩個傳導元件。
  18. 如請求項17之電連接器，其中 該至少兩個傳導元件包括一接地導體。
  19. 如請求項18之電連接器，其中 該至少兩個傳導元件包括一信號導體。
  20. 如請求項19之電連接器，其中 該吸收材料與該接地導體直接實體接觸。
  21. 如請求項20之電連接器，其中 該吸收材料與該信號導體直接實體接觸。
  22. 如請求項20之電連接器，其中 該吸收材料電容耦合至該信號導體。
  23. 如請求項22之電連接器，其中 該嵌件之該部分包括該吸收材料與該信號導體之間的一絕緣層。
  24. 如請求項20之電連接器，其中 該吸收材料不與該複數個傳導元件之一電力導體直接實體接觸。
  25. 如請求項14之電連接器，其中 該電連接器係經構形以與一子卡配合之一卡緣連接器，該絕緣外殼包括經構形以接收該子卡之一狹槽，且 該嵌件之該部分安置於該狹槽中。
  26. 如請求項25之電連接器，其中 該嵌件進一步包括覆蓋該狹槽外部之該絕緣外殼之至少一表面之一蓋。
  27. 如請求項25之電連接器，其中 該子卡係一記憶卡。
  28. 一種包括如請求項25之卡緣連接器之電腦系統，其中 該卡緣連接器係一第一卡緣連接器，且該電腦系統進一步包括與一記憶卡配合之一第二卡緣連接器。
  29. 一種經構形以插入一卡緣連接器之一狹槽中之可移除嵌件，該卡緣連接器包括複數個傳導元件，該可移除嵌件包括： 至少一部分，其經構形以安置於該狹槽中且鄰近於該複數個傳導元件之至少一個傳導元件，該部分包括一吸收材料。
  30. 如請求項29之可移除嵌件，其中 該可移除嵌件包括一防塵蓋。
  31. 如請求項29之可移除嵌件，其中 該吸收材料包括一電有損材料。
  32. 如請求項31之可移除嵌件，其中 該吸收材料包括一磁有損材料。
  33. 如請求項29之可移除嵌件，其中 該部分經構形以鄰近於該複數個傳導元件之至少兩個傳導元件，且 該吸收材料經構形以電橋接該至少兩個傳導元件。
  34. 如請求項33之可移除嵌件，其中 該吸收材料經構形以與該卡緣連接器中之一接地導體直接實體接觸。
  35. 如請求項34之可移除嵌件，其中 該吸收材料經構形以與該卡緣連接器中之一信號導體直接實體接觸。
  36. 如請求項35之可移除嵌件，其中 該吸收材料經構形以與該卡緣連接器中之一信號導體電容耦合。
  37. 如請求項36之可移除嵌件，其中 該嵌件之該部分包括安置於該吸收材料上且經構形以使該吸收材料與該信號導體分離之一絕緣層。
  38. 如請求項29之可移除嵌件，其中 該卡緣連接器經構形以在移除該嵌件之後與一記憶卡配合。
  39. 一種電腦系統，其包括： 一記憶體匯流排； 複數個卡緣連接器，該複數個卡緣連接器之各者耦合至該記憶體匯流排且包括一各自配合介面； 一記憶卡；及 一吸收刀片， 其中： 該複數個卡緣連接器包括一第一卡緣連接器及一第二卡緣連接器； 該記憶卡插入該第一卡緣連接器之該配合介面中；且 該吸收刀片插入該第二卡緣連接器之該配合介面中。
  40. 如請求項39之電腦系統，其中： 該記憶體匯流排包括複數個信號導體； 該電腦系統包括至少一個電力導體及至少一個接地導體； 該複數個卡緣連接器之各者包括： 複數個信號傳導元件，該複數個信號傳導元件之各者焊接至該複數個信號導體之一各自信號導體； 複數個電力傳導元件，該複數個電力傳導元件之各者焊接至該至少一個電力導體之一各自電力導體； 複數個接地傳導元件，該複數個接地傳導元件之各者焊接至該至少一個接地導體之一各自接地導體；且 該第二卡緣連接器之該複數個接地傳導元件電耦合至該吸收刀片。
  41. 如請求項40之電腦系統，其中： 該吸收刀片包括一有損本體且該第二卡緣連接器之該複數個接地傳導元件經由一歐姆連接電耦合至該吸收刀片。
  42. 如請求項40或41之電腦系統，其中： 該吸收刀片包括一有損本體且該第二卡緣連接器之該複數個信號傳導元件電耦合至該吸收刀片。
  43. 如請求項42之電腦系統，其中： 該第二卡緣連接器之該複數個信號傳導元件經由一電容耦合件電耦合至該有損本體且具有如在1 GHz之一頻率下量測之0.01微微法拉至1.00微微法拉之間之電容的一電容。
  44. 如請求項40至43中任一項之電腦系統，其中： 該吸收刀片包括一有損本體且該第二卡緣連接器之該複數個電力傳導元件藉由大於1 MOhm之一DC電阻與該有損本體電隔離。
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