TW202324094A - 介面電路、記憶體控制器與用以校正介面電路內之訊號處理裝置之校正方法 - Google Patents

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Abstract

一種介面電路包括一訊號處理電路，用以處理接收自一主機裝置之一接收訊號與傳送至主機裝置之一傳送訊號。訊號處理電路包括複數訊號處理裝置與一校正裝置。校正裝置耦接訊號處理裝置，用以於一校正程序中依序校正各訊號處理裝置之一特性值。

Description

介面電路、記憶體控制器與用以校正介面電路內之訊號處理裝置之校正方法
本發明係關於一種用以校正一介面電路內之複數訊號處理裝置之校正方法，特別是一種用以校正提供高速資料傳輸之介面電路內之複數訊號處理裝置的校正方法。
串行器-解串器(Serializer-Deserializer，縮寫為SerDes)是一對常用於高速通信以補償有限輸入/輸出的功能塊。串行器-解串器在每個方向的串行資料和並行介面之間轉換資料。串行器-解串器的主要用途是通過單條線路或差動對提供資料傳輸，以最大限度地減少輸入/輸出引腳和互連的數量。
串行器-解串器係運作於高頻。然而，高頻訊號傳輸對於頻率或電壓的抖動(jitter)容忍度低。因此，若串行器-解串器內的訊號處理元件的特性值產生偏移，因此偏移而產生頻率或電壓的抖動將可能對串行器-解串器的訊號處理造成致命錯誤(fetal error)。一旦發生致命錯誤，便必須將系統斷電或重置，因而造成諸多不便。
為避免高速通信系統發生致命錯誤，需要一種校正方法，用以有效率地校正串行器-解串器內部訊號處理元件的特性值。
本發明之一目的在於有效率地校正串行器-解串器內部訊號處理元件的特性值，以避免因元件特性值產生偏移而導致高速通信系統發生致命錯誤。
根據本發明之一實施例，一種介面電路包括一訊號處理電路，用以處理接收自一主機裝置之一接收訊號與傳送至主機裝置之一傳送訊號。訊號處理電路包括複數訊號處理裝置與一校正裝置。校正裝置耦接訊號處理裝置，用以於一校正程序中依序校正各訊號處理裝置之一特性值。
根據本發明之另一實施例，一種記憶體控制器，耦接一記憶體裝置，用以控制記憶體裝置的存取操作，包括一主機介面，用以與一主機裝置溝通。主機介面包括一訊號處理電路，用以處理接收自主機裝置之一接收訊號與傳送至主機裝置之一傳送訊號。訊號處理電路包括複數訊號處理裝置與一校正裝置。校正裝置耦接訊號處理裝置，用以於一校正程序中依序校正各訊號處理裝置之一特性值。響應於一觸發訊號，校正裝置取得各訊號處理裝置之一探查結果，並且根據各訊號處理裝置之探查結果校正對應之特性值。
根據本發明之又另一實施例，一種校正方法，用以校正一介面電路內之複數訊號處理裝置，包括：偵測是否發生複數既定錯誤事件之至少一者，並且於偵測到既定錯誤事件之至少一者發生時，產生一觸發訊號；響應於觸發訊號探查各訊號處理裝置以產生對應之一探查結果；以及響應於觸發訊號於一校正程序中依序根據各訊號處理裝置所對應之探查結果校正各訊號處理裝置所對應之一特性值。
在下文中，描述了許多具體細節以提供對本發明實施例的透徹理解。然而，本領域技術人員仍將理解如何在缺少一個或多個具體細節或依賴於其他方法、元件或材料的情況下實施本發明。在其他情況下，未詳細示出或描述公知的結構、材料或操作，以避免模糊本發明的主要概念。
在整個說明書中對「一實施例」或「一範例」的引用意味著結合該實施例或範例所描述的特定特徵、結構或特性係包括於本發明之多個實施例的至少一個實施例中。因此，貫穿本說明書在各個地方出現的短語「於本發明之一實施例中」、「根據本發明之一實施例」、「於一範例中」或「根據本發明之一範例」不一定都指到相同的實施例或範例。此外，特定特徵、結構或特性可以在一個或多個實施例或範例中以任何合適的組合和/或子組合進行結合。
此外，為讓本發明之目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉出本發明之具體實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。目的在於說明本發明之精神而非用以限定本發明之保護範圍，應理解下列實施例可經由軟體、硬體、韌體、或上述任意組合來實現。
第1圖係顯示根據本發明之一實施例所述之資料儲存裝置的方塊圖範例。資料儲存裝置100可包括一記憶體裝置120與一記憶體控制器110。記憶體控制器110用以存取(Access)記憶體裝置120及控制記憶體裝置120之運作。記憶體裝置120可為一非揮發性(non-volatile，縮寫為NV)記憶體裝置(例如，一快閃記憶體(flash memory))，並且可包括一或多個記憶元件(例如，一或多個快閃記憶體晶粒、一或多個快閃記憶體晶片、或其他類似元件)。
資料儲存裝置100可耦接至一主機裝置130。主機裝置130可至少包括一處理器、一電源電路、以及至少一隨機存取記憶體(Random Access Memory，縮寫為RAM)，例如至少一動態隨機存取記憶體(Dynamic RAM，縮寫為DRAM)、至少一靜態隨機存取記憶體(Static RAM，縮寫為SRAM)等(以上未示於第1圖)。處理器與隨機存取記憶體可透過一匯流排彼此相互連接，並且可耦接至電源電路以取得電源。處理器可控制主機裝置130之運作。電源電路可將電源供應至處理器、隨機存取記憶體以及資料儲存裝置100，例如輸出一或多個驅動電壓至資料儲存裝置100。資料儲存裝置100可自主機裝置130取得所述驅動電壓作為資料儲存裝置100的電源，並且為主機裝置130提供儲存空間。
根據本發明之一實施例，主機裝置130可對資料儲存裝置100發出指令，例如，讀取指令或寫入指令，用以存取記憶體裝置120所儲存之資料，或者主機裝置130可對資料儲存裝置100發出指令以進一步控制、管理資料儲存裝置100。
根據本發明之一實施例，記憶體控制器110可包括一微處理器112、一唯讀記憶體(Read Only Memory，縮寫為ROM)112M、一記憶體介面114、一緩衝記憶體116、與一主機介面118。唯讀記憶體112M係用以儲存程式碼112C。而微處理器112則用來執行程式碼112C以控制對記憶體裝置120之存取。程式碼112C可包括一或多個程式模組，例如啟動載入(boot loader)程式碼。當資料儲存裝置100自主機裝置130取得電源時，微處理器112可藉由執行程式碼112C執行資料儲存裝置100之一初始化程序。於初始化程序中，微處理器112可自記憶體裝置120載入一組系統內編程(In-System Programming，縮寫為ISP)程式碼(未示於第1圖)。微處理器112可執行該組系統內編程程式碼，使得資料儲存裝置100可具備各種功能。根據本發明之一實施例，該組系統內編程程式碼可包括，但不限於：一或多個與記憶體存取(例如，讀取、寫入與抹除)相關的程式模組，例如一讀取操作模組、一查找表格模組、一損耗均衡(wear leveling)模組、一讀取刷新(read refresh) 模組、一讀取回收(read reclaim)模組、一垃圾回收模組、一非預期斷電恢復(Sudden Power Off Recovery，縮寫為SPOR)模組、以及一不可更正錯誤更正碼(Uncorrectable Error Correction Code，縮寫為UECC)模組，其分別被提供用以執行對應之讀取、查找表格、損耗均衡、讀取刷新、讀取回收、垃圾回收、非預期斷電恢復以及對偵測到的UECC錯誤進行錯誤處理等操作。
記憶體介面114包含了一錯誤更正碼引擎140。錯誤更正碼引擎140內部可包含一資料緩衝器(圖未示)，用以暫存資料，以輔助錯誤更正碼引擎140對資料執行編碼與解碼操作。於將資料寫入記憶體裝置120的寫入流程中，錯誤更正碼引擎140對需被寫入記憶體裝置120的資料進行編碼，例如執行錯誤更正碼(ECC)編碼，以產生額外的奇偶位元(parity bits)。而於將資料讀出記憶體裝置120的讀取流程中，錯誤更正碼引擎140對從記憶體裝置120所讀出的資料進行解碼，用以檢測資料中的錯誤位元，並且於可更正的情況下(例如，資料中的錯誤位元數量不超過錯誤更正碼引擎140所能更正的錯誤位元數上限)，修正錯誤位元的位元值。
於典型狀況下，記憶體裝置120包含了多個記憶元件，例如多個快閃記憶體晶粒或多個快閃記憶體晶片，各記憶元件可包含複數個記憶體區塊(Block)。記憶體控制器110對記憶體裝置120進行抹除資料運作係以區塊為單位來進行。另外，一記憶體區塊可記錄(包含)特定數量的資料頁(Page)，例如，實體資料頁，其中記憶體控制器110對記憶體裝置120進行寫入資料之運作係以資料頁為單位來進行寫入。
實作上，記憶體控制器110可利用其本身內部之元件來進行諸多控制運作，例如：利用記憶體介面114來控制記憶體裝置120之存取運作(尤其是對至少一記憶體區塊或至少一資料頁之存取運作)、利用緩衝記憶體116進行所需之緩衝處理、以及利用主機介面118來與主機裝置130溝通。
在一實施例中，記憶體控制器110透過主機介面118並使用一標準通訊協定與主機裝置130溝通。舉例而言，上述之標準通訊協定包含(但不限於)：通用序列匯流排(USB)標準、SD介面標準、超高速一代 (Ultra High Speed-I，縮寫為UHS-I) 介面標準、超高速二代 (Ultra High Speed-II，縮寫為UHS-II) 介面標準、CF介面標準、MMC介面標準、eMMC介面標準、UFS介面標準、高技術組態(Advanced Technology Attachment，縮寫為ATA)標準、序列高技術組態(Serial ATA，縮寫為SATA)標準、快捷外設互聯標準(Peripheral Component Interconnect Express，縮寫為PCI-E)標準、並列先進附件(Parallel Advanced Technology Attachment，縮寫為PATA)標準等。
在一實施例中，用以提供資料緩衝之緩衝記憶體116係以隨機存取記憶體來實施。例如，緩衝記憶體116可以是靜態隨機存取記憶體，但本發明亦不限於此。於其他實施例中，緩衝記憶體116可以是動態隨機存取記憶體。
在一實施例中，資料儲存裝置100可以是可攜式記憶體裝置(例如：符合SD/MMC、CF、MS、XD標準之記憶卡、USB隨身碟等裝置)，且主機裝置130為一可與資料儲存裝置連接的電子裝置，例如手機、筆記型電腦、桌上型電腦…等等。而在另一實施例中，資料儲存裝置100可以是固態硬碟或符合UFS或eMMC規格之嵌入式儲存裝置，並且可被設置在一電子裝置中，例如設置在手機、筆記型電腦、桌上型電腦之中，而此時主機裝置130可以是該電子裝置的一處理器。
根據本發明之一實施例，記憶體控制器110的主機介面118可包括一串行器-解串器(Serializer-Deserializer，縮寫為SerDes)，用以處理接收自主機裝置之一接收訊號與傳送至主機裝置之一傳送訊號，以實現資料儲存裝置100與主機裝置130之間的高速資料傳輸。
第2圖係顯示根據本發明之一實施例所述之介面電路方塊圖。根據本發明之一實施例，介面電路200可以是一主機介面，配置於一既定裝置(例如，一資料儲存裝置)與一主機裝置之間，使主機裝置與既定裝置可透過介面電路200相互溝通，並傳送資料訊號與控制訊號等。根據本發明之一實施例，介面電路200可以是第1圖所示之配置於記憶體控制器110內之主機介面118。
介面電路200可包括依循不同層通訊協定運作的訊號處理電路210、220與230。訊號處理電路210可以是物理層訊號處理電路，用以依循物理層通訊協定處理接收自主機裝置240之一接收訊號與傳送至該主機裝置240之一傳送訊號。例如，訊號處理電路210可對接收訊號與傳送訊號執行放大或衰減、類比-數位轉換、混頻、基本的編碼或解碼、以及物理層的封包拆解等操作。訊號處理電路220可以是通訊協定層訊號處理電路，用以依循較物理層更上層之通訊協定對傳送訊號與接收訊號執行對應之訊號處理。例如，訊號處理電路220可依循行動工業處理器介面(Mobile Industry Processor Interface，MIPI)聯盟所開發的統一協定(Unified Protocol，簡稱UniPro)對傳送訊號與接收訊號執行對應之訊號處理。訊號處理電路220內部可再細分為複數層訊號處理電路，例如，與物理層訊號處理電路相接之一物理適配(Physical Adapter，縮寫PA)層訊號處理電路，以及其他層訊號處理電路。訊號處理電路230可以是應用層訊號處理電路，用以依循應用層之通訊協定執行更上層的訊號處理。
於本發明之實施例中，訊號處理電路210可以是一串行器-解串器(Serializer-Deserializer，縮寫為SerDes)或者是SerDes的物理層訊號處理電路，用以實現前述既定裝置與主機裝置之間高速的資料與訊號傳輸。
第3圖係顯示根據本發明之一實施例所述之訊號處理電路之範例方塊圖。於此實施例中，訊號處理電路300可為配置於一介面電路內之一物理層訊號處理電路，例如，一記憶體控制器之主機介面內的物理層訊號處理電路，或者訊號處理電路300可為一串行器-解串器(Serializer-Deserializer，縮寫為SerDes)，或者是一SerDes的物理層訊號處理電路，用以處理接收到的接收訊號及將被傳送的傳送訊號。
訊號處理電路300可包括複數訊號處理裝置與一校正裝置330，校正裝置330耦接多個訊號處理裝置，用以於一校正程序中依序校正各訊號處理裝置之一特性值。訊號處理電路300內之訊號處理裝置可包括: 一接收電路301、一等化電路302、一接收資料緩衝電路303、一解碼器電路304、一傳送資料緩衝電路305、一串行器(Serializer)306、一擺幅控制電路307、一傳送電路308、一低壓差穩壓器(Low DropOut Regulator)電路309、一能隙濾波器(bandgap filter)電路310、一頻率合成電路311以及一參考阻抗模組312。
值得注意的是，第3圖為一簡化的訊號處理電路示意圖，其中僅顯示出與本發明相關之元件。孰悉此技藝者均可理解，一物理層訊號處理電路也可包含許多未示於第3圖之元件，以實施對應之物理層訊號處理之功能。
於接收訊號處理路徑上，接收電路301用以自主機裝置接收訊號。等化電路302用以對接收訊號執行等化處理。等化電路302可包括一連續時間線性等化器(Continuous Time Linear Equalizer，縮寫CTLE)、一時脈資料回復(Clock Data Recovery，縮寫CDR)電路以及一解串器(Deserializer)(未示於第3圖)。連續時間線性等化器用以處理接收訊號，其為一串行訊號。時脈資料回復電路用於根據接收訊號重新產生與傳送端同步的時脈訊號，以及根據時脈訊號準確地回復接收訊號內的資料訊號內容。解串器用以將串行(Serial)的資料訊號轉換為由多個匯流排平行傳輸的並行(Parallel)訊號，用以將並行的資料訊號輸出。接收資料緩衝電路303用以緩存由等化電路302輸出的接收資料。解碼器電路304用以對接收資料進行解碼操作。解碼後的接收資料會進一步被提供至更上層之訊號處理電路，例如前述之物理適配層訊號處理電路。
於傳送訊號處理路徑上，傳送資料緩衝電路305用以緩存來自上層之訊號處理電路所提供的傳送資料，其可以是並行(Parallel)的資料訊號。串行器306用以將並行的資料訊號轉換為串行(Serial)的資料訊號。擺幅控制電路307用以控制傳送訊號的擺幅，例如，調整傳送訊號的電壓至適當的位準。傳送電路308用以將傳送訊號傳送至主機裝置。
除上述傳送/接收訊號處理路徑上的訊號處理裝置外，訊號處理電路300也包括一些共用電路，用以提供其他訊號處理裝置所需的頻率、電流、電壓、電源、或參考阻抗資訊等。低壓差穩壓器309用以提供穩定的電壓訊號。例如，提供穩定的電壓訊號給能隙濾波器電路310。能隙濾波器電路310用以過濾電壓雜訊，以提供乾淨的電壓訊號給其他訊號處理裝置(如圖中細虛線所示)。頻率合成電路311用以產生訊號處理電路300內部所需的時脈訊號，並將時脈訊號提供給其他訊號處理裝置(如圖中粗虛線所示)。於本發明之一實施例中，頻率合成電路311可由一鎖相迴路(Phase Locked Loop，縮寫為PLL)實施，用以產生一震盪訊號提供作為訊號處理電路300內部所需的時脈訊號。參考阻抗模組312可包含許多可提供做為阻抗基準的參考被動元件，例如，參考電阻、參考電容、參考電感等。由於被動元件的特性值，例如，對應之電阻值、電容值、電感值等，會因為製程變化而飄移，因此，訊號處理電路300內部會配置以相同製程製作的參考阻抗模組312，用以提供參考阻抗資訊。舉例而言，假設目前藉由串聯參考阻抗模組312內的兩個參考電阻元件可達到10K歐姆的電阻值，則此資訊可被提供做為參考阻抗資訊。若訊號處理電路300內的一個訊號處理裝置需要10K歐姆的電阻值，則可依據此資訊藉由控制其內部的開關電路串聯該裝置內的兩個電阻，若另一訊號處理裝置需要20K歐姆的電阻值，則可依據此資訊藉由控制其內部的開關電路串聯該裝置內的四個電阻。藉由同一電路內的參考阻抗資訊彈性地控制各訊號處理裝置內被動元件的耦接數量，可有效克服因製程變化所產生的特性值飄移問題。其餘被動元件的應用則以此類推。
根據本發明之一實施例，校正裝置330用以於一校正程序中依序校正多訊號處理裝置之一特性值。此外，根據本發明之一實施例，校正程序響應於至少一錯誤事件被觸發。例如，當訊號處理電路300為配置於一記憶體控制器內的訊號處理電路時，校正程序可響應於發生於記憶體控制器之至少一錯誤事件被觸發。
第4圖係顯示根據本發明之一實施例所述之校正裝置方塊圖。校正裝置400可包括一錯誤事件偵測電路410、一控制電路420與一探查電路430。錯誤事件偵測電路410用以偵測是否發生複數既定錯誤事件之至少一者。於偵測到既定錯誤事件之至少一者發生時，錯誤事件偵測電路410可產生一觸發訊號。控制電路420耦接錯誤事件偵測電路410與探查電路430，用以響應於觸發訊號開始執行一校正程序。探查電路430耦接控制電路420與複數訊號處理裝置，例如，第3圖所示之多個訊號處理裝置，探查電路430可自控制電路420接收觸發訊號，響應於觸發訊號探查各訊號處理裝置以產生對應之一探查結果。控制電路420可自探查電路430接收各訊號處理裝置所對應之探查結果，並且於校正程序中依序根據各訊號處理裝置所對應之探查結果調整各訊號處理裝置之一特性值。
根據本發明之一實施例，錯誤事件偵測電路410可藉由監測訊號處理電路內之訊號處理裝置(例如，第2圖所示之訊號處理電路210、220、230或第3圖所示之訊號處理電路300內之訊號處理裝置)是否發出特定的請求訊號、指示訊號、錯誤訊號等判斷是否既定錯誤事件已發生。根據本發明之另一實施例，訊號處理電路210、220、230、300內之訊號處理裝置也可於發出特定的請求訊號、指示訊號、錯誤訊號等的同時對校正裝置發出一通知訊號，使錯誤事件偵測電路410可響應於此通知訊號之接收判斷已發生既定錯誤事件。
根據本發明之一實施例，既定錯誤事件可以是資料儲存裝置系統內所發生或所偵測到的錯誤事件，或者將導致資料儲存裝置系統必須被斷電或重置的致命錯誤(fetal error)事件。於一實施例中，既定錯誤事件可以是於物理適配層訊號處理電路於訊號處理流程中所偵測到的錯誤等。舉例而言，當通訊協定層訊號處理電路(例如，其內部之一處理器)於處理封包時發現封包內容錯誤，可透過物理適配層訊號處理電路發出錯誤指示訊號(例如，PA_ERROR_IND)。於另一實施例中，既定錯誤事件也可以是於物理層訊號處理電路內所發生的錯誤，例如，當解碼器電路304於執行解碼操作時發生錯誤時，可向校正裝置發出符元錯誤訊號(例如，SYMBOL_ERROR)。於另一實施例中，既定錯誤事件可以是介面電路於響應於已偵測到的錯誤而執行之錯誤回復操作的事件，例如，於響應於已偵測到的錯誤，物理適配層訊號處理電路可發出電源改變請求訊號(例如，PACP_PWR_REQ)，藉此觸發一錯誤回復流程。校正裝置於偵測到電源改變請求訊號發出時，便可判斷判斷發生既定錯誤事件。
於又另一實施例中，既定錯誤事件可以是介面電路響應於已偵測到的錯誤而執行之錯誤回復操作失敗的事件，即，介面電路無法藉由執行錯誤回復操作修復已發生的錯誤的事件。例如，於物理適配層訊號處理電路無法藉由執行錯誤回復操作修復已發生的錯誤時，可發出錯誤訊號(例如，PA_INIT_ERROR)。
於再另一實施例中，既定錯誤事件也可以是指運作模式轉換的事件。例如，當介面電路或包含介面電路之記憶體控制器離開休眠模式時，由於離開休眠模式的操作容易引起較多的頻率或電壓的抖動或者頻率或電壓的不穩定，因而可能進一步引發訊號處理相關的錯誤，因此於離開休眠模式時，可向校正裝置發出離開省電模式的指示訊號(例如，Exit_Hibernate)。
於本發明之實施例中，錯誤事件偵測電路410可響應於前述特定的請求訊號、指示訊號、錯誤訊號等之監測結果判斷已是否發生既定錯誤事件，也可響應於前述通知訊號之接收判斷是否發生既定錯誤事件。於偵測到既定錯誤事件之至少一者發生時，錯誤事件偵測電路410可產生一觸發訊號，以通知控制電路420開始執行一校正程序，並且於校正程序中控制探查電路430探查各訊號處理裝置所對應之一參數值，以產生對應之一探查結果。
根據本發明之一實施例，探查電路430可包括一或多個類比數位轉換電路，用以將各訊號處理裝置所對應之參數值由類比轉為數位值。此外，探查電路430也可探查目前的電源電壓值與接地電壓值，用以作為比較參考。
於本發明之第一實施例中，探查電路430可僅包括一類比數位轉換電路，用以依序探查目前的電源電壓值、目前的接地電壓值、以及各訊號處理裝置所對應之參數值。探查電路430的探查順序可依據各訊號處理裝置於校正程序被校正的順序(將於以下段落說明)設計。因此，於本發明之第一實施例中，探查電路430內的類比數位轉換電路會被多個訊號處理裝置所共用。
於本發明之第二實施例中，探查電路430可包括複數類比數位轉換電路，其中於校正程序會被校正的各訊號處理裝置均配置一專屬的類比數位轉換電路，用以探查各訊號處理裝置所對應之參數值。此外，複數類比數位轉換電路之至少一者也會探查目前的電源電壓值與目前的接地電壓值用以作為比較參考。
於本發明之第三實施例中，探查電路430可包括複數類比數位轉換電路，其中於校正程序會被校正的部份訊號處理裝置可被配置一專屬的類比數位轉換電路，部分訊號處理裝置可共用一類比數位轉換電路。
參考回第3圖，於校正程序會被校正的訊號處理裝置可包括低壓差穩壓器電路309、能隙濾波器電路310、參考阻抗模組312、頻率合成電路311、擺幅控制電路307以及等化電路302。
對於低壓差穩壓器電路309，探查電路430可探查低壓差穩壓器電路309輸入端的輸入電壓與輸出端的輸出電壓，並由類比數位轉換電路將探查到的輸入電壓與輸出電壓轉為數位值後作為探查結果提供給控制電路420。
對於能隙濾波器電路310，探查電路430可探查能隙濾波器電路310的輸出電壓，並由類比數位轉換電路將探查到的輸出電壓轉為數位值後作為探查結果提供給控制電路420。
對於參考阻抗模組312，探查電路430可探查目前的電源電壓值、目前的接地電壓值、以及將電源電壓提供給參考阻抗模組312內一或多個藉由控制對應之開關裝置串接的各被動元件後所得的電流，並由類比數位轉換電路將探查到的電壓值與電流值轉為數位值後作為探查結果提供給控制電路420。
對於頻率合成電路311，探查電路430可探查頻率合成電路311內部之一壓控震盪器之一輸入電壓，並由類比數位轉換電路將探查到的電壓值轉為數位值後作為探查結果提供給控制電路420。
對於擺幅控制電路307，探查電路430可探查擺幅控制電路307所輸出的傳送訊號電壓，並由類比數位轉換電路將探查到的電壓值轉為數位值後作為探查結果提供給控制電路420。
對於等化電路302，探查電路430可探查等化電路302所輸出的資料訊號電壓，並由類比數位轉換電路將探查到的電壓值轉為數位值後作為探查結果提供給控制電路420。
第5圖係顯示根據本發明之一實施例所述之用以校正一介面電路內之複數訊號處理裝置之校正方法的範例流程圖。校正方法包括由校正裝置執行之以下步驟：
步驟S502：偵測是否發生複數既定錯誤事件之至少一者，並且於偵測到既定錯誤事件之至少一者發生時，產生一觸發訊號。
步驟S504：響應於觸發訊號探查各訊號處理裝置以產生對應之探查結果。
步驟S506：響應於觸發訊號於一校正程序中依序根據各訊號處理裝置所對應之探查結果校正各訊號處理裝置所對應之一特性值。
第6圖係顯示根據本發明之一實施例所述之校正程序之範例流程圖。校正程序可包括以下操作：
操作S601: 錯誤事件偵測電路410可持續偵測特定的訊號或者可待命等待訊號處理電路發出的通知訊號。特定的訊號可以是上述由訊號處理電路於偵測到錯誤發生時所發出之請求訊號、指示訊號、錯誤訊號，或者由訊號處理電路對校正裝置發出之通知訊號。
操作S602: 控制電路420根據接收到的訊號判斷是否發生複數既定錯誤事件之至少一者。若是，執行操作S603。若否，執行操作S601。
操作S603: 校正低壓差穩壓器電路309所對應的特性值。更具體的說，探查電路430可探查低壓差穩壓器電路309輸入端的輸入電壓與輸出端的輸出電壓，並將探查到的輸入電壓與輸出電壓轉為數位值後提供給控制電路420。控制電路420可計算輸入電壓與輸出電壓的電壓差，並將所得的電壓差與一目標值比較。若所得的電壓差未達目標值，則控制電路420可調整低壓差穩壓器電路309的增益值，使得輸入電壓與輸出電壓的電壓差滿足目標值。
操作S604: 校正能隙濾波器電路310所對應的特性值。更具體的說，探查電路430可探查能隙濾波器電路310的輸出電壓，並將探查到的輸出電壓轉為數位值後提供給控制電路420。控制電路420可持續自探查電路430接收能隙濾波器電路310的探測結果，以分析輸出電壓是否發生電壓抖動，以及計算電壓抖動幅度。若輸出電壓的電壓抖動幅度大於一臨界值，控制電路420可調整能隙濾波器電路310的濾波器頻寬或頻率響應，以降低輸出電壓的電壓抖動幅度。
操作S605: 校正參考阻抗模組312的參考電阻值。更具體的說，探查電路430可探查目前的電源電壓值、目前的接地電壓值、以及將電源電壓提供給一或多個串聯或並聯的電阻後探查於電阻各端點所得的電壓值或流經電阻的電流值，並將探查到的電壓值或電流值轉為數位值後提供給控制電路420。控制電路420可根據以上所得的探查結果校正參考阻抗資訊。舉例而言，控制電路420可將參考電阻值校正為目前推算出的一個參考電阻元件的阻抗值或電阻值，或者將參考電阻值校正為目前推算出要達到目標壓降所需要串聯的參考電阻元件數量。
操作S606: 校正參考阻抗模組312的參考電容值。更具體的說，探查電路430可探查目前的電源電壓值、目前的接地電壓值、以及將電源電壓提供給一或多個串聯或並聯的電容後探查於電容各端點所得的電壓值或流經電容的電流值，並將探查到的電壓值或電流值轉為數位值後提供給控制電路420。控制電路420可根據以上所得的探查結果校正參考阻抗資訊。舉例而言，控制電路420可將參考電容值校正為目前推算出的一個參考電容元件的阻抗值或電容值，或者將參考電容值校正為目前推算出要達到目標壓降所需要並聯的參考電容元件數量。
操作S607: 校正參考阻抗模組312的參考電感值。更具體的說，探查電路430可探查目前的電源電壓值、目前的接地電壓值、以及將電源電壓提供給一或多個串聯或並聯的電感後探查於電感各端點所得的電壓值或流經電感的電流值，並將探查到的電壓值或電流值轉為數位值後提供給控制電路420。控制電路420可根據以上所得的探查結果校正參考阻抗資訊。舉例而言，控制電路420可將參考電感值校正為目前推算出的一個參考電感元件的阻抗值或電感值，或者將參考電感值校正為目前推算出要達到目標壓降所需要耦接的參考電感元件數量。
操作S608: 校正頻率合成電路311所對應的特性值。更具體的說，探查電路430可探查校正頻率合成電路311內部之一壓控震盪器之一輸入電壓，並將探查到的輸入電壓轉為數位值後提供給控制電路420。控制電路420根據探查到的輸入電壓推算頻率合成電路311所產生的震盪訊號的頻率值，並且根據此結果與目標頻率值調整壓控震盪器的起振電壓。舉例而言，若目前合成的頻率值尚未到達目標頻率值，控制電路420可調高壓控震盪器的起振電壓，使頻率合成電路311所產生的震盪訊號頻率可更快到達目標頻率值。
操作S609: 校正擺幅控制電路307所對應的特性值。更具體的說，探查電路430可探查擺幅控制電路307所輸出的傳送訊號電壓，並將探查到的傳送訊號電壓轉為數位值後提供給控制電路420。控制電路420可根據探查到的傳送訊號電壓與目標傳送訊號電壓的差值調整擺幅控制電路307所輸出的傳送訊號電壓位準。
操作S610: 校正等化電路302所對應的特性值。更具體的說，探查電路430可探查等化電路302所輸出的接收訊號電壓，並將探查到的輸入電壓轉為數位值後提供給控制電路420。控制電路420可根據量測結果建立數位版本的眼圖(eye diagram)，根據眼圖內容校正連續時間線性等化器或時脈資料回復電路所使用的參數，例如，適應性地調整連續時間線性等化器的增益值。
根據本發明之一實施例，於校正程序中，擺幅控制電路307所輸出的傳送訊號可透過第3圖中訊號處理電路300內部的回授路徑313提供至接收電路301作為校正用的接收訊號，並由等化電路302對校正用的接收訊號執行等化處理。探查電路430可探查等化電路302所輸出的接收訊號電壓，並且控制電路420可計算傳送訊號與接收訊號的電壓變化，並且根據此電壓變化、目標傳送訊號電壓與眼圖內容等資訊進一步校正等化電路302與擺幅控制電路307所對應的特性值。例如，若控制電路420無法根據接收訊號建立起清晰的眼圖，代表傳送訊號的電壓位準可能不足，進而導致訊號無法抵抗傳送通道的干擾或衰減，因此，控制電路420可提高傳送訊號的電壓位準。
於本發明之實施例中，於校正程序中，控制電路420可先對不易受其他參數之調整而影響的訊號處理裝置執行校正操作，接著再對其餘訊號處理裝置執行校正操作。舉例而言，控制電路420可先對穩壓器電路(例如，低壓差穩壓器電路309)與能隙濾波器電路(例如，能隙濾波器電路310)執行校正操作，以得到適當的輸出電壓，再對需自穩壓器電路與能隙濾波器電路取得電源訊號的頻率合成電路(例如，頻率合成電路311，其透過)執行校正操作。
綜上所述，藉由本發明所提出之校正裝置與校正方法，可有效率地校正串行器-解串器內部訊號處理元件的特性值，以避免各元件因特性值的偏移而產生頻率或電壓的抖動，進而最終造成系統發生致命錯誤的問題。 以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
100:資料儲存裝置 110:記憶體控制器 112:微處理器 112C:程式碼 112M:唯讀記憶體 114:記憶體介面 116:緩衝記憶體 118:主機介面 120:記憶體裝置 130,240:主機裝置 140:錯誤更正碼引擎 200:介面電路 210,220,230,300:訊號處理電路 301:接收電路 302:等化電路 303:接收資料緩衝電路 304:解碼器電路 305:傳送資料緩衝電路 306:串行器 307:擺幅控制電路 308:傳送電路 309:低壓差穩壓器電路 310:能隙濾波器電路 311:頻率合成電路 312:參考阻抗模組 313:回授路徑 330,400:校正裝置 410:錯誤事件偵測電路 420:控制電路 430:探查電路
第1圖係顯示根據本發明之一實施例所述之資料儲存裝置的方塊圖範例。 第2圖係顯示根據本發明之一實施例所述之介面電路方塊圖。 第3圖係顯示根據本發明之一實施例所述之訊號處理電路之範例方塊圖。 第4圖係顯示根據本發明之一實施例所述之校正裝置方塊圖。 第5圖係顯示根據本發明之一實施例所述之用以校正一介面電路內之複數訊號處理裝置之校正方法的範例流程圖。 第6圖係顯示根據本發明之一實施例所述之校正程序之範例流程圖。
400:校正裝置
410:錯誤事件偵測電路
420:控制電路
430:探查電路

Claims (12)

  1. 一種介面電路，包括： 一訊號處理電路，用以處理接收自一主機裝置之一接收訊號與傳送至該主機裝置之一傳送訊號，該訊號處理電路包括： 複數訊號處理裝置；以及 一校正裝置，耦接該等訊號處理裝置，用以於一校正程序中依序校正各訊號處理裝置之一特性值。
  2. 如請求項1所述之介面電路，其中該介面電路配置於一記憶體控制器內，並且該校正程序響應於該記憶體控制器之至少一錯誤事件被觸發。
  3. 如請求項1所述之介面電路，其中該校正裝置包括： 一錯誤事件偵測電路，用以偵測是否發生複數既定錯誤事件之至少一者，並且於偵測到該等既定錯誤事件之至少一者發生時，產生一觸發訊號； 一探查電路，用以響應於該觸發訊號探查各訊號處理裝置以產生對應之一探查結果；以及 一控制電路，耦接該錯誤事件偵測電路與該探查電路，用以響應於該觸發訊號執行該校正程序，並且於該校正程序中依序根據各訊號處理裝置所對應之該探查結果調整各訊號處理裝置之該特性值。
  4. 如請求項1所述之介面電路，其中該訊號處理電路為一串行器-解串器(Serializer-Deserializer，縮寫為SerDes)。
  5. 如請求項1所述之介面電路，其中該等訊號處理裝置包括一穩壓器電路與一頻率合成電路，於該校正程序中，該控制電路先校正該穩壓器電路，再校正該頻率合成電路。
  6. 一種記憶體控制器，耦接一記憶體裝置，用以控制該記憶體裝置的存取操作，包括： 一主機介面，用以與一主機裝置溝通，包括一訊號處理電路，用以處理接收自該主機裝置之一接收訊號與傳送至該主機裝置之一傳送訊號， 其中該訊號處理電路包括： 複數訊號處理裝置；以及 一校正裝置，耦接該等訊號處理裝置，用以於一校正程序中依序校正各訊號處理裝置之一特性值， 其中響應於一觸發訊號，該校正裝置取得各訊號處理裝置之一探查結果，並且根據各訊號處理裝置之該探查結果校正對應之該特性值。
  7. 如請求項6所述之記憶體控制器，其中該校正程序響應於該記憶體控制器之至少一錯誤事件被觸發。
  8. 如請求項6所述之記憶體控制器，其中該校正裝置包括： 一錯誤事件偵測電路，用以偵測是否發生複數既定錯誤事件之至少一者，並且於偵測到該等既定錯誤事件之至少一者發生時，產生一觸發訊號； 一探查電路，用以響應於該觸發訊號探查各訊號處理裝置以產生對應之該探查結果；以及 一控制電路，耦接該錯誤事件偵測電路與該探查電路，用以響應於該觸發訊號執行該校正程序，並且於該校正程序中依序根據各訊號處理裝置所對應之該探查結果調整各訊號處理裝置之該特性值。
  9. 如請求項6所述之記憶體控制器，其中該訊號處理電路為一串行器-解串器(Serializer-Deserializer，縮寫為SerDes)。
  10. 如請求項6所述之記憶體控制器，其中該等訊號處理裝置包括： 一第一訊號處理裝置; 以及 一第二訊號處理裝置，其中該第二訊號處理裝置自該第一訊號處理裝置取得一電源訊號， 於該校正程序中，該控制電路先校正該第一訊號處理裝置，再校正該第二訊號處理裝置。
  11. 一種校正方法，用以校正一介面電路內之複數訊號處理裝置，包括： 偵測是否發生複數既定錯誤事件之至少一者，並且於偵測到該等既定錯誤事件之至少一者發生時，產生一觸發訊號； 響應於該觸發訊號探查各訊號處理裝置以產生對應之一探查結果；以及 響應於該觸發訊號於一校正程序中依序根據各訊號處理裝置所對應之該探查結果校正各訊號處理裝置所對應之一特性值。
  12. 如請求項11所述之校正方法，其中該介面電路配置於一記憶體控制器內，並且該等既定錯誤事件為發生於該記憶體控制器之錯誤事件。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI823812B (zh) * 2023-04-25 2023-11-21 慧榮科技股份有限公司 介面電路、記憶體控制器與校正方法
TWI838229B (zh) * 2023-04-25 2024-04-01 慧榮科技股份有限公司 介面電路與記憶體控制器

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110179315A1 (en) * 2010-01-21 2011-07-21 Brocade Communications Systems, Inc. Serdes link error management
US9342471B2 (en) * 2010-01-29 2016-05-17 Mosys, Inc. High utilization multi-partitioned serial memory
US20190028236A1 (en) * 2017-07-21 2019-01-24 Davide Tonietto Fec driven link optimization
WO2017052661A1 (en) * 2015-09-26 2017-03-30 Intel Corporation Multichip package link error detection
US10162781B2 (en) * 2016-06-01 2018-12-25 Micron Technology, Inc. Logic component switch
US10467177B2 (en) * 2017-12-08 2019-11-05 Kandou Labs, S.A. High speed memory interface
US10693589B2 (en) * 2018-06-18 2020-06-23 Huawei Technologies Co., Ltd. Serdes with jitter injection self stress mechanism
US11216333B2 (en) * 2018-10-16 2022-01-04 Micron Technology, Inc. Methods and devices for error correction

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