TW202333372A - 光電裝置 - Google Patents

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旦森 法革賽
迪爾克 貝克爾
阿瓦羅 高梅茲伊格雷西亞
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德商歐斯朗奧托半導體股份有限公司
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Abstract

詳細說明一種光電裝置，包含： 一發射器(1)，其構造成發射電磁輻射(2)且構造成以一輸入電壓(UI)操作， 一接收器(3)，其構造成接收該電磁輻射(2)且構造成提供一輸出電壓(UO)的至少一部分，其中 該發射器(1)及該接收器(3)係彼此側向相鄰地生長。

Description

光電裝置
此處詳細說明一種光電裝置。
無。
待解決的問題係為詳細說明一種可以設計得特別緊湊的光電裝置。
根據至少一個態樣，該光電裝置包含發射器。發射器係構造成發射電磁輻射。例如，發射器可以是產生在紅外線輻射及紫外線輻射之間的波長範圍內的電磁輻射的裝置。尤其，發射器可以構造成在操作期間產生從至少350nm到至多1600nm的波長範圍內的電磁輻射。另外，發射器適於以輸入電壓操作。例如，光電裝置包含彼此並聯地連接的兩個以上的發射器。發射器或多個發射器係構造成以輸入電壓操作。
根據光電裝置的至少一個態樣，該光電裝置包含接收器。
該接收器係構造成接收發射器的電磁輻射且提供光電裝置的輸出電壓的一部分。尤其，接收器係構造成接收在操作期間由發射器發射的電磁輻射且將其至少部分地轉換成電能。尤其，接收器可以調諧到發射器，使得接收器對發射器所產生的電磁輻射具有特別高的吸收。
根據光電裝置的至少一個態樣，該發射器及該接收器系彼此側向相鄰地生長。尤其，該發射器及該接收器係同時地生長。也就是說，在側向方向上，兩個元件係例如並排地配置。側向方向係為例如平行於發射器的活性區及/或接收器的活性區域的主要延伸區域。尤其，發射器及接收器係為半導體裝置，其沿著生長方向外延地生長到共用的生長基板上，該基板作用成發射器及接收器的載體。接著，側向方向係例如垂直於生長方向且生長方向係平行於垂直方向。
生長基板可以存在於裝置中，或者移除生長基板，且例如更換成不同種類的載體。例如，發射器及接收器經由載體彼此實體地連接。例如，發射器及接收器彼此直接實體地接觸且例如藉由共用層或層序列來接合是可行的。
根據光電裝置的至少一個態樣，該光電裝置包含： 一發射器，其構造成發射電磁輻射且構造成以一輸入電壓操作， 一接收器，其構造成接收該電磁輻射且構造成提供一輸出電壓的至少一部分，其中 該發射器及該接收器係彼此側向相鄰地生長。
根據光電裝置的至少一個態樣，該接收器包含至少一個光二極體。該光二極體可以包含具有至少一個活性區域或偵測區域的半導體本體，該至少一個活性區域或偵測區域係構造成吸收在操作期間由發射器產生的電磁輻射且將其轉換成電能。例如，可以以與發射器相同的材料系統形成光二極體。尤其，接收器可以包含可以串聯地連接或並聯地連接在一起的複數個光二極體。
除了別的以外，此處所敘述的光電裝置基於以下考慮。
許多應用，例如聲學、光束轉向技術、例如MEMS、致動器、偵測器、例如雪崩光二極體、單光子雪崩二極體或光電倍增管，需要具有相對低功耗的高壓電源。此種應用可能需要超過50V、100V、500V、1000V、2000V、10000V及更多的電壓，同時在尺寸、重量、成本及功耗方面保持較小的裝置佔用空間。這些特性對於諸如AR/VR眼鏡、可穿戴入耳式耳機及汽車應用的移動裝置是特別重要的。
對於具有較小佔用空間的高壓發電機，另一個待解決的問題係為低電壓及高電壓路徑的連接，它們應該是電氣分離的，以確保裝置在諸如溫度、濕度、灰塵的不斷變化的環境條件下的功能可靠性及長期穩定性。
可以有利地使用此處敘述的光電裝置作為光電壓轉換器。另外，利用此處敘述的光電裝置，將發射器的側邊上的高電壓轉換為接收器的側邊上的低電壓，也是可行的。此外，利用本裝置，將交流電壓轉換為直流電壓且反之亦然，是可行的。最後，本裝置在不改變電壓之情況下將電氣隔離的功率從發射器的側邊傳輸到接收器的側邊，也是可行的。
因此，此處敘述的光電裝置可以形成例如變壓器，該變壓器可以沒有電感元件，尤其是沒有線圈。在一方面，此使得安裝空間與習知變壓器相比特別小，且另一方面，在變壓之期間不產生磁場或僅產生很小的磁場。此也排除來自外部磁場及/或電場的任何影響。因此，光電裝置可以使用於對磁場干擾至關重要或受到高外部磁場影響的區域中。同時，光電裝置中的光功率傳輸係確保與高電壓側及低電壓側的電氣隔離。
此處敘述的裝置的另一個想法係為結合半導體光發射器及接收器，亦即光二極體或光伏電池，以實現從低電壓到高電壓的轉換。為此目的，在裝置的低電壓側上，並聯地連接的一個以上的發射器發射光。發射光的波長可以在350nm及1600nm之間，其依據所使用的半導體材料而定，例如：In(Ga)N、In(Ga)AlP、(Al)GaAs及(In)GaAs。典型的輸入電壓為1V、3V、5V、8V、10V或介於兩者之間。
在高電壓側上，其與低電壓側電氣地隔離，串聯地連接的接收器收集發射的光，接收器係例如在光伏模式下操作的光二極體。依據所使用的材料而定，例如矽、InGaAs、GaAs、InGaN或鈣鈦礦(perovskite)，光二極體產生0.5～3V等級的電壓及依據入射光之強度而定的電流。藉由使用多接面光二極體，可以增加單個光二極體堆疊的輸出。藉由使用使用大量光二極體，所有的光二極體可以在非常小的晶圓級上串聯地連接，這些個別的電壓加起來可以超過10、50、100、500、1000、或10000V的高總電壓。
總的來說，本裝置能夠在特別緊湊的組件中傳輸能量及/或轉換電壓。藉此，光電裝置對諸如溫度波動或電磁場的外部影響不敏感。
作為進一步的優點，由於發射器及接收器係彼此側向相鄰地生長的事實，在裝置的發射器側及裝置的接收器側之間沒有光學對準問題。另外，由於接收器及發射器已經可以經由共用載體連接，可以不太費力地完成裝置的封裝。
根據光電裝置的至少一個態樣，該發射器包含構造成產生電磁輻射的一活性區，且該接收器包含構造成接收該電磁輻射的一活性區域，其中該活性區及該活性區域具有相同的組成。活性區域及活性區可以具有相同組成的事實可能是由於發射器及接收器係彼此側向相鄰地生長的事實。因此，發射器及接收器在相同的生長條件下同時地生長是可行的。
藉此，彼此側向相鄰地生長的發射器的活性區及接收器的活性區域具有類似的組成也是可行的。例如，發射器的活性區域的組成及/或接收器的活性區的組成可以在生長之後藉由佈植材料或其他技術來改變，例如：導致在活性區或活性區域中的量子井互相混合。因此，在此情況下，活性區及活性區域不再具有相同的組成，而是具有類似的組成。
另外，可以藉由「選擇性區域生長」來生長活性區域及活性區。在此情況下，活性區及活性區域係生長在不同的介電遮罩區域中。利用此技術，可以設定活性區域及活性區的不同帶隙及/或厚度。
根據光電裝置的至少一個態樣，該裝置包含一載體，其中該發射器及該接收器係側向間隔開地配置在該載體上。如上所述，載體可以至少部分地由用於發射器及接收器的生長基板來形成。然而，載體是不同的元件也是可行的，例如電路板，如印刷電路板。利用此種載體，將發射器及接收器電連接且相應地操作它們是可行的。為此目的，載體可以也包含用於驅動發射器及接收器的開關及/或控制器。
發射器及接收器係側向間隔開地配置在載體上，例如以活性區及活性區域係配置在共用平面中的方式。即使發射器及接收器係配置成彼此側向地間隔開，它們不僅藉由載體而且藉由裝置的其他元件彼此機械地互連，也是可行的。
根據光電裝置的至少一個態樣，該發射器係為一邊緣發射半導體晶片，其構造成在一側向方向上發射該電磁輻射，且該接收器係構造成接收來自該側向方向的該電磁輻射。側向方向係與上述側向方向在相同平面中。
在本文中，邊緣發射半導體晶片係理解為輻射發射組件，其發射在操作期間與晶片的側表面或刻面橫向地、尤其是與晶片的側表面或刻面垂直地所產生的電磁輻射。電磁輻射接著例如經由側表面或刻面發射。尤其，邊緣發射半導體晶片可以是包含外延生長的半導體本體的半導體裝置。尤其，在操作期間接著發射電磁輻射的方向可以傾斜於或垂直於半導體本體的生長方向。例如，半導體本體可以基於諸如In(Ga)N、In(Ga)AlP、(Al)GaAs、(In)GaAs的半導體材料。
邊緣發射半導體晶片可以例如是發光二極體或雷射二極體，尤其是超發光二極體或邊緣發射半導體雷射。
藉此，發射器從兩個側邊發射電磁輻射也是可行的，例如經由在邊緣發射半導體晶片中彼此相對配置的兩個刻面或側表面。
根據光電裝置的至少一個態樣，該發射器的活性區及該接收器的活性區域係彼此相鄰，且該發射器的活性區及該接收器的活性區域係互連。
在此情況下，彼此側向相鄰地生長的發射器及接收器在生長期間及生長之後並未彼此完全地分離，但它們至少在它們各自的活性區或活性區域保持互連。以此方式，可以藉由將它們互連的元件將該電磁輻射從該活性區引導到該活性區域。以此方式，該活性區及該活性區域係形成用於該電磁輻射的一波導。藉由此，例如，電磁輻射非常有效地從發射器耦接到接收器中是可行的。藉此，超過一個的接收器藉由活性區及活性區域光學地耦接到相同發射器，也是可行的。
在發射器及接收器之間的連接係由於發射器及接收器的元件在生長期間或之後未被移除的情況下，活性區域及活性區可以彼此單體地整合。也就是說，它們是在相同生長過程中一起生長的，且它們不是在製造之後而是在製造期間彼此互連的。
根據光電裝置的至少一個態樣，該發射器係為一表面發射半導體晶片，其構造成在一垂直方向上發射該電磁輻射，且該接收器係構造成接收來自該垂直方向的該電磁輻射。
在本文中，表面發射半導體晶片係理解為意謂輻射發射組件，其發射在操作期間與安裝面橫向地、尤其是與安裝面垂直地所產生的電磁輻射，在安裝面上係安裝有輻射發射組件。尤其，表面發射半導體晶片可以是包含外延生長的半導體本體的半導體裝置。尤其，在操作期間接著發射電磁輻射的方向可以平行於半導體本體的生長方向。例如，半導體本體可以基於諸如In(Ga)N、In(Ga)AlP、(Al)GaAs、(In)GaAs的半導體材料。
表面發射半導體晶片可以例如是發光二極體或雷射二極體，尤其是超發光二極體或VCSEL。
根據光電裝置的至少一個態樣，存在一光學系統，該光學系統將該電磁輻射從該發射器導向或引導到該接收器。光學系統例如包含一個以上的光學元件，例如反射及/或漫射及/或繞射光學裝置。光學系統在垂直方向上配置在發射器的下游。例如，從發射器所發射的電磁輻射沿著發射器的頂表面被引導且進入至接收器的頂表面，在該處它被吸收。
根據光電裝置的至少一個態樣，該光學系統被整合在用於該發射器及該接收器的一灌封體中，或者該光學系統係為該灌封體的一部分。根據此態樣，發射器及接收器係例如在未被載體覆蓋的表面處由利用電絕緣材料形成的灌封體來覆蓋。此電絕緣材料對於電磁輻射是透射的。例如，灌封體包含矽樹脂材料、環氧樹脂材料或玻璃材料，例如旋塗玻璃。灌封材料針對發射器及接收器形成機械及化學保護，防止外部影響。例如，光學系統包含由灌封體的鏡像外表面所形成的光學元件，或者灌封體的外表面係構造成電磁輻射的全內反射。
根據光電裝置的至少一個態樣，該裝置包含：彼此串聯地連接的複數個接收器及/或彼此並聯地連接的複數個發射器。也就是說，例如具有相同組成的複數個接收器及/或例如具有相同組成的複數個發射器係彼此側向相鄰地生長且例如配置在共用載體上。藉此，例如將一個發射器指派給複數個接收器是可行的，其中「指派」意謂著由此發射器產生的電磁輻射係耦接到指派接收器中且被指派接收器吸收。
利用此種裝置，例如，裝置的輸入電壓低於輸出電壓是可行的。接著可以使用光學裝置將較低電壓轉換為較高電壓。
根據光電裝置的至少一個態樣，該裝置更包含：用於該接收器的一旁通二極體，其中該旁通二極體反並聯地連接到該接收器。此種旁通二極體例如可以用於將未照射的接收器分流。以此方式，不工作或未操作的接收器不會因反向偏置而損壞，但電流可以流過反並聯地連接的旁通二極體。
根據光電裝置的至少一態樣，該旁通二極體及該接收器係彼此實體地連接。藉此，例如旁通二極體及接收器彼此單體地整合或彼此接合是可行的。此處，單體地整合意謂著旁通二極體可以外延地生長到接收器上。另外，旁通二極體及接收器係彼此側向相鄰地生長是可行的。以此方式，兩個元件係例如在側向方向上並排地配置。在此情況下，旁通二極體及接收器係為半導體裝置，其沿著生長方向外延地生長到作為發射器及接收器的載體的共用生長基板上。
以下藉由例示性實施例及相關附圖更詳細地說明此處敘述的光電裝置。
關於圖1A、1B、1C、2、3、4、5A、5B、6A及6B的示意圖，更詳細地說明此處敘述的光電裝置的實施例。
在例示性實施例及附圖中，類似或類似作用的組成部分係提供有相同的元件符號。附圖中所示的元件及其彼此之間的尺寸關係不應被視為真實比例。相反地，為了更佳的可表示性及/或為了更佳的理解，可以用誇大的尺寸來表示個別元件。
圖1A係顯示此處敘述的裝置的實施例的示意性頂視圖。圖1B及1C係顯示各自的截面圖。
在圖1A至1C的實施例中，光電裝置包含發射器1，發射器1係配置成發射電磁輻射2且構造成以輸入電壓UI操作。為此，該裝置例如包含三個彼此並聯地連接的發射器1。
光電裝置更包含接收器3，接收器3係配置成接收電磁輻射2且構造成提供輸出電壓的至少一部分。為此，該裝置例如包含三個彼此串聯地連接的接收器3。
例如，每個發射器1包含用於電連接發射器的第一觸點11、第二觸點12、及在其中產生電磁輻射2的活性區13。發射器更包含第一摻雜區15及第二摻雜區16，在該等摻雜區之間配置活性區。圖1A至1C的實施例的發射器1例如是邊緣發射雷射晶片。
與發射器1相鄰且側向地間隔開配置的接收器3係包含例如第一觸點31、第二觸點32、及用於吸收電磁輻射2的活性區域33，活性區域33係配置在第一摻雜區域35及第二摻雜區域36之間。
發射器1及接收器3係配置在載體4上，載體4可以是例如電路板，藉由該電路板可以電接觸及電控制光電裝置的組件。
發射器1及接收器3可以例如至少部分地被電絕緣灌封體6所包圍，其形成發射器1及接收器3的化學及機械保護。在此實施例中，指派給彼此的發射器1及接收器3係彼此相鄰且發射器1的活性區13及接收器3的活性區域33係互連。為此，例如，在發射器1及接收器3之間至少部分地移除摻雜區域及摻雜區。
例如從圖1C可以清楚地看出，接收器藉由電連接件7串聯地連接，電連接件7將接收器3的第二觸點32與相鄰接收器3的第一觸點31連接。電連接件7可以埋入至灌封體6中且藉由此灌封體受到電氣及化學保護而免受外部影響。
在圖1A到1C的實施例中，發射器1及指派接收器3係藉由其活性區及活性區域連接。然而，也可以在發射器1及接收器3之間的整個材料上蝕刻溝槽，且因此將兩個裝置彼此分離。在每個情況下，發射器1及接收器3之間的至少部分分離係降低在接收器3處的高輸入電壓對發射器的影響。例如，發射器1可以是分佈式反饋雷射或分佈式布拉格反射器雷射，用於調整電磁輻射2的發射波長以在接收器3中實現最佳吸收。
圖2的示意性截面圖係顯示此處敘述的光電裝置的實施例，其中與圖1A至1C的實施例相比，在第一列接收器的後面配置另外列的接收器，且在發射器1中背離第一列接收器3的一側配置另外列的接收器3。在此情況下，每個發射器例如將其輻射耦接到四個接收器中，該等接收器可以全部彼此串聯地連接。利用此種配置，可以達到更高的輸出電壓。另外，以相同方式針對每個發射器添加另外接收器是可行的。
在所有實施例中，發射器1及接收器3可以是多接面及可選的多波長裝置，允許更高的電壓及/或更高的電流。
圖3係顯示此處敘述的裝置的示意性截面圖。該裝置包含發射器1，其包含表面發射半導體晶片。此外，該裝置包含接收器3，其包含至少一個光二極體。發射器1及接收器3係配置在載體4的頂表面上。
發射器1包含背離載體4的頂表面的輻射出射面。接收器3包含背離載體4的輻射入射面。
發射器1及接收器3被共用灌封體6包圍。灌封體6係由對發射器1中產生的電磁輻射2的波長是透射的透明材料形成。例如，電磁輻射2係在至少350nm到至多1600nm的波長範圍內。例如，灌封體6可以由環氧樹脂為基的材料或矽樹脂為基的材料或玻璃為基的材料形成。灌封體6係形成在發射器1及接收器3上，且覆蓋這些組件中未被載體4覆蓋的表面。
灌封體6形成用於導向、引導及/或聚焦電磁輻射2的光學系統5。
在圖3的實施例中，光學系統5包含形成為反射表面的光學元件51。由發射器1發射的電磁輻射2首先被光學元件51反射，使得它平行於載體4的主延伸平面或覆蓋表面。在另一個光學元件51處的另一反射之後，電磁輻射2垂直於載體4的主延伸平面或覆蓋表面行進，且在其輻射入射側撞擊在接收器3上。
將輸入電壓UI施加給發射器1。從接收器3獲得輸出電壓UO。輸入電壓及輸出電壓可以相同或不同。因此，光電裝置可以設置成傳輸能量及/或轉換電壓。
電磁輻射2在光學元件51處的重定向可以例如藉由全內反射來執行，或者灌封體6的外表面可以塗布有反射材料，該反射材料係例如配置成反射電磁輻射2，例如從紅外線範圍。例如，光學元件51可以包含金或銀的鍍敷。
結合圖4的示意性截面圖，更詳細地說明此處敘述的裝置的另一個實施例。
在圖4的實施例中，該裝置包含複數個接收器3，該等接收器3係配置在載體4的頂表面上，例如繞著發射器1點對稱地配置，其包含例如單個表面發射半導體晶片。發射器1及接收器3被灌封體6所包圍，該灌封體6形成光學系統5，該光學系統5具有輻射反射的光學元件51。光學元件51將發射器1中產生的電磁輻射2重定向到接收器3的輻射入射側。在此情況下，光學元件51例如形成為灌封體6中的錐形凹部，錐體的側表面具有反射性。
結合圖6A及圖6B的示意圖，討論此處敘述的光電裝置的另一個實施例。此處，旁通二極體8被指派給該裝置的每個接收器3。旁通二極體8可以例如與接收器3單體地整合或接合到接收器3。旁通二極體8包含由第一摻雜區域85及第二摻雜區域86形成的pn接面，其反並聯地連接到接收器3的pn接面，參見圖6B。在接收器3未被發射器1照射或接收器3有缺陷之情況下，旁通二極體8可以將接收器3分流。例如，以此方式，接收器3不會因反向偏置而損壞。
旁通二極體8及接收器3之間的連接可以例如由接收器3的觸點31及32建立，如圖6B所示。
對於此處敘述的光電裝置，所有發射器1構造成可彼此獨立地操作是可行的。也就是說，例如所有發射器1可以彼此獨立地切換，使得可以操作或不操作每個發射器1。以此方式，例如將缺陷發射器關閉或控制光電裝置的輸出電壓是可行的。
另外，所有接收器3可以構造成可彼此獨立地操作。也就是說，每個接收器3可以獨立地切換為操作或不操作。藉此，例如將成對的發射器1及接收器3開啟及關閉是可行的，且因此控制輸入電壓UI及輸出電壓UO。
本專利申請案係請求德國專利申請案102021126769.2的優先權，其揭示內容藉由引用併入本文。
藉由基於該等例示性實施例的敘述，本發明不侷限於例示性實施例。相反地，本發明包含任何新特徵以及特徵的任何組合，尤其包含專利請求項中的特徵的任何組合以及例示性實施例中的特徵的任何組合，即使此特徵或此組合本身未在專利請求項或例示性實施例中明確地指定。
1:發射器 11:發射器的第一觸點 12:發射器的第二觸點 13:發射器的活性區 15:發射器的第一摻雜區 16:發射器的第二摻雜區 2:電磁輻射 3:接收器 31:接收器的第一觸點 32:接收器的第二觸點 33:接收器的活性區域 35:接收器的第一摻雜區域 36:接收器的第二摻雜區域 4:載體 5:光學系統 51...56:光學元件 6:灌封體 7:電連接件 8:旁通二極體 81:旁通二極體的第一觸點 82:旁通二極體的第二觸點 85:旁通二極體的第一摻雜區域 86:旁通二極體的第二摻雜區域 UI:輸入電壓 UO:輸出電壓 L:側向方向 V:垂直方向
圖1A係顯示此處敘述的裝置的實施例的示意性頂視圖；圖1B及圖1C係顯示各自的截面圖。 圖2係顯示此處敘述的光電裝置的實施例的示意性截面圖。 圖3係顯示此處敘述的裝置的示意性截面圖。 圖4係顯示此處敘述的裝置的另一個實施例的示意性截面圖。 圖6A及圖6B係顯示此處敘述的光電裝置的另一個實施例的示意圖。
1:發射器
11:發射器的第一觸點
3:接收器
31:接收器的第一觸點
4:載體
7:電連接件
UI:輸入電壓
UO:輸出電壓

Claims (13)

  1. 一種光電裝置，包含： 一發射器(1)，其構造成發射電磁輻射(2)且構造成以一輸入電壓(UI)操作， 一接收器(3)，其構造成接收該電磁輻射(2)且構造成提供一輸出電壓(UO)的至少一部分，其中 該發射器(1)及該接收器(3)係彼此側向相鄰地生長， 該發射器(1)的一活性區(13)及該接收器(3)的一活性區域(33)係彼此相鄰且該發射器(1)的活性區(13)及該接收器(3)的活性區域(33)係互連，且該活性區(13)及該活性區域(33)係形成用於該電磁輻射(2)的一波導， 及/或 一光學系統(5)，將該電磁輻射(2)從該發射器(1)導向或引導到該接收器(3)。
  2. 如請求項1之光電裝置，其中該發射器(1)及該接收器(3)係同時地生長。
  3. 如請求項1至2中任一項之光電裝置，其中該發射器(1)包含構造成產生該電磁輻射(2)的一活性區(13)，且該接收器(3)包含構造成接收該電磁輻射(2)的一活性區域(33)，其中該活性區(13)及該活性區域(33)具有相同的組成。
  4. 如請求項1至3中任一項之光電裝置，更包含：一載體(4)，其中該發射器(1)及該接收器(3)係側向間隔開地配置在該載體(4)上。
  5. 如請求項1至4中任一項之光電裝置，其中該發射器係為一邊緣發射半導體晶片，其構造成在一側向方向(L)上發射該電磁輻射(2)，且該接收器(3)係構造成接收來自該側向方向(L)的該電磁輻射(2)。
  6. 如請求項5之光電裝置，其中該活性區(13)及該活性區域(33)彼此單體地整合。
  7. 如請求項1至6中任一項之光電裝置，其中該發射器係為一表面發射半導體晶片，其構造成在一垂直方向(V)上發射該電磁輻射(2)，且該接收器(3)係構造成接收來自該垂直方向(V)的該電磁輻射(2)。
  8. 如請求項7之光電裝置，其中該光學系統(5)係整合在用於該發射器(1)及該接收器(3)的一灌封體(6)中，或者該光學系統(5)係為該灌封體(6)的一部分。
  9. 如請求項1至8中任一項之光電裝置，更包含：用於該接收器(3)的一旁通二極體(8)，其中該旁通二極體(8)反並聯地連接到該接收器(3)。
  10. 如請求項9之光電裝置，其中該旁通二極體(8)及該接收器(3)係彼此實體地連接。
  11. 如請求項10之光電裝置，其中該旁通二極體(8)及該接收器(3)係彼此單體地整合或彼此接合。
  12. 如請求項1至11中任一項之光電裝置，具有彼此串聯地連接的複數個接收器(3)及/或彼此並聯地連接的複數個發射器(3)。
  13. 如請求項1至12中任一項之光電裝置，其中該輸入電壓(UI)低於該輸出電壓(UO)。
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