TW202334928A - 顯示面板與其製作方法 - Google Patents

顯示面板與其製作方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202334928A
TW202334928A TW111124607A TW111124607A TW202334928A TW 202334928 A TW202334928 A TW 202334928A TW 111124607 A TW111124607 A TW 111124607A TW 111124607 A TW111124607 A TW 111124607A TW 202334928 A TW202334928 A TW 202334928A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
layer
transparent conductive
conductive layer
display panel
Prior art date
Application number
TW111124607A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI843136B (zh
Inventor
林彬成
簡伯儒
廖啟昇
廖達文
Original Assignee
友達光電股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 友達光電股份有限公司 filed Critical 友達光電股份有限公司
Priority to CN202211397959.4A priority Critical patent/CN115548007A/zh
Priority to US18/161,383 priority patent/US20230275117A1/en
Publication of TW202334928A publication Critical patent/TW202334928A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI843136B publication Critical patent/TWI843136B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

一種顯示面板，包括具有相對的正面以及背面的基板、設置在基板的正面的發光二極體陣列、設置在基板的正面且與發光二極體陣列連接的驅動線路、設置在基板的背面的連接線與透明導電層。連接線與基板的側表面之間相隔一距離，以定義切割區。透明導電層由切割區延伸並至少部分覆蓋連接線。顯示面板更包含第一鈍化層與導體層，第一鈍化層設置於透明導電層以及連接線上，其中第一鈍化層的側表面、透明導電層的側表面與基板的側表面是切齊的。導體層的一端穿過第一鈍化層連接透明導電層，導體層的另一端與驅動線路連接。

Description

顯示面板與其製作方法
本發明是關於一種顯示面板與其製作方法。
隨著顯示技術不斷的提升，窄邊框甚至是無邊框的顯示器需求越來越多，冀能透過縮減邊框所佔的空間，來滿足更大的顯示面積的需求。然而，隨著顯示器的發展趨勢為輕薄化、窄邊框的取向，顯示面板中的線路的線寬或是佈線密度也逐漸面臨挑戰。因此，如何在滿足顯示器輕薄化的設計需求的同時，維持顯示器的生產良率，便成為一個重要的課題。
根據本發明的一實施方式，提供了一種顯示面板，包括具有相對的正面以及背面的基板、設置在基板的正面的發光二極體陣列、設置在基板的正面且與發光二極體陣列連接的驅動線路、設置在基板的背面的連接線與透明導電層。連接線與基板的側表面之間相隔一距離，以定義切割區。透明導電層由切割區延伸並至少部分覆蓋連接線。顯示面板更包含第一鈍化層與導體層，第一鈍化層設置於透明導電層以及連接線上，其中第一鈍化層的側表面、透明導電層的側表面與基板的側表面是切齊的。導體層的一端穿過第一鈍化層連接透明導電層，導體層的另一端與驅動線路連接。
在一些實施例中，連接線具有鄰接切割區的第一區塊、第三區塊，以及位於第一區塊與第三區塊之間的第二區塊，透明導電層覆蓋第一區塊與第二區塊，第一鈍化層設置於第一區塊與第三區塊上。
在一些實施例中，顯示面板更包含驅動電路板以及導電材料，導電材料連接位於第二區塊上的透明導電層以及驅動電路板。
在一些實施例中，顯示面板更包含第二鈍化層與保護層，第二鈍化層設置在位於第一區塊與第三區塊上的第一鈍化層上。保護層設置在第二鈍化層上以及設置在位於切割區的第一鈍化層上。
在一些實施例中，第一鈍化層直接接觸連接線的第三區塊。
在一些實施例中，透明導電層介於第一鈍化層與連接線的第三區塊之間。
根據本發明的另一實施方式，提供了一種顯示面板，包括具有相對的正面以及背面的基板、設置在基板的正面的發光二極體陣列、設置在基板的正面且與發光二極體陣列連接的驅動線路、設置在基板的背面的連接線與透明導電層。連接線與基板的側表面之間相隔一距離，以定義切割區。透明導電層的側表面與基板的側表面是切齊的。顯示面板更包含第一鈍化層以及導體層，第一鈍化層覆蓋位於連接線上的透明導電層且未延伸至切割區。導體層的一端連接透明導電層，導體層的另一端與驅動線路連接。
在一些實施例中，連接線具有鄰接切割區的第一區塊、第三區塊，以及位於第一區塊與第三區塊之間的第二區塊，透明導電層覆蓋第一區塊與第二區塊，第一鈍化層設置於第一區塊與第三區塊上。
在一些實施例中，顯示面板更包含驅動電路板與導電材料。導電材料連接位於第二區塊上的透明導電層以及驅動電路板。
在一些實施例中，顯示面板更包含修補金屬，修補金屬嵌入連接線且被第一鈍化層所覆蓋。
在一些實施例中，顯示面板更包含修補金屬，修補金屬嵌入連接線以及透明導電層且被第一鈍化層所覆蓋。
在一些實施例中，顯示面板更包含設置於連接線與基板之間的透明絕緣層。
在一些實施例中，其中在切割區，透明導電層接觸透明絕緣層。
在一些實施例中，其中在切割區，透明導電層接觸基板。
本發明的又一實施方式為一種顯示面板的製作方法，包含在基板的正面上形成相連的發光二極體陣列以及驅動線路；翻轉基板，並在基板的背面上形成圖案化金屬層，圖案化金屬層包含彼此間隔開的連接線以及測試墊，以在連接線與測試墊之間定義切割區；在基板的背面上形成透明導電層，透明導電層連接測試墊與連接線；使用探針接觸測試墊上的透明導電層，以進行電性測試；以及在完成電性測試之後，沿著切割區切割基板，以得到顯示面板。
在一些實施例中，在沿著切割區切割基板之後，基板的側表面與透明導電層的側表面是切齊的。
在一些實施例中，在完成電性測試之後，在透明導電層上形成第一鈍化層，接著再沿著切割區切割基板，其中在沿著切割區切割基板之後，基板的側表面、透明導電層的側表面與第一鈍化層的側表面是切齊的。
在一些實施例中，若是在電性測試時發現連接線的缺陷，則在形成第一鈍化層之前修補缺陷。
在一些實施例中，顯示面板的製作方法更包含在第一鈍化層上形成第二鈍化層；在第二鈍化層上形成保護層；在第一鈍化層、第二鈍化層與保護層中形成開口，以露出透明導電層；在開口中填入導電材料；以及連接驅動電路板至導電材料。
在一些實施例中，顯示面板的製作方法更包含在沿著切割區切割基板之後，形成導體層連接位於基板之背面的透明導電層以及基板之正面的驅動線路。
本發明之一些實施方式所提供的顯示面板與其製作方法，可在完成金屬層以及透明導電層的圖案化之後，隨即進行金屬層以及透明導電層的電性測試，並在發現缺陷之後緊接著進行修補。由於此時金屬層以及透明導電層上方尚未覆蓋其他的材料層，因此可以輕易地觀測到缺陷所在並在缺陷中填入修補金屬。而在切割區的位置免於設置金屬層可藉此減少切割區的厚度。
以下將以圖式及詳細說明清楚說明本發明之精神，任何所屬技術領域中具有通常知識者在瞭解本發明之較佳實施例後，當可由本發明所教示之技術，加以改變及修飾，其並不脫離本發明之精神與範圍。
參照第1圖與第2圖，其分別為本發明之顯示面板之一實施例於不同製造階段的背視圖，其中背視圖是相對於做為顯示面的正視圖而言。於第1圖中，母板10包含有多個顯示面板100，每個顯示面板100是由母板10的切割線CL所定義。顯示面板100包含有設置在其背面的連接線110以及與連接線110相連的多個測試墊120，其中測試墊120可以設置在顯示面板100的內側，如測試墊120a，或者，測試墊120可以設置在顯示面板100的外側並位於切割線CL之間，如測試墊120b。
在一些實施例中，使用測試墊120所進行的電性測試是在沿著切割線CL切割出顯示面板100之前完成，而經過切割之後，如第2圖所示，設置在顯示面板100內側的測試墊120a會被保留下來，而設置在顯示面板100外側的測試墊120b則是會被切除。而後，再將配置有驅動晶片132的驅動電路板130與連接線110接合，以及將在顯示面板100背面的連接線110與顯示面板100正面線路透過導體層140連接，便可以大致上完成顯示面板100的製作。
而隨著顯示器的發展趨勢為輕薄化、窄邊框的取向，顯示面板100中的線路的線寬或是佈線密度也面臨更多的挑戰。透過在切割母板10之前就對顯示面板100進行電性測試，可以預先發現連接線110中是否存在有缺陷，並先對有缺陷的連接線110進行修補，而後待修補完成之後再一次進行電性測試，在確認通過電性測試之後，接著進行後續的組裝製程。由於顯示面板100在製作時實際上會是由多層導體層與多層介電層所堆疊而成，因此，若是能夠在製程的前期便能發現缺陷所在，則修補的工序也會相對的較為簡單。
參照第3圖至第12圖，其中第3、4、6、7、8、9、11、12圖分別為本發明之顯示面板一實施例於不同製造階段的剖面圖，其剖面位置為沿著第1圖中線段A-A，第5圖為第4圖的上視圖，而第10圖為第9圖中之連接線的上視圖。
首先，如第3圖所示，在基板200的正面FS上完成正面製程，如在基板200的正面FS上製作微型發光二極體(micro LED，µLED)陣列210，包含形成多個金屬層、半導體層、鈍化層、隔離層的堆疊與孔洞結構，以及在基板200的正面FS上製作與微型發光二極體陣列210電性連接的驅動線路212。
接著，如第4圖所示，翻轉基板200，在基板200的背面BS上接著製作背面的驅動線路以及相關的測試線路。首先，先在基板200的背面BS上製作圖案化的金屬層220。圖案化的金屬層220的製作工序可包含在基板200的背面BS上整面地沉積金屬材料，而後再使用蝕刻工序將不需要的金屬材料移除，以定義出所欲的圖案化的金屬層220。在一些實施例中，金屬層220的材料可以為包含銅、鋁、銀或是其合金的無機材料。為了減少金屬層220在後續製程中長時間地裸露在外界環境中被氧化的問題，在圖案化的金屬層220上可接著製作圖案化的透明導電層230，以保護其下方的金屬層220免於受到環境水氧的侵害。透明導電層230的材料包含高透光性的導電材料，如氧化銦(In 2O 3)、氧化錫(SnO 2)、氧化銦錫(ITO), 氧化鋅(ZnO)，或是其他類似的材料等。
同時參照第4圖與第5圖，圖案化的金屬層220包含有連接線222以及測試墊224，其中測試墊224為塊狀的結構，連接線222為線形結構，且測試墊224未與連接線222直接連接在一起。連接線222與測試墊224之間的區域被定義為切割區AR。
在一些實施例中，測試墊224為設置為自基板200之正面FS的微型發光二極體陣列210橫向延伸且未與微型發光二極體陣列210重疊。測試墊224與連接線222之間為透過透明導電層230所電性連接。換言之，透明導電層230的第一部分232設置在測試墊224上，透明導電層230的第二部分234設置在連接線222上，而透明導電層230的第三部分236則是設置在基板200的背面BS的切割區AR上並連接透明導電層230的第一部分232以及第二部分234。
在一些實施例中，透明導電層230可以完全覆蓋連接線222。在一些實施例中，連接線222可以具有局部加寬的區段，如區段222a，此局部加寬的區段222a有利於後續與其他的元件進行連接。
接著，如第6圖所示，在製作完圖案化的金屬層220以及透明導電層230之後，隨即進行電性測試。電性測試包含使用探針P接觸測試墊224所在處的透明導電層230，用以檢測與該測試墊224電性連接的連接線222的阻值是否出現異常，若是所測得的阻值異常，則表示與該組測試墊224所電性連接的連接線222可能在之前圖案化的過程中出現斷線的可能性。
舉例而言，在此實施例中，便出現了連接線222在電性測試時發現了缺陷240，例如連接線222存在有斷線類型的缺陷240，連帶著該連接線222上的透明導電層230也有出現缺陷240的情況。
接著，參照第7圖，針對缺陷240(見第6圖)進行修補。舉例而言，可以在缺陷240的位置填入修補金屬250，以修補金屬250把斷線的連接線222及/或透明導電層230連接起來。在一些實施例中，可以用鎢作為修補金屬250的材料，利用雷射修補的技術將鎢填入缺陷240的位置，令修補金屬250嵌入連接線222及/或透明導電層230中。
由於在修補缺陷240的時候，連接線222以及透明導電層230上尚未覆蓋其他的材料層，故缺陷240的所在可以較直接地被觀測到，並且在修補缺陷240時也不需要挖開在其上方的額外的材料層才能讓缺陷240顯露出來。因此，有助於提升修補的效率以及品質。
待修補金屬250嵌入連接線222及透明導電層230中之後，如第8圖所示，在連接線222及透明導電層230上方繼續製作第一鈍化層260、第二鈍化層270以及保護層280。第一鈍化層260、第二鈍化層270以及保護層280的材料可包含聚合物，諸如聚醯亞胺或類似者，或者，第一鈍化層260、第二鈍化層270以及保護層280的材料可包含無機介電材料，諸如氧化矽、氮化矽、碳化矽、氮氧化矽或類似者。第一鈍化層260、第二鈍化層270以及保護層280可藉由例如CVD、PVD、ALD等方式來沈積。第二鈍化層270的厚度可大於第一鈍化層260的厚度。
在一些實施例中，第一鈍化層260、第二鈍化層270以及保護層280可進一步被圖案化，以形成第一開口O1以及第二開口O2於其中。第一開口O1以及第二開口O2分別貫穿第一鈍化層260、第二鈍化層270以及保護層280，以在第一開口O1以及第二開口O2處分別露出一部分的透明導電層230。
在一些實施例中，測試墊224、切割區AR以及鄰接於測試墊224與第一開口O1之間的該部分的連接線222的上方僅分布有第一鈍化層260以及保護層280，而不具有第二鈍化層270，以縮減該處的整體厚度。
接著，如第9圖與第10圖所示，沿著切割線CL對基板200進行裁切，而切割線CL以外的部分將被切除。在一些實施例中，切割線CL所切過的位置為通過測試墊224與連接線222之間的區域，而不經過金屬層220。換言之，在測試墊224與連接線222之間被透明導電層230所分隔的區域作為預留的切割區AR，切割線CL為切過此預留的切割區AR。
由於切割線CL所切過的位置不會經過金屬層220，因此當切割工序完成之後，鄰近於板邊的金屬層220仍被透明導電層230所保護而免於直接裸露在環境中而被氧化的問題。又因為切割線CL所經過的切割區AR相較於其他的地方具有較薄的厚度，因此可以降低裁切的難度。
如第11圖所示，待進行完切割工序之後，使用導體層290將基板200之正面FS的驅動線路212與對應的基板200之背面BS的連接線222連接起來，實現基板200之正面FS與基板200之背面BS的訊號導通。在一些實施例中，導體層290可以透過點焊、印刷或是電鍍等方式製作在基板200上。在一些實施例中，對應的導體層290的材料可以為焊錫、銀膠，或是金屬。
更進一步地說，導體層290連續地分布在基板200的正面FS、背面BS以及側表面SS。於基板200之正面FS，導體層290的一端直接耦接在驅動線路212上。於基板200之背面BS，導體層290覆蓋位在殘留的切割區AR’的透明導電層230、第一鈍化層260以及保護層280上，並且導體層290的一端穿過第一鈍化層260以及保護層280、填入第一開口O1(見第9圖)以與第一開口O1中的透明導電層230直接耦接，而此處之透明導電層230又直接覆蓋連接線222。如此一來，導體層290便可以電性連接基板200之正面FS的驅動線路212與基板200之背面BS的連接線222。
最後，如第12圖所示，在第二開口O2(見第11圖)中填入導電材料310，如異方性導電膠，並將驅動電路板320與導電材料310連接，便完成顯示面板300的製作。而驅動電路板320所產生之訊號可以藉由導電材料310傳送至透明導電層230以及連接線222，再進一步由導體層290傳送至驅動線路212進而控制微型發光二極體陣列210。
上述實施例所揭露的顯示面板的製作方法，是在完成金屬層220以及透明導電層230的圖案化之後，隨即進行金屬層220以及透明導電層230的電性測試，並在發現缺陷之後緊接著進行修補。由於此時金屬層220以及透明導電層230上方尚未覆蓋其他的材料層，因此可以輕易地觀測到缺陷240所在並在缺陷240中填入修補金屬250。而在切割區AR’的位置免於設置金屬層220可藉此減少切割區AR’的厚度，透明導電層230可以直接設置在基板200的背面BS的切割區AR’，並且延伸至連接線222上表面，並且透明導電層230介於金屬層220以及第一鈍化層260之間。在一些實施例中，透明導電層230的側表面、第一鈍化層260的側表面、保護層280的側表面，以及基板200的側表面SS是切齊並且共平面的。
接著請參照第13圖，其為本發明之顯示面板另一實施例的剖面圖。在一些實施例中，顯示面板400包含有基板410、設置在基板410之正面FS的微型發光二極體陣列412以及驅動線路414，設置在基板410之背面BS的連接線422以及透明導電層430。連接線422與基板410的邊緣之間相隔有一距離，此段連接線422與基板的邊緣之間的部分即為殘留的切割區AR’。
透明導電層430之第一部分432為設置在基板410之背面BS的切割區AR’上，透明導電層430之第二部分434則是由第一部分432向連接線422延伸，並且部分覆蓋連接線422。顯示面板400更包含有第一鈍化層460、在第一鈍化層460上之第二鈍化層470以及在第二鈍化層470上之保護層480，第一鈍化層460、第二鈍化層470以及保護層480部分地覆蓋於連接線422上，以露出一部分的透明導電層430。
舉例而言，連接線422包含有第一區塊4221、第二區塊4222以及第三區塊4223，其中第一區塊4221為鄰近切割區AR’，第二區塊4222位在第一區塊4221以及第三區塊4223之間。透明導電層430的第一部分432設置在切割區AR’上，透明導電層430的第二部分434設置在第一區塊4221以及第二區塊4222上，而未設置在第三區塊4223上。第一鈍化層460設置在切割區AR’、第一區塊4221以及第三區塊4223上，而未設置在第二區塊4222上。第二鈍化層470設置在第一區塊4221以及第三區塊4223上，而未設置在切割區AR’以及第二區塊4222上。保護層480則是設置在切割區AR’、第一區塊4221以及第三區塊4223上，而未設置在第二區塊4222上。
在一些實施例中，如第13圖所示，第一鈍化層460可以直接接觸連接線422的第三區塊4223。在其他的一些實施例中，如第12圖所示，透明導電層230可以介於第一鈍化層260以及連接線222的第三區塊之間。
在一些實施例中，透明導電層430的側表面、第一鈍化層460的側表面、保護層480的側表面，以及基板410的側表面SS是切齊並且共平面的。在一些實施例中，顯示面板400可能經過修補，如連接線422在第三區塊4223的位置出現斷線，則修補金屬450為嵌入連接線422中，並被第一鈍化層460所覆蓋。
顯示面板400更包含導體層490，導體層490為連接基板410之背面BS的透明導電層430以及基板410之正面FS的驅動線路414。更具體地說，導體層490覆蓋切割區AR’，而第一鈍化層460與保護層480在第一區塊4221的位置具有開口以露出透明導電層430，供導體層490經由此開口穿過第一鈍化層460與保護層480進而與透明導電層430耦接。
在連接線422的第二區塊4222處由於未設置第一鈍化層460、第二鈍化層470與保護層480，故顯示面板400的導電材料492，如異方性導電膠，可以耦接至連接線422的第二區塊4222上的透明導電層430，並且導電材料492進一步與驅動電路板494耦接。
請參照第14圖，其為本發明之顯示面板又一實施例的剖面圖。在一些實施例中，顯示面板500包含有基板510、設置在基板510之正面FS的微型發光二極體陣列512以及驅動線路514，設置在基板510之背面BS的連接線522以及透明導電層530。連接線522與基板510的邊緣之間相隔有一距離，此段連接線522與基板510邊緣之間的部分即為殘留的切割區AR’。
透明導電層530之第一部分532為設置在基板510之背面BS的切割區AR’上並與基板510直接接觸，透明導電層530之第二部分534則是由第一部分532向連接線522延伸，並且覆蓋連接線522。顯示面板500更包含有第一鈍化層560、在第一鈍化層560上之第二鈍化層570以及在第二鈍化層570上之保護層580，第一鈍化層560、第二鈍化層570以及保護層580部分地覆蓋於連接線522上，以露出一部分的透明導電層530。顯示面板500的導電材料592可以耦接至露出的透明導電層530，並且導電材料592進一步與驅動電路板594耦接。
顯示面板500的導體層590為連接基板510之背面BS的透明導電層530以及基板510之正面FS的驅動線路514。不同於之前的實施例，本實施例中的第一鈍化層560、第二鈍化層570以及保護層580未延伸進入切割區AR’，除了可以進一步地降低切割區AR’的厚度之外，更可以增加導體層590與透明導電層530之間的耦接面積，提升訊號傳輸的可靠度。
在一些實施例中，透明導電層530的側表面以及基板510的側表面SS是切齊並且共平面的。在一些實施例中，顯示面板500可能經過修補，如連接線522及/或透明導電層530出現斷線，則修補金屬550為嵌入連接線522以及透明導電層530中，並被第一鈍化層560所覆蓋。
請參照第15圖，其為本發明之顯示面板再一實施例的剖面圖。在一些實施例中，顯示面板600包含有基板610、設置在基板610之正面FS的微型發光二極體陣列612以及驅動線路614。基板610之背面BS上可先鋪設有透明絕緣層616，接著連接線622以及透明導電層630為設置在透明絕緣層616上。透明絕緣層616的材料可以為聚合物，諸如聚醯亞胺或類似者。連接線622與基板610的邊緣之間相隔有一距離，此段連接線622與基板610邊緣之間的部分即為殘留的切割區AR’。
透明導電層630之第一部分632為設置在基板610之背面BS的切割區AR’上並與透明絕緣層616直接接觸，透明導電層630之第二部分634則是由第一部分632向連接線622延伸，並且可以完全覆蓋或是部分覆蓋連接線622。顯示面板600更包含有第一鈍化層660、在第一鈍化層660上之第二鈍化層670以及在第二鈍化層670上之保護層680，第一鈍化層660、第二鈍化層670以及保護層680部分地覆蓋於連接線622上，以露出一部分的透明導電層630。第一鈍化層660、第二鈍化層670以及保護層680可以延伸至切割區AR’上或是不設置在切割區AR’上。
顯示面板600的導電材料692可以耦接至露出的透明導電層630，並且導電材料692進一步與驅動電路板694耦接。顯示面板600的導體層690為連接基板610之背面BS的透明導電層630以及基板610之正面FS的驅動線路614。
在一些實施例中，透明導電層630、第一鈍化層660、第二鈍化層670以及保護層680(若有的話)的側表面以及基板610的側表面SS是切齊並且共平面的。在一些實施例中，顯示面板600可能經過修補，如連接線622及/或透明導電層630出現斷線，則修補金屬650為嵌入連接線622以及透明導電層630中，並被第一鈍化層660所覆蓋。
參照第16圖，其為本發明之顯示面板一實施例於一製造階段的剖面圖。基板700的正面FS上製作有對位標記M1，並以對位標記M1為基準依序進行多道工序，以製作微型發光二極體陣列712以及驅動線路714於基板700的正面FS上。待完成基板700之正面FS的微型發光二極體陣列712以及驅動線路714的製作之後，翻轉基板700，並在基板700之背面BS沉積透明絕緣層720。接著，在透明絕緣層720上製作對位標記M2，其中對位標記M2會對準基板700的正面FS上的對位標記M1，於是，便可以使用基板700之背面BS的對位標記M2為基準，接著便可以進行如前述第3圖至第12圖所述的在基板700之背面BS的製程。於另一實施例中，M1可做為M2的對位參考位置，換句話說，M2僅以M1做為對位基準而不需對準。
本發明之一些實施方式所提供的顯示面板與其製作方法，可在完成金屬層以及透明導電層的圖案化之後，隨即進行金屬層以及透明導電層的電性測試，並在發現缺陷之後緊接著進行修補。由於此時金屬層以及透明導電層上方尚未覆蓋其他的材料層，因此可以輕易地觀測到缺陷所在並在缺陷中填入修補金屬。而在切割區的位置免於設置金屬層可藉此減少切割區的厚度。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10:母板 100,300,400,500,600:顯示面板 110,222,422,522,622:連接線 120,120a,120b,224:測試墊 130,320,494,594,694:驅動電路板 132:驅動晶片 140,290,490,590,690:導體層 200,410,510,610,700:基板 210,412,512,612,712:微型發光二極體陣列 212,414,514,614,714:驅動線路 220:金屬層 222a:區段 230,430,530,630:透明導電層 232,432,532,632:第一部分 234.434,534,634:第二部分 236:第三部分 240:缺陷 250,450,550,650:修補金屬 260,460,560,660:第一鈍化層 270,470,570,670:第二鈍化層 280,480,580,680:保護層 310,492,592,692:導電材料 4221:第一區塊 4222:第二區塊 4223:第三區塊 616,720:透明絕緣層 CL:切割線 A-A:線段 FS:正面 BS:背面 SS:側表面 AR,AR’:切割區 P:探針 O1:第一開口 O2:第二開口 M1,M2:對位標記
為讓本發明之目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之詳細說明如下： 第1圖與第2圖分別為本發明之顯示面板之一實施例於不同製造階段的背視圖。 第3、4、6、7、8、9、11、12圖分別為本發明之顯示面板一實施例於不同製造階段的剖面圖。 第5圖為第4圖的上視圖。 第10圖為第9圖中之連接線的上視圖。 第13圖為本發明之顯示面板另一實施例的剖面圖。 第14圖為本發明之顯示面板又一實施例的剖面圖。 第15圖為本發明之顯示面板再一實施例的剖面圖。 第16圖為本發明之顯示面板一實施例於一製造階段的剖面圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
200:基板
220:金屬層
222:連接線
224:測試墊
230:透明導電層
240:缺陷
P:探針

Claims (20)

  1. 一種顯示面板，包括： 一基板，具有相對的一正面以及一背面； 一發光二極體陣列，設置在該基板的該正面； 一驅動線路，設置在該基板的該正面且與該發光二極體陣列連接； 一連接線，設置在該基板的該背面，且該連接線與該基板的一側表面之間相隔一距離，以定義一切割區； 一透明導電層，設置於該基板的該背面，且由該切割區延伸並至少部分覆蓋該連接線； 一第一鈍化層，設置於該透明導電層以及該連接線上，其中該第一鈍化層的一側表面、該透明導電層的一側表面與該基板的該側表面是切齊的；以及 一導體層，該導體層的一端穿過該第一鈍化層連接該透明導電層，該導體層的另一端與該驅動線路連接。
  2. 如請求項1所述之顯示面板，其中該連接線具有鄰接該切割區的一第一區塊、一第三區塊，以及位於該第一區塊與該第三區塊之間的一第二區塊，該透明導電層覆蓋該第一區塊與該第二區塊，該第一鈍化層設置於該第一區塊與該第三區塊上。
  3. 如請求項2所述之顯示面板，更包含： 一驅動電路板；以及 一導電材料，連接位於該第二區塊上的該透明導電層以及該驅動電路板。
  4. 如請求項2所述之顯示面板，更包含： 一第二鈍化層，設置在位於該第一區塊與該第三區塊上的該第一鈍化層上；以及 一保護層，設置在該第二鈍化層上以及設置在位於該切割區的該第一鈍化層上。
  5. 如請求項2所述之顯示面板，其中該第一鈍化層直接接觸該連接線的該第三區塊。
  6. 如請求項2所述之顯示面板，其中該透明導電層介於該第一鈍化層與該連接線的該第三區塊之間。
  7. 一種顯示面板，包括： 一基板，具有相對的一正面以及一背面； 一發光二極體陣列，設置在該基板的該正面； 一驅動線路，設置在該基板的該正面且與該發光二極體陣列連接； 一連接線，設置在該基板的該背面，且該連接線與該基板的一側表面之間相隔一距離，以定義一切割區； 一透明導電層，設置於該基板的該背面，且由該切割區延伸並至少部分覆蓋該連接線，其中該透明導電層的一側表面與該基板的該側表面是切齊的； 一第一鈍化層，覆蓋位於該連接線上的該透明導電層且未延伸至該切割區；以及 一導體層，該導體層的一端連接該透明導電層，該導體層的另一端與該驅動線路連接。
  8. 如請求項7所述之顯示面板，其中該連接線具有鄰接該切割區的一第一區塊、一第三區塊，以及位於該第一區塊與該第三區塊之間的一第二區塊，該透明導電層覆蓋該第一區塊與該第二區塊，該第一鈍化層設置於該第一區塊與該第三區塊上。
  9. 如請求項8所述之顯示面板，更包含： 一驅動電路板；以及 一導電材料，連接位於該第二區塊上的該透明導電層以及該驅動電路板。
  10. 如請求項1或7所述之顯示面板，更包含： 一修補金屬，嵌入該連接線且被該第一鈍化層所覆蓋。
  11. 如請求項1或7所述之顯示面板，更包含： 一修補金屬，嵌入該連接線以及該透明導電層且被該第一鈍化層所覆蓋。
  12. 如請求項1或7所述之顯示面板，更包含： 一透明絕緣層，設置於該連接線與該基板之間。
  13. 如請求項12所述之顯示面板，其中在該切割區，該透明導電層接觸該透明絕緣層。
  14. 如請求項1或7所述之顯示面板，其中在該切割區，該透明導電層接觸該基板。
  15. 一種顯示面板的製作方法，包含： 在一基板的一正面上形成相連的一發光二極體陣列以及一驅動線路； 翻轉該基板，並在該基板的一背面上形成一圖案化金屬層，該圖案化金屬層包含彼此間隔開的一連接線以及一測試墊，以在該連接線與該測試墊之間定義一切割區； 在該基板的該背面上形成一透明導電層，該透明導電層連接該測試墊與該連接線； 使用一探針接觸該測試墊上的該透明導電層，以進行一電性測試；以及 在完成該電性測試之後，沿著該切割區切割該基板，以得到該顯示面板。
  16. 如請求項15所述之顯示面板的製作方法，其中在沿著該切割區切割該基板之後，該基板的一側表面與該透明導電層的一側表面是切齊的。
  17. 如請求項15所述之顯示面板的製作方法，其中在完成該電性測試之後，在該透明導電層上形成一第一鈍化層，接著再沿著該切割區切割該基板，其中在沿著該切割區切割該基板之後，該基板的一側表面、該透明導電層的一側表面與該第一鈍化層的一側表面是切齊的。
  18. 如請求項17所述之顯示面板的製作方法，其中若是在該電性測試時發現該連接線的一缺陷，則在形成該第一鈍化層之前修補該缺陷。
  19. 如請求項17所述之顯示面板的製作方法，更包含： 在該第一鈍化層上形成一第二鈍化層； 在該第二鈍化層上形成一保護層； 在該第一鈍化層、該第二鈍化層與該保護層中形成一開口，以露出該透明導電層； 在該開口中填入一導電材料；以及 連接一驅動電路板至該導電材料。
  20. 如請求項15所述之顯示面板的製作方法，更包含： 在沿著該切割區切割該基板之後，形成一導體層連接位於該基板之該背面的該透明導電層以及該基板之該正面的該驅動線路。
TW111124607A 2022-02-25 2022-06-30 顯示面板與其製作方法 TWI843136B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211397959.4A CN115548007A (zh) 2022-02-25 2022-11-09 显示面板与其制作方法
US18/161,383 US20230275117A1 (en) 2022-02-25 2023-01-30 Display panel and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202263313744P 2022-02-25 2022-02-25
US63/313,744 2022-02-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202334928A true TW202334928A (zh) 2023-09-01
TWI843136B TWI843136B (zh) 2024-05-21

Family

ID=

Also Published As

Publication number Publication date
TW202335327A (zh) 2023-09-01
TWI801284B (zh) 2023-05-01
US20230275100A1 (en) 2023-08-31
TW202334925A (zh) 2023-09-01
TW202335326A (zh) 2023-09-01
TW202334716A (zh) 2023-09-01
TWI818646B (zh) 2023-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11652077B2 (en) Light-emitting display unit and display apparatus
US20190148653A1 (en) Flexible display substrate and method for manufacturing the same, and flexible display device
JP2916326B2 (ja) 半導体装置のパッド構造
US8848127B2 (en) Liquid crystal panel, manufacture method and repair method thereof
CN113096538B (zh) 显示面板及其制作方法
US20210397302A1 (en) Touch display device and fabrication method thereof
TW201917822A (zh) 元件基板
KR101307963B1 (ko) 유기전계 발광소자용 어레이 기판 및 그 제조방법
JP2000012431A (ja) 半導体装置およびその製造方法
WO2021056549A1 (zh) 阵列基板及其制作方法、母板以及显示装置
US20220393087A1 (en) Led display substrate and method for manufacturing the same, display panel
CN114823608A (zh) 阵列基板及显示装置
WO2021147851A1 (zh) 一种显示面板和显示装置
KR102373082B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
CN112885245B (zh) 显示装置及其制造方法
TW202334928A (zh) 顯示面板與其製作方法
WO2023005610A1 (zh) 驱动基板及其制备方法、发光装置
TWI806179B (zh) 陣列基板和顯示裝置
JP2002208610A (ja) 集積回路のためのボンディングパッド及びその製造方法
KR20070010422A (ko) 유기 발광표시장치 및 그 제조방법
US20230275117A1 (en) Display panel and manufacturing method thereof
CN112905050B (zh) 一种显示面板及其制作方法、显示装置
WO2024040567A1 (zh) 驱动基板、发光基板以及显示装置
CN117652026A (zh) 发光基板、显示装置和拼接显示装置
TWI835553B (zh) 電路基板及其製造方法