TW202330084A - 儲存及運送容器及相關方法 - Google Patents

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Abstract

本發明描述用於藉由使含有至少兩種氣體之一氣體混合物與容許該等氣體之一者優先流動通過一薄膜之該薄膜接觸來處理該氣體混合物以從該混合物分離一種組成氣體之方法、系統及設備。

Description

儲存及運送容器及相關方法
本發明係關於用於藉由使含有至少兩種氣體之一氣體混合物與容許該等氣體之一者優先流動通過一薄膜之該薄膜接觸來處理該氣體混合物之方法、系統及設備。
在一系列工業及工業應用中需要氣體原料(有時稱為「試劑氣體」)，包含製藥工業、電子工業(例如，製備微電子及半導體裝置)及石油化學工業。
試劑氣體之工業應用之一些實例包含用於處理半導體材料或微電子裝置，諸如離子植入、磊晶生長、電漿蝕刻、反應離子蝕刻、金屬化、物理氣相沈積、化學氣相沈積、原子層沈積、電漿沈積、光微影術、清潔及摻雜等。此等程序可用於製造半導體、微電子、光伏打及平板顯示裝置及產品等。
半導體及微電子裝置製造中使用之試劑氣體之實例包含矽烷(SiH 4)、鍺烷(GeH 4)、氨(NH 3)、膦(PH 3)、胂(AsH 3)、乙硼烷(B 2H 6)、銻化氫(SbH 3)、硫化氫(H 2S)、硒化氫(H 2Se)、碲化氫(H 2Te)、鹵化物(氯、溴、碘及氟)化合物等。
許多試劑氣體之儲存、運輸、處置及使用皆非常小心，且具有許多安全防護。許多氫化物具有高反應性及可燃性，可能在空氣中自燃或經受爆燃。為了降低一自燃火災或爆燃之風險，具有高反應性之許多試劑氣體與一「穩定劑」氣體(又稱一「稀釋劑」或「稀釋劑氣體」)一起以一實質上稀釋形式儲存及運輸。試劑氣體通常在壓力下與諸如氮、氬、氦或氫之一「穩定」氣體一起容納在一儲存容器中，該等穩定氣體稀釋高反應性試劑氣體之濃度以降低一火災或爆燃之風險。
用於儲存及運輸一試劑氣體(包含高反應性試劑氣體，諸如氫化物)之典型系統包含含有用惰性「穩定」氣體稀釋之一試劑氣體的一高壓氣缸。穩定氣體之存在降低爆燃、爆炸、分解或可對處置器、運輸器或一倉庫儲存設施等構成威脅之其他不穩定方式之可能性。例如，氫可為用於一反應性氫化物之一穩定氣體。
雖然用於作為與一穩定氣體之一混合物之部分儲存及處置試劑氣體之系統已被展示為有效、高效及可接受安全的，但與試劑氣體一起運送之穩定氣體之存在降低所運送試劑氣體之效用及價值。
所儲存試劑氣體有意地不純，且實質上被稀釋。作為一個顯著缺點，所儲存稀釋氣體具有一降低濃度，此可導致試劑氣體對某些類型之處理(例如，離子植入、沈積程序，諸如化學氣相沈積、原子層沈積等)之一有用性等級降低。大量穩定氣體之存在降低稀釋原料氣體之效用及價值。為了提供所欲安全目的，一稀釋劑氣體通常以至少50%之一量存在於一所儲存氣體混合物中。但可藉由使用具有高於50%之一濃度之一試劑氣體來以更高效率或更佳產品質量執行諸如許多沈積技術(化學氣相沈積、原子層沈積)及離子植入等之一些程序。針對各種先進沈積技術，例如針對用於形成一3D NAND記憶體裝置之沈積步驟(其需要將一材料沈積至具有高縱橫比開口之一表面上)，具有高於50% (例如，至少60%、70%、80%或90%)之一濃度之一試劑氣體可產生更佳沈積層，例如，更均勻且更均等地沈積在三維高縱橫比表面上方之沈積層。
另外，當從一儲存容器運送時，被稀釋之一所儲存氣體可經受不均勻性。原因包含：一所儲存氣體混合物在儲存期間之潛在不穩定性；當將氣體添加至儲存容器及當運送混合物時，一所儲存氣體混合物中之未知雜質能階；及所儲存氣體之一未知儲存週期。在一儲存週期期間，一所儲存氣體混合物之化學含量可改變，諸如藉由降解。氣體混合物之一使用者將不知道改變程度，但該改變可顯著影響所儲存試劑氣體之效能。在某些類型之沈積程序中，一氣體混合物中之一試劑氣體之一濃度低於預期可顯著影響一沈積程序之良率。使問題更複雜的係，降低良率之原因不會立即顯現，且一結果係機器停機，此可為非常昂貴的。
製造半導體及微電子裝置之程序需要對原料之化學組成進行最高可能等級之控制以產生對一所處理產品之產品特徵之極其精確控制，該等產品特徵可為一植入濃度、一膜層厚度或另一產品特徵。此等產品特徵控制或影響產品之一功能，諸如一半導體晶圓或晶圓組件(諸如一微晶片或其他微電子裝置)之一電性質。即使用於生產產品之一原料之一濃度之最小變化亦可需要額外程序控制措施來產生所需原料均勻性，或可導致降低品質或降低製造速率。用作一原料之一試劑氣體之改良均勻性可容許對一製造步驟之改良程序控制、改良品質或所處理產品之改良品質一致性。
在一個態樣中，本發明係關於一種處理容納在一儲存容器中之一所儲存氣體混合物之方法。該所儲存氣體混合物包含試劑氣體及稀釋劑氣體。該方法包含：使該所儲存氣體混合物與一分離薄膜接觸，該分離薄膜容許該稀釋劑氣體相對於該試劑氣體優先流動通過該分離薄膜；及容許該所儲存氣體混合物之該稀釋劑氣體之一部分流動通過該分離薄膜以產生與該所儲存氣體混合物相比具有該試劑氣體之一增加濃度之一濃縮試劑氣體。
在另一態樣中，本發明係關於一種用於運送試劑氣體之系統。該系統包括：一儲存容器，其包括一儲存容器內部及連接至該儲存容器內部之一開口；及一分離薄膜，其容許具有一較低動力學直徑之氣體相對於具有一較高動力學直徑之氣體優先流動通過該分離薄膜，該分離薄膜連接至該儲存容器內部。
下文描述用於處理一氣體混合物以用於從混合物分離混合物中之一種氣體(即，用於從亦在一混合物中之一或多種不同氣體分離氣體混合物中之一種氣體)之方法、系統及設備。
氣體混合物含有至少兩種不同氣體，且程序包含使氣體混合物與一薄膜接觸，該薄膜有效地從氣體混合物分離氣體混合物之一組成氣體。薄膜具有當與氣體混合物接觸時容許混合物中之一種類型之氣體分子更容易流動通過薄膜且容許氣體混合物之一不同氣體分子較不容易流動通過薄膜之一類型。薄膜容許氣體混合物之氣體之一者與亦容納在氣體混合物中之一不同氣體相比優先或選擇性流動通過薄膜。
已知具有容許容納在兩種或更多種氣體之一混合物中之一種類型之氣體優先流動(或「選擇性流動」)通過薄膜之一性質之薄膜。實例薄膜係不同氣體分子可以不同速率行進通過或完全不行進通過之合成可滲透薄膜(例如，膜或障壁)。一薄膜可為多孔的、奈米多孔的、聚合的，且不同類型之氣體分子可根據氣體分子之大小、擴散率或溶解度以不同速率行進通過薄膜。
用於執行一分離之一薄膜(本文中有時被稱為一「分離薄膜」)可藉由任何有效機制來分離一氣體混合物之氣體分子。本發明不受到一分離薄膜容許或導致不同類型之氣體分子優先(即，選擇性)流動通過薄膜之方式之限制。
一種潛在分離機制可係基於不同大小之氣體分子將實體地行進通過一分離薄膜中具有一特定大小或一最大大小之開口之差異。一特定類型之氣體分子行進通過一分離薄膜之程度可取決於一氣體分子相對於分離薄膜中之開口之一大小之一有效大小。氣體分子之有效大小可特性化為氣體分子之「動力學直徑」。一有用分離薄膜可容許具有一特定最大大小(例如，動力學直徑)之氣體分子容易地行進通過分離薄膜中之開口，而具有相對較大動力學直徑之氣體分子實質上或完全被阻止行進通過分離薄膜。此一薄膜據稱展現具有較小動力學直徑之氣體分子與具有較大動力學直徑之氣體分子相比「優先流動」或「選擇性流動」通過薄膜。
圖1展示不同大小(基於動力學直徑)之氣體分子通過一實例分離薄膜之滲透率值之實例。滲透率係一給定流體(氣體或液體)通過一給定厚度之一分離薄膜之透射率。在一組特定條件下，一化合物(例如，一氣體物種)之透射率取決於分離薄膜之類型且係成對氣體及薄膜之一性質。圖1之圖表展示通過一3.8微米厚度之一無機矽質岩-2沸石薄膜之所觀察滲透率之資料。資料大體上指示，具有較小動力學直徑之分子相對於具有較大動力學直徑之分子更容易行進通過薄膜，即，具有一較高滲透率。不同分子之滲透率或「滲透速率」取決於氣體分子之動力學直徑，但亦可能取決於可包含擴散率、氣體溶解度、薄膜厚度及溫度之因素，且在某種程度上可能取決於氣體壓力。此資料表明，選定氣體對之間之選擇性比高達9:1或13:1。(Chemistry Letters 2015，44，1592-1594)。
「選擇性」或一「選擇性比」指代一氣體混合物中之一種氣體之一滲透率與氣體混合物中之一第二氣體之滲透率之一比率。在所描述之方法之實例中，一氣體混合物中作為一稀釋劑氣體(或穩定氣體)之一第一氣體與作為一試劑氣體之一第二氣體之一選擇性比可為至少3、5、10或15，此意謂第一(穩定或稀釋)氣體之滲透率可為第二(試劑)氣體之滲透率之至少3倍、5倍、10倍或15倍。
先前已描述分離薄膜之各種實例，以及用於從含有一非常低濃度之一雜質之氣體移除雜質之特定分離薄膜之用途。參見例如Vorotyntsev、Vladimir M.等人之Germene high Precision by membrane gas Department, Desalination 200(2006)232-233；Vorotyntsev、V.M.等人之High purification of substances by a gas separation method, Desalination 240 (2009) 301-305。儘管Vorotyntsev文章專注於用於從高純度氣流(例如，大於99%純度)移除微量污染物之薄膜分離，然此等文章中描述之薄膜可在本發明之方法中用於從含有具有高於典型雜質量之濃度之兩種氣體(例如，皆以一氣體混合物之至少5%、10%、20%或30%之一濃度存在之兩種氣體)之一氣體混合物分離氣體。針對此等類型之氣體混合物，可在一分離方法中使用相同或類似類型之薄膜，但視情況具有一或多個經調整程序特徵以增加一穩定氣體通過薄膜之滲透率，或增加薄膜之選擇性以容許一穩定或稀釋劑氣體相對於一試劑氣體之一更高速率(更高滲透率)。可調整之程序特徵包含薄膜厚度、氣體溫度、氣體流速等。
分離薄膜可由任何有用材料製成，且習知地呈薄的多孔片材或膜結構或中空管之形式。許多分離薄膜係聚合的，且由諸如聚二甲基矽氧烷、醋酸纖維素、聚四氟乙烯或全氟磺酸鹽之聚合物形成。其他實例可由陶瓷材料形成，或可呈由結晶沸石或金屬-有機框架、奈米顆粒二氧化矽、奈米多孔碳薄膜、鈣鈦礦、貴金屬、聚醯亞胺、聚碸、醋酸纖維素、聚芳胺、聚乙烯、聚苯醚等形成之一膜之形式。分離薄膜亦可在商業上購得。商業薄膜之實例包含由Air Products'銷售之薄膜(PRISM薄膜)、由Fuji化學公司銷售之薄膜(FUJIFILM)以及由IGS、Praxair、Air Liquide、Parker Gas Departication、Ube、NATCO、Kvaerner等銷售之其他薄膜。
所描述之一程序之一氣體混合物可為任何兩種氣體之一混合物，其中氣體之一者具有容許氣體之分子以一第一行進速率行進通過一分離薄膜之一大小(例如，動力學直徑)、化學或其他物理或化學性質，而氣體混合物中之一第二氣體具有完全不容許氣體行進通過分離薄膜或容許第二氣體以低於第一行進速率之一行進速率行進通過薄膜之性質。
一有用分離薄膜係有效地至少部分從一氣體混合物分離一氣體之薄膜。薄膜無需容許具有一特定類型或大小之一氣體混合物之全部氣體分子行進通過薄膜，且無需防止一不同大小或類型之一氣體混合物中之全部氣體分子完全行進通過薄膜。如果一薄膜容許氣體混合物之一種氣體與氣體混合物之一不同氣體相比更容易行進通過薄膜(更高滲透率)，則薄膜作為一分離薄膜可為有效的。在所描述之特別有用或較佳方法中，一氣體混合物之一種類型之氣體分子(例如，一稀釋劑或穩定氣體)可以氣體混合物之一第二氣體分子(例如，一試劑氣體)行進通過薄膜之一速率之至少3倍、5倍、10倍、15倍、25倍、30倍、50倍或100倍之一速率(滲透率)行進通過薄膜，該速率獨立於氣體混合物中之兩種個別氣體之濃度。例如，此意謂當兩種不同類型之氣體分子以相等濃度存在於接觸薄膜之一氣體混合物中時，其中在薄膜之相對側上具有一降低壓力條件，第一分子行進通過薄膜之一速率(滲透率)將為第二氣體分子行進通過薄膜之一速率之至少3倍、5倍、10倍、15倍、25倍、30倍、50倍或100倍。
圖2示意性地繪示使用一分離薄膜從含有兩種(或更多種)組成氣體之一氣體混合物分離(意謂至少部分分離)一種類型之氣體(一「組成氣體」)之一方法。如圖2展示，氣體混合物(進料) 20含有至少兩種不同類型之氣體，展示為兩種不同大小之氣體分子。一第一類型之氣體由相對較大氣體分子組成，其等由進料(氣體混合物) 20之較大球體表示。一第二類型之氣體由相對較小氣體分子組成，其等由氣體混合物20之較小球體表示。較大分子之第一氣體可為一高價值氣體，諸如一試劑氣體。較小分子之第二氣體可為不同於第一氣體之一氣體，且可為例如一稀釋劑氣體。
氣體混合物20容納在一氣體儲存或氣體流動系統之一進料側空間8中，其中氣體混合物20接觸分離薄膜30之一「進料側」(或「內側」或「滲餘側」)表面10。在圖2，氣體混合物20經展示以在箭頭之一方向上(從左至右)流動，諸如在由進料側空間8之一較高氣體壓力(在左側)驅動至一較低氣體壓力(在右側)之一方向上流動。氣體混合物20經過(沿著或越過)分離薄膜30之進料側表面10之此流動係選用的且並非必需的。在替代方法及系統中(例如參見圖3B及圖3C)，氣體混合物20可與分離薄膜30之進料側10靜態接觸。
仍參考圖2，在薄膜30之一第二側上，與進料側表面10相對的係滲透側表面12及滲透側空間14。在使用中，滲透空間14內之一氣體壓力相對於進料空間8內之一氣體壓力降低。氣體混合物之第二氣體具有容許第二氣體與較大第一氣體相比更容易行進通過薄膜30之一類型或大小(例如，動力學直徑)。在滲透空間14中存在降低壓力之情況下，第二氣體之至少一些分子從進料側空間8行進通過薄膜30進入至滲透空間14中以形成氣態滲透物16，該氣態滲透物16含有一非常高濃度之第二氣體，例如，至少80%、90%、95%、99%或99.5%之第二氣體。在進料空間8內，在第二氣體之分子之至少一部分從進料20移除之情況下，一滲餘物(18)由第一氣體之剩餘分子及可能第二氣體之一些剩餘分子形成。滲餘物(18)相對於原始進料20具有第二氣體之一降低濃度，且相對於原始進料20具有第一氣體之一較高濃度。
氣體混合物中之不同氣體類型可為可藉由所描述之一分離薄膜有效地分離之任何兩種不同類型之氣體。在某些特定實例應用中，一氣體混合物可為作為一混合物(一「所儲存氣體混合物」)一起儲存在一單一儲存容器中之兩種不同氣體之一組合，該儲存容器可用於容納、裝運、儲存、處置或施配氣體混合物。氣體之一者可為在工業上有用之一「高價值」氣體(例如，本文中之一「試劑氣體」)。第二氣體可為與高價值氣體一起容納在儲存容器中之一氣體，例如，以出於安全原因稀釋高價值氣體。所儲存氣體混合物之兩種不同氣體之各者可以大於將被視為一原料試劑氣體之一雜質之一氣體之一量之一量存在於混合物中，例如，各氣體可以大於0.01、0.5或1體積%之一量存在。
廣泛範圍之氣態原料可在許多不同工業及工業應用中用作試劑氣體。一些實例包含製造藥物之程序、石油化學工業中使用之程序及製造半導體材料或微電子裝置之程序。用於製造半導體材料或微電子裝置之程序之實例包含：離子植入、磊晶生長、電漿蝕刻、反應離子蝕刻、金屬化、物理氣相沈積、化學氣相沈積、原子層沈積、電漿沈積、光微影術、清潔及摻雜等，其中此等用途包含在用於製造半導體及微電子裝置(包含微晶片、光伏打及平板顯示裝置及產品等)之方法中。
根據本發明有用之實例試劑氣體包含高反應性無機氫化物、鹵化物、鹵化物化合物及可期望地與用作如本文中描述之一稀釋劑氣體(或「穩定劑氣體」)之一不同氣體組合地在一稀釋條件下儲存之其他氣體。試劑氣體之特定實例包含已知可用於處理半導體材料、微電子裝置等之各種不同類型之通用及特定氣體。此等包含：甲烷(CH 4)、乙炔(C 2H 2)、氨(NH 3)、水(H 2O)、矽烷(SiH 4)、鍺烷(GeH 4)、二磷烯(P 2H 4)、膦(PH 3)、胂(AsH 3)、乙硼烷(B 2H 6)、銻化氫(SbH 3)、硫化氫(H 2S)、硒化氫(H 2Se)、碲化氫(H 2Te)、二鍺烷(Ge 2H 6)、丁二炔(C 4H 2)、鹵化物(氯、溴、碘及氟)化合物等。
一所儲存氣體混合物之第二氣體可為與一試劑氣體組合地包含在一所儲存氣體混合物中以稀釋試劑氣體且降低試劑氣體之火災、爆炸、自爆燃等之風險或以其他方式用於改良安全性之一目的之一氣體。在包含一試劑氣體與改良試劑氣體之儲存、運輸及處置期間之安全性之一稀釋劑氣體之組合之一所儲存氣體混合物中，第二氣體可被稱為一「稀釋劑」氣體或一「穩定」氣體。
稀釋劑氣體之實例包含惰性氣體，諸如氮(N 2)、氬、氙及氦；或可為氫(H 2)以幫助穩定氫化物氣體。針對此申請案，一特別有用稀釋劑氣體可為具有小於同一氣體混合物中之一試劑氣體之一動力學直徑之一動力學直徑之一氣體，其中稀釋劑氣體及試劑氣體之動力學直徑之一差異足夠大以容許稀釋劑氣體以高於試劑氣體行進之一速率(例如，滲透率)之一速率行進通過一分離薄膜，例如，稀釋劑氣體之一行進速率可為混合物中之一試劑氣體之一行進速率之至少3倍、5倍、10倍、15倍、25倍、30倍、50倍或100倍。
一所儲存氣體混合物可含有兩種或更多種不同氣體(不同氣體分子)，其等之至少一者係一試劑氣體，且其等之至少一者係一稀釋劑氣體。實例所儲存氣體混合物可含有一種試劑氣體及兩種不同稀釋劑氣體，其中稀釋劑氣體物種之兩者通過一分離薄膜之一滲透率顯著大於試劑氣體。替代地，一所儲存氣體混合物可含有兩種不同類型(物種)之試劑氣體，其等可作為一混合物運送，與一穩定劑或稀釋劑氣體一起儲存，該穩定劑或稀釋劑氣體在將試劑氣體之混合物運送至一程序之前可從試劑氣體之混合物移除；兩種試劑氣體通過分離薄膜之一滲透率顯著低於稀釋劑氣體物種。
有用所儲存氣體混合物之替代實例可僅含有兩種不同類型之氣體，且不超過兩種，不包含以極低量(低於0.1%或0.01%)存在之氣態化合物，包含被視為雜質之任何化合物。
此等實例所儲存氣體混合物可由僅兩種不同氣體之一組合組成或實質上由兩種不同氣體之一組合組成，例如，所描述之一試劑氣體及一稀釋劑氣體。本質上由兩種不同氣體組成之一所儲存氣體混合物(一種氣體係一試劑氣體且另一種氣體係一稀釋劑氣體)可含有一種單一類型之試劑氣體(並非兩種不同試劑氣體之一組合)及一種單一類型之稀釋劑氣體(並非兩種不同稀釋劑氣體之一組合)，且除了試劑氣體及稀釋劑氣體之外之任何其他氣體不超過一非實質量，例如，不同於試劑氣體及稀釋劑氣體之任何氣體或雜質不超過5%、3%、2%、1%、0.5%、0.1%、0.01%。
將由所描述之一分離程序處理之一氣體混合物中之第一及第二氣體之量可為任何有用量。在某些實例系統及方法中，一第一氣體之量及一第二氣體之量皆可高於將被視為一氣體混合物中之一雜質之一氣體之一量，此意謂基於一所儲存氣體混合物之氣體之一總量，所儲存氣體混合物可含有至少0.5%或1%之一第一氣體及一第二氣體兩者。
在一些實例氣體混合物中，一氣體混合物含有至少10%、20%、30%或50%之一第一氣體，其之一大小或化學性質實質上防止氣體行進通過一特定分離薄膜，且亦含有至少50%、70%、80%或90%之一第二氣體，其之一大小或化學性質容許第二氣體更容易行進通過同一分離薄膜。
根據更特定實例，在包含所描述之一試劑氣體與所描述之一稀釋劑氣體之組合之一所儲存氣體混合物中，所儲存氣體混合物中之試劑氣體之量可在所儲存氣體混合物之5%至90%，例如5%至50%或10%至30%、40%、50%、60%或70%之一範圍內。所儲存氣體混合物可含有以一氣體體積為基礎之10%至95%之稀釋劑氣體，例如，所儲存氣體混合物之50%至95%之稀釋劑氣體或30%、40%、50%、60%或70%至90%。
根據本發明之方法，一氣體混合物儲存在一儲存容器中，且在從容器移除之前或之後，氣體混合物與分離薄膜接觸以導致或容許氣體混合物之一部分行進通過分離薄膜以從氣體混合物分離氣體之該部分。
根據某些實例儲存系統及施配方法，一所儲存氣體混合物容納在一儲存容器中，且所儲存氣體混合物之不同部分作為所儲存氣體混合物之單獨部分從容器內部施配，從而使用多個移除或施配步驟以在不同施配步驟中從所儲存氣體混合物移除特定組成氣體。容器內部之氣體混合物接觸一分離薄膜，且在一個移除步驟(一「分離」步驟)中，氣體混合物之一個部分(稱為滲透物)藉由行進通過分離薄膜而從容器內部移除。氣體混合物之一剩餘部分(稱為一滲餘物)剩餘在容器中，且可從容器運送而不行進通過分離薄膜。薄膜可併入至(內建至)容器中，或可透過一流量控制導管在外部連接至容器。
在其他實例系統中，容器可包含或連接至包含一分離薄膜之一流動系統，且所儲存氣體混合物可沿著一流動路徑流動以在從容器施配所儲存氣體混合物時導致所儲存氣體混合物接觸分離薄膜。在所施配儲存氣體混合物之一流經過且接觸分離薄膜時，所儲存氣體混合物之一部分(稱為滲透物)行進通過分離薄膜且從接觸分離薄膜之氣體混合物移除。氣體混合物之剩餘部分(稱為一滲餘物)流經分離薄膜而不行進通過分離薄膜，且含有減少量之滲透物。
一所儲存氣體混合物可容納在任何類型之儲存容器中。用於含有一試劑氣體之所儲存氣體混合物之常見儲存容器係已知的且可在商業上購得，且可經設計以容納處於大氣壓、高於大氣壓或處於亞大氣壓之一氣體混合物。
容器可含有一吸附材料，一所儲存氣體可吸附至該吸附材料上以進行儲存，或容器可不具有吸附材料，即，不含有吸附材料。有用類型之吸附劑之實例包含碳基吸附劑、金屬有機框架(MOF)、沸石、多孔有機聚合物(POP)及其他吸附劑及此等吸附劑之兩者或更多者之組合。吸附劑之類型可為可用於儲存含有試劑氣體及一第二氣體(諸如一穩定氣體)之一氣體混合物之任何吸附劑。在某些特定實例系統中，吸附劑可具有相對於一穩定氣體(例如，氫氣或另一惰性氣體)優先吸附試劑氣體(例如，鍺烷、GeH 4或另一氫化物)之一類型。吸附劑具有吸附試劑氣體之一高親和力，但吸附穩定氣體之一低親和力。穩定氣體當容納在容器中時將保持實質上或幾乎完全不被吸附，作為容器之頭部空間中之一氣體。
容器可含有流量控制通道、壓力控制、流量控制或計量裝置及連接至容器之圍封內部之閥之一有用組合以容許容器填充有一氣體混合物，且容許以使用一分離薄膜從氣體混合物分離一組分氣體之一方式從容器移除氣體混合物之氣體。
根據某些實例系統及方法，一分離薄膜併入至一儲存容器中(例如，在容器之一內部或容器之一頭部)以作為一閥或一閥總成之部分。容器包含從容器內部行進通過分離薄膜且到達一容器外部之一流動路徑以容許氣體混合物之一部分行進通過分離薄膜且變得與容器內部及氣體混合物之剩餘部分分離。流動路徑可被稱為行進通過容器之一「排放埠」之一「排放路徑」，其可藉由致動一「排放閥」來打開及關閉。行進通過分離薄膜之氣體之部分被稱為「滲透物」，且剩餘在容器內之氣體之部分被稱為「滲餘物」。
實例儲存容器可含有包含一分離薄膜之一排放埠。實例容器亦可含有與分離薄膜不相關聯之一個或兩個閥，各閥在一容器內部與一容器外部之間界定無需一氣體行進通過一分離薄膜之一流動路徑。如果容器僅含有一個此閥，則該閥可用於將一氣體添加至容器內部及用於從容器內部移除氣體兩者。如果容器含有兩個此閥，則該等閥之一者可用於將氣體添加至容器內部，且第二閥可用於從內部移除氣體。第二閥可與一壓力調節器相關聯，且通過第二閥及容器內部與容器外部之間之氣體流量可由壓力調節器調節。
實例儲存容器可包含一容器結構，該容器結構包含由包含一底部、從底部垂直延伸之側壁及包含一開口之一上部之結構界定之一內部體積。開口提供對容器內部之接取，且係一或多個閥之一典型位置。側壁通常係圓柱形的。容器可經調適以容納處於超大氣壓、亞大氣壓或大氣壓之一氣體。
圖3A展示一容器之一實例，該容器可用於藉由使含有作為一試劑氣體之一第一氣體及作為一稀釋劑之一第二氣體之一所儲存氣體混合物與優先容許稀釋劑氣體行進通過一分離薄膜之該分離薄膜接觸來容納、儲存及運送所儲存氣體混合物。第一及第二氣體被稱為及例示為一「試劑氣體」及一「稀釋劑」氣體，但可為任何不同類型之氣體。
儲存容器100包含由側壁112 (其可為圓柱形的)、底部114、頂部開口(頸部) 116及至少兩個閥120及122界定之容器外殼110。繪示一第三閥124，但其係選用的。
容器內部130容納所儲存氣體混合物132，其含有一試劑氣體及一稀釋劑氣體。容器內部130可含有或可不含有吸附劑(其係選用的且未展示)。如繪示，容器不含有吸附劑，且容納一定量之所儲存氣體混合物以產生一加壓內部，例如，內部130可具有至少14、25、50、100或200磅每平方英吋(絕對)之一內部壓力。
所儲存氣體混合物包括包含試劑氣體及稀釋劑氣體之組成氣體。所儲存氣體混合物含有一定量之稀釋劑氣體以容許在加壓容器100內可接受地安全處置、儲存及運輸所儲存氣體混合物，例如，氣體混合物含有至少20%、30%、50%、60%或70%之稀釋劑氣體。所儲存氣體混合物含有一定量之試劑氣體以容許在儲存容器100內可接受地安全處置、儲存及運輸氣體混合物，例如，氣體混合物含有低於80%、70%、50%、40%或30%之試劑氣體。
儲存容器100包含一流動路徑中之分離薄膜140，該流動路徑亦包含閥120。薄膜140包含接觸容器內部130及所儲存氣體混合物132之一進料側140a (亦稱為一「滲餘側」)。薄膜140之相對側(滲透側140b)通向閥120及一容器外部。
在使用中，儲存容器100可用於從所儲存氣體混合物132之試劑氣體分離稀釋劑氣體以在內部130中產生一濃縮試劑氣體(一「滲餘物」)。在閥120打開且其他閥關閉之情況下，可跨薄膜140施加一壓力梯度以相對於內部130及進料側140a處之一較高壓力將一降低壓力施加至滲透側140b。在閥120打開且具有跨薄膜140之壓力差之情況下，來自氣體混合物132之稀釋劑氣體可行進通過分離薄膜140以從內部130移除且從氣體混合物132分離。在移除一定量之稀釋劑氣體之情況下，在內部130形成及剩餘一濃縮試劑氣體。在形成濃縮試劑氣體之後，濃縮試劑氣體可透過一不同閥，例如，透過閥122或124運送至一下游程序。
藉由此方法，所欲量之稀釋劑氣體可從內部130移除且從氣體混合物132分離。從氣體混合物132移除之稀釋劑氣體之一有用量可為產生剩餘在內部130中之一濃縮試劑氣體之一量，該濃縮試劑氣體具有一有用或所欲濃度之試劑氣體。一濃縮試劑氣體中之試劑氣體之一所欲濃度可取決於將使用濃縮試劑氣體之一特定程序，例如，沈積(化學氣相沈積、原子層沈積)、離子植入等。針對各種先進沈積技術，例如針對用於形成一3D NAND記憶體裝置之沈積步驟，可在一沈積程序中用作一氣體原料之一試劑氣體之一濃度可相對高，例如，如供應至一沈積工具之至少50%、70%、90%或95%之試劑氣體。
仍參考圖3A，在所欲量之稀釋劑氣體從內部130移除且從一原始所儲存氣體混合物132分離之後，所剩餘之濃縮試劑氣體可從儲存容器100運送至使用試劑氣體作為一氣態原料之一程序。濃縮試劑氣體可透過閥122以視情況調節之壓力或流量(未展示)從容器100運送至使用濃縮試劑氣體之一程序。
在僅包含兩個閥120及122之一實例容器中，閥122可用於從容器施配一濃縮試劑氣體以及用於將一原始氣體混合物(藉由移除稀釋劑氣體從其形成濃縮試劑氣體)放置至內部130中兩者。在一不同實例中，閥124可專用於從容器施配一濃縮試劑氣體(例如，透過一壓力調節器)，且一不同閥122用於將原始氣體混合物(藉由移除稀釋劑氣體從其形成濃縮試劑氣體)放置至內部130中。
現參考圖3B及圖3C，繪示作為本文中描述之一儲存容器之部分包含之一「排放埠」之一實例，該排放埠包含所描述之一分離薄膜。所繪示排放埠容許使用一分離薄膜從含有一稀釋劑氣體及一第二氣體(其可為一試劑氣體)之一氣體混合物分離稀釋劑氣體(或另一氣體)。
作為一實例，但不限制本發明，在圖3B及圖3C展示之排放埠可以圖1展示之一方式併入至一儲存容器中。排放埠可包含在圖3A之容器100中以作為包含閥120且接取圖3A之容器100之內部130之一流動通道之部分。容納在內部130之氣體混合物132接觸分離薄膜140之進料側表面140a。在施加至薄膜140之滲透側140b之一降低壓力下，所儲存氣體混合物132之稀釋劑氣體能夠行進通過分離薄膜140，而試劑氣體(「反應性SG」或反應性專用氣體)無法以一實質速率行進通過薄膜140。
在使用中，閥120可選擇性打開及關閉或以其他方式致動以在滲透物側表面140b處施加一降低壓力以透過分離薄膜140汲取稀釋劑氣體。在圖3B，一閥(「真空致動開關」)被關閉以防止流動通過薄膜140。在圖3C，閥被打開且將真空(即，相對於內部130之一壓力之一降低壓力)施加至滲透側表面140b，且氣體混合物132之稀釋劑氣體行進通過薄膜140以從內部130移除以在內部130內留下一濃縮氣體混合物(一滲餘物)。與在稀釋劑氣體透過排放埠移除之前容納在內部130中之原始氣體混合物132中之試劑氣體之原始濃度相比，剩餘濃縮氣體混合物含有一更高濃度之試劑氣體。
一般言之，所描述之方法及儲存系統可涉及容納一所儲存氣體混合物之一儲存容器(有時稱為一「包裝」)，該所儲存氣體混合物包含一穩定試劑氣體，例如，在處置、運輸及儲存期間由一稀釋劑氣體穩定之一高反應性氣體物種。如由所儲存氣體混合物之一使用者所期望，稀釋劑氣體可藉由使用一分離薄膜(例如，在一排放埠處或以其他方式附接至容器)從所儲存氣體混合物分離以提供一高純度、高濃度之試劑氣體(例如，一反應性特種氣體)。濃縮試劑氣體可被運送至一製造程序(例如，一客戶之工具)以在一處理步驟中使用，該處理步驟可歸因於試劑氣體被提供為一較高濃度原料而具有改良程序控制及效率。
參考圖3D，一實例儲存容器(未展示) (例如，圖3A之100)之一上開口或頸部116可包含一多埠閥總成150，其包含：A)一高壓「填充」埠122，B)一較低(或經調節)壓力「運送」埠124，及C)用於經由真空選擇性提取稀釋劑或穩定氣體物種之一「排放」埠120。容器可容納試劑氣體及稀釋劑氣體。一使用者可將容器連接至製造設備，例如，一半導體處理工具，例如，一離子植入工具或一沈積工具。在容器安裝及連接至工具之後，且在將所儲存試劑氣體運送至工具之前，可從容器移除稀釋劑氣體以增加容器內之試劑氣體之濃度以形成一濃縮(例如，高純度或實質上純的)試劑氣體。濃縮試劑氣體可被運送至工具。
圖3D繪示閥總成150之一俯視圖。埠120 (一排放埠)使用一止回閥(或真空致動孔)及一分離薄膜，該分離薄膜容許稀釋劑氣體流動，但經由基於分子大小及薄膜滲透速率之差異之一實體分離實質上防止試劑氣體流動通過薄膜。當在薄膜之滲透側上施加真空時，一稀釋劑氣體(諸如氫或氦)可容易地行進通過分離薄膜，但具有一較大分子大小之一試劑氣體(諸如鍺烷、矽烷、乙硼烷、二鍺烷、丁二炔、二苯乙烯等)具有行進通過薄膜之一最小或非實質速率。
實例閥總成150包含可在三個鎖定及可視指示位置之間移動之一手柄：「排放」、「填充」及「運送」。當容器完全且安全地安裝在一製造工具上時，可藉由將閥總成設定在排放處來將所儲存氣體混合物之稀釋劑「穩定」氣體從所儲存氣體混合物分離以容許稀釋劑氣體流動通過一分離薄膜且離開排放埠120。優先移除大部分或大多數稀釋劑氣體導致一實質上增加濃度之純試劑氣體(又稱「反應性特種氣體」)剩餘在容器內部，該純試劑氣體可透過「運送」埠以高濃度及高純度運送至處理工具。
直至容器附接至客戶之工具，且透過分離薄膜經由施加至「排放」埠之真空從缸安全地排放稀釋劑氣體，容器才可處於滿足全部運輸及儲存要求之一狀態以達到最大安全性。
目前描述之方法、儲存系統及設備可用於處理任何類型之一氣體混合物以從氣體混合物之一不同組成氣體及氣體混合物本身移除或分離容納在氣體混合物中之一種組成氣體。本方法、系統及設備特別可用於將一高價值氣體(諸如一試劑氣體，特定言之一高反應性試劑氣體)與一稀釋劑氣體分離以形成一更濃縮試劑氣體。
有利地，相對於先前氣體儲存系統及運送方法，一試劑氣體可與一稀釋劑氣體組合地在一儲存容器中容納、儲存及運送，該稀釋劑氣體包含在氣體混合物中以容許更安全地儲存、運送及處置試劑氣體，但稀釋劑氣體之至少一部分可在試劑氣體被運送以供使用之前與試劑氣體分離。當所儲存氣體混合物由一使用者接收時，所儲存氣體混合物含有大量稀釋劑氣體。使用者可分離兩種氣體(例如，從所儲存氣體混合物移除稀釋劑氣體之一部分)，且以高於所儲存氣體混合物中之試劑氣體之濃度之一濃度使用試劑氣體。所描述之一方法容許一使用者從所儲存氣體混合物移除稀釋劑氣體以將試劑氣體之濃度增加至對涉及試劑氣體之某些類型之程序更有用及有效之一更高濃度。使用者可將稀釋劑氣體與試劑氣體分離以增加試劑氣體之濃度且產生與所儲存氣體混合物(稱為一「濃縮氣體混合物」或一「濃縮試劑氣體」)相比之一更高濃度之一原料氣體。
所描述之儲存系統及方法容許從一所儲存氣體混合物移除一稀釋劑氣體以產生一濃縮氣體混合物之若干不同方法。在圖4示意性地展示一有用方法之一個實例。圖4展示處於一排空狀態(i)之一儲存容器100 (例如，如在圖3A展示)。將一第一氣體(例如，一試劑氣體)及一第二氣體兩者以任何順序添加至容器內部；參見(ii)及(iii)。針對作為一反應性試劑氣體之一第一氣體及作為一稀釋劑氣體之一第二氣體，此兩種氣體在所儲存氣體混合物中之量可視需要在儲存、運輸及處置期間增加安全性及穩定性。階段(iii)之容器(容納第一氣體及第二氣體之所儲存氣體混合物132)可安全地運輸、儲存、處置、運送給使用者且連接至一處理工具，而兩種氣體皆容納在容器內。
然而，當混合物在容器100中儲存及運輸時，使用者可希望以高於所儲存氣體混合物132中之試劑氣體之濃度之一濃度使用試劑氣體。使用者可藉由導致一定量之稀釋劑氣體透過容器100之一排放埠從所儲存氣體混合物分離而從所儲存氣體混合物132移除一定量之稀釋劑氣體(參見iv)。(由於圖4係一示意性表示，所以呈形式(iv)之容器100被描繪為容納一減少量之稀釋劑氣體，其中在容器100之底部展示全部(減少)量之稀釋劑氣體。在容納實際氣體之一實際容器中，兩種氣體將均勻地分散在容器100之內部。此同樣適用於圖5之(iv)及(v)。
藉由從所儲存氣體混合物132移除稀釋劑氣體之一部分或實質上全部，在容器100之內部產生及剩餘一濃縮試劑氣體(134)。可從容器100施配濃縮試劑氣體134以在一製造程序中使用。藉由此方法，在一單一步驟中從所儲存氣體混合物移除稀釋劑以在容器100中產生濃縮試劑氣體134。(同樣，由於圖5係一示意性表示，呈形式(v)之容器100藉由展示容器100之底部之氣體而被描繪為容納一減少量之濃縮試劑氣體134，其中一上部被描繪為空的。在容納實際氣體之一實際容器中，兩種氣體將均勻地分散在容器100之內部。)
作為一單一實例，一高反應性、高價值源試劑氣體(諸如鍺烷)可用一稀釋劑或穩定氣體(諸如氫)在50%至85%之範圍內稀釋；即，所儲存氣體可含有50%至85%之稀釋劑或穩定氣體及15%至50%之鍺烷(按體積計)。當由客戶接收時，應用可需要75%至85% (按體積計)或更高之鍺烷濃度，且必須移除大部分稀釋劑氫以將所儲存氣體混合物中之鍺烷濃度從15%至50%之範圍增加至75%至85%之一濃度。試劑氣體之一部分亦可預期透過分離薄膜移除且丟失。相對於試劑氣體移除稀釋劑或穩定氣體之一較佳效率(選擇性)可期望最大化高價值源試劑氣體之良率。
藉由一替代方法，可使用多個運送步驟從容器100以多個部分移除所儲存氣體混合物132，且不同移除部分之各者可形成為一濃縮試劑氣體。可從自容器100移除之氣體混合物之各部分移除稀釋劑氣體，且形成較小體積之濃縮試劑氣體134。
參考圖5，一大容量容器100 (如描述)容納大體積之所儲存氣體混合物132，且容納在氣瓶櫃150中，或替代地可在一處理工具內，其等之任一者在一潔淨室內。容納在容器100中之氣體混合物132之總體積之一部分被轉移至一較小體積容器100a (有時稱為一壓載容器)，該容器100a可與一處理工具(160)相關聯、定位於處理工具(160)中或連接至處理工具(160)。此步驟可在處理工具160經歷計劃維護(PM)時執行。在氣體混合物132之部分容納在容器100a中之情況下，可透過容器100a之一排放埠從容器100a移除所儲存氣體混合物132之一定量之稀釋劑氣體(參見iv及步驟2)。在容器100a之內部產生及剩餘一濃縮試劑氣體(134)。濃縮試劑氣體134可被運送至處理工具以用於執行一製造程序。
在步驟2期間，氣體混合物132之試劑氣體之一部分亦可預期透過分離薄膜移除且丟失，且一有用量之稀釋劑氣體可剩餘在容器100a中。容許剩餘在壓載容器100a中之稀釋劑或穩定氣體之量可為將濃縮試劑氣體134儲存達一預期儲存時段所欲之一量。針對壓載容器100a中之濃縮試劑氣體134之一漫長使用時段(例如，數週或數月)，可剩餘一更大量之稀釋劑或穩定氣體，例如，至少5%、10%或20%。針對一較短使用時段，稀釋劑或穩定氣體之量可較低，例如，小於10%或5%。
當容器100a中之濃縮試劑氣體134之體積耗盡時，所儲存試劑氣體132之一第二部分可從容器100轉移至容器100a中。可透過容器100a之排放部分從所儲存試劑氣體之第二部分移除稀釋劑氣體。藉由此方法，與將儲存在容器100中之一更大體積之濃縮試劑氣體132相比，濃縮試劑氣體之較小部分儲存在容器100a中，其中將在一單一步驟中從容器100移除全部稀釋劑氣體。
在此系統中，較大氣體源缸100保持稀釋，且改良安全性並限制容納在缸100中之試劑氣體之一潛在分解速率。壓載缸100a經設計以在濃縮試劑氣體134分解之情況下含有一適合位準之壓力。在使用期間監測壓載缸100a之壓力、溫度及流速以監測容納在壓載缸100a中之濃縮試劑氣體134之量。
根據又一不同方法及系統，可使用一分離薄膜以在一所儲存氣體混合物流動通過導致氣體混合物接觸分離薄膜之一流量控制機制時從所儲存氣體混合物分離一氣體。作為一個實例，參考圖6，含有試劑氣體及稀釋劑之所儲存氣體混合物132從一儲存容器(未展示)視情況通過一調節器或止回閥(未展示)流動至濃縮器200之一入口(202)中。濃縮器200包含進料入口202、腔室204、出口206及呈一管或導管形式之分離薄膜208 (在腔室204內)。濃縮器亦可包含一溫度控制構件(未展示)以將薄膜維持在一相對恆定溫度以改良對(若干)滲透速率之控制。進料入口202通向薄膜208內部之進料側空間212，且該進料側空間212由入口202、分離薄膜208之一內側及出口206界定。腔室204在一腔室空間(滲透空間)210內含有薄膜208。
在使用中，進料氣體(即，所儲存氣體混合物132)流動通過入口202 (視情況通過一調節器、止回閥、針閥或限流孔(未展示))且進入至進料側空間212中。將真空施加至滲透空間210以在滲透空間210處產生相對於進料側空間212之一降低壓力。所儲存氣體混合物進入且流動通過進料側空間212。在流動通過進料側空間212期間，所儲存氣體混合物132之一部分(例如，稀釋劑氣體)行進通過分離薄膜212，進入滲透空間210，且可透過閥216從滲透空間210移除。所儲存氣體混合物之剩餘部分係一濃縮試劑氣體，其含有一較低濃度之稀釋劑氣體及一較高濃度之試劑氣體。此濃縮試劑氣體作為滲餘物214從出口206流出，且可運送至諸如一半導體處理工具之一製造設備。
圖6之一系統之一潛在益處係從一容器連續移除所儲存氣體混合物132。剩餘在容器中之所儲存氣體混合物經完全稀釋及完全穩定，直至在使用點原位濃縮。與一濃縮試劑氣體相比，稀釋形式之氣體混合物更穩定，且更安全地儲存。所稀釋之所儲存氣體混合物可隨著時間而經歷減少分解，且所儲存試劑氣體之供應可在幾個月之一時段內使用。
8:進料側空間/進料空間 10:進料側表面 12:滲透側表面 14:滲透側空間/滲透空間 16:氣態滲透物 18:滲餘物 20:氣體混合物 30:分離薄膜 100:儲存容器 100a:壓載容器/壓載缸 110:容器外殼 112:側壁 114:底部 116:頂部開口/頸部 120:閥/排放埠 122:閥/高壓「填充」埠 124:第三閥/較低(或經調節)壓力「運送」埠 130:容器內部 132:所儲存氣體混合物 134:濃縮試劑氣體 140:分離薄膜 140a:進料側/進料側表面 140b:滲透側/滲透側表面 150:多埠閥總成/氣瓶櫃 160:處理工具
圖1展示使一氣體分子之滲透率與大小(量測為分子之動力學直徑)相關之一圖表。
圖2展示所描述之一分離程序之一圖。
圖3A展示所描述之一實例儲存容器。
圖3B及圖3C展示在所描述之一方法中使用之實例儲存容器組件。
圖3D展示所描述之一容器之一有用流量控制組件之一實例。
圖4展示所描述之一儲存及運送方法之步驟之一實例。
圖5展示所描述之一儲存及運送方法之步驟之一實例。
圖6展示所描述之一運送方法之步驟之一實例。
全部圖皆係示意性的，不一定按比例繪製，且係例示性的，且不應被視為限制本發明。
8:進料側空間/進料空間
10:進料側表面
12:滲透側表面
14:滲透側空間/滲透空間
16:氣態滲透物
18:滲餘物
20:氣體混合物
30:分離薄膜

Claims (10)

  1. 一種處理容納在一儲存容器中之一所儲存氣體混合物之方法，該所儲存氣體混合物包括試劑氣體及稀釋劑氣體，該方法包括： 使該所儲存氣體混合物與一分離薄膜接觸，該分離薄膜容許該稀釋劑氣體相對於該試劑氣體優先流動通過該分離薄膜；及 容許該所儲存氣體混合物之該稀釋劑氣體之一部分流動通過該分離薄膜以產生與該所儲存氣體混合物相比具有該試劑氣體之一增加濃度之一濃縮試劑氣體。
  2. 如請求項1之方法，該分離薄膜具有一滲透側及一滲餘側，該方法包括： 在一滲餘側壓力下使該所儲存氣體混合物與該滲餘側接觸，及 將一滲透側壓力施加至該滲透側，該滲透側壓力低於該滲餘側壓力以導致稀釋劑氣體流動通過該薄膜且在該滲餘側上產生該濃縮氣體混合物。
  3. 如請求項1之方法，其中： 該所儲存氣體混合物包括小於40%之試劑氣體，且 該濃縮氣體混合物包括至少60%之試劑氣體。
  4. 如請求項1之方法，其中該試劑氣體係氫化物，且該稀釋劑氣體係氫。
  5. 如請求項1之方法，其中該試劑氣體係選自：CH 4、NH 3、H 2O、SiH 4、PH 3、H 2S、GeH 4、Ge 2H 6、AsH 3、H 2S、H 2Se、H 2Te、C 2H 2、P 2H 4、SbH 3及B 2H 6。
  6. 如請求項1之方法，其中該稀釋劑氣體係選自：氮、氫、氙及氦。
  7. 如請求項1之方法，其中該所儲存氣體混合物容納在具有一第一體積之一第一儲存容器中，該方法包括： 從該第一儲存容器移除該所儲存氣體混合物之一部分，且將該部分添加至具有小於該第一體積之一體積的一第二儲存容器，及 透過該分離薄膜從該第二儲存容器移除稀釋劑氣體以在該第二儲存容器內產生該濃縮試劑氣體。
  8. 一種用於運送試劑氣體之系統，該系統包括： 一儲存容器，其包括一儲存容器內部及連接至該儲存容器內部之一開口， 一分離薄膜，其容許具有一較低動力學直徑之氣體相對於具有一較高動力學直徑之氣體優先流動通過該分離薄膜，該分離薄膜連接至該儲存容器內部。
  9. 如請求項8之系統，其包括一儲存容器，該儲存容器包括： 一閥，及 一流動通路，其容許氣體從該容器內部流動通過該分離薄膜且通過該閥至一容器外部。
  10. 如請求項8之系統，其包括： 該儲存容器，其具有一第一體積，其中該儲存容器係經調適以儲存試劑氣體且將該試劑氣體運送至一處理工具的一壓載缸， 一第二儲存容器，其具有大於該第一體積的一第二體積， 氣流導管，其將該儲存容器連接至該第二儲存容器以容許氣體從該第二儲存容器流動至該儲存容器之該內部。
TW111135089A 2021-09-16 2022-09-16 儲存及運送容器及相關方法 TWI847269B (zh)

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