TW202317746A - 篩選裝置及磁力架 - Google Patents

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Abstract

本發明公開一種篩選裝置及磁力架，所述磁力架包含一支架、一上磁鐵、及一下磁鐵。所述支架具有一承靠部及自所述承靠部延伸的一試管限位部，所述承靠部與所述試管限位部共同定義有一直管區域與一錐管區域。所述上磁鐵與所述下磁鐵埋置於所述承靠部並分別面向所述直管區域與所述錐管區域，所述上磁鐵與所述下磁鐵彼此傾斜且間隔地設置。所述上磁鐵的端面所具備的磁性相反於所述下磁鐵的端面所具備的磁性，以使所述上磁鐵與所述下磁鐵所形成的一磁場，其在所述錐管區域的頂部形成有一最大高斯值。

Description

篩選裝置及磁力架
本發明涉及一種篩選構件，尤其涉及一種適用於免疫磁珠（Immunomagnetic Beads，IMB）的篩選裝置及磁力架。
現有的篩選裝置包含磁力架及設置於其上的試管，並且磁力架對應試管設置有磁鐵，通過磁鐵來對試管內的樣本進行目標細胞的篩選。然而，由於對應試管僅採用單個磁鐵，所以現有篩選裝置的磁力強度與磁場分佈都有諸多的限制存在，因而不利於準確地實現目標細胞的篩選。
於是，本發明人認為上述缺陷可改善，乃特潛心研究並配合科學原理的運用，終於提出一種設計合理且有效改善上述缺陷的本發明。
本發明實施例在於提供一種篩選裝置及磁力架，其能有效地改善現有篩選裝置所可能產生的缺陷。
本發明實施例公開一種磁力架，包括：一支架，具有一承靠部及自所述承靠部延伸的一試管限位部；其中，所述承靠部與所述試管限位部共同定義有一置管空間，並且所述置管空間包含有一直管區域與一錐管區域；一上磁鐵，埋置於所述承靠部，面向所述直管區域；已及一下磁鐵，埋置於所述承靠部，面向所述錐管區域；其中，所述上磁鐵與所述下磁鐵彼此傾斜且間隔地設置；且所述上磁鐵的端面所具備的磁性相反於所述下磁鐵的端面所具備的磁性，以使所述上磁鐵與所述下磁鐵在所述置管空間所形成的一磁場，其在所述錐管區域的頂部形成有一最大高斯值。
本發明實施例也公開一種篩選裝置，包括：如上所述的該磁力架；以及一試管，可分離地設置於所述磁力架的所述置管空間內，並且所述試管具有位於所述直管區域的一直管段及位於所述錐管區域的一錐形段；其中，所述試管用於容置一待篩選細胞液體，以通過所述磁力架來對所述待篩選細胞液體實施一免疫磁珠篩選作業。
綜上所述，本發明實施例所公開的篩選裝置及磁力架，其通過上磁鐵與所述下磁鐵的方位配置，以使得其磁力強度與磁場分佈（如：最大高斯值形成在錐管區域的頂部、或是錐形段的頂部）能夠利於提升免疫磁珠吸附能力，據以準確地實現目標細胞的篩選。
為能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，但是此等說明與附圖僅用來說明本發明，而非對本發明的保護範圍作任何的限制。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“篩選裝置及磁力架”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。
應當可以理解的是，雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件或者信號，但這些元件或者信號不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件，或者一信號與另一信號。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
請參閱圖1至圖5所示，其為本發明的一實施例。如圖1和圖2所示，本實施例公開一種篩選裝置100，其適用於免疫磁珠（Immunomagnetic Beads，IMB）的細胞篩選，但本發明不受限於此。
其中，如圖3所示，篩選裝置100包含有一磁力架1及可分離地設置於磁力架1的一試管2。其中，試管2於本實施例中是用於容置一待篩選細胞液體，以通過磁力架1來對待篩選細胞液體實施一免疫磁珠篩選作業（也就是，在待篩選細胞液體之中篩選出目標細胞）。
需額外說明的是，篩選裝置100於本實施例中是以磁力架1搭配於一個試管2來說明，但本發明不受限於此。舉例來說，在本發明未繪示的其他實施例中，磁力架1可以被單獨地應用（如：販售）；或者，磁力架1也可以擴展成能夠搭配多個試管2的構造。
如圖2和圖4所示，磁力架1於本實施例中包含有一支架11、埋置於支架11內的多個磁鐵12（如：永久磁鐵）、及可拆卸地安裝於支架11的一磁力屏蔽件13，但本發明不以此為限。舉例來說，在本發明未繪示的其他實施例中，磁力架1可以依據設計需求而不採用磁力屏蔽件13；或者，支架11可以是由金屬材料所製成且具備有磁力屏蔽功能，進而使磁力架1可以省略磁力屏蔽件13。
支架11於本實施例中是由塑膠材質所製成的一體成形構造，並且支架11包含有一承靠部111、及自承靠部111延伸的一試管限位部112與一試管固持部113。其中，承靠部111呈直立狀構造，並且支架11的底端能被設置於一工作面（如：桌面）上。試管限位部112是由承靠部111的底端延伸且其頂緣呈凹槽狀，而試管固持部113是由承靠部111的頂端延伸而共同構成一環狀構造。
更詳細地說，承靠部111是與試管限位部112（及試管固持部113）共同定義有一置管空間S2，並且置管空間S2包含有一直管區域S21與一錐管區域S22。
其中，承靠部111具有鄰近於置管空間S2的一抵靠面1111，並且抵靠面1111具有鄰近於直管區域S21的一直立平面1112及鄰近於錐管區域S22的一傾斜平面1113。或是說，抵靠面1111為置管空間S2的部分邊界，直立平面1112為直管區域S21的部分邊界，而傾斜平面1113則是錐管區域S22的部分邊界。
需額外說明的是，支架11於本實施例中雖是以上述構造來說明，但支架11的構造也可以依據設計需求而加以調整變化。舉例來說，在本發明未繪示的其他實施例中，支架11可以是多件式組合的構造；或者，支架11可以省略試管固持部113。
多個磁鐵12埋置於支架11的承靠部111；也就是說，磁力架1於本實施例中是排除任何僅設置單個磁鐵的類型。其中，多個磁鐵12的至少其中一個是面向直管區域S21、並定義為一上磁鐵12a，多個磁鐵12的至少其中另一個是面向錐管區域S22、並定義為一下磁鐵12b。
需額外說明的是，為便於理解本實施例，因而磁力架1的多個磁鐵12於圖式及下述技術內容之中，僅以上磁鐵12a與下磁鐵12b來說明，但本發明不以此為限。舉例來說，在本發明未繪示的其他實施例中，磁力架1可以在承靠部111內埋置有上磁鐵12a與下磁鐵12b以外的其他磁鐵（如：承靠部111內垂直埋置兩塊以上的磁鐵）。
再者，試管2可分離地設置於磁力架1的置管空間S2內，並且試管2具有位於直管區域S21的一直管段21及位於錐管區域S22的一錐形段22。其中，試管2的錐形段22具有容積介於55微升（μl）～75微升的一末端部221（較佳是60微升～70微升），其插設於呈凹槽狀的試管限位部112並位於下磁鐵12b（如：下述端面12b1）的下方。
進一步地說，上磁鐵12a與下磁鐵12b彼此傾斜且間隔地設置，並且鄰近於直管區域S21的上磁鐵12a的端面12a1所具備的磁性，其相反於鄰近於錐管區域S22的下磁鐵12b的端面12b1所具備的磁性，以使多個磁鐵12（如：上磁鐵12a與下磁鐵12b）在置管空間S2所形成的一磁場，其在錐管區域S22的頂部形成有一最大高斯值。其中，下磁鐵12b的端面12b1的表面高斯強度於本實施例中大致等同於上磁鐵12a的端面12a1的表面高斯強度，但本發明不受限於此。
換個角度來看，如圖2、圖4、及圖5所示，磁場的最大高斯值於本實施例中大致為2600高斯，其為下磁鐵12b的端面12b1的表面高斯強度的50%～75%。再者，形成有最大高斯值的錐管區域S22的頂部則是對應於位在試管2標示900微升的位置。
據此，篩選裝置100通過多個磁鐵12（如：上磁鐵12a與下磁鐵12b）的方位配置，以使得其磁力強度與磁場分佈（如：最大高斯值形成在錐管區域S22的頂部、或是錐形段22的頂部）能夠利於提升免疫磁珠吸附能力（也就是，降低目標細胞以外的雜質率），據以準確地實現目標細胞的篩選。更詳細地說，當免疫磁珠由試管2的上方流動至其下方的過程中，磁力架1通過最大高斯值的分佈位置，以使得大部份的免疫磁珠可以被上磁鐵12a所吸附，而其餘少量免疫磁珠則會被下磁鐵12b所吸附，據以實現免疫磁珠的高吸附率，進而準確地篩選出目標細胞。
此外，為了進一步提升篩選裝置100的免疫磁珠吸附能力，磁力架1與試管2較佳的方位配置如下：試管2的錐形段22朝向磁力架1正投影而構成的一投影區域，其面積的至少75%（較佳是80%～90%）是重疊於下磁鐵12b的端面12b1，但本發明不受限於此。
需額外說明的是，為使篩選裝置100的磁力強度與磁場分佈能夠進一步利於提升免疫磁珠吸附能力，據以準確地實現目標細胞的篩選，因而磁力架1的上磁鐵12a與下磁鐵12b相對於支架11來說，較佳是符合下述結構配置條件，但本發明不受限於此。也就是說，在本發明未繪示的其他實施例中，磁力架1可以僅符合下述結構配置條件的部分。
更詳細地說，上磁鐵12a的端面12a1與下磁鐵12b的端面12b1皆裸露於支架11之外、並皆切齊於與其相鄰的承靠部111的表面（如：抵靠面1111）。也就是說，上磁鐵12a的端面12a1呈平面狀且切齊於直立平面1112，而下磁鐵12b的端面12b1也呈平面狀且切齊於傾斜平面1113。
於本實施例中，上磁鐵12a與下磁鐵12b之間為未設有任何磁鐵的一磁力交界區114，並且形成有最大高斯值的錐管區域S22的頂部對應於磁力交界區114。其中，錐管區域S22對應於磁力交界區114所形成的高斯值範圍較佳是介於最大高斯值的80%～100%，但本發明不受限於此。
如圖4所示，上磁鐵12a的底緣對應於直管區域S21與錐管區域S22的交界處，端面12a1與端面12b1之間相隔有2.5毫米（mm）～4毫米的一間距D（如：間距D較佳為3毫米～3.5毫米）。 另外，端面12a1與端面12b1之間構成介於165度～175度的一夾角α（如：夾角α較佳為171度～173度）。
此外，為避免磁力架1的磁場對其他構件產生干擾，磁力架1能以磁力屏蔽件13可拆卸地安裝於支架11的承靠部111，並且磁力屏蔽件13位於遠離置管空間S2的承靠部111一側。其中，上磁鐵12a與下磁鐵12b的總體積的至少80%是位於磁力屏蔽件13所包圍的空間之內，並且下磁鐵12b的端面12b1未落在磁力屏蔽件13所包圍的空間之內。
[本發明實施例的技術效果]
綜上，本發明實施例所公開的篩選裝置及磁力架，其通過上磁鐵與下磁鐵的方位配置，以使得其磁力強度與磁場分佈（如：最大高斯值形成在錐管區域的頂部、或是錐形段的頂部）能夠利於提升免疫磁珠吸附能力（也就是，降低目標細胞以外的雜質率），據以準確地實現目標細胞的篩選。
再者，本發明實施例所公開的篩選裝置及磁力架，能通過特定的結構配置條件（如：上磁鐵端面與下磁鐵端面切齊支架的抵靠面；錐管區域對應於磁力交界區所形成的高斯值範圍介於最大高斯值的80%～100%；間距介於2.5毫米～4毫米；夾角介於165度～175度），以使其磁力強度與磁場分佈能夠進一步利於提升免疫磁珠吸附能力，據以準確地實現目標細胞的篩選。
此外，本發明實施例所公開的篩選裝置及磁力架，其能以磁力屏蔽件可拆卸地安裝於支架的承靠部，據以避免磁力架的磁場對其他構件產生干擾。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的專利範圍內。
100:篩選裝置 1:磁力架 11:支架 111:承靠部 1111:抵靠面 1112:直立平面 1113:傾斜平面 112:試管限位部 113:試管固持部 114:磁力交界區 12:磁鐵 12a:上磁鐵 12a1:端面 12b:下磁鐵 12b1:端面 13:磁力屏蔽件 2:試管 21:直管段 22:錐形段 221:末端部 S2:置管空間 S21:直管區域 S22:錐管區域 D:間距 α:夾角
圖1為本發明實施例的篩選裝置的立體示意圖。
圖2為圖1沿剖線II-II的剖視示意圖。
圖3為圖1的分解示意圖。
圖4為圖3的磁力架沿剖線IV-IV的剖視示意圖。
圖5為本發明實施例的篩選裝置的磁場強度分佈對應於試管的曲線圖。
1:磁力架
11:支架
111:承靠部
1111:抵靠面
1112:直立平面
1113:傾斜平面
112:試管限位部
113:試管固持部
114:磁力交界區
12:磁鐵
12a:上磁鐵
12a1:端面
12b:下磁鐵
12b1:端面
13:磁力屏蔽件
S2:置管空間
S21:直管區域
S22:錐管區域
α:夾角

Claims (10)

  1. 一種磁力架，包括： 一支架，具有一承靠部及自所述承靠部延伸的一試管限位部；其中，所述承靠部與所述試管限位部共同定義有一置管空間，並且所述置管空間包含有一直管區域與一錐管區域； 一上磁鐵，埋置於所述承靠部，面向所述直管區域；以及 一下磁鐵，埋置於所述承靠部，面向所述錐管區域；其中，所述上磁鐵與所述下磁鐵彼此傾斜且間隔地設置，且所述上磁鐵的端面所具備的磁性相反於所述下磁鐵的端面所具備的磁性，以使所述上磁鐵與所述下磁鐵在所述置管空間所形成的一磁場，其在所述錐管區域的頂部形成有一最大高斯值。
  2. 如請求項1所述的磁力架，其中，所述上磁鐵的所述端面與所述下磁鐵的所述端面皆裸露於所述支架之外、並皆切齊於與其相鄰的所述承靠部的表面，並且所述最大高斯值為所述下磁鐵的所述端面的表面高斯強度的50%～75%。
  3. 如請求項2所述的磁力架，其中，所述上磁鐵的所述端面與所述下磁鐵的所述端面之間構成介於165度～175度的一夾角。
  4. 如請求項2所述的磁力架，其中，所述上磁鐵的底緣對應於所述直管區域與所述錐管區域的交界處，所述上磁鐵的所述端面與所述下磁鐵的所述端面之間相隔有2.5毫米（mm）～4毫米的一間距。
  5. 如請求項4所述的磁力架，其中，所述上磁鐵與所述下磁鐵之間為未設有任何磁鐵的一磁力交界區，形成有所述最大高斯值的所述錐管區域的所述頂部對應於所述磁力交界區，並且所述錐管區域對應於所述磁力交界區所形成的高斯值範圍介於所述最大高斯值的80%～100%。
  6. 如請求項1所述的磁力架，其中，所述磁力架進一步包含有一磁力屏蔽件，其可拆卸地安裝於所述支架的所述承靠部，並且所述磁力屏蔽件位於遠離所述置管空間的所述承靠部一側。
  7. 如請求項1所述的磁力架，其中，所述上磁鐵與所述下磁鐵的總體積的至少80%是位於所述磁力屏蔽件所包圍的空間之內，並且所述下磁鐵的所述端面未落在所述磁力屏蔽件所包圍的所述空間之內。
  8. 一種篩選裝置，包括： 如請求項1所述之該磁力架；以及 一試管，可分離地設置於所述磁力架的所述置管空間內，並且所述試管具有位於所述直管區域的一直管段及位於所述錐管區域的一錐形段；其中，所述試管用於容置一待篩選細胞液體，以通過所述磁力架來對所述待篩選細胞液體實施一免疫磁珠（Immunomagnetic Beads，IMB）篩選作業。
  9. 如請求項8所述的篩選裝置，其中，所述上磁鐵的所述端面與所述下磁鐵的所述端面皆裸露於所述支架之外，並皆切齊於與其相鄰的所述承靠部的表面；其中，所述試管的所述錐形段朝向所述磁力架正投影而構成的一投影區域，其面積的至少75%是重疊於所述下磁鐵的所述端面。
  10. 如請求項8所述的篩選裝置，其中，所述試管的所述錐形段具有容積介於55微升（μl）～75微升的一末端部，其插設於呈凹槽狀的所述試管限位部並位於所述下磁鐵的所述端面的下方。
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