TW202316123A - 晶圓檢測方法與檢測設備 - Google Patents

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Abstract

一種晶圓檢測方法與檢測設備，藉由探針模組對晶圓上的晶粒進行電壓的檢測。探針模組包括：處理模組、與晶粒的第一電極點耦接的第一探針、及與晶粒的第二電極點耦接的第二探針。第一探針並耦接處理模組，第二探針並耦接接地。處理模組透過第一探針對晶粒提供驅動電流，並取得晶粒對應的檢測電壓。處理模組基於分別代表正常工作的晶粒的高臨界閥值及低臨界閥值的二參考電壓，以對檢測電壓產生檢測結果。檢測結果係指示出晶粒的運作狀態。藉此，降低了檢測成本且提高了效率。

Description

晶圓檢測方法與檢測設備
本揭露關於一種晶圓的檢測，更特別的是關於一種晶圓檢測方法與檢測設備。
晶圓檢測方式是利用探針與晶粒的電極點形成接觸，以進行電性測試。傳統上，對於晶圓上每個晶粒的測試來說，除了要使探針與對應的晶粒的電極點形成供電性測試的電性連接路徑之外，還需要透過測試裝置來執行電性測試的程序。
舉例來說，在對晶粒供給電源後，測試裝置會透過晶圓檢測設備的探針，對各個晶粒進行數值讀取，以取得該晶粒反饋的電性數值，進而用於判定晶粒的品質。
為了縮短測試的總時間，須要對一個範圍內的所有晶粒進行同時檢測，然而，由於一個晶粒就會需要占用測試裝置的一個通道數，這使得單一測試裝置須提供更多的通道數或是同時採用多台的測試裝置來達成，這導致了測試成本的增加。
在本揭露的一些實施例中，解決了晶圓的檢測成本過高的問題。
在本揭露的一些實施例中，提高了檢測效率。
根據一些實施例，晶圓檢測設備包含：探針模組。探針模組包括第一探針、第二探針及處理模組。第一探針被提供來與晶圓上的晶粒的第一電極點形成耦接。第二探針被提供來與晶圓上的晶粒的第二電極點形成耦接。第一探針並耦接處理模組，第二探針並耦接接地。其中，處理模組透過第一探針及第一電極點對晶粒提供驅動電流，處理模組並於晶粒被驅動時取得對應的檢測電壓，處理模組用於基於二參考電壓對檢測電壓產生檢測結果。其中，二參考電壓分別代表晶粒的高臨界閥值及低臨界閥值。
根據一些實施例，處理模組具有：驅動器、比較單元及邏輯元件。驅動器耦接第一探針以及提供驅動電流。比較單元耦接第一探針以用於取得檢測電壓。比較單元並用於基於二參考電壓，各別與檢測電壓進行比較，以產生檢測結果。邏輯元件耦接比較單元以用於儲存檢測結果。
根據一些實施例，比較單元具有並聯的第一比較器及第二比較器。第一比較器及第二比較器的輸出端耦接邏輯元件。第一比較器的第一輸入端耦接第一探針。第二比較器的第一輸入端耦接第一探針。第一比較器的第二輸入端具有二參考電壓的其一，第二比較器的第二輸入端具有二參考電壓的另一。
根據一些實施例，晶圓檢測方法包含：準備步驟、初始路徑建立步驟以及檢測步驟。在準備步驟中，提供探針模組，探針模組包括第一探針、第二探針及處理模組，第一探針耦接處理模組，第二探針耦接接地。在初始路徑建立步驟中，使第一探針耦接晶圓上的晶粒的第一電極點，以及使第二探針耦接晶粒的第二電極點，以使晶粒被配置在處理模組與接地之間的測試迴路中。在檢測步驟中，藉由處理模組透過第一探針及第一電極點提供驅動電流至被配置在測試迴路中的晶粒，並取得晶粒對應的檢測電壓，處理模組用於基於二參考電壓對檢測電壓產生檢測結果。其中，二參考電壓係分別代表晶粒的高臨界閥值及低臨界閥值。
根據一些實施例，晶圓檢測設備用於對晶圓上的陣列區域內的複數晶粒進行檢測，晶圓係佈局有複數第一佈局線、複數第二佈局線、對應地耦接各該第一佈局線的複數第一接觸墊、及對應地耦接各該第二佈局線的複數第二接觸墊，各該第一佈局線係耦接排列在同一行之各該晶粒的一第一電極點，各該第二佈局線係耦接排列在同一列之各該晶粒的一第二電極點，該晶圓檢測設備包含：探針模組。探針模組用於對各該晶粒提供一驅動路徑以及對被選定的該晶粒提供一接地路徑。該第一路徑、該接地路徑及被選定的該晶粒係構成一檢測程序中的一測試迴路。該探針模組包括複數第一探針、複數第二探針、對應耦接各該第一探針的複數處理模組、耦接在該等第二探針與一接地之間的一切換器組。其中，各該第一探針係被提供來在該檢測程序中接觸該等第一接觸墊中對應的一個，各該第二探針係被提供來在該檢測程序中接觸該等第二接觸墊中對應的一個，該切換器組被控制為使該等第二探針的其一者耦接該接地路徑，該切換器組係使被選定的該晶粒被配置在該測試迴路中。其中，各該處理模組係透過對應的該驅動路徑提供一驅動電流至各該晶粒，該處理模組並於各該晶粒透過該切換器組被耦接至該接地路徑時取得對應的一檢測電壓，各該處理模組係用於基於二參考電壓對該檢測電壓產生一檢測結果，該二參考電壓係分別代表該晶粒的一高臨界閥值及一低臨界閥值。
根據一些實施例，以處理模組搭配切換器組成行與列的控制方式來取得測試結果，在配置有用以串接晶粒之電極點的佈局線的晶圓上，進行快速地切換，以將電流輸入至所要測試的晶粒，進而同時完成同一行或同一列上的晶粒的電性測試，然後再藉由該等切換器的切換，使排列在下一行或下一列的各個晶粒被配置成受測目標。藉此以簡化的行/列控制方式來進行矩陣形式的行/列控制手段，節省了測試設備的成本。
為充分瞭解本文揭露內容之目的、特徵及功效，茲藉由下述具體之實施例，並配合所附之圖式，對本文揭露內容做一詳細說明，說明如後：
在本文中，所描述之用語”一”或”一個”來描述要件或特徵。此舉只是為了方便說明，並且對本文之範疇提供一般性的意義。因此，除非很明顯地另指他意，否則此種描述應理解為包括一個或至少一個，且單數也同時包括複數。
在本文中，所描述之用語”包含、包括、具有”或其他任何類似用語意係非僅限於本文所列出的此等要件或特徵而已，而是可包括未明確列出但卻是所述要件或特徵通常固有的其他部分。
於本文中，所描述之”第一”或”第二”等類似序數之用語，係用以區分或指關聯於相同或類似的要件或特徵，且不必然隱含此等要件或特徵在空間上的順序。應了解的是，在某些情況或配置下，序數用語係可交換使用而不影響本文揭露的或相關聯的實施例。
在本文中，所描述之”耦接”用語可指二或多個要件或特徵相互直接地作實體接觸，或是相互間接地作實體接觸，亦可指二或多個要件或特徵相互操作或動作，亦可指電性上(電或電信號)之間的直接或者間接的連接。
請參照圖1及圖2，圖1為根據一些實施例之晶圓檢測設備的示意圖。圖2為根據一些實施例之晶圓檢測時的電路路徑示意圖。
如圖1所示，晶圓檢測設備包含：探針模組200。探針模組包括第一探針220、第二探針230及處理模組300。通過探針模組200的移動、晶圓的移動或二者的協同運作，可使探針模組200上的第一探針220與第二探針230對應地耦接至晶粒110的第一電極點111與第二電極點112。
在此實施例中，對於晶粒110的電性檢測是基於至少二參考電壓。在晶粒110通過第一探針220與第二探針230對應地的耦接並建立起測試迴路的路徑後，被驅動的晶粒110在此路徑中會相應地基於本身的屬性而對路徑中的電壓產生影響。晶粒110會運作在對應的電壓範圍之間，而使路徑中的電壓維持在對應的一個範圍內，相異電壓範圍可以區分出晶粒各自的電性表現狀態。
舉例來說，設定二參考電壓，包括高閥值及低閥值，一個晶粒的運作狀態可能讓路徑中的電壓處於：(1)高於或等於高閥值、(2)低於或等於低閥值、或(3)介於高閥值與低閥值之間。電壓的狀態即為檢測結果。這三種電壓狀態的表現係對應至晶粒本身的屬性，進而可依據檢測結果來將晶粒進行分組。例如：基於前述三種電壓表現區分成三個類別以用於對受測的晶粒進行分類。再舉例來說，一種實施方式是當電壓表現為高於或等於高閥值以及低於或等於低閥值的電壓狀態時，視為此晶粒為特殊狀態(或異常狀態)，而當電壓表現介於高閥值與低閥值之間的電壓狀態時，則視此晶粒為正常狀態。
在一些實施例中，參考電壓也能被設置的更多，例如當參考電壓為三個時(第一至第三臨界閥值)，電壓表現可被區分成四個區間(四個類別)；當參考電壓為四個時(第一至第四臨界閥值)，電壓表現可被區分成五個區間(五個類別)，依此類推。
在一些實施例中，通過對二參考電壓的設定以及晶粒110的檢測電壓的取得，能快速地判定出此晶粒的運作狀態。這二個參考電壓係可對應至被驅動之晶粒的電壓狀態的閥值。範圍區間的邊界被定義為高臨界閥值與低臨界閥值，晶粒110的檢測電壓在此區間內則代表晶粒屬於第一種類，檢測電壓在此區間之外者則代表晶粒110屬於第二種類。在這樣的配置下，無需使用外部的測試裝置來執行電性測試的程序，且一般來說，外部測試裝置的成本很高。
在一些實施例中，第一種類可被定義為晶粒正常，第二種類可被定義為晶粒異常。
如圖1及圖2所示，處理模組300包含驅動器310、邏輯元件330及比較單元320。驅動器310用於提供驅動電流，並通過第一探針220以提供至晶粒110的第一電極點111。比較單元320耦接第一探針220以用於取得晶粒110的檢測電壓。比較單元320並用於基於二參考電壓ref1、ref2各別與檢測電壓進行比較，以產生檢測結果。
如圖2所示，比較單元320例如採用兩個並聯的比較器，第一比較器321及第二比較器322的輸出端耦接邏輯元件330。第一比較器321的第一輸入端耦接第一探針220(進而與第一電極點111相耦接)，第二比較器322的第一輸入端同樣耦接第一探針220(進而與第一電極點111相耦接)。第一比較器321的第二輸入端具有參考電壓ref1，第二比較器的第二輸入端具有另一參考電壓ref2。耦接比較單元320的邏輯元件330則是用於儲存檢測結果(檢測電壓與參考電壓ref1、ref2的各別的比較結果)。在其他的一些實施例中，當設置更多的參考電壓時，比較器的數量將對應地 增加。
各個比較器可藉由參考電壓的特定電壓值來確認晶粒的電性狀態。舉例來說，一個比較器的參考電壓ref1為2v，另一個比較器的參考電壓ref2為2.3v，如此可取得晶粒的電壓是否介於2v~2.3v之間的檢測結果(評估出檢測電壓的區間)，即可達到簡易有效、同時可降低測試設備成本的測試方式。邏輯元件330可用來紀錄所測得的電壓，例如：晶粒的電性狀態屬於小於或等於2v、晶粒的電性狀態屬於大於或等於2.3v、或者是晶粒的電性狀態屬於2v~2.3v之間。具體的分類邊界或定義，可依實際使用情況做調整，例如另可區分為”小於2v、等於或介於2v~2.3v、及大於2.3v”或者是” 小於2v、介於2v~2.3v、及大於2.3v”。
邏輯元件330舉例來說可為可程式化邏輯閘陣列(Field Programmable Gate Array, FPGA)，用於紀錄比較單元320的輸出訊號，形成例如為二位元制的訊號(00、01、10、11)。
接著請參照圖3，為根據一些實施例之晶圓檢測方法的流程圖。包含：準備步驟S100、初始路徑建立步驟S200、以及檢測步驟S300。
準備步驟S100係提供前述實施例的探針模組200。
初始路徑建立步驟S200係使探針模組200的第一探針220耦接晶粒110的第一電極點111，以及使第二探針230耦接晶粒110的第二電極點112，以使晶粒110被配置在處理模組300與接地之間的一測試迴路中。
檢測步驟S300藉由300處理模組提供驅動電流至被配置在測試迴路中的晶粒110，並取得晶粒對應的檢測電壓，以基於二參考電壓ref1、ref2對檢測電壓判定出產生一檢測結果。
在一些其他的實施例中，可進一步搭配陣列式的掃描，以在一個陣列區域內，快速地切換(選定)被檢測的晶粒。
舉例來說，在LED(light-emitting diode)的製造領域，在mini LED(次毫米發光二極體)尺寸的晶粒或micro LED(微發光二極體)尺寸的晶粒的製造上，一片晶圓內具有著數百萬顆的LED晶粒，透過本文揭露的一些實施例，可解決晶圓的檢測成本過高與效率低落的問題。
每個LED晶粒具有用來接收電流的P極與N極，透過晶圓製造過程中同時佈局部分的傳導線路，可將同一行或同一列之每個晶粒的P極或N極串接在一起。透過傳導線路而串接在一起的這些晶粒的所在處，被定義為一個陣列區域。據此，當晶粒較少時，一個晶圓上可能只定義有一個陣列區域；然而，當晶粒較多時，一個晶圓上就可能被定義有複數個陣列區域。
每個陣列區域內所佈局的每一條傳導線路，是用來將排列為同一行或同一列之每個晶粒串接在一起。關於傳導線路，舉例來說，是指將同一行的每個晶粒的P極或N極串接在一起的一條傳導線路，以及，將同一列的每個晶粒的N極或P極串接在一起的一條傳導線路。再舉例來說，排列在同一行的晶粒中，當晶粒的P極被用來耦接一條行的傳導線路時，此行的晶粒的N極就被用來耦接一條列的傳導線路。
在一些實施例中，在傳導線路的一端佈局接觸墊。這樣的配置相當於將每個晶粒的P極及N極的控制點，透過傳導線路轉移到了陣列區域的邊緣或是晶圓的邊緣，進而對這些LED晶粒達到一整行或一整列的控制。另一方面來說，將接觸墊轉移到陣列區域的邊緣，或是在晶圓邊緣的接觸墊的面積被配置為稍大於每個晶粒的P極的墊或N極的墊的面積，皆有助於提升探針模組的探針在對位接觸上的準確性。
請參照圖4，為根據一些實施例之晶圓上的陣列區域內的線路示意圖。
如圖4所示，舉例了晶圓在一個3*3的陣列區域M1內的線路佈局狀況。在陣列區域M1內有9個晶粒110並排列成三個行與三個列。藉由作為傳導線路的佈局線的配置，在陣列區域M1內，排列在同一行(column)上的各個晶粒110的第一電極點111皆連接至對應的一條第一佈局線121；另一方面，排列在同一列(row)上的各個晶粒110的第二電極點112皆連接至對應的一條第二佈局線131。第一電極點111例如為P極或N極的其一，第二電極點112例如為P極或N極的另一。此外，每一第一佈局線121連接至對應的第一接觸墊120，每一第二佈局線131連接至對應的第二接觸墊130。
藉此，陣列區域M1內的每個晶粒110可通過對應的第一接觸墊120及對應的第二接觸墊130達到陣列式的控制，進而可輕易地讓電流個別地輸入至陣列區域M1內指定的一列或一行中的各個晶粒110。其中，在檢測後，晶圓會經過切裂的程序以將每個晶粒獨立出來，亦即，原先佈局在晶圓上的佈局線(第一佈局線121、第二佈局線131)可在切裂程序後，與晶粒110本體分離。
在一些實施例中，是以晶圓上的每個陣列區域M1皆配置有各自的第一接觸墊120及第二接觸墊130，再藉由移動晶圓(或移動針卡)以讓其餘的陣列區域M1被逐一地接觸探針模組，完成整個晶圓上所有晶粒的測試。在其他實施例中，也可將第一接觸墊120及第二接觸墊130均配置在晶圓的邊緣，形成單一晶圓上僅在兩側具有第一接觸墊120及第二接觸墊130，而非每個陣列區域M1的邊緣都具有第一接觸墊120及第二接觸墊130。如此，可進一步減少晶圓上所需的額外佈局面積，換言之，晶圓上被定義了單一個陣列區域M1。相較於同一晶圓上被定義多個陣列區域M1的配置方式，在僅定義單個陣列區域M1的配置方式下，探針模組上所需配置的探針數量較多。
接著請同時參照圖4及圖5，圖5為探針模組在對應至圖4示例的陣列區域M1的示意圖。圖5為一種俯視示意圖，第一探針220以虛線表示為向下凸伸(朝向被檢測物)的探針。圖5的探針模組200配置有對應圖4之陣列區域M1的第一接觸墊120的複數第一探針220，以及對應第二接觸墊130的複數第二探針230。這些探針用來在檢測時與對應的接觸墊接觸，形成耦接關係並建立測試迴路，以供檢測程序的進行。該等第一探針220係用於個別地連接至對應的一個處理模組300，該等第二探針230係用於個別地連接至切換器組2302中對應的一個切換器(例如：繼電器)。切換器的導通與否(短路或開路的狀態)，決定第二探針230是否耦接至接地。
各個處理模組300基於外部供應的電流(圖未示)，提供電流至對應行 (column)的各個晶粒的第一電極點111，再藉由對每個切換器的控制，決定出哪一列的晶粒110的第二電極點112可與接地形成耦接關係(進而構成測試迴路)。換言之，某一列的切換器被切換為短路狀態(導通)時，此列的各個晶粒110的第二電極點112即耦接至接地，這些晶粒110相當於被同時配置在對應的測試迴路中，以供測試程序的進行，進而令處理模組300可取得此列的各個晶粒110的檢測結果。
在陣列區域M1內，當要更換下一列的晶粒110做為測試對象時，僅須藉由對切換器組2302的控制，切換為下一個切換器被導通(短路狀態)，其餘的切換器均設定在不導通(開路狀態)，如此即可定義出選定的列。對應地，也定義出受測的晶粒110，達成對受測晶粒110的測試迴路(或稱電迴路)的建立。
舉例來說，各個處理模組300與晶粒110之間的連接路徑可被定義為驅動路徑，通過切換器組2302而使接地與晶粒110之間的連接路徑可被定義為接地路徑。探針模組200用於對被選定的晶粒110提供該驅動路徑及該接地路徑。驅動路徑、接地路徑及被選定的晶粒係構成檢測程序中的測試迴路。其中，切換器的短路狀態(導通)可使對應的晶粒耦接至接地路徑，切換器的開路狀態(不導通)則是使對應的晶粒斷開與接地路徑的耦接。
接著請參照圖6，為根據一些實施例之測試迴路示意圖。在晶圓上的一個陣列區域M1內，配置有複數第一接觸墊120、複數第二接觸墊130、作為行(column)佈局線的複數第一佈局線121及作為列(row)佈局線的複數第二佈局線131。探針模組200上則是配置有複數處理模組300、複數第一探針220、切換器組2302(內含複數個切換器)、及複數第二探針230。各該第一佈局線121耦接排列在同一行之各該晶粒110的第一電極點111，各該第二佈局線131耦接排列在同一列之各該晶粒110的一第二電極點112。
為便於說明，圖6實施例中之位在晶圓上方的探針模組200的這些第一探針220與第二探針230，是以箭號形式來顯示出在測試的過程中，各個探針與各個接觸墊之間的對應關係。
圖6示例出各個處理模組300與切換器組2302的控制情況。各個處理模組300與對應行(column)的行佈局線121耦接，各個處理模組300對所耦接的行佈局線121提供驅動路徑。切換器組2302內的各個切換器可被獨立地控制為短路狀態(導通)或開路狀態(不導通)，以選擇性地提供接地路徑。
在檢測程序中，各個處理模組300讓對應的第一佈局線121被選定(圖6中以粗線繪示)。被控制為短路的切換器2302’可讓對應的第二佈局線131被選定(圖6中以粗線繪示)。據此，被選定的第一佈局線121與第二佈局線131可讓排列在選定列的這些晶粒110皆被配置在測試迴路中，而可對這些晶粒110同時進行測試程序。如圖6示例的第三列的三個晶粒110被同時配置在各自對應的測試迴路中，而可同時進行測試，進一步提升檢測效率。
進一步地說，通過對切換器組2302內之切換器的短路狀態(導通)與開路狀態(不導通)的控制，即可快速地決定出被配置在測試迴路中的晶粒110為哪一列的晶粒110，可省去傳統測試上對各個晶粒的逐一移動程序，顯著地減少了測試所需的總時間。
舉例來說，傳統的測試對一個晶粒需要花費的測試時間約為50(ms)，以及讓探針移動至下一個晶粒的時間約為150(ms)，因此花費在一個晶粒上的總測試時間約為200(ms)，以次毫米發光二極體(mini LED)與微發光二極體(micro LED)動輒百萬顆晶粒的數量來說，在一百萬顆的數量下，總共需耗時55.5小時才能測試完畢。
作為對照地，在本文揭露之實施例的測試配置下，以設定100*100的一個陣列區域來說，基於前述的各個處理模組300的配置，排列在同一列的這些晶粒可被同時檢測，這段測試時間約為50(ms)，探針模組的移動時間(換至下一個陣列區域)約為200(ms)，切換器組內各個切換器的掃瞄(切換)時間約為1(ms)，這使得100*100之陣列區域內的一萬顆晶粒的單顆平均測試時間降為僅需約((50+1)*100+200)/(100*100)=0.53(ms)。
以一片晶圓具有一百萬顆晶粒的例子來說，總測試時間僅需耗時約8.8分鐘，相較於傳統需耗時55.5小時的測試程序來說，大幅縮短所需的測試時間。其中，前述例子(陣列區域涵蓋1萬顆晶粒)的計算式為：((50+1)*100+200)/10000，其結果約為每個晶粒(待測物)僅須耗時0.53(ms)。藉此，本文揭露的實施例降低了檢測成本且同時提高了效率。
本文在上述揭露內容中已以較佳實施例揭露，然熟習本項技術者應理解的是，該實施例僅用於描繪本文的揭露內容，而不應解讀為範圍的限制。應注意的是，舉凡與該實施例等效之變化與置換，均應設為涵蓋於本文揭露內容之範疇內。因此，本文揭露內容之保護範圍當以申請專利範圍所界定者為準。
110:晶粒 111:第一電極點 112:第二電極點 120:第一接觸墊 121:第一佈局線 130:第二接觸墊 131:第二佈局線 200:探針模組 220:第一探針 230:第二探針 2302:切換器組 2302’:短路的切換器 300:處理模組 310:驅動器 320:比較單元 321:第一比較器 322:第二比較器 330:邏輯元件 ref 1:參考電壓 ref 2:參考電壓 M1:陣列區域
[圖1]為根據一些實施例之晶圓檢測設備的示意圖。 [圖2]為根據一些實施例之晶圓檢測時的電路路徑示意圖。 [圖3]為根據一些實施例之晶圓檢測方法的流程圖。 [圖4]為根據一些實施例之晶圓上的陣列區域內的線路示意圖。 [圖5]為探針模組在對應至圖4示例的陣列區域的示意圖。 [圖6]為根據一些實施例之測試迴路示意圖。
110:晶粒
111:第一電極點
112:第二電極點
200:探針模組
220:第一探針
230:第二探針
300:處理模組

Claims (9)

  1. 一種晶圓檢測設備，包含： 一探針模組，包括一第一探針、一第二探針及一處理模組，該第一探針係被提供來與一晶圓上的一晶粒的一第一電極點形成耦接，該第二探針係被提供來與該晶圓上的該晶粒的一第二電極點形成耦接，該第一探針並耦接該處理模組，該第二探針並耦接一接地， 其中，該處理模組係透過該第一探針及該第一電極點對該晶粒提供一驅動電流，該處理模組並於該晶粒被驅動時取得對應的一檢測電壓，該處理模組係用於基於至少二參考電壓對該檢測電壓產生一檢測結果， 其中，該二參考電壓係分別代表該晶粒的一高臨界閥值及一低臨界閥值。
  2. 如請求項1所述之晶圓檢測設備，其中該處理模組具有： 一驅動器，係耦接該第一探針以及提供該驅動電流； 一比較單元，係耦接該第一探針以用於取得該檢測電壓，該比較單元並用於基於該二參考電壓各別與該檢測電壓進行比較，以產生該檢測結果；以及 一邏輯元件，係耦接該比較單元以用於儲存該檢測結果。
  3. 如請求項2所述之晶圓檢測設備，其中該比較單元具有並聯的一第一比較器及一第二比較器，該第一比較器及該第二比較器的輸出端係耦接該邏輯元件，該第一比較器的第一輸入端係耦接該第一探針，該第二比較器的第一輸入端係耦接該第一探針，該第一比較器的第二輸入端係具有該二參考電壓的其一，該第二比較器的第二輸入端係具有該二參考電壓的另一。
  4. 一種晶圓檢測方法，包含： 一準備步驟，係提供一探針模組，該探針模組包括一第一探針、一第二探針及一處理模組，該第一探針耦接該處理模組，該第二探針耦接一接地； 一初始路徑建立步驟，係使該第一探針耦接一晶圓上的一晶粒的一第一電極點，以及使該第二探針耦接該晶粒的一第二電極點，以使該晶粒被配置在該處理模組與該接地之間的一測試迴路中；以及 一檢測步驟，係藉由該處理模組透過該第一探針及該第一電極點提供一驅動電流至被配置在該測試迴路中的該晶粒，並取得該晶粒對應的一檢測電壓，該處理模組係用於基於二參考電壓對該檢測電壓產生一檢測結果， 其中，該二參考電壓係分別代表該晶粒的一高臨界閥值及一低臨界閥值。
  5. 一種晶圓檢測設備，係用於對一晶圓上的一陣列區域內的複數晶粒進行檢測，該晶圓係佈局有複數第一佈局線、複數第二佈局線、對應地耦接各該第一佈局線的複數第一接觸墊、及對應地耦接各該第二佈局線的複數第二接觸墊，各該第一佈局線係耦接排列在同一行之各該晶粒的一第一電極點，各該第二佈局線係耦接排列在同一列之各該晶粒的一第二電極點，該晶圓檢測設備包含： 一探針模組，係用於對各該晶粒提供一驅動路徑以及對被選定的該晶粒提供一接地路徑，該驅動路徑、該接地路徑及被選定的該晶粒係構成一檢測程序中的一測試迴路，該探針模組包括複數第一探針、複數第二探針、對應耦接各該第一探針的複數處理模組、耦接在該等第二探針與一接地之間的一切換器組， 其中，各該第一探針係被提供來在該檢測程序中接觸該等第一接觸墊中對應的一個，各該第二探針係被提供來在該檢測程序中接觸該等第二接觸墊中對應的一個，該切換器組被控制為使該等第二探針的其一者耦接該接地路徑，該切換器組係使被選定的該晶粒被配置在該測試迴路中， 其中，各該處理模組係透過對應的該驅動路徑提供一驅動電流至各該晶粒，該處理模組並於各該晶粒透過該切換器組被耦接至該接地路徑時取得對應的一檢測電壓，各該處理模組係用於基於二參考電壓對該檢測電壓產生一檢測結果，該二參考電壓係分別代表該晶粒的一高臨界閥值及一低臨界閥值。
  6. 如請求項5所述之晶圓檢測設備，其中各該處理模組具有： 一驅動器，係耦接該第一探針以及提供該驅動電流至對應的該晶粒； 一比較單元，係耦接該驅動器所耦接的該第一探針以用於取得該檢測電壓，該比較單元並用於基於該二參考電壓各別與該檢測電壓進行比較，以產生該檢測結果；以及 一邏輯元件，係耦接該比較單元以用於儲存該檢測結果。
  7. 如請求項6所述之晶圓檢測設備，其中該比較單元具有並聯的一第一比較器及一第二比較器，該第一比較器及該第二比較器的輸出端係耦接該邏輯元件，該第一比較器的第一輸入端係耦接該第一探針，該第二比較器的第一輸入端係耦接該第一探針，該第一比較器的第二輸入端係具有該二參考電壓的其一，該第二比較器的第二輸入端係具有該二參考電壓的另一。
  8. 如請求項6所述之晶圓檢測設備，其中該切換器組具有對應地耦接各該第二探針的複數切換器，各該切換器的一端係耦接該接地路徑，各該切換器的另一端係基於被控制為打開或關閉以選擇性耦接至對應的該第二探針。
  9. 如請求項8所述之晶圓檢測設備，其中各該切換器係為一繼電器。
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