TW202323392A - 改質聚苯并噁唑、改質聚苯并噁唑片材、清潔片、及具清潔功能之搬送構件 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種彈性模數之溫度依賴性較小之改質聚苯并噁唑及改質聚苯并噁唑片材，該改質聚苯并噁唑可較佳地用以形成清潔片材，該清潔片材可適切地用於搬送至基板處理裝置內之搬送構件。又，提供一種彈性模數之溫度依賴性較小之清潔片材，該清潔片材具備此種改質聚苯并噁唑片材作為清潔層。進而，提供一種具清潔功能之搬送構件，該搬送構件具有此種清潔片材及搬送構件。 本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑具有苯并噁唑環結構及2個以上之醯胺鍵，且於0℃～100℃之範圍內、1 Hz下之儲存模數為200 MPa～2000 MPa。

Description

改質聚苯并噁唑、改質聚苯并噁唑片材、清潔片、及具清潔功能之搬送構件
本發明係關於一種改質聚苯并噁唑、改質聚苯并噁唑片材、清潔片材、及具清潔功能之搬送構件。
於半導體、平板顯示器、印刷基板等之製造裝置或檢查裝置等避忌異物之各種基板處理裝置中，一面使搬送裝置(具代表性的是工作盤等)與基板物理接觸一面進行搬送。此時，若異物附著於搬送裝置，則後續之基板會陸續受到污染，因此需要定期停止裝置而進行洗淨處理。結果，存在處理裝置之運轉率降低之問題或裝置之洗淨處理費時費力之問題。
為了解決上述問題，提出有一種藉由將板狀構件搬送至基板處理裝置內來去除附著於搬送裝置之異物之方法(參照專利文獻1)。根據該方法，不需要停止基板處理裝置而進行洗淨處理，因此消除了處理裝置之運轉率降低之問題。然而，根據該方法，無法充分去除附著於搬送裝置之異物。
另一方面，提出有一種藉由將黏附有黏著性物質之基板作為清潔構件搬送至基板處理裝置內來去除附著於搬送裝置之異物之方法(參照專利文獻2)。與專利文獻1中記載之方法相比，該方法之異物去除性優異。然而，於專利文獻2中記載之方法中，可能會產生黏著性物質與搬送裝置之接觸部分過於牢固地接著而無法分離之問題。結果，可能會產生無法確實地搬送黏附有黏著性物質之基板之問題、使搬送裝置破損之問題、以及污染搬送裝置之問題。另一方面，當黏著性物質與搬送裝置之密接力變得過小時，可能會產生清潔構件之異物去除性降低而無法獲得充分之清潔效果之問題。
作為解決如上所述之各種問題等之方法，本申請人報告了一種清潔片材，該清潔片材具備包含具有特定軟鏈段之改質聚苯并噁唑之清潔層(專利文獻3)。
此處，清潔片材較佳為可用溫度範圍較廣。並且，為了確保清潔片材之可用溫度範圍較廣，較佳為清潔片材之彈性模數之溫度依賴性較小。例如，於因彈性模數之溫度依賴性較大而使清潔片材之彈性降低之情形時，若用於搬送至基板處理裝置內之搬送構件，則有時會吸附於工作台。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平11-87458號公報 [專利文獻2]日本專利特開平10-154686號公報 [專利文獻3]日本專利特開2021-86875號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明之課題在於提供一種彈性模數之溫度依賴性較小之改質聚苯并噁唑及改質聚苯并噁唑片材，該改質聚苯并噁唑可較佳地用以形成清潔片材，該清潔片材可適切地用於搬送至基板處理裝置內之搬送構件。又，提供一種彈性模數之溫度依賴性較小之清潔片材，該清潔片材具備此種改質聚苯并噁唑片材作為清潔層。進而，提供一種具清潔功能之搬送構件，該搬送構件具有此種清潔片材及搬送構件。 [解決問題之技術手段]
本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑具有苯并噁唑環結構及2個以上之醯胺鍵，且於0℃～100℃之範圍內、1 Hz下之儲存模數為200 MPa～2000 MPa。
於一實施方式中，上述於0℃～100℃之範圍內、1 Hz下之儲存模數之變化率為50%以下。
於一實施方式中，本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑於25℃下、0.001 Hz～1 Hz之範圍內之儲存模數之變化率為50%以下。
於一實施方式中，上述2個以上之醯胺鍵為來自多胺之醯胺鍵。
於一實施方式中，上述多胺為選自由具有聚醚結構之二胺化合物、脂肪族二胺、及芳香族二胺所組成之群中之至少一種。
本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑片材包含本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑。
本發明之實施方式之清潔片材具備清潔層，且該清潔層為本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑片材。
於一實施方式中，本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑片材包含黏著劑層。
於一實施方式中，本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑片材包含支持體。
本發明之實施方式之具清潔功能之搬送構件具有本發明之實施方式之清潔片材及搬送構件。
根據本發明，可提供一種彈性模數之溫度依賴性較小之改質聚苯并噁唑及改質聚苯并噁唑片材，該改質聚苯并噁唑可較佳地用以形成清潔片材，該清潔片材可適切地用於搬送至基板處理裝置內之搬送構件。又，可提供一種彈性模數之溫度依賴性較小之清潔片材，該清潔片材具備此種改質聚苯并噁唑片材作為清潔層。進而，可提供一種具清潔功能之搬送構件，該搬送構件具有此種清潔片材及搬送構件。
《《1.改質聚苯并噁唑》》 本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑可較佳地用以形成清潔片材，該清潔片材可適切地用於搬送至基板處理裝置內之搬送構件。然而，只要為可有效利用本發明之效果之用途，則亦可用於上述以外之任意適當之目的。
本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑於0℃～100℃之範圍內、1 Hz下之儲存模數為200 MPa～2000 MPa。這意味著儲存模數於0℃～100℃之寬溫度範圍內被調節為200 MPa～2000 MPa之窄範圍內。因此，本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑之彈性模數之溫度依賴性較小。
本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑於0℃～100℃之範圍內、1 Hz下之儲存模數如上所述為200 MPa～2000 MPa，較佳為500 MPa～1900 MPa，更佳為800 MPa～1800 MPa。若本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑於0℃～100℃之範圍內、1 Hz下之儲存模數為上述範圍內，則本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑之彈性模數之溫度依賴性較小，可表現出顯示穩定之清潔性能而不受清潔對象台面之溫度條件(具代表性的是0℃～100℃)影響之效果。於本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑於0℃～100℃之範圍內、1 Hz下之儲存模數為未達200 MPa之情形時，當應用於清潔片材時，清潔片材顯示低彈性模數，因此有轉印至被清潔側，反而造成污染之虞。於本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑於0℃～100℃之範圍內、1 Hz下之儲存模數超過2000 MPa之情形時，當應用於清潔片材時，要捕獲之顆粒之包埋性不足，從而無法充分表現清潔性能。再者，於0℃～100℃之範圍內、1 Hz下之儲存模數係藉由下述方法測定。
本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑於0℃～100℃之範圍內、1 Hz下之儲存模數之變化率較佳為50%以下，更佳為40%以下，進而較佳為30%以下。若本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑於0℃～100℃之範圍內、1 Hz下之儲存模數之變化率為上述範圍內，則本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑之彈性模數之溫度依賴性更小。若本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑於0℃～100℃之範圍內、1 Hz下之儲存模數之變化率偏離上述範圍而過大，則根據清潔對象台面之溫度條件(具代表性的是0℃～100℃)而有時清潔片材會顯示低彈性模數，因此有於被清潔側產生黏附或者於剝離後清潔片材轉印至被清潔側，反而造成污染之虞。再者，於0℃～100℃之範圍內、1 Hz下之儲存模數之變化率係藉由下述方法測定。
本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑於25℃下、0.001 Hz～1 Hz之範圍內之儲存模數較佳為200 MPa～2000 MPa，更佳為500 MPa～1900 MPa，進而較佳為800 MPa～1800 MPa。若本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑於25℃下、0.001 Hz～1 Hz之範圍內之儲存模數為上述範圍內時，本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑之彈性模數之速度依賴性較小，可表現出顯示穩定之清潔性能而不受清潔對象台面之速度條件例如清潔片材對台面之吸附速度及吸附保持時間等之影響之效果。於本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑於25℃下、0.001 Hz～1 Hz之範圍內之儲存模數未達200 MPa之情形時，當應用於清潔片材時，清潔片材顯示低彈性模數，因此有轉印至被清潔側，反而造成污染之虞。於本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑於25℃下、0.001 Hz～1 Hz之範圍內之儲存模數超過2000 MPa之情形時，當應用於清潔片材時，有要捕獲之顆粒之包埋性不足，從而無法充分表現清潔性能之虞。再者，於25℃下、0.001 Hz～1 Hz之範圍內之儲存模數係藉由下述方法測定。
本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑於25℃下、0.001 Hz～1 Hz之範圍內之儲存模數之變化率較佳為50%以下，更佳為40%以下，進而較佳為30%以下。若本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑於25℃下、0.001 Hz～1 Hz之範圍內之儲存模數之變化率為上述範圍內，則本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑可顯示穩定之清潔性能而不受清潔對象台面之速度條件例如清潔片材對台面之吸附速度及吸附保持時間等之影響。若本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑於25℃下、0.001 Hz～1 Hz之範圍內之儲存模數之變化率偏離上述範圍而過大，則根據清潔對象台面之速度條件而有時清潔片材顯示低彈性模數，因此有於被清潔側產生黏附或者於剝離後清潔片材轉印至被清潔側，反而造成污染之虞。再者，於25℃下、0.001 Hz～1 Hz之範圍內之儲存模數之變化率係藉由下述方法測定。
本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑之Tg較佳為100℃以上，更佳為120℃以上，進而較佳為150℃以上。若本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑之Tg為上述範圍內，則本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑可顯示穩定之清潔性能而不受清潔對象台面之溫度條件(具代表性的是0℃～100℃)影響。若本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑之Tg偏離上述範圍而過小，則根據清潔對象台面之溫度條件(具代表性的是0℃～100℃)而有時清潔片材顯示低彈性模數，因此有於被清潔側產生黏附或者於剝離後清潔片材轉印至被清潔側，反而造成污染之虞。再者，Tg係藉由下述方法測定。
本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑根據TG-DTA(Thermo Gravimetric-Differential Thermal Analysis，熱重-差熱分析)分析之於1%重量損失時之TG較佳為350℃以上。若本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑根據TG-DTA分析之於1%重量損失時之TG為上述範圍內，則本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑於清潔時不發生熱分解，可抑制因釋氣而造成之裝置內污染。若本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑根據TG-DTA分析之於1%重量損失時之TG偏離上述範圍而過大，則有於清潔時發生熱分解，從而產生因釋氣而造成之裝置內污染之虞。再者，根據TG -DTA分析之於1%重量損失時之TG係藉由下述方法測定。
本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑根據TG-DTA分析之於5%重量損失時之TG較佳為400℃以上，更佳為420℃以上。若本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑根據TG-DTA分析之於5%重量損失時之TG為上述範圍內，則本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑於清潔時不發生熱分解，可抑制因釋氣而造成之裝置內污染。若本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑根據TG-DTA分析之於5%重量損失時之TG偏離上述範圍而過大，則有於清潔時發生熱分解，從而產生因釋氣而造成之裝置內污染之虞。再者，根據TG-DTA分析之於5%重量損失時之TG係藉由下述方法測定。
本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑之吸水率較佳為0.1%以下。若本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑之吸水率為上述範圍內，則本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑於保管中之彈性模數及吸附力等特性之變化較小，並且亦可抑制於減壓環境中用作清潔片材時從水中釋氣。若本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑之吸水率偏離上述範圍而過大，則有因吸水而導致彈性模數及吸附力發生變化之虞或者於減壓環境中之使用過程中從水中釋氣之虞。再者，吸水率係藉由下述方法測定。
本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑於25℃下之吸附力較佳為-0.8 μN～-0.3 μN，更佳為-0.7 μN～-0.4 μN。若本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑於25℃下之吸附力為上述範圍內，則本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑於應用於例如清潔片材時，可表現出更優異之異物去除性能及更優異之污染抑制性能。若本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑於25℃下之吸附力偏離上述範圍而過小，則於應用於例如清潔片材時，有無法充分表現出污染抑制性能之虞。若本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑於25℃下之吸附力偏離上述範圍而過大，則於應用於例如清潔片材時，有無法充分表現出異物去除性能之虞。再者，25℃下之吸附力係藉由下述方法測定。
本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑具有苯并噁唑環結構及2個以上之醯胺鍵。
本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑所具有之醯胺鍵之數量較佳為2個～4個，更佳為2個～3個，進而較佳為2個。
本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑所具有之2個以上之醯胺鍵較佳為來自多胺之醯胺鍵。此處所謂之多胺意指具有兩個以上之胺基之胺。作為胺基，可例舉選自由一級胺基、二級胺基、及三級胺基所組成之群中之至少一種，就可進一步表現本發明之效果而言，較佳為選自由一級胺基及二級胺基所組成之群中之至少一種，更佳為一級胺基。
多胺可僅為1種，亦可為2種以上之混合物。
作為多胺，只要為具有兩個以上之胺基之胺即可，於不損害本發明之效果之範圍內，可採用任意適當之多胺。就可進一步表現本發明之效果之方面而言，作為多胺，例如可例舉具有聚醚結構之二胺化合物(下文有時稱為PE二胺化合物)、脂肪族二胺、及芳香族二胺。
就可更進一步地表現出本發明之效果而言，作為多胺，可較佳地例舉由通式(1)表示之脂肪族二胺。若採用由通式(1)表示之脂肪族二胺作為脂肪族二胺，本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑可於主鏈及側鏈具備長鏈烷基，藉由於主鏈及側鏈具備長鏈烷基而使得自由體積能夠增加，因此能夠降低彈性，可有助於減小彈性模數之溫度依賴性。此外，藉由本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑於側鏈具備長鏈烷基，該側鏈可與其他分子鏈纏繞而構建擬似交聯結構，因此能夠提高Tg，可有助於減小彈性模數之溫度依賴性。
Figure 02_image001
通式(1)中，X為y員環結構之烴基，y為4～8，-C mH 2m-NH 2基及-C nH 2n-NH 2基為與X鍵結之長鏈烷基胺基，m為6～12，n為6～12，-C pH 2p+1基及-C qH 2q+1基為與X鍵結之長鏈烷基，p為6～12，q為6～12，Y為與X鍵結之碳數6～12之長鏈烷基，a為與X鍵結之Y之數量，a為0～4，a個Y可為彼此相同之長鏈烷基或亦可為彼此不同之長鏈烷基，Y表示為-C rH 2r+1基，r為6～12。又，長鏈烷基亦可包含支鏈。
於採用由通式(1)表示之脂肪族二胺作為多胺之情形時，該由通式(1)表示之脂肪族二胺可僅為1種，亦可為2種以上之混合物。
就可進一步表現本發明之效果之方面而言，通式(1)中之y較佳為5～7，更佳為6。即，通式(1)中之X之較佳之實施方式係六員環結構之烴基(環己基)。
就可進一步表現本發明之效果之方面而言，通式(1)中之m較佳為6～10，更佳為6～8，進而較佳為8。
就可進一步表現本發明之效果之方面而言，通式(1)中之n較佳為6～10，更佳為6～8，進而較佳為6。
就可進一步表現本發明之效果之方面而言，通式(1)中之p較佳為6～10，更佳為6～8，進而較佳為8。
就可進一步表現本發明之效果之方面而言，通式(1)中之q較佳為6～10，更佳為6～8，進而較佳為8。
就可進一步表現本發明之效果之方面而言，通式(1)中之r較佳為6～10，更佳為6～8，進而較佳為8。
就可進一步表現本發明之效果之方面而言，通式(1)中之a較佳為0～2，更佳為0。
就可進一步表現本發明之效果之方面而言，由通式(1)表示之脂肪族二胺之較佳之實施方式如下：X為六員環結構之烴基(環己基)，m為6～8，n為6～8，p為6～8，q為6～8，a為0，更佳之實施方式如下：X為六員環結構之烴基(環己基)，m為8，n為6，p為8，q為8。
作為由通式(1)表示之脂肪族二胺，代表性地可例舉二聚二胺，作為市售品，例如可例舉Croda公司製造之商品名「Priamine 1075」。
本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑較佳為包含由通式(2)表示之結構單元及由通式(3)表示之結構單元。藉由本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑包含由通式(3)表示之結構單元，可於主鏈及側鏈具備長鏈烷基，使得自由體積能夠增加，因此能夠降低彈性，可有助於減小彈性模數之溫度依賴性。藉由於側鏈具備長鏈烷基，該側鏈可與其他分子鏈纏繞而構建擬似交聯結構，因此能夠提高Tg，可有助於減小彈性模數之溫度依賴性。
Figure 02_image003
通式(2)中，R 1、R 2分別獨立地為CH 2、C(CH 3) 2、C(CF 3) 2、O或單鍵。
Figure 02_image005
通式(3)中，R 2為CH 2、C(CH 3) 2、C(CF 3) 2、O或單鍵，X為y員環結構之烴基，y為4～8，C mH 2m為長鏈伸烷基鏈，m為6～12，C nH 2n為長鏈伸烷基鏈，n為6～12，-C pH 2p+1基及-C qH 2q+1基為與X鍵結之長鏈烷基，p為6～12，q為6～12。又，上述長鏈伸烷基鏈及長鏈烷基可分別包含支鏈。
本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑中可包含之由通式(2)表示之結構單元及由通式(3)表示之結構單元分別可僅為一種，亦可為兩種以上。
就可進一步表現本發明之效果之方面而言，通式(3)中之y較佳為5～7，更佳為6。即，通式(3)中之X之較佳之實施方式係六員環結構之烴基(環己基)。
就可進一步表現本發明之效果之方面而言，通式(3)中之m較佳為6～10，更佳為6～8，進而較佳為8。
就可進一步表現本發明之效果之方面而言，通式(3)中之n較佳為6～10，更佳為6～8，進而較佳為6。
就可進一步表現本發明之效果之方面而言，通式(3)中之p較佳為6～10，更佳為6～8，進而較佳為8。
就可進一步表現本發明之效果之方面而言，通式(3)中之q較佳為6～10，更佳為6～8，進而較佳為8。
就可進一步表現本發明之效果之方面而言，通式(3)中之r較佳為6～10，更佳為6～8，進而較佳為8。
就可進一步表現本發明之效果之方面而言，通式(3)中之a較佳為0～2，更佳為0。
就可進一步表現本發明之效果之方面而言，由通式(3)表示之結構單元之較佳之實施方式如下：X為六員環結構之烴基(環己基)，m為6～8，n為6～8，p為6～8，q為6～8，a為0，更佳之實施方式如下：X為六員環結構之烴基(環己基)，m為8，n為6，p為8，q為8。
於不損害本發明之效果之範圍內，本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑可藉由任意合適之方法製造。本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑代表性地藉由使由通式(4)表示之雙(2-胺基苯酚)化合物、由通式(5)表示之雙(氯羰基)二苯基化合物及由通式(1)表示之脂肪族二胺反應來製造。
Figure 02_image007
通式(4)中，R 1表示CH 2、C(CH 3) 2、C(CF 3) 2、O或單鍵。
Figure 02_image009
通式(5)中，R 2表示CH 2、C(CH 3) 2、C(CF 3) 2、O或單鍵。
於使由通式(4)表示之雙(2-胺基苯酚)化合物、由通式(5)表示之雙(氯羰基)二苯基化合物及由通式(1)表示之脂肪族二胺反應來製造本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑之情形時，關於由通式(1)表示之脂肪族二胺之調配比率，相對於胺之合計量、即由通式(4)表示之雙(2-胺基苯酚)化合物及由通式(1)表示之脂肪族二胺之合計量100莫耳%，以莫耳比率計，較佳為6莫耳%～49莫耳%，更佳為7莫耳%～47莫耳%，進而較佳為8莫耳%～45莫耳%，尤佳為9莫耳%～42莫耳%，最佳為10莫耳%～40莫耳%。
於使由通式(4)表示之雙(2-胺基苯酚)化合物、由通式(5)表示之雙(氯羰基)二苯基化合物及由通式(1)表示之脂肪族二胺反應來製造本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑之情形時，關於由通式(5)表示之雙(氯羰基)二苯基化合物相對於由通式(1)表示之脂肪族二胺及由通式(4)表示之雙(2-胺基苯酚)化合物之合計量、即胺之合計量之調配比率，相對於由通式(1)表示之脂肪族二胺及由通式(4)表示之雙(2-胺基苯酚)化合物之合計量100莫耳%，以莫耳比率計，由通式(5)表示之雙(氯羰基)二苯基化合物較佳為70莫耳%～130莫耳%，更佳為80莫耳%～120莫耳%，進而較佳為90莫耳%～110莫耳%。
《《2.改質聚苯并噁唑片材》》 本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑片材包含本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑。本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑片材中之本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑之含有比率較佳為50質量%～100質量%，更佳為70質量%～100質量%，進而較佳為90質量%～100質量%，尤佳為95質量%～100質量%，最佳為實質上為100質量%。
於不損害本發明之效果之範圍內，於本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑片材中可包含任意合適之其他成分。作為此種其他成分，可例舉：除聚苯并噁唑之外之耐熱性樹脂、表面活性劑、塑化劑、抗氧化劑、導電性賦予劑、紫外線吸收劑、光穩定劑等。
本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑片材代表性地藉由使本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑形成為片狀而獲得。本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑片材代表性地藉由將本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑之清漆塗敷於任意合適之基材上並藉由加熱去除溶劑而形成。
本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑片材之厚度可根據其使用目的而採用任意合適之厚度。
於本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑片材以本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑作為主成分之情形時，即，於本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑片材中之本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑之含有比率較佳為90質量%～100質量%，更佳為93質量%～100質量%，進而較佳為95質量%～100質量%，尤佳為98質量%～100質量%，最佳為實質上為100質量%之情形時，顯示出與本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑相同之特性，較佳為顯示出與本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑相同之於0℃～100℃之範圍內、1 Hz下之儲存模數，於0℃～100℃之範圍內、1 Hz下之儲存模數之變化率，於25℃下、0.001 Hz～1 Hz之範圍內之儲存模數之變化率，Tg，根據TG-DTA分析之於1%重量損失時之TG，根據TG-DTA分析之於5%重量損失時之TG，吸水率及25℃下之吸附力。
《《3.清潔片材》》 本發明之實施方式之清潔片材具備清潔層，且該清潔層為本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑片材。
本發明之實施方式之清潔片材具備清潔層。本發明之實施方式之清潔片材可僅包含清潔層，亦可具有其他層。
圖1係表示本發明之實施方式之清潔片材之一實施方式之概略剖視圖。圖1中，清潔片材100具有清潔層10及保護膜20。保護膜20可出於保護清潔層10等之目的而設置，亦可根據目的而省略。即，本發明之實施方式之清潔片材可僅包含清潔層10。
圖2係表示本發明之實施方式之清潔片材之另一實施方式之概略剖視圖。圖2中，清潔片材100具有保護膜20、清潔層10及黏著劑層30。保護膜20例如可出於保護清潔層10等之目的而設置，亦可根據目的而省略。
圖3係表示本發明之實施方式之清潔片材之又一實施方式之概略剖視圖。圖3中，清潔片材100具有保護膜20、清潔層10、支持體40及黏著劑層30。保護膜20可出於保護清潔層10等之目的而設置，亦可根據目的而省略。
本發明之實施方式之清潔片材之厚度可根據其構成(尤其是，是否具有支持體或黏著劑層，以及該等之厚度為何種程度等)採用任意合適之厚度。
本發明之實施方式之清潔片材較佳為耐熱性優異，即使於高溫環境下亦能夠充分地使用。作為此種高溫環境，較佳為150℃以上，更佳為200℃以上，進而較佳為250℃以上，進而較佳為300℃以上，尤佳為350℃以上。
清潔層係本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑片材，因此顯示出與本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑片材相同之特性，較佳為顯示出與本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑片材相同之於0℃～100℃之範圍內、1 Hz下之儲存模數，於0℃～100℃之範圍內、1 Hz下之儲存模數之變化率，於25℃下、0.001 Hz～1 Hz之範圍內之儲存模數之變化率，Tg，根據TG-DTA分析之於1%重量損失時之TG，根據TG-DTA分析之於5%重量損失時之TG，吸水率及25℃下之吸附力。
清潔層之厚度較佳為1 μm～500 μm，更佳為3 μm～100 μm，進而較佳為5 μm～50 μm。藉由清潔層之厚度為上述範圍內，可提供可適切地用於搬送至基板處理裝置內之搬送構件之清潔片材。
清潔層實質上不具有黏著力。即，例如，由黏著性物質形成之清潔層及藉由固定黏著帶而形成之清潔層被排除於本發明中之清潔層之外。若本發明之清潔片材具備實質上具有黏著力之清潔層，則有該清潔層與例如基板處理裝置內之搬送裝置之接觸部分過於牢固地接著而無法分離之虞。結果，有無法確實地搬送基板之問題或使搬送裝置破損之問題。
如上所述，清潔層實質上不具有黏著力。具體而言，對於矽晶圓之鏡面之JIS-Z-0237中規定之180°剝離黏著力A較佳為未達0.20 N/10 mm，更佳為0.01 N/10 mm～0.10 N/10 mm。若清潔層對於矽晶圓之鏡面之JIS-Z-0237中規定之180°剝離黏著力A為此種範圍內，則清潔層實質上不具有黏著力，該清潔層與例如基板處理裝置內之搬送裝置之接觸部分之黏著性可降低，結果，可確實地搬送基板，並且搬送裝置可變得不易破損。
清潔層對於虛設晶圓之鏡面之JIS-Z-0237中規定之180°剝離黏著力B較佳為10 N/10 mm以上，更佳為15 N/10 mm以上，進而較佳為20 N/10 mm以上，尤佳為25 N/10 mm以上，最佳為30 N/10 mm以上。若清潔層對於虛設晶圓之鏡面之JIS-Z-0237中規定之180°剝離黏著力B為上述範圍內，則例如清潔層與虛設晶圓等搬送構件之密接性變高，於清潔期間清潔層難以自虛設晶圓等搬送構件剝離。
清潔層對於虛設晶圓之鏡面之JIS-Z-0237中規定之180°剝離黏著力B例如可藉由下述方式測定：於作為虛設晶圓之矽晶圓之鏡面上形成清潔層，根據JIS-Z-0237測定。
本發明之實施方式之清潔片材可具備支持體。支持體可為單層，亦可為多層體。
於不損害本發明之效果之範圍內，支持體之厚度可採用任意合適之厚度。此種厚度較佳為500 μm以下，更佳為1 μm～400 μm，進而較佳為1 μm～300 μm，尤佳為1 μm～200 μm，最佳為1 μm～100 μm。
於不損害本發明之效果之範圍內，支持體可採用任意合適之支持體。作為此種支持體，例如可例舉：塑膠、工程塑膠及超級工程塑膠之膜。作為塑膠、工程塑膠及超級工程塑膠之具體例，可例舉：聚醯亞胺、聚乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、乙醯纖維素、聚碳酸酯、聚丙烯、聚醯胺等。
支持體之材料之分子量等各種物性可根據目的適當地選擇。
支持體之成形方法可根據目的適當地選擇。
對於支持體之表面，為了提高與相鄰層之密接性、保持性等，可實施慣用之表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、電離輻射處理等化學或物理處理、利用底塗劑之塗佈處理等。
本發明之實施方式之清潔片材可具備黏著劑層。作為此種黏著劑層之材料，於不損害本發明之效果之範圍內，可採用任意合適之材料。作為此種黏著劑層之材料，例如可採用丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、橡膠系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑等。
設置黏著劑層用於例如將清潔片材貼附於虛設晶圓之鏡面。藉由，將本發明之清潔片材貼附於作為搬送構件之虛設晶圓，從而可獲得本發明之具清潔功能之搬送構件。
黏著劑層對於虛設晶圓之鏡面之JIS-Z-0237中規定之180°剝離黏著力C較佳為10 N/10 mm以上，更佳為15 N/10 mm以上，進而較佳為20 N/10 mm以上，尤佳為25 N/10 mm以上，最佳為30 N/10 mm以上。若黏著劑層對於虛設晶圓之鏡面之JIS-Z-0237中規定之180°剝離黏著力C為上述範圍內，則例如黏著劑層與虛設晶圓之密接力變高，於清潔期間清潔片材難以自虛設晶圓剝離。
黏著劑層之厚度較佳為1 μm～200 μm，更佳為2 μm～100 μm，進而較佳為3 μm～80 μm，尤佳為4 μm～60 μm，最佳為5 μm～50 μm。
本發明之實施方式之清潔片材可具備保護膜，用於保護清潔層、支持體或黏著劑層等。可於適當之階段剝離保護膜。
於不損害本發明之效果之範圍內，可採用任意合適之膜作為保護膜。作為此種膜之材料，例如可例舉：聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯等聚烯烴類、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚胺基甲酸酯、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、氟樹脂等。
於不損害本發明之效果之範圍內，保護膜可實施任意合適之剝離處理。剝離處理代表性地使用剝離劑來進行。作為剝離劑，例如可例舉：矽酮系剝離劑、長鏈烷基系剝離劑、氟系剝離劑、脂肪酸醯胺系剝離劑、二氧化矽系剝離劑。
保護膜之厚度較佳為1 μm～100 μm。
保護膜之形成方法可根據目的適當地選擇，例如可藉由射出成形法、擠出成形法或吹塑成形法等來形成。
作為製造本發明之實施方式之清潔片材之方法，於不損害本發明之效果之範圍內，可採用任意合適之方法。作為此種製造方法，例如可例舉下述方法：(1)將本發明之實施方式之改質聚苯并噁唑之清漆溶液澆鑄於支持體上，利用旋塗機等均勻地成膜，然後進行加熱，藉此直接於支持體上形成清潔層；(2)藉由將作為標籤及補強部之構成材料之黏著膜(於標籤支持體之單面設置有清潔層且於另一面設置有通常之黏著劑層者)貼附於剝離襯墊上之方法等，形成包含剝離襯墊及黏著膜之積層體，繼而僅將該積層體之黏著膜同時或分別沖裁成標籤及/或補強部之各形狀，並自剝離襯墊上剝離去除不需要之黏著膜。
《《4.具清潔功能之搬送構件》》 本發明之實施方式之具清潔功能之搬送構件具有本發明之實施方式之清潔片材及搬送構件。
圖4係表示本發明之實施方式之具清潔功能之搬送構件之一實施方式之概略剖視圖。圖4中，具清潔功能之搬送構件300具有清潔片材100及搬送構件200。於清潔片材100具有黏著劑層之情形時，較佳為清潔片材100之搬送構件200側上之最外層為黏著劑層。
作為搬送構件，於不損害本發明之效果之範圍內，可採用任意合適之搬送構件。作為此種搬送構件，例如可例舉：半導體晶圓(例如矽晶圓)、LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)、PDP(Plasma Display Panel，電漿顯示面板)等平板顯示器用基板、光碟、MR磁頭(Magnetic Resistance head，磁阻磁頭)等。於該等搬送構件中，於以基板處理裝置內之晶圓之搬送裝置之清潔為目的之情形時，代表性地可例舉半導體晶圓(例如矽晶圓)。 [實施例]
以下舉出實施例及比較例更具體地說明本發明。然而，本發明完全不受限於該等。再者，於以下說明中，只要無特別說明，則「份」及「%」均為重量基準。
＜於0℃～100℃之範圍內、1 Hz下之儲存模數之測定＞ 儲存模數係使用固體黏彈性測定裝置(型號：RSAG-2，TA Instruments Japan股份有限公司製造)測定。詳細而言，切出長度為30 mm(測定長度)且寬度為10 mm之試驗片，於頻率1 Hz、升溫速度10℃/min、夾頭間距離10 mm之條件下，於0℃～100℃之溫度範圍內，使用固體黏彈性測定裝置(型號：RSAG-2，TA Instruments Japan股份有限公司製造)測定上述試驗片之儲存模數。
＜於0℃～100℃之範圍內、1 Hz下之儲存模數之變化率之測定＞ 於上述之0℃～100℃之範圍內、1 Hz下之儲存模數之測定中，讀取0℃下及100℃下之值，並藉由下式算出變化率。 變化率(%)＝[(100℃下之儲存模數－0℃下之儲存模數)/0℃下之儲存模數] × 100
＜於25℃下、0.001 Hz～1 Hz之範圍內之儲存模數之測定＞ 儲存模數係使用固體黏彈性測定裝置(型號：RSAG-2，TA Instruments Japan股份有限公司製造)測定。詳細而言，切出長度為30 mm(測定長度)且寬度為10 mm之試驗片，於夾頭間距離為10 mm之條件下，於0℃～100℃之溫度範圍內以單位5℃為增量，於頻率為0.1 Hz～10 Hz之條件下，使用固體黏彈性測定裝置(型號：RSAG-2，TA Instruments Japan股份有限公司製造)進行頻率溫度分散試驗。然後，使用測定結果，使用WLF式(根據JIS K 6394中記載之實驗式(13))求出偏移因子，使各測定溫度下之頻率依賴曲線根據偏移因子偏移，藉此於基準溫度25℃下製作主曲線，算出0.001 Hz～1 Hz下之儲存模數。
＜於25℃下、0.001 Hz～1 Hz之範圍內之儲存模數之變化率之測定＞ 於上述之25℃下、0.001 Hz～1 Hz之範圍內之儲存模數之測定中，讀取0.001 Hz下及1 Hz下之值，並藉由下式算出變化率。 變化率(%)＝[(0.001 Hz下之儲存模數－1 Hz下之儲存模數)/1 Hz下之儲存模數] × 100 ＜Tg之測定＞ 讀取與上述之0℃～100℃之範圍內、1 Hz下之儲存模數之測定同時獲得之tanδ之最大值作為Tg。
＜藉由TG-DTA分析測定於1%重量損失時及於5%重量損失時之TG＞ 使用熱分析儀(TG-DTA)「Thermo plus TG8120」(Rigaku股份有限公司製造)進行測定。於25℃～500℃之溫度範圍內以10℃/min之升溫速度測定長度為30 mm(測定長度)且寬度為10 mm之試驗片之熱重量損失量。
＜吸水率之測定＞ 測定於晶圓(直徑150 mm/厚度720 μm)之整個表面上形成之改質聚苯并噁唑片材(厚度：20 μm)之重量。之後，於85℃、85%RH之環境下靜置72小時，再次進行重量測定，根據其重量變化算出吸水率。 吸水率(%)＝[(吸水後重量－吸水前重量)/吸水前重量] × 100
＜25℃下之吸附力之測定＞ 藉由奈米壓痕儀，於頻率為100 Hz、壓痕深度為100 nm、測定試樣尺寸為1.0 cm×1.0 cm、振幅為2 nm下進行測定。具體而言，於以下條件下進行測定，所得荷重-位移曲線中之卸載曲線之最小荷重定義為吸附力。 (測定裝置及測定條件) 裝置：Hysitron Inc.製造之Tribo Indenter 使用壓頭：Berkovich(三角錐狀) 測定方法：單壓痕測定 壓痕深度設置：100 nm 頻率：100 Hz 振幅：2 nm 試樣尺寸：1 cm×1 cm
[實施例1] (改質聚苯并噁唑之清漆之製造) 將12.0g 4,4'-(六氟亞異丙基)雙(2-胺基苯酚)、8.0 g吡啶及100g N-甲基-2-吡咯啶酮裝入安裝有攪拌裝置之可分離燒瓶中，於室溫下攪拌直至4,4'-(六氟亞異丙基)雙(2-胺基苯酚)及「Priamine 1075」完全溶解。之後，歷時10分鐘滴加7.5 g三甲基氯矽烷，於室溫下攪拌60分鐘。添加2.0 g多胺(Croda公司製造，商品名「Priamine 1075」，二聚二胺)，攪拌3分鐘後，歷時30分鐘緩慢添加11.0 g 4,4'-雙(氯羰基)二苯醚，於室溫下攪拌2小時。 將所得合成液滴入2 L離子交換水中，將所得沈澱物於100℃下乾燥24小時，將4倍量之N-甲基-2-吡咯啶酮添加至乾燥後之沈澱物中，使沈澱物重新溶解，藉此，獲得改質聚苯并噁唑(1)之清漆。 (具備清潔層之具清潔功能之搬送構件之製造及評價) 藉由旋塗將所得改質聚苯并噁唑(1)之清漆塗敷於8英吋矽晶圓之鏡面上，於120℃下加熱10分鐘以去除N-甲基-2-吡咯啶酮，之後，於真空、300℃下加熱2小時，從而獲得了具清潔功能之搬送構件(1)，該搬送構件(1)具備厚度為20 μm之清潔層(1)。 將各種評價結果示於表1中。
[實施例2] 除了4,4'-(六氟亞異丙基)雙(2-胺基苯酚)之使用量改變為11.0 g；多胺(Croda公司製造，商品名「Priamine 1075」，二聚二胺)之使用量改變為4.0 g以外，以與實施例1中相同之方式獲得改質聚苯并噁唑(2)及具清潔功能之搬送構件(2)，該搬送構件(2)具備厚度為20 μm之清潔層(2)。 將各種評價結果示於表1中。
[實施例3] 除了4,4'-(六氟亞異丙基)雙(2-胺基苯酚)之使用量改變為9.5 g；多胺(Croda公司製造，商品名「Priamine 1075」，二聚二胺)之使用量改變為6.0 g以外，以與實施例1中相同之方式獲得改質聚苯并噁唑(3)及具清潔功能之搬送構件(3)，該搬送構件(3)具備厚度為20 μm之清潔層(3)。 將各種評價結果示於表1中。
[實施例4] 除了4,4'-(六氟亞異丙基)雙(2-胺基苯酚)之使用量改變為8.0 g；多胺(Croda公司製造，商品名「Priamine 1075」，二聚二胺)之使用量改變為8.0 g以外，以與實施例1中相同之方式獲得改質聚苯并噁唑(4)及具清潔功能之搬送構件(4)，該搬送構件(4)具備厚度為20 μm之清潔層(4)。 將各種評價結果示於表1中。
[實施例5] 除了4,4'-(六氟亞異丙基)雙(2-胺基苯酚)之使用量改變為10.9 g；使用7.7 g之多胺(Huntsman股份有限公司製造，商品名「ELASTAMINE RT-1000」，PE二胺，H 2N-CH(CH 3)-CH 2-(O-CH(CH 3)-CH 2) 2-(O-CH 2CH 2CH 2CH 2) 9-(O-CH 2-CH(CH 3)) 3-NH 2)代替多胺(Croda公司製造，商品名「Priamine 1075」，二聚二胺)以外，以與實施例1中相同之方式獲得改質聚苯并噁唑(5)及具清潔功能之搬送構件(5)，該搬送構件(5)具備厚度為20 μm之清潔層(5)。 將各種評價結果示於表1中。
[比較例1] 除了4,4'-(六氟亞異丙基)雙(2-胺基苯酚)之使用量改變為8.7 g；使用13.2 g之多胺(Huntsman股份有限公司製造，商品名「ELASTAMINE RT-1000」，H 2N-CH(CH 3)-CH 2-(O-CH(CH 3)-CH 2) 2-(O-CH 2CH 2CH 2CH 2) 9-(O-CH 2-CH(CH 3)) 3-NH 2)代替多胺(Croda公司製造，商品名「Priamine 1075」，二聚二胺)以外，以與實施例1中相同之方式獲得改質聚苯并噁唑(C1)及具清潔功能之搬送構件(C1)，該搬送構件(C1)具備厚度為20 μm之清潔層(C1)。 將各種評價結果示於表1中。
[比較例2] 除了4,4'-(六氟亞異丙基)雙(2-胺基苯酚)之使用量改變為11.6 g；使用5.7 g之多胺(Huntsman股份有限公司製造，商品名「ELASTAMINE RT-1000」，H 2N-CH(CH 3)-CH 2-(O-CH(CH 3)-CH 2) 2-(O-CH 2CH 2CH 2CH 2) 9-(O-CH 2-CH(CH 3)) 3-NH 2)代替多胺(Croda公司製造，商品名「Priamine 1075」，二聚二胺)以外，以與實施例1中相同之方式獲得改質聚苯并噁唑(C2)及具清潔功能之搬送構件(C2)，該搬送構件(C2)具備厚度為20 μm之清潔層(C2)。 將各種評價結果示於表1中。
[比較例3] 除了4,4'-(六氟亞異丙基)雙(2-胺基苯酚)之使用量改變為13.0 g；多胺(Croda公司製造，商品名「Priamine 1075」，二聚二胺)之使用量改變為1.0 g以外，以與實施例1中相同之方式獲得改質聚苯并噁唑(C3)及具清潔功能之搬送構件(C3)，該搬送構件(C3)具備厚度為20 μm之清潔層(C3)。 將各種評價結果示於表1中。
[比較例4] 除了4,4'-(六氟亞異丙基)雙(2-胺基苯酚)之使用量改變為6.5 g；多胺(Croda公司製造，商品名「Priamine 1075」，二聚二胺)之使用量改變為9.8 g以外，以與實施例1中相同之方式獲得改質聚苯并噁唑(C4)及具清潔功能之搬送構件(C4)，該搬送構件(C4)具備厚度為20 μm之清潔層(C4)。 將各種評價結果示於表1中。
[比較例5] 除了不使用4,4'-(六氟亞異丙基)雙(2-胺基苯酚)及三甲基氯矽烷；多胺(Croda公司製造，商品名「Priamine 1075」，二聚二胺)之使用量改變為20 g以外，以與實施例1中相同之方式獲得改質聚苯并噁唑(C5)及具清潔功能之搬送構件(C5)，該搬送構件(C5)具備厚度為20 μm之清潔層(C5)。 將各種評價結果示於表1中。
[1]表1
      實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 比較例1 比較例2 比較例3 比較例4 比較例5
原料 (a)雙(氯羰基)二苯基化合物 4,4'-雙(氯羰基)二苯醚
(b)雙(2-胺基苯酚)化合物 4,4'-(六氟亞異丙基)雙(2-胺基苯酚)
(c)多胺 Priamine 1075 Priamine 1075 Priamine 1075 Priamine 1075 RT-1000 RT-1000 RT-1000 Priamine 1075 Priamine 1075 Priamine 1075
(c)之添加量(莫耳%)(相對於胺[(b)+(c)]) 10 20 30 40 20 35 15 5 50 100
特性 吸水率(%) 0 0 0 0 0.2 0.3 0.2 0 0 0.1
Tg(℃) 248 245 193 148 146 80 175 250 120 60
於1%重量損失時之TG(℃) 380 380 380 380 344 344 344 380 380 399
於5%重量損失時之TG(℃) 435 435 430 430 380 380 380 435 430 435
25℃下之吸附力(μN) -0.4 -0.45 -0.58 -0.62 -0.41 -0.72 -0.36 -0.35 -0.76 -1.4
於0℃～100℃之範圍內、1 Hz下之儲存模數 於0℃下之儲存模數(1 Hz) 1650 1320 1281 1210 1880 1000 2230 2200 1230 871
於100℃下之儲存模數(1 Hz) 1150 1040 1011 980 400 0.004 1370 1540 187 7
於0℃～100℃之範圍內、1 Hz下之儲存模數之變化率(%) -30 -21 -21 -19 -79 -100 -39 -30 -85 -99
於25℃下、0.001 Hz～1 Hz之範圍內之儲存模數 於1 Hz下之儲存模數 (25℃) 1988 1872 1700 1484 837 609 2339 2543 1390 636
於0.01 Hz下之儲存模數(25℃) 1833 1773 1582 1339 613 407 2003 2211 1227 526
於0.001 Hz下之儲存模數(25℃) 1782 1670 1400 1200 422 183 1886 1963 1096 302
於25℃下、0.001 Hz～1 Hz之範圍內之儲存模數之變化率(%) -10 -10 -18 -19 -50 -70 -19 -22 -21 -53
[產業上之可利用性]
本發明之清潔片材及具清潔功能之搬送構件可適切地用於清潔各種如製造裝置及檢查裝置之基板處理裝置。
10:清潔層 20:保護膜 30:黏著劑層 40:支持體 100:清潔片材 200:搬送構件 300:具清潔功能之搬送構件
圖1係表示本發明之清潔片材之一實施方式之概略剖視圖。 圖2係表示本發明之清潔片材之另一實施方式之概略剖視圖。 圖3係表示本發明之清潔片材之又一實施方式之概略剖視圖。 圖4係表示本發明之具清潔功能之搬送構件之一實施方式之概略剖視圖。
10:清潔層
20:保護膜
30:黏著劑層
40:支持體
100:清潔片材

Claims (10)

  1. 一種改質聚苯并噁唑，其具有苯并噁唑環結構及2個以上之醯胺鍵，且 於0℃～100℃之範圍內、1 Hz下之儲存模數為200 MPa～2000 MPa。
  2. 如請求項1之改質聚苯并噁唑，其中上述於0℃～100℃之範圍內、1 Hz下之儲存模數之變化率為50%以下。
  3. 如請求項1或2之改質聚苯并噁唑，其中於25℃下、0.001 Hz～1 Hz之範圍內之儲存模數之變化率為50%以下。
  4. 如請求項1或2之改質聚苯并噁唑，其中上述2個以上之醯胺鍵為來自多胺之醯胺鍵。
  5. 如請求項4之改質聚苯并噁唑，其中上述多胺為選自由具有聚醚結構之二胺化合物、脂肪族二胺、及芳香族二胺所組成之群中之至少一種。
  6. 一種改質聚苯并噁唑片材，其包含如請求項1至5中任一項之改質聚苯并噁唑。
  7. 一種清潔片材，其具備清潔層，且該清潔層為如請求項6之改質聚苯并噁唑片材。
  8. 如請求項7之清潔片材，其包含黏著劑層。
  9. 如請求項7或8之清潔片材，其包含支持體。
  10. 一種具清潔功能之搬送構件，其具有如請求項7至9中任一項之清潔片材及搬送構件。
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