TW202338130A - 用於低壓化學氣相沉積的治具 - Google Patents
用於低壓化學氣相沉積的治具 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202338130A TW202338130A TW111111643A TW111111643A TW202338130A TW 202338130 A TW202338130 A TW 202338130A TW 111111643 A TW111111643 A TW 111111643A TW 111111643 A TW111111643 A TW 111111643A TW 202338130 A TW202338130 A TW 202338130A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- transverse brackets
- main bracket
- center
- vapor deposition
- chemical vapor
- Prior art date
Links
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Abstract
一種用於低壓化學氣相沉積的治具，包含：一主支架，其係沿一第一方向延伸；複數個橫向支架，其係偏離該主支架之中心設置，其中，該等橫向支架之中心係與該主支架連接，且該等橫向支架係沿一實質上垂直於該第一方向的第二方向延伸；以及複數個柱狀體，其係自該主支架之中心以及該等橫向支架的末端沿一實質上垂直於該第一方向及該第二方向的第三方向延伸，且該等柱狀體具有實質上相同的長度。
Description
本申請係關於一種用於低壓化學氣相沉積的治具，具體而言，係關於一種包含主支架、複數個橫向支架以及複數個柱狀體之用於低壓化學氣相沉積的治具。
化學氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)可於基材表面上形成由特定材料所組成之薄膜，具有相當廣泛的應用價值。
其中低壓化學氣相沉積(Low-pressure CVD, LPCVD)需在一低壓的腔室中進行，因此，若所欲加工的物件係一長型、片狀的基材(例如：銅箔)，將無法實現卷對卷製程(roll-to-roll processing)，而僅能批次地進行加工，不利於大量生產。
有鑑於低壓化學氣相沉積僅能批次地加工一長型、片狀的基材，本發明係提供一種用於低壓化學氣相沉積的治具，藉此提升批次加工長型、片狀的基材的效率與品質。
為達上述目的及其他目的，本發明係提供一種用於低壓化學氣相沉積的治具，包含：
一主支架，其係沿一第一方向延伸；
複數個橫向支架，其係偏離該主支架之中心設置，其中，該等橫向支架之中心係與該主支架連接，且該等橫向支架係沿一實質上垂直於該第一方向的第二方向延伸，其中，至少一對橫向支架係分別位於該主支架之中心的2側，且該對橫向支架中的2個橫向支架具有實質上相同的長度，且與該主支架之中心具有實質上相同的距離；以及
複數個柱狀體，其係自該主支架之中心以及該等橫向支架的末端沿一實質上垂直於該第一方向及該第二方向的第三方向延伸，且該等柱狀體具有實質上相同的長度。
上述之治具，其中可包含4個橫向支架以及9個柱狀體，且越遠離該主支架之中心的橫向支架的長度越長，其中4個橫向支架係由2對分別位於該主支架之中心的2側的橫向支架所組成，每一對橫向支架中的2個橫向支架具有實質上相同的長度且與該主支架之中心具有實質上相同的距離。
上述之治具，其中可包含8個橫向支架以及17個柱狀體，且越遠離該主支架之中心的橫向支架的長度越長，其中8個橫向支架係由4對分別位於該主支架之中心的2側的橫向支架所組成，每一對橫向支架中的2個橫向支架具有實質上相同的長度且與該主支架之中心具有實質上相同的距離。
上述之治具，其中該等柱狀體之表面可具有複數個肋條。
上述之治具，其中每一柱狀體可具有2個肋條。
上述之治具，其中每一柱狀體可具有6個肋條。
本發明之用於低壓化學氣相沉積的治具具有複數個柱狀體，能夠使一長型、片狀的基材彼此間隔地捲繞，且彼此間具有實質上相同的間隔，藉此提升批次加工該基材的效率與品質。
實施例1：
如圖1所示，實施例1之用於低壓化學氣相沉積的治具10，包含：一主支架11，其係沿一第一方向X延伸；8個橫向支架12，其係偏離該主支架11之中心設置，其中，該等橫向支架12之中心係與該主支架11連接，且該等橫向支架12係沿一實質上垂直於該第一方向X的第二方向Y延伸，且越遠離該主支架11之中心的橫向支架12的長度越長，其中，8個橫向支架12係由4對分別位於該主支架之中心的2側的橫向支架12所組成，每一對橫向支架12中的2個橫向支架12具有實質上相同的長度且與該主支架之中心具有實質上相同的距離；以及17個柱狀體13，其係自該主支架11之中心以及該等橫向支架12的末端沿一實質上垂直於該第一方向X及該第二方向Y的第三方向Z延伸，且該等柱狀體13具有實質上相同的長度。
圖2係為實施例1之用於低壓化學氣相沉積的治具10的使用狀態的示意圖，如圖2所示，一銅箔20可從自該主支架11之中心延伸的柱狀體13開始，由內向外逐一繞過自該等橫向支架12的末端延伸的柱狀體13，藉此使該銅箔20彼此間隔地捲繞，且彼此間具有實質上相同的間隔，以利於在低壓化學氣相沉積製程中批量地生產表面沉積特定材料的銅箔，可大幅提升批量生產的效率與品質。應了解，此處之銅箔僅為示例，本發明並不限於此，本發明所屬技術領域中具有通常知識者可視需要將本發明之用於低壓化學氣相沉積的治具應用於其他任何長型、片狀的基材的低壓化學氣相沉積加工製程中。
實施例1中，橫向支架的數量係為8個，柱狀體的數量係為17個，但本發明並不限於此，本發明所屬技術領域中具有通常知識者可依據所欲加工的基材以及所使用之低壓化學氣相沉積設備的尺寸適當地調整橫向支架及柱狀體的數量，舉例來說，橫向支架的數量可為2、3、4、5、6或7個，即橫向支架的數量可為單數或雙數，且對應上述橫向支架的數量，柱狀體的數量可為5、7、9、11、13或15個。
實施例2
實施例2之用於低壓化學氣相沉積的治具與實施例1之差異僅在於實施例2的柱狀體之表面係具有複數個肋條，其餘構件係與實施例1相同，相同之部分於此將不再贅述。
如圖3所示，實施例2之用於低壓化學氣相沉積的治具的每一柱狀體13’之表面係具有2個肋條131。
藉由該等肋條131之設置，可進一步減少欲加工之長型、片狀的基材與該治具的接觸面積，藉此提升加工品質。
實施例2中每一柱狀體係具有2個肋條，但本發明並不限於此，本發明所屬技術領域中具有通常知識者可根據實際需求調整肋條的數量以及配置方式。
實施例3
實施例3之用於低壓化學氣相沉積的治具與實施例2之差異僅在於柱狀體之數量以及配置方式，其餘構件係與實施例2相同，相同之部分於此將不再贅述。
如圖4所示，實施例3之用於低壓化學氣相沉積的治具的每一柱狀體13’’之表面係具有6個肋條131’。
藉由該等肋條131’之設置，可進一步減少欲加工之長型、片狀的基材與該治具的接觸面積，藉此提升加工品質。
實施例2中每一柱狀體係具有6個肋條，但本發明並不限於此，本發明所屬技術領域中具有通常知識者可根據實際需求調整肋條的數量以及配置方式。
綜合上述，本發明之用於低壓化學氣相沉積的治具具有複數個柱狀體，能夠使一長型、片狀的基材彼此間隔地捲繞，且彼此間具有實質上相同的間隔，藉此提升批次加工該基材的效率與品質。
本發明在上文中已以較佳實施例揭露，然熟習本項技術者應理解的是，該實施例僅用於描繪本發明，而不應解讀為限制本發明之範圍。應注意的是，舉凡與該實施例等效之變化與置換，均應設為涵蓋於本發明之範疇內。因此，本發明之保護範圍當以申請專利範圍所界定者為準。
10:用於低壓化學氣相沉積的治具
11:主支架
12:橫向支架
13:柱狀體
13’:柱狀體
13’’:柱狀體
131:肋條
131’:肋條
為了便於描述與清晰，圖式中各層之厚度或尺寸被加以放大、省略或概要的描繪。同時，各元件之尺寸並不完全反映其真實尺寸。
［圖1］ 係為本發明實施例1之用於低壓化學氣相沉積的治具的示意圖；
［圖2］ 係為本發明實施例1之用於低壓化學氣相沉積的治具的使用狀態的示意圖；
［圖3］ 係為本發明實施例2之用於低壓化學氣相沉積的治具的柱狀體的示意圖；以及
［圖4］ 係為本發明實施例3之用於低壓化學氣相沉積的治具的柱狀體的示意圖。
10:用於低壓化學氣相沉積的治具
11:主支架
12:橫向支架
13:柱狀體
Claims (6)
- 一種用於低壓化學氣相沉積的治具，包含： 一主支架，其係沿一第一方向延伸； 複數個橫向支架，其係偏離該主支架之中心設置，其中，該等橫向支架之中心係與該主支架連接，且該等橫向支架係沿一實質上垂直於該第一方向的第二方向延伸，其中，至少一對橫向支架係分別位於該主支架之中心的2側，且該對橫向支架中的2個橫向支架具有實質上相同的長度，且與該主支架之中心具有實質上相同的距離；以及 複數個柱狀體，其係自該主支架之中心以及該等橫向支架的末端沿一實質上垂直於該第一方向及該第二方向的第三方向延伸，且該等柱狀體具有實質上相同的長度。
- 如請求項1所述之治具，其中係包含4個橫向支架以及9個柱狀體，且越遠離該主支架之中心的橫向支架的長度越長，其中4個橫向支架係由2對分別位於該主支架之中心的2側的橫向支架所組成，每一對橫向支架中的2個橫向支架具有實質上相同的長度且與該主支架之中心具有實質上相同的距離。
- 如請求項1所述之治具，其中係包含8個橫向支架以及17個柱狀體，且越遠離該主支架之中心的橫向支架的長度越長，其中8個橫向支架係由4對分別位於該主支架之中心的2側的橫向支架所組成，每一對橫向支架中的2個橫向支架具有實質上相同的長度且與該主支架之中心具有實質上相同的距離。
- 如請求項1所述之治具，其中該等柱狀體之表面係具有複數個肋條。
- 如請求項4所述之治具，其中每一柱狀體係具有2個肋條。
- 如請求項4所述之治具，其中每一柱狀體係具有6個肋條。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW111111643A TWI796982B (zh) | 2022-03-28 | 2022-03-28 | 用於低壓化學氣相沉積的治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW111111643A TWI796982B (zh) | 2022-03-28 | 2022-03-28 | 用於低壓化學氣相沉積的治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI796982B TWI796982B (zh) | 2023-03-21 |
| TW202338130A true TW202338130A (zh) | 2023-10-01 |
Family
ID=86692508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111111643A TWI796982B (zh) | 2022-03-28 | 2022-03-28 | 用於低壓化學氣相沉積的治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI796982B (zh) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3475752B2 (ja) * | 1997-11-06 | 2003-12-08 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 薄膜製造装置 |
| CN204251706U (zh) * | 2014-11-05 | 2015-04-08 | 厦门大学 | 一种附加振动低压化学气相沉积装置 |
| CN110745612B (zh) * | 2018-07-24 | 2021-05-14 | 鸿翌科技有限公司 | 卷绕系统 |
| CN112048707B (zh) * | 2020-04-22 | 2022-08-12 | 北京航天控制仪器研究所 | 一种薄膜图形化夹具工装及其应用方法 |
-
2022
- 2022-03-28 TW TW111111643A patent/TWI796982B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI796982B (zh) | 2023-03-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI376763B (en) | Asymmetric grounding of rectangular susceptor | |
| JP5642740B2 (ja) | 真空処理設備 | |
| JP2006196681A (ja) | プラズマ処理装置および同装置により製造された半導体素子 | |
| US20170114462A1 (en) | High productivity pecvd tool for wafer processing of semiconductor manufacturing | |
| JP2013168690A (ja) | プラズマ処理装置およびフォーカスリングとフォーカスリング部品 | |
| TW202338130A (zh) | 用於低壓化學氣相沉積的治具 | |
| JP5313375B2 (ja) | プラズマ処理装置およびフォーカスリングとフォーカスリング部品 | |
| WO2019008889A1 (ja) | 半導体基板加熱用の基板載置台 | |
| US20150044424A1 (en) | Bottom electrode and manufacturing method thereof | |
| JP2021150329A (ja) | 基板支持プレート及び半導体製造装置 | |
| KR102224586B1 (ko) | 처리 챔버들을 위한 코팅 재료 | |
| TWI576452B (zh) | 用於濺鍍之分離式標靶裝置及使用其之濺鍍方法 | |
| TW201622062A (zh) | 藉由射頻耦合的薄膜應力均勻性控制以及具有調適射頻耦合的晶圓安裝 | |
| CN103500695A (zh) | 干刻蚀下部电极及干刻蚀装置 | |
| JP6348321B2 (ja) | エッチング装置 | |
| KR101605704B1 (ko) | 대면적 바이폴라 정전척의 제조방법 및 이에 의해 제조된 대면적 바이폴라 정전척 | |
| WO2023184007A1 (en) | Jig for use in lpcvd | |
| JPS6067668A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP3006029B2 (ja) | 真空成膜装置 | |
| JPH11158642A (ja) | プラズマｃｖｄ装置及びそれを用いた多層薄膜形成装置 | |
| JP3912868B2 (ja) | プラズマ化学蒸着装置 | |
| JP6673894B2 (ja) | 基板ホルダ及び成膜装置 | |
| CN110904415B (zh) | 一种防松动的Ta环及其设计方法 | |
| US20090092754A1 (en) | Film formation method, mask for film formation and film formation device | |
| JPS6039822A (ja) | 薄膜形成装置 |